KR100787171B1

KR100787171B1 - Light emitting diode

Info

Publication number: KR100787171B1
Application number: KR1020070000164A
Authority: KR
Inventors: 이우현; 이국회; 박영호
Original assignee: (주)에피플러스
Priority date: 2007-01-02
Filing date: 2007-01-02
Publication date: 2007-12-21
Anticipated expiration: 2027-01-02

Abstract

A light emitting diode is provided to enhance reliability by preventing a current concentration effect and dispersing uniformly current density, and to manufacture a high luminance light emitting diode by improving an extracting efficiency of light. A first semiconductor layer(120) having a light-transmitting part(125) for exposing a substrate is positioned on a substrate(110). An active layer(130) is formed on the first semiconductor layer in order to expose a part of the first semiconductor layer. A second semiconductor layer(140) is positioned on the active layer. A first electrode is positioned on the exposed part of the first semiconductor layer. A second electrode is positioned on the second semiconductor layer. The light-transmitting part is defined by removing a part of the exposed of the first semiconductor layer, and includes an opening extended along the first electrode or second electrode.

Description

Light Emitting Diodes {LIGHT EMITTING DIODE}

도 1은 종래 기술에 따른 발광다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode according to the prior art.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드를 설명하기 위한 사시도이다.2 is a perspective view illustrating a light emitting diode according to an embodiment of the present invention.

도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 취해진 단면도이다.3 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 2.

도 4 내지 11은 본 발명의 실시예들에 따른 발광다이오드가 갖는 다양한 패턴의 투광부들을 보여주는 평면도들이다.4 to 11 are plan views illustrating light emitting parts having various patterns included in light emitting diodes according to embodiments of the present invention.

♧ 도면의 주요부분에 대한 참조번호의 설명 ♧♧ Explanation of Reference Numbers for Main Parts of Drawing

110 : 기판 115 : 돌출 패턴110: substrate 115: protrusion pattern

120 : 제1 반도체층 125 : 투광부120: first semiconductor layer 125: light transmitting portion

130 : 활성층 140 : 제2 반도체층130: active layer 140: second semiconductor layer

150 : 투명전극 160 : n형 전극150 transparent electrode 160 n-type electrode

170 : p형 전극170: p-type electrode

본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 발광다이오드에 관 한 것이다.The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly to a light emitting diode.

일반적으로 발광다이오드(LED:light emitting diode)는 전자와 홀의 재결합에 기초하여 발광하는 반도체 장치로서 광통신, 전자기기에서 여러 형태의 광원으로 널리 사용되고 있다. In general, a light emitting diode (LED) is a semiconductor device that emits light based on recombination of electrons and holes, and is widely used as a light source of various types in optical communication and electronic devices.

발광다이오드에서 발생되는 광(photon)의 주파수(또는 파장)는 사용되는 반도체 재료의 밴드 갭 함수이다. 즉, 작은 밴드 갭에서는 낮은 에너지와 긴 파장의 광을 발생하고, 큰 밴드 갭에서는 짧은 파장의 광을 발생한다. 예들 들어, 비교적 큰 밴드 갭을 갖는 반도체 재료인 Ⅲ족 질화물계 반도체, 특히 질화 갈륨(GaN)은 청색 또는 자외선 파장을 갖는 광을 생성한다. 단파장 LED는 광기록 장치(optical storage)의 저장 공간을 증가시킬 수 있는 장점을 갖고 있다.The frequency (or wavelength) of photon generated in the light emitting diode is a band gap function of the semiconductor material used. That is, light of low energy and long wavelength is generated in a small band gap, and light of short wavelength is produced in a large band gap. For example, group III nitride based semiconductors, in particular gallium nitride (GaN), which are semiconductor materials with relatively large band gaps, produce light having blue or ultraviolet wavelengths. Short wavelength LEDs have the advantage of increasing storage space in optical storage.

이러한 단파장의 청색광을 발생하는 GaN는 다른 Ⅲ족 질화물계 반도체와 마찬가지로 벌크 단결정체를 형성할 수 없다. 따라서, GaN결정의 성장을 위해 적절한 기판을 사용하여야 한다. 이러한 GaN결정을 성장시키기 위한 기판으로는 사파이어, 즉 알루미늄 옥사이드(Al₂O₃) 기판이 대표적이다.GaN generating such short wavelength blue light cannot form a bulk single crystal like other group III nitride semiconductors. Therefore, an appropriate substrate should be used for the growth of GaN crystals. As a substrate for growing such GaN crystals, sapphire, that is, an aluminum oxide (Al ₂ O ₃ ) substrate is typical.

도 1을 참조하여, 종래 기술에 따른 발광다이오드를 설명한다. 종래의 발광다이오드는 사파이어 기판(10) 상에 형성된 n형 GaN 클래드층(20)을 포함한다. n형 GaN 클래드층(20) 상에 활성층(30)이 위치하고, 활성층(30) 상에 p형 GaN 클래드층(40)이 위치한다. 활성층(30)은 n형 GaN 클래드층(20)을 전부 덮지 않고, 일부를 노출시킨다.1, a light emitting diode according to the prior art will be described. The conventional light emitting diode includes an n-type GaN cladding layer 20 formed on the sapphire substrate 10. The active layer 30 is positioned on the n-type GaN cladding layer 20, and the p-type GaN cladding layer 40 is positioned on the active layer 30. The active layer 30 does not cover all of the n-type GaN cladding layer 20 and exposes a part thereof.

p형 GaN 클래드층(40) 상에 p형 전극(70)이 위치하고, 노출된 n형 GaN 클래드층(20) 상에 n형 전극(60)이 위치한다. 전류주입면적을 증가시키면서도 휘도에 악영향을 주지 않기 위해, 일반적으로 p형 GaN 클래드층(40)과 p형 전극(70) 사이에 투명전극(50, transparent electrode)이 위치한다.The p-type electrode 70 is positioned on the p-type GaN cladding layer 40, and the n-type electrode 60 is positioned on the exposed n-type GaN cladding layer 20. In order to increase the current injection area and not adversely affect the brightness, a transparent electrode 50 is generally disposed between the p-type GaN cladding layer 40 and the p-type electrode 70.

종래의 발광다이오드는 n형 GaN 클래드층(20)이 기판(10)을 덮고 있기 때문에 발광 효율이 저하될 수 있다. 구체적으로 살펴보면, p형 전극(70)에서 n형 전극(60)으로 전류가 흐르면(n형 전극에서 p형 전극으로 전자가 흐르면), 활성층(30)은 발광한다. 이때 광의 일부는 기판(10) 쪽으로 방출된다. 이와 같이 기판(10)으로 방출된 광은 기판(10)을 덮고 있는 n형 GaN 클래드층(20)을 통과하지 못하고 기판(10) 내에서 난반사되어 소멸될 수 있다. 이에 의해 발광다이오드의 발광 효율이 저하될 수 있다. Conventional light emitting diodes may have low luminous efficiency because the n-type GaN cladding layer 20 covers the substrate 10. Specifically, when the current flows from the p-type electrode 70 to the n-type electrode 60 (when electrons flow from the n-type electrode to the p-type electrode), the active layer 30 emits light. At this time, part of the light is emitted toward the substrate 10. As such, the light emitted to the substrate 10 may not pass through the n-type GaN cladding layer 20 covering the substrate 10 and may be diffusely reflected in the substrate 10 to be extinguished. As a result, the luminous efficiency of the light emitting diode may be reduced.

한편, n형 GaN 클래드층(20)이 기판(10) 전면 상에 위치하기 때문에 전류의 흐름이 n형 GaN 클래드층(20) 내에서 균일하게 분산되지 못하여 위치에 따라 밝기의 차이가 크게 날 수 있다. 또, 대면적 칩에서 전류 흐름을 원활히 조절하기가 어렵다. 이에 의해, 발광다이오드의 특성 및 신뢰성이 저하될 수 있다.On the other hand, since the n-type GaN cladding layer 20 is located on the entire surface of the substrate 10, the current flow may not be uniformly distributed in the n-type GaN cladding layer 20, and thus the brightness may vary greatly depending on the position. have. It is also difficult to smoothly control the current flow in large area chips. As a result, the characteristics and reliability of the light emitting diodes may be deteriorated.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 발광 효율을 향상시킬 수 있는 발광다이오드를 제공하는 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is to provide a light emitting diode that can improve the luminous efficiency.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 특성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 발광다이오드를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a light emitting diode capable of improving characteristics and reliability.

본 발명의 실시예들에 따른 발광다이오드는 기판 상에 위치하고, 투광부를 갖는 제1 반도체층; 상기 제1 반도체층 상에 위치하고, 상기 제1 반도체층의 일부를 노출하는 활성층; 상기 활성층 상에 위치하는 제2 반도체층; 상기 노출된 제1 반도체층 상에 위치하는 제1 전극; 및 상기 제2 반도체층 상에 위치하는 제2 전극을 포함하며, 상기 투광부는 상기 노출된 제1 반도체층의 일부가 제거되어 정의된다.The light emitting diode according to the embodiments of the present invention is located on the substrate, the first semiconductor layer having a light transmitting portion; An active layer on the first semiconductor layer and exposing a portion of the first semiconductor layer; A second semiconductor layer on the active layer; A first electrode on the exposed first semiconductor layer; And a second electrode on the second semiconductor layer, wherein the light transmitting part is defined by removing a portion of the exposed first semiconductor layer.

상기 투광부는 상기 기판을 노출시킬 수 있다. 상기 투광부는 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극을 따라 신장하는 개구부를 포함할 수 있다. 상기 개구부는 상기 제1 반도체층의 가장자리에서 중앙부로 신장할 수 있다. 상기 제1 전극의 적어도 일부분은 상기 활성층과 상기 개구부 사이에 위치할 수 있다. The light transmitting part may expose the substrate. The light transmitting part may include an opening extending along the first electrode or the second electrode. The opening may extend from the edge of the first semiconductor layer to the center portion. At least a portion of the first electrode may be located between the active layer and the opening.

상기 투광부는 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극의 일측에 위치할 수 있다. 상기 투광부는 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 포함하는 전극들 사이에 위치할 수 있다. 상기 기판은 그 상부면에 돌출 패턴들을 가질 수 있다.The light transmitting part may be located at one side of the first electrode or the second electrode. The light transmitting part may be positioned between the electrodes including the first electrode and the second electrode. The substrate may have protruding patterns on an upper surface thereof.

이하 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided so that the disclosure may be made thorough and complete, and to fully convey the spirit of the present invention to those skilled in the art.

본 명세서에서 제1, 제2 등의 용어가 다양한 요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 상기 요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이러한 용어들은 단지 상기 요소들을 서로 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 또, 어떤 막이 다른 막 또는 기판 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 막 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 막이 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 도면들에서, 막 또는 영역들의 두께 등은 명확성을 기하기 위하여 과장되게 표현될 수 있다.Although terms such as first, second, etc. are used herein to describe various elements, the elements should not be limited by such terms. These terms are only used to distinguish the elements from one another. In addition, when it is mentioned that a film is on another film or substrate, it means that it may be formed directly on another film or substrate or a third film may be interposed therebetween. In the drawings, the thickness or the like of the film or regions may be exaggerated for clarity.

도 2 및 도 3을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드를 설명한다. 기판(110) 상에 제1 반도체층(120)이 위치한다. 기판(110)은 GaN와 같은 반도체 결정을 성장시킬 수 있는 기판, 예컨대 사파이어 기판일 수 있다. 기판(110)과 제1 반도체층(120) 사이에 스트레스를 완화시킬 수 있는 버퍼층(미도시)이 개재할 수 있다.2 and 3, a light emitting diode according to an embodiment of the present invention will be described. The first semiconductor layer 120 is positioned on the substrate 110. The substrate 110 may be a substrate capable of growing a semiconductor crystal such as GaN, for example, a sapphire substrate. A buffer layer (not shown) may be interposed between the substrate 110 and the first semiconductor layer 120 to relieve stress.

제1 반도체층(120) 상에 활성층(130)이 위치하고, 활성층(130) 상에 제2 반도체층(140)이 위치한다. 제1 반도체층(120)은 n형 GaN을 포함할 수 있고, 제2 반도체층(140)은 p형 GaN을 포함할 수 있다. 활성층(130)은 다중 양자 우물(MQW:multi-quantum well) 구조를 가질 수 있다. 제1 반도체층(120)의 일부는 활성층(130)에 의해 덮히지 않고 노출된다.The active layer 130 is positioned on the first semiconductor layer 120, and the second semiconductor layer 140 is positioned on the active layer 130. The first semiconductor layer 120 may include n-type GaN, and the second semiconductor layer 140 may include p-type GaN. The active layer 130 may have a multi-quantum well (MQW) structure. A portion of the first semiconductor layer 120 is exposed without being covered by the active layer 130.

노출된 제1 반도체층(120) 상에 제1 전극(160)이 위치하고, 제2 반도체층(140) 상에 투명전극(150) 및 제2 전극(170)이 위치한다. 제1 전극(160)과 제2 전극(170)은 각각 n형 전극과 p형 전극일 수 있다. 제1 전극(160)과 제2 전극(170)은 금속 물질을 포함할 수 있고, 투명전극(150)은 투명한 도전물질, 예컨대 ITO(Indium Tin Oxide)를 포함할 수 있다. The first electrode 160 is positioned on the exposed first semiconductor layer 120, and the transparent electrode 150 and the second electrode 170 are positioned on the second semiconductor layer 140. The first electrode 160 and the second electrode 170 may be n-type electrodes and p-type electrodes, respectively. The first electrode 160 and the second electrode 170 may include a metal material, and the transparent electrode 150 may include a transparent conductive material, for example, indium tin oxide (ITO).

제1 반도체층(120)은 투광부(125)를 갖는다. 투광부(125)는 활성층(130)에 의해 노출된 제1 반도체층(120)의 일부가 제거되어 정의될 수 있다. 투광부(125)는 기판(110)을 노출시킬 수 있다. 투광부(125)는 제1 전극(160)과 제1 전극(160) 사이에 위치하거나, 제2 전극(170)과 제2 전극(170) 사이에 위치할 수 있다. 또, 후술하는 바와 같이 투광부(125)는 제1 전극(160)과 제2 전극(170) 사이에 위치할 수도 있다.The first semiconductor layer 120 has a light transmitting part 125. The transmissive part 125 may be defined by removing a portion of the first semiconductor layer 120 exposed by the active layer 130. The light transmitting unit 125 may expose the substrate 110. The light transmitting unit 125 may be located between the first electrode 160 and the first electrode 160 or may be located between the second electrode 170 and the second electrode 170. In addition, as described below, the light transmitting unit 125 may be positioned between the first electrode 160 and the second electrode 170.

투광부(125)는 활성층(130)에서 기판(110)으로 방출된 광자를 발광다이오드 전방으로 방출시킬 수 있다. 이에 의해, 발광다이오드의 발광 효율이 향상될 수 있다. 또, 투광부(125)가 제1 및 제2 전극들(160, 170) 사이에 위치함으로써 전류의 흐름이 발광다이오드 전체적으로 균일하게 형성될 수 있다. 구체적으로 살펴보면, 기판(110)은 투광부(125)를 기준으로 복수의 영역으로 구분될 수 있다. 예컨대, 도 3에 도시된 바와 같이 기판(110)은 투광부(125)를 기준으로 구분되는 제1 영역(R1), 제2 영역(R2), 및 제3 영역(R3)을 포함할 수 있다. 이와 같이, 제1 내지 제3 영역들(R1, R2, R3) 사이에 투광부(125)가 위치하기 때문에 각 영역 내의 전류의 흐름은 다른 영역으로 분산되지 않고, 그 영역 내에 한정된다. 즉, 제1 영역(R1) 내의 전류의 흐름은 제2 영역(R2) 및 제3 영역(R3)으로 분산되지 않고, 제1 영역(R1) 내에 한정된다. 제2 영역(R2) 및 제3 영역(R3) 내의 전류의 흐름도 제1 영역(R1)과 동일하게 그 영역 내에 한정된다. The light transmitting unit 125 may emit photons emitted from the active layer 130 to the substrate 110 in front of the light emitting diodes. Thereby, the luminous efficiency of the light emitting diode can be improved. In addition, since the light transmitting unit 125 is positioned between the first and second electrodes 160 and 170, a current flow may be uniformly formed throughout the light emitting diode. In detail, the substrate 110 may be divided into a plurality of regions based on the light transmitting unit 125. For example, as illustrated in FIG. 3, the substrate 110 may include a first region R1, a second region R2, and a third region R3 that are divided based on the light transmitting unit 125. . As such, since the light transmitting part 125 is positioned between the first to third regions R1, R2, and R3, the flow of current in each region is not distributed to other regions, but is limited within the region. That is, the current flow in the first region R1 is not distributed to the second region R2 and the third region R3, and is limited in the first region R1. Flow charts of currents in the second region R2 and the third region R3 are limited in the region in the same manner as in the first region R1.

투광부를 갖지 않는 종래의 발광다이오드는 전 영역으로 전류의 흐름이 분산되거나 전류의 흐름이 한 곳으로 집중되어 균일한 발광 특성을 얻을 수 없었다. 그러나 본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드는 영역별로 전류의 흐름을 균일하게 할 수 있다. 이에 의해, 제1 전극(160)과 제2 전극(170) 간 전류의 흐름이 발광다이오드 전체적으로 균일하게 분포될 수 있고, 발광다이오드는 균일한 광도를 가질 수 있다. Conventional light emitting diodes that do not have a light-transmitting portion have not been able to obtain uniform light emission characteristics because current flow is dispersed in all regions or current flow is concentrated in one place. However, the light emitting diode according to the embodiment of the present invention can uniformize the flow of current for each region. As a result, the flow of current between the first electrode 160 and the second electrode 170 may be uniformly distributed throughout the light emitting diode, and the light emitting diode may have uniform luminance.

기판(110)은 그 상부면에 돌출 패턴(115)을 가질 수 있다. 돌출 패턴(115)은 활성층(130)에서 방출된 광의 추출 효율을 더욱 향상시킬 수 있다. 돌출 패턴(115)은 기판(110) 전면에 위치할 수도 있고, 투광부(125)를 포함하는 영역에 국부적으로 위치할 수도 있다.The substrate 110 may have a protruding pattern 115 on an upper surface thereof. The protruding pattern 115 may further improve the extraction efficiency of light emitted from the active layer 130. The protruding pattern 115 may be located in front of the substrate 110 or may be locally located in the region including the light transmitting part 125.

도 4 내지 11은 본 발명의 실시예들에 따른 발광다이오드가 갖는 다양한 패턴의 투광부들을 보여주는 평면도들이다. 설명을 용이하기 위해 도면들에는 기판(110), 제1 반도체층(120), 활성층(130), 제1 전극(160), 및 제2 전극(170)만이 도시되고, 제2 반도체층과 투명전극은 도시되지 않는다.4 to 11 are plan views illustrating light emitting parts having various patterns included in light emitting diodes according to embodiments of the present invention. For ease of explanation, only the substrate 110, the first semiconductor layer 120, the active layer 130, the first electrode 160, and the second electrode 170 are shown in the drawings, and the second semiconductor layer and the transparent layer are shown. The electrode is not shown.

도 4 내지 도 11을 참조하면, 제1 반도체층(120)은 다양한 형태의 투광부(125)를 구비할 수 있다. 투광부(125)는 제1 전극(160) 또는 제2 전극(170)을 따라 신장하는 개구부를 포함할 수 있다. 투광부(125)는 제1 반도체층(120)의 가장자리에서 중앙부로 신장할 수 있다. 제1 전극(160)의 적어도 일부분은 활성층(130)과 투광부(125) 사이에 위치할 수 있다. 투광부(125)는 제1 전극(160) 또 는 제2 전극(170)의 일측에 위치할 수 있다. 투광부(125)는 제1 전극(160) 및 제2 전극(170) 사이에 위치할 수 있다.4 to 11, the first semiconductor layer 120 may include light transmitting parts 125 in various forms. The light transmitting part 125 may include an opening extending along the first electrode 160 or the second electrode 170. The light transmitting part 125 may extend from the edge of the first semiconductor layer 120 to the center part. At least a portion of the first electrode 160 may be located between the active layer 130 and the light transmitting part 125. The light transmitting unit 125 may be located at one side of the first electrode 160 or the second electrode 170. The light transmitting part 125 may be positioned between the first electrode 160 and the second electrode 170.

이제까지 본 발명에 대한 구체적인 실시예들을 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.So far, specific embodiments of the present invention have been described. Those skilled in the art will appreciate that the present invention can be implemented in a modified form without departing from the essential features of the present invention. Therefore, the disclosed embodiments should be considered in descriptive sense only and not for purposes of limitation. The scope of the present invention is shown in the claims rather than the foregoing description, and all differences within the scope will be construed as being included in the present invention.

본 발명의 실시예들에 따르면, 빛의 추출 효율을 높여 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 이에 의해, 고휘도 발광다이오드를 구현할 수 있다. 또, 전류집중을 방지하고 전류밀도를 균일하게 분산시켜 발광다이오드의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.According to embodiments of the present invention, the light extraction efficiency can be improved by increasing the light extraction efficiency. As a result, a high brightness light emitting diode can be realized. In addition, current concentration can be prevented and current density can be uniformly distributed to improve the reliability of the light emitting diode.

Claims

delete

A first semiconductor layer on the substrate and having a light transmitting portion exposing the substrate;

An active layer on the first semiconductor layer and exposing a portion of the first semiconductor layer;

A second semiconductor layer on the active layer;

A first electrode on the exposed first semiconductor layer; And

A second electrode on the second semiconductor layer;

The light emitting part includes a light emitting diode including an opening extending along the first electrode or the second electrode is defined by removing a portion of the exposed first semiconductor layer.

The method of claim 3, wherein

The opening is a light emitting diode extending from the edge of the first semiconductor layer to the center.

The method of claim 3, wherein

At least a portion of the first electrode is positioned between the active layer and the opening.

A first semiconductor layer on the substrate and having a light transmitting portion;

A second semiconductor layer on the active layer;

A first electrode on the exposed first semiconductor layer; And

A second electrode on the second semiconductor layer;

The light emitting part is formed by removing a portion of the exposed first semiconductor layer, and is located on one side of the first electrode or the second electrode.

The method of claim 6,

The light emitting unit is positioned between the electrode including the first electrode and the second electrode.

The method according to claim 3 or 6, wherein

The substrate has a light emitting diode having protruding patterns on its top surface.