KR100765786B1 - 플래시 메모리 시스템, 그 프로그램을 위한 호스트 시스템및 프로그램 방법 - Google Patents
플래시 메모리 시스템, 그 프로그램을 위한 호스트 시스템및 프로그램 방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
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- 플래시 메모리 시스템에 있어서,각각이 적어도 2개의 플래시 메모리 칩들과, 상기 플래시 메모리 칩들을 제어하는 제어부와, 외부로부터 입력되는 데이터를 저장하는 버퍼부를 구비하는 복수 개의 채널부; 및호스트로부터 상기 채널부의 개수에 따라 분리되어 전송된 데이터를 상기 각 채널부의 버퍼부에 전달하는 호스트 인터페이스부를 포함하며,상기 각 채널부에 구비된 제어부는 동일 채널상의 상기 플래시 메모리 칩들에 상기 버퍼부에 저장된 데이터를 인터리브 방식으로 기록하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 시스템.
- 제 1항에 있어서, 상기 제어부는상기 동일 채널상의 플래시 메모리 칩들 중 선택된 하나의 플래시 메모리 칩의 셋업 동작, 상기 셋업 동작 후 상기 선택된 플래시 메모리 칩의 프로그램 동작 및 상기 선택된 플래시 메모리 칩 이외의 다른 플래시 메모리 칩의 셋업 동작이 반복적으로 수행되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 시스템.
- 제 2항에 있어서, 상기 셋업 동작은상기 플래시 메모리 칩에 구비된 페이지 레지스터에 상기 버퍼부에 저장된 데이터를 로딩하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 시스템.
- 제 1항에 있어서, 상기 플래시 메모리 칩은복수 개의 메모리셀 어레이; 및상기 복수 개의 각 메모리셀 어레이에 연결된 페이지 레지스터들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 시스템.
- 제 4항에 있어서, 상기 제어부는상기 복수 개의 페이지 레지스터에 순차적으로 상기 버퍼부에 저장된 데이터를 기록하는 셋업 동작을 수행한 다음, 프로그램 명령을 지시하여 상기 페이지 레지스터에 저장된 데이터를 상기 메모리셀 어레이에 동시에 프로그램되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 시스템.
- 플래시 메모리 시스템의 프로그램을 위한 호스트 시스템에 있어서,각각이 적어도 2개의 플래시 메모리 칩들과, 상기 플래시 메모리 칩들을 제어하는 제어부와, 외부로부터 입력되는 데이터를 저장하는 버퍼부를 구비하는 복수 개의 채널부를 포함하는 플래시 메모리 시스템에 데이터를 기록할 때, 상기 채널부의 개수를 판별하고 판별된 상기 채널부의 수에 따라 기록할 데이터를 동일 크기의 데이터로 분리하는 분리부; 및상기 분리된 데이터를 페이지 단위로 상기 플래시 메모리 시스템에 전송하는 전송부를 포함하는 것을 특징으로 하는 호스트 시스템.
- 플래시 메모리 시스템의 프로그램 방법에 있어서,각각이 적어도 2개의 플래시 메모리 칩들과, 상기 플래시 메모리 칩들을 제어하는 제어부와, 외부로부터 입력되는 데이터를 저장하는 버퍼부를 구비하는 복수 개의 채널부의 수에 따라 기록할 데이터를 분리하여 전송하는 단계;상기 분리 전송된 데이터를 상기 버퍼부에 저장하는 단계; 및상기 각 채널부 별로 독립적으로 상기 플래시 메모리 칩들에 상기 버퍼부에 저장된 데이터를 인터리브 방식으로 프로그램하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법.
- 제 7항에 있어서,상기 분리 저장된 데이터를 인터리브 방식으로 프로그램하는 단계는상기 채널부의 플래시 메모리 칩들 중 선택된 하나의 플래시 메모리 칩에 대한 셋업 동작을 수행하는 단계; 및상기 선택된 플래시 메모리 칩에 프로그램 동작 및 상기 선택된 플래시 메모리 칩 이외의 다른 플래시 메모리 칩에 대한 셋업 동작을 반복하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법.
- 제 8항에 있어서, 상기 셋업 동작은상기 플래시 메모리 칩의 페이지 레지스터에 상기 버퍼부에 저장된 데이터를 로딩하는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법.
- 제 7항에 있어서,상기 분리 저장된 데이터를 인터리브 방식으로 프로그램하는 단계는상기 플래시 메모리 칩의 내부에 구비된 복수 개의 페이지 레지스터에 순차적으로 상기 분리 저장된 데이터를 로딩하는 단계; 및상기 복수 개의 페이지 레지스터에 쓰기 명령을 지시하여 상기 페이지 레지스터에 저장된 데이터를 상기 플래시 메모리 칩에 구비된 메모리셀 어레이에 동시에 프로그램하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법.
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JP2007098627A JP5160805B2 (ja) | 2006-06-12 | 2007-04-04 | フラッシュメモリシステム、そのプログラムのためのホストシステム及びプログラム方法 |
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8154925B2 (en) | 2009-02-02 | 2012-04-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor memory device and system capable of executing an interleave programming for a plurality of memory chips and a 2-plane programming at the respective memory chips |
US8395921B2 (en) | 2009-08-07 | 2013-03-12 | Samsung Electronics Co., Ltd | Memory system having improved signal integrity |
US8441869B2 (en) | 2009-06-22 | 2013-05-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Data storage systems and methods using data attribute-based data transfer |
US8576638B2 (en) | 2010-04-29 | 2013-11-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Non-volatile memory device and non-volatile memory system having the same |
US8639891B2 (en) | 2009-04-24 | 2014-01-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of operating data storage device and device thereof |
US10168907B2 (en) | 2016-11-30 | 2019-01-01 | SK Hynix Inc. | Memory system and operating method thereof |
KR20200120113A (ko) * | 2019-04-11 | 2020-10-21 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 시스템 및 그것의 동작방법 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7554855B2 (en) * | 2006-12-20 | 2009-06-30 | Mosaid Technologies Incorporated | Hybrid solid-state memory system having volatile and non-volatile memory |
US20080235438A1 (en) * | 2007-03-20 | 2008-09-25 | Sony Corporation And Sony Electronics Inc. | System and method for effectively implementing a multiple-channel memory architecture |
US20090187701A1 (en) * | 2008-01-22 | 2009-07-23 | Jin-Ki Kim | Nand flash memory access with relaxed timing constraints |
KR101581679B1 (ko) * | 2009-03-18 | 2015-12-31 | 삼성전자주식회사 | 저장 장치 및 저장 장치의 버퍼 메모리 관리 방법 |
US8463979B2 (en) * | 2009-09-08 | 2013-06-11 | Ocz Technology Group Inc. | Non-volatile storage devices, methods of addressing, and control logic therefor |
US9092340B2 (en) * | 2009-12-18 | 2015-07-28 | Sandisk Technologies Inc. | Method and system for achieving die parallelism through block interleaving |
KR101342658B1 (ko) * | 2011-12-06 | 2013-12-16 | 주식회사 디에이아이오 | 비휘발성 메모리 시스템 및 그 구성 방법 |
TWI520152B (zh) * | 2013-03-01 | 2016-02-01 | 慧榮科技股份有限公司 | 資料儲存裝置與快閃記憶體控制方法 |
KR102166924B1 (ko) | 2013-12-26 | 2020-10-16 | 삼성전자주식회사 | 저장 장치의 구동 방법 |
US9799402B2 (en) * | 2015-06-08 | 2017-10-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory device and program method thereof |
CN116257176A (zh) * | 2022-11-30 | 2023-06-13 | 平头哥(上海)半导体技术有限公司 | 数据存储系统、数据存储方法和存储介质 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100251636B1 (ko) | 1997-04-10 | 2000-05-01 | 윤종용 | 소형컴퓨터시스템인터페이스방식접속을위한메모리장치 |
KR20000039727A (ko) * | 1998-12-15 | 2000-07-05 | 구자홍 | 플래시 메모리 접근 방법 |
US6553450B1 (en) | 2000-09-18 | 2003-04-22 | Intel Corporation | Buffer to multiply memory interface |
KR20040100262A (ko) * | 2003-05-22 | 2004-12-02 | 학교법인연세대학교 | 시간적·공간적 지역성을 향상시키고 플레쉬 메모리장치로의 접근 횟수를 줄이는 플레쉬 메모리 시스템 및데이터 억세스 방법 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5696917A (en) | 1994-06-03 | 1997-12-09 | Intel Corporation | Method and apparatus for performing burst read operations in an asynchronous nonvolatile memory |
US7243185B2 (en) | 2004-04-05 | 2007-07-10 | Super Talent Electronics, Inc. | Flash memory system with a high-speed flash controller |
US7356639B2 (en) | 2000-01-05 | 2008-04-08 | Rambus Inc. | Configurable width buffered module having a bypass circuit |
US6785835B2 (en) * | 2000-01-25 | 2004-08-31 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Raid memory |
JP4841070B2 (ja) * | 2001-07-24 | 2011-12-21 | パナソニック株式会社 | 記憶装置 |
WO2003060722A1 (fr) * | 2002-01-09 | 2003-07-24 | Renesas Technology Corp. | Système de mémoire et carte mémoire |
US7089379B1 (en) * | 2002-06-28 | 2006-08-08 | Emc Corporation | Large high bandwidth memory system |
US7065126B2 (en) * | 2003-02-25 | 2006-06-20 | Interdigital Technology Corporation | Components and methods for processing in wireless communication data in presence of format uncertainty |
KR101149887B1 (ko) * | 2004-04-01 | 2012-06-11 | 삼성전자주식회사 | 멀티 채널 메모리 카드 및 그것의 제어 방법 |
JP4273038B2 (ja) * | 2004-05-20 | 2009-06-03 | Tdk株式会社 | メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリのデータ転送方法 |
-
2006
- 2006-06-12 KR KR1020060052589A patent/KR100765786B1/ko not_active Expired - Fee Related
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100251636B1 (ko) | 1997-04-10 | 2000-05-01 | 윤종용 | 소형컴퓨터시스템인터페이스방식접속을위한메모리장치 |
KR20000039727A (ko) * | 1998-12-15 | 2000-07-05 | 구자홍 | 플래시 메모리 접근 방법 |
US6553450B1 (en) | 2000-09-18 | 2003-04-22 | Intel Corporation | Buffer to multiply memory interface |
KR20040100262A (ko) * | 2003-05-22 | 2004-12-02 | 학교법인연세대학교 | 시간적·공간적 지역성을 향상시키고 플레쉬 메모리장치로의 접근 횟수를 줄이는 플레쉬 메모리 시스템 및데이터 억세스 방법 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8154925B2 (en) | 2009-02-02 | 2012-04-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor memory device and system capable of executing an interleave programming for a plurality of memory chips and a 2-plane programming at the respective memory chips |
US8639891B2 (en) | 2009-04-24 | 2014-01-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of operating data storage device and device thereof |
US8441869B2 (en) | 2009-06-22 | 2013-05-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Data storage systems and methods using data attribute-based data transfer |
US8395921B2 (en) | 2009-08-07 | 2013-03-12 | Samsung Electronics Co., Ltd | Memory system having improved signal integrity |
US8654558B2 (en) | 2009-08-07 | 2014-02-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory system having improved signal integrity |
US8576638B2 (en) | 2010-04-29 | 2013-11-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Non-volatile memory device and non-volatile memory system having the same |
US10168907B2 (en) | 2016-11-30 | 2019-01-01 | SK Hynix Inc. | Memory system and operating method thereof |
KR20200120113A (ko) * | 2019-04-11 | 2020-10-21 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 시스템 및 그것의 동작방법 |
KR102807405B1 (ko) | 2019-04-11 | 2025-05-15 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 시스템 및 그것의 동작방법 |
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