KR100751084B1 - Light emitting element - Google Patents
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Abstract
본 발명은 발광소자에 관한 것으로, 중앙부분에 일정높이로 돌출되게 칩안착부가 형성되어 있고 금속소재로 된 방열용 메인기판과, 칩안착부에 실장된 복수개의 발광다이오드칩과, 중앙에 칩안착부가 관통될 수 있는 삽입홀이 형성되어 방열용 메인기판의 칩안착부 주변에 장착되고, 방열용 메인기판에 대해 노출되게 더 연장된 노출부분의 상면에 상하로 관통되게 형성된 관통홀과 동심상으로 형성된 도전패드 및 도전패드와 연결되어 발광다이오드칩을 전기적으로 결선하는 칩본딩패드가 형성된 회로기판과, 관통홀을 통해 도전패드와 접합되어 방열용 메인기판의 측면과 나란하게 하부로 연장된 리드핀과, 회로기판의 저부에서 리드핀을 에워싸게 결합되며 절연소재로 형성된 절연 스페이서와, 발광다이오드칩으로부터 주변으로 확산되는 빔을 집속할 수 있게 회로기판 위에 절연시트를 통해 접합된 금속소재로 된 반사경을 구비한다. 이러한 발광소자는 다수의 발광다이오드칩이 실장된 대면적의 금속성 방열용 메인기판과 회로기판 및 반사경의 상호 접합이 나사결합에 이루어짐으로써 조립성이 좋고, 금속소재의 반사경이 방열용 메인기판과 나사를 통해 결합되어 있어 방열능력을 높일 수 있는 장점을 제공한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting device, wherein a chip mounting portion is formed at a central portion to protrude to a certain height, and a heat dissipation main board made of metal material, a plurality of light emitting diode chips mounted on the chip mounting portion, and chip mounting in the center An insertion hole through which an additional part is formed is formed and is mounted around the chip seat of the heat dissipation main board, and is concentrically with the through hole formed to penetrate up and down on the upper surface of the exposed part further extended to be exposed to the heat dissipation main board. A circuit board on which a chip bonding pad is formed which electrically connects the light emitting diode chip to the conductive pad and the conductive pad, and a lead pin that is joined to the conductive pad through a through hole and extends downward along the side of the heat dissipation main substrate. And an insulating spacer formed of an insulating material and coupled to the lead pin at the bottom of the circuit board, and a beam diffused from the light emitting diode chip to the surroundings. Able to belong to a circuit comprising a reflector of a metal material bonding through the insulation sheet on the substrate. Such a light emitting device has good assembly performance by screwing a large-area metallic heat dissipation main board, a circuit board, and a reflector on which a large number of light emitting diode chips are mounted, by screwing, and the reflector of the metal material has a heat dissipation main board and screws. It is combined with through to provide the advantage to increase the heat dissipation ability.
Description
도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 발광소자를 나타내 보인 단면도이고,1 is a cross-sectional view showing a light emitting device according to a preferred embodiment of the present invention,
도 2는 도 1의 발광소자의 일부 요소를 분리도시한 분리사시도이고,2 is an exploded perspective view illustrating some elements of the light emitting device of FIG. 1;
도 3은 도 2의 요소가 상호 적층된 상태를 나타내 보인 평면도이고,3 is a plan view illustrating a state in which the elements of FIG. 2 are stacked on each other;
도 4는 도 2의 회로기판의 바람직한 제작 예를 나타내 보인 평면도이다.4 is a plan view illustrating a preferred example of manufacturing the circuit board of FIG.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Major Parts of Drawings>
110: 방열용 메인기판 127: 리드핀110: heat dissipation main board 127: lead pin
130: 회로기판 150: 절연시트130: circuit board 150: insulating sheet
170: 반사경170: reflector
본 발명은 발광소자에 관한 것으로서, 상세하게는 고출력용에 적합한 방열 및 광집속 구조를 갖는 발광소자에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device, and more particularly, to a light emitting device having a heat dissipation and light focusing structure suitable for high output.
최근 발광다이오드(LED;Light Emitting Diode)는 형광체를 적용하여 백색광을 생성하여 출사할 수 있는 구조가 알려지면서 단순 발광표시 기능 이외에 기존의 조명등을 대체할 수 있는 조명분야까지 그 응용범위가 확장되고 있다. 또한, 조명에 적합한 고출력용 발광다이오드에 대한 연구가 꾸준히 진행되고 있다.Recently, as the light emitting diode (LED) is known to have a structure that emits white light by applying a phosphor, its application range has been extended to a lighting field that can replace a conventional light lamp in addition to a simple light emitting display function. . In addition, research on high power light emitting diodes suitable for lighting has been continuously conducted.
반도체 소자의 하나인 발광다이오드는 정격 동작온도 보다 온도가 올라가면 수명이 감소되고 발광효율이 저하되기 때문에 발광다이오드의 출력을 높이기 위해서는 발광다이오드에서 발생되는 열을 효과적으로 방출시켜 가능한 낮은 동작 온도내에서 동작될 수 있는 방열 구조가 요구된다.The light emitting diode, which is one of the semiconductor devices, decreases its lifespan and decreases the luminous efficiency when the temperature rises above the rated operating temperature. Therefore, in order to increase the output of the light emitting diodes, the light emitting diodes effectively emit heat generated from the light emitting diodes. Heat dissipation structure is required.
그런데, 종래의 발광다이오드는 발광다이오드 칩이 안착된 리드프레임을 플라스틱소재로 몰딩한 구조로 형성하였다. 이러한 구조의 발광다이오드는 리드프레임을 통해 방열이 이루지기 때문에 방열능력이 낮아 고출력용 발광다이오드에 적용하기 어렵다.However, the conventional light emitting diode has a structure in which a lead frame on which a light emitting diode chip is mounted is molded with a plastic material. The light emitting diode of such a structure is difficult to be applied to a high output light emitting diode because the heat dissipation is low because the heat radiation is carried out through the lead frame.
한편, 최근에는 발광효율과 방열효과를 높이기 위해 금속소재로 된 기판 위에 발광다이오드칩을 실장한 구조가 다양하게 제안되고 있다.On the other hand, in recent years, various structures have been proposed in which a light emitting diode chip is mounted on a metal substrate in order to increase light emission efficiency and heat radiation effect.
그런데, 복수 개의 발광다이오드칩을 하나의 기판에 실장하는 경우 대부분 적, 녹, 청색의 발광다이오드를 적용할 수 있는 구조가 대부분이다. 그런데 10개 이상의 발광다이오드를 하나의 기판에 실장하되 백색광을 얻기 위해 형광체를 충진시키는 경우 형광체의 광흡수에 의해 형광체의 온도가 상승되고 그에 따른 형광체의 특성 저하가 발생하게 되는데, 고출력용의 경우 이러한 문제를 개선할 수 있는 구조가 요구된다.By the way, when a plurality of light emitting diode chips are mounted on one substrate, most of them have a structure in which red, green, and blue light emitting diodes can be applied. However, when ten or more light emitting diodes are mounted on one substrate and the phosphor is filled to obtain white light, the temperature of the phosphor is increased by light absorption of the phosphor, and thus, the characteristics of the phosphor are deteriorated. There is a need for structures that can improve the problem.
또한, 다수개의 발광다이오드칩을 하나의 기판 내에 실장하여 고출력용으로 이용하고자 할 경우 제작이 용이하면서도 방열능력을 높일 수 있는 구조가 요구된 다.In addition, when a plurality of light emitting diode chips are mounted in a single substrate and used for high output, a structure is required that is easy to manufacture and can increase heat dissipation capability.
본 발명은 상기와 같은 요구사항을 해결하기 위하여 창안된 것으로서 방열능력과 발광효율을 높이면서도 형광체를 얇게 도포할 있는 구조의 고출력용 발광소자를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above requirements, and has an object of providing a high output light emitting device having a structure that can be applied to the phosphor thinly while improving the heat radiation capacity and luminous efficiency.
본 발명의 또 다른 목적은 조립성이 좋은 고출력용 발광소자를 제공하는 것이다.Still another object of the present invention is to provide a high output light emitting device having good assembly performance.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 발광소자는 중앙부분에 일정높이로 돌출되게 칩안착부가 형성되어 있고 금속소재로 된 방열용 메인기판과; 상기 칩안착부에 실장된 복수개의 발광다이오드칩과; 중앙에 상기 칩안착부가 관통될 수 있는 삽입홀이 형성되어 상기 방열용 메인기판의 상기 칩안착부 주변에 장착되고, 상기 방열용 메인기판에 대해 노출되게 더 연장된 노출부분의 상면에 상하로 관통되게 형성된 관통홀과 동심상으로 형성된 도전패드 및 상기 도전패드와 연결되어 상기 발광다이오드칩을 전기적으로 결선하는 칩본딩패드가 형성된 회로기판과; 상기 관통홀을 통해 상기 도전패드와 접합되어 상기 방열용 메인기판의 측면과 나란하게 하부로 연장된 리드핀과; 상기 회로기판의 저부에서 상기 리드핀을 에워싸게 결합되며 절연소재로 형성된 절연 스페이서와; 상기 발광다이오드칩으로부터 주변으로 확산되는 빔을 집속할 수 있게 상기 회로기판 위에 절연시트를 통해 접합된 금속소재로 된 반사경;을 구비한다.In order to achieve the above object, the light emitting device according to the present invention includes a chip mounting portion formed at a central portion so as to protrude to a predetermined height, and a heat dissipating main substrate made of a metal material; A plurality of light emitting diode chips mounted on the chip seat; An insertion hole through which the chip seat part is penetrated is formed at the center thereof, and is mounted around the chip seat part of the heat dissipation main board, and penetrates up and down on an upper surface of the exposed part further extended to be exposed to the heat dissipation main board. A circuit board having a conductive pad formed concentrically with the through hole formed therein, and a chip bonding pad connected to the conductive pad to electrically connect the light emitting diode chip; A lead pin joined to the conductive pad through the through hole and extending downwardly in parallel with a side surface of the heat dissipation main substrate; An insulating spacer coupled to the lead pin at the bottom of the circuit board and formed of an insulating material; And a reflector made of a metal material bonded through an insulating sheet on the circuit board to focus the beam diffused from the light emitting diode chip to the surroundings.
바람직하게는 상기 칩안착부의 돌출 높이는 0.05밀리미터 내지 0.8밀리미터이다.Preferably the protruding height of the chip seat is 0.05mm to 0.8mm.
또한, 상기 회로기판의 상면은 상기 칩안착부에 실장된 상기 발광다이오드칩의 상면 보다 0.1 내지 1 밀리미터로 높게 형성된다.In addition, the upper surface of the circuit board is formed to be 0.1 to 1 millimeter higher than the upper surface of the light emitting diode chip mounted on the chip mounting portion.
더욱 바람직하게는 상기 반사경과, 상기 회로기판 및 상기 방열용 메인기판은 상호 대응되는 위치에 형성된 조립용 홀이 형성되어 있고, 상기 조립용 홀을 통해 나사에 의해 상호 결합된다.More preferably, the reflector, the circuit board, and the heat dissipation main board are formed with assembly holes formed at positions corresponding to each other, and are coupled to each other by screws through the assembly holes.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 발광소자와 그 제조방법을 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, a light emitting device and a method of manufacturing the same according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 발광소자를 나타내 보인 단면도이고, 도 2는 도 2는 도 1의 발광소자의 일부 요소를 분리 도시한 분리사시도 이고, 도 3은 도 2의 요소가 상호 접합된 상태를 나타내 보인 평면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to a preferred embodiment of the present invention, FIG. 2 is an exploded perspective view illustrating some elements of the light emitting device of FIG. 1, and FIG. It is the top view which showed the bonded state.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 발광소자(100)는 방열용 메인기판(110), 리드핀(127), 회로기판(130), 절연시트(150), 반사경(170)을 구비한다.1 to 3, the
방열용 메인기판(110)은 중앙부분에 일정높이로 돌출되게 형성된 발광다이오드 칩(121) 실장용 칩안착부(113)와, 칩안착부(113) 하부에서 수평상으로 연장된 베이스부(115) 및 베이스부(115)의 4변 중 두 변의 가장자리로부터 일정높이 돌출되게 연장된 보조 결합부(116)를 갖는 구조로 되어 있다. 베이스부(115)의 상면으로부터 칩안착부(113)의 돌출 높이는 0.05밀리미터 내지 0.8밀리미터로 적용하는 것이 바람직하다.The heat dissipation
보조 결합부(116)가 생략된 베이스부(115)의 양측면 상에는 위에 탑재될 회로기판(130)의 도전패드(136)가 형성된 양측 가장자리 부분이 노출될 수 있게 대응되는 부분이 내측으로 인입된 인입홈(118)을 갖는 구조로 형성되어 있다. 여기서 인입홈(118)의 진입깊이는 칩안착부(113)에 삽입된 회로기판(130)의 도전패드(136)가 충분히 노출될 수 있게 형성하면 된다. On both sides of the
참조부호 117은 발광소자(100)를 외부에 결합하기 위한 결합홀이다.
도시된 예에서는 칩안착부(113)가 사각형으로 적용되었고, 원형 등 다양한 형태로 형성될 수 있음은 물론이다.In the illustrated example, the chip seat 113 is applied in a quadrangular shape, and may be formed in various shapes such as a circle.
방열용 메인기판(110)은 열전도성이 좋은 금속소재로 형성한다.The heat dissipation
방열용 메인기판(110)의 소재로서는 구리 또는 구리합금 예를들면 황동, 텅스텐/구리, 몰리브덴/구리 합금이 적용될 수 있다.As a material of the heat dissipation
바람직하게는 방열용 메인기판(110)은 앞서 설명된 금속소재로 도시된 구조로 형성한 다음 전체를 니켈소재로 도금처리한다. 더욱 바람직하게는 방열용 메인기판(110)은 니켈 도금층 위에 은 또는 금으로 2차 도금처리한다.Preferably, the heat dissipation
방열용 메인기판(110)의 칩안착부(113)에는 다수개의 발광다이오드 칩(121)이 실장 된다.A plurality of light
베이스부(115)에 형성된 조립용 홀(119)은 나사(190)에 의해 반사경(170), 절연시트(150) 및 회로기판(130)을 상호 결합하기 위한 것으로 내부에 나사선이 형성된 것이 적용된다.The assembling
회로기판(130)은 칩안착부(113)가 삽입될 수 있는 삽입홀(132)이 형성되어 있고, 방열용 메인기판(110)의 삽입홀(132)을 통해 삽입된 상태에서 도전패드(136) 가 형성된 부분이 베이스부(115)로부터 이격되어 노출될 수 있게 형성되어 있다.The
회로기판(130)은 발광다이오드 칩(121)과 외부와의 전기적 결선용인 리드핀(127)을 전기적으로 상호 결선할 수 있게 회로패턴이 형성되어 있다.The
회로기판(130)의 상면에는 삽입홀(132) 주변에 형성된 칩 본딩패드(133), 방열용 메인기판(110)의 인입홈(118)에 의해 노출되는 노출면 상에 형성된 도전패드(136) 및 칩본딩패드(133)와 도전패드(136)를 상호 연결하는 도전패턴(134)이 형성되어 있다.The upper surface of the
도전패드(136)의 중앙에는 리드핀(127) 삽입용 관통홀(136a)이 형성되어 있다. A through
칩 본딩패드(133)는 금으로 된 와이어(122)에 의해 발광다이오드칩(121)과 전기적으로 결합되어 있다.The
회로기판(130)은 칩안착부(113)를 통해 방열용 메인기판(110)에 삽입된 상태에서 그 상면이 칩안착부(113)에 실장된 발광다이오드칩(121)의 상면보다 0.1 내지 1 밀리미터 더 높게 되도록 두께가 결정되는 것이 바람직하다.In the state in which the
이 경우 발광다이오드칩(121)에 대해 도포되는 형광체(124)의 도포높이를 발광다이오드칩(121)에 대해서는 덮히되 회로기판(130)의 상면까지는 넘지 않도록 도포두께를 용이하게 1밀리미터 이내로 얇게 조절할 수 있다.In this case, the coating thickness of the
회로기판(130)은 공지된 다양한 회로기판 예를 들면 PCB기판 또는 세라믹 기판을 적용한다.The
참조부호 138은 앞서 베이스부(115)에 형성된 조립용 홀과 대응되는 위치에 형성된 조립용 홀로서 나사선은 생략된다.
이러한 회로기판(130)은 도전패드(136) 및 칩본딩패드(133)를 니켈 또는 은으로 도금처리한 것이 적용되고, 이러한 도금처리를 원할하게 하기 위해 도 4에 도시된 바와 같이 제작시에 도전패드(136) 각각을 보조패드(211)를 통해 연장하되 각 보조패드(211)를 공통되게 연결하는 공통패드(212)를 갖는 구조로 1차 제작하여 공통패드(212)를 통해 전기 도금한 다음 도시된 절단선 방향으로 양측을 절단한 것을 사용하는 것이 바람직하다.The
회로기판(130) 상부에는 절연시트(150) 및 반사경(170)이 순차적으로 적층되어 있다.The
절연시트(150)는 절연성 소재로 형성된 것을 적용하면 되고, 반사경(170)의 저면을 커버할 수 있는 크기 또는 그 이상으로 형성된 것을 적용하면 된다.What is necessary is just to apply the insulating
참조부호 154는 조립용 홀이다.
반사경(170)은 발광다이오드 칩(121)으로부터 출사된 광을 집속할 수 있게 형성되어 있다.The
즉, 반사경(170)은 발광다이오드 칩(121)이 노출될 수 있게 중앙에 투광홀(173)이 형성되어 있고, 플랜지부분(172)으로부터 일정거리 이격되어 상방으로 돌출된 링형 돌출부분(171)의 내측면은 발광다이오드 칩(121)으로부터 출사된 광을 집속할 수 있도록 상부에서 하방으로 진행할 수록 내경이 작아지는 곡률을 갖게 형성되어 있다.That is, the
반사경(170)은 반사율이 높으면서도 방열성이 좋은 금속소재로 형성한다. 즉, 반사경(170)은 일 예로서 은, 니켈 또는 알루미늄 중 어느 하나로 성형하여 형성한다.The
또 다르게는 반사경(170)은 금속소재로 1차 성형한 다음 적어도 내측면의 표면을 고반사율을 갖는 소재로 코팅하여 형성한다. 여기서 고반사율을 갖는 코팅소재로는 은, 알루미늄, 광택 니켈를 포함하는 반사소재 그룹 중 적어도 하나가 적용되는 것이 바람직하다. Alternatively, the
참조부호 174는 플랜지부(172)에 형성된 조립용 홀이다.
렌즈(180)는 발광다이오드칩(121)을 밀폐시켜 보호하기 위한 캡의 일 예로서 적용된 것으로 실리콘 또는 에폭시와 같은 투명소재로 반사경(170) 내부공간을 몰딩하여 형성되어 있다.
이와는 다르게, 반사경(170)의 상단에 형성된 안착홈(176)을 통해 별도로 제작된 렌즈를 접합할 수 있음은 물론이다.Unlike this, of course, the separately manufactured lens may be bonded through the mounting
이러한 구조의 발광다이오드(100)는 방열용 메인기판(110)에 장착된 발광다이오드칩(110)으로부터 방출된 광이 반사경(170) 및 렌즈(180)에 의해 집속되어 원하는 발산각으로 출사되는 광빔을 제공할 수 있다.In the
리드핀(127)은 회로기판(130)의 관통홀(136a)을 통해 삽입되어 도전패드(136)와 납땜에 의해 접합되어 있다.The
리드핀(127)은 도시된 바와 같은 핀 타입 이외에도 표면실장용 타입이 적용될 수 있음은 물론이다.
절연 스페이서(129)는 중공을 갖는 절연소재로 형성되어 중공 내에 결합된 리드핀(127)을 부분적으로 감싸는 원기둥형이 적용되었다.The insulating
이러한 구조의 발광소자(100)는 방열용 메인기판(110)에 회로기판(130), 절연시트(150) 및 반사경(170)을 상호 적층한 후 조립용 홀(138)(154)(174)을 통해 나사(190)로 방열용 메인기판(110)의 조립용 홀(119)과 나사결합 한다. 이후, 칩안착부(113)에 실장된 발광다이오드 칩(121)은 와이어(122)로 칩본딩패드(133)과 결합하고, 형광체(124) 및 렌즈(180)를 형성하면 된다. 또한 리드핀(127)은 나사(190) 결합 이전에 회로기판(130)에 절연 스페이서(129)가 접합된 상태에서 관통홀(136a)을 통해 납땜에 의해 접합하거나, 회로기판(130)이 나사(190)에 의해 결합된 후 접합하여도 된다.The
이러한 구조의 발광소자는 나사(190)에 의해 방열용 메인기판(110)으로부터 반사경(170)으로의 열방출 경로를 제공한다.The light emitting device having such a structure provides a heat dissipation path from the heat dissipation
지금까지 설명된 바와 같이 본 발명에 따른 발광소자는 다수의 발광다이오드칩이 실장된 대면적의 금속성 방열용 메인기판과 회로기판 및 반사경의 상호 접합이 나사결합에 이루어짐으로써 조립성이 좋고, 금속소재의 반사경이 방열용 메인기판과 나사를 통해 결합되어 있어 방열능력을 높일 수 있는 장점을 제공한다.As described so far, the light emitting device according to the present invention has good assembly performance by screwing a large area metallic heat dissipation main board, a circuit board, and a reflector on which a large number of light emitting diode chips are mounted. Reflector is coupled through the heat dissipation main board and the screw provides an advantage to increase the heat dissipation ability.
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