KR100740762B1

KR100740762B1 - 접합 방법 및 접합 장치

Info

Publication number: KR100740762B1
Application number: KR1020060011484A
Authority: KR
Inventors: 에이사쿠 코지마; 타케히코 와다
Original assignee: 오므론 가부시키가이샤
Priority date: 2005-02-10
Filing date: 2006-02-07
Publication date: 2007-07-19
Anticipated expiration: 2026-02-07
Also published as: TW200634395A; CN1818754A; US20060191631A1; KR20060090747A; CN100424556C

Abstract

과제

실장용 접착제인 이방성 도전막(ACF)에 대해 레이저를 조사함에 의해, 접합 시간을 단축함과 함께 고속이며 고정밀 실장을 가능하게 하는 접합 장치를 제공한다.

해결 수단

레이저 발진기(200)로부터의 조사에 의해, 레이저 미러(125)에 의해 반사되어 백업 유리(55)를 통하여 어레이 기판(유리 기판)(1)을 통과하고, 직접 ACF(10)에 레이저가 핀 포인트로 조사된다. 레이저 발진기(200)로부터의 레이저는, ACF가 삽입된 TCP(2) 및 어레이 기판(1)을 투과하는 투과율이 다른 파장과 비교하여 높은 파장으로 설정된다. 이 레이저 조사에 의해 ACF가 용착하여 TCP(2)와 어레이 기판(1)이 접합된다.

접합, LCD, TCP

Description

접합 방법 및 접합 장치{CONNECTING METHOD AND CONNECTING DEVICE}

도 1은 본 발명의 실시의 형태 1에 따른 액정 표시 장치를 설명하는 개략 블록도.

도 2는 본 발명의 실시의 형태 1에 따른 TCP를 설명하는 개념도.

도 3은 ACF를 설명하는 도면.

도 4는 본 발명의 실시의 형태에 따른 접합 장치(100)를 설명하는 개념도.

도 5는 본 발명의 실시의 형태 1에 따른 레이저 조사부(15)를 설명하는 개략 블록도.

도 6은 본 발명의 실시의 형태 1에 따른 접합 장치에 의한 어레이 기판(유리 기판)과 TCP의 접합을 설명하는 도면.

도 7은 본 발명의 실시의 형태에 따른 레이저 조사에 의해 ACF가 반응하는 시간을 설명하는 도면.

도 8은 본 발명의 실시의 형태에 따른 레이저 조사에 있어서의 레이저 파장과 ACF의 투과율과의 관계를 설명하는 도면.

도 9는 본 발명의 실시의 형태 1에 따른 접합 장치에 의해 TCP를 접합한 경우의 실장 시간을 설명하는 도면.

도 10은 본 발명의 실시의 형태 2에 따른 얼라인먼트 보정을 설명하는 도면.

(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)

1 : LCD 2 : TCP

3 : 프린트 회로 기판 4 : 인터페이스부

5 : 드라이버 IC 6 : FPC

15, 40 : 레이저부 16 : 지지대

20 : 실린더 25, 35 : 유리제 가압 헤드

45 : 측정부 50, 110 : 다이클로익

55 : 백업 유리 60 : 카메라

70 : 제어부 100 : 접합 장치

105, 130 : 빔 엑스펜더 115 : 슬릿

120 : 샘플러 140 : 얼라인먼트 레이저 포인터

145 : 파워 미터 200 : 레이저 발진기

210 : Q스위치

기술 분야

본 발명은, 액정 표시 패널과 구동 회로 기판을 접합(接合)하는데 적합한 접합 장치에 관한 것이다.

배경 기술

근래, 퍼스널 컴퓨터, 그 밖에 각종 모니터용의 화상 표시 장치로서, 액정 표시 장치가 급속하게 보급되고 있다.

이런 종류의 액정 표시 장치는, 일반적으로 액정 표시 패널의 배면에 조명용의 면형상 광원인 백라이트를 배설함에 의해, 소정의 면적을 갖는 액정면을 전체로서 균일한 밝기로 조사함으로써, 액정면에 형성된 화상을 가시화하도록 구성되어 있다.

액정 표시 장치는, 액정 재료를 2장의 유리 기판의 사이에 봉입(封入)하여 구성한 액정 표시 패널과, 액정 표시 패널상에 실장된 액정 재료를 구동하기 위한 프린트 회로 기판과, 액정 표시 패널의 배면에 액정 표시 패널 지지 프레임를 통하여 배치된 백라이트 유닛과, 이들을 덮는 바깥테두리 프레임를 구비하고 있다.

액정 표시 장치중에서 TFT(Thin Film Transistor : 박막 트랜지스터) 액정 표시 장치의 경우, 액정 표시 패널을 구성하는 유리 기판중의 한쪽의 유리 기판은 어레이 기판을 구성하고, 다른쪽의 유리 기판은 컬러 필터 기판을 구성한다.

어레이 기판에는, 액정 재료의 구동 소자인 TFT, 표시 전극, 신호선 외에 프린트 회로 기판과 전기적으로 접속하기 위한 인출 전극 등이 형성되어 있고 유리 기판상에 TFT가 규칙적으로 배열되어 있기 때문에 어레이 기판이라고도 칭하여 진다.

컬러 필터 기판에는, 컬러 필터 외에 공통 전극, 블랙 매트릭스, 배향막 등이 형성되어 있다.

프린트 회로 기판은, 어레이 기판에 형성된 인출 전극과 TAB(Tape Automated Bonding) 테이프 캐리어(이하, 단지 TAB라고도 칭한다)를 통하여 접속(실장)되는 것이 일반적이다. 또는 TAB 기술에 의해 테이프 필름에 LSI 칩을 접속한 패키지(즉 테이프 캐리어 패키지(이하, TCP라고도 칭한다))를 실장하는 것도 행하여지고 있다. 또한, TAB 기술에 제한되지 않고, 동일한 패키지 기술로서 COF(Chip on film/FPC)나 SOF(System on Film)도 들 수 있다.

그리고. TAB의 입력 리드 도체는 프린트 회로 기판이 대응하는 도체에 접속되게 된다. 한편, TAB의 출력 리드 도체는 어레이 기판이 대응하는 인출 전극에 접속된다. 그 접속에 있어서, 즉 TAB의 입력 리드 도체와 프린트 회로 기판의 대응하는 도체와의 접속에 있어서는, 예를 들면 솔더나 ACF(Anisotropic Conductive FiIm : 이방성 도전막) 또는 ACP(Anisotropic Conductive Paste : 이방성 도전 페이스트)가 이용되고 있다. 또는, NCP(Non Conductive Particle/Paste) 등의 공법이나 재료가 이용되고 있다. TAB의 출력 리드 도체와 어레이 기판이 대응하는 인출 전극과의 접속에 있어서도 마찬가지로 ACF 또는 ACP, NCP 등이 이용되고 있다. 또한, 이들의 접속뿐만 아니라 TCP상의 LSI 칩과 필름을 접속하는 기술로서도 ACF, 또는 ACP, NCP 등이 이용되고 있다.

TAB를 이용하는 실장 외에, COG(Chip On Glass)라고 불리는 실장 기술이 있다. 이 COG는, 어레이 기판상에 IC 실리콘 칩(이하, 실리콘 칩)을 ACF 또는 ACP, NCP 등에 의해 접합하는 기술이다. 그리고, 이하에서는 ACF 또는 ACP, NCP 등을 단지 ACF라고도 칭하기로 한다.

ACF는, 접착제로서의 수지중에 도전 재료로 이루어지는 입자를 분산시킨 것 이고, 열가소성 수지를 접착제로 하는 열가소형 ACF와 열경화성 수지를 접착제로 하는 열 경화형 ACF의 2종류가 존재한다. 열가소형 ACF 및 열 경화형 ACF에 의한 접합의 수법은, 가열 및 가압을 수반하는 열가압을 행하는 점에서 일치하고 있고, 히터 툴을 사용하여 열압착하는 것이 일반적인 방법이였다.

예를 들면, 종래에는 액정 표시 기판상에 점착성을 갖는 ACF를 붙이고 그 위에 TCP의 리드부를 겹쳐서, 겹친 접속부에 대해 히터가 부착된 본딩용의 히터 헤드를 사용하여 가압·가열하여, 열압착하는 구성이 이용되어 왔다. 이 히터를 이용함에 의해 열전도에 의해 ACF가 가열 경화되게 되고, 이방성 도전 필름이 용융하여 접속부가 용착하는 방식이 채용되고 있다.

그러나, 종래의 접합 방법은, 재료의 열팽창이나 수축을 고려하지 않은 방법이 아니기 때문에, 좁은 피치나 좁은 액자가 필요하게 되는 대형의 액정 표시 패널에서는, 특히 열팽창 및 수축량이 증대하기 때문에, 다양한 문제를 갖게 된다.

구체적으로는, 폴리이미드 등을 기재(基材)로 하여 형성되는 TAB, 실리콘 칩 등에 의해 형성되는 실장물을 실장한 경우에 접착제인 ACF에 접하는 어레이 기판과 TAB 또는 실리콘 칩 등의 열팽창 후의 수축량의 차이에 의해 실장 얼룩이 발생하는 일이 있다.

이 실장 얼룩은, ACF의 접합력이 강력할수록도 발생의 정도가 크다. 특히 실리콘 칩의 실장에서는, TAB와 비교하여 칩의 강성이 높기 때문에, 명확한 얼룩으로 되어 나타나게 된다. 이것이, 대형 고정밀 액정 표시 패널의 실장 기술로서 실리콘 칩의 실장이 보급되지 않는 큰 요인으로 되어 있다.

TAB의 실장에서는, 폴리이미드의 강성이 유리에 비하여 충분히 작기 때문에 현저한 실장 얼룩으로서는 나타나지 않지만 실리콘 칩의 실장과 같은 실장 얼룩의 메커니즘을 포함하고 있게 된다. 또한, 다른 점으로서, 예를 들면 ACF를 경화하기 위해 필요한 온도를 200도라고 하면 히터의 가열 온도는 230℃ 내지 250℃ 정도로 할 필요가 있다. 이 때, 어레이 기판의 하면의 온도는 50℃ 내지 100℃정도로 된다. 즉 실리콘 칩에서부터 어레이 기판에 걸쳐서 상당한 온도 구배가 생기게 된다.

한편으로, 물체는 온도가 저하하면 수축하는데, 그 수축량은 온도 변화 전후의 온도차가 클수록 많아진다. 실리콘 칩에 관해서는 실리콘 칩의 가열 온도보다도 어레이 기판의 가열 온도의 쪽이 낮기 때문에 실리콘 칩의 수축량이 커진다. 따라서 ACF에 생기는 수축량과 실리콘 칩에 생기는 수축량이 다르기 때문에 실리콘 칩 및 어레이 기판에 휘어짐이 생기게 된다.

금후, 액정 표시 장치의 박형화에 대응하여 어레이 기판이 얇게 되며 또는 강성이 약한 유리를 어레이 기판에 이용하도록 되면, 휘어짐 발생은 실장상의 큰 문제로 될 가능성이 있다.

또한, 좁은 액자화에 의해 히터 툴와 액정 표시 패널의 구성 요소가 근접함에 의해 컬러 필터 등이 히터 툴의 가열에 의한 손상을 받아 버릴 가능성이 있다. ACF의 경화를 위한 가열 온도는 대강 170℃ 내지 230℃인데 히터 툴의 가열 온도는 이보다 30 내지 40℃ 정도 높게 설정된다.

따라서 액정 표시 패널의 액정 재료, 실 재, 컬러 필터 안료, 편광판 등에 상당한 열이 전도되게 된다. 이 열은, 액정 재료, 실 재를 변질시킬 가능성이 있 다.

이 점에서, 특히, 종래의 접합 방식은, TAB 또는 실리콘 칩을 열전도에 의해 가열하고, 또한 이 TAB 또는 실리콘 칩로부터의 열전도에 의해 ACF를 가열하는 방식을 채용하고 있다. 열전도를 이용하여 ACF를 가열한 경우에는, 어레이 기판을 열전도에 의해 가열하는 것도 고려되지만, TAB 또는 실리콘 칩에 비하여 어레이 기판을 구성하는 유리는, 열전도성이 작기 때문에, 유리 기판을 가열하는 것보다 TAB 또는 실리콘 칩을 가열한 편이 ACF를 효율적으로 가열할 수 있다.

그런데, TAB 또는 실리콘 칩를 가열하는 것은 상술한 온도 구배를 조장하게 된다.

따라서 어레이 기판(유리 기판)를 전술한 히터 툴을 이용하여 전도열로 가열하는 경우에는, 그 열전도성의 저조 때문에 ACF의 효율적인 가열을 실현하기가 어렵다.

그래서, 특개2002-249751호 공보에서는, 히터 툴을 이용하여 전도열로 가열함과 함께, 근적외선 램프를 조사하는 방식을 개시하고 있다. 구체적으로는, 근적외선 램프에 의해, 어레이 기판, ACF 및 TAB 또는 실리콘 칩 전체에 근적외선이 조사되어, 어레이 기판 및 TAB 또는 실리콘 칩에 일부 흡수됨과 함께 열경화형 수지에 조사되게 된다.

근적외선 램프에 의해 조사되는 열경화형 수지는 자기(自己) 발열에 의한 복사열이 발생한다. 또한, 열경화형 수지는, 히터 툴에 의한 어레이 기판으로부터의 전도열 및 흡수에 의해 생긴 열에 의해 ACF를 가열하는 구성을 개시하고 있다. 즉, 근적외선 램프를 이용함에 의해, 어레이 기판, ACF 및 TAB 또는 실리콘 칩 전체를 거의 균일하게 같은 온도가 되도록 설정하고, 후술하는 냉각 행정에서의 온도 제어가 가능해지도록 하고 있다.

그리고, 냉각 과정으로서 어레이 기판과 실리콘 칩의 온도 제어를 행함에 의해, 온도 구배의 차를 억제하여 수축량을 제어한 방식이 개시되어 있다.

해당 구성에 의해 실리콘 칩과 어레이 기판과의 온도차를 억제함에 의해 휘어짐을 억제하는 것이 가능해진다.

[특허 문헌 1]

특개2002-249751호 공보

상술한 바와 같이, 상기 공보는, ACF를 경화시키기 위한 열을 주기 위해, 근적외선 램프에 의해, ACF를 조사함과 함께 자기가 조사한 복사열 및 히터 툴을 이용한 유리 기판의 전도열에 의해 ACF를 가열하는 방식을 개시하고 있다. 즉, 히터 툴 및 근적외선 램프에 의한 ACF의 가열 방식을 개시하고 있다.

그러나, 기본적으로는 열전도에 의한 ACF의 용착이기 때문에 ACF를 소정 시간 계속 가열할 필요가 있고, 접합에 시간이 걸린다는 문제가 있다. 그리고, 접합에 시간이 걸리면 걸릴수록, 열이 다른 구성 요소로 전도되게 되어, 고장의 원인이 될 우려도 있다.

나아가서는, 온도 구배를 억제하기 위한 냉각 과정에 관해 개시하고 있지만, 해당 냉각 과정을 제어하는 것은 매우 어렵고, 복잡하는 제어가 필요해진다.

본 발명은, 상기한 바와 같은 문제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, ACF에 대해 레이저를 조사함에 의해, 접합 시간을 단축함과 함께 고속이며 고정밀 실장을 가능하게 하는 접합 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명에 관한 접합 방법은, 플랫 패널 디스플레이의 유리 기판상에 배열된 복수의 전극으로 이루어지는 인출 전극과, 상기 기판과 열팽창율 및/또는 열수축율이 다른 부재상에 인출 전극과 배치를 대응시켜서 배열된 복수의 전극으로 이루어지는 접속 전극을 각각 물리적이며 또한 전기적으로 접합하는 방법으로서, 유리 기판의 인출 전극과 부재의 접속 전극을 대향시켜서 대응하는 각각의 전극의 위치를 맞추어서, 열반응성 수지로 이루어지는 접착제중에 도전성 입자가 분산된 이방성 도전성 재료를 유리 기판과 부재의 사이에 압력을 가하여 끼워 넣는 스텝(A)과, 레이저광원으로부터 레이저광을 조사하고, 기판 및/또는 부재를 투과하여 해당 레이저광을 이방성 도전성 재료에 흡수시켜서 접착제를 과열(過熱)하는 스텝(B)과, 레이저광의 조사, 또는, 조사 후에 생기는, 접착제의 경화의 후에 상기 압력을 개방하는 스텝(C)을 갖는다.

바람직하게는, 스텝(A)의 압력은, 유리 기판, 상기 이방성 도전성 재료 및 부재를, 가압 헤드 및 지지대에 의해 끼움에 의해 가하여지고, 스텝(B)의 레이저광을, 또한 가압 헤드 또는 지지대를 투과하여 이방성 도전성막에 흡수시킨다.

바람직하게는, 상기 압력을 가하기 직전의 상기 인출 전극과 상기 접속 전극과의 위치 맞춤을 행한 상태에서, 가압 헤드 및/또는 지지대를 투과시켜서 인출 전 극 및 접속 전극을 촬영하고, 촬영된 인출 전극과 접속 전극과의 위치 어긋난량에 응하여, 유리 기판에 의해 흡수되는 광 및/또는 부재에 의해 흡수되는 광을 조사하고, 그것에 의해 인출 전극과 접속 전극과의 위치 어긋남을 보정한다.

바람직하게는, 상기 유리 기판에 의해 흡수되는 광 및/또는 부재에 의해 흡수되는 광은, 배열된 복수의 전극 사이에 조사된다.

또한, 다른 양태에서는, 플랫 패널 디스플레이의 유리 기판상에 배열된 복수의 전극으로 이루어지는 인출 전극과, 기판과 열팽창율 및/또는 열수축율이 다른 부재상에 인출 전극과 배치를 대응시켜서 배열된 복수의 전극으로 이루어지는 접속 전극을 각각 물리적이며 또한 전기적으로 접합하는 방법으로서, 유리 기판의 인출 전극과 부재의 접속 전극을 대향시켜서 대응하는 각각의 전극의 위치를 맞추어서, 열반응성 수지로 이루어지는 접착제를 유리 기판과 상기 부재의 사이에 압력을 가하여 끼워 넣는 스텝(D)과, 레이저광원으로부터 레이저광을 조사하고, 기판 및/또는 부재를 투과하여 해당 레이저광을 접착제에 흡수시켜서 과열하는 스텝(E)과, 레이저광의 조사, 또는, 조사 후에 생기는, 접착제의 경화의 후에 압력을 개방하는 스텝(C)을 갖는다.

본 발명에 관한 접합 장치는, 열반응성 수지로 이루어지는 접착제, 또는 접착제중에 도전성 입자가 분산된 이방성 도전 재료를 삽입하여, 피접합체로서 유리 기판상에 배열된 복수의 전극으로 이루어지는 인출 전극과, 해당 유리 기판과 열팽창율 및/또는 열수축율이 다른 부재상에 인출 전극과 배치를 대응시켜서 배열된 복수의 전극으로 이루어지는 접속 전극을, 각각 물리적이며 또한 전기적으로 접합하 는 접합 장치로서, 열반응성 수지로 이루어지는 접착제, 또는 이방성 도전 재료에 대해 조사함에 의해 열접착성 수지로부터 발생하는 열에 의해 인출 전극과 접속 전극을 접합시키는, 소정의 파장의 제 1의 레이저를 조사하는 제 1의 레이저광원과, 제 1의 레이저광원으로부터 발생한 제 1의 레이저를 투과하는 투과 영역을 가짐과 함께, 피접합체를 지지하는 지지대를 구비하고, 제 1의 레이저광원으로부터 조사되는 제 1의 레이저는, 유리 기판 및 부재를 투과하는 투과율이 높고, 접착제에 대한 흡수율이 높은 파장으로 설정된다.

바람직하게는, 피접합체를 투과한 제 1의 레이저를 검지하는 검지 수단을 또한 구비한다.

특히, 지지대와의 사이에서 피접합체에 대해 가압하기 위한 가압 수단을 또한 구비하고, 가압 수단은, 제 1의 레이저의 투과율이 높은 재료로 형성되고, 검지 수단은, 가압 수단을 통하여 투과한 제 1의 레이저를 검지한다.

특히, 가압 수단은, 피접합체를 진공 흡착하면서, 피접합체에 대해 가압하는 흡착구멍을 갖는다.

특히, 검지 수단이 검지한 레이저의 수광 강도에 의거하여 접착제의 반응율이 계측된다.

특히, 접착제의 반응율을 계측하고, 계측 결과에 의거하여 제 1의 레이저광원의 조사를 제어하는 제어 수단을 또한 구비한다.

바람직하게는 유리 기판 또는 부재에 흡수되기 쉬운 제 2의 레이저를 조사하는 제 2의 레이저광원을 또한 구비한다. 제 2의 레이저는, 인출 전극 또는 접속 전 극의 한쪽에 대해 대응하는 다른쪽의 전극을 조정하도록 조사된다.

특히, 제 2의 레이저는, 배열된 복수의 전극이 인접하는 전극 사이에 대해 조사되고, 인출 전극과 접속 전극과의 접합 위치가 조정된다.

특히, 지지대와의 사이에서 피접합체에 대해 가압하기 위한 가압 수단을 또한 구비하고, 가압 수단은, 제 1 및 제 2의 레이저의 투과율이 높은 재료로 형성된다.

바람직하게는, 제 1의 레이저는, 반도체 레이저, 고체 레이저 및 파이버 레이저의 적어도 하나이다.

발명을 실시하기 위한 최선의 형태

이하, 본 발명의 실시의 형태에 관해 도면을 참조하면서 상세히 설명한다. 또한, 도면중 동일 또는 상당 부분에는 동일 부호를 붙이고, 그 설명은 반복하지 않는다.

(실시의 형태 1)

도 1은, 본 발명의 실시의 형태 1에 따른 액정 표시 장치를 설명하는 개략 블록도이다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 실시의 형태 1에 따른 액정 표시 장치는, 액정 표시 패널(이하, LCD라고도 칭한다)(1)과, LCD(1)의 주변에 배설된 주변 회로와의 접속 배선이 마련된 인터페이스부(4)와, LCD(1)에 실장된 액정 재료를 구동하기 위한 프린트 회로 기판(3)과, 프린트 회로 기판(3)과 액정 표시 패널 LCD(1)의 사이에 마련되고, 액정 표시 패널의 구성 소자를 구동하기 위한 드라이버 IC(5)를 포함 하는 TCP(2)와, 프린트 회로 기판(3)과 인터페이스부(4)를 전기적으로 접속하기 위한 플렉시블 기판(이하, FPC라고도 칭한다)(6)을 구비한다.

이하에서는, 본 발명의 실시의 형태에 따른 접합 장치에 관해, 액정 표시 패널 LCD와 프린트 회로 기판(3)과의 접속에 이용되는 드라이브 IC(5)를 포함하는 TCP의 접합 방식에 관해 주로 설명한다.

도 2는, 본 발명의 실시의 형태 1에 따른 TCP를 설명하는 개념도이다.

도 2를 참조하면, 본 발명의 실시의 형태에 따른 TCP는, 드라이버 IC(5)를 포함하고, 드라이버 IC(5)로부터 복수의 입력 및 출력 리드 도체가 마련된 구성으로 되어 있다.

도 3은, ACF를 설명하는 도면이다.

도 3의 (a)는, ACF의 구조를 설명하는 도면이다.

도 3의 (a)를 참조하면, ACF는, 에보키시계 또는 아크릴계의 접착제인 바인더(10)중에 무수한 마이크로 파티클(도전성 입자)(11)이 포함된 구성으로 되어 있다.

도 3의 (b)는, ACF에 가열 및 가압을 가한 때의 도전 경로가 형성되는 경우를 설명하는 도면이다.

도 3의 (b)를 참조하면, ACF에 가열 및 가압을 가하는 즉 마이크로 파티클(11)에 가열 및 가압이 가하여지면, 내부의 니켈(Ni) 도금(12)에 의해 코팅된 수지 코어(13)에 반발력이 생기게 된다. 이로써, 이 무수한 마이크로 파티클이 서로 결합하여 이 마이크로 파티클 니켈 도금(12)의 외측에 코팅된 금 도금(11)을 통하여 예를 들면 상부 전극(14)과 하부 전극(15) 사이에 도전 경로가 형성되게 된다. 이로써, 접합할 때에 있어서, 접합 부분에서 도전 경로를 형성하는 것이 가능해진다.

도 3의 (c)는, 2층 구조의 ACF를 설명하는 도면이다.

여기서는, 2층 구조의 ACF가 도시되어 있고, 바인더와 마이크로 파티클이 각각 별도의 영역 즉 바인더 영역(10a) 및 마이크로 파티클 영역(11a)으로 분리하여 형성되어 있다. 해당 구성에서도, 상술한 바와 마찬가지로 도전 경로를 형성하는 것이 가능해진다. 또한, 2층 구조의 ACF를 이용함에 의해 가열 및 가압을 가한 때의 어긋남을 억제하는 것이 가능하게 되어 있다.

도 4는, 본 발명의 실시의 형태에 따른 접합 장치(100)를 설명하는 개념도이다.

도 4를 참조하면, 본 발명의 실시의 형태에 따른 접합 장치(100)는, ACF(10)에 대해 단색광인 레이저를 조사하는 레이저부(15)와, LCD인 어레이 기판(유리 기판)(1)을 지지하기 위한 지지대(16)와, 유리제 가압 헤드(25)와, 유리제 가압 헤드(광선 분기용 프리즘 타입)(30)와, 실린더(20)와, 레이저부(40)와, 다이클로익(50)과, 전반사 미러(35)와, 측정부(45)와, 백업 유리(55)와, 접합 장치(100) 전체를 제어하는 제어부(70)와, 대상물을 진공 흡착하기 위한 진공 흡착부(75)를 구비한다. 그리고, 실린더(20)와 어레이 기판(1)과의 사이에 TCP(2) 및 ACF(10)가 삽입된다.

레이저부(15)는, ACF(10)에 대해 소정 파장의 레이저를 조사한다. 구체적으로는, 다른 파장과 비교하여 상대적으로 유리에 대해 투과율이 높고, ACF에 대해 흡수율이 높은 파장을 선택하는 것으로 한다.

실린더(20)는, 유리제 가압 헤드(25, 35)를 통하여 TCP(2)와 어레이 기판(1)과의 접합에서 가압하기 위한 것이다.

유리제 가압 헤드(25, 30)는, 함께 유리제이고, 레이저부(15)로부터 조사된 레이저를 투과한다. 그리고, 유리제 가압 헤드(30)에서, 레이저광을 분기하여 전반사 미러(35)에 출력한다. 그리고, 유리제 가압 헤드로서는, 평면 정밀도가 높은 가공품인 이른바 옵티컬 플랫이나 옵티컬 윈도우를 이용하는 것이 가능하다.

전반사 미러(35)는, 유리제 가압 헤드(광선 분기용 프리즘 타입)(30)에 의해 출사된 레이저광을 반사한다. 다이클로익(50)는, 전반사 미러(35)에 의해 반사한 레이저광을 다시 반사시켜서 측정부(45)에 입력시킨다.

측정부(45)는, 다이클로익(50)으로부터 입사된 레이저광을 수광하여, 그 수광 강도를 측정한다.

진공 흡착부(75)는, 제어부(70)의 지시에 의거하여 유리제 가압 헤드에 마련된 흡인구멍으로부터 대상물인 본 예에서는 TCP(2)를 진공 척 한다. 이로써, ACF와의 접착할 때의 가압에 의해 생길 가능성이 있는 얼라인먼트 어긋남을 방지하고, 정밀도가 높은 얼라인먼트가 가능해진다.

또한, 본 예에서, 레이저부(40)는, 후술하는 얼라인먼트 보정을 위한 레이저를 조사하는 것이고, 다이클로익(50)을 통과한 레이저는, 전반사 미러(35) 및 유리제 가압 헤드(25, 30)을 통하여 TCP(2)에 조사되는 그림이 도시되어 있다. 이 점에 관해서는 후에 설명한다.

또한, 도 4에서는, 한 예로서 유리제 가압 헤드를 통하여 하나의 흡인구멍과 진공 흡착부(75)가 접속되어 있는 경우가 도시되어 있지만, 이것으로 한정되지 않고 복수의 흡인구멍을 이용하여 진공 척을 행하는 것도 당연히 가능하다.

도 5는, 본 발명의 실시의 형태 1에 따른 레이저 조사부(15)를 설명하는 개략 블록도이다.

도 5를 참조하면, 본 발명의 실시의 형태 1에 따른 레이저 조사부(15)는, 레이저 발진기(200)와, 빔 엑스팬더(105)와, 다이클로익(110)과, 슬릿(115)과, 빔 샘플러(120)와, 레이저 미러(125)와, 빔 엑스팬더(130)와, 레이저 라인 제너레이터(135)와, 얼라인먼트 레이저 포인터(140)와, 파워 미터(145)를 구비한다.

레이저 발진기(200)는, 한 예로서 파장(λ) 1064㎚ 부근의 레이저를 출사하는 YAG레이저 등의 고체 레이저를 이용할 수 있다. 레이저 발진기(200)로부터 출사된 레이저는, 빔 엑스펜더(105)에 의해 소정 폭의 평행 광선으로 편향된다. 그리고, 다이클로익(110)을 통과한 후, 슬릿(115)에 의해 슬릿 폭의 광선으로 조여진다. 슬릿(115) 통과 후, 샘플러(120)에 의해 일부의 광선이 반사되고 파워 미터(145)에 입사된다. 파워 미터(145)는, 입사된 광선의 수광 강도를 검출하여, 레이저 발진기(200)로부터 소망하는 광강도의 레이저가 출사되고 있는지의 여부를 판단하고, 도시하지 않았지만 레이저 발진기(200) 등을 제어하는 제어부(70)을 통하여 레이저 발진기(200)의 출력을 조정한다. 슬릿(115)을 통과한 레이저는, 레이저 미러(125)에 의해 반사되고 빔 엑스펜더(130)에 입사된다. 빔 엑스펜더(130)는, 입사된 레이저를 집광하여, ACF(10)에 대해 조사한다.

얼라인먼트 레이저 포인터(140)는, 얼라인먼트 조정을 위한 레이저를 발진한 레이저 발진기이고, 예를 들면 가시광인 파장이 선택된다. 예를 들면, 본 예에서는, 690㎚의 레이저가 이용된다. 이 얼라인먼트 레이저 포인터(140)로부터 출사된 레이저는, 레이저 라인 제너레이터(135)에 의해 정형(整形)되어 다이클로익(110)을 통하여 레이저 발진기(200)로부터 출사된 레이저와 마찬가지로 ACF(10)에 조사된다. 이 레이저는, 얼라인먼트 조정 즉 위치 맞춤을 위한 레이저이고, 이 레이저를 이용하여 위치 결정 제어가 행하여진다. 또한, 상기한 레이저 조사부(15)에서는, 레이저의 반사용 소자로서 레이저 미러(125)를 이용한 경우를 설명하였지만, 이것으로 한정되지 않고, 예를 들면, 레이저 미러(125) 대신에 레이저의 반사 각도의 미조정이 가능한 이른바 갈바노 미러 또는 폴리콘 미러 등을 이용하는 것도 당연히 가능하다.

도 6은, 본 발명의 실시의 형태 1에 따른 접합 장치에 의한 어레이 기판(유리 기판)과 TCP의 접합을 설명하는 도면이다.

도 6에 도시된 바와 같이, 어레이 기판(유리 기판)과 TCP의 각각의 전극의 위치 맞춤에서, 레이저 발진기(200)로부터의 조사에 의해, 레이저 미러(125)에 의해 반사되어 백업 유리(55)를 통하여 어레이 기판(유리 기판)(1)을 통과하고, 직접 ACF(10)에 레이저가 핀 포인트로 조사되게 된다. 위치 맞춤에 관해서는, 도시하지 않지만 백업 유리(55)측으로부터, 백업 유리(55)와 어레이 기판(1)을 통하여 카메라로 촬영함으로써 어레이 기판과 TCP를 동시에 촬상할 수 있기 때문에 용이하게 되지만, 기준 마크 등을 사용하면 이것으로 한하지 않고, TCP의 상측에서의 촬영에 의해서도 가능하다. 이 레이저 조사부(15)는, 이른바 레이저 마커이고, 레이저 조사로서는, 시료 재치 테이블인 지지대(16)상에 위치 결정된 소정의 위치에 임의의 궤적을 그리며 레이저광을 조사하는 것이 가능하다.

일반적으로, 통상의 레이저 마커는 CAD 데이터를 이용하여 소정의 위치에 조사할 수 있다. 그 때문에, 예를 들면 액정 표시 패널 LCD의 CAD 데이터를 그대로 이용하여 조사 개소의 위치 결정 제어를 행할 수 있다. 레이저광의 조사 궤적으로서는 박막이 충분히 가열하도록 에너지를 국부적으로 집중할 수 있는 것이 바람직하다. 또한, 레이저광의 조사 광량 및/또는 조사 궤적을 적절하게 제어함에 의해 접착 강도를 적절하게 조정하는 것이 가능하고, 예를 들면, 이른바 와블링 방식 또는 빈틈없이 칠하는 방식을 채용하는 것도 가능하다. 와블링(wobbling) 방식에 의한 조사 궤적은 조사 스폿의 중심을 선회시키면서 진행시켜 나가는 것이다. 한편, 빈틈없이 칠하는 방식이란 다수의 평행선에 의해 조사 예정 영역을 모두 메우는 것이다. 해당 기술에 관해서는, 일반적인 것이기 때문에 본원 명세서에서는 그 상세한 설명은 생략한다.

또한, 레이저 발진기(200)에서, 이른바 Q스위치(210)를 이용함에 의해, Q값이 매우 높은 펄스 빔를 발진하는 것이 가능해진다. 즉, 고 에너지일 밀도의 레이저를 조사함에 의해 단시간의 접착(실장)이 가능해진다. 또한, 본 예에서는, 한 예로서 펄스 빔을 이용한 레이저 조사를 실행하는 경우에 관해 설명하지만 이것에 제한되지 않고 예를 들면 소정의 에너지량을 연속적으로 계속 조사하는 연속파 빔(CW 빔)을 조사하는 것도 당연히 가능하다.

또한, 도 6에서는, 도시하지 않은 상술한 샘플러(120)를 이용하여 레이저의 파워 검출이 실행되는 경우도 나타내어져 있다.

도 7은, 본 발명의 실시의 형태에 따른 레이저 조사에 의해 ACF가 반응하는 시간을 설명하는 도면이다. 여기서는, 종축을 반응률로 하고, 횡축을 반응 시간으로 하고 있다. 또한, 여기서는, 1064㎚ 정도의 파장 레이저를 출사하는 새로운 복굴절 결정체(YVO₄)를 이용한 고체 레이저로 실험을 행한 경우의 반응 시간이 도시되어 있다.

[수식 1]

여기서, DSC 반응열은, 이른바 시차 주사 열량 측정에 따라 계측된 반응열을 나타내고 있다. 시차 주사 열량 측정은, 시료 및 기준 시료를 일정 속도로 온도 변화시킬 때에 가하는 에너지 차(差)를 측정하고, 시료의 열분석 예를 들면 반응열 등을 계측하는 효과적인 수법이다.

상기한 식에 의거하여 반응열으로부터 반응율을 산출하면, 도 7에 도시된 바와 같이 약 70 내지 80msec 정도에서 ACF를 거의 완전하게 경화시키는 것이 가능해진다. 또한, 레이저를 지나치게 조사하면 ACF에 애블레이션이 생기거나 또는 타버림이 생기거나 함에 의해 , ACF 내부의 에폭시 결합의 수가 증가하여 반응열이 증대하기 때문에 윗식에 의거한 반응율에서는, 완전히 경화 후, 외관상 부(負)의 반응율로 되어 있다. 또한, 도 7에 도시된 실선은 상기한 산출 결과에 의거하여 상정 되는 추정 곡선이다.

종래의 방식에서는, 열전도 등에 의해 ACF를 거의 완전하게 경화시키기 위해 대강 10 내지 20초 정도 필요로 하고 있지만 본원 방식에 의해 그 10부분의1 이하의 시간에 ACF를 경화시킬 수 있어서, 극히 고효율로 ACF를 이용한 실장이 가능해진다. 또한, ACF를 경화시키는 시간이 짧기 때문에, 다른 구성 부품인 어레이 기판(유리 기판) 및 TCP에의 열전도를 억제하는 것이 가능해지고, 온도 구배의 차에 의거한 휘어짐이라는 현상도 억제하는 것이 가능해진다. 그리고, 그 결과 종래의 방식에서 문제로 되어 있던 냉각 행정이라는 복잡한 제어를 할 필요가 없고, 간이한 구성으로 효율적인 실장이 가능해진다.

도 8은, ACF의 광의 투과 특성을 설명하는 도면이다.

도 8에 도시된 바와 같이, ACF는 레이저 조사에 대해, 레이저 투과율이 매우 낮은 특성인 것을 알 수 있다. 환언하면, 레이저 조사에 대해 레이저 흡수율이 매우 높은 특성을 갖고 있다. 예를 들면, 700㎚ 정도의 파장을 갖는 레이저에 관해서는, 투과율이 다른 파장과 비교하여 낮고, 에너지의 흡수율이 높은 것이 실험 결과로부터 계측되어 있다. 그 때문에, 본 실시의 형태에서는, 1064㎚ 정도의 파장을 갖는 레이저를 이용한 경우를 한 예로서 설명하고 있다.

이 점에서, 이 투과율은 상기한 도 7에서, ACF의 경화에 의해 반응율이 변화한 것과 마찬가지로 투과율에도 당연히 변화가 생긴다.

본 발명의 실시의 형태에서는, ACF의 투과율을 리얼타임으로 측정함에 의해 ACF의 경화 상태를 리얼타임으로 측정한다. 구체적으로는, 초기의 ACF에 대한 레이 저 조사할 때의 ACF의 투과율을 임계치로 하여, 그 투과율로부터 변화가 생긴 경우에 ACF가 경화하였다고 판정할 수 있다. 그 구성으로서는, 도 4에서 설명한 측정부(45)에 입사된 레이저 강도를 측정하여, 제어부(70)에서, 측정부(45)에 입사되는 레이저 강도의 측정 결과로부터 투과율을 산출하고, 임계치가 되는 투과율과의 비교에 의거하여 ACF의 반응율을 계측하는 것이 가능해진다.

이로써, 상기에서 설명한 바와 같이 DSC 반응열에 의거하여 ACF의 반응율을 계측할 필요가 없다. 즉, 상술한 시차 주사 열량 측정은, 샘플인 시료만을 측정하기 위해 다른 부속의 구성 부품을 제거할 필요가 있고, 파괴 검사로 되어 버린다. 한편, 본원 실시의 형태에서 설명하는 방식은, ACF의 투과율에 의거하여 ACF의 경화 상태를 판별할 수 있는 비파괴 검사이고, 또한, 리얼타임으로 ACF의 경화 상태를 측정하는 것이 가능해지기 때문에, 개개의 제품에 대해 신뢰성의 예측이 충분히 가능하게 된다. 또한, 검사에 필요로 한 비용도 저감하는 것이 가능하게 된다.

또한, 상기 방식에 의해 ACF의 경화를 판별한 때에 다음의 접합으로 처리를 진행시켜 가는 것이 가능하기 때문에, 경화 상태에 응한 레이저의 조사가 가능해지고, 균일하며 안정적인 접합을 기대할 수 있다. 나아가서는, 과거의 반응율 데이터나, 필드 불량 등의 상관 정보를 조합시켜서, 지식 정보적인 처리 알고리즘을 행함에 의해, 학습 기능을 갖게 한 제어를 실행하는 것도 가능하다.

도 9는, 본 발명의 실시의 형태 1에 따른 접합 장치에 의해 TCP를 접합한 경우의 실장 시간을 설명하는 도면이다.

여기서는, 레이저 출력(Watt), 주파수(kHz), 펄스 에너지(mJouIe/Pulse), 1 칩의 예측 실장 시간(msec) 및 대표적인 레이저 예가 표시되어 있다. 또한, 칩 바닥 면적은 20㎟로 한다. 또한, 경화에 필요한 에너지 실측치는, 200mJou1e/㎟이다. 또한, 레이저로서 여기서는, 대표적으로 YVO₄ 레이저, 파이버 레이저, YAG 레이저 등이 표시되어 있다. 여기서 표시된 바와 같이 고출력의 레이저 파워를 조사함에 의해 보다 단시간에 실장하는 것이 가능하다. 1칩당의 실장 시간은 1초 정도 이내 상당한 실험 결과가 얻어져 있어서, 본원 발명에 따른 접합 장치를 이용함에 의해, 극히 고속의 실장이 가능한 것을 알 수 있다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 접합 장치를 이용하는 즉 ACF를 소정 파장의 레이저로 레이저 조사함에 의해 ACF를 핀 포인트로 반응시켜서, 접합 시간을 단축하는 고속이며 고정밀 실장이 가능해진다.

또한, 레이저 발진기로서는, 반도체 레이저나 YAG 레이저 또는 YVO₄ 등의 결정체를 이용한 고체 레이저 또는 파이버 레이저를 이용하여 소정의 스폿 지름이며 소정의 조작 궤적으로 조사하는 것도 가능하다. 또한, 파장의 선택으로서는, 유리의 OH기(수산기)의 화학 결합의 흡수 밴드 편차에 대응하여 선택할 필요가 있다. 예를 들면, 파장이 2.7㎛ 부근의 투과율은, 거의 0으로 떨어지는 것을 알고 있다. 또한, 일반적으로 4㎛ 정도 이상 내지 10㎛ 정도의 전자파의 투과율은 현저하게 나쁘며 오히려 유리에 대해 손상을 주어 버린다. 따라서 재질 등에 의거한 흡수 밴드 등을 고려하여 적절한 파장의 선택을 하는 것이 가능하다.

본 발명의 실시의 형태에서는, 히터 툴을 이용하여 열전도에 의한 열에 의해 ACF를 경화시키는 방식이 아니라, 필요한 때에 필요한 만큼의 효율적인 레이저 조사에 의해 ACF를 용착하여 경화시키는 방식이기 때문에, 실효적인 소비 전력의 면에서도 충분한 효과를 기대할 수 있다.

또한, 레이저 조사를 이용함에 있어서 실장 에너지를 극히 국소적으로 ACF에 줄 수가 있고, 단색 광선이라는 특징을 사용하여 ACF에의 에너지 집중 효율과 위치 정밀도가 좋은, 정밀 실장이 가능해진다.

또한, 종래의 방식에서는 실장시의 흡열에 의해 TCP나 드라이버 IC나 어레이 기판(유리 기판) 등이 팽창하기 때문에 미리 축소 보정을 넣어서 부품을 설계할 필요가 있지만, 본 발명의 실시의 형태에 따른 방식에서는, 극히 단시간의 열반응 처리이기 때문에 이상적으로는 축소 보정이 불필요하게 되고, 극히 고정밀의 얼라인먼트를 실현하는 것이 가능해진다.

또한, 상기에서는, 어레이 기판(유리 기판)과 TCP와의 실장을 실행하는 접합 장치에 관해 주로 설명하였지만 이것으로 한정되지 않고, 다른 실장 예를 들면 C0G의 실장 기술이나 TAB/COF 등의 부품 제조 기술에서도 마찬가지로 적용 가능하다. 또한, ACF의 대신에 도전성 입자를 포함하지 않은 열반응성 수지의 접착제를 이용하여도, 어레이 기판과 TCP 등을 압력을 가하여, 끼워 넣었던 상태에서 접착제를 경화시키기 때문에, 마주 대하는 전극끼리 접촉하여, 도통한 상태로 접합이 가능하다.

(실시의 형태 2)

근래, 미세 가공 기술의 발달과 함께, 배선 피치도 비약적으로 좁아저 오고 있다. 이에 수반하여, 고정밀한 접합이 요구되고 있다. 그러나, 어느 정도의 제조 단계에서의 편차도 고려한다면, 일반적으로 제조 단계에서의 편차도 고려한 다음 배선 피치 등을 설계할 필요가 있다. 즉, 어느 정도의 마진을 준 배선 피치로 설계하지 않을 수 없었다.

본 발명의 실시의 형태 2에서는, 더욱 배선 피치를 축소한 경우에도 고정밀한 접합이 가능한 얼라인먼트 보정 방식에 관해 설명한다.

도 10는, 본 발명의 실시의 형태 2에 따른 얼라인먼트 보정을 설명하는 도면이다.

여기서는, TCP측의 하부 전극과 어레이 기판(유리 기판)측의 상부 전극을 접합하는 경우에 관해 설명한다. 예를 들면, 상부 전극측과, 하부 전극측이 예를 들면 볼록부의 형상인 것으로 한다. 일반적으로, 접합부 부근의 얼라인먼트는, CCD 카메라(단지 카메라라고도 칭한다)에 의해 실행되고, 본 예에서는, 하부로부터 카메라(60)로 위치 조정을 실행하고 있다. 즉, 어레이 기판의 전극과 TCP의 대응하는 전극을 위치를 맞추어 접근시키고, ACF를 사이에 끼우고 압력을 가하기 전에 CCD 카메라로 촬영한다. 그리고, 촬상된 화상으로부터 배열된 복수의 전극의 어느 전극이 위치가 어긋나(피치 어긋남) 있는지를 파악한다. 위치 어긋남이 있는 전극의 위치에 관해서는, 어레이 기판측의 전극의 간격이 길면 TCP의 해당 부분에 얼라인먼트용의 레이저광을 조사하여 흡수시킴에 의해 팽창시키고, 역으로 짧으면 어레이 기판의 해당 부분에 얼라인먼트용의 레이저광을 조사하여 흡수시됨에 의해 팽창시키도록 하여 위치 어긋남을 보정한다. 그리고, 그 후 ACF를 끼워 넣고 압력을 가하 고, 이번에는 ACF에 흡수시키는 레이저광을 조사하여 전극을 접합하는 것이다.

구체적으로는, 상부 전극과 하부 전극과의 접합에 있어서 상기한 실시의 형태 1로 설명한 바와 같이 하부로부터 ACF에 레이저를 조사하여 ACF를 용착하여 접합함과 함께, 상부로부터도 레이저를 조사한다. 구체적으로는, 도 4에서 설명한 레이저부(40)로부터 레이저 조사를 행한다. 그리고, 전극 사이에 대해 레이저를 조사한다. 이에 수반하여, 전극 사이 영역 부근에서, 레이저 조사에 의해 늘어남이 생기게 된다. 이 레이저 조사에 의한 칩이 늘어남 또는 필름의 늘어남을 제어함에 의해 상부 전극과 하부 전극과의 접합을 보다 정밀도 좋게 실행할 수 있다. 또한, 레이저부(40)로부터의 레이저는, 유리를 투과함과 함께 칩 패키지 또는 필름에 대해 흡수되기 쉬운 파장으로 설정하는 것이 바람직하다. 얼라인먼트용의 레이저 조사는 전극과 전극의 사이로 제한되지 않으며, 전극 사이 간격이 짧기 때문에 위치 어긋남이 생겨 있는 부분의 전체(전극부를 포함하여)에 대해 조사하여도 좋다.

따라서 종래에서는, 마진을 준 배선 피치로 설계하지 않을 수 없었지만 본원 방식에 따른 얼라인먼트 보정을 실행함에 의해 좁은 피치의 배선 접합을 실행하는 것이 가능하게 되어, 보다 고밀도의 실장이 가능해진다. 물론, TCP 대신에 실리콘리칩 등의 집적 회로를 이용하여도 좋고, 레이저가 투과하는 파장을 선택함에 의해 어레이 기판(유리 기판)과의 상하 관계를 역으로 하는 것도 가능하다.

본원에 개시된 실시의 형태는 모든 점에서 예시적인 것으로서, 제한적인 것은 아니다. 본 발명의 범위는 상기한 설명이 아니라 특허청구의 범위에 의해 나타내여지고, 특허청구의 범위와 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함되는 것이 의도된다.

본 발명에 관한 접합 방법 및 장치에 의해, 다른 회로 부품에 대해 열전도에 의한 영향을 주는 일 없이, 열반응성 수지로 이루어지는 접착제에 대해 열을 공급하고, 접합하는 것이 가능해지기 때문에, 열전도에 수반하는, 유리 기판이나 그것에 접합되는 부재의 휘어짐 및 얼룩 등의 발생을 억제하고, 고속이며 고정밀한 실장을 가능하게 한다.

Claims

플랫 패널 디스플레이의 유리 기판상에 배열된 복수의 전극으로 이루어지는 인출 전극과, 상기 기판과 열팽창율 또는 열수축율이 다른 부재상에 상기 인출 전극과 배치를 대응시켜서 배열된 복수의 전극으로 이루어지는 접속 전극을 각각 물리적이며 또한 전기적으로 접합하는 방법으로서,

상기 유리 기판의 인출 전극과 상기 부재의 접속 전극을 대향시켜서 대응하는 각각의 전극의 위치를 맞추어서, 열반응성 수지로 이루어지는 접착제중에 도전성 입자가 분산된 이방성 도전성 재료를 상기 유리 기판과 상기 부재의 사이에 압력을 가하여 끼워 넣는 스텝(A)과,

레이저광원으로부터 레이저광을 조사하고, 상기 기판 또는 상기 부재를 투과하여 해당 레이저광을 상기 이방성 도전성 재료에 흡수시켜서 상기 접착제를 과열하는 스텝(B)과,

상기 레이저광의 조사, 또는, 조사 후에 생기는, 상기 접착제의 경화의 후에 상기 압력을 개방하는 스텝(C)을 구비하며,

스텝(A)의 압력은, 상기 유리 기판, 상기 이방성 도전성 재료 및 상기 부재를, 가압 헤드 및 지지대에 끼우는 것에 의해 가하여지고,

스텝(B)의 레이저광을, 또한 가압 헤드 또는 지지대를 투과하여 상기 이방성 도전성막에 흡수시키는 것을 특징으로 하는 접합 방법.
삭제
제 1항에 있어서,

스텝(A)에서, 상기 압력을 가하기 직전의 상기 인출 전극과 상기 접속 전극과의 위치 맞춤을 행한 상태에서, 상기 가압 헤드 또는 상기 지지대를 투과시켜서 상기 인출 전극 및 상기 접속 전극을 촬영하고, 촬영된 인출 전극과 접속 전극과의 위치 어긋난량에 응하여, 상기 인출 전극과 상기 접속 전극과의 위치 어긋남을 보정하는 스텝(D)을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 접합 방법.
제 3항에 있어서,

상기 유리 기판에 의해 흡수되는 광 또는 상기 부재에 의해 흡수되는 광은, 배열된 복수의 전극 사이에 조사되는 것을 특징으로 하는 접합 방법.
삭제
열반응성 수지로 이루어지는 접착제, 또는 상기 접착제중에 도전성 입자가 분산된 이방성 도전 재료를 삽입하여, 피접합체로서 유리 기판상에 배열된 복수의 전극으로 이루어지는 인출 전극과, 해당 유리 기판과 열팽창율 또는 열수축율이 다른 부재상에 상기 인출 전극과 배치를 대응시켜서 배열된 복수의 전극으로 이루어지는 접속 전극을, 각각 물리적이며 또한 전기적으로 접합하는 접합 장치로서,

상기 열반응성 수지로 이루어지는 접착제, 또는 상기 이방성 도전 재료에 대해 조사함에 의해 상기 접착제로부터 발생하는 열에 의해 상기 인출 전극과 상기 접속 전극을 접합시키는, 소정의 파장의 제 1의 레이저를 조사하는 제 1의 레이저광원과,

상기 제 1의 레이저광원으로부터 발생한 제 1의 레이저를 투과하는 투과 영역을 가짐과 함께, 상기 피접합체를 지지하는 지지대를 구비하고,

상기 제 1의 레이저광원으로부터 조사되는 제 1의 레이저는, 상기 유리 기판 및 상기 부재를 투과하는 투과율이 높고, 상기 접착제에 대한 흡수율이 높은 파장으로 설정되는 것을 특징으로 하는 접합 장치.
제 6항에 있어서,

상기 피접합체를 투과한 제 1의 레이저를 검지하는 검지 수단을 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 접합 장치.
제 7항에 있어서,

상기 지지대와의 사이에서 상기 피접합체에 대해 가압하기 위한 가압 수단을 또한 구비하고,

상기 가압 수단은, 상기 제 1의 레이저의 투과율이 높은 재료로 형성되고,

상기 검지 수단은, 상기 가압 수단을 통하여 투과한 제 1의 레이저를 검지하는 것을 특징으로 하는 접합 장치.
제 8항에 있어서,

상기 가압 수단은, 상기 피접합체를 진공 흡착하면서, 상기 피접합체에 대해 가압하는 흡착구멍을 갖는 것을 특징으로 하는 접합 장치.
제 7항에 있어서,

상기 검지 수단이 검지한 상기 레이저의 수광 강도에 의거하여 상기 접착제의 반응율이 계측되는 것을 특징으로 하는 접합 장치.
제 10항에 있어서,

상기 접착제의 반응율을 계측하고, 계측 결과에 의거하여 상기 제 1의 레이저광원의 조사를 제어하는 제어 수단을 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 접합 장치.
제 6항에 있어서,

상기 유리 기판 또는 상기 부재에 흡수되기 쉬운 제 2의 레이저를 조사하는 제 2의 레이저광원을 또한 구비하고,

상기 제 2의 레이저는, 상기 인출 전극 또는 상기 접속 전극의 한쪽에 대해 대응하는 다른쪽의 전극과의 접합 위치를 조정하도록 조사되는 것을 특징으로 하는 접합 장치.
제 12항에 있어서,

상기 제 2의 레이저는, 배열된 복수의 전극의 인접 전극 사이에 대해 조사되고,

상기 인출 전극과 상기 접속 전극과의 접합 위치가 보정되는 것을 특징으로 하는 접합 장치.
제 12항에 있어서,

상기 지지대와의 사이에서 상기 피접합체에 대해 가압하기 위한 가압 수단을 또한 구비하고,

상기 가압 수단은, 상기 제 1 및 제 2의 레이저의 투과율이 높은 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 접합 장치.
제 6항에 있어서,

상기 제 1의 레이저는, 반도체 레이저, 고체 레이저 및 파이버 레이저의 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 접합 장치.