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KR100723144B1 - 발광다이오드 패키지 - Google Patents

발광다이오드 패키지 Download PDF

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KR100723144B1
KR100723144B1 KR1020050129197A KR20050129197A KR100723144B1 KR 100723144 B1 KR100723144 B1 KR 100723144B1 KR 1020050129197 A KR1020050129197 A KR 1020050129197A KR 20050129197 A KR20050129197 A KR 20050129197A KR 100723144 B1 KR100723144 B1 KR 100723144B1
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KR
South Korea
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light emitting
emitting diode
heat dissipation
layer
package
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KR1020050129197A
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English (en)
Inventor
박진우
윤영복
Original Assignee
삼성전기주식회사
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Publication date
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Abstract

본 발명은 방열성능을 개선한 발광다이오드 패키지에 관한 것으로서, 열방출수단을 구비한 패키지 기판과, 수평방향으로 방열경로를 제공하기 위해서, 상기 패키지 기판 상에 적어도 상기 칩 실장영역의 면적보다 큰 면적을 갖도록 형성된 열방출층과, 상기 열방출층 상에 형성된 제1 및 제2 도전성 리드를 포함하는 배선구조물과, 상기 열방출층 또는 상기 제1 도전성 리드 상에 열전도성 접착층에 의해 실장된 발광다이오드 칩을 포함하는 발광다이오드 패키지를 제공한다.
발광다이오드 패키지(light emitting diode package), 열싱크(heat sink), 열전달경로(heat conduction path)

Description

발광다이오드 패키지{LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}
도1a 및 도1b는 각각 종래의 발광다이오드 패키지를 나타내는 측단면도이다.
도2a 및 도2b는 각각 본 발명의 일 실시형태에 따른 발광다이오드 패키지를 나타내는 측단면도 및 상부 평면도이다.
도3a 및 도3b는 각각 본 발명의 다른 실시형태에 따른 발광다이오드 패키지를 나타내는 측단면도 및 상부 평면도이다.
도4a 및 도4b는 각각 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 발광다이오드 패키지를 나타내는 측단면도 및 상부 평면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호설명>
31,41,51: 패키지 기판 32,42,52: 상부기판
34,44,54: 접착층 35,45,55: 발광다이오드 칩
36a,46a: 제1 도전성 리드 36b,46b: 제2 도전성 리드
39a,39b: 제1 및 제2 열방출층영역 39,49,59: 열방출층
본 발명은 발광다이오드 패키지에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 발광다이오드 칩으로부터 발생되는 열을 보다 효과적으로 방출시킬 수 있는 발광다이오드 패키지에 관한 것이다.
일반적으로, 발광다이오드 패키지는 높은 광효율을 보장하는 동시에, 우수한 열방출특성을 가질 것이 요구된다. 특히, 조명분야에서 사용되는 고출력 발광다이오드 패키지에서는 발열량이 상대적으로 크므로, 소자의 신뢰성을 유지하기 위해서 열방출성능이 매우 중요한 요구조건이 된다.
이러한 열방출특성을 고려하여, 종래의 발광다이오드 패키지는 패키지 기판에 높은 열전도성을 갖는 열싱크를 채용하거나, 패키지 기판 자체를 높은 열전도성을 갖는 물질로 채용하는 방안이 사용되고 있다. 종래의 발광다이오드 패키지구조가 도1a 및 도1b에 예시되어 있다.
도1a와 같이, 종래의 발광다이오드 패키지(10)는, 접착층(14)에 의해 발광다이오드 칩(15)이 실장된 패키지 기판(11)을 포함한다. 상기 패키지 기판(11)은 칩(15)이 배치된 영역에 두께방향으로 형성된 열싱크부(11a)를 갖는다. 상기 패키지 기판(11) 상에는 실장영역으로 둘러싸는 캐비티가 형성된 상부기판(12)을 포함한다. 상기 발광다이오드 칩(15)의 제1 및 제2 전극(미도시)은 상기 패키지 기판(11) 상에 마련된 제1 및 제2 도전성 리드(16a,16b)에 연결된다.
도1a에 도시된 발광다이오드 패키지(10)에서, 상기 발광다이오드 칩(15)으로부터 발생된 열은 상기 열싱크부(11a)를 향해 전도될 수 있다. 이 경우에, 열전달경로는 화살표(C)로 표시된 바와 같이 두께방향으로 형성된 열싱크를 따라 수직방향으로만 제한된다.
도1b와 같이, 종래의 발광다이오드 패키지(20)는, 접착층(24)에 의해 발광다이오드 칩(25)이 실장된 패키지 기판(21)을 포함한다. 상기 패키지 기판(21) 상에는 실장영역으로 둘러싸는 캐비티가 형성된 상부기판(22)이 배치된다. 상기 발광다이오드 칩(25)의 제1 및 제2 전극(미도시)은 상기 패키지 기판(21) 상에 마련된 제1 및 제2 도전성 리드(26a,26b)에 연결된다.
상기 패키지 기판(21)은 높은 열전도도를 보장하는 세라믹 기판 또는 Si와 같은 반도체 기판이므로, 별도의 열싱크부 없이 기판 자체가 열싱크로서 작용할 수 있다. 하지만, 이와 같이, 패키지기판 자체가 열싱크로 작용하더라도, 열은 발열원인 발광다이오드 칩의 접합면에 방사형으로 전도된다. 따라서, 대부분의 열전달경로는 화살표(C1)로 표시된 바와 같이 수직방향으로만 형성되며, 수평방향(C2)으로 전달되는 열은 그다지 크지 않다.
도1a 및 도1b에 도시된 바와 같이, 종래의 발광다이오드 패키지에서, 발광다이오드 칩에서 발생된 열은 열싱크부 또는 열싱크용 기판과 접합면을 통해 거의 수 직방향으로 전도되므로, 열싱크부 또는 열싱크용 기판이 발광다이오드 칩의 면적보다 크더라도, 대부분의 열전달경로는 기판의 두께 방향으로 형성된다.
따라서, 종래의 발광다이오드 패키지 구조에서는, 대형 열싱크부나 열싱크용 기판을 사용하더라도, 열전달경로로서 제공되는 영역은 제한되므로, 우수한 방열성능을 기대하기 어렵다는 문제가 있다.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 그 목적은 기판 상면을 따라 추가적인 열전달경로를 형성하여 기판의 두께방향뿐만 아니라 수평방향을 통해서 보다 효과적으로 열을 방출시킴으로써 방열성능을 개선한 새로운 발광다이오드 패키지를 제공하는데 있다.
상기한 기술적 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은
열방출수단을 구비한 패키지 기판과, 수평방향으로 방열경로를 제공하기 위해서, 상기 패키지 기판 상에 적어도 상기 칩 실장영역의 면적보다 큰 면적을 갖도록 형성된 열방출층과, 상기 열방출층 상에 형성된 제1 및 제2 도전성 리드를 포함하는 배선구조물과, 상기 열방출층 또는 상기 제1 도전성 리드 상에 열전도성 접착층에 의해 실장된 발광다이오드 칩을 포함하는 발광다이오드 패키지를 제공한다.
바람직하게, 상기 열방출층은 상기 패키지 상면의 모든 영역에 형성된다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 열방출층은 전기적 도전성을 갖는 물질로 이루질 수 있으며, 상기 제1 도전성 리드가 형성된 제1 열방출층영역과 상기 제2 도전성 리드가 형성된 제2 열방출영역으로 분리된다.
이 경우에, 상기 발광다이오드 칩은 상면에 형성된 제1 및 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 및 제2 열방출층영역에 모두 배치되도록 분리된 부분에 배치될 수 있으며, 상기 발광다이오드 칩의 제1 및 제2 전극은 각각 제1 및 제2 도전성 리드에 와이어로 연결될 수 있다.
이와 달리, 상기 발광다이오드 칩은 하면 및 상면에 각각 형성된 제1 및 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 도전성 리드와 상기 제1 전극이 접속되도록 상기 제1 열방출영역의 제1 도전성 리드 상에 배치될 수 있으며, 상기 발광다이오드 칩의 제2 전극은 상기 제2 도전성 리드에 와이어로 연결되고, 상기 열전도성 접착층은 전기적인 전도성을 갖는 물질로 형성되어, 상기 칩 하면의 제1 전극을 제1 도전성 리드에 전기적으로 연결시킬 수 있다.
바람직하게는, 상기 패키지 기판 상에 형성되며, 상기 발광다이오드 칩이 실장된 영역을 둘러싸도록 캐비티가 마련된 기판을 더 포함한다.
특히, 상기 캐비티의 내부측벽에는 반사층이 형성되는 것이 바람직하다. 이 경우에 상기 반사층은 상기 열방출층과 접속되도록 구성함으로써, 금속인 반사층과 같은 다른 구조물을 통해 방열효과의 향상을 기대할 수 있다.
또한, 다른 실시형태에서는, 상기 전기적 전도성을 갖는 열방출층과 상기 제1 및 제2 도전성 리드는 각각 그 사이에 절연층을 형성하여 서로 전기적으로 절연시키는 방식을 채용할 수도 있다.
이 경우에, 상기 발광다이오드 칩은 상면에 형성된 제1 및 제2 전극을 포함하고, 상기 열방출층에 직접 접촉하도록 배치될 수 있다. 또한, 상기 발광다이오드 칩의 제1 및 제2 전극은 각각 제1 및 제2 도전성 리드에 와이어로 연결된다.
이와 달리, 상기 발광다이오드 칩은 하면 및 상면에 각각 형성된 제1 및 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 도전성 리드와 상기 제1 전극이 접속되도록 상기 제1 도전성 리드 상에 배치될 수 있다. 상기 발광다이오드 칩의 제2 전극은 상기 제2 도전성 리드에 와이어로 연결되며, 상기 열전도성 접착층은 전기적 전도성 물질로 이루어진다.
상기 패키지기판의 열방출수단은 상기 발광다이오드 칩이 실장된 영역과 대응하는 위치에서 상기 패키지 기판의 상면으로부터 그 두께방향으로 형성될 수 있다. 이와 달리, 상기 패키지 기판은, 실리콘기판, 세라믹기판 또는 금속기판으로 이루어지며, 상기 기판 자체가 열방출수단으로서 작용할 수도 있다.
바람직하게는, 수평방향으로의 방열성능을 보다 효과적으로 향상시키기 위해서, 상기 열방출층은 상기 열방출수단의 열전도도보다 높은 열전도도를 갖는 물질로 형성된다. 바람직하게는, 상기 열방출수단의 열전도도는 100 W/mK이상이며, 상기 열방출층의 열전도도는 500 W/mK 이상일 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 열방출층은 금속층 또는 세라믹층이 사용될 수 있으며, 열전도성이 우수한 다이아몬드필름을 사용할 수도 있다. 이와 달리, 상기 열방출층은, 폴리머 매트릭스, 금속 매트릭스 및 세라믹 매트릭스로 구성된 그룹으로부터 선택된 매트릭스에 열전도성 충전재를 포함한 복합재료일 수 있다. 이러한 열전도성 충전재로는 탄소나노튜브와 같은 고전도성 물질인 탄소물질을 사용하는 것이 바람직하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
도2a 및 도2b는 각각 본 발명의 일 실시형태에 따른 발광다이오드 패키지(30)를 나타내는 측단면도 및 상부 평면도이다. 여기서, 도2b는 상부기판(32)을 제거한 상태에서 도2a에 도시된 발광다이오드 패키지(30)를 상부에서 본 평면도로 이해할 수 있다.
우선, 도2a를 참조하면, 본 실시형태에 따른 발광다이오드 패키지(30)는, 발광다이오드 칩(35)이 실장된 패키지 기판(31)과 상기 패키지 기판(31) 상에는 칩실장영역으로 둘러싸는 캐비티가 형성된 상부기판(32)을 포함한다. 상기 패키지 기판(31)은 칩(35)이 실장된 영역에 기판 두께방향으로 형성된 열싱크부(31a)를 갖는다. 또한, 도시되지 않았으나, 상기 상부 기판의 캐비티 내측벽에는 반사층이 추가로 형성될 수 있다.
상기 패키지 기판(31) 상면에는 열방출층(39)이 형성된다. 본 실시형태에서는, 방열경로를 최대화시키기 위해서 열방출층(39)을 상기 패키지 기판의 거의 전체영역에 형성시킨 형태를 예시하였으나, 이에 한정되지 않으며, 적어도 실장면적보다 크게 형성하여 수평방향으로 방열경로가 확장시키는 것으로 충분할 수 있다. 이와 같이, 종래의 열싱크부(31a)는 수직방향으로 열방출경로(C1)를 제공하는 수단인데 반해, 본 발명에서 채용된 열방출층(39)은 수평방향으로 열방출경로(C2)를 강화하여 전체적인 방열성능을 향상시키는 수단으로 채용된다.
일반적으로, 열전달경로는 발열원과 접합면을 방사형으로 이루어지므로, 수평방향으로 열이 전달되는 경향을 보다 강화시키기 위해서, 열방출층(39)은 열싱크로 사용되는 물질보다 높은 열전도도를 갖는 것이 바람직하다. 바람직한 조건으로는, 열싱크(31a)와 같은 열방출수단의 열전도도는 100 W/mK이상이며, 상기 열방출층의 열전도도는 이보다 높은 조건에서 500 W/mK 이상일 수 있다.
구체적인 예로서, 상기 열방출층(39)의 재료는 금속층 또는 세라믹층일 수 있으며, 보다 바람직하게는 상기 열방출층(39)은, 폴리머 매트릭스, 금속 매트릭스 및 세라믹 매트릭스로 구성된 그룹으로부터 선택된 매트릭스에 충전재를 포함한 복합재료일 수 있다. 이러한 열전도성 충전재로는 탄소나노튜브와 같은 고전도성 물질인 탄소물질을 사용하는 것이 바람직하다. 탄소나노튜브 메트릭스의 경우에, 1000 W/mK수준의 높은 열전도도를 기대할 수 있으므로, 수평방향으로 방열성능을 획기적으로 개선시킬 수 있다.
이러한 열방출층(39a,39b)은 별도의 시트로 제조하여 패키지 기판 상면에 부착시키거나 페이스트로서 도포하는 방식 또는 박막증착 등으로 형성될 수 있다.
본 실시형태에서, 도2b와 같이 상기 열방출층은 전기적으로 분리되도록 소정의 갭(g)에 의해 제1 및 제2 열방출층 영역(39a,39b)으로 구분된다. 상기 발광다이오드 칩(35)은 어느 일 영역 상에만 배치될 수 있으나, 수평방향의 열전달경로를 다각화함으로써 방열성능을 보다 향상시키기 위해서, 본 실시형태와 같이, 상기 제1 및 제2 열방출영역(35a,35b) 모두에 접속되도록 분리 갭(g) 상에 배치하는 것이 바람직하다.
본 실시형태에서는, 발광다이오드 칩(35)이 상면에 제1 및 제2 전극을 갖는 수평구조를 예시하여 설명하였으나, 하면과 상면에 각각 제1 및 제2 전극이 형성된 수직구조 발광다이오드 칩도 유사하게 적용될 수 있다. 이 경우에, 칩 실장과정에서 제1 전극은 전기적 전도성을 갖는 접착층(34)에 의해 연장된 제1 도전성 리드에 연결될 수 있다. 이러한 전도성 접착층(34)으로는 도전성 에폭시 또는 다양한 금속 또는 합금의 솔더재료가 사용될 수 있다. 이와 같은 수직 발광구조에 대한 전극접속방법은 다른 실시형태에서도 유사하게 채용될 수 있다.
또한, 상기 발광다이오드 칩(35)의 제1 및 제2 전극(미도시)은 상기 패키지 기판(31) 상에 마련된 제1 및 제2 도전성 리드(36a,36b)에 연결된다. 본 실시형태에서는 배선구조를 도전성 리드만으로 예시하였으나, 도4a와 같이 기판을 관통하는 도전성 비아홀을 채용하는 등의 다양한 공지구조로 구현될 수 있다.
도3a 및 도3b는 각각 본 발명의 다른 실시형태에 따른 발광다이오드 패키지(40)를 나타내는 측단면도 및 상부 평면도이다.
도3a를 참조하면, 본 실시형태에 따른 발광다이오드 패키지(40)는, 도2a와 유사하게, 발광다이오드 칩(45)이 실장된 패키지 기판(41)과 상기 패키지 기판(41) 상에는 칩실장영역으로 둘러싸는 캐비티가 형성된 상부기판(42)을 포함한다.
본 실시형태에서, 상기 패키지 기판(41)은 별도의 열싱크부(도2a의 31a)를 구비하지 않고, 상기 패키지 기판(41) 자체가 열싱크로 작용할 수 있는 비교적 높 은 열전도도를 갖는 물질로 제공되는 형태이다. 예를 들어, 실리콘기판, 세라믹기판 또는 금속기판으로 이루어질 수 있다. 이러한 열싱크용 기판(41)은 전기적 전도성을 갖지 않는 경우도 있으나, 불순물 도핑된 실리콘 기판 또는 금속기판은 전기적 전도성을 갖는다.
본 실시형태와 같이, 열싱크용 기판(41)을 전기적 전도성을 갖는 기판으로 채용한 경우에는, 앞선 실시형태와 같이, 갭을 형성하여 열방출층을 극성이 다른 리드에 연결된 두 영역으로 서로 분리하더라도 상기 열방출층(49) 하부의 기판(41)에 의해 통전되므로, 적절한 배선구조를 형성할 수 없다. 이를 해결하는 방안으로서, 본 실시형태에서는, 도3b에 도시된 바와 같이 도전성 리드(46a,46b)와 열방출층(49)이 전기적으로 분리되도록 적어도 도전성 리드(46a,46b)가 형성된 영역에 해당하는 영역에 절연층(43)을 형성한다.
본 실시형태에서는, 열싱크용 기판(41)과 함께 열방출층(49)이 결합함으로써 열방출경로는 도2a에 도시된 실시형태에서보다 다각화될 수 있다. 즉, 수직방향과 수평방향의 열전달경로(C1,C2)가 원활히 확보됨은 물론이며, 칩 실장영역의 외부에 위치한 열싱크영역도 높은 열전도도를 갖는 열방출층(49)에 의해 열방출부로서 실질적으로 작용하므로, 추가적인 폭넓은 열전달경로(C3)가 제공될 수 있다.
도4a 및 도4b는 각각 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 발광다이오드 패키 지(50)를 나타내는 측단면도 및 상부 평면도이다.
도4a를 참조하면, 본 실시형태에 따른 발광다이오드 패키지(50)는, 발광다이오드 칩(55)이 실장된 패키지 기판(51)과 상기 패키지 기판(51) 상에는 칩실장영역으로 둘러싸는 캐비티가 형성된 상부기판(52)을 포함한다. 상기 패키지 기판(51)은 도4a와 유사한 열싱크용 기판을 사용하였으나, 본 실시형태에서는 세라믹 기판 또는 전기적 절연성이 높은 반도체 기판으로 예시하였다. 상기 상부 기판(52)은 캐비티 내측벽에 형성된 반사층(59)을 갖는다.
상기 패키지 기판(51) 상면에는 열방출층(59)이 형성되며, 본 실시형태에서는, 도3b와 같이 상기 열방출층은 전기적으로 분리되도록 소정의 갭(g)에 의해 제1 및 제2 열방출층 영역(59a,59b)으로 구분된다. 본 실시형태에서는, 방열경로를 최대화시키기 위해서 열방출층(59)을 상기 패키지 기판(51)의 거의 전체영역에 형성된다. 앞서 설명한 바와 같이, 열방출층(59)은 수평방향으로 열방출경로를 강화하여 캐비티가 있는 상부기판으로도 열을 방출시킴으로써 전체적인 방열성능을 향상시키는 수단으로 사용된다.
본 실시형태에서, 제1 및 제2 배선구조는 각각 열방출층(59) 상면에 형성된 제1 및 제2 접속패드(56a,56b)와, 상기 패키지 기판(51) 하면에 형성된 제1 및 제2 외부단자(57a,57b)와, 상기 제1 및 제2 접속패드(56a,56b)와 상기 제1 및 제2 외부 단자(57a,57b)를 각각 연결하도록 형성된 제1 및 제2 도전성 비아홀(58a,58b)로 구성된다.
본 실시형태에 채용된 발광다이오드 칩은 하면과 상면에 각각 제1 및 제2 전극(미도시)이 형성된 수직구조이므로, 하면에 형성된 제1 전극은 칩 실장과 함께 전기적 전도성을 갖는 접착층(54)에 의해 연장된 제1 도전성 리드에 연결될 수 있다. 이러한 전도성 접착층(54)으로는 도전성 에폭시 또는 다양한 금속 또는 합금의 솔더재료가 사용될 수 있다. 본 패키지 구조에서도, 도2a와 같이 수평구조를 사용하는 경우에는, 발광다이오드 칩을 상기 제1 및 제2 열방출영역(55a,55b) 모두에 접속되도록 분리 갭(g) 상에 배치할 수도 있다.
이와 같이, 본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 하며, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 열방출수단이 구비된 패키지 기판 상에 수평방향의 열전달경로를 제공하는 열방출층을 배치함으로써 방열성능을 탁월하게 향상시킬 수 있다. 특히, 자체가 열싱크인 패키지 기판과 상대적으로 높은 열전도율을 갖는 열방출층을 결합한 형태에서는 수평방향으로의 열전달경로를 원활히 할 뿐만 아니라 패키지 기판의 보다 많은 영역을 실질적인 열싱크로 작용시킬 수 있다. 이와 같이, 본 발명에 따르면, 높은 방열성능을 갖는 발광다이오드 패키지를 제공할 수 있다.

Claims (17)

  1. 열방출수단을 구비한 패키지 기판;
    수평방향으로 방열경로를 제공하기 위해서, 상기 패키지 기판 상에 적어도 상기 칩 실장면적보다 큰 면적을 갖도록 형성된 열방출층;
    상기 열방출층 상에 형성된 제1 및 제2 도전성 리드를 포함하는 배선구조물; 및
    상기 열방출층 또는 상기 제1 도전성 리드 상에 열전도성 접착층에 의해 실장된 발광다이오드 칩을 포함하는 발광다이오드 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 열방출층은 상기 패키지 상면의 모든 영역에 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 열방출층은 전기적 도전성을 갖는 물질로 이루어지며, 상기 제1 도전성 리드가 형성된 제1 열방출층영역과 상기 제2 도전성 리드가 형성된 제2 열방출영역으로 분리된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 발광다이오드 칩은 상면에 형성된 제1 및 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 및 제2 열방출층영역에 모두 배치되도록 분리된 부분에 배치되고,
    상기 발광다이오드 칩의 제1 및 제2 전극은 각각 제1 및 제2 도전성 리드에 와이어로 연결된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 발광다이오드 칩은 하면 및 상면에 각각 형성된 제1 및 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 도전성 리드와 상기 제1 전극이 접속되도록 상기 제1 열방출영역의 제1 도전성 리드 상에 배치되며,
    상기 발광다이오드 칩의 제2 전극은 상기 제2 도전성 리드에 와이어로 연결되며, 상기 열전도성 접착층은 전기적인 전도성을 갖는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  6. 제1항 또는 제5항에 있어서,
    상기 패키지 기판 상에 형성되며, 상기 발광다이오드 칩이 실장된 영역을 둘러싸도록 캐비티가 마련된 상부 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 캐비티의 내부측벽에는 반사층이 형성되며, 상기 반사층은 상기 열방출 층과 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 열방출층은 전기적 도전성을 갖는 물질로 이루어지며, 상기 열방출층과 상기 제1 및 제2 도전성 리드는 각각 그 사이에 형성된 절연층에 의해 전기적으로 분리된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 발광다이오드 칩은 상면에 형성된 제1 및 제2 전극을 포함하고, 상기 열방출층에 직접 접촉하도록 배치되며,
    상기 발광다이오드 칩의 제1 및 제2 전극은 각각 제1 및 제2 도전성 리드에 와이어로 연결된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 발광다이오드 칩은 하면 및 상면에 각각 형성된 제1 및 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 도전성 리드와 상기 제1 전극이 접속되도록 상기 제1 도전성 리드 상에 배치되며,
    상기 발광다이오드 칩의 제2 전극은 상기 제2 도전성 리드에 와이어로 연결되며, 상기 열전도성 접착층은 전기적 전도성 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 패키지기판의 열방출수단은 상기 발광다이오드 칩이 실장된 영역과 대응하는 위치에서 상기 패키지 기판의 상면으로부터 그 두께방향으로 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 패키지기판은, 실리콘기판, 세라믹기판 또는 금속기판으로 이루어지며, 상기 기판 자체가 열방출수단으로서 작용하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 열방출층의 열전도도는 상기 열방출수단의 열전도도보다 높은 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 열방출수단의 열전도도는 100 W/mK이상이며, 상기 열방출층의 열전도도는 500 W/mK 이상인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 열방출층은 다이아몬드필름, 금속층 또는 세라믹층인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 열방출층은, 폴리머 매트릭스, 금속 매트릭스 및 세라믹 매트릭스로 구성된 그룹으로부터 선택된 매트릭스에 열전도성 충전재를 포함한 복합재료인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 열전도성 충전재는 탄소물질인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
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