[go: up one dir, main page]

KR100698257B1 - Integrated circuit manufacturing method - Google Patents

Integrated circuit manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
KR100698257B1
KR100698257B1 KR1020050114302A KR20050114302A KR100698257B1 KR 100698257 B1 KR100698257 B1 KR 100698257B1 KR 1020050114302 A KR1020050114302 A KR 1020050114302A KR 20050114302 A KR20050114302 A KR 20050114302A KR 100698257 B1 KR100698257 B1 KR 100698257B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
integrated circuit
logic
manufacturing
redundant
present
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
KR1020050114302A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김명진
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Priority to KR1020050114302A priority Critical patent/KR100698257B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100698257B1 publication Critical patent/KR100698257B1/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/481Internal lead connections, e.g. via connections, feedthrough structures

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

본 발명은 집적회로 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 다수의 논리소자를 구비하는 집적회로의 제조방법에 있어서, (a) 상기 다수의 논리소자와 연결되지 않은 여분의 로직을 형성하는 단계; 및 (b) 상기 여분의 로직에 논리소자가 형성될 경우 상기 여분의 논리소자 상에 하나 이상의 비어홀(via hole) 및 하나 이상의 증착물질층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 집적회로 제조방법에 의하면 집적회로 제조시에 상기 집적회로 제조 후의 디자인의 변경이 필요할 경우라도 로직의 디자인 변경에 따른 수정비용을 최소화할 수 있다.The present invention relates to an integrated circuit manufacturing method. The present invention provides a method for manufacturing an integrated circuit having a plurality of logic elements, the method comprising: (a) forming redundant logic not connected to the plurality of logic elements; And (b) forming one or more via holes and one or more layers of deposition material on the redundant logic device if a logic device is formed in the redundant logic. Provide a method. According to the integrated circuit manufacturing method according to the present invention, even if a design change after fabricating the integrated circuit is required at the time of fabricating the integrated circuit, the modification cost due to the design change of the logic can be minimized.

Description

집적회로 제조 방법{method for manufacturing a integrated circuit}Method for manufacturing a integrated circuit

도 1(a)는 집적회로 제조시 집적회로의 디자인(schematic design)을 나타내는 개략도Figure 1 (a) is a schematic diagram showing the schematic design of the integrated circuit in the integrated circuit fabrication

도 1(b)는 도 1(a)에 대한 구조에서 디자인 변경이 있는 경우 집적회로의 디자인을 나타내는 개략도Figure 1 (b) is a schematic diagram showing the design of the integrated circuit when there is a design change in the structure of Figure 1 (a)

도 2는 본 발명에 따른 집적회로 제조방법의 일 실시예에 의해 구성될 수 있는 물리적 셀의 단면도2 is a cross-sectional view of a physical cell that may be constructed by one embodiment of an integrated circuit manufacturing method in accordance with the present invention.

도 3은 여분의 논리소자에 대한 넷-리스트(net-list)를 나타낸 도면3 shows a net-list for redundant logic elements;

본 발명은 집적회로 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 집적회로의 논리소자에 대한 디자인 수정시 비용을 줄일 수 있는 집적회로 제조 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an integrated circuit manufacturing method, and more particularly, to an integrated circuit manufacturing method that can reduce the cost of design modification for a logic element of an integrated circuit.

종래의 집적회로 제조할 경우에는 시스템을 결정하고, 상기 결정된 시스템의 관련 기능을 수행하는 회로를 개략적으로 디자인(schematic design)한다. 그리고, 그 디자인된 회로에 대한 검증한 후에, 플래이스(place)와 라우팅(routing) 작업을 수행하고, 래이아웃(layout)에 대한 검증이 마무리되면, 집적회로의 마스크(mask)를 작성하는 과정을 거친다.In the manufacture of conventional integrated circuits, a system is determined and a schematic design of a circuit that performs the relevant functions of the determined system. After verifying the designed circuit, place and routing operations are performed, and when verification of layout is completed, a process of creating a mask of an integrated circuit is performed. Go through

상기와 같이 집적회로 내의 로직들이 존재할 경우에 메탈(metal)과 같은 도전성 증착(deposition) 물질을 리비전(revision)하려면 집적회로 내에 트랜지스터(transistor)를 구성하는 마스크(mask)를 수정하지 않고 도전성 증착 물질인 메탈(metal)을 수정하였다.As described above, in order to revision a conductive deposition material such as metal in the presence of logics in an integrated circuit, the conductive deposition material may be modified without modifying a mask constituting a transistor in the integrated circuit. Phosphorus metal was modified.

이와 같이 종래의 논리소자들이 존재하여 수정이 어려운 경우에는 집적회로 내 레이어(layer)를 모두 수정해야만 하는데(full layer revision), 이러한 경우에 많은 비용이 소요된다. As described above, when the conventional logic elements are difficult to modify, all layers in the integrated circuit must be corrected (full layer revision), which is expensive.

따라서, 일반적으로 집적회로 제조시에는 추후에 상기 집적회로 내에 트랜지스터를 구성하는 마스크를 변경할 경우를 대비해서 여분의 논리소자(spare logic)를 상기 집적회로에 추가로 설계하였다. 그리고, ECO(engineer change order)가 있으면 그 오더(order)에 따라서 상기 여분으로 준비해 둔 논리소자를 사용하였다. Therefore, in general, in the manufacture of integrated circuits, an additional logic device is additionally designed in the integrated circuit in preparation for changing a mask constituting a transistor in the integrated circuit later. And if there is an engine change order (ECO), the above-mentioned logic element prepared according to the order was used.

도 1(a) 및 도 1(b)는 상기에서 ECO(engineer change order)가 있을 경우 집적회로의 재구성하는 일 예를 나타낸 도면이다.1 (a) and 1 (b) illustrate an example of reconfiguring an integrated circuit when there is an engine change order (ECO).

도 1(a)의 예에서 집적회로 내 논리소자는 앤드게이트 X1과 스페어 로직(spare logic)인 인버터(inverter) S2를 포함한다. 도 1(a)의 예에서 상기 앤드게이트는 두 개의 입력(.A(Net1), .B(Net2))과 하나의 출력(.Y(Net3))을 포함하며, 상기 인버터(inverter) S2는 상기 집적회로 제조 당시에 입출력은 정의되지만, 다른 논리소자와 연결되지는 않는다.In the example of FIG. 1A, the logic element in the integrated circuit includes an AND gate X1 and an inverter S2 that is spare logic. In the example of FIG. 1 (a), the AND gate includes two inputs (.A (Net1), .B (Net2)) and one output (.Y (Net3)), and the inverter S2 is Input and output are defined at the time of fabrication of the integrated circuit, but are not connected to other logic elements.

도 1(a)의 논리소자를 포함하는 집적회로에 대해서 ECO(engineer change order)에 의해서, 상기 여분의 논리소자인 인버터(inverter)를 앤드게이트로 연결하면 도 1(b)과 같은 논리소자를 포함하는 집적회로를 구성할 수 있다.In the integrated circuit including the logic device of FIG. 1 (a), when the inverter (inverter), which is the redundant logic device, is connected to the AND gate by an engine change order (ECO), the logic device of FIG. 1 (b) is connected. An integrated circuit may be included.

도 1(a) 및 도 1(b)의 예에서 보인 것처럼 여분의 논리소자를 구성할 경우에는 집적회로의 수정시에 변경되는 로직이 최소화되도록 변경되는 논리소자와 가장 가까운 여분의 논리소자와 그 연결관계를 수정한다. As shown in the examples of Figs. 1A and 1B, when the redundant logic element is configured, the redundant logic element closest to the logic element changed so as to minimize the logic changed when the integrated circuit is modified, and the Modify the connection.

라우팅 과정에서 각 논리소자 간에는 연결관계가 정의되지 않았기 때문에 기존에 존재하던 논리소자의 입출력단자가 여분의 논리소자의 입출력 단자까지 연결되도록 드로잉(drawing)된다. Since no connection relationship is defined between the logical elements in the routing process, the input / output terminals of the existing logic elements are drawn to be connected to the input / output terminals of the extra logic elements.

도 1(b)에서 수정되는 집적회로는 앤드게이트 X1의 출력(.Y(Net3))을 인버터 S2의 입력(.Y(Net4))으로 하고, 상기 인버터의 출력을 집적회로의 로직 수정 전 앤드게이트 X1의 출력(.Y(Net3))으로 하는 로직을 포함한다.The integrated circuit modified in FIG. 1 (b) uses the output of the AND gate X1 (.Y (Net3)) as the input of the inverter S2 (.Y (Net4)), and the output of the inverter before the logic modification of the integrated circuit. Logic to be the output of gate X1 (.Y (Net3)).

그러나, 종래는 수정되어야 하는 논리소자의 물리적 셀(physical cell)은 대부분 제 1 메탈층(a first metal layer)까지만 구성되기 때문에, 상기 스페어 로직을 다른 로직과 연결할 경우 마스크 레이어(mask layer)가 증가해야 하고, 이로 인해 비용이 추가적으로 발생하는 문제점이 있다.However, in the related art, since most physical cells of a logic device to be modified are configured only up to a first metal layer, when the spare logic is connected with other logic, a mask layer is increased. And, there is a problem in that the additional cost.

즉, 여분의 논리소자에 대해 라우팅(routing)할 경우에 상기 논리소자의 물리적 셀상에 여러 종류의 비아 홀(via hole)과 다수의 상위 증착물질(상기 예에서는 메탈)을 사용해서 라우팅해야 하기 때문에, 여분의 논리소자을 연결할 경우라도 마스크 레이어(mask layer)가 증가하고, 변경비용이 증가하는 문제점이 있다. In other words, when routing to an extra logic element, it must be routed using various kinds of via holes and a plurality of higher deposition materials (metal in the above example) on the physical cell of the logic element. Even when extra logic devices are connected, a mask layer increases and a change cost increases.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 집적회로 제조시에 상기 집적회로의 변경이 필요할 경우에 수정비용을 최소화할 수 있는 집적회로 제조방법에 관한 것이다.The present invention is to solve the above problems, an object of the present invention relates to an integrated circuit manufacturing method that can minimize the modification cost when the integrated circuit is required to change the integrated circuit manufacturing.

상기의 문제점을 해결하기 위하여 본 발명은 다수의 논리소자를 구비하는 집적회로의 제조방법에 있어서, (a) 상기 다수의 논리소자와 연결되지 않은 여분의 로직을 형성하는 단계; 및 (b) 상기 여분의 로직에 논리소자가 형성될 경우 상기 여분의 논리소자 상에 하나 이상의 비어홀(via hole) 및 하나 이상의 증착물질층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로의 제조방법을 제공한다.In order to solve the above problems, the present invention provides a method of manufacturing an integrated circuit having a plurality of logic elements, the method comprising: (a) forming extra logic not connected to the plurality of logic elements; And (b) forming one or more via holes and one or more layers of deposition material on the redundant logic device if a logic device is formed in the redundant logic. Provide a method.

상기 (b) 단계는 상기 논리소자 상의 최상위의 증착물질층에 핀(pin)을 형성하는 것이 바람직하다.In the step (b), it is preferable to form a pin on the uppermost deposited material layer on the logic device.

또한 본 발명은 다수의 논리소자를 구비하는 집적회로의 제조방법에 있어서, (a) 상기 다수의 논리소자와 연결되지 않은 여분의 로직을 형성하는 단계; 및 (b) 상기 여분의 로직을 형성할 경우 상기 여분의 로직 내에, 상기 다수의 논리소자들 중 최상위 레이어(layer)와 동일한 높이로 하나 이상의 비어홀(via hole) 및 하나 이상의 증착물질층을 연속하여 형성하는 것을 특징으로 하는 집적회로의 제조방법을 제공한다.In addition, the present invention provides a method of manufacturing an integrated circuit having a plurality of logic elements, comprising: (a) forming extra logic not connected to the plurality of logic elements; And (b) continuously forming one or more via holes and one or more layers of deposition material in the redundant logic at the same height as the top layer of the plurality of logic elements when forming the redundant logic. It provides a method for manufacturing an integrated circuit, characterized in that forming.

상기 (b) 단계는 상기 로직에 연결된 증착물질층 중 최상위의 증착물질층으로 핀(pin)을 형성하는 것이 바람직하다.In the step (b), it is preferable to form a pin with the highest deposition material layer among the deposition material layers connected to the logic.

상기 (b) 단계의 증착물질은 메탈(metal)인 것이 바람직하다.Preferably, the deposition material of step (b) is metal.

이하 상기 목적을 구체적으로 실현하기 위한 본 발명은 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명을 상세히 설명하기에 앞서서, 이하에서 '로직(logic)'은 논리소자 또는 그 논리소자를 포함하는 연결관계를 의미하며, 또는 집적회로 내에 추가적인 논리소자를 설치하기 위한 집적회로 내에 스페이스(space)를 포함하는 개념이다. Hereinafter, the present invention for realizing the above object will be described with reference to the accompanying drawings, preferred embodiments. Prior to describing the present invention in detail, hereinafter, 'logic' refers to a logic device or a connection relationship including the logic device, or a space within an integrated circuit for installing additional logic devices in the integrated circuit. ).

도 2는 본 발명에 따른 집적회로 제조방법의 일 실시예에 의해 구성될 수 있는 물리적 셀의 단면도를 나타낸다.2 illustrates a cross-sectional view of a physical cell that may be constructed by one embodiment of an integrated circuit manufacturing method in accordance with the present invention.

본 발명에 따른 집적회로 제조방법의 일 실시예는 집적회로의 로직 구성시에 각 로직의 최상위 레이어(layer)까지 미리 라우팅(routing)하여 수정되는 마스크(mask)의 수를 최소화하는 것이 바람직하다. 라우팅(routing)을 위해서 반드시 스택(stack)의 형태로 로직(logic) 상에 레이어(layer)를 적층할 필요는 없으며, 집적회로 상의 빈 공간을 이용하여 최상위 레이어(layer)까지 도달할 수 있으면 족하다. According to an embodiment of the integrated circuit manufacturing method according to the present invention, it is desirable to minimize the number of masks that are modified by routing to the uppermost layer of each logic in the logic configuration of the integrated circuit. It is not necessary to stack layers on logic in the form of stacks for routing, but it is sufficient if the top layer can be reached using the empty space on the integrated circuit. .

따라서, 제 1 메탈만을 포함하던 종래의 스페어 논리소자에서 최상위 레이어에 도달할 때까지 다수의 메탈(metal)과 다수의 비아 홀(via hole)를 적층할 수 있다. Therefore, in the conventional spare logic device including only the first metal, a plurality of metals and a plurality of via holes may be stacked until the top layer is reached.

도 3은 상기 예에서 설명한 여분의 논리소자에 대한 넷-리스트(net-list)를 나타낸다. 도 3을 참조하여 본 발명에 따른 집적회로 제조방법의 일 실시예를 설명하면 다음과 같다. 3 shows a net-list for the redundant logic elements described in the above example. An embodiment of an integrated circuit manufacturing method according to the present invention will be described with reference to FIG. 3.

먼저 집적회로의 제조시에 임의의 여분의 논리소자를 추가하여 제조한다. 여분의 논리소자를 추가할 경우 여분의 논리소자에 대한 각 핀(pin) 별로 다른 논리소자와 연결되지 않는 플로팅 넷(floating net)도 함께 추가하여 제조하는 것이 바람직하다.First, an arbitrary extra logic element is added during fabrication of an integrated circuit. In the case of adding an extra logic element, it is preferable to add a floating net that is not connected to another logic element for each pin of the extra logic element.

도 3의 예에서 여분의 논리소자인 인버터(inverter) S2는 입력(.A(S2_A_Net))과 출력(.Y(S2_A_Net))에 대한 플로팅 넷(floating net)을 함께 추가하고, 오어 게이트(or gate) S3은 제 1 입력(.A(S3_A_Net)), 제 2 입력(.B(S3_A_Net)) 및 출력(.Y(S3_A_Net))에 대한 플로팅 넷을 추가한 예를 나타낸다.In the example of FIG. 3, an inverter S2, which is an extra logic element, adds a floating net for the input (.A (S2_A_Net)) and the output (.Y (S2_A_Net)) together, and the or gate (or gate) S3 represents an example in which a floating net is added for a first input (.A (S3_A_Net)), a second input (.B (S3_A_Net)), and an output (.Y (S3_A_Net)).

그리고, 상기 여분의 논리소자가 아닌 기존에 형성되어 있던 논리소자의 최상위 레이어(layer)의 시크널 라우팅(signal routing)에 영향이 없도록 여분의 논리소자가 위치한 영역에서 최상위 메탈 레이어로 핀(pin)을 형성한다. In addition, the pin is pinned from the region where the extra logic element is located to the uppermost metal layer so as not to affect the signal routing of the uppermost layer of the existing logic element other than the redundant logic element. To form.

추후에 상기와 같이 형성된 집적회로의 디자인에 변경이 있는 경우에는 상기 여분의 논리소자의 최상위 레이어의 핀을 사용하여 상기 여분의 논리소자의 입력과 출력을 연결하여 라우팅을 실시한다. 상기 라우팅시는 최소한의 거리로 연결될 수 있도록 논리소자를 연결하도록 하는 것이 바람직하다. If there is a change in the design of the integrated circuit formed as described above, routing is performed by connecting inputs and outputs of the redundant logic device using pins of the uppermost layer of the redundant logic device. In the routing, it is desirable to connect logic elements so that they can be connected at a minimum distance.

또한, 집적회로의 증착 물질로는 메탈(metal)을 예로 하여 설명하였으나,, 본 발명에 따른 집적회로 제조방법에서 반드시 증착 물질로 메탈만을 사용할 수 있는 것은 아니며, 이에 대응되는 물질, 예를 들면 유전체(dielectric), 절연체(insulator), 폴리머(polymer) 등이 사용될 수도 있다. In addition, the deposition material of the integrated circuit has been described as a metal (metal) as an example, in the integrated circuit manufacturing method according to the present invention is not necessarily to use only the metal as a deposition material, the corresponding material, for example, a dielectric (dielectric), insulators, polymers and the like may be used.

상기와 같은 방법을 사용하여 집적회로를 디자인하여 제조할 경우에는 추후 에 사용자에 따른 회로 디자인 변경이 있더라도 최소의 경우 하나의 마스크 레이어(mask layer)만 수정하여 새로운 논리소자를 연결할 수 있다. 따라서, 추후에 발생할 수 있는 비용이나 추가 공정상의 어려움도 줄일 수 있다. In the case of designing and manufacturing an integrated circuit using the above method, even if there is a circuit design change according to a user later, a new logic element may be connected by modifying only one mask layer at least. Thus, further costs and additional process difficulties may be reduced.

동일한 기술분야의 당업자가 본 특허명세서로부터 본 발명을 변경하거나 변형하는 것은 용이한 것이다. 그래서, 본 발명의 일 실시예가 상기 명확하게 기재되었더라도, 그것을 여러 가지로 변경하는 것은 본 발명의 사상과 관점으로부터 이탈하는 것이 아니며 그 사상과 관점 내에 있다고 해야 할 것이다. It is easy for a person skilled in the art to change or modify the present invention from the present specification. Thus, although an embodiment of the present invention has been described above clearly, various modifications thereof should be made without departing from the spirit and the scope of the invention.

상기에서 설명한 본 발명에 따른 집적회로 제조방법의 효과를 설명하면 다음과 같다.Referring to the effects of the integrated circuit manufacturing method according to the present invention described above are as follows.

본 발명에 따른 집적회로 제조방법에 의하면 집적회로 제조시에 상기 집적회로 제조 후의 디자인의 변경이 필요할 경우라도 로직의 디자인 변경에 따른 수정비용을 최소화할 수 있다.According to the integrated circuit manufacturing method according to the present invention, even if a design change after fabricating the integrated circuit is required at the time of fabricating the integrated circuit, the modification cost due to the design change of the logic can be minimized.

Claims (5)

다수의 논리소자를 구비하는 집적회로의 제조방법에 있어서,In the manufacturing method of an integrated circuit having a plurality of logic elements, (a) 상기 다수의 논리소자와 연결되지 않은 여분의 로직을 형성하는 단계; 및(a) forming redundant logic not connected to the plurality of logic elements; And (b) 상기 여분의 로직에 논리소자가 형성될 경우 상기 여분의 논리소자 상에 하나 이상의 비어홀(via hole) 및 하나 이상의 증착물질층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로의 제조방법.and (b) forming one or more via holes and one or more layers of deposition material on the redundant logic device if a logic device is formed in the redundant logic. . 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 (b) 단계는 상기 논리소자 상의 최상위의 증착물질층에 핀(pin)을 형성하는 것을 특징으로 하는 집적회로의 제조방법.The step (b) is a manufacturing method of an integrated circuit, characterized in that to form a pin (pin) on the uppermost deposited material layer on the logic device. 다수의 논리소자를 구비하는 집적회로의 제조방법에 있어서,In the manufacturing method of an integrated circuit having a plurality of logic elements, (a) 상기 다수의 논리소자와 연결되지 않은 여분의 로직을 형성하는 단계; 및(a) forming redundant logic not connected to the plurality of logic elements; And (b) 상기 여분의 로직을 형성할 경우 상기 여분의 로직 내에, 상기 다수의 논리소자들 중 최상위 레이어(layer)와 동일한 높이로 하나 이상의 비어홀(via hole) 및 하나 이상의 증착물질층을 연속하여 형성하는 것을 특징으로 하는 집적회로의 제조방법.(b) forming one or more via holes and one or more layers of deposited material in the redundant logic at the same height as the top layer of the plurality of logic elements when forming the redundant logic; Method for manufacturing an integrated circuit, characterized in that. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 (b) 단계는 상기 로직에 연결된 증착물질층 중 최상위의 증착물질층으로 핀(pin)을 형성하는 것을 특징으로 하는 집적회로의 제조방법.The step (b) of the integrated circuit manufacturing method, characterized in that to form a pin (pin) of the highest deposition material layer of the deposition material layer connected to the logic. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 (b) 단계의 증착물질은 메탈(metal)인 것을 특징으로 하는 집적회로의 제조방법.The deposition material of step (b) is a manufacturing method of an integrated circuit, characterized in that the metal (metal).
KR1020050114302A 2005-11-28 2005-11-28 Integrated circuit manufacturing method Expired - Fee Related KR100698257B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050114302A KR100698257B1 (en) 2005-11-28 2005-11-28 Integrated circuit manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050114302A KR100698257B1 (en) 2005-11-28 2005-11-28 Integrated circuit manufacturing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100698257B1 true KR100698257B1 (en) 2007-03-22

Family

ID=41563999

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050114302A Expired - Fee Related KR100698257B1 (en) 2005-11-28 2005-11-28 Integrated circuit manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100698257B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8013627B2 (en) 2008-12-31 2011-09-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050059740A (en) * 2003-12-15 2005-06-21 매그나칩 반도체 유한회사 Method for fabricating image sensor

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050059740A (en) * 2003-12-15 2005-06-21 매그나칩 반도체 유한회사 Method for fabricating image sensor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8013627B2 (en) 2008-12-31 2011-09-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6763511B2 (en) Semiconductor integrated circuit having macro cells and designing method of the same
US10312192B2 (en) Integrated circuit having staggered conductive features
KR20030022006A (en) Method for designing wiring connecting section and semiconductor device
CN105488244B (en) Method and system for designing semiconductor device
US7365431B2 (en) Semiconductor device having multilayer structure and method for manufacturing thereof
US20090013295A1 (en) Method for arranging virtual patterns
KR100698257B1 (en) Integrated circuit manufacturing method
KR100655427B1 (en) Wiring structure that can be easily changed, designing and changing method of the wiring structure
US7091614B2 (en) Integrated circuit design for routing an electrical connection
US20020043668A1 (en) Semiconductor integrated circuit device and method of producing the same
JP2001306641A (en) Automatic arranging and wiring method for semiconductor integrated circuit
US8856696B2 (en) Integrated circuit layout modification
US9484067B2 (en) Circuit having capacitor coupled with memory element
US7992118B2 (en) Semiconductor integrated circuit and design method for semiconductor integrated circuit
CN101304009B (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
US7102237B1 (en) ASIC customization with predefined via mask
CN115640256B (en) A programmable chip using a rewiring layer to implement user designs
JP2006237123A (en) Semiconductor integrated circuit
JP3481935B2 (en) Semiconductor integrated circuit having macro cell and design method thereof
KR100329951B1 (en) Functional macro and method of designing the same, and semiconductor device and method of manufacturing the same
US8019970B2 (en) Three-dimensional networking design structure
WO2006103897A1 (en) Semiconductor device
TWI596732B (en) Metal layer configuration
JP5177951B2 (en) Semiconductor integrated circuit
US7800236B1 (en) Semiconductor die and method for forming a semiconductor die having power and ground strips that are oriented diagonally

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20051128

PA0201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20060919

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20070226

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20070315

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20070316

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee