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KR100697922B1 - Buried Diffraction Grating for Distributed Feedback Laser Diode and Its Manufacturing Method - Google Patents

Buried Diffraction Grating for Distributed Feedback Laser Diode and Its Manufacturing Method Download PDF

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KR100697922B1
KR100697922B1 KR1020050024647A KR20050024647A KR100697922B1 KR 100697922 B1 KR100697922 B1 KR 100697922B1 KR 1020050024647 A KR1020050024647 A KR 1020050024647A KR 20050024647 A KR20050024647 A KR 20050024647A KR 100697922 B1 KR100697922 B1 KR 100697922B1
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grating
thin film
film layer
diffraction grating
floor
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김용관
박칠성
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엘에스전선 주식회사
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Abstract

본 발명은 분포 귀환 레이저 다이오드에 구비되는 회절격자에 관한 것으로서, 골/마루 구조가 주기적으로 반복되는 그래이팅; 상기 그래이팅의 골 부분에 형성되는, 상기 그래이팅보다 굴절률이 큰 제1박막층; 및 상기 제1박막층을 덮으면서 그래이팅의 마루 윗부분까지 연장된, 상기 그래이팅과 굴절률이 동일한 제2박막층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 매립형 회절격자가 개시된다.The present invention relates to a diffraction grating provided in a distributed feedback laser diode, comprising: grating in which a bone / floor structure is periodically repeated; A first thin film layer having a refractive index greater than that of the grating, formed in the valley portion of the grating; And a second thin film layer having the same refractive index as the grating, covering the first thin film layer and extending to an upper portion of the floor of the grating.

또한, 본 발명에 따르면, 기판상에 골/마루가 주기적으로 반복되는 구조의 그래이팅을 제작하는 단계; 상기 그래이팅의 골 부분에 상기 그래이팅보다 굴절률이 큰 제1박막층을 성장시키는 단계; 및 상기 제1박막층을 덮으면서 그래이팅의 마루 윗부분까지 연장되도록 상기 그래이팅과 굴절률이 동일한 제2박막층을 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 매립형 회절격자 제조방법이 제공된다.In addition, according to the present invention, producing a grating of the structure in which the valley / floor periodically repeated on the substrate; Growing a first thin film layer having a refractive index greater than that of the grating in the valley of the grating; And growing a second thin film layer having the same refractive index as that of the grating to cover the first thin film layer and to extend to an upper portion of the floor of the grating. The buried diffraction grating manufacturing method of the buried diffraction grating is provided.

DFB LD, 회절격자, 다중양자우물, 반도체 박막 성장 DFB LD, diffraction grating, multi-quantum well, semiconductor thin film growth

Description

분포 귀환 레이저 다이오드를 위한 매립형 회절격자 및 그 제조방법{BURIED GRATING FOR DISTRIBUTED FEEDBACK LASER DIODE AND FABRICATING METHOD THEREFOR}Buried diffraction grating for distributed feedback laser diode and its manufacturing method {BURIED GRATING FOR DISTRIBUTED FEEDBACK LASER DIODE AND FABRICATING METHOD THEREFOR}

본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 후술하는 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.The following drawings attached to this specification are illustrative of preferred embodiments of the present invention, and together with the detailed description of the invention to serve to further understand the technical spirit of the present invention, the present invention is a matter described in such drawings It should not be construed as limited to

도 1 내지 도 3은 종래기술에 따른 회절격자 제조공정을 도시하는 단면도.1 to 3 are cross-sectional views showing a diffraction grating manufacturing process according to the prior art.

도 4 내지 도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 회절격자 제조공정을 도시하는 단면도.4 to 6 are cross-sectional views showing a diffraction grating manufacturing process according to a preferred embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 제공되는 회절격자를 구비한 분포 귀환 레이저 다이오드의 구성도.7 is a block diagram of a distributed feedback laser diode having a diffraction grating provided in accordance with a preferred embodiment of the present invention.

<도면의 주요 참조부호에 대한 설명><Description of main reference numerals in the drawings>

100...n형 기판 101...그래이팅100 ... n-type substrate 101 ... Grating

102...제1박막층 103...제2박막층102 The first thin film 103 The second thin film layer

본 발명은 분포 귀환 레이저 다이오드(Distributed Feedback LASER Diode; DFB LD)를 위한 회절격자와 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 간소화된 반도체 박막 성장 공정으로 제작되는 회절격자와 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a diffraction grating for a distributed feedback laser diode (DFB LD) and a manufacturing method thereof, and more particularly, to a diffraction grating manufactured by a simplified semiconductor thin film growth process and a manufacturing method thereof. .

레이저 다이오드 중 특히, 분포 귀환 레이저 다이오드에는 활성층 부근에 회절격자가 구비되는데, 이 회절격자는 레이저 다이오드의 내부 공진 구조를 왕복하는 여러 광모드 중에 회절격자와 광결합하는 모드만이 발진되어 단일모드의 발광이 이루어지도록 작용한다.In particular, the distributed feedback laser diode includes a diffraction grating in the vicinity of the active layer, and the diffraction grating is oscillated only in the optical coupling mode with the diffraction grating among several optical modes reciprocating the internal resonant structure of the laser diode. It acts to emit light.

도 1 내지 도 3에는 종래기술에 따른 분포 귀환 레이저 다이오드의 회절격자 제조공정이 도시되어 있다. 회절격자를 이루는 반도체 박막의 성장은 세로방향으로 이루어지는 반면, 광모드의 진행 방향인 가로방향의 굴절률차를 얻기 위해서는 가로방향으로 반도체 박막을 식각해야 하는 바, 종래에는 회절격자의 제작을 위해 다단계의 반도체 박막 성장 공정을 사용하였다.1 to 3 show a diffraction grating manufacturing process of a distributed feedback laser diode according to the prior art. While the growth of the semiconductor thin film forming the diffraction grating is performed in the longitudinal direction, in order to obtain the difference in refractive index in the transverse direction, which is the direction of the optical mode, the semiconductor thin film must be etched in the horizontal direction. A semiconductor thin film growth process was used.

즉, 먼저 도 1에 도시된 바와 같이 제1레이어(Layer)(10), 제2레이어(11) 및 제3레이어(12)를 순차적으로 세로 방향으로 성장하는 공정이 수행된다. 여기서, 제2레이어(11)는 제1레이어(10)와 제3레이어(12)에 비해 굴절률이 더 큰 반도체 재료로 이루어진다.That is, as shown in FIG. 1, a process of sequentially growing the first layer 10, the second layer 11, and the third layer 12 in the longitudinal direction is performed. Here, the second layer 11 is made of a semiconductor material having a larger refractive index than the first layer 10 and the third layer 12.

반도체 박막 성장이 완료된 후에는, 도 2에 도시된 바와 같이 화학적 에칭방법을 이용하여 제2레이어(11)와 제3레이어(12)를 일정 간격으로 식각한 후, 도 3에 도시된 바와 같이 식각된 반도체 박막 위에 다시 반도체 박막 성장으로 상기 제2레이어(11)에 비해 굴절률이 작은 제4레이어(13)를 성장함으로써 가로방향으로 굴절 률이 높은 영역과 낮은 영역이 일정 간격으로 반복되는 매립형 회절격자가 제작된다.After the semiconductor thin film growth is completed, the second layer 11 and the third layer 12 are etched at regular intervals using a chemical etching method as shown in FIG. 2, and then etched as shown in FIG. 3. A buried diffraction grating in which a region having a high refractive index and a low region are repeated at regular intervals by growing a fourth layer 13 having a smaller refractive index than the second layer 11 by growing a semiconductor thin film again on the semiconductor thin film. Is produced.

그런데, 종래의 회절격자 제조공정은 이와 같이 1차 박막 성장 -> 식각 -> 2차 박막 성장의 다단계 반도체 박막 성장을 거쳐야 하므로 공정이 복잡하고 공정시간도 많이 걸리는 취약점이 있다. 또한, 반도체 박막을 여러 번에 걸쳐 성장시킬 경우 일반적으로 그 회절 특성이 떨어지게 되므로, 결과적으로 그러한 회절격자 위에 성장되는 활성층의 품질도 저하되는 문제가 발생하게 된다.However, the conventional diffraction grating manufacturing process has to undergo a multi-stage semiconductor thin film growth such as primary thin film growth-> etching-> secondary thin film growth. In addition, when the semiconductor thin film is grown over several times, the diffraction characteristics of the semiconductor thin film are generally degraded. As a result, the quality of the active layer grown on the diffraction grating is also deteriorated.

본 발명은 상기와 같은 점을 고려하여 창안된 것으로서, 1단계의 반도체 성장 공정만으로 제작이 가능한 구조를 가진 분포 귀환 레이저 다이오드용 매립형 회절격자와 그 제조방법을 제공하는 데 목적이 있다.The present invention has been made in consideration of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a buried diffraction grating for a distributed feedback laser diode having a structure that can be manufactured only by a semiconductor growth process in one step and a method of manufacturing the same.

상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 회절격자는 크게 그래이팅(Grating) 식각공정과 1단계의 반도체 박막 성장 공정을 거쳐 제작된다.In order to achieve the above object, the diffraction grating according to the present invention is largely manufactured through a grating etching process and a semiconductor thin film growth process in one step.

즉, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 회절격자는, 골/마루 구조가 주기적으로 반복되는 그래이팅; 상기 그래이팅의 골 부분에 형성되는, 상기 그래이팅보다 굴절률이 큰 제1박막층; 및 상기 제1박막층을 덮으면서 그래이팅의 마루 윗부분까지 연장된, 상기 그래이팅과 굴절률이 동일한 제2박막층;을 포함하는 것을 특징으로 한다.In other words, the diffraction grating according to a preferred embodiment of the present invention, the grating / floor structure is periodically repeated; A first thin film layer having a refractive index greater than that of the grating, formed in the valley portion of the grating; And a second thin film layer covering the first thin film layer and extending to an upper portion of the floor of the grating, having the same refractive index as the grating.

바람직하게, 상기 그래이팅은 평탄한 골과 상기 골로부터 비스듬히 경사져서 돌출된 마루를 구비한다.Preferably, the grating has a flat valley and a ridge protruded obliquely from the valley.

상기 그래이팅의 마루 부분의 높이는 5 ~ 500㎚로 형성되며, 상기 그래이팅의 골 부분의 폭은 5 ~ 500㎚로 형성되는 것이 바람직하다.The height of the floor of the grating is formed of 5 ~ 500nm, the width of the valley of the grating is preferably formed of 5 ~ 500nm.

상기 제1박막층의 두께는 상기 그래이팅의 마루 부분의 높이에 비해 작은 것이 바람직하다.The thickness of the first thin film layer is preferably smaller than the height of the floor portion of the grating.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 기판상에 골/마루가 주기적으로 반복되는 구조의 그래이팅을 제작하는 단계; 상기 그래이팅의 골 부분에 상기 그래이팅보다 굴절률이 큰 제1박막층을 성장시키는 단계; 및 상기 제1박막층을 덮으면서 그래이팅의 마루 윗부분까지 연장되도록 상기 그래이팅과 굴절률이 동일한 제2박막층을 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 매립형 회절격자 제조방법이 제공된다.According to another aspect of the invention, the step of manufacturing a grating of the structure in which the valley / floor periodically repeated on the substrate; Growing a first thin film layer having a refractive index greater than that of the grating in the valley of the grating; And growing a second thin film layer having the same refractive index as that of the grating to cover the first thin film layer and to extend to an upper portion of the floor of the grating. The buried diffraction grating manufacturing method of the buried diffraction grating is provided.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Prior to this, terms or words used in the specification and claims should not be construed as having a conventional or dictionary meaning, and the inventors should properly explain the concept of terms in order to best explain their own invention. Based on the principle that can be defined, it should be interpreted as meaning and concept corresponding to the technical idea of the present invention. Therefore, the embodiments described in the specification and the drawings shown in the drawings are only the most preferred embodiment of the present invention and do not represent all of the technical idea of the present invention, various modifications that can be replaced at the time of the present application It should be understood that there may be equivalents and variations.

도 4 내지 도 6에는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 분포 귀환 레이저 다이오드용 회절격자의 제조공정이 단계적으로 도시되어 있다.4 to 6 illustrate a stepwise manufacturing process of a diffraction grating for a distributed feedback laser diode according to a preferred embodiment of the present invention.

먼저, 도 4를 참조하면, 분포 귀환 레이저 다이오드의 제조를 위한 베이스 기판이 되는 n형 기판(100)상에 골(101a)/마루(101b) 구조가 주기적으로 반복되는 그래이팅(101)을 제작하는 공정이 수행된다. 그래이팅(101)의 제작은 화학적 식각방법으로 수행되는 것이 바람직하나, 이러한 방법에 한정되지 않음은 물론이다.First, referring to FIG. 4, a grating 101 is fabricated in which a valley 101a / floor 101b structure is periodically repeated on an n-type substrate 100 serving as a base substrate for manufacturing a distributed feedback laser diode. The process is performed. Preparation of the grating 101 is preferably performed by a chemical etching method, but is not limited to this method, of course.

바람직하게, 그래이팅(101) 제작공정은 평탄한 골(101a)부분과, 이 골(101a) 부분에서 비스듬히 경사져서 돌출된 마루(101b) 부분이 형성되도록 수행된다. 여기서, 광통신용 분포 귀환 레이저 다이오드에 요구되는 회절 특성을 감안할 때 그래이팅(101)을 이루는 마루(101b) 부분의 높이 H는 5 ~ 500㎚, 골(101a) 부분의 폭 W는 5 ~ 500㎚로 형성되는 것이 바람직하다.Preferably, the grating 101 manufacturing process is performed such that a flat valley 101a portion and a ridge 101b portion protruded obliquely from the valley 101a portion are formed. Here, in view of the diffraction characteristics required for the optical feedback laser diode for optical communication, the height H of the ridge 101b forming the grating 101 is 5 to 500 nm, and the width W of the valley 101a is 5 to 500 nm. It is preferable to form.

계속해서, 도 5에 도시된 바와 같이 그래이팅(101)의 골(101a) 부분에 대하여 반도체 박막층인 제1박막층(102)을 성장시키는 공정이 수행된다. 이때, 제1박막층(102)은 n형 기판(100)에 비해 굴절률이 큰 반도체 재료로 이루어진다.Subsequently, as shown in FIG. 5, a process of growing the first thin film layer 102, which is a semiconductor thin film layer, on the valley 101a of the grating 101 is performed. In this case, the first thin film layer 102 is made of a semiconductor material having a larger refractive index than the n-type substrate 100.

제1박막층(102)의 두께 t는, 그래이팅(101)에 있어 인접하는 골(101a) 부분의 제1박막층(102)끼리 서로 맞닿는 것을 방지하도록 마루(101b) 부분의 높이 H에 비해 작은 치수를 갖는 것이 바람직하다.The thickness t of the first thin film layer 102 is smaller than the height H of the floor 101b portion to prevent the first thin film layers 102 of the valleys 101a adjacent to each other in the grating 101 from touching each other. It is preferred to have

제1박막층(102)을 형성한 후에는, 제1박막층(102)을 덮으면서 그래이팅(101)의 마루(101b) 윗부분까지 연장되도록 제2박막층(103)을 성장시키는 공정이 진행됨으로써 회절격자의 제작이 완료된다. 여기서, 제2박막층(103)은 그래이팅(101)이 형성된 n형 기판(100)과 굴절률이 동일한 재료로 형성된다.After the first thin film layer 102 is formed, the process of growing the second thin film layer 103 to cover the first thin film layer 102 and to extend to the upper portion of the floor 101b of the grating 101 is performed. The production of is complete. Here, the second thin film layer 103 is formed of a material having the same refractive index as the n-type substrate 100 on which the grating 101 is formed.

따라서, 굴절률 분포를 감안할 때 실질적으로 회절격자는 도 6에 도시된 바와 같이 굴절률이 작은 물질층 사이에 상대적으로 굴절률이 큰 제1박막층(102)이 매립된 구조를 가짐으로써 레이저 광의 회절을 위한 격자구조를 제공하게 된다.Therefore, considering the refractive index distribution, the diffraction grating has a structure in which the first thin film layer 102 having a relatively high refractive index is embedded between the material layers having a small refractive index, as shown in FIG. 6. To provide a structure.

구조적인 측면으로 볼 때, 회절격자는 평탄한 골(101a)과 이른바, 산(Mountain) 형태의 마루(101b) 구조가 주기적으로 반복되는 그래이팅(101)과, 그래이팅(101)의 골(101a) 부분에 형성되는 제1박막층(102)과, 상기 제1박막층(102)을 덮으면서 그래이팅(101)의 마루(101b) 윗부분까지 연장된, 상기 그래이팅(101)과 실질적으로 동일한 물질층인 제2박막층(103)으로 이루어진다.In terms of the structural aspect, the diffraction grating has a flat valley 101a and a grating 101 where the structure of a so-called mountain form floor 101b is periodically repeated, and the valley 101a of the grating 101. The first thin film layer 102 formed on the part) and the material layer substantially the same as the grating 101, covering the first thin film layer 102 and extending to an upper portion of the floor 101b of the grating 101. It is made of a second thin film layer (103).

도 7에는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 회절격자를 구비한 분포 귀한 레이저 다이오드의 구성예가 도시되어 있다. 도면에 나타난 바와 같이, 분포 귀환 레이저 다이오드는 n형 기판(100) 위에, 매립형 회절격자(200)가 구비되고, 다시 매립형 회절격자(200) 위에, n형 광도파층(104), 다중양자우물구조의 활성층(105), p형 광도파층(106), 클래드층(107), 오믹 컨택층(Ohmic contact layer)(108)이 순차적으로 적층된 구조를 갖는다.7 shows a configuration example of a distributed laser diode having a diffraction grating according to a preferred embodiment of the present invention. As shown in the figure, the distributed feedback laser diode is provided with an embedded diffraction grating 200 on the n-type substrate 100, and again on the buried diffraction grating 200, an n-type optical waveguide layer 104 and a multi-quantum well structure. The active layer 105, the p-type optical waveguide layer 106, the clad layer 107, and the ohmic contact layer 108 are sequentially stacked.

이상에서 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.Although the present invention has been described above by means of limited embodiments and drawings, the present invention is not limited thereto and will be described below by the person skilled in the art to which the present invention pertains. Of course, various modifications and variations are possible within the scope of the claims.

본 발명에 따르면 1단계의 반도체 박막 성장만으로 매립형 회절격자가 생성되므로 제조 공정이 간단하고 공정시간도 단축시킬 수 있다.According to the present invention, since the buried diffraction grating is generated only by growing the semiconductor thin film in one step, the manufacturing process can be simplified and the processing time can be shortened.

또한, 반도체 박막 성장 공정의 간소화로 활성층의 품질 저하를 방지할 수 있으므로 고품질의 분포 귀환 레이저를 제조할 수 있는 장점이 있다.In addition, since the degradation of the active layer can be prevented by the simplification of the semiconductor thin film growth process, there is an advantage that a high quality distributed feedback laser can be manufactured.

Claims (10)

분포 귀환 레이저 다이오드에 구비되는 회절격자에 있어서,In the diffraction grating provided in the distributed feedback laser diode, 평탄한 골과 상기 골로부터 비스듬히 경사져서 돌출된 마루 구조가 주기적으로 반복되는 그래이팅;Grating in which a flat bone and a floor structure protruding obliquely from the bone are periodically repeated; 상기 그래이팅의 골 부분에 형성되는, 상기 그래이팅보다 굴절률이 큰 제1박막층; 및A first thin film layer having a refractive index greater than that of the grating, formed in the valley portion of the grating; And 상기 제1박막층을 덮으면서 그래이팅의 마루 윗부분까지 연장된, 상기 그래이팅과 굴절률이 동일한 제2박막층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 매립형 회절격자.A buried diffraction grating comprising: a second thin film layer covering the first thin film layer and extending to an upper portion of the grating, having the same refractive index as the grating. 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 그래이팅의 마루 부분의 높이가 5 ~ 500㎚인 것을 특징으로 하는 매립형 회절격자.Buried diffraction grating, characterized in that the height of the floor portion of the grating is 5 ~ 500nm. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 그래이팅의 골 부분의 폭이 5 ~ 500㎚인 것을 특징으로 하는 매립형 회절격자.Buried diffraction grating, characterized in that the width of the valley portion of the grating is 5 ~ 500nm. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1박막층의 두께가 상기 그래이팅의 마루 부분의 높이에 비해 작은 것을 특징으로 하는 매립형 회절격자.The buried diffraction grating is characterized in that the thickness of the first thin film layer is smaller than the height of the floor portion of the grating. 분포 귀환 레이저 다이오드의 회절격자 제조방법에 있어서,In the method for producing a diffraction grating of a distributed feedback laser diode, 기판상에 골/마루가 주기적으로 반복되는 구조의 그래이팅을 제작하는 단계;Manufacturing a grating having a structure in which the valley / floor is periodically repeated on the substrate; 상기 그래이팅의 골 부분에 상기 그래이팅보다 굴절률이 큰 제1박막층을 성장시키는 단계; 및Growing a first thin film layer having a refractive index greater than that of the grating in the valley of the grating; And 상기 제1박막층을 덮으면서 그래이팅의 마루 윗부분까지 연장되도록 상기 그래이팅과 굴절률이 동일한 제2박막층을 성장시키는 단계;를 포함하고,And growing a second thin film layer having the same refractive index as that of the grating so as to cover the first thin film layer and extend to an upper portion of the floor of the grating. 상기 그래이팅 제작 단계는, 평탄한 골과 상기 골로부터 비스듬히 경사져서 돌출된 마루가 형성되도록 기판을 식각하여 수행되는 것을 특징으로 하는 매립형 회절격자 제조방법.The grating manufacturing step is a buried diffraction grating manufacturing method characterized in that the etching is performed by etching the substrate to form a flat valley and the floor protruding obliquely from the valley. 삭제delete 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 그래이팅 제작 단계는, 마루 부분의 높이가 5 ~ 500㎚가 되도록 수행되는 것을 특징으로 하는 매립형 회절격자 제조방법.The grating manufacturing step, buried diffraction grating manufacturing method characterized in that the height of the floor portion is performed to be 5 ~ 500nm. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 그래이팅 제작 단계는, 골 부분의 폭이 5 ~ 500㎚가 되도록 수행되는 것을 특징으로 하는 매립형 회절격자 제조방법.The grating manufacturing step, buried diffraction grating manufacturing method characterized in that the width of the bone portion is performed to be 5 ~ 500nm. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제1박막층 성장 단계는, 상기 제1박막층의 두께가 상기 그래이팅의 마루 부분의 높이에 비해 작도록 수행되는 것을 특징으로 하는 매립형 회절격자 제조방법.Wherein the first thin film layer growth step, the buried diffraction grating manufacturing method characterized in that the thickness of the first thin film layer is performed to be smaller than the height of the floor portion of the grating.
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