KR100690314B1 - Electronic component package - Google Patents
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Abstract
본 발명은 열방출 효과를 극대화시키도록 한 전자부품 패키지에 관한 것으로, 발광소자가 실장되는 발광소자 실장영역이 형성된 상면을 갖는 하부 세라믹 기판, 및 상기 하부 세라믹 기판상에 배치되고 상기 발광소자 실장영역에 상응하는 영역에 캐비티가 형성된 상부 세라믹 기판을 포함하는 전자부품 패키지에 있어서, 상기 하부 세라믹 기판의 발광소자 실장영역 아래에는 상기 발광소자의 사이즈보다 넓은 범위로 열경유체가 매입된다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic component package for maximizing a heat dissipation effect. The present invention relates to a lower ceramic substrate having an upper surface on which a light emitting device mounting region is mounted, and a light emitting device mounting region disposed on the lower ceramic substrate. In an electronic component package including an upper ceramic substrate having a cavity formed in a region corresponding to the upper portion, a thermosetting fluid is embedded below the light emitting device mounting region of the lower ceramic substrate in a wider range than the size of the light emitting device.
LED, 열방출, 세라믹 기판, 서멀 싱크 LED, Heat Dissipation, Ceramic Substrate, Thermal Sink
Description
도 1은 종래의 램프형 LED 패키지 구조의 개략도,1 is a schematic diagram of a conventional lamp-type LED package structure,
도 2는 종래의 표면실장형 LED 패키지 구조의 개략도,2 is a schematic diagram of a conventional surface mount LED package structure,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 전자부품 패키지의 단면도,3 is a cross-sectional view of an electronic component package according to an embodiment of the present invention;
도 4a 내지 도 4e는 도 3에 도시된 상부 세라믹 기판의 캐비티 형성과정을 설명하기 위한 도면이다.4A to 4E are diagrams for describing a cavity forming process of the upper ceramic substrate illustrated in FIG. 3.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Major Parts of Drawings>
30 : 하부 세라믹 기판 32 : LED소자30: lower ceramic substrate 32: LED device
34 : 애노드 전극 36 : 캐소드 전극34: anode electrode 36: cathode electrode
38 : 열경유체 40 : 상부 세라믹 기판38: thermosetting fluid 40: upper ceramic substrate
42 : 와이어 44 : 반사판42: wire 44: reflector
46 : 메탈 코어 50a, 50b, 50c : 열경유 홀46:
60 : 지그60: jig
본 발명은 전자부품 패키지에 관한 것으로, 보다 상세하게는 최적의 열방출을 할 수 있도록 한 전자부품 패키지에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
발광다이오드(light emission diode, 이하, LED라 함)는 GaAs, AlGaAs, GaN, InGaN 및 AlGaInP 등의 화합물 반도체(compound semiconductor) 재료의 변경을 통해 발광원을 구성함으로써 다양한 색을 구현할 수 있는 반도체 소자를 말한다. 현재, 이와 같은 반도체 소자가 전자부품에 패키지형태로 많이 채택되고 있다.A light emitting diode (hereinafter, referred to as an LED) is a semiconductor device capable of realizing various colors by configuring a light emitting source by changing compound semiconductor materials such as GaAs, AlGaAs, GaN, InGaN, and AlGaInP. Say. At present, many such semiconductor devices have been adopted in the form of packages in electronic components.
일반적으로, LED소자의 특성을 결정하는 기준으로는 색(color) 및 휘도, 휘도 세기의 범위 등이 있다. 이러한 LED소자의 특성은 1차적으로는 LED소자에 사용되고 있는 화합물 반도체 재료에 의해 결정되지만, 2차적인 요소로 칩을 실장하기 위한 패키지의 구조에 의해서도 큰 영향을 받는다. In general, the criteria for determining the characteristics of the LED device includes a range of colors, luminance, luminance intensity, and the like. The characteristics of such LED devices are primarily determined by the compound semiconductor materials used in the LED devices, but are also greatly influenced by the structure of the package for mounting chips as secondary elements.
통상적으로, 반도체 패키지란 웨이퍼로(Wafer)부터 소잉(Sawing)된 칩단위의 반도체 소자(예컨대, LED)을 서브스트레이트(Substrate)에 전기적으로 연결함과 동시에 수지 봉지재로 감싸서 마더보드(Mother Board)에 전기적으로 실장할 수 있는 형태의 것을 말한다.In general, a semiconductor package is a mother board that is electrically connected to a substrate, for example, a chip-based semiconductor device (eg, an LED) that is sawed from a wafer to a substrate, and is wrapped in a resin encapsulant and is a mother board. It is a thing of the form that can be electrically mounted in).
도 1 및 도 2를 참조하여 전형적인 램프형 LED와 표면실장형 LED의 각 패키지구조를 비교해 보면, 도 1에 도시된 램프형 LED 패키지(10)인 경우에는 두 개의 리드프레임(3a,3b) 중 하나의 리드프레임(3b) 상부는 컵형상으로 일정한 각을 갖는 금속 전극면이 구비하여 그 상부에 LED소자(5)가 실장되며, 또한, 투명 몰딩 수지류로 이루어진 반구형 케이스(7)에 의해 패키징되는 구조를 갖는다. 반면에 도 2에 도시된 표면실장형 LED 패키지(20)는 몰딩 에폭시수지로 이루어진 패키지(11)를 가지며, 외형각이 적은 실장영역에 LED소자(15)가 배치되고 와이어(13)로 패턴 전극(미도시)과 연결되는 구조로 이루어진다. Referring to FIGS. 1 and 2, the respective package structures of the typical lamp type LED and the surface mounted LED are compared. In the case of the lamp
이와 같은 패키지 구조에 의해서, 램프형 LED 패키지(10)는 반구형의 케이스(7)가 렌즈역할을 하여 휘도 각분포를 조절할 수 있으며, 특히, 휘도 분포를 좁게 조절하여 일정각에서 휘도를 높힐 수 있고, 동시에 발광원으로부터 빛이 컵형인 금속 전극판에 의해 반사되어 휘도의 세기를 증대시킬 수 있다. 이에 비해, 표면실장형 LED 패키지(20)에서는 패키지에 의해 넓은 휘도의 분포를 가지며, 그 휘도도 낮다. 이와 같이, 휘도와 휘도분포는 패키지 구조에 의해 큰 영향을 받는다. 따라서, 몰딩 수지류를 이용하는 표면실장형 LED 패키지의 경우에, 실장영역 측면에 일정한 반사각 구조로 형성하여 금속을 도금하는 방식으로 반사체를 추가하는 식의 개발이 진행되고 있다.By such a package structure, the lamp-
한편, 이러한 LED를 이용한 반도체 패키지들에서 특성 열화 및 고장의 가장 큰 원인으로 들 수 있는 것은 열적 스트레스(thermal stress)에 있다. LED소자들을 직접 동일 기판상에 고밀도 실장시켜 신호등이나 조명설비 등으로 이용하는 경우 LED소자들은 더욱 많은 열을 발산하며, 총 발광면적에 비례하여 방열량이 증대되는 경향이 있다. On the other hand, thermal stress is one of the biggest causes of characteristic degradation and failure in semiconductor packages using such LEDs. When the LED elements are directly mounted on the same substrate with high density and used as signal lamps or lighting equipment, the LED elements emit more heat, and the amount of heat dissipation tends to increase in proportion to the total light emitting area.
특히, 청색 LED의 경우 다른 색깔의 고휘도 LED에 비하여 상대적으로 높은 구동전압을 가지므로 온도가 증가하는 현상을 보인다. 더 나아가 조명설비의 면적이 클수록 LED소자가 고밀도로 실장될수록 LED의 특성 열화 및 고장 발생은 더욱 심화될 것이다. 그러나, 기존의 발광장치들은 방열 특성이 양호하지 못하여 대면적에 고밀도 LED소자 실장에는 한계가 있다.In particular, the blue LED has a relatively high driving voltage compared to other high-brightness LED, so the temperature increases. Furthermore, the larger the area of the lighting equipment, the more densely mounted the LED elements will be, the worse the characteristics of LED deterioration and the occurrence of failure. However, the existing light emitting devices are not good heat dissipation characteristics, there is a limit to mounting a high density LED device in a large area.
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 열방출 효과를 극대화시키도록 한 전자부품 패키지를 제공함에 그 목적이 있다.The present invention has been proposed to solve the above problems, and an object thereof is to provide an electronic component package for maximizing a heat dissipation effect.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전자부품 패키지는, 발광소자가 실장되는 발광소자 실장영역이 형성된 상면을 갖는 하부 세라믹 기판, 및 상기 하부 세라믹 기판상에 배치되고 상기 발광소자 실장영역에 상응하는 영역에 캐비티가 형성된 상부 세라믹 기판을 포함하는 전자부품 패키지에 있어서,In order to achieve the above object, an electronic component package according to an exemplary embodiment of the present invention includes a lower ceramic substrate having an upper surface on which a light emitting device mounting region on which a light emitting device is mounted is formed, and disposed on the lower ceramic substrate. An electronic component package comprising an upper ceramic substrate having a cavity formed in a region corresponding to an element mounting region,
상기 하부 세라믹 기판의 발광소자 실장영역 아래에는 상기 발광소자의 사이즈보다 넓은 범위로 열경유(thermal via)체가 매입된 것을 특징으로 한다.Under the light emitting device mounting area of the lower ceramic substrate, a thermal via body is embedded in a wider range than the size of the light emitting device.
바람직하게, 상기 열경유체는 다수개의 영역으로 분할되어 매입되며, 상기 다수개의 열경유체 영역중에서 상기 발광소자의 사이즈보다 직경이 크거나 같은 열경유체 영역이 상기 발광소자 바로 아래에 배치된다.Preferably, the thermofluid is divided into a plurality of regions and embedded, and a thermofluid region having a diameter greater than or equal to the size of the light emitting element is disposed directly below the light emitting element.
그리고, 상기 발광소자의 하부에서 열경유체의 영역 상면을 모두 덮도록 패 턴 전극이 형성된다.In addition, a pattern electrode is formed under the light emitting device so as to cover the entire upper surface of the thermofluid region.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 전자부품 패키지에 대하여 설명하면 다음과 같다. 이하에서는 전자부품 패키지를 발광다이오드가 적용된 반도체 패키지 즉, 발광다이오드 패키지를 최적의 실시예로 하여 설명한다. Hereinafter, an electronic component package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Hereinafter, the electronic component package will be described using a semiconductor package to which a light emitting diode is applied, that is, a light emitting diode package.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 전자부품 패키지(발광다이오드 패키지)의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of an electronic component package (light emitting diode package) according to an embodiment of the present invention.
동 도면에 따르면, 본 발명의 실시예는 칩형태의 LED소자(32); 그 LED소자(32)가 실장되는 하부 세라믹 기판(30); 그 하부 세라믹 기판(30)상에 배치되며 상기 LED소자(32)가 실장되는 영역에 상응하는 영역에 소정의 경사각으로 된 캐비티가 형성된 상부 세라믹 기판(40); 상기 하부 세라믹 기판(30)에 소정 형태로 형성된 패턴 전극(34, 36); 및 상기 LED소자(32)를 둘러싸도록 상기 상부 세라믹 기판(40)의 캐비티 내측면을 따라 밀착되게 설치되고 상기 상부 세라믹 기판(40)의 상단에 걸리는 걸림턱(44a)이 상단에 형성된 반사판(44)을 구비한다.According to the same figure, an embodiment of the present invention provides a chip-shaped LED element 32; A lower
상기 하부 세라믹 기판(30)은 LED소자(32)를 고밀도 실장할 수 있는 기판이면 어느 것이나 가능하다. 예를 들어, 이러한 하부 세라믹 기판으로는 알루미나(alumina), 수정(quartz), 칼슘지르코네이트(calcium zirconate), 감람석(forsterite), SiC, 흑연, 용융실리카(fusedsilica), 뮬라이트(mullite), 근청석(cordierite), 지르코니아(zirconia), 베릴리아(beryllia), 및 질화알루미늄(aluminum nitride), LTCC(low temperature co-fired ceramic)등을 들 수 있다. 세라믹은 그 위에 금속 도체 배선 패턴을 형성하여 소성공정을 통해 적층형 세라믹 패키지(multi-layer ceramic package; MLP)로 사용이 가능하다. 이러한 패키지로 사용되는 경우 기밀성이 우수하다. 그리고, 상부 세라믹 기판(40)도 상술한 하부 세라믹 기판(30)의 재질과 동일한 것으로 보면 된다.The lower
한편, 상기 하부 세라믹 기판(30)은 저면(즉, LED소자 실장영역에 대응되는 부위)에 소정의 내측 경사각(예컨대, 10∼45도; 열방출이 잘 될 수 있을 정도의 각)을 갖는 캐비티가 형성된다. 상기 하부 세라믹 기판(30)의 저면에 형성된 캐비티의 형상은 다양할 수 있겠지만 바람직하게는 테이퍼(taper)진 원통형으로 형성된다.On the other hand, the lower
그리고, 상기 하부 세라믹 기판(30)은 상면의 LED소자 실장영역을 포함한 그 인근 부위와 저면의 캐비티와의 사이에 수직으로 상호 이격되게 형성된 다수개의 열경유 홀(thermal via hole)(50; 50a, 50b, 50c)을 가지며 그 다수개의 열경유 홀(50a, 50b, 50c)에는 메탈과 같은 전도성 물질로 된 열경유체(38; 38a, 38b, 38c)가 매입된다. In addition, the lower
상기 열경유체(38)가 매입되는 다수개의 열경유 홀(50a, 50b, 50c)은 원형, 사각형, 다각형 등으로 형성시킬 수 있다. 원형일 경우, 상기 각각의 열경유 홀(50a, 50b, 50c)의 높이는 100∼800㎛로 하고, 직경은 0.3∼0.8㎜로 하며, 열경유 홀(50a, 50b, 50c)간의 간격은 LED 어레이 간격에 따라 달라지겠지만 홀 외곽으로부터 최소 0.15㎜이상 이격되는 것으로 한다. The plurality of
도 3에서, 하부 세라믹 기판(30)의 LED소자 실장영역 아래에 LED소자(32)의 사이즈보다 넓은 범위로 열경유체를 매입시킨 것은 LED소자(32)에서 발생되는 열을 신속하게 방출할 수 있도록 하기 위함이다.In FIG. 3, the embedding of the thermal fluid in a wider range than the size of the LED element 32 under the LED element mounting region of the lower
세라믹 기판에 LED 1개를 실장할 경우 동 도면에서는 열경유 홀(50)이 마치 세 개인 것처럼 보이지만, 그 이상일 수도 있으며 반대로 하나로 통합된 것일 수도 있다. 상기 다수개의 열경유 홀(50a, 50b, 50c)중 하나(50b)는 상기 LED소자(32)의 사이즈보다 직경이 크거나 같으며 나머지(50a, 50c)는 직경이 0.2-0.8μm로 다양하다. 그리고, 그 LED소자(32)의 사이즈보다 직경이 크거나 같은 열경유 홀(50b)은 상기 LED소자(32) 바로 아래에 위치한다. LED소자(32) 바로 아래에 LED소자(32)의 사이즈보다 직경이 크거나 같은 열경유 홀(50b)을 위치시킨 이유는 다른 열경유 홀(50a, 50c)보다 LED소자(32)에서의 열을 가장 먼저 및 가장 많이 받는 위치이기 때문에 우선적으로 신속하게 많은 양의 열을 열경유체(38b)를 통해 방열하도록 하기 위함이다. LED소자(32)에서 발열된 열을 효과적으로 방열하지 않게 되면 LED소자(32)의 온도가 상승하여 열화현상이 일어나고 그로 인해 발광효율이 저하되며 사용수명이 줄어드는 원인이 된다. 물론, 상기 열경유 홀(50a, 50c)의 직경을 상기 LED소자(32)의 사이즈보다 크거나 작게 하여도 무방하다.In the case where one LED is mounted on a ceramic substrate, the heat-transfer holes 50 may appear to be three in the same figure, but they may be more or more integrated into one. One of the plurality of thermally
LED소자(칩)이 다수개가 어레이된 경우에도 각각의 LED소자 바로 밑에는 상기의 열경유체(38b)가 존재하고, 또한 그 주변에는 상기의 열경유체(38a, 38c)가 존재하여 각각의 LED소자에서 발산하고 있는 열을 방출하는 역할을 한다.Even when a plurality of LED elements (chips) are arrayed, the
그리고, 상기 패턴 전극(34, 36)은 상호 이격되게 형성된 애노드 전극(34)과 캐소드 전극(36)으로 이루어진다. 그 애노드 전극(34) 및 캐소드 전극(36)는 각각 Ag/Ni/Ag(Au)층으로 이루어진다.The
상기 애노드 전극(34)은 상기 하부 세라믹 기판(30)상에서 LED소자 실장영역에 형성된 캐소드 전극(36)과 전기적인 절연을 위해 이격되게 일측 상면에 형성되는데, 상기 열경유 홀(50a)의 외곽과 이격되게 형성된다. 그리고, 상기 애노드 전극(34)은 상기 하부 세라믹 기판(30)의 저면에도 형성되는데, 그 하부 세라믹 기판(40)의 저면에 형성된 애노드 전극(34)은 상기 하부 세라믹 기판(30)의 상면에 형성된 애노드 전극(34)이 연장되는 형태이어도 되고 상기 하부 세라믹 기판(30)의 상면에 형성된 애노드 전극(34)과 분리되어 있지만 전기적으로 연결되는 형태이어도 된다.The
상기 캐소드 전극(36)은 상기 애노드 전극(34)과는 반대방향으로 형성되는데 상기 열경유 홀(50a, 50b, 50c)의 상부 개구부와 상기 하부 세라믹 기판(30)의 저면의 캐비티의 내측면을 덮는다. 그에 따라, 본 발명에서는 LED소자(32)가 상기 캐소드 전극(36)상에 실장되고, 와이어(42)를 통해 그 애노드 전극(34)과 캐소드 전극(36)에 전기적으로 연결된다. 도면에는 도시하지 않았지만 상기 LED소자(32)와 캐소드 전극(36) 사이는 절연물질에 의해 절연되어 있다. 물론, 필요에 따라서는 그 애노드 전극(34)을 캐소드 전극으로 하고 캐소드 전극(36)을 애노드 전극으로 교체할 수도 있는데, 이 경우에는 구동전원 인가방식을 반대로 하면 된다.The
그리고, 상기 하부 세라믹 기판(30)의 저면에 형성된 캐비티에는 Cu, Al 등의 전도성 재질로 된 메탈 코어(46)가 충진된다. 그 메탈 코어(46)는 서멀 싱크(thermal sink)의 역할을 한다. In addition, the cavity formed on the bottom surface of the lower
상기 캐소드 전극(36)을 하부 세라믹 기판(30)의 저면의 캐비티의 내측면까지 덮은 이유는 세라믹으로 된 캐비티에 메탈 코어(46)를 그냥 충진하게 되면 상호간의 접착이 잘 되지 않기 때문에 금속성의 캐소드 전극(36)을 그 저면의 캐비티의 내측면까지 덮음으로써 메탈 코어(46)의 접착율을 높일 수 있게 된다.The reason for covering the
상기 하부 세라믹 기판(30)의 저면에 형성된 캐비티의 형상이 테이퍼(taper)진 원통형이라고 하였을 경우, 그 캐비티의 내경(D1)은 예를 들어 최소 1.0㎜로 하고 외경(D2)은 최대 3.5㎜로 한다. 이는 5 ×5㎜의 LED를 예로서 제시한 데이터이다. 실장되는 LED소자(32)의 사이즈에 따라 그 캐비티의 형상 및 크기는 변형된다. 3 ×3㎜의 LED소자(32)에 대해서는 상기 메탈 코어(46)가 서멀 싱크로의 효과를 거두기 위해 상기 하부 세라믹 기판(30)의 저면에 형성된 캐비티의 내경(D1)은 예를 들어 최소 0.3㎜로 하고 외경(D2)은 최대 2.0㎜로 할 수 있다. When the shape of the cavity formed on the bottom surface of the lower
도 4a 내지 도 4e는 도 3에 도시된 상부 세라믹 기판(40)의 캐비티 형성과정을 설명하기 위한 도면으로서, 우선 도 4a에서와 같이 각기 중앙부에 상호 다른 직경(r)으로 펀칭되어 형성된 구멍을 갖는 다수개의 세라믹 시트를 적층시키게 되면 도 4b에서와 같이 되고 그 상태에서 도 4c에서와 같은 지그(60)를 그 적층된 다수개의 세라믹 시트의 구멍을 향해 누른다. 그러면 도 4d와 같은 상태가 되고 이후 그 지그(60)를 직상방향으로 올리게 되면 도 4e와 같이 내측면이 경사진 캐비티를 갖는 상부 세라믹 기판(40)이 된다.4A to 4E are views for explaining a cavity forming process of the upper
여기서, 상기 상부 세라믹 기판(40)의 캐비티의 내측면에는 반사판(44)이 설 치되는데 LED소자(32)의 측면에서 발광된 광이 그 반사판(44)에서 반사되어 전면으로 발광될 수 있도록 하기 위해 상기 상부 세라믹 기판(40)의 캐비티의 경사각을 10∼45도로 한다. 바람직하게, 상기 반사판(44)은 별도로 제작하여 실리콘계 본딩재에 의해 상기 상부 세라믹 기판(40)의 캐비티 내측면에 설치하기도 한다. 다르게, 저온동시소성세라믹(Low Temperature Co-fired Ceramic) 공법을 이용할 경우, 상기 반사판(44)은 세라믹 표면에 2∼20미크론의 Ag를 인쇄후 저온동시소성세라믹(Low Temperature Co-fired Ceramic) 공법으로 소결하고 나서 그 Ag소결면위에 2∼10미크론의 Ni를 도금하고 난 후 2∼10미크론의 Ag(Au)를 재차 도금함에 의해 제작된다. 저온동시소성세라믹 공법에 의한 소결시 25℃에서 시작하여 2℃/min씩 상승시켜 830∼900℃에 도달하게 되면 20분 정도 유지시킨 후에 2℃/min씩 하강하여 25℃에 도달하면 소결을 종료한다. 위에서 언급한 도금 및 소성조건은 일반적인 것으로서 조성 및 첨가제에 의해서 다소의 차이가 있다.Here, the reflecting
한편, 상기 반사판(44)의 하단부가 애노드 전극(34) 및 캐소드 전극(36)과 약간 이격되어 있는데, 이는 반사판(44)과 전극(34, 36)을 절연시키기 위한 것으로서 LED소자(32)의 측면에서 발광된 빛이 상부 세라믹 기판(40)의 몸체내로 흡수(새는)되는 것을 방지하기 위해 그 이격치는 적을수록 좋다. 본 발명의 실시예에서는 그 반사판(44)의 하단부와 애노드 전극(34)간의 이격치 및 반사판(44)의 하단부와 캐소드 전극(36)간의 이격치를 30∼200μm로 한다. 그 이격치를 적게 하면 할수록 상부 세라믹 기판(40)의 몸체내로 흡수되는 광이 적게 되어 빛의 휘도가 증대되고 그 이격치가 적게 되면 상기 반사판(44)에 의한 열방출속도가 빨라지게 되는 부수 적인 효과를 얻게 된다.On the other hand, the lower end of the reflecting
본 발명의 실시예에서는 상기 반사판(44)의 걸림턱(44a)이 상부 세라믹 기판(40)의 상면에 소정치 걸리도록 하였으나, 외부로 노출된 걸림턱(44a)의 면적을 크게 하여 열방출 효과를 높이기 위해 그 걸림턱(44a)의 외형을 상기 상부 세라믹 기판(40)의 상면을 모두 덮는 것으로 하여도 된다. 이와 같이 상기 걸림턱(44a)의 형상은 패키지 본체 외형과 열방출 효과를 고려하여 다양한 형태로 변형이 가능하며, 이러한 변형 또한 본 발명의 범위에 해당하는 것은 자명하다.In the exemplary embodiment of the present invention, although the latching
한편, 본 발명은 상술한 실시예로만 한정되는 것이 아니라 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위내에서 수정 및 변형하여 실시할 수 있고, 그러한 수정 및 변형이 가해진 기술사상 역시 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 한다. 예를 들어, 상술한 본 발명의 실시예에서는 상기 하부 세라믹 기판의 발광소자 실장영역 아래에는 상기 발광소자의 사이즈보다 넓은 범위로 열경유체가 매입된 것으로 하였는데, 상기 하부 세라믹 기판의 발광소자 실장영역 아래에 열경유체를 상기 발광소자의 사이즈보다 같거나 넓은 범위로 매입시켜도 된다.On the other hand, the present invention is not limited only to the above-described embodiment, but can be modified and modified within the scope not departing from the gist of the present invention, the technical idea to which such modifications and variations are also applied to the claims Must see For example, in the above-described embodiment of the present invention, a thermosetting fluid is embedded below the light emitting device mounting area of the lower ceramic substrate in a wider range than the size of the light emitting device, but below the light emitting device mounting area of the lower ceramic substrate. The thermosetting fluid may be embedded in the same or wider range than the size of the light emitting element.
이상 상세히 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 효과적인 방열 구조로 인해 LED소자로부터 발생되는 열의 방출을 효율적으로 할 수 있어 LED소자의 열적 스트레스를 최소화하게 되고, LED소자의 안정적인 구동을 할 수 있게 된다. As described in detail above, according to the present invention, due to the effective heat dissipation structure, it is possible to efficiently discharge heat generated from the LED device, thereby minimizing thermal stress of the LED device, and enabling stable driving of the LED device.
그리고, LED소자로부터 발생되는 열의 방출이 용이하여 LED소자를 고밀도로 대면적의 기판에 실장할 수 있게 된다.In addition, the heat generated from the LED device can be easily discharged, and the LED device can be mounted on a large-area substrate with high density.
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