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KR100684872B1 - 빛의 편광을 공간적으로 제어하는 광학 시스템 및 이를제작하는 방법 - Google Patents

빛의 편광을 공간적으로 제어하는 광학 시스템 및 이를제작하는 방법 Download PDF

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KR100684872B1
KR100684872B1 KR1020040061229A KR20040061229A KR100684872B1 KR 100684872 B1 KR100684872 B1 KR 100684872B1 KR 1020040061229 A KR1020040061229 A KR 1020040061229A KR 20040061229 A KR20040061229 A KR 20040061229A KR 100684872 B1 KR100684872 B1 KR 100684872B1
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Abstract

빛의 편광을 공간적으로 제어하는 광학 시스템 및 이를 제작하는 방법을 제공한다. 이 시스템은 소정 파장의 광선을 생성하는 광원, 상기 광원에서 생성된 광선을 서로 다른 편광 상태를 갖는 복수개의 부분 광선들로 나누는 편광 제어기(polarization controller)를 구비한다. 상기 편광 제어기는 회절 광학 장치 또는 홀로그램 광학 장치의 표면에 소정의 편광 패턴들을 위치-의존성을 갖도록 배치한 결과물인 것이 바람직하다. 상기 편광 제어기에 의해, 상기 광선의 편광 상태를 공간적으로 제어하는 것이 가능하다. 그 결과, 큰 개구수를 갖는 광학 장치에서 발생하는 상대비도의 감소를 극복할 수 있다.

Description

빛의 편광을 공간적으로 제어하는 광학 시스템 및 이를 제작하는 방법{Optical System For Spatially Controlling Light Polarization And Method Of Making The Same}
도 1 및 도 2는 반도체 노광 기술의 발전 추이를 보여주는 그래프들이다.
도 3a 및 도 3b는 편광에 따른 개구수 대 상 대비도(image contrast) 사이의 특성을 보여주는 그래프들이다.
도 4는 서로 다른 방향을 갖는 패턴들의 일부분을 도시하는 평면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 노광 장치의 구조를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 6a 내지 도 6g는 다양한 공간적 모양들을 갖는 광선들을 보여주는 도면들이다.
도 7a는 본 발명에 따른 빔 형상 장치에서 발견할 수 있는 홀로그램 무늬를 보여주는 평면도이다.
도 7b는 도 7a에 도시된 홀로그램 무늬를 이용하여 형성되는 광선의 공간적 세기 분포를 보여주는 도면이다.
도 8a 내지 도 8c는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 편광 제어기를 설명하기 위한 도면들이다.
도 9a 및 도 9b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 편광 제어기를 설명하기 위한 도면들이다.
도 10은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 편광 제어기를 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 편광 제어기를 설명하기 위한 도면이다.
본 발명은 광학 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 편광 제어된 광선을 형성할 수 있는 광학 장치 및 이를 제작하는 방법에 관한 것이다.
반도체 장치가 고집적화됨에 따라, 점점 더 높은 해상도를 갖는 광학 장치가 필요하게 되었다. 을 갖는 아래 식 1의 레일리의 방정식(Rayleigh's equation)은 상기 광학 장치의 해상도(Wmin)를 높이기 위한 본질적인 방법을 제시한다.
Wmin=k1 λ/NA
즉, 높은 해상도를 얻기 위해서는 빛의 파장(λ)과 공정 상수(k1)는 줄이고, 개구수(NA)는 증가시키는 것이 필요하다. 빛의 파장을 줄이기 위한 노력의 결과로서, 노광 장치에서 사용되는 광선의 파장은 1982년의 G-line(436nm)에서부터 최근 의 ArF 레이저 파장(193nm)까지 감소하였으며, 조만간 F2 레이저 파장(157nm)까지 감소할 예정이다(도 1 참조). 또한, 개선된 포토 마스크(improved photomask), 개선된 렌즈(improved lenses), 우수한 포토레지스트(better photoresist), 개선된 공정 제어(better process controls) 및 해상도 증가 기술(Resolution enhancement technique, RET) 등이 노광 공정에 사용됨에 따라, 상기 공정 상수 k1은, 도 2에 도시한 것처럼, 최근에는 0.45까지 감소되었다.
한편, 개구수(NA)는, 도 1에 도시한 것처럼, G-line 시기의 0.3, KrF(248nm) 시기의 0.6을 넘어 최근 ArF(193nm)에서는 0.7 이상까지 증가하고 있다. 이러한 개구수의 증가는 적어도 극자외선(extreme ultra violet, EUV(13.5nm))를 사용하기 전까지는 계속될 것으로 예상되고 있다. 또한, 액체담금(immersion) 기술이 사용될 경우, 193nm의 광은 보다 오랫동안 반도체 노광 장치의 광원으로 사용될 것으로 기대된다. 하지만, Proceedings of SPIE microlithography vol. 4691(2002)의 pp. 11~24에 "High NA lithographic imagery at Brewster's angle"이라는 제목으로 개시된 Timothy A. Brunner, et al.의 논문은 개구수가 높은 경우에 발생하는 TM 상 대비도의 본질적인 손실(the fundamental loss of TM image contrast)을 개시하고 있다.
도 3a 및 도 3b는 Timothy A. Brunner, et al.의 논문에서 설명되고 있는, TE 및 TM 편광에 대한 개구수 대 상 대비도(image contrast) 사이의 특성을 보여주는 그래프들이다. 도 3a는 일치성을 갖는 두 빔들(two coherent beams)의 위치가 각각 상기 개구수(NA)를 정의하는 퓨필(pupil)의 중심과 가장자리인 경우, 이들 빔 들의 간섭에 따른 상 대비도 특성을 도시하고, 도 3b는 이들 빔들이 각각 상기 퓨필의 반대편 가장자리들(at opposite edges of the pupil)에 배치되는 경우, 이들 빔들의 간섭에 따른 상 대비도 특성을 도시한다.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, TE 편광된 빛의 상 대비도는 모든 개구수에 대해 상수 1인 반면, TM 편광된 빛의 상 대비도는 상기 개구수가 증가함에 따라 감소한다. alternating PSM과 같은 강한 해상도 증가 기술(strong RET)들에 해당하는, 빔들이 퓨필의 반대편 가장자리들에 배치되는 구성의 경우, 이러한 TM 상 대비도의 감소는 더욱 두드러진다. 예를 들면, 도 3b에 도시된 것처럼, 개구수 NA가 0.71인 경우, 상기 TM 대비도는 0으로 감소하고, 개구수 NA가 1인 경우, 상기 TM 대비도는 -1로 감소한다. 상기 TM 대비도가 -1인 경우, 상기 TM 편광된 빛과 상기 TE 편광된 빛은 상쇄된다. 이처럼 상기 TM 편광된 빛은 포토레지스트의 노광 과정에 기여하지 못하기 때문에, 큰 개구수를 갖는 노광 공정에서는 상기 TE 편광된 빛 만을 선택적으로 사용하는 광학 시스템이 필요하다.
하지만, 도 4에 도시된 것처럼, 포토마스크가 서로 다른 방향의 마스터 패턴들(1)을 함께 갖는 경우, 일 방향으로 편광된 빛은 상기 포토마스크에서 흡수될 수 있다. 이 경우, 상기 편광된 빛은 포토레지스트를 노광하기에 불충분한 세기를 가지고 상기 반도체기판 상에 도달할 수 있다. 따라서, 편광된 빛을 노광 공정에 사용하기 위해서는, 상기 빛의 편광 상태를 위치에 따라 제어하는 것이 필요하다.
정리하면, 반도체 장치가 고집적화됨에 따라, 더 큰 개구수를 갖는 노광 시스템이 필요하지만, 상기 개구수가 소정 크기를 넘어서는 경우, 상기 노광 시스템 은 빛의 편광 상태를 제어할 수 있어야 한다. 하지만, 다양한 방향의 패턴들을 형성하기 위한 실제 노광 공정에서는 빛의 편광 상태를 공간적으로 제어할 수 있는 광학 시스템이 필요하다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 TE 편광된 빛들만을 선택적으로 사용할 수 있는 광학 시스템을 제공하는 데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 빛의 편광 상태를 공간적으로 제어할 있는 광학 시스템을 제공하는 데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 또다른 기술적 과제는 빛의 편광 상태를 공간적으로 제어할 있는 광학 시스템을 제작하는 방법을 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제들을 달성하기 위하여, 본 발명은 광형상기에 편광 패턴들을 배치한 광학 시스템을 제공한다. 이 시스템은 소정 파장의 광선(light beam)을 생성하는 광원, 상기 광원에서 생성된 광선이 조사되는 표적체(target object) 및 상기 광원으로부터 상기 표적체에 이르는 광선의 경로 상에 배치되어 상기 광선을 서로 다른 편광 상태를 갖는 복수개의 부분 광선들로 나누는 편광 제어기(polarization controller)를 구비한다.
이때, 상기 편광 제어기는 적어도 1보다 크거나 같은 n개의 부분 구역들(partial areas)로 나누어지는 빔형상 장치(beam shaping element) 및 상기 빔형상 장치의 표면에 형성된 편광 패턴들(polarization pattern)을 구비할 수 있다. 이 경우, 상기 빔형상 장치의 각 부분 구역은 적어도 1보다 크거나 같은 m개의 하부 구역들(subordinate areas)로 구성되되, 상기 하부 구역들은 상기 광선을 상기 부분 광선들로 나누기 위해 상기 빔형상 장치 내에서의 위치에 따라 결정되는 다양한 두께를 갖는다.
본 발명에 따르면, 상기 편광 패턴들은 i (1≤ i ≤ n)번째 부분 구역의 j번째 하부 구역과 k (k≠i 이면서 1≤ k ≤ n)번째 부분 구역의 j번째 하부 구역에서 동일한 편광 특성을 제공하는 물리적 구조를 갖는다. 예를 들면, 상기 편광 패턴들은 i (1≤ i ≤ n)번째 부분 구역의 j번째 하부 구역과 k(k≠i 이면서 1≤ k ≤ n)번째 부분 구역의 j번째 하부 구역에서, 동일한 방향을 갖는 바 패턴들일 수 있다.
본 발명에 따르면, 상기 하부 구역들은 제 1 두께 및 상기 제 1 두께보다 두꺼운 제 2 두께 중의 한가지 두께를 갖는다. 또한, 상기 빔형상 장치는 회절 광학 장치(diffraction optical element, DOE) 또는 홀로그램 광학 장치(hologram optical element, HOE) 중의 한가지 일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 편광 패턴들은 소정의 방향으로 배치되는 복수개의 바 패턴들(bar patterns)을 포함한다. 이때, 상기 바 패턴들의 피치는 상기 광선 파장의 0.2배 내지 1.5배이고, 상기 바 패턴들의 폭은 상기 바 패턴들의 피치의 0.2배 내지 0.8배인 것이 바람직하다. 또한, 상기 바 패턴들은 대략 10nm 내지 200nm의 두께로 형성되고, 대략 1.3 내지 2.5의 굴절 계수(refractive index) 및 대략 0 내지 0.2의 흡광 계수(extinction index)을 갖는 물질로 형성되는 것이 바람직하다. 예를 들면, 상기 바 패턴들은 실리콘 질화막(LP-SiN), 실리콘 산화질 화막 및 포토레지스트 패턴 중에서 선택된 적어도 한가지 물질로 형성될 수 있다.
상기 기술적 과제들을 달성하기 위하여, 본 발명은 정렬된 광형상기 및 편광기를 구비하는 광학 시스템을 제공한다. 이 시스템은 소정 파장의 광선(light beam)을 생성하는 광원, 상기 광원에서 생성된 광선이 조사되는 표적체(target object), 상기 광원으로부터 상기 표적체에 이르는 광선의 경로 상에 배치되어 상기 광선을 서로 다른 복수개의 부분 광선들로 나누는 빔형상기(beam shaper) 및 상기 광원으로부터 상기 표적체에 이르는 광선의 경로 상에 배치되어 상기 부분 광선들의 편광 상태를 조절하는 적어도 한 개의 편광기(polarizer)를 구비한다.
이때, 상기 빔형상기는 상기 광원과 상기 편광기 사이에 배치되거나, 상기 편광기와 상기 표적체 사이에 배치될 수 있다. 또한, 상기 빔형상기는 회절 광학 장치(diffraction optical element, DOE) 또는 홀로그램 광학 장치(hologram optical element, HOE) 중의 한가지 일 수 있다.
본 발명에 따르면, 상기 빔형상기는 적어도 1보다 크거나 같은 n개의 부분 구역들(partial areas)로 구성되고, 각 부분 구역은 적어도 1보다 크거나 같은 m개의 하부 구역들(subordinate areas)로 구성된다. 이때, 상기 하부 구역들은 상기 광선을 상기 부분 광선들로 나누기 위해 상기 빔형상기 내에서의 위치에 따라 결정되는 다양한 두께를 갖는다. 또한, 상기 편광기는 nⅩm개의 하부 편광판들(subordinate polarization plates)로 구성되되, i (1≤ i ≤ n)번째 부분 구역의 j번째 하부 구역과 k (k≠i 이면서 1≤ k ≤ n)번째 부분 구역의 j번째 하부 구역을 각각 통과한 부분 광선들이 지나는 상기 하부 편광판들은 동일한 편광 특성을 제공하는 물리적 구조를 갖는 것이 바람직하다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 부분 광선들의 편광 상태를 제거하기 위해 편광기를 형성하는 단계를 포함하는 광학 시스템의 제작 방법을 제공한다. 이 방법은 소정 파장의 광선을 발생시키는 광원을 준비하고, 상기 광원으로부터 발생한 광선을 적어도 한 개의 부분 광선들로 나누기 위한 빔형상기를 형성한 후, 상기 나누어진 부분 광선들의 편광 상태를 제어하기 위한 편광기를 형성하는 단계를 포함한다.
이때, 상기 빔형상기를 형성하는 단계는 적어도 1보다 크거나 같은 m개의 하부 구역들을 갖는 적어도 1보다 크거나 같은 n개의 부분 구역들로 구성되는 소정의 투명한 기판을 준비한 후, 상기 기판을 패터닝하여 상기 하부 구역들의 두께를 위치에 따라 다르게 만듦으로써, 소정 모양(profile)의 광선을 형성하기 위한 회절 광학 패턴들을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 편광기를 형성하는 단계는 상기 빔형상기의 각 부분 구역들의 동일한 하부 구역들에는 동일한 편광 상태를 제공할 수 있는 물리적 구조를 갖는 편광 패턴들을 형성하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께 는 명확성을 기하기 위하여 과장되어진 것이다. 또한 층이 다른 층 또는 기판 상에 있다고 언급되어지는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다.
도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 노광 장치의 구조를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 노광 장치(100)는 소정 파장의 광선(light beam, L)을 생성시키는 광원(light source, 101) 및 상기 광원(101)에서 생성된 상기 광선(L)을 조명계(illumination system, 105)로 전달하는 광전달계(light delivery system)를 구비한다. 상기 광전달계는 도시된 것처럼, 복수개의 거울들(102, 103, 104)을 포함하는 구성을 가질 수 있다.
상기 조명계(105)는 상기 광원(101)에서 생성된 상기 광선(L)을, 도 6a 내지 도 6g에 도시된 것과 같은, 다양한 공간적 모양(spatial profile)의 부분 광선들(partial beams, L')로 변환시키기 위한 빔 형상 장치(beam shaper)를 포함한다. 상기 빔 형상 장치는 상기 광원(101)에서 생성된 상기 광선(L)을 서로 다른 부분 경로들을 갖는 복수개의 부분 광선들(partial beams)로 분리한다. 이러한 분리를 위해, 상기 빔 형상 장치는 빛의 회절 현상을 이용하는 것이 바람직하며, 회절 광학 장치(diffraction optical element, DOE) 또는 홀로그램 광학 장치(hologram optical element, HOE) 등이 상기 빔 형상 장치로 사용될 수 있다.
이에 더하여, 상기 노광 장치(100)는 마스터 패턴들이 그려진 포토마스크(107) 및 포토레지스트(111)가 도포된 반도체기판(110)이 로딩되는 웨이퍼 스테이 지(109)를 더 구비한다. 상기 포토마스크(107)는 소정의 마스크 스테이지(106) 상에 로딩되고, 상기 마스크 스테이지(106)와 상기 웨이퍼 스테이지(109) 사이에는 소정의 렌즈 시스템(108)이 더 배치된다. 액체담금(immersion) 기술이 채용될 경우, 상기 렌즈 시스템(108)과 상기 포토레지스트(111) 사이의 공간은 소정의 액체로 채워질 수도 있다.
도 7a는 본 발명에 따른 빔 형상 장치(예를 들면, 홀로그램 광학 장치(HOE))에서 발견할 수 있는 홀로그램 무늬를 보여주는 평면도로서, 도 6e 또는 도 7b에 도시된 모양을 갖는 부분 광선(L')을 형성하기 위한 홀로그램 무늬에 해당한다. (도 7a의 소정 영역(99)을 확대한) 도 8a에서 볼 수 있는 것처럼, 상기 빔 형상 장치는 복수개의 부분 구역들로 나누어질 수 있다. 이 경우, 상기 홀로그램 무늬는 서로 다른 물리적 구조(예를 들면, 두께)를 갖는 상기 부분 구역들이 공간적으로 분포된 결과이다. 즉, 상기 홀로그램 무늬는, 도 8a 및 도 8b에 도시된 것처럼, 서로 다른 두께를 갖는 제 1 부분 구역들(10a)과 제 2 부분 구역들(10b)로 구성된다.
상기 부분 광선들(L')이 도 6a 내지 도 6g에 도시된 공간적 모양을 형성할 수 있도록, 상기 부분 구역들은 위치에 따라 다른 두께를 갖는다. 상기 부분 구역들(10a, 10b)의 두께는 각 부분 구역을 통과하는 광선의 광학적 특성을 계산하여 결정되며, 이러한 계산에는 일반적으로 컴퓨터를 사용하여 푸리에 변환(Fourier Transformation)을 수행하는 단계가 포함된다. 상기 빔 형상 장치를 제조하는 단계는 상기 각 부분 구역들의 두께를 계산한 후, 사진/식각 공정을 포함하는 소정의 패터닝 단계를 더 포함한다. 상기 계산된 두께는 상기 패터닝 단계에서 빔 형상 기 판(beam shaping substrate, 200)의 식각 깊이를 결정하는데 이용된다.
도 8b는 본 발명에 따른 빔 형상 장치의 단면을 도 8a의 I-I'의 점선을 따라 도시하는 사시도이다. 도 8b를 참조하면, 각 부분 구역들은 제 1 두께(t1)를 갖는 제 1 부분 구역(10a)이거나 상기 제 1 두께(t1)보다 두꺼운 제 2 두께(t2)를 갖는 제 2 부분 구역(10b)일 수 있다. 하지만, 상기 부분 구역들(10a, 10b)이 더 많은 두께들 중의 하나를 갖도록 형성하는 실시예 역시 가능하다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상술한 빔 형상 장치는 상기 광선(light beam)을 적어도 한 개의 편광 제어된 부분 광선으로 바꾸는 편광 제어기(polarization controller)를 구성한다. 이를 위해, 상기 빔 형상 장치의 표면에는 소정의 편광 패턴들(polarization patterns, 210)이 형성된다. 이 실시예에 따르면, 상기 편광 패턴들(210)은 일 방향을 가지면서 상기 부분 구역들 상에 형성되며, 그 결과 상기 빔 형상 장치를 통과한 부분 광선들은 동일한 편광 상태를 갖게 된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 편광 패턴들(210)은 도 8b 및 도 8c에 도시된 것처럼 소정의 피치(P)를 갖는 바 패턴들(bar patterns)일 수 있다. 상기 바 패턴들(210) 사이의 피치(P)는 상기 광선 파장(λ)의 대략 0.2배 내지 대략 1.5배이고, 상기 바 패턴들의 폭(w)은 상기 바 패턴들의 피치의 0.2배 내지 0.8배인 것이 바람직하다. 또한, 상기 바 패턴들(210)은 대략 10nm 내지 200nm 두께(h)로 형성하는 것이 바람직하다. 상기 바 패턴들(210)은 대략 1.3 내지 2.5의 굴절 계수(refractive index, n) 및 대략 0 내지 0.2의 흡광 계수(extinction index, k)을 갖는 물질로 형성되는 것이 바람직하다. 예를 들면, 상기 바 패턴들(210)은 ArF 포토레지스트, 실리콘 질화막(SiN) 및 실리콘 산화질화막(SiON) 중에서 선택된 적어도 한가지 물질일 수 있다.
도 9a는 서로 수직한 편광 상태를 갖는 부분 광선들을 형성하기 위한 편광제어기(303)를 설명하기 위한 도면이고, 도 9b는 본 발명에 따른 빔 형상 장치의 구조를 도 9a의 점선 I-I'에 따라 보여주는 사시도이다. 이처럼 서로 수직한 편광 상태를 갖는 부분 광선들을 형성하기 위한 편광제어기(303)는, 도시된 것처럼, 소정의 제 1 방향의 편광 상태를 만들 수 있는 제 1 가상 편광제어기(301)와 상기 제 1 방향에 수직한 제 2 방향의 제 2 편광 상태를 만들 수 있는 제 2 가상 편광제어기(302)를 병합하는 과정을 통해 제조할 수 있다. 이때, 상기 제 1 및 제 2 가상 편광제어기(301, 302)의 제작 방법은 앞서 도 8a 및 도 8b에서 설명된 상기 빔 형상기의 제작 방법과 동일하다. 하지만, 상기 제 1 및 제 2 가상 편광제어기(301, 302)는 상기 편광제어기(303)를 제조하는 한가지 용이한 방법을 설명하기 위해 도입된 구조이기 때문에, 이들이 실제로 제작될 필요는 없다.
보다 자세하게는, 상기 편광제어기(303)는 복수개의 부분 구역들(30)을 갖고, 상기 제 1 및 제 2 가상 편광제어기들(301, 302)은, 도 8b에서 설명한 것처럼, 제 1 부분 구역(10a) 및 상기 제 1 부분 구역(10a)보다 두꺼운 제 2 부분 구역(10b)들로 구성된다. 이때, 상기 편광제어기(303)의 각 부분 구역(30)은, 도 9a에 도시된 것처럼, 상기 제 1 및 제 2 가상 편광제어기(301, 302)의 상응하는 위치의 부분 구역들을 병합한 결과물이다.
한편, 상기 제 1 및 제 2 가상 편광제어기(301, 302)의 두께 분포는 이들을 통과하는 부분 광선들의 모양을 결정하고, 상기 제 1 및 제 2 가상 편광제어기(301, 302)에 형성된 편광 패턴들의 방향은 상기 부분 광선들의 편광 상태를 결정한다. 따라서, 이들의 병합된 결과물인 상기 편광제어기(303)의 각 부분 구역(30)을 통과하는 광선은 상기 제 1 및 제 2 가상 편광제어기들(301, 302)을 이용하여 개별적으로 만들 수 있는 부분 광선들의 중첩된 물리적 특성(예를 들면, 광선의 모양 및 편광 상태)을 갖는다.
도시된 본 발명의 실시예에 따르면, 상기 편광제어기(303)의 부분 구역(30)은 제 1 하부 구역(30a)과 제 2 하부 구역(30b)으로 구성되고, 상기 제 1 하부 구역(30a)은 상기 제 1 가상 편광제어기(301)의 상응하는 위치의 부분 구역과 동일한 두께를 갖고, 상기 제 2 하부 구역(30b)은 상기 제 2 가상 편광제어기(302)의 상응하는 위치의 부분 구역과 동일한 두께를 갖는다. 결과적으로, 상기 편광제어기(303)를 투과하는 부분 광선들의 모양은 상기 제 1 및 제 2 가상 편광제어기들(301, 302)를 각각 투과한 부분 광선들을 중첩시킨 결과와 동일하다.
또한, 상기 제 1 하부 구역(30a)과 상기 제 2 하부 구역(30b)은, 도 9b에 도시된 것처럼, 상기 제 1 및 제 2 가상 편광제어기(301, 302)의 상응하는 위치의 부분 구역들에 형성된 편광 패턴들과 동일한 방향을 갖는 제 1 편광 패턴들(210a) 및 제 2 편광 패턴들(210b)을 각각 구비한다. 이에 따라, 상기 제 1 하부 구역(30a)을 통과하여 형성된 부분 광선은 상기 제 1 가상 편광제어기(301)를 통과하는 광선과 동일한 편광 상태를 갖고, 상기 제 2 하부 구역들(30b)을 통과하여 형성되는 부분 광선은 상기 제 2 가상 편광제어기(302)를 통과하는 광선과 동일한 편광 상태를 갖는다.
바람직하게는, 상술한 병합의 완전성을 위해, 상기 편광제어기(303) 및 상기 제 1 및 제 2 가상 편광제어기들(301, 302)의 부분 구역들의 개수는 모두 동일하다. 또한, 도시된 부분 구역들은 편광제어기들(301, 302, 303)의 일부 영역 만을 도시한 것으로 이해되어야 한다.
본 발명에 따른 편광 제어기는 일반화될 수 있다. 이러한 일반화된 구조는 더 복잡한 경우를 위해 사용될 수 있는 편광제어기를 설계/제작하는 것을 가능하게 한다. 본 발명에 따른 편광제어기는 적어도 1보다 크거나 같은 n개의 부분 구역들(30)을 포함하고, 각 부분 구역들(30)은 적어도 1보다 크거나 같은 m개의 하부 구역들로 구성된다. 결과적으로, 상기 편광제어기는 nⅩm개의 하부 구역들로 구성된다.
이때, 상기 하부 구역의 개수는 원하는 빔 모양을 형성하는데 요구되는 부분 광선들의 수인 것이 바람직하다. 원하는 모양의 부분 광선을 만들기 위해, 상기 하부 구역들은 다양한 두께로 형성될 수 있다. 본 발명에 따르면, 각 부분 구역들에서 k(1≤k≤m)번째 하부 구역들의 두께는 k번째 부분 광선의 모양을 결정하는 파라미터이다.
또한, 본 발명에 따르면, i(1≤ i ≤ n)번째 부분 구역의 j번째 하부 구역과 k(k≠i 이면서 1≤ k ≤ n)번째 부분 구역의 j번째 하부 구역은 동일한 편광 특성을 제공할 수 있는 편광 패턴들이 배치된다. 예를 들면, 이들 영역에는 동일한 방 향을 갖는 바 패턴들(210)이 배치된다. 이에 따라, 상기 j번째 하부 구역들에 의해 결정되는 j번째 부분 광선은 상기 j번째 하부 구역에 형성된 바 패턴들(210)에 의해 결정된 편광 특성을 갖는다. 바람직하게는, 상기 바 패턴들(210)은, 도 8b 및 도 8c에서 설명한 것처럼, 상기 광선 파장(λ)의 대략 0.2배 내지 대략 1.5배에 해당하는 피치(P)를 갖고, 상기 피치(P)의 0.2배 내지 0.8배인 상기 바 패턴들의 폭(w)을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 상기 바 패턴들(210)은 대략 10nm 내지 200nm 두께(h)로 형성하고, 대략 1.3 내지 2.5의 굴절 계수(refractive index, n) 및 대략 0 내지 0.2의 흡광 계수(extinction index, k)을 갖는 물질로 형성되는 것이 바람직하다. 예를 들면, 상기 바 패턴들(210)은 ArF 포토레지스트, 실리콘 질화막(SiN) 및 실리콘 산화질화막(SiON) 중에서 선택된 적어도 한가지 물질일 수 있다.
도 10은 세 개의 다른 부분 광선들을 만들기 위하여, 제 1, 제 2 및 제 3 가상 편광제어기들(401, 402, 403)을 구비하는 실시예를 도시한다. 도 10에 따르면, 제 3 하부 구역(C)의 면적은 제 1 및 제 2 하부 구역들(A, B)의 면적에 비해 대략 두 배이다. 이 경우, 상기 제 3 하부 구역들(C)에 의해 형성되는 부분 광선의 세기는 상기 제 1 및 제 2 하부 구역들(A, B)에 의해 형성되는 부분 광선들의 세기에 비해 두 배에 해당한다. 즉, j번째 부분 광선의 세기는 j번째 하부 구역들의 면적에 의해 결정된다(도 10 참조).
본 발명의 또다른 실시예에 따르면, 빔 형상기(beam shaper)와 편광기(polarizer)가 분리된 광학 시스템을 통해서도 본 발명의 기술적 과제를 달성할 수 있다. 이 실시예는 앞서 설명된 실시예와 유사하므로, 중복되는 기술적 내 용에 대한 설명은 생략한다. 이 시스템은, 도 11에 도시된 것처럼, 상기 광선을 부분 광선으로 만드는 상기 빔 형상기(beam shaper)와 상기 빔 형상기로부터 이격되어 배치되되 상기 부분 광선의 편광 상태를 제어하는 편광기(polarizer)를 구비한다. 이때, 상기 편광기는 상기 빔 형상기의 상부(즉, 상기 광원(101)과 상기 빔형상기 사이) 또는 하부(즉, 상기 빔 형상기와 상기 포토마스크(107) 사이)에 배치될 수 있다.
이 실시예에서, 상기 빔형상기는 앞서 설명된 실시예들과 동일하게, 적어도 1보다 크거나 같은 n개의 부분 구역들(partial areas)로 구성되고, 각 부분 구역은 적어도 1보다 크거나 같은 m개의 하부 구역들(subordinate areas)로 구성된다. 또한, 상기 편광기는 복수개의 하부 편광판들(subordinate polarization plates)로 구성되되, 앞선 실시예에서와 유사하게, i (1≤ i ≤ n)번째 부분 구역의 j번째 하부 구역과 k (k≠i 이면서 1≤ k ≤ n)번째 부분 구역의 j번째 하부 구역을 각각 통과한 부분 광선들이 지나는 상기 하부 편광판들은 동일한 편광 특성을 제공하는 물리적 구조를 갖는다. 이러한 구성을 위해, 상기 하부 편광판들은 적어도 nⅩm개이다.
이러한 광학 시스템을 만드는 방법은 광원을 준비한 후, 빔형상기 및 편광기를 배치하는 단계를 포함한다. 상기 광원은 소정 파장의 광선을 발생시킬 수 있도록 제작된다. 상기 빔 형상기는 상기 광원으로부터 발생한 광선을 적어도 한 개의 부분 광선들로 나누는 광학 장치로서, 상술한 것처럼, 회절 광학 장치(DOE) 또는 홀로그램 광학 장치(HOE)인 것이 바람직하다.
상기 빔 형상기를 제작하는 과정은 소정의 투명한 기판을 준비한 후, 상기 기판을 패터닝하는 단계를 포함할 수 있다. 이때, 상기 기판은 적어도 1보다 크거나 같은 n개의 부분 구역들을 갖고, 각 부분 구역들은 적어도 1보다 크거나 같은 m개의 하부 구역들을 갖는다. 상기 기판을 패터닝하는 단계는 상기 하부 구역들의 두께를 위치에 따라 다르게 만드는 과정이다. 이처럼 위치에 따라 다른 두께를 갖는 하부 구역들의 배치 결과물인 상기 회절 광학 패턴들은 입사되는 광선을 소정 모양(profile)으로 변환시킨다.
한편, 상기 편광기를 형성하는 단계는 상기 빔형상기의 표면에 소정 방향의 편광 패턴들을 형성하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다. 이때, 상기 빔형상기의 각 부분 구역들의 동일한 하부 구역들에는 동일한 편광 상태를 제공할 수 있는 편광 패턴들이 배치된다. 한편, 상기 편광기는 상기 빔형상기의 표면에서 이격된 별도의 기판에 형성될 수도 있다. 상기 편광 패턴들의 구조 및 배치 등에 관한 내용은 도 8b, 도 9b, 도 10 및 도 11에서 설명한 바와 유사하므로, 여기에서는 생략한다.
본 발명에 따르면, 빔형상기의 하부 구역들에 소정 방향의 편광 패턴들을 배치한다. 이에 따라, 편광 패턴들이 배치된 빔형상기는 제어된 편광 상태를 가지면서 동시에 제어된 모양을 갖는 광선을 만들 수 있다. 즉, 본 발명에 따르면, 광선의 편광 상태를 공간적으로 제어할 수 있다. 그 결과, 큰 개구수를 갖는 노광 장치에서 발생하는 상대비도 감소의 문제를 근본적으로 극복할 수 있다.

Claims (30)

  1. 소정 파장의 광선(light beam)을 생성하는 광원;
    상기 광원에서 생성된 광선이 조사되는 표적체(target object); 및
    상기 광원으로부터 상기 표적체에 이르는 광선의 경로 상에 배치되어, 상기 광선을 서로 다른 편광 상태를 갖는 복수개의 부분 광선들로 나누는 편광 제어기(polarization controller)를 구비하되,
    상기 편광 제어기는
    적어도 1보다 크거나 같은 n개의 부분 구역들(partial areas)로 나누어지는 빔형상 장치(beam shaping element); 및
    상기 빔형상 장치의 표면에 형성된 편광 패턴들(polarization pattern)을 구비하는 것을 특징으로 하는 광학 시스템.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 빔형상 장치의 각 부분 구역은 적어도 1보다 크거나 같은 m개의 하부 구역들(subordinate areas)로 구성되되,
    상기 하부 구역들은 상기 광선을 상기 부분 광선들로 나누기 위해 상기 빔형상 장치 내에서의 위치에 따라 결정되는 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 광학 시스템.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 편광 패턴들은 i (1≤ i ≤ n)번째 부분 구역의 j번째 하부 구역과 k (k≠i 이면서 1≤ k ≤ n)번째 부분 구역의 j번째 하부 구역에서, 동일한 편광 특성을 제공하는 물리적 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 광학 시스템.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 편광 패턴들은 i (1≤ i ≤ n)번째 부분 구역의 j번째 하부 구역과 k(k≠i 이면서 1≤ k ≤ n)번째 부분 구역의 j번째 하부 구역에서, 동일한 방향을 갖는 바 패턴들인 것을 특징으로 하는 광학 시스템.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 하부 구역들은 제 1 두께 및 상기 제 1 두께보다 두꺼운 제 2 두께 중의 한가지 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 광학 시스템.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 빔형상 장치는 회절 광학 장치(diffraction optical element, DOE) 또는 홀로그램 광학 장치(hologram optical element, HOE)인 것을 특징으로 하는 광학 시스템.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 편광 패턴들은 소정의 방향으로 배치되는 복수개의 바 패턴들(bar patterns)을 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 시스템.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 바 패턴들의 피치는 상기 광선 파장의 0.2배 내지 1.5배이고,
    상기 바 패턴들의 폭은 상기 바 패턴들의 피치의 0.2배 내지 0.8배인 것을 특징으로 하는 광학 시스템.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 바 패턴들은 10nm 내지 200nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 광학 시스템.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 바 패턴들은 1.3 내지 2.5의 굴절 계수(refractive index) 및 0 내지 0.2의 흡광 계수(extinction index)을 갖는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 광학 시스템.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 바 패턴들은 실리콘 질화막(LP-SiN), 실리콘 산화질화막 및 포토레지스트 패턴 중에서 선택된 적어도 한가지 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 광학 시스템.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 광원에서 발생된 상기 광선을 상기 표적체로 전달하는 광전달 시스템을 더 구비하는 광학 시스템.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 표적체는 반도체 장치를 제조하기 위한 소정의 회로 패턴들이 그려진 포토 마스크인 것을 특징으로 하는 광학 시스템.
  15. 소정 파장의 광선(light beam)을 생성하는 광원;
    상기 광원에서 생성된 광선이 조사되는 표적체(target object);
    상기 광원으로부터 상기 표적체에 이르는 광선의 경로 상에 배치되어, 상기 광선을 서로 다른 복수개의 부분 광선들로 나누는 빔형상기(beam shaper); 및
    상기 광원으로부터 상기 표적체에 이르는 광선의 경로 상에 배치되어, 상기 부분 광선들의 편광 상태를 조절하는 적어도 한 개의 편광기(polarizer)를 구비하는 것을 특징으로 하는 광학 시스템.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 빔형상기는 상기 광원과 상기 편광기 사이에 배치되거나, 상기 편광기와 상기 표적체 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 광학 시스템.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 빔형상기는 회절 광학 장치(diffraction optical element, DOE) 또는 홀로그램 광학 장치(hologram optical element, HOE)인 것을 특징으로 하는 광학 시스템.
  18. 제 15 항에 있어서,
    상기 빔형상기는 적어도 1보다 크거나 같은 n개의 부분 구역들(partial areas)로 구성되고,
    각 부분 구역은 적어도 1보다 크거나 같은 m개의 하부 구역들(subordinate areas)로 구성되되,
    상기 하부 구역들은 상기 광선을 상기 부분 광선들로 나누기 위해 상기 빔형상기 내에서의 위치에 따라 결정되는 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 광학 시스템.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 편광기는 nⅩm개의 하부 편광판들(subordinate polarization plates)로 구성되되,
    i (1≤ i ≤ n)번째 부분 구역의 j번째 하부 구역과 k (k≠i 이면서 1≤ k ≤ n)번째 부분 구역의 j번째 하부 구역을 각각 통과한 부분 광선들이 지나는 상기 하부 편광판들은 동일한 편광 특성을 제공하는 물리적 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 광학 시스템.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 동일한 편광 특성을 제공하는 물리적 구조를 갖는 상기 하부 편광판들은 동일한 방향으로 배치되는 바 패턴들을 구비하는 것을 특징으로 하는 광학 시스템.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 바 패턴들의 피치는 상기 광선 파장의 0.2배 내지 1.5배이고,
    상기 바 패턴들의 폭은 상기 바 패턴들의 피치의 0.2배 내지 0.8배인 것을 특징으로 하는 광학 시스템.
  22. 제 20 항에 있어서,
    상기 바 패턴들은 10nm 내지 200nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 광학 시스템.
  23. 제 20 항에 있어서,
    상기 바 패턴들은 1.3 내지 2.5의 굴절 계수(refractive index) 및 0 내지 0.2의 흡광 계수(extinction index)을 갖는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 광학 시스템.
  24. 제 20 항에 있어서,
    상기 바 패턴들은 실리콘 질화막(LP-SiN), 실리콘 산화질화막 및 포토레지스트 패턴 중에서 선택된 적어도 한가지 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 광학 시스템.
  25. 제 15 항에 있어서,
    상기 표적체는 반도체 장치를 제조하기 위한 소정의 회로 패턴들이 그려진 포토 마스크인 것을 특징으로 하는 광학 시스템.
  26. 소정 파장의 광선을 발생시키는 광원을 준비하고,
    상기 광원으로부터 발생한 광선을 적어도 한 개의 부분 광선들로 나누기 위한 빔형상기를 형성하고,
    상기 나누어진 부분 광선들의 편광 상태를 제어하기 위한 편광기를 형성하는 단계를 포함하는 광학 시스템의 제작 방법.
  27. 제 26 항에 있어서,
    상기 빔형상기를 형성하는 단계는
    적어도 1보다 크거나 같은 m개의 하부 구역들을 갖는 적어도 1보다 크거나 같은 n개의 부분 구역들로 구성되는 소정의 투명한 기판을 준비하는 단계; 및
    상기 기판을 패터닝하여 상기 하부 구역들의 두께를 위치에 따라 다르게 만듦으로써, 소정 모양(profile)의 광선을 형성하기 위한 회절 광학 패턴들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 시스템의 제작 방법.
  28. 제 26 항에 있어서,
    상기 편광기를 형성하는 단계는 상기 빔형상기의 표면에 소정 방향의 편광 패턴들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 시스템의 제작 방법.
  29. 제 26 항에 있어서,
    상기 편광기를 형성하는 단계는 상기 빔형상기의 각 부분 구역들의 동일한 하부 구역들에는 동일한 편광 상태를 제공할 수 있는 물리적 구조를 갖는 편광 패턴들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 시스템의 제작 방법.
  30. 소정 파장의 광선을 생성하는 단계;
    상기 광선을 서로 다른 편광 상태를 갖는 복수개의 부분 광선들로 변환시키는 단계; 및
    상기 서로 다른 편광 상태를 갖는 복수개의 부분 광선들을 이용하여 반도체기판 상에 도포된 포토레지스트막을 노광시키는 단계를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP5173309B2 (ja) * 2007-07-31 2013-04-03 キヤノン株式会社 ホログラム、露光装置及びデバイス製造方法
JP5032972B2 (ja) * 2007-12-28 2012-09-26 キヤノン株式会社 計算機ホログラム、生成方法及び露光装置
JP5339721B2 (ja) 2007-12-28 2013-11-13 キヤノン株式会社 計算機ホログラム及び露光装置
JP5078765B2 (ja) * 2008-06-10 2012-11-21 キヤノン株式会社 計算機ホログラム、露光装置及びデバイスの製造方法
JP5078764B2 (ja) 2008-06-10 2012-11-21 キヤノン株式会社 計算機ホログラム、露光装置及びデバイスの製造方法
JP5167032B2 (ja) * 2008-08-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 計算機ホログラム、露光装置及びデバイスの製造方法
US8531747B2 (en) * 2009-06-24 2013-09-10 Canon Kabushiki Kaisha Hologram, hologram data generation method, and exposure apparatus
JP5527074B2 (ja) * 2009-11-16 2014-06-18 セイコーエプソン株式会社 偏光素子及びプロジェクター
JP5463947B2 (ja) * 2010-02-19 2014-04-09 セイコーエプソン株式会社 偏光素子及びプロジェクター
JP5526851B2 (ja) * 2010-02-19 2014-06-18 セイコーエプソン株式会社 偏光素子及びプロジェクター
US9116303B2 (en) * 2010-03-05 2015-08-25 Canon Kabushiki Kaisha Hologram with cells to control phase in two polarization directions and exposure apparatus
JP6602755B2 (ja) 2013-06-27 2019-11-06 ケーエルエー コーポレイション 計測標的の偏光測定及び対応する標的設計
EP3195048B1 (en) * 2014-09-15 2021-11-03 California Institute of Technology Simultaneous polarization and wavefront control using a planar device
CN106486883A (zh) * 2015-08-28 2017-03-08 高准精密工业股份有限公司 发光装置
WO2020146029A2 (en) 2018-10-22 2020-07-16 California Institute Of Technology Color and multi-spectral image sensor based on 3d engineered material
CN114174930A (zh) * 2019-08-07 2022-03-11 Asml控股股份有限公司 对准系统的激光模块组件、量测系统和光刻设备
KR102811858B1 (ko) * 2019-09-05 2025-05-22 엘지디스플레이 주식회사 헤드 마운트 디스플레이장치
US12320988B2 (en) 2019-10-18 2025-06-03 California Institute Of Technology Broadband polarization splitting based on volumetric meta-optics
CN110764269B (zh) 2019-11-02 2021-06-01 深圳市麓邦技术有限公司 光学渐变系统及方法
JP7426474B2 (ja) * 2020-09-07 2024-02-01 株式会社フジクラ 光回折素子、及び、光演算システム

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980056936U (ko) * 1997-01-25 1998-10-15 문정환 반도체 웨이퍼 노광장치
JP2000112116A (ja) 1998-10-05 2000-04-21 Masaki Esashi 近接場光露光マスク及びその製造方法並びに近接場光露光装置及び近接場光露光方法
KR20040006498A (ko) * 2002-07-12 2004-01-24 주식회사 하이닉스반도체 반도체 노광 장비의 편광 조명 장치
JP2004111678A (ja) * 2002-09-19 2004-04-08 Canon Inc 露光方法

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US709686A (en) * 1902-06-05 1902-09-23 William T Seanor Car-coupling.
US5122903A (en) * 1989-03-15 1992-06-16 Omron Corporation Optical device and optical pickup device using the same
US5085496A (en) * 1989-03-31 1992-02-04 Sharp Kabushiki Kaisha Optical element and optical pickup device comprising it
JPH04232633A (ja) * 1990-12-28 1992-08-20 Omron Corp 光磁気記録媒体用ピックアップ装置
JPH06215997A (ja) 1993-01-14 1994-08-05 Nikon Corp 投影露光装置
JP3099933B2 (ja) * 1993-12-28 2000-10-16 株式会社東芝 露光方法及び露光装置
JPH07183201A (ja) * 1993-12-21 1995-07-21 Nec Corp 露光装置および露光方法
JPH07230944A (ja) * 1994-02-16 1995-08-29 Fujitsu Ltd 投影露光装置と投影露光方法
KR0173168B1 (ko) 1994-02-24 1999-03-20 가네꼬 히사시 웨이퍼상의 레지스트막을 노광하기 위한 노광계와 그에 사용되는 조명계 및 방법
CN1250987C (zh) * 1994-04-14 2006-04-12 株式会社三协精机制作所 偏振光束分束器及使用偏振光束分束器的光探头
US5757754A (en) * 1994-06-30 1998-05-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Holographic optical head
US5859728A (en) 1994-10-24 1999-01-12 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Method and apparatus for improved spatial light modulation
US5815247A (en) * 1995-09-21 1998-09-29 Siemens Aktiengesellschaft Avoidance of pattern shortening by using off axis illumination with dipole and polarizing apertures
WO1997013245A1 (en) * 1995-10-03 1997-04-10 Asahi Glass Company Ltd. Optical head device and production method thereof
WO1997033204A1 (en) * 1996-03-04 1997-09-12 Asm Lithography B.V. Lithopraphic apparatus for step-and-scan imaging of a mask pattern
KR19980028354A (ko) 1996-10-22 1998-07-15 김영환 광학 조명계
JPH1124073A (ja) 1997-07-02 1999-01-29 Tatsuo Uchida カラー液晶ディスプレイ装置
US6278548B1 (en) * 1998-03-27 2001-08-21 Hitachi, Ltd. Polarizing diffraction grating and magneto-optical head made by using the same
CN1213415C (zh) * 1998-11-09 2005-08-03 松下电器产业株式会社 光信息处理装置和光学元件
JP3371846B2 (ja) * 1999-04-06 2003-01-27 日本電気株式会社 ホログラム素子
US6552317B1 (en) * 1999-06-16 2003-04-22 Kabushiki Kaisha Sankyo Seiki Seisakusho Optical pickup device
US6234634B1 (en) * 1999-07-28 2001-05-22 Moxtek Image projection system with a polarizing beam splitter
US6388730B1 (en) 1999-11-19 2002-05-14 Corning Incorporated Lateral field based liquid crystal electro-optic polarizer
JP3413160B2 (ja) 2000-06-15 2003-06-03 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた走査型露光装置
US6570681B1 (en) 2000-08-25 2003-05-27 Actuality Systems, Inc. System and method for dynamic optical switching using a diffractive optical element
FI116918B (fi) * 2000-12-13 2006-03-31 Modines Ltd Oy Säteenmuokkaaja
CN1791839A (zh) * 2001-11-07 2006-06-21 应用材料有限公司 光点格栅阵列光刻机
KR20030067944A (ko) 2002-02-09 2003-08-19 삼성전자주식회사 반도체 노광 장치
CN1461974A (zh) 2002-05-31 2003-12-17 Asml荷兰有限公司 组装光学元件套件和方法，光学元件，平版印刷机和器件制造法
JP3651676B2 (ja) * 2002-07-11 2005-05-25 株式会社東芝 検査方法及びフォトマスク
US7110180B2 (en) * 2002-10-09 2006-09-19 Ricoh Company, Ltd. Diffraction grating, method of fabricating diffraction optical element, optical pickup device, and optical disk drive
JP3997199B2 (ja) * 2002-12-10 2007-10-24 キヤノン株式会社 露光方法及び装置
KR101047675B1 (ko) * 2003-12-04 2011-07-08 파나소닉 주식회사 광학 정보 재생 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980056936U (ko) * 1997-01-25 1998-10-15 문정환 반도체 웨이퍼 노광장치
JP2000112116A (ja) 1998-10-05 2000-04-21 Masaki Esashi 近接場光露光マスク及びその製造方法並びに近接場光露光装置及び近接場光露光方法
KR20040006498A (ko) * 2002-07-12 2004-01-24 주식회사 하이닉스반도체 반도체 노광 장비의 편광 조명 장치
JP2004111678A (ja) * 2002-09-19 2004-04-08 Canon Inc 露光方法

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