KR100646155B1 - a LED module - Google Patents
a LED module Download PDFInfo
- Publication number
- KR100646155B1 KR100646155B1 KR1020050030975A KR20050030975A KR100646155B1 KR 100646155 B1 KR100646155 B1 KR 100646155B1 KR 1020050030975 A KR1020050030975 A KR 1020050030975A KR 20050030975 A KR20050030975 A KR 20050030975A KR 100646155 B1 KR100646155 B1 KR 100646155B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- reflectors
- divided
- light emitting
- reflector
- emitting diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
- H10H20/856—Reflecting means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
- H10H20/0363—Manufacture or treatment of packages of optical field-shaping means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
- H10H20/0364—Manufacture or treatment of packages of interconnections
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/814—Bodies having reflecting means, e.g. semiconductor Bragg reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/819—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/8506—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
본 발명은 발광다이오드 모듈에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 모듈을 구성하는 반사기가 절연체에 의하여 분할 형성되어 양측 반사기들이 기판에 형성된 접점에 각각 용접되어 별도의 전극단자들을 사용하지 않더라도 반사기들이 전극 역할을 대신하여 전체적인 발광다이오드 모듈의 구조를 간소화시킬 수 있도록 한 발명에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode module, and more particularly, a reflector constituting the module is divided by an insulator so that both reflectors are welded to contacts formed on the substrate, so that the reflectors serve as electrodes. Instead, the present invention relates to an invention to simplify the structure of the entire light emitting diode module.
전술한 본 발명은, 반사홈(11)이 형성된 절연체 케이스(10)의 바닥에는 구획편(12)들에 의하여 분할된 구멍(13)들이 각각 형성되고, 반사홈(11)의 내부에는 분할된 반사기(20)들이 각각 결합되어 구획편(12)에 의하여 서로 절연되며, 일측 반사기(20)에 고정된 LED(30)가 타측 반사기(20)와 와이어(31)로 연결되고, 반사기(20)들의 저면이 구멍(13)들을 통해 각각 노출되어 분할된 반사기(20)들이 각각 전극 역할을 할 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 발광다이오드 모듈에 의하여 달성될 수 있는 것이다.In the above-described present invention, holes 13 divided by the partition pieces 12 are formed in the bottom of the insulator case 10 in which the reflection grooves 11 are formed, and the reflection grooves 11 are divided. The reflectors 20 are coupled to each other and insulated from each other by the partition piece 12, and the LED 30 fixed to the one reflector 20 is connected to the other reflector 20 and the wire 31, and the reflector 20 This is achieved by the light emitting diode module, characterized in that the bottom of the field is exposed through the holes 13 so that the divided reflectors 20 can each serve as electrodes.
Description
도 1은 본 발명의 일실시예를 예시한 사시도,1 is a perspective view illustrating an embodiment of the present invention,
도 2는 본 발명의 일실시예를 예시한 분해 사시도,2 is an exploded perspective view illustrating an embodiment of the present invention;
도 3은 본 발명의 일실시예를 예시한 단면도,3 is a cross-sectional view illustrating an embodiment of the present invention;
도 4는 본 발명의 다른 실시예를 예시한 단면도.4 is a cross-sectional view illustrating another embodiment of the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
1 : 모듈 10 : 케이스1: Module 10: Case
11 : 반사홈 12 : 구획편11: reflection groove 12: compartment
13 : 구멍 20 : 반사기13: hole 20: reflector
20a : 도금막 30 : LED20a: plating film 30: LED
31 : 와이어 32 : 용접소재31: wire 32: welding material
40 : 기판 41 : 접점40: substrate 41: contact
본 발명은 발광다이오드 모듈에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 모듈을 구성하는 반사기가 절연체에 의하여 분할 형성되어 양측 반사기들이 기판에 형성된 접점에 각각 용접되어 별도의 전극단자들을 사용하지 않더라도 반사기들이 전극 역할을 대신하여 전체적인 발광다이오드 모듈의 구조를 간소화시킬 수 있도록 한 발명에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode module, and more particularly, a reflector constituting the module is divided by an insulator so that both reflectors are welded to contacts formed on the substrate, so that the reflectors serve as electrodes. Instead, the present invention relates to an invention to simplify the structure of the entire light emitting diode module.
일반적으로 발광다이오드(LED : light emitting diode)는 반도체에 전압을 가할 때 생기는 전기 루미네선스(전기장발광)를 이용하여 발광효과를 얻도록 구성한 것으로서 현대에는 각종 조명장치, 표시소자, 전자기기의 표시용 램프, 숫자표시 장치 및 전광판 등에 널리 사용되고 있다.In general, a light emitting diode (LED) is configured to obtain a light emitting effect by using an electric luminescence (electric field emission) generated when a voltage is applied to a semiconductor. In modern times, a display of various lighting devices, display elements, and electronic devices It is widely used for lamps, numeric display devices and electronic displays.
상기 발광다이오드는 주로 세라믹 절연체에 고정된 반사기의 내부에 고정된 LED가 세라믹 절연체를 관통하는 음극 전극단자(-)에 용접된 상태에서 양극 전극단자(+)와 와이어로 연결되고, 절연체의 하부로 돌출되는 전극단자들은 기판의 접점에 용접되는 구성으로 되어 있다.The light emitting diode is mainly connected to the positive electrode terminal (+) and the wire while the LED fixed inside the reflector fixed to the ceramic insulator is welded to the negative electrode terminal (-) passing through the ceramic insulator, and to the lower part of the insulator. The protruding electrode terminals are constructed to be welded to the contacts of the substrate.
그러나, 전술한 바와 같이 전극단자들이 절연체를 관통하여 고정되는 경우에는 전체적인 모듈의 제작이 복잡하고 상당한 시간이 소요됨에 따라 제조원가가 상승되는 등의 폐단이 발생되었다.However, as described above, when the electrode terminals are fixed through the insulator, manufacturing of the entire module is complicated and a considerable time is required, resulting in an increase in manufacturing cost.
더욱이, 최근의 모듈들은 갈수록 소형화되는 추세이므로 2∼3mm의 크기를 갖는 모듈에 가는 전극단자들을 관통하여 결합시키는 작업이 매우 까다로울 뿐 아니라 많은 시간이 소요되어 결국 전극단자들의 사용이 모듈을 소형화에 결정적인 장애요인으로 작용되었다.Moreover, recent modules are becoming smaller and smaller, so it is not only difficult to connect the electrode terminals to the modules having a size of 2 to 3 mm, but also it takes a lot of time, so that the use of the electrode terminals is crucial to miniaturizing the module. It acted as a barrier.
본 발명은 상기한 문제점을 감안하여 창안한 것으로서, 그 목적은 모듈을 구성하는 반사기가 절연체에 의하여 분할 형성되어 양측 반사기들이 기판에 형성된 접점에 각각 용접되어 별도의 전극단자들을 사용하지 않더라도 반사기들이 전극 역할을 대신하여 전체적인 발광다이오드 모듈의 구조를 간소화시킬 수 있는 발광다이오드 모듈을 제공함에 있는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is that the reflectors constituting the module are divided by an insulator so that both reflectors are welded to the contacts formed on the substrate, so that the reflectors are electrodes without using separate electrode terminals. It is to provide a light emitting diode module that can simplify the structure of the overall light emitting diode module in place of the role.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징은, 반사홈(11)이 형성된 절연체 케이스(10)의 바닥에는 구획편(12)들에 의하여 분할된 구멍(13)들이 각각 형성되고, 반사홈(11)의 내부에는 분할된 반사기(20)들이 각각 결합되어 구획편(12)에 의하여 서로 절연되며, 반사기(20)들의 저면이 구멍(13)들을 통해 각각 노출되어 분할된 반사기(20)들이 각각 전극 역할을 할 수 있도록 한 발광다이오드 모듈에 있어서, 상기 반사기(20)는 4조각으로 분할 형성되어 구획편(12)들에 의하여 각각 절연되고, 3개의 반사기(20)에 각각 고정된 LED(30)들이 나머지 한 개의 반사기(20)에 각각 와이어(31)로 연결되어 삼색(三色) 발광다이오드 모듈을 구성할 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 발광다이오드 모듈에 의하여 달성될 수 있는 것이다.A feature of the present invention for achieving the above object is, the bottom of the
이하, 상기한 목적을 달성하기 위한 바람직한 실시예를 첨부된 도면에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, described in detail by the accompanying drawings a preferred embodiment for achieving the above object is as follows.
도 1 내지는 도 3에서 도시한 바와 같이, 본 발명에 의한 모듈(1)은 절연체 케이스(10)와 분할 형성된 반사기(20)들로 구성되어 있다.As shown in Figures 1 to 3, the module 1 according to the present invention is composed of an
상기 케이스(10)는 내열성 플라스틱수지를 사출 성형하여 형성되며, 절연체 케이스(10)의 내부에는 위가 넓고 아래가 좁은 반사홈(11)이 형성되어 있다.The
상기 반사홈(11)의 바닥에는 절연체 케이스(10)와 일체로 형성된 구획편(12)들에 의하여 양측으로 분할된 구멍(13)들이 각각 형성되어 있다.In the bottom of the reflecting
상기 반사홈(11)의 내부에는 분할된 반사기(20)들이 각각 결합되어 있고, 반사기(20)들의 사이에는 반사홈(11)의 내부에서 돌출된 구획편(12)이 위치되어 양측 반사기(20)들이 서로 절연되어 있다.The
상기 반사기(20)는 열전도성이 양호한 동(銅) 재질의 금속으로 이루어지고 표면에는 은(銀) 도금막(20a)이 형성되어 효과적으로 LED(30)의 빛을 밝게 확산하여 반사시킬 수 있을 뿐 아니라 LED(30)에서 발산되는 열을 신속하게 전도하여 방출시킬 수 있도록 되어 있다.The
상기 일측 반사기(20)의 바닥에는 LED(30)가 고정되어 있고, LED(30)는 타측 반사기(20)와 와이어(31)로 연결되어 전원을 인가 받을 수 있도록 구성되어 있다.
상기 LED(30)는 합금으로 이루어진 도전성 용접소재(32)를 사용하여 용접하여 반사기(20)의 바닥에 고정시키거나, 에폭시수지와 같은 접착제에 의하여 접착되는 것이나 별도의 와이어 연결작업을 생략하기 위해서는 도전성 용접소재(32)를 사 용하는 것이 바람직하다.The
상기 도전성 용접소재(32)는 저온의 열(200∼350℃)에 의하여 용융되는 금(Au) 75∼85%와 주석(Sn) 15∼25중량%를 주성분으로 하는 금속합금이거나, 760℃∼800℃의 온도에서 용융되는 은(Ag) 65∼75중량%와 동(Cu) 25∼35중량%를 주성분으로 하는 합금으로 구성되어 있다.The
상기 반사기(20)들의 저면은 구멍(13)들을 통해 각각 노출되어 분할된 반사기(20)들이 각각 전극 역할을 할 수 있도록 구성되어 있다.The bottoms of the
전술한 구성으로 이루어진 본 발명은 모듈(1)을 기판(40)위에 올려놓고 열을 가하면 절연체 케이스(10)의 하부로 노출된 양측 반사기(20)들의 저면이 기판(40)의 양측 접점(41)에 고정되어 접점(41)들을 통해 음극(-) 및 양극(+)의 전원이 각각 인가되어 LED(30)가 점등되는 것이므로 별도의 전극단자들을 사용하지 않더라도 반사기(20)들이 전극 역할을 대신하여 전체적인 발광다이오드 모듈(1)의 구조를 간소화시켜 생산성을 높여줄 수 있을 뿐 아니라 반사기(20)들이 전극과 일체화되어 전체적인 모듈(1)의 가격을 저렴하게 유지하면서도 소형화시킬 수 있는 등의 이점이 있는 것이다.According to the present invention having the above-described configuration, when the module 1 is placed on the
또한, 반사기(20)들이 열전도성이 양호한 동(銅) 재질의 금속으로 구성되어 히트싱크 역할을 수행하는 것이므로 LED(30)의 점등에 의하여 발생되는 열을 신속하게 방출시켜 전기적 특성이 양호한 고효율의 발광다이오드 모듈을 구현할 수 있을 뿐 아니라 반사기(20)들은 은(銀) 도금되어 상당한 광택을 발산함에 따라 효과적으로 LED(30)의 빛을 밝게 확산하여 반사시킬 수 있는 것이다.In addition, since the
한편, 상기 반사기(20)는 도 4에서 도시한 바와 같이, 4조각으로 분할 형성되어 구획편(12)들에 의하여 각각 절연되고, 3개의 반사기(20)에 각각 고정된 LED(30)들이 나머지 한 개의 반사기(20)에 각각 와이어(31)로 연결되어 삼색(三色) 발광다이오드 모듈을 구성할 수도 있는 것으로서 본 발명에서는 분할된 반사기(20)들의 수에 국한되는 것은 아니다.Meanwhile, as shown in FIG. 4, the
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 또한 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 기재된 청구범위 내에 있게 된다.Although the preferred embodiments of the present invention have been illustrated and described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and the present invention is not limited to the above-described embodiments without departing from the spirit of the present invention as claimed in the claims. Various modifications can be made by those skilled in the art, and such modifications are intended to fall within the scope of the appended claims.
이상에서 상술한 바와 같은 본 발명은, 모듈(1)을 기판(40)위에 올려놓고 열을 가하면 절연체 케이스(10)의 하부로 노출된 양측 반사기(20)들의 저면이 기판(40)의 양측 접점(41)에 고정되어 접점(41)들을 통해 음극(-) 및 양극(+)의 전원이 인가되어 LED(30)가 점등되는 것이므로 별도의 전극단자들을 사용하지 않더라도 반사기(20)들이 전극 역할을 대신하여 전체적인 발광다이오드 모듈(1)의 구조를 간소화시켜 생산성을 높여줄 수 있을 뿐 아니라 반사기(20)들이 전극과 일체화되어 전체적인 모듈(1)의 가격을 저렴하게 유지할 수 있으면서도 소형화시킬 수 있는 것으로서 모듈의 대외 경쟁력을 최대한 높여줄 수 있는 등의 이점이 있는 것이다.According to the present invention as described above, when the module 1 is placed on the
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050030975A KR100646155B1 (en) | 2005-04-14 | 2005-04-14 | a LED module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050030975A KR100646155B1 (en) | 2005-04-14 | 2005-04-14 | a LED module |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060108808A KR20060108808A (en) | 2006-10-18 |
KR100646155B1 true KR100646155B1 (en) | 2006-11-14 |
Family
ID=37628368
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050030975A Expired - Fee Related KR100646155B1 (en) | 2005-04-14 | 2005-04-14 | a LED module |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100646155B1 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4930548B2 (en) * | 2009-06-08 | 2012-05-16 | サンケン電気株式会社 | Light emitting device and manufacturing method thereof |
KR101541035B1 (en) * | 2013-08-16 | 2015-08-03 | (주)포인트엔지니어링 | Chip substrate for preventing burr generating and method for manufacturing the same |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003163381A (en) | 2001-11-26 | 2003-06-06 | Citizen Electronics Co Ltd | Surface mount type light emitting diode and method of manufacturing the same |
JP2004031708A (en) | 2002-06-26 | 2004-01-29 | Citizen Electronics Co Ltd | Semiconductor laser package |
JP2004335740A (en) | 2003-05-07 | 2004-11-25 | Citizen Electronics Co Ltd | Light emitting diode and its package structure |
KR20050029384A (en) * | 2003-09-22 | 2005-03-28 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting diode package and method for manufacturing light emitting diode package |
-
2005
- 2005-04-14 KR KR1020050030975A patent/KR100646155B1/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003163381A (en) | 2001-11-26 | 2003-06-06 | Citizen Electronics Co Ltd | Surface mount type light emitting diode and method of manufacturing the same |
JP2004031708A (en) | 2002-06-26 | 2004-01-29 | Citizen Electronics Co Ltd | Semiconductor laser package |
JP2004335740A (en) | 2003-05-07 | 2004-11-25 | Citizen Electronics Co Ltd | Light emitting diode and its package structure |
KR20050029384A (en) * | 2003-09-22 | 2005-03-28 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting diode package and method for manufacturing light emitting diode package |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
16031708 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060108808A (en) | 2006-10-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5119174A (en) | Light emitting diode display with PCB base | |
CN102263095B (en) | Light-emitting device and lighting device | |
US8476656B2 (en) | Light-emitting diode | |
US7642704B2 (en) | Light-emitting diode with a base | |
TWI414095B (en) | Led unit and led illuminating lamp using such led unit | |
EP3343098B1 (en) | Led lamp with heat dissipation effect | |
JP2011146353A (en) | Lighting apparatus | |
KR102168935B1 (en) | Bonding led die to lead frame strips | |
KR100613490B1 (en) | Light emitting device, package structure and manufacturing method | |
KR100646155B1 (en) | a LED module | |
TWI753673B (en) | High-power light source package structure and manufacturing method thereof | |
KR100615404B1 (en) | Light emitting diode module | |
CN102345814A (en) | Simple detachable lighting structure and lighting lamp tube | |
KR100592328B1 (en) | Method of manufacturing light emitting diode module and light emitting diode module | |
KR100592333B1 (en) | Light emitting diode module | |
KR20060053468A (en) | LED package with multiple LEDs | |
CN207438198U (en) | LED Filament Lamp | |
KR100582017B1 (en) | Light emitting diode module for electronic device | |
CN219873531U (en) | 800W high-power high-density bicolor light source | |
CN102420218B (en) | Light emitting diode combination | |
KR101159781B1 (en) | Led module and lighting apparatus having the same | |
CN220934114U (en) | High-power high-density color mixing light source | |
TWI523271B (en) | Plug-in light-emitting unit and light-emitting device | |
CN210467831U (en) | Laser LED light source SMD packaging structure | |
KR100592330B1 (en) | Light emitting diode module |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20050414 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20060524 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20060831 |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20061108 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20061108 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20091104 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20101108 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20120508 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121210 Year of fee payment: 7 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20121210 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131108 Year of fee payment: 8 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20131108 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150205 Year of fee payment: 9 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20150205 Start annual number: 9 End annual number: 9 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
PC1903 | Unpaid annual fee |
Termination category: Default of registration fee Termination date: 20161009 |