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KR100641994B1 - 반도체 장치 및 그의 형성방법 - Google Patents

반도체 장치 및 그의 형성방법 Download PDF

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KR100641994B1
KR100641994B1 KR1020030097909A KR20030097909A KR100641994B1 KR 100641994 B1 KR100641994 B1 KR 100641994B1 KR 1020030097909 A KR1020030097909 A KR 1020030097909A KR 20030097909 A KR20030097909 A KR 20030097909A KR 100641994 B1 KR100641994 B1 KR 100641994B1
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Abstract

본 발명에 따른 반도체 장치는 반도체 소자를 가지는 기판, 기판 위에 형성되어 있으며 반도체 소자와 전기적으로 연결되어 있는 금속 배선, 금속 배선의 측면에 형성되어 있는 스페이서, 금속 배선을 덮으며 금속 배선을 노출하는 비아를 가지는 층간 절연막, 비아를 통해 금속 배선과 연결되는 플러그를 포함한다.
금속배선, 오정렬

Description

반도체 장치 및 그의 형성방법{Semiconductor device and manufacturing method thereof}
도 1은 종래 기술에 따른 반도체 장치의 금속 배선을 도시한 단면도이고,
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 금속 배선을 도시한 단면도이고,
도 3 내지 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 금속 배선 형성 방법을 공정 순서대로 도시한 단면도이다.
본 발명은 반도체 장치 및 그의 형성 방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 고집적화로 인한 디자인 룰의 감소는 각 공정간의 공정 마진을 감소시킨다. 따라서 금속 배선의 폭(critical dimension, CD)이 점점 작아지기 때문에 비아 공정시에 중첩 마진(overlay margin)도 줄어들어 오정렬이 발생할 수 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 오정렬이 발생한 경우의 반도체 장치의 금속 배선을 도시한 단면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 기판(100) 위에 하부 금속 배선(102)이 형성되어 있고, 금속 배선(102)을 덮는 층간 절연막(104)이 형성되어 있다. 그리고 층간 절연막(104)에는 하부 금속 배선(102)과 비아를 통해 연결되는 플러그(106)가 형성되어 있다. 층간 절연막(104) 위에는 플러그(106)와 접촉하여 하부 금속 배선(102)과 전기적으로 연결되는 상부 금속 배선(108)이 형성되어 있다.
이러한 층간 구조를 가지는 금속 배선을 형성하면 오정렬로 인해 식각시 하부 금속 배선(102)의 측면이 손상되어 하부 금속 배선(102)의 프로파일이 변경되어 반도체 장치의 특성이 저하되는 문제점이 있다.
특히, 하부 금속 배선(102)을 알루미늄으로 형성할 경우에는 이러한 현상이 더욱 증가한다. 알루미늄으로 하부 금속 배선을 형성할 때 이후에 하부 금속 배선(102)을 노출하는 비아를 형성하면서 오정렬이 발생하면, 층간 절연막(104)을 식각할 때 사용하는 불소(F) 계열의 식각 가스와 알루미늄이 반응하여 노출된 알루미늄과 반응하여 AlFx 형태의 물질이 형성되어 비아에서 알루미늄 금속 배선의 접촉 저항이 증가하거나 금속 배선의 프로 파일이 취약해지는 문제점이 발새한다.
또한, 플러그(106)를 형성할 때 금속막이 비아에 완전히 매립되지 않아 전체적으로 상부 금속 배선과 하부 금속 배선의 접촉 면적이 축소되어 금속 배선의 접촉 저항이 증가하여 소자의 신뢰성이 떨어지는 문제점이 발생한다.
상기한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 오정렬이 발생하더라도 접촉 저항을 최소화할 수 있는 반도체 장치 및 그의 제조 방법을 제공한다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 금속 배선의 측면에는 스페이서가 형성되어 있다.
구체적으로 본 발명에 따른 반도체 장치는 반도체 소자를 가지는 기판, 기판 위에 형성되어 있으며 반도체 소자와 전기적으로 연결되어 있는 금속 배선, 금속 배선의 측면에 형성되어 있는 스페이서, 금속 배선을 덮으며 금속 배선을 노출하는 비아를 가지는 층간 절연막, 비아를 통해 금속 배선과 연결되는 플러그를 포함한다.
여기서 금속 배선은 알루미늄으로 형성되어 있는 것이 바람직하다.
그리고 스페이서는 질화 규소로 형성되어 있는 것이 바람직하다.
상기한 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 장치의 제조 방법은 기판 위에 금속 배선을 형성하는 단계, 금속 배선을 덮는 절연막을 형성하는 단계, 절연막의 일부를 식각하여 금속 배선의 측면에 절연막으로 이루어진 스페이서를 형성하는 단계, 금속 배선을 덮으며 금속 배선을 노출하는 비아를 가지는 층간 절연막을 형성하는 단계, 비아를 채우며 금속배선과 접촉하는 플러그를 형성하는 단계를 포함한다.
여기서 금속 배선은 알루미늄으로 형성하는 것이 바람직하다.
그리고 절연막은 산화 규소를 증착하여 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 절연막은 마스크를 사용하지 않는 에치백 공정 또는 RF 스퍼터링 식각 공정으로 식각하는 것이 바람직하다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 반도체 장치를 구체적으로 설명한다. 도 2는 본 발명에 따른 반도체 장치의 금속 배선을 도시한 단면도이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 반도체 소자(도시하지 않음)가 형성되어 있는 기판(10) 위에 반도체 소자의 게이트 등과 같은 단자와 전기적으로 연결되어 있는 하부 금속 배선(12)이 형성되어 있고, 하부 금속 배선(12)의 측면에는 질화물로 이루어지는 스페이서(14)가 형성되어 있다. 기판(10)은 반도체 소자 또는 일부의 도전성 박막을 포함하며 하부 금속 배선(12)과 접촉하는 부분은 하부의 반도체 소자 또는 금속 배선과 연결하기 위한 플러그 일수 있다.
그리고 하부 금속 배선(12) 위에는 하부 금속 배선(12)을 노출하는 비아(V)를 가지는 층간 절연막(16)이 형성되어 있으며, 비아(V)에는 제1 및 제2 금속(18, 20)이 채워져 있으며 이는 상, 하부 금속 배선(12, 22)을 연결하는 플러그(23)로 사용된다. 플러그(23)는 비아(V)의 내벽을 따라 얇게 형성되어 있는 제1 금속층(18)과 제1 금속층(18)에 의해 형성된 비아를 채우는 제2 금속층(20)으로 이루어진다. 제1 금속층(18)은 티타늄(Ti)으로 형성하며, 제2 금속층(20)은 텅스텐(W) 등으로 형성하는 것이 바람직하다.
층간 절연막(16) 위에는 플러그(23)를 통해 하부 금속 배선(12)과 전기적으로 접촉하는 상부 금속 배선(22)이 형성되어 있다.
이상 설명한 본 발명의 실시예에서와 같은 구조에서는 하부 금속 배선의 측면에 스페이서가 형성되어 있어 오정렬이 발생하더라도 상, 하부 금속 배선의 접촉 저항이 증가하지 않는다. 이에 대해서는 이후의 제조 방법과 함께 상세히 설명한 다.
도 3 내지 도 6은 본 발명에 따른 반도체 장치의 금속 배선을 형성하기 위한 공정 단면도이다.
이하 설명을 용이하게 하기 위해서 비아 형성시에 오정렬이 발생한 경우를 예로 들어서 설명한다.
먼저 도 3에 도시한 바와 같이, 기판(10) 위에 도전 물질 즉 주로 금속인 알루미늄 등을 화학적 기상 증착법(chemical vapor deposition)이나, 스퍼터링(sputtering) 방법 등으로 증착하여 금속막을 형성한다. 이때 기판(10)은 회로소자들이 이미 형성된 것을 사용하여 그 위에 배선을 형성하는 것이거나 또는 먼저 배선부터 형성하고 그 위에 회로소자들을 형성하는 것이어도 된다.
이후 금속막을 선택적 사진 식각 공정으로 패터닝하여 하부 금속 배선(12)을 형성한다. 알루미늄과 같이 반사율이 높은 금속으로 배선을 형성하는 경우에는 선택적 식각 공정시 반사율을 감소시키기 위해서 캡층(도시하지 않음)을 더 형성할 수 있다.
하부 금속 배선(12)을 포함한 기판(10) 전면에 화학적 기상 증착(Chemical vapor deposition) 등의 방법으로 절연 물질을 증착하여 절연막(14A)을 형성한다. 절연막(14A)은 질화 규소 또는 질화막에 산소(O2)가 첨가된 옥시나이트라이드(Oxynitride)막으로 형성한다.
다음 도 4에 도시한 바와 같이, 절연막(14A)을 마스크를 사용하지 않고 에치백 공정 또는 RF 스퍼터 식각 공정을 진행하여 하부 금속 배선(12)의 측면에 스페이서(14)를 남긴다.
다음 도 5에 도시한 바와 같이, 스페이서(14)를 가지는 하부 금속 배선(12)이 형성된 기판(10) 전면에 절연 물질을 증착하여 층간 절연막(16)을 형성한다. 이때, 층간 절연막(16)은 하나의 물질로 형성하거나 여러 물질을 순차적으로 증착하여 형성하여도 무방하다.
이후 층간 절연막의 소정 영역을 사진 식각 공정으로 식각하여 하부 금속 배선(12)을 노출하는 비아(V)를 형성한다. 이때 도시한 바와 같이 조작자의 실수 또는 기계의 오작동 등으로 인한 오정렬이 발생될 수 있는데, 본 발명의 제조 방법에서는 하부 금속 배선(12)의 측면에 스페이서가 형성되어 있어 스페이서(14)의 일부가 노출될 수 있다.
따라서 본 발명의 실시예에서는 스페이서(14)가 형성되어 있으므로 비아 식각시 하부 금속 배선(12)의 측면이 손상되지 않아 이후에 형성되는 다른 박막의 프로파일을 안정적으로 확보할 수 있어 반도체 장치의 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 하부 금속 배선(12)을 알루미늄 계열의 도전 물질로 형성하는 경우에 비아 식각 가스와 알루미늄의 측면이 반응하여 증착되는 현상이 발생하지 않기 때문에 비아의 접촉 저항이 증가하지 않으므로 반도체 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 이때 알루미늄으로 형성한 금속 배선의 상부에는 캡층(도시하지 않음)이 형성되어 있으므로 상부 표면은 식각시 캡층에 의해서 보호된다.
다음 도 6에 도시한 바와 같이, 비아(V)를 포함한 기판에 금속을 증착하여 제1 금속막을 형성한다. 그런 다음 제1 금속막에 의해 형성되는 비아 내부를 채우 도록 제2 금속막을 형성한다. 제1 금속막은 티타늄(Ti)으로 형성하고, 제2 금속막은 텅스텐(W)으로 형성하는 것이 바람직하다.
이후 화학적 기계적 연마로 층간 절연막(16)이 노출될 때까지 연마하여 비아(V)를 채우는 플러그(23)를 완성한다.
다음 층간 절연막(16) 위에 도 1에서와 같이, 도전 물질을 적층하고 선택적 사진 식각 공정으로 패터닝하여 플러그(23)와 접촉하여 하부 금속 배선(12)과 전기적으로 연결되는 상부 금속 배선(22, 도 2 참조)을 형성한다.
이후 필요에 따라 층간 절연막 및 금속 배선을 형성하는 공정이 더 진행될 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.
설명한 바와 같이 본 방법은 금속 배선의 측면에 스페이서를 형성하여 금속 배선의 중첩 마진을 증가시켜준다. 중첩 마진의 증가로 인해 비아홀 식각시 오정렬 되더라도 비아 불량 및 금속의 부식 가능성을 줄일 수 있으므로 공정의 신뢰성 및 생산성 등이 증가한다.

Claims (7)

  1. 반도체 소자를 가지는 기판,
    상기 기판 위에 형성되어 있으며 반도체 소자와 전기적으로 연결되어 있는 금속 배선,
    상기 금속 배선의 측면에 형성되어 있는 스페이서,
    상기 금속 배선을 덮으며 상기 금속 배선을 노출하는 비아를 가지는 층간 절연막,
    상기 비아를 통해 상기 금속 배선과 연결되는 플러그를 포함하며,
    상기 스페이서는 질화막에 산소(O2)가 첨가된 옥시나이트라이드로 형성되어 있는 반도체 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 금속 배선은 알루미늄으로 형성되어 있는 반도체 장치.
  3. 삭제
  4. 기판 위에 금속 배선을 형성하는 단계,
    상기 금속 배선을 덮는 절연막을 형성하는 단계,
    상기 절연막의 일부를 식각하여 상기 금속 배선의 측면에 상기 절연막으로 이루어진 스페이서를 형성하는 단계,
    상기 금속 배선을 덮으며 상기 금속 배선을 노출하는 비아를 가지는 층간 절연막을 형성하는 단계,
    상기 비아를 채우며 상기 금속 배선과 접촉하는 플러그를 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 질화막은 산소(O2)가 첨가된 옥시나이트라이드로 형성하는 반도체 장치의 제조 방법.
  5. 제4항에서,
    상기 금속 배선은 알루미늄으로 형성하는 반도체 장치의 제조 방법.
  6. 삭제
  7. 제4항에서,
    상기 절연막은 마스크를 사용하지 않는 에치백 공정 또는 RF 스퍼터링 식각 공정으로 식각하는 반도체 장치의 제조 방법.
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