KR100638087B1

KR100638087B1 - 프로브 카드의 탄성 기능빔 제조 방법과 그 구조

Info

Publication number: KR100638087B1
Application number: KR1020060001854A
Authority: KR
Inventors: 조병호; 조용호
Original assignee: (주) 마이크로프랜드; 조병호
Priority date: 2006-01-06
Filing date: 2006-01-06
Publication date: 2006-10-24
Anticipated expiration: 2026-01-06

Abstract

본 발명은 프로브 카드의 탄성 기능빔 제조 방법과 그 구조에 관한 것으로 금속기단부(150)와 캔티레버 빔(200)으로 구성되는 프로브 니들(100)이 제조된 후 캔티레버 빔(200)과 기판부재(110) 사이로 폴리머 탄성재를 충진함으로써 캔티레버 빔(200)을 탄성적으로 지지하여 탄성과 반력을 조절하는 폴리머 탄성층(300)을 형성함으로써, 프로브 니들(100)을 구성하는 금속구조물을 먼저 제조한 후 폴리머 탄성재를 도포하여 폴리머 탄성층(300)을 형성하므로 그 제조가 용이하고 공정을 단순화할 수 있어 생산성을 증대시키는 효과가 있다.

또한, 폴리머 탄성재 적층공정 전에 고온처리공정을 거칠 수 있어 금속기단부(150)와 캔티레버 빔(200)을 형성하는 도전성 금속을 열처리하여 프로브 니들(100)의 전체 내구성을 증대시킬 수 있는 효과가 있다.

그리고, 다수의 캔티레버 빔 배열 구조에서 각 위치별 탄성과 반력이 다르게 요구될 경우 각각의 요구조건에 맞는 형상과 재질로 폴리머 탄성층(300)을 형성하고, 이 폴리머 탄성층(300)의 재질과 형상에 따라 탄성과 반력 조정이 용이하여 마이크로 캔티레버 빔의 사용범위 및 적용과 설계 안전영역이 확대되는 효과가 있다.

Description

프로브 카드의 탄성 기능빔 제조 방법과 그 구조{Manufacturing Method and Structure of Tensible Beam for Probe Card}

도 1은 종래의 프로브 카드를 도시한 측면도

도 2는 프로브 카드에 의한 웨이퍼 검사의 개략 구성도

도 3은 본 발명인 프로브 카드의 탄성 기능빔 제조 방법을 도시한 공정도

도 4a 내지 도 4j는 본 발명의 폴리머 탄성재충진공정의 일 실시 예를 도시한 예시도

도 5는 본 발명이 적용된 프로브 카드의 구성을 나타낸 측면도

*도면 중 주요 부호에 대한 설명*

100: 프로브 니들 110: 기판부재

150: 금속기단부 200: 캔티레버 빔

210: 탐침 팁 300: 폴리머 탄성층

본 발명은 프로브 카드의 탄성 기능빔 제조 방법과 그 구조에 관한 것으로 더 상세하게는 프로브 카드의 캔티레버 빔을 다양하게 요구되는 탄성과 반력을 얻 기 위해 폴리머 탄성체로 지지시킬 수 있도록 발명된 것이다.

일반적으로 전기전자 소자는 제조 후 전기적 동작여부에 대한 성능검사를 실행하여 불량품 및 양품을 선별하여야 한다.

전기전자 소자인 웨이퍼 상태의 반도체 칩, 페키징된 반도체 칩, 그리고 인쇄회로기판 등은 프로브 카드를 사용하여 그 성능검사가 이루어지며, 이 경우 프로브 카드의 니들에 돌출된 탐침 팁(tip)이 전지전자 소자의 전극패드에 전기적으로 접촉되는 가의 여부로 검사를 수행하는 것이다.

도 1에서 도시한 바와 같이 프로브 카드는 테스트 헤드(Test Head)(10)의 프로그 링(Frog ring)(11)에 마운팅된 집(ZIF) 커넥터나 포고 핀(Pogo-pin)(12)을 통해 전기적 및 기계적으로 연결되는 인쇄회로기판(21)과, 이 인쇄회로기판(21) 위에 고정 설치된 에폭시 수지의 프로브 링(22)과, 이 프로브 링(22)에 에폭시 접착제로 고정되어 일단에 소자의 전극패드에 접촉되는 수천 개의 텅스텐 재질로 된 탐침 팁(23a)이 형성된 프로브 니들(23)과, 상기 프로브니들(23)의 일단과 상기 인쇄회로기판(21) 위의 각각의 스트립 라인(Strip line)을 연결하는 와이어(24)로 구성되어 있다.

이러한 프로브카드는 도 2에서 도시한 바와 같이 테스터기와 전기적으로 연결되어 프로버(Prober)(2)상에 놓여진 웨이퍼(3)를 검사하는 것이다.

이 프로브 니들(100)은 통상 프로브 링(22) 상으로 높이를 가지고 돌출되는 기단부(101)에 도전성 있는 재질로 형성되고, 와이어(24)로 인쇄회로기판(21) 위의 각각의 스트립 라인에 연결되는 캔티레버 빔(200)의 일단이 고정되어 이루어진다.

그리고 이 캔티레버 빔(200)은 그 단부에 화학적 에칭을 통해 뾰족하게 탐침 칩(23a)을 형성하여 이 탐침 칩(23a)이 성능 검사하고자 하는 측정소자의 전극패드에 접촉하여 소자의 불량 여부를 판단하는 것이다.

그리고 최근의 반도체 칩은 고 집적화되고, 대 면적 웨이퍼를 공정용 기판으로 사용할 뿐만 아니라 고주파 대역의 빠른 응답속도로 발전됨에 따라 이에 대응하는 프로브 카드(20)도 반도체 칩의 축소된 패드 피치(pitch)(100마이크론 이하), 동시에 측정하는 소자 개수의 증가(64개 이상) 및 빠른 신호 대응 속도(1Hz) 등을 만족시켜야 한다.

그러나 상기 종래 캔티레버 빔(200)은 인피던스 매칭 문제로 인한 빠른 신호 대응이 불가능한 문제점뿐만 아니라, 측정할 수 있는 소자가 64개 이상이 될 경우 프로브 니들(100)은 약 5000여개 이상이 되는데 이를 수동으로 기단부에 장착할 경우 불량률이 매우 높은 문제점이 있는 것이다.

또한 반도체 칩의 패드 피치 간격이 100 마이크론 이하일 경우 텅스텐 재질의 캔티레버 빔(200)의 직경이 100±10 마이크론이기 때문에 서로 붙어버려 대응이 불가능한 문제점이 있었던 것이다.

이러한 문제점을 해결하기 위하여 본 출원인이 출원한 특허 등록 제 0515235호 '마이크로 제조기술을 이용한 프로브 카드의 니들, 그 제조 방법 및 이 니들로 구현된 프로브 카드'에서 세라믹기판상에 포토레지스트를 이용한 사진석판술(photolithography)에 의해 도전성 금속으로 이루어지고 섬형 시드층을 갖는 프로브 니들 기단부를 형성하고 별개의 실리콘 웨이퍼 상에 폴리머 탄성체를 형성한 후 , 상기 폴리머 탄성체를 실리콘 웨이퍼로부터 분리하여 상기 세라믹기판 상에 매립하고, 상기 프로브 니들 기단부 및 상기 폴리머 탄성체의 위에 도전성 금속을 상기 폴리머 탄성체가 지지토록 적층형성하고 그 끝단에 탐침 팁을 형성하는 것을 제안한바 있다.

즉, 세라믹 기판상에 직접 금속재로 통전되는 프로브 니들 기단부의 시드층을 형성하고 이 시드층 위에 포토레지스트를 도포하여 패턴을 형성하고 함몰된 부분에 폴리머 탄성체를 매립한 후 포토레지스트를 제거한 시드층 위에 다시 도전성 금속으로 도금하여 프로브 니들 기단부를 매립된 폴리머 탄성체의 높이와 일치하도록 완성한 다음 이 프로브니들기단부와 폴리머 탄성체의 위로 도전성 금속을 적층 형성하고 그 끝단에 탑침 팁을 형성함으로써 프로브 니들을 완성하는 것이다.

그러나 상기한 종래의 프로브 니들의 제조방법은 캔티레버 빔을 형성하기 전에 미리 폴리머 탄성체를 매립해야하고 그 상부로 캔티레버 빔을 형성하는 도전성 금속을 적층하여 제조되므로 폴리머 탄성체를 형성될 기단부의 높이에 일치되도록 정밀하게 매립해야 하는 번거로움이 있었던 것이다.

또한 프로브 니들의 기단부나 캔티레버 빔을 형성하는 도전성 금속의 기계적 강도를 개선하기 위해 고온 처리 과정을 할 경우 폴리머 탄성체가 변형되는 문제로 사실상 고온 처리 과정을 거칠 수 없어 기단부나 캔티레버 빔이 불안정하게 제조되는 폐단이 있었던 것이다.

다 수의 캔티레버 빔의 배열 구조에서 각 캔티레버 빔이 동일한 폴리머 탄성 체에 의해 지지되어 캔티레버 빔에 발생하는 탄성과 반력이 일정하여 다 수의 캔티레버 빔이 위치별로 다른 탄성과 반력이 요구될 경우 이에 맞게 설계하여 제조하기 어려운 문제점이 있었던 것이다.

또 프로브 카드의 장기간 사용으로 폴리머 탄성층이 부식되고 손상될 경우 이 폴리머 탄성층을 교체 수리하는 것이 사실상 불가능하여 시설 유지비가 많이 소요되었던 것이다.

그리고, 폴리머 탄성층으로 지지되지 않은 프로브 니들이 장착된 프로브 카드의 경우 프로브 카드 자체를 교체해야만 하므로 설비비가 증대되었던 것이다.

본 발명의 목적은 프로브 카드의 프로브 니들을 제조한 후 캔티레버 빔을 지지하는 폴리머 탄성층을 형성함으로써 그 제조 공정이 단순화되고 생산성을 향상시킬 수 있는 프로브 카드의 탄성 기능빔 제조 방법과 그 구조를 제공하는 데 있다.

본 발명의 다른 목적은 프로브 니들의 기단부와 캔티레버 빔을 고온 처리 공정을 거쳐 안정적으로 제조할 수 있는 프로브 카드의 탄성 기능빔 제조 방법과 그 구조를 제공하는 데 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 설비비와 설비 유지비를 절감하고, 다 수의 캔티레버 빔을 각각 요구되는 탄성과 반력으로 지지할 수 있도록 하는 프로브 카드의 탄성 기능빔 제조 방법과 그 구조를 제공하는 데 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 프로브 카드의 프로브 니들을 검사에 필요한 탄성과 반력을 유지한 상태로 초소형화시킬 수 있어 갈수록 극초소형화의 경향을 가진 마이크로 시스템에 대응되는 프로브 카드의 탄성 기능빔 제조 방법과 그 구조를 제 공하는 데 있다.

이러한 본 발명의 목적은 기판부재에 도전성 금속으로 제조되며 일정 높이를 가지는 금속기단부를 형성하는 기단부형성공정과, 상기 기단부형성공정을 거쳐 형성된 금속기단부의 상부에 도전성 금속으로 제조되며, 일단이 금속기단부에 고정되고, 단부는 그 외측으로 돌출되어 그 단부에 탐침 팁이 구비된 캔티레버 빔을 형성하는 캔티레버 빔 형성공정과, 상기 캔티레버 빔 형성공정을 거쳐 형성된 캔티레버 빔과 기판부재 사이에 폴리머 탄성재를 충진하여 폴리머 탄성층을 형성하는 폴리머 탄성재충진공정을 순차적으로 행함으로써 달성된다.

한편, 상기한 방법으로 제조되는 프로브 카드의 탄성 기능빔 구조는 기판부재에 도전성 금속이 높이를 가지고 돌출 형성되는 금속기단부와, 상기 금속기단부의 상부로 도전성 금속으로 형성되고, 일단이 금속기단부에 고정되고 단부는 일 측으로 돌출된 캔티레버 빔과, 이 캔티레버 빔의 단부에 도전성 금속이 그 크기가 점차적으로 작아지도록 형성되어 단 부가 뾰족하게 형성된 탐침 팁과, 상기 캔티레버 빔과 기판부재 사이에 폴리머 탄성재가 충진되어 형성된 폴리머 탄성층을 포함하여 구성됨으로써 달성된다.

즉, 폴리머 탄성층이 금속기단부와 캔티레버 빔이 제조된 후 캔티레버 빔과 기판부재의 사이로 폴리머 탄성재를 충진함으로써 캔티레버 빔을 탄성적으로 지지하여 탄성과 반력을 조절하는 폴리머 탄성층을 간단히 형성할 수 있게 되는 방법과 그 구조를 제공하는 것이다.

상기한 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부된 도면에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 3은 본 발명인 프로브 카드의 탄성 기능빔 제조 방법을 순차적으로 도시한 공정도로서, 기단부형성공정, 캔티레버 빔 형성공정, 폴리머 탄성층 도포 공정, 에치 백공정이 순차적으로 이루어지는 것을 나타내고 있다.

도 4a 내지 도 4j는 본 발명의 폴리머 탄성재충진공정의 일 실시 예를 도시한 예시도로서, 폴리머 탄성재충진공정으로 형성되는 폴리머 탄성층의 형상을 나타내고 있다.

도 5은 본 발명이 적용된 프로브 카드의 구성을 나타낸 측면도로서, 본 발명인 탄성 기능빔 구조를 가지는 프로브 카드를 나타내고 있다.

이하, 도 3에서 도시한 바와 같이 본 발명인 프로브 카드의 탄성 기능빔 제조 방법은 금속기단부(150)를 형성하는 기단부형성공정과, 이 기단부형성공정을 거쳐 제조된 포토레지스트 상부로 캔티레버 빔(200)을 형성하고, 이 캔티레버 빔(200)의 단부에 점차 뾰족하게 형성되는 탐침 팁(210)을 형성하는 캔티레버 빔 형성공정을 거친 후 금속기단부(150)의 높이로 인해 발생하는 캔티레버 빔(200)과 기판부재(110) 사이로 폴리머 탄성재를 충진시켜 폴리머 탄성층(300)을 형성하는 폴리머 탄성재충진공정이 순차적으로 이루어지는 것이다.

이 폴리머 탄성재충진공정은 캔티레버 빔(200)과 기판부재(110) 사이로 캔티레버 빔(200)을 지지할 수 있는 적당량의 폴리머 탄성재를 충진시켜 폴리머 탄성층(300)을 형성할 수 있다.

그리고 캔티레버 빔(200)과 금속기단부(150)로 구성되는 프로브 니들(100)이 초소형화로 제조될 경우 캔티레버 빔(200)과 기판부재(110) 사이의 간격이 미세하여 그 간격 사이로 폴리머 탄성재를 적당량으로 충진시키기에 매우 정밀한 작업이 요구되므로 폴리머 탄성재충진공정은 캔티레버 빔(200)의 상부로 폴리머 탄성재를 도포하여 캔티레버 빔(200)과 기판부재(110) 사이에 폴리머 탄성재를 충진시키는 폴리머 탄성재도포공정과, 이 폴리머 탄성재도포공정을 거쳐 캔티레버 빔(200)의 상부를 덮은 폴리머 탄성재를 에칭시켜 캔티레버 빔(200)을 지지하고 탐침 칩을 노출시키는 형상을 가지는 폴리머 탄성층(300)을 형성하는 에치 백(etch Back)공정을 포함한다.

이 에치 백공정은 화학용제를 사용하여 폴리머 탄성재를 녹여 폴리머 탄성층(300)의 형상을 조절하는 것으로 폴리머 탄성층(300)을 캔티레버 빔(200)의 상부로 약간 돌출된 상태로 형성할 수 있다.

또 에치 백공정은 폴리머 탄성층(300)을 캔티레버 빔(200)의 하부면에 밀착된 상태로 형성할 수 있다.

에치 백공정은 폴리머 탄성층(300)을 캔티레버 빔(200)의 하부면과 간격을 가지는 형상으로 형성할 수도 있다.

이 경우 폴리머 탄성층(300)의 높이는 캔티레버 빔(200)과 기판부재(110) 사이 간격을 형성하는데 기판으로의 외부물질(particle) 유입 방지 및 탄성기능빔 기능발휘 정도에 따라 0%초과 100%미만의 유효 탄성층 높이를 형성하며, 바람직하게는 50% 이상 100% 미만의 유효 탄성층 높이를 형성하는 것이다.

이 폴리머탄성층(300)은 외부물질(particle) 유입 방지를 위해서는 0% 초과의 높이만 가지면 되고, 캔티레버 빔(200)에 요구되는 반력과 핀압을 지지하기 위해서는 50%이상의 높이를 가지는 것이 바람직한 것이다.

한편, 상기 기단부형성공정은 포토레지스트를 도포하여 포토레지스트층을 형성한 후 마스크패턴에 따라 금속기단부(150)가 형성될 부분을 노광으로 현상하여 노출시키는 포토레지스트공정과, 노출시킨 후 이 노출부분에 도전성금속을 도포하여 적층시킴으로써 금속기단층을 형성하는 금속적층공정이 반복하여 이루어지는 마이크로 제조기술을 사용할 수도 있으며, 소정의 길이를 가지는 금속판을 절곡시켜 일부는 금속기단부(150)를 형성하고, 절곡된 부분은 후술될 캔티레버 빔(200)을 형성하도록 제조할 수도 있고, 이 외 후술될 캔티레버 빔(200)을 지지하기 위해 소정의 높이를 가지는 금속 기단부(150)를 형성하는 어떠한 방법도 본 발명에 포함됨을 밝혀둔다.

마이크로 제조 방법으로 제조 시 포토레지스트공정과 금속적층공정의 반복 횟수는 금속기단부(150)의 설계높이와 포토레지스트층의 두께에 따라 제조 시 변경될 수 있다.

이 기단부형성공정으로 형성되는 금속기단부(150)는 한가지 재질의 도전성금속으로 형성될 수도 있고, 2 개 이상의 도전성 금속을 차례로 적층시켜 형성될 수도 있다.

그리고 상기 기단부형성공정에 사용되는 도전성 금속으로는 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 코발트(Co), 텅스텐(W), 탄탈(Ta), 니켈합금, 골 드합금이 있으며 이외 어떠한 전기가 통하는 어떠한 금속이나 합금도 사용할 수 있음을 밝혀둔다.

한편, 캔티레버 빔 형성공정은 포토레지스트를 도포하여 포토레지스트층을 형성한 후 마스크 패턴에 따라 캔티레버 빔(200)이 형성될 부분과 탐침 팁(210)이 형성될 부분을 노광으로 현상하여 노출시키는 포토레지스트공정과, 이 노출부분에 도전성금속을 도포하여 적층시킴으로써 캔티레버 빔(200)과 이 캔티레버 빔(200)의 단부에 뾰족하게 돌출되는 탑침 팀을 형성하는 빔층형성공정이 교대로 반복하여 이루어진 후 적층된 포토레지스트를 제거하는 포토레지스트제거공정을 거치는 마이크로 제조기술을 사용할 수도 있으며, 하나의 도전성 금속판을 사용하여 캔티레버 빔(200)을 제조할 수도 있고, 소정의 길이를 가지는 하나의 도전성 금속판으로 형성된 금속기단부(150)를 절곡시켜 금속기단부(150)와 일체로 캔티레버 빔(200)을 제조할 수 있으며, 그 외 금속기단부(150)에 일단이 지지되고 단부에 뾰족한 탐침 팀(210)을 구비하는 캔티레버 빔(200)을 형성하기 위한 어떠한 방법도 본 발명에 포함됨을 밝혀둔다.

이 후 기단부형성공정에서 캔티레버 빔 형성공정을 거치면서 캔티레버 빔(200)과 금속기단부(150)를 포함한 프로브 니들(100)의 제조가 완료되는 것이다.

또 탐침 팁(210)은 그 단부의 크기가 점차적으로 그 크기가 작아지는 형상으로 형성되는 것으로 그 단부가 뾰족하게 형성될 수 있는 것이다.

마이크로 제조 방법의 캔티레버 빔 형성공정에서 포토레지스트공정과 빔층형성공정의 반복 횟수는 캔티레버 빔(200)의 설계와 탐침 팁(210)의 설계에 따라 제 조 시 변경될 수 있으며 이는 본 발명의 구성에 포함됨을 밝혀둔다.

또 상기 캔티레버 빔 형성공정에서 형성되는 탐침 팁(210)은 그 뾰족한 끝단의 형상이 검사하는 전기전자 소자에 따라 다양한 형태로 형성할 수 있으며, 이는 마이크로 제조방법에서는 최종 포토레지스트공정에서 사용되는 마스크 패턴의 형상을 변화시킴으로써 가능하고 그 외 에칭이나, 연삭 작업으로 뾰족하게 돌출되는 탑침 팁(210)의 단부 형상을 다양한 형태로 형성할 수 있음을 밝혀둔다.

탐침 팁(210)의 형상은 도시하지는 않았지만 라인패드나 그리드 어레이 패드용으로 십자형상이나 마름모형상으로 형성할 수 있고, 일반 라인패드용으로 사다리꼴형상으로 형성되며, 전기전자 소자에 접촉하여 그 접속을 용이하게 하는 어떠한 형상도 본 발명에 포함됨을 밝혀둔다.

이 캔티레버 빔 형성공정으로 형성되는 캔티레버 빔(200)과 탑침 팁(210)은 한가지 재질의 도전성금속으로 형성될 수도 있고, 2 개 이상의 도전성 금속을 차례로 적층시켜 형성될 수도 있다.

그리고 상기 캔티레버 빔 형성공정에 사용되는 도전성 금속으로는 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 코발트(Co), 텅스텐(W), 탄탈(Ta), 니켈합금, 골드합금이 있으며 이외 어떠한 전기가 통하는 어떠한 금속이나 합금도 사용할 수 있음을 밝혀둔다.

또 상기 캔티레버 빔 형성공정 후 폴리머 탄성재충진공전 전에 금속기단부(150)와 캔티레버 빔(200)을 고온 처리하는 고온처리공정을 행하는 것이 바람직하다.

이 고온처리공정은 금속기단부(150)과 캔티레버 빔(200), 탐침 팁(210)의 도전성 금속 간 접합부분을 더욱 견고하게 접합시키는 작용을 하는 것이다.

한편, 상기한 바와 같이 캔티레버 빔 형성공정을 거쳐 일단이 금속기단부(150)에 고정된 캔티레버 빔(200)은 탐침 팁(210)이 검사될 전기소자에 접촉되면서 발생하는 힘에 의해 처짐(Over travel)이 발생하고, 이 처짐에 따른 탄성과 반력을 가져 힘이 제거된 후 원위치로 복귀되어 전기소자를 일정한 핀압으로 반복하여 정확하게 검사할 수 있도록 해야한다.

전기소자 검사 시 캔티레버 빔(200)에 가해지는 가압력의 최대값과 이로 인해 변형되는 캔티레버 빔(200)의 처짐(Over travel)의 최대값은 제한된다.

처짐은 클수록 전기소자 검사 시 유리하나 캔티레버 빔(200)의 탄성한계 및 금속기단부(150) 높이 등의 제한 조건으로 한정된다.

그리고 가압력의 경우 일정한 처짐(Over travel)에서 제한적인 반력이 캔티레버 빔(200)에 나타나야 하고 반력이 너무 작은 경우 탐침 팁(210)이 금속패드 산화막 표면을 뚫지 못하여 접속이 불안정하게 되어 검사의 정확도가 저하되고, 반면 반력이 너무 강한 경우 금속 패드에 깊은 상처를 주어 검사를 마친 전기전자소자의 웨이퍼를 손상시키게 작용하게 되므로 일반적으로 반력을 처짐(Over Travel) 70㎛에서 4 ~ 5gf를 가지도록 조절한다.

또한 상기 캔티레버 빔(200)이 전기전자소자와 안정적으로 접촉하도록 일정범위 이상 편향(Deflection)되기 위해서는 빔의 길이가 일정길이 이상으로 유지되어야 하고 이 경우 적당한 반력을 유지하기 위한 방법으로 빔의 길이에 맞게 빔의 두께를 크게 하면 되나 전기 소자의 미세화에 따라 검사되는 패드피치가 미세하게 좁아진 파인 피치(fine-pitch)에 대응하기 어려운 문제를 가진다.

또 반대로 빔의 길이를 줄이고 두께를 줄이는 경우 길이와 두께가 선형적으로 변하게 되어 최대 응력이 소성 범위를 벗어나기 쉬워 캔티레버 빔(200)이 탄성을 갖지 못하고 소성변형하게 되는 문제점이 있는 것이다.

즉, 상기한 문제점으로 인해 전기전자소자의 초미세화에 따라 프로브 니들(100)을 어느 한계점 이하로 축소할 경우 검사 중 캔티레버 빔(200)에 발생하는 처짐이 금속의 탄성 한계를 벗어나 캔티레버 빔(200)이 탄성을 갖지 못하고 소성변형을 일으키게 되고, 이러한 소성변형을 방지하기 위하여 캔티레버 빔(200)의 두께를 얇게 하면 처짐에 따른 탄성력을 가지나 검사 시 전기전자소자에 산화막을 뚫고 접촉하기 위한 핀 압(contact force)을 얻을 수 없는 것이다.

또, 프로브 카드로 검사하는 전기전자소자 중 비 메모리 칩들은 패드가 페리퍼럴(Peripheral), 그리드 어레이(Grid Array)방식으로 위치하는 경우가 많아 이에 대응하기 위해 캔티레버 빔(200)의 길이가 더욱 짧아질 수밖에 없어 이로 인한 소성변형이 발생하는 것이다.

따라서, 캔티레버 빔(200)의 길이를 작게 하고, 캔티레버 빔(200)에 가해지는 응력이 빔의 소성 응력 내에 있도록 두께를 제한하면서 원하는 반력을 얻기 위해서는 캔티레버 빔(200)에서 자체적으로 발생되는 반력 외에 독립적으로 빔에 힘을 가해주는 것이 필요하다.

이러한 이유로 상기 캔티레버 빔 형성공정을 거쳐 제조된 캔티레버 빔(200) 의 하부에 탄성역할을 담당할 고무 물질과 같은 폴리머 탄성재를 충진하여 폴리머 탄성층(300)을 형성하는 폴리머 탄성재충진공정을 수행하게 되고, 이 폴리머 탄성층(300)은 미세화에 의해 상실되는 캔티레버 빔(200)의 탄성 및 핀압을 보완하여 검사 중 소성변형을 방지하고 정밀검사에 요구되는 핀압(contact force)를 얻을 수 있게 하는 것이다.

이 폴리머 탄성재는 열가소성 탄성체(Thermoplastic elastomer), 폴리부틸렌 테레프탈레이트(Polybutylene Telephthalate), 폴리에스테르(Polyester), 러버(Rubber), 하이드로겔 폴리머(Hydrogel Polymer), 우레탄 탄성체(Urethane elastomer), 실리콘 탄성체(Silcone elastomer), 폴리디메틸 실록산(Polydimethyl siloxane) 등이 포함된다.

또 상기 폴리머 탄성재충진공정을 거쳐 형성되는 폴리머 탄성층(300)의 형상은 도 4a 내지 도 4j에서 도시한 바와 같다.

도 4a에서 도시한 바와 같이 폴리머 탄성층(300)은 캔티레버 빔(200)과 기판부재(110) 사이의 간격을 폴리머 탄성재로 모두 채워 충진시켜 캔티레버 빔(200)을 지지하도록 형성된다.

이렇게 형성된 폴리머탄성층(300)은 캔티레버 빔(20)의 전체를 지지하여 캔티레버 빔(200)이 검사 후 반력과 탄성에 의해 원위치로 복귀할 경우 발생할 수 있는 진동의 대부분을 흡수하고 완충시킬 수 있어 강한 핀압(Contact Force)이 요구되는 경우에 적합하다.

도 4b에서 도시한 바와 같이 폴리머 탄성층(300)은 폴리머 탄성재가 캔티레 버 빔(200)의 전체 길이에 대응되는 길이로 도포되어 캔티레버 빔(200)의 하부와 간격을 가지도록 형성된다.

이는 캔티레버 빔(200)이 소성변형되지 않는 처짐까지 캔티레버 빔(200)의 자체적 탄성과 반력으로 핀압을 유지하고, 소성변형되는 처짐부터는 폴리머 탄성층(300)이 캔티레버 빔(200)의 탄성과 반력을 지지하여 소성변형을 방지함으로 캔티레버 빔(200)의 자체 탄성과 반력으로 그 수평도를 일정하게 유지할 수 있도록 하고, 온도 변화에 따라 미세하게 팽창, 수축되는 폴리머 탄성층(300)으로 인해 캔티레버 빔(200)이 기울어지게 되는 것을 방지하는 것이다.

도 4c에서 도시한 바와 같이 폴리머 탄성층(300)은 캔티레버 빔(200)의 단부의 일부분만 밀착하여 지지하도록 폴리머 탄성재를 캔티레버 빔(200)의 끝단 내측으로 일정부분 금속기단부(150)의 높이에 맞게 충진시켜 형성된 것이다.

검사 시 요구되는 핀압이 크게 요구되지 않는 경우 폴리머 탄성층(300)을 캔티레버 빔(200)의 전면에 걸쳐 도포할 경우 그 폴리머 탄성재의 소비가 많아 제조비가 많이 소요되므로 캔티레버 빔(200)의 단부 측에만 폴리머 탄성재를 도포하여 폴리머 탄성층(300)을 형성함으로써 폴리머 탄성재의 낭비를 막을 수 있는 것이다.

도 4d에서 도시한 바와 같이 폴리머 탄성층(300)은 캔티레버 빔(200)의 단부와 간격이 형성된 상태로 캔티레버 빔(200)의 단부 일부분만을 지지하도록 폴리머 탄성재를 캔티레버 빔(200)의 끝단 내측으로 일정부분에 충진하되 캔티레버 빔(200)과 간격을 가지도록 충진시켜 형성된 것이다.

이 경우 폴리머 탄성층(300)은 금속기단부(150)의 높이보다 낮게 형성되며, 그 높이는 기판으로의 외부물질(particle) 유입 방지 및 탄성기능빔 기능발휘 정도에 따라 기판부재(100)와 금속기단부(150) 사이 0%이상 100%미만의 유효 탄성층 높이를 형성하며, 바람직하게는 50%이상 100% 미만의 유효 탄성층 높이를 형성하는 것이다.

이 폴리머탄성층(300)은 외부물질(particle) 유입 방지를 위해서는 0% 이상의 높이만 가지면 되고, 캔티레버 빔(200)에 요구되는 반력과 핀압을 지지하기 위해서는 50%이상의 높이를 가지는 것이 바람직한 것이다.

이는 검사 시 요구되는 핀압이 크게 요구되지 않는 경우 폴리머 탄성재의 낭비를 막고 캔티레버 빔(200)의 자체 반력과 탄성으로 일정한 핀압을 유지하고, 온도 변화에 따라 수축, 팽창되는 폴리머 탄성층(300)에 캔티레버 빔(200)의 수평도가 영향을 받지 않아 그 수평을 일정하게 유지할 수 있는 것이다.

도 4e에서 도시한 바와 같이 폴리머 탄성층(300)은 폴리머 탄성재가 캔티레버 빔(200)의 단부로 일정부분 돌출되어 외측에서 단부를 감싸게 충진되어 캔티레버 빔(200)의 하부를 지지하도록 형성된다.

캔티레버 빔(200)이 전기전자소자의 웨이퍼 표면에 접촉하여 처짐이 발생한 후 반력과 탄성으로 원위치로 복귀할 경우 캔티레버 빔(200)의 끝단에서 그 진동이 가장 크게 발생하므로 그 끝단을 폴리머 탄성층(300)으로 감싸 형성함으로써 검사 후 캔티레버 빔(200)을 안정적으로 원위치시킬 수 있고 검사속도를 빠르게 진행시켜도 안정적이고, 정확한 검사가 가능하도록 하는 것이다.

도 4f에서 도시한 바와 같이 폴리머 탄성층(300)은 폴리머 탄성재가 탐침 팁 (210)의 뾰족한 단부만 돌출되도록 캔티레버 빔(200)의 상부로 약간 덮인 상태로 충진되어 캔티레버 빔(200)의 하부를 지지하는 형상을 가진다.

이는 폴리머 탄성층(300)으로 캔티레버 빔(200)을 감싸 그 반력과 탄성을 지지하도록 하여 검사 시 가장 강압 핀압이 요구될 경우 사용하며, 캔티레버 빔(200)을 외부 접촉으로부터 보호하여 이물질과 외부환경으로 인해 캔티레버 빔(200)이 부식되거나 손상되는 것을 방지할 수 있는 것이다.

도 4g에서 도시한 바와 같이 폴리머 탄성층(300)은 금속기단부(150)에 고정되는 캔티레버 빔(200)의 내측 단부를 밀착하여 지지하는 제 1 폴리머 탄성층(310)과, 탐침 팁(210)이 형성된 캔티레버 빔(200)의 끝단부를 밀착하여 지지하는 제 2 폴리머 탄성층(320)으로 형성된다.

도 4h에서 도시한 바와 같이 폴리머 탄성층(300)은 금속기단부(150)에 고정되는 캔티레버 빔(200)의 내측 단부를 지지하는 제 1 폴리머 탄성층(310)이 캔티레버 빔(200)의 하부에 밀착되어 지지하도록 형성되고, 탐침 팁(210)이 형성된 캔티레버 빔(200)의 끝단부를 지지하는 제 2 폴리머 탄성층(320)이 캔티레버 빔(200)과 간격을 둔 상태로 지지하도록 형성된다.

도 4i에서 도시한 바와 같이 폴리머 탄성층(300)은 금속기단부(150)에 고정되는 캔티레버 빔(200)의 내측 단부를 지지하는 제 1 폴리머 탄성층(310)이 캔티레버 빔(200)과 간격을 둔 상태로 지지하도록 형성되고, 탐침 팁(210)이 형성된 캔티레버 빔(200)의 끝단부를 지지하는 제 2 폴리머 탄성층(320)이 캔티레버 빔(200)의 하부에 밀착되어 지지하도록 형성된다.

상기한 바와 같이 폴리머 탄성층(300)이 제 1, 2 폴리머탄성층(310, 320)으로 형성될 경우 폴리머 탄성재충진공정은 캔티레버 빔(200)의 내측 단부를 지지하는 제 1 폴리머 탄성층(310)을 형성하기 위한 제 1 충진공정과, 캔티레버 빔(200)의 끝단부를 지지하는 제 2 폴리머 탄성층(320)을 형성하기 위한 제 2 충진공정으로 반복되는 것이다.

이와 같이 폴리머 탄성층(300)을 제 1, 2 폴리머탄성층(310, 320)으로 형성하는 것은 자유단인 캔티레버 빔(200)의 끝단부와 고정단인 캔티레버 빔(200)의 내측 단부에 요구되는 반력과 탄성이 다르기 때문이며, 각각에 요구되는 반력과 탄성에 따라 제 1, 2 폴리머탄성층(310, 320)의 재질과 형상을 설계 시 변경하여 형성하여 캔티레버 빔(200)을 지지할 수 있도록 하는 것이다.

도 4j에서 도시한 바와 같이 폴리머 탄성층(300)은 캔티레버 빔(200)과 기판부재(110) 사이에 다 수개 분리된 상태로 충진되어 각각 캔티레버 빔(200)을 탄성적으로 지지하도록 형성된다.

이 경우 상기 폴리머 탄성재충진공정은 캔티레버 빔(200)과 기판부재(110) 사이로 소량의 폴리머 탄성재를 충진시키는 작업을 반복하여 다 수개로 분리된 폴리머 탄성층(300)을 형성하는 것이다.

폴리머 탄성층(300)이 각각 분리되어 독립된 상태로 캔티레버 빔(200)을 지지하게 되므로 지지되는 캔티레버 빔(200) 부분에서 요구되는 반력과 탄성에 맞게 각 폴리머 탄성층(300)의 형상과 재질을 설계 시 변경하여 형성할 수 있어 캔티레버 빔(200)을 최적의 상태로 지지할 수 있도록 폴리머 탄성층(300)을 형성할 수 있 는 것이다.

또한, 폴리머 탄성층(300)이 하나의 몸체로 형성되어 캔티레버 빔(200)을 지지할 경우 작동 중 어느 한 부분에 응력이 집중되어 응력이 집중된 부분이 쉽게 파손되는 위험이 있으나, 상기와 같이 폴리머 탄성층(300)을 다 수개로 분리하여 캔티레버 빔(300)을 지지시키면 각각의 폴리머 탄성층(300)에 응력이 분산되어 작용함으로써 폴리머 탄성층(300)의 파손이나 손상을 방지하여 내구성을 증대시킬 수 있는 것이다.

폴리머 탄성재충진공정으로 형성되는 폴리머 탄성층(300)의 형상과 재질은 캔티레버 빔(200)이 요구되는 반력과 탄성에 맞게 설계 시 결정되며, 상기한 예 이외에도 설계에 맞게 폴리머 탄성층(300)의 형상을 변화시킬 수 있으며 이는 본 발명에 포함됨을 밝혀둔다.

특히, 두 개 이상의 다수의 폴리머 탄성층(300)으로 캔티레버 빔(200)을 지지하는 경우 그 각각의 폴리머 탄성재는 동일한 것을 사용할 수 있고, 각기 다른 탄성과 반력이 요구되는 경우 설계에 맞는 폴리머 탄성재를 각각 사용할 수 있다.

즉, 상기한 바와 같이 포토레지스트를 도포하고 베이킹한 후 마스크 패턴을 사용하여 원하는 형태로 패터닝한 후 노출된 부분에 도전성금속을 적층시키는 것을 반복하는 기단부형성공정과 캔티레버 빔 형성공정을 통해 간단히 금속기단부(150)와 캔티레버 빔(200)을 제조한 후 폴리머 탄성재를 세라믹판에 도포하여 간단히 캔티레버 빔(200)과 기판부재(110) 사이에 폴리머 탄성층(300)을 형성할 수 있는 것이다.

상기한 프로브 카드의 탄성 기능빔 제조 방법은 하나의 프로브 니들(100)을 제조하는 것을 설명하고 있으나 통상 마이크로 제조기술이 사용되어 수백, 수천개의 프로브 니들(100)이 파인피치를 가지고 한꺼번에 제조됨을 밝혀둔다.

한편, 상기한 본 발명에 의한 프로브 카드는 도 7에서 도시한 바와 같이 전기적 신호를 테스터기로부터 전달시키는 테스트헤드에 연결되는 인쇄회로기판(PCB ; Printed Circuit Board)(31)과, 이 인쇄회로기판(31) 아래에 위치하며 복수의 미세 인터페이스 핀(33)에 의해 전기적으로 연결된 다층 기판부재(110)와, 인쇄회로기판(31)과 복수의 인터페이스 핀 그리고 다층 기판부재(110)를 기계적으로 고정되게 잡아주는 지그(Jig)와 다층 기판부재(110) 하부면에 구비되어 전자전기 소자와 접촉하는 복수의 프로브 니들(100)을 포함한다.

이 프로브 니들(100)은 상기한 프로브 카드의 탄성 기능빔 제조 방법으로 제조되는 금속기단부(150)와, 캔티레버 빔(200)을 포함하며, 이 프로브 카드의 탄성 기능빔 구조는 기단부형성공정과 캔티레버 빔 형성공정을 거쳐 금속기단부(150)와 캔티레버 빔(200)이 제조된 후 기판부재(110) 상으로 도포되어 캔티레버 빔(200)과 기판부재(110) 사이를 충진하여 지지하는 폴리머 탄성층(300)을 포함한다.

이 기판부재(110)는 세라믹 기판을 사용하는 것을 기본으로 한다.

이 폴리머 탄성층(300)은 다 수의 미세한 완충구멍이 형성된 탄성력과 완충력을 증대시키도록 하는 것이 바람직하다.

즉, 검사 중 반도체 웨이퍼의 전극패드에 캔티레버 빔(200)의 탐침 팁(210)이 접촉하여 받는 가압력에 의해 캔티레버 빔(200)에 처짐이 발생하고 이 처짐을 폴리머 탄성층(300)이 지지할 때 완충구멍에 의해 그 가압력이 릴리즈(release)되어 그 성능을 증대시킬 수 있는 것이다.

또한 상기 폴리머 탄성층(300)은 하나의 몸체로 형성되어 캔티레버 빔(200)을 지지하도록 할 수 있으나 분리된 다수의 폴리머 탄성층(300)으로 형성되어 캔티레버 빔(200)을 지지하도록 형성할 수도 있다.

상기한 본 발명의 방법과 구조에 의하면, 첫째, 프로브 니들을 구성하는 금속구조물을 먼저 적층하여 제조한 후 폴리머 탄성재를 도포하여 폴리머 탄성층을 형성하므로 그 제조가 용이하고 공정을 단순화할 수 있어 생산성을 증대시키는 효과가 있다.

둘째, 폴리머 탄성재 적층공정 전에 고온처리공정을 거칠 수 있어 금속기단부와 캔티레버 빔을 형성하는 도전성 금속을 열처리시켜 프로브 니들의 전체 내구성을 증대시킬 수 있는 효과가 있다.

셋째, 다수의 캔티레버 빔 배열 구조에서 각 위치별 탄성과 반력이 다르게 요구될 경우 각각의 요구조건에 맞는 형상과 재질로 폴리머 탄성층을 형성할 수 있는 효과가 있다.

넷째, 폴리머 탄성층의 재질과 형상에 따라 탄성과 반력 조정이 용이하여 마이크로 캔티레버 빔의 사용범위 및 적용과 설계 안전영역이 확대되는 효과가 있다.

다섯째, 빔구조가 극초소형화되면서 발생되는 반력저하문제를 해결하여 갈수 록 극초소형화되는 전기전자소자에 대응되는 극초소형화된 캔티레버 빔의 배열구조를 가능하게 하는 효과가 있다.

여섯째, 다 수의 캔티레버 빔의 배열구조에서 외부로부터 유입되는 이물질을 폴리머 탄성층이 막아줌으로써 마이크로 캔티레버 빔이 접촉 매개체 역할을 할 경우 이물질에 의한 전기적 문제를 사전에 보호할 수 있는 효과가 있다.

Claims

기판부재(110)에 도전성 금속으로 제조되며 일정 높이를 가지는 금속기단부(150)를 형성하는 기단부형성공정과;

상기 기단부형성공정을 거쳐 형성된 금속기단부(150)의 상부에 도전성 금속으로 제조되며, 일단이 금속기단부(150)에 고정되고, 단부는 그 외측으로 돌출되어 그 단부에 탐침 팁(210)이 구비된 캔티레버 빔(200)을 형성하는 캔티레버 빔 형성공정과;

상기 캔티레버 빔 형성공정을 거쳐 형성된 캔티레버 빔(200)과 기판부재(110) 사이에 폴리머 탄성재를 충진하여 폴리머 탄성층(300)을 형성하는 폴리머 탄성재충진공정을 순차적으로 행하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 탄성 기능빔 제조 방법.
청구항 1항에 있어서, 탄성재충진공정은 캔티레버 빔(200)의 상부로 폴리머 탄성재를 도포하여 캔티레버 빔(200)과 기판부재(110) 사이에 폴리머 탄성재를 충진시키는 폴리머 탄성재도포공정과, 이 폴리머 탄성재도포공정을 거쳐 캔티레버 빔(200)의 상부를 덮은 폴리머 탄성재를 에칭시켜 캔티레버 빔(200)을 지지하고 탐침 칩을 노출시키는 형상을 가지는 폴리머 탄성층(300)을 형성하는 에치 백(etch Back)공정을 포함한 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 탄성 기능빔 제조 방법.
청구항 2항에 있어서, 상기 에치 백공정은 폴리머 탄성층(300)을 캔티레버 빔(200)의 상부로 돌출된 상태로 형성하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 탄성 기능빔 제조 방법.
청구항 2항에 있어서, 상기 에치 백공정은 폴리머 탄성층(300)을 캔티레버 빔(200)의 하부면에 밀착된 상태로 형성하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 탄성 기능빔 제조 방법.
청구항 2항에 있어서, 상기 에치 백공정은 폴리머 탄성층(300)을 캔티레버 빔(200)의 하부면과 간격을 가지는 형상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 탄성 기능빔 제조 방법.
청구항 1항에 있어서, 캔티레버 빔 형성공정 후 폴리머 탄성재충진공전 전에 금속기단부(150)와 캔티레버 빔(200)을 고온 처리하는 고온처리공정을 행하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 탄성 기능빔 제조 방법.
청구항 1항 또는 청구항 2항에 있어서, 폴리머 탄성재충진공정은 캔티레버 빔(200)의 내측 단부를 지지하는 제 1 폴리머 탄성층(310)을 형성하기 위한 제 1 충진공정과, 캔티레버 빔(200)의 끝단부를 지지하는 제 2 폴리머 탄성층(320)을 형성하기 위한 제 2 충진공정으로 반복되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 탄성 기능빔 제조 방법.
청구항 1항 또는 청구항 2항에 있어서, 상기 폴리머 탄성재충진공정은 캔티레버 빔(200)과 기판부재(110) 사이로 소량의 폴리머 탄성재를 충진시키는 작업을 반복하여 다 수개로 분리된 폴리머 탄성층(300)을 형성하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 탄성 기능빔 제조 방법.
기판부재(110)에 도전성 금속이 높이를 가지고 돌출 형성되는 금속기단부(150)와;

상기 금속기단부의 상부로 도전성 금속으로 형성되며, 일단이 금속기단부에 고정되고 단부는 일 측으로 돌출된 캔티레버 빔(200)과;

상기 캔티레버 빔(200)의 단부에 도전성 금속이 그 크기가 점차적으로 작아지도록 형성되어 단 부가 뾰족하게 형성된 탐침 팁(210)과;

상기 캔티레버 빔(200)과 기판부재(110) 사이의 공간중 일부에 폴리머 탄성재가 충진되어 형성된 폴리머 탄성층(300)을 포함한 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 탄성 기능빔 구조.
청구항 9항에 있어서, 상기 폴리머 탄성층(300)은 다 수의 미세한 완충구멍이 형성된 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 탄성 기능빔 구조.
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청구항 9항에 있어서, 상기 폴리머 탄성층(300)은 캔티레버 빔(200)의 단부에 밀착하여 지지하도록 형성된 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 탄성 기능빔 구조.
청구항 9항에 있어서, 폴리머 탄성층(300)은 캔티레버 빔(200)의 단부와 간격이 형성된 상태로 캔티레버 빔(200)의 단부를 지지하도록 형성된 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 탄성 기능빔 구조.
청구항 9항에 있어서, 상기 폴리머 탄성층(300)은 폴리머 탄성재가 캔티레버 빔(200)의 단부로 일정부분 돌출되어 외측에서 단부를 감싸게 충진되어 캔티레버 빔(200)의 하부를 지지하도록 형성된 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 탄성 기능빔 구조.
청구항 9항에 있어서, 상기 폴리머 탄성층(300)은 폴리머 탄성재가 탐침 팁(210)의 뾰족한 단부만 돌출되도록 캔티레버 빔(200)의 상부를 덮인 상태로 충진되어 캔티레버 빔(200)의 하부를 지지하는 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 탄성 기능빔 구조.
청구항 9항에 있어서, 상기 폴리머 탄성층(300)은 금속기단부(150)에 고정되는 캔티레버 빔(200)의 내측 단부를 밀착하여 지지하는 제 1 폴리머 탄성층(310)과, 탐침 팁(210)이 형성된 캔티레버 빔(200)의 끝단부를 밀착하여 지지하는 제 2 폴리머 탄성층(320)으로 형성된 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 탄성 기능빔 구조.
청구항 9항에 있어서, 상기 폴리머 탄성층(300)은 금속기단부(150)에 고정되는 캔티레버 빔(200)의 내측 단부를 지지하는 제 1 폴리머 탄성층(310)이 캔티레버 빔(200)의 하부에 밀착되어 지지하도록 형성되고, 탐침 팁(210)이 형성된 캔티레버 빔(200)의 끝단부를 지지하는 제 2 폴리머 탄성층(320)이 캔티레버 빔(200)과 간격을 둔 상태로 지지하도록 형성된 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 탄성 기능빔 구조.
청구항 9항에 있어서, 상기 폴리머 탄성층(300)은 금속기단부(150)에 고정되 는 캔티레버 빔(200)의 내측 단부를 지지하는 제 1 폴리머 탄성층(310)이 캔티레버 빔(200)과 간격을 둔 상태로 지지하도록 형성되고, 탐침 팁(210)이 형성된 캔티레버 빔(200)의 끝단부를 지지하는 제 2 폴리머 탄성층(320)이 캔티레버 빔(200)의 하부에 밀착되어 지지하도록 형성된 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 탄성 기능빔 구조.
청구항 9항에 있어서, 상기 폴리머 탄성층(300)은 분리된 다수의 폴리머 탄성층(300)으로 형성된 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 탄성 기능빔 구조.