KR100578296B1 - Inductor-Capacitor Composite Multilayer Chip Devices - Google Patents
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Abstract
본 발명은 제 1 전극, 공통전극 및 제 2 전극이 형성된 제 1 적층 시트부와, 인덕터 패턴이 형성된 제 2 적층 시트부가 적층된 적층물 및 상기 적층물 외측면에 위치하여 상기 제 1 전극, 공통 전극 및 제 2 전극과 각기 접속된 제 1 내지 제 3 외부 단자 전극을 포함하고, 상기 제 1 외부 단자 전극은 상기 인덕터 패턴의 일 단자와 상기 제 1 전극에 접속되고, 상기 제 3 외부 단자 전극은 상기 인덕터 패턴의 타 단자와 상기 제 2 전극에 접속되며, 제 1 및 제 2 전극 끝단부가 외축으로 굴절된 선 형상이거나, 판 형상인 복합 적층 칩 소자를 제공한다. 이와 같이 다수의 수동 소자들을 단일 칩 내에 결합하여, 주파수 특성을 향상시킬 수 있고, 외부의 과전압 및 정전기로부터 내부 회로를 보호할 수 있으며, 적층 칩의 패턴을 단순화할 수 있고, 내부 전극 패턴간의 간격과 패턴 형상을 변화시켜 다수 칩간의 주파수 특성 차이를 줄일 수 있으며, 인덕터와 커패시터로 구성된 다양한 형태의 필터를 제공할 수 있다.The present invention relates to a laminate in which a first laminate sheet portion in which a first electrode, a common electrode and a second electrode are formed, and a second laminate sheet portion in which an inductor pattern is formed are stacked, and the first electrode is disposed on an outer surface of the laminate. First and third external terminal electrodes respectively connected to the electrode and the second electrode, wherein the first external terminal electrode is connected to one terminal of the inductor pattern and the first electrode, and the third external terminal electrode is Provided is a composite stacked chip device connected to the other terminal of the inductor pattern and the second electrode and having a linear or plate shape in which the first and second electrode ends are refracted by an outer axis. By combining multiple passive elements in a single chip, it is possible to improve frequency characteristics, protect internal circuits from external overvoltage and static electricity, simplify the pattern of stacked chips, and space between internal electrode patterns. By varying the shape and the pattern, it is possible to reduce the difference in frequency characteristics between the multiple chips and provide various types of filters composed of inductors and capacitors.
적층 칩, 배리스터, 인덕터, 커패시터, 필터 Multilayer Chips, Varistors, Inductors, Capacitors, Filters
Description
도 1은 본 발명에 따른 소자의 주파수 특성을 설명하기 위한 그래프.1 is a graph for explaining the frequency characteristics of the device according to the present invention.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 적층 칩 소자의 제조 공정도.2 is a manufacturing process diagram of the stacked chip device according to the first embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 적층 칩 소자의 등가 회로도. 3 is an equivalent circuit diagram of a stacked chip device according to a first embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 적층 칩 소자의 제조 공정도.4 is a manufacturing process diagram of the laminated chip device according to the second embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 적층 칩 소자의 제조 공정도.5 is a manufacturing process diagram of the laminated chip device according to the third embodiment of the present invention.
도 6은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 적층 칩 소자의 제조 공정도.6 is a manufacturing process diagram of the laminated chip device according to the fourth embodiment of the present invention.
도 7은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 적층 칩 소자의 제조 공정도.7 is a manufacturing process diagram of the laminated chip device according to the fifth embodiment of the present invention.
도 8a 및 도 8b는 본 발명의 제 6 실시예에 따른 적층 칩 소자의 제조 공정도.8A and 8B are manufacturing process diagrams of a stacked chip device according to a sixth embodiment of the present invention.
도 9a 및 도 9b는 본 발명의 제 7 실시예에 따른 적층 칩 소자의 제작 공정도. 9A and 9B are manufacturing process diagrams of a stacked chip device according to a seventh embodiment of the present invention.
도 10은 본 발명의 제 7 실시예에 따른 적층 칩 소자의 등가 회로도. 10 is an equivalent circuit diagram of a stacked chip device according to a seventh embodiment of the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
전극 : 11, 31, 121, 122, 211, 231, 311, 331, 411, 431, 511, 531, 611, 631, 711, 731, 811, 831, 921Electrodes: 11, 31, 121, 122, 211, 231, 311, 331, 411, 431, 511, 531, 611, 631, 711, 731, 811, 831, 921
공통전극 : 21, 111, 131, 221, 321, 421, 521, 621, 721, 821, 911Common electrode: 21, 111, 131, 221, 321, 421, 521, 621, 721, 821, 911
인덕터 패턴 : 50, 150, 250, 350, 450, 550, 650, 750, 951, 952, 953, 954, 951a, 952a, 951, 952, 953, 954, 951a, 952aInductor pattern: 50, 150, 250, 350, 450, 550, 650, 750, 951, 952, 953, 954, 951a, 952a, 951, 952, 953, 954, 951a, 952a
본 발명은 인덕터-커패시터 복합 적층 칩 소자에 관한 것으로, 고주파 특성이 우수하며, 목적에 따라 여러 가지 소자를 결합하여 원하는 전기적 특성이 있도록 제작할 수 있는 적층 칩 소자에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an inductor-capacitor composite multilayer chip device. The present invention relates to a multilayer chip device that is excellent in high frequency characteristics and that can be fabricated to combine desired elements to have desired electrical characteristics.
전자회로에 있어서 대표적인 수동소자로서는 저항(R), 커패시터(C), 인덕터(L)가 있으며 이들 수동소자의 기능과 역할은 매우 다양하다. 예를 들면, 저항은 회로에 흐르는 전류의 흐름을 제어하며 교류회로에 있어서는 임피던스 정합(Impedance matching)을 이루는 역할을 하기도 한다. 커패시터는 기본적으로 직류를 차단하고 교류 신호는 통과시키는 역할을 하나 시정수 회로, 시간 지연 회로, RC 및 LC 필터 회로를 구성하기도 하며 커패시터 자체로 노이즈(Noise)를 제거하는 역할을 하기도 한다. 인덕터의 경우는 고주파 노이즈(Noise)의 제거, 임피던스 정 합 등의 기능을 수행한다.Representative passive elements in electronic circuits include resistors (R), capacitors (C), and inductors (L), and their functions and roles vary widely. For example, the resistor controls the flow of current through the circuit and also plays a role in achieving impedance matching in the AC circuit. Capacitors basically block DC and pass AC signals, but they also form time constant circuits, time delay circuits, RC and LC filter circuits, and the capacitor itself also removes noise. In the case of the inductor, it removes high frequency noise and performs impedance matching.
또한 배리스터 소자는 인가전압에 따라 저항이 변하기 때문에 과전압(서지 전압) 및 정전기로부터 중요 전자 부품과 회로를 보호하는 보호용 소자로 널리 사용되고 있다. 즉, 평소에는 회로 내에 배치된 배리스터 소자에는 전류가 흐르지 않지만 특정한 전압 이상의 과전압이나 낙뢰 등에 의하여 배리스터 소자의 양단에 과전압이 걸리면 배리스터 소자의 저항이 급격히 감소하여 거의 모든 전류가 배리스터 소자에 흐르게 되고, 다른 소자에는 전류가 흐르지 않게 되어 상기 회로는 과전압으로부터 보호된다. 이와 같은 배리스터 소자는 특히 최근에는 전자기기의 소형화에 대응하여 고집적 회로 칩 소자 등을 정전기 및 과전압으로부터 보호하기 위하여 소형화, 어레이화 되는 추세에 있다. In addition, the varistor element is widely used as a protection element to protect important electronic components and circuits from overvoltage (surge voltage) and static electricity because the resistance changes according to the applied voltage. In other words, current does not flow to a varistor element disposed in a circuit, but if an overvoltage is applied to both ends of a varistor element due to an overvoltage or lightning strike over a certain voltage, the resistance of the varistor element is rapidly decreased, and almost all currents flow through the varistor element. No current flows through the device, which protects the circuit from overvoltages. In particular, such varistor devices have recently been miniaturized and arrayed in order to protect high integration circuit chip devices from static electricity and overvoltage in response to the miniaturization of electronic devices.
위와 같은 배리스터 소자와 저항 소자와의 결합으로 과전압으로부터의 중요한 전자 부품이나 회로를 효율적으로 보호할 수 있을 뿐만 아니라, 배리스터 소자와 인덕터 소자와의 결합으로 노이즈 성분을 제거할 수 있어, 전자 부품이나 회로의 안정된 동작을 보장할 수 있다. The combination of the varistor element and the resistance element as described above not only effectively protects important electronic components and circuits from overvoltage, but also eliminates noise components by combining the varistor element and inductor elements. Can ensure stable operation.
과전압이 인가되지 않은 상태에서 저항-배리스터 결합 소자는 저항-커패시터의 결합 소자 기능을 수행한다. 또한 인덕터-배리스터의 결합은 고주파 노이즈 제거 특성이 양호한 인덕터-커패시터로 이루어지는 파이(π)형 필터를 구현할 수 있다. 이러한 저항-배리스터 결합 소자나 인덕터-배리스터 결합 소자는 회로 내의 이상 과전압이 유입되면 즉시 배리스터의 기능이 발현되어 상술한 바와 같이 과전압을 차단하게 된다. 일반적으로 대표적인 수동소자인 저항, 인덕터, 커패시터 이 세 소자의 적절한 결합으로 회로 내에서 임피던스 매칭 및 고주파-저주파 노이즈 제거 혹은 특정 주파수대의 신호를 선택하는 기능을 수행할 수 있다. In the absence of an overvoltage, the resistor-varistor coupling element performs the coupling element function of the resistor-capacitor. In addition, the combination of the inductor-varistor can realize a pi (π) type filter made of an inductor-capacitor with good high frequency noise rejection. Such a resistance-varistor coupling element or an inductor-varistor coupling element immediately exhibits the function of a varistor when an abnormal overvoltage flows in a circuit, thereby blocking the overvoltage as described above. In general, typical passive devices, such as resistors, inductors, and capacitors, can be properly combined with each other to perform impedance matching, high frequency and low frequency noise cancellation, or select a signal in a specific frequency band.
도 1은 수동소자를 이용한 파이형 고주파 노이즈 제거 필터(Low Pass Filter)의 특성을 나타낸 그래프로서, 실선은 인턱터(L)와 커패시터(C)로 구성된 파이형 필터(LC형)의 특성을 나타낸 것이고, 점선은 저항(R)과 커패시터(C)로 구성된 파이형 필터(RC)의 특성을 나타낸 것이다. 도 1에 도시된 바와 같이 파이형 필터라도 LC형이 L성분으로 인해 컷-오프(Cut-off)특성이 양호한 체비셰프(Chebyshev) 특성을 보이고 있다. 컷-오프 주파수 이후 급격히 삽입 손실이 떨어지는 것을 할 수 있다. 또한, 저항 성분에 의한 신호 감쇄가 없음을 확인할 수 있다. 하지만, 디지털 신호의 입장에서는 과도한 L값으로 인해 오버슈팅(Overshooting)이나 신호의 군지연등의 문제가 발생한다. 또한, RC형의 경우에는 R성분에 의한 신호 감쇄가 발생하는 문제가 있다. 최근 휴대폰에서 노이즈대역은 주 캐리어 주파수대인 800MHz 내지 1.8GHz로 고정되어 있다. 즉, 음성이나 영상 신호 입장에서는 이 주파수대의 성분은 노이즈로 작용한다. 음성이나 영상신호의 주파수는 고속 데이터 전송의 요구가 강해지면서 점점 더 고주파화 되고 있다. 따라서, 고주파 노이즈도 제거하면서 이러한 베이스 밴드 처리 주파수를 높이려면 LC형과 같이 컷-오프 특성이 양호한 저역 통과 필터의 필요성이 대두되고 있다. FIG. 1 is a graph showing the characteristics of a low pass filter of a pie type high frequency noise filter using a passive element, and the solid line shows the characteristics of a pie type filter (LC type) including an inductor (L) and a capacitor (C). , Dotted line shows the characteristic of the piezoelectric filter (RC) consisting of a resistor (R) and a capacitor (C). As shown in FIG. 1, the LC type of the piezoelectric filter exhibits a good Chebyshev characteristic due to the L component. It is possible to drastically reduce the insertion loss after the cut-off frequency. In addition, it can be confirmed that there is no signal attenuation due to the resistance component. However, from the standpoint of digital signals, problems such as overshooting or group delay of signals occur due to excessive L values. In the case of the RC type, there is a problem that signal attenuation occurs due to the R component. In recent mobile phones, the noise band is fixed at 800MHz to 1.8GHz, which is the main carrier frequency band. In other words, components of this frequency band act as noise from an audio or video signal point of view. The frequency of audio and video signals is getting higher and higher as the demand for high-speed data transmission increases. Therefore, there is a need for a low pass filter having good cut-off characteristics such as the LC type to increase the baseband processing frequency while removing high frequency noise.
저역 통과 필터 회로를 포함한 전자 회로에서 상기 수동 소자를 각각의 단일 소자로 사용하는 경우에는 전류가 흐르는 도선의 길이가 길어지게 되어, 등가 직렬 인덕턴스 값 및 등가 직렬 리지스턴스 값이 달라진다. 따라서 고주파 전류가 잘 흐 르지 않게 되는 경우가 발생하며, 상기 각각의 소자들이 소모하는 전력 때문에 삽입 손실이 커지는 현상이 발생하기도 한다. 이러한 이유로 여러 가지 소자가 결합된 적층 칩 소자가 개발되고 있다. When the passive element is used as each single element in an electronic circuit including a low pass filter circuit, the length of the conducting wire through which the current flows becomes long, so that the equivalent series inductance value and the equivalent series resistance value are different. Therefore, a high frequency current does not flow well, and the insertion loss may increase due to the power consumed by each device. For this reason, a multilayer chip device in which various devices are combined has been developed.
그러나 종래의 적층 칩 소자는 회로 시스템에서 요구하는 여러 가지 특성 예를 들면 공진 주파수, 삽입 손실, 등가 직렬저항 등을 목적하는 용도에 맞추어 정확히 조절하는 것이 어렵다. However, it is difficult for the conventional stacked chip device to precisely adjust various characteristics required for the circuit system, for example, resonance frequency, insertion loss, equivalent series resistance, and the like to the intended use.
또한, 종래의 적층 칩 소자에서는 제조 공정상의 복잡성과 어려움으로 단일 칩 내에 이종의 소자를 결합시켜 복합 칩으로 제조하기 어렵고, 여러 소자를 단일 칩 내에 복수개 수용할 수 있는 어레이화가 어렵다는 문제점이 있다. In addition, in the conventional stacked chip device, due to the complexity and difficulty in the manufacturing process, it is difficult to manufacture a heterogeneous chip by combining heterogeneous devices in a single chip, and it is difficult to form a plurality of devices that can accommodate a plurality of devices in a single chip.
따라서, 본 발명의 목적은 상기의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 다수의 수동 소자들을 단일 칩 내에 결합하여, 주파수 특성을 향상시킬 수 있고, 외부의 과전압 및 정전기로부터 내부 회로를 보호할 수 있으며, 적층 칩의 패턴을 단순화 할 수 있고, 다수의 칩을 어레이 형으로 제작할 경우, 다수 칩간의 주파수 특성 차이를 줄일 수 있는 복합 적층 칩 소자를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Accordingly, an object of the present invention is to solve the above problems, by combining a plurality of passive elements in a single chip, it is possible to improve the frequency characteristics, to protect the internal circuit from external overvoltage and static electricity, lamination It is an object of the present invention to provide a composite multilayer chip device capable of simplifying a chip pattern and reducing a difference in frequency characteristics between a plurality of chips when a plurality of chips are manufactured in an array type.
본 발명의 다른 목적은 고주파 특성이 우수하면서 다양한 커패시턴스 값을 원하는 대로 갖도록 제작할 수 있는 적층 칩 소자를 제공하는 것을 그 목적으로 한다. Another object of the present invention is to provide a laminated chip device that can be manufactured to have various high capacitance values as desired while having excellent high frequency characteristics.
또한, 본 발명의 또 다른 목적은 고가의 반도체 집적 회로와 중요 전자 부품 을 과전압 및 정전기로부터 효율적으로 보호하기 위한 배리스터 소자 및 여러 가지 소자를 결합시켜 제조한 적층 칩 소자를 제공하는 것을 그 목적으로 한다. Another object of the present invention is to provide a varistor device and a multilayer chip device fabricated by combining various devices for efficiently protecting expensive semiconductor integrated circuits and critical electronic components from overvoltage and static electricity. .
본 발명에 따른 제 1 전극, 공통전극 및 제 2 전극이 형성된 제 1 적층 시트부와, 인덕터 패턴이 형성된 제 2 적층 시트부가 적층된 적층물 및 상기 적층물 외측면에 위치하여 상기 제 1 전극, 공통 전극 및 제 2 전극과 각기 접속된 제 1 내지 제 3 외부 단자 전극을 포함하고, 상기 제 1 외부 단자 전극은 상기 인덕터 패턴의 일 단자와 상기 제 1 전극에 접속되고, 상기 제 3 외부 단자 전극은 상기 인덕터 패턴의 타 단자와 상기 제 2 전극에 접속되며, 제 1 및 제 2 전극 끝단부가 외축으로 굴절된 선 형상인 복합 적층 칩 소자를 제공한다. The first electrode, the first electrode, the common electrode and the second electrode and the second laminated sheet portion formed with a second electrode, the inductor pattern formed second laminated sheet portion is laminated and the first electrode is located on the outer surface of the laminate, And first to third external terminal electrodes respectively connected to the common electrode and the second electrode, wherein the first external terminal electrode is connected to one terminal of the inductor pattern and the first electrode, and the third external terminal electrode. Is connected to the other terminal of the inductor pattern and the second electrode, and provides a composite multilayer chip device having linear shapes in which end portions of the first and second electrodes are refracted by the outer axis.
또한, 본 발명에 따른 제 1 전극, 공통전극 및 제 2 전극이 형성된 제 1 적층 시트부와, 인덕터 패턴이 형성된 제 2 적층 시트부가 적층된 적층물 및 상기 적층물 외측면에 위치하여 상기 제 1 전극, 공통 전극 및 제 2 전극과 각기 접속된 제 1 내지 제 3 외부 단자 전극을 포함하고, 상기 제 1 외부 단자 전극은 상기 인덕터 패턴의 일 단자와 상기 제 1 전극에 접속되고, 상기 제 3 외부 단자 전극은 상기 인덕터 패턴의 타 단자와 상기 제 2 전극에 접속되며, 제 1 및 제 2 전극은 판 형상인 복합 적층 칩 소자를 제공한다. In addition, the first laminated sheet portion formed with the first electrode, the common electrode and the second electrode according to the present invention, the second laminated sheet portion formed with the inductor pattern is laminated and the laminate is located on the outer surface of the first And first to third external terminal electrodes respectively connected to an electrode, a common electrode, and a second electrode, wherein the first external terminal electrode is connected to one terminal of the inductor pattern and the first electrode, and the third external terminal. The terminal electrode is connected to the other terminal of the inductor pattern and the second electrode, and the first and second electrodes provide a composite multilayer chip device having a plate shape.
여기서, 상기 적층물은, 상기 제 1 전극이 형성된 제 1 적층 시트와, 상기 공통 전극이 형성된 제 2 적층 시트와, 상기 제 2 전극이 형성된 제 3 적층 시트 및 상기 인덕터 패턴이 형성된 인덕터 적층 시트부를 포함하고, 상기 제 1 내지 제 3 적층 시트는 상기 제 1 및 제 2 전극의 일부가 상기 공통전극과 각각 중첩되도록 적층될 수 있다. The laminate may include a first laminate sheet on which the first electrode is formed, a second laminate sheet on which the common electrode is formed, a third laminate sheet on which the second electrode is formed, and an inductor laminate sheet on which the inductor pattern is formed. The first to third laminate sheets may be stacked such that portions of the first and second electrodes overlap with the common electrode, respectively.
상기의 인덕터 적층 시트부는, 제 1 인덕터 패턴이 형성된 제 1 인덕터 적층 시트와, 제 2 인덕터 패턴이 형성되고, 상기 제 1 및 제 2 인덕터 패턴 간을 연결하는 제 1 관통공이 형성된 제 2 인덕터 적층 시트 및 제 3 인덕터 패턴이 형성되고, 상기 제 2 및 제 3 인덕터 패턴 간을 연결하는 제 2 관통공이 형성된 제 3 인덕터 적층 시트를 포함하는 것이 바람직하다. 이때, 상기 인덕터 패턴은 직선형, 굴절된 직선형 또는 사행형일 수 있다. The inductor laminated sheet part may include a first inductor laminated sheet on which a first inductor pattern is formed, a second inductor laminated sheet on which a second inductor pattern is formed, and a first through hole connecting the first and second inductor patterns. And a third inductor laminated sheet having a third inductor pattern formed thereon and a second through hole connecting the second and third inductor patterns. In this case, the inductor pattern may be straight, refracted straight or meandering.
그리고, 상기 인덕터 적층 시트부는, 나선형의 인덕터 패턴이 형성된 제 1 인덕터 적층 시트 및 가교 패턴이 형성되고, 인덕터 패턴과 가교 패턴 간을 연결하는 관통공이 형성된 제 2 인덕터 적층 시트를 포함하는 것이 바람직하다. The inductor laminated sheet part may include a first inductor laminated sheet having a spiral inductor pattern and a second inductor laminated sheet having a crosslinking pattern formed thereon and a through hole connecting the inductor pattern and the crosslinking pattern.
이때, 상기 제 1 및 제 2 전극 각각은 상기 제 1 적층 시트 및 제 3 적층 시트의 중앙을 기준으로 각기 2개씩의 전극이 양측에 형성되고, 중앙에 위치된 두번째와 세번째의 제 1 및 제 2 전극이 인접되어 있는 것이 효과적이다. In this case, each of the first and second electrodes has two electrodes formed on both sides with respect to the center of the first laminated sheet and the third laminated sheet, respectively, and the second and third first and second electrodes positioned at the center are respectively formed. It is effective that the electrodes are adjacent.
상기의 적층물은, 상기 공통 전극이 형성된 제 1 적층 시트와, 상기 제 1 및 제 2 전극 쌍이 서로 이격 되도록 형성된 제 2 적층 시트 및 상기 인덕터 패턴이 형성된 인덕터 적층 시트부를 포함하고, 상기 제 1 내지 제 3 적층 시트는 상기 제 1 및 제 2 전극 쌍의 일부가 상기 공통전극과 각각 중첩되도록 적층될 수 있다. 여기서, 상기 인덕터 적층 시트부는, 제 1 인덕터 패턴이 형성된 제 1 인덕터 적층 시트와, 제 2 인덕터 패턴이 형성되고, 상기 제 1 및 제 2 인덕터 패턴 간을 연결하는 제 1 관통공이 형성된 제 2 인덕터 적층 시트 및 제 3 인덕터 패턴이 형성되고, 상기 제 2 및 제 3 인덕터 패턴 간을 연결하는 제 2 관통공이 형성된 제 3 인덕터 적층 시트를 포함하는 것이 바람직하다. 이때, 상기 인덕터 패턴은 직선형, 굴절된 직선형 및 사행형 중 적어도 어느 하나 일 수 있다. The laminate includes a first laminate sheet on which the common electrode is formed, a second laminate sheet formed so that the first and second electrode pairs are spaced apart from each other, and an inductor laminate sheet portion on which the inductor pattern is formed. The third laminated sheet may be laminated so that a part of the first and second electrode pairs overlap the common electrode. Here, the inductor stacking sheet part may include a first inductor stacking sheet in which a first inductor pattern is formed, a second inductor stacking in which a second inductor pattern is formed, and a first through hole connecting the first and second inductor patterns. The sheet and the third inductor pattern is formed, it is preferable to include a third inductor laminated sheet having a second through hole for connecting between the second and third inductor pattern. In this case, the inductor pattern may be at least one of a straight line, a curved straight line, and a meandering line.
그리고, 상기 인덕터 적층 시트부는, 나선형의 인덕터 패턴이 형성된 제 1 인덕터 적층 시트 및 가교 패턴이 형성되고, 인덕터 패턴과 가교 패턴 간을 연결하는 관통공이 형성된 제 2 인덕터 적층 시트를 포함하는 것이 바람직하다. 상기의 제 1 및 제 2 전극은 상기 제 2 적층 시트의 중앙을 기준으로 각기 2개씩의 전극이 양측에 형성되고, 중앙에 위치된 두번째와 세번째의 제 1 및 제 2 전극이 인접되어 있는 것이 효과적이다. The inductor laminated sheet part may include a first inductor laminated sheet having a spiral inductor pattern and a second inductor laminated sheet having a crosslinking pattern formed thereon and a through hole connecting the inductor pattern and the crosslinking pattern. In the first and second electrodes, two electrodes are formed on both sides with respect to the center of the second laminated sheet, and the second and third first and second electrodes positioned at the center are adjacent to each other. to be.
앞서 설명한, 상기 적층 칩 소자는 복수개가 병렬로 배치되어 단일칩 내에 어레이형으로 제조될 수 있다. 상기 제 1 적층 시트부는 배리스터 시트인 것이 효과적이다. As described above, the multilayer chip device may be manufactured in an array type in a single chip by being arranged in parallel. It is effective that a said 1st laminated sheet part is a varistor sheet.
또한, 본 발명에 따른 일 전극 및 공통 전극이 형성된 제 1 적층 시트부와, 인덕터 패턴이 형성된 제 2 적층 시트부가 적층된 적층물 및 상기 적층물 외측면에 위치한 제 1 내지 제 3 외부 단자 전극을 포함하고, 상기 제 1 및 제 3 외부 단자 전극 사이에 상기 인덕터 패턴이 직렬 접속되고, 상기 일 전극은 직렬 접속된 인덕터 패턴 사이 노드에 접속되고, 상기 공통 전극은 제 2 외부 단자 전극에 접속된 복합 적층 칩 소자를 제공한다. In addition, a laminate in which one electrode and a common electrode according to the present invention are formed, a laminate in which a second laminate sheet portion in which an inductor pattern is formed is laminated, and first to third external terminal electrodes disposed on an outer surface of the laminate may be formed. Wherein the inductor pattern is connected in series between the first and third external terminal electrodes, the one electrode is connected to a node between the inductor patterns connected in series, and the common electrode is connected to a second external terminal electrode. Provided is a stacked chip device.
여기서 상기 적층물은, 제 1 인덕터 패턴이 형성된 제 1 인덕터 적층 시트부와, 상기 제 1 인덕터 패턴의 일부와 접속되는 제 1 연결 관통공과 상기 공통 전극이 형성된 제 1 적층 시트와, 상기 일 전극이 형성되고, 상기 일 전극과 상기 제 1 연결 관통공을 연결하는 제 2 연결 관통공이 형성된 제 2 적층 시트 및 제 2 인덕터 패턴이 형성되고, 상기 제 2 인덕터 패턴 및 일 전극을 연결하는 제 1 관통공이 형성된 제 2 인덕터 적층 시트부를 포함하고, 상기 제 1 및 제 2 적층 시트는 상기 일 전극의 일부가 상기 공통 전극과 각기 중첩되도록 적층되는 것이 바람직하다. 이때, 상기 제 1 및 제 2 인덕터 패턴은 직선형, 굴절된 직선형 및 사행형 중 적어도 어느 하나인 것이 효과적이다. The laminate may include a first inductor laminated sheet portion having a first inductor pattern, a first connecting through hole connected to a portion of the first inductor pattern, a first laminated sheet having the common electrode formed thereon, and the one electrode And a second laminated sheet and a second inductor pattern having a second connection through hole connecting the one electrode and the first connection through hole to each other, and a first through hole connecting the second inductor pattern and one electrode. It includes a second inductor laminated sheet portion formed, wherein the first and second laminated sheet is preferably laminated so that a portion of the one electrode overlaps with the common electrode, respectively. In this case, the first and second inductor patterns are preferably at least one of a straight line, a curved straight line and a meandering line.
상기 제 1 및 제 2 인덕터 적층 시트부 각각은, 일 단면에서 연장된 제 1 직선형의 인덕터 패턴이 형성된 제 1 인덕터 적층 시트와, 상기 제 1 직선형의 인덕터 패턴의 타 끝단과 접속하는 제 2 관통공과, 상기 제 2 관통공에서 연장된 제 2 직선형의 인덕터 패턴이 형성된 제 2 인덕터 적층 시트를 포함하는 것이 효과적이다. 그리고, 상기 제 1 및 제 2 인덕터 적층 시트부 각각은, 나선형의 인덕터 패턴이 형성된 제 1 인덕터 적층 시트 및 가교 패턴이 형성되고, 인덕터 패턴과 가교 패턴 간을 연결하는 관통공이 형성된 제 2 인덕터 적층 시트를 포함하는 것이 효과적이다. 상기의 일 전극은 직선형상, 끝단부가 굴절된 형상 및 판 형상 중 어느 하나의 형상인 복합 적층 칩 소자.Each of the first and second inductor laminated sheet portions may include a first inductor laminated sheet having a first linear inductor pattern extending from one cross section, a second through hole connected to the other end of the first linear inductor pattern; It is effective to include a second inductor laminated sheet on which a second linear inductor pattern extending from the second through hole is formed. Each of the first and second inductor laminated sheets may include a first inductor laminated sheet having a spiral inductor pattern and a second inductor laminated sheet having a crosslinking pattern formed thereon, and through holes connecting the inductor pattern and the crosslinking pattern. It is effective to include. Said one electrode is any one of a linear shape, the shape of which the edge part is refracted, and plate shape, The composite laminated chip element.
상기 적층 칩 소자는 복수개가 병렬로 배치되어 단일칩 내에 어레이형으로 제조될 수 있다. 상기 제 1 적층 시트부는 배리스터 시트인 것이 바람직하다. The plurality of stacked chip devices may be arranged in parallel and manufactured in an array in a single chip. It is preferable that a said 1st laminated sheet part is a varistor sheet.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention in more detail. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and to those skilled in the art to fully understand the scope of the invention. It is provided to inform you. Like numbers refer to like elements in the figures.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 적층 칩 소자의 제조 공정도이고, 도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 적층 칩 소자의 등가 회로도이다. 2 is a manufacturing process diagram of the stacked chip device according to the first embodiment of the present invention, Figure 3 is an equivalent circuit diagram of the stacked chip device according to the first embodiment of the present invention.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명이 제 1 실시예에 따른 적층 칩 소자는 다수의 제 1 전극(11)이 형성된 제 1 적층 시트(10)와, 공통전극(21)이 형성된 제 2 적층 시트(20)와, 다수의 제 2 전극(31)이 형성된 제 3 적층 시트(30)와, 다수의 인덕터 패턴(50)이 형성된 적층 시트부(40)와, 하부 패턴을 보호하는 제 4 적층 시트(60)를 포함한다. 이때, 제 1 전극(11)과 접속된 제 1 외부 단자 전극(81)과, 공통전극(21)과 접속된 제 2 외부 단자 전극(82)과, 제 2 전극(31)과 접속된 제 3 외부 단자 전극(83)을 더 포함한다. 여기서, 인덕터 패턴(50)은 제 1 및 제 3 외부 단자 전극(81, 83) 사이에 병렬 접속되어 있는 것이 바람직하다. 2 and 3, the stacked chip device according to the first exemplary embodiment of the present invention may include a first
제 1 내지 제 4 적층 시트(10, 20, 30, 60) 및 적층 시트부(40)는 동일한 크기의 절연성 물질시트를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 제 1 내지 제 3 적층 시트(10, 20, 30), 적층 시트부(40) 및 제 4 적층 시트(60)가 순차적으로 적층되어 있다. 본 실시예에서는 제 1 및 제 3 적층 시트(10, 30) 상에는 각기 4개의 제 1 및 제 2 전극(11, 31)이 형성된다. 이에 따라 인덕터 패턴(50)도 이와 동일한 개수로 형성되고, 도면에서는 이들을 포함하는 단일 칩 4개가 어레이된 형상을 도시하였다. 본 발명의 복합 적층 칩 소자는 이에 한정되지 않고, 적어도 한 개 이상의 배리스터 커패시터 및 인덕터를 포함한다. It is preferable that the first to fourth
제 1 전극(11)은 제 1 적층 시트(10)의 일 단면에서 소정 길이 연장되어 있고, 제 2 전극(31)은 제 3 적층 시트(30)의 타 단면에서 소정 길이 연장되어 있다. 이로써, 상기의 시트들이 적층 될 경우, 적층된 시트의 일 측면과 타 측면에 각기 제 1 및 제 2 전극(11, 31)이 노출되도록 할 수 있다. The
제 1 및 제 2 전극(11, 31)은 끝단이 외측으로 굴절된 직선형상으로 형성하는 것이 바람직하다. 이를 통해 공통 단자와의 쇼트 위험을 없앨 수 있다. 또한, 적층 시트의 중앙을 기준으로 각기 2개씩의 전극이 양측에 형성되고, 양측 전극들의 굴절된 양상이 대칭되어 있는 것이 효과적이다. 제 1 및 제 2 전극(11, 31)들 사이의 주파수 특성차이를 없애기 위해 중앙에 위치된 두번째와 세번째의 제 1 및 제 2 전극(11, 31)은 인접되어 있는 것이 바람직하다. 즉, 두번째와 세번째의 제 1 및 제 2 전극(11, 31) 간의 거리가 첫번째와 두번째의 제 1 및 제 2 전극(11, 31) 간의 거리와 세번째와 네번째의 제 1 및 제 2 전극(11, 31) 간의 거리보다 더 좁게 형성한다. 이상에서, 두번째 및 세번째는 시트의 중앙에 위치된 2개를 의미하고, 첫번째와 네번째는 상기 두번째 및 세번째의 외측에 위치된 것을 각각 의미한다. 이는 이하에서도 동일하게 적용된다. It is preferable that the first and
물론 이에 한정되지 않고, 복수의 단위 소자가 병렬로 배열되어 하나의 칩으로 제조된 복합 적층 칩 소자에 있어서, 단위 소자의 주파수 특성의 차이를 감소시키기 위해 전극들 간의 간격이 동일할 수도 있고 서로 다를 수가 있다. 예를 들어 첫번째와 두번째 그리고, 세번째와 네번째의 제 1 및 제 2 전극(11, 31) 간이 인접되어 있을 수 있다. Of course, the present invention is not limited thereto, and in a multi-layer chip device in which a plurality of unit devices are arranged in parallel and manufactured as a single chip, intervals between electrodes may be the same or different from each other to reduce a difference in frequency characteristics of the unit devices. There is a number. For example, the first and second and third and fourth first and
상술한 바와 같이 전극들 간의 간격을 조절하여 어레이된 칩의 주파수 특성차를 줄일 수 있고, 전극의 끝단을 굴절시켜 적층체의 외부로 노출된 전극들간의 간격을 일정하게 하여 외부 전극간의 간격을 일정하게 유지할 수 있다. As described above, the distance between the electrodes can be adjusted to reduce the frequency characteristic difference of the arrayed chips, and the ends of the electrodes are refracted to make the interval between the electrodes exposed to the outside of the stack constant so that the distance between the external electrodes is constant. I can keep it.
공통전극(21)은 제 2 적층 시트(20) 상에 판형상으로 형성하되, 다수의 제 1 및 제 2 전극(11, 31)과 교차하는 방향으로 형성하는 것이 바람직하다. 즉, 제 1 및 제 2 전극(11, 31)이 종방향으로 뻗어 있는 끝이 굴절된 직선형상이라면, 공통전극(21)은 횡방향의 길이가 긴 판 형상으로 형성한다. 또한, 제 2 적층 시트(20)의 양 단면에 공통전극(21)의 일부가 노출되도록 하여 다수의 시트들이 적층 될 경우, 제 1 및 제 2 전극(11, 31)이 노출된 측면이 아닌 다른 양 측면을 통해 공통전극(21)이 노출되도록 한다. 또한, 공통전극(21)의 일부와 제 1 및 제 2 전극(11, 31)이 중첩되어 있다. 이때, 제 1 및 제 2 전극(11, 31)의 직선영역이 공통전극(21)과 중첩되는 것이 바람직하다. The
앞서 설명한 인덕터 패턴(50)이 형성된 적층 시트부(40)는 제 1 인덕터 패턴(51)이 형성된 제 1 인덕터 적층 시트(41)와, 제 2 인덕터 패턴(52)이 형성되고, 제 2 인덕터 패턴(52)과 제 1 인덕터 패턴(51) 간의 접속을 위한 제 1 관통공(53) 이 형성된 제 2 인덕터 적층 시트(42)와, 제 3 인덕터 패턴(54)이 형성되고, 제 3 인덕터 패턴(54)과 제 2 인덕터 패턴(52) 간의 접속을 위한 제 2 관통공(55)이 형성된 제 3 인덕터 적층 시트(43)를 포함한다. In the
제 1 인덕터 패턴(51)은 제 1 인덕터 적층 시트(41)의 일 단면에서 연장된 'ㄷ'자형으로 형성하는 것이 바람직하다. 즉, 도 2의 (a)에 도시된 바와 같이 제 1 인덕터 패턴(51)은 제 1 인덕터 적층 시트(41)의 일단면에서 연장된 제 1 선과, 제 1 선의 끝단에서 굴절 연장된 제 2 선과, 제 2 선과 접속되어 제 1 선과 평행하게 연장된 제 3 선을 포함한다. 제 2 인덕터 패턴(52)은 제 1 관통공(53)과 그 일부가 중첩되는 'ㄷ'자형으로 형성하고, 제 1 인덕터 패턴(51)과 제 1 관통공(53)을 통해 접속되는 것이 바람직하다. 즉, 도 2의 (a)에 도시된 바와 같이 제 1 관통공(53)은 제 1 인덕터 패턴(51)의 제 3 선의 끝단과 중첩되도록 형성한다. 제 2 인덕터 패턴(52)은 제 1 관통공(53)에서 연장된 제 1 선과, 제 1 선의 끝단에서 굴절 연장된 제 2 선과, 제 2 선의 끝단에서 굴절 연장된 제 3 선을 포함한다. 제 3 인덕터 패턴(54)은 제 3 인덕터 적층 시트(43)의 타 단면에서 연장되어 제 2 관통공(55)과 그 일부가 중첩되는 'ㄷ'자 형으로 형성하여 제 2 인덕터 패턴(52)과 제 2 관통공(55)을 통해 접속되는 것이 바람직하다. 즉, 도 2의 (a)에 도시된 바와 같이 제 2 관통공(55)은 제 2 인덕터 패턴(52)의 제 3 선의 끝단과 중첩되도록 형성한다. 제 3 인덕터 패턴(54)은 제 2 관통공(55)에서 연장된 제 1 선과, 제 1 선의 끝단에서 굴절 연장된 제 2 선과, 제 2 선에서부터 제 3 인덕터 적층 시트(43)의 타 단면까지 연장된 제 3 선을 포함한다. 도면에서는 각선들이 90도 굴절을 이룬 것 이 도시되어 있지만, 상기의 굴절시 굴절각은 0 내지 360도가 가능하고, 바람직하게는 30 내지 150도인 것이 효과적이다. 상술한 바에 의해 제 1 내지 제 3 인덕터 패턴은 각기 연결되어 하나의 권선형 인덕터 패턴을 이루고 이 인덕터 패턴은 하나의 라인이 720도 회전한 것과 동일한 효과를 얻을 수 있다. 물론 이에 한정되지 않고, 목표로 하는 인덕터 값을 얻기 위해 인덕터 패턴의 형상은 물론 개수를 다양할 수 있다. The
제 1 내지 제 3 외부 단자 전극(81, 82, 83)은 제 1 내지 제 3 적층 시트(10, 20, 30), 적층 시트부(40), 제 4 적층 시트(60)가 적층된 적층물의 측면 영역을 감싸는 형상으로 형성한다. 즉, 제 1 외부 단자 전극(81)은 제 1 전극(11)과, 제 3 인덕터 패턴(54)이 노출된 면을 감싸는 형상으로 형성하고, 제 2 외부 단자 전극(82)은 공통전극(21)이 노출된 면을 감싸는 형상으로 형성하고, 제 3 외부 단자 전극(83)은 제 2 전극(31) 및 제 1 인덕터 패턴(51)이 노출된 면을 감싸는 형상으로 형성한다. 이로써, 도 3에 도시된 바와 같이 제 1 외부 단자 전극(81)과 제 3 외부 단자 전극(83) 사이에 인덕터 패턴(50)이 접속되고, 제 1 외부 단자 전극(81)과 제 2 외부 단자 전극(82) 사이에 제 1 전극(11) 및 공통전극(21)에 의한 등가 커패시터가 형성되고, 제 2 외부 단자 전극(82)과 제 3 외부 단자 전극(83) 사이에 공통전극(21) 및 제 2 전극(31)에 의한 등가 커패시터가 형성된다. 따라서, 제 1 및 제 3 외부 단자 전극(81, 83)을 입력단 또는 출력단으로 하고, 제 2 외부 단자 전극(82)을 접지로 사용하여 등가 파이형 ESD 필터를 제작할 수 있다. The first to third external
이하 상술한 구조을 갖는 본 실시예의 복합 적층 칩 소자의 제조 방법을 설 명하면 다음과 같다. Hereinafter, the manufacturing method of the composite multilayer chip device of the present embodiment having the above-described structure will be described.
도 2의 (a)와 같이 제 1 전극(11)이 형성된 제 1 적층 시트(10)와, 공통전극(21)이 형성된 제 2 적층 시트(20)와, 제 2 전극(31)이 형성된 제 3 적층 시트(30)와, 인덕터 패턴(50)이 형성된 적층 시트부(40)와, 하부 소자를 보호할 더미 시트인 제 4 적층 시트(60)를 마련한다. 상술한 적층 시트는 직사각형 형상으로 형성하는 것이 바람직하되, 최종 제작되는 복합 적층 칩 소자의 사용처와 용도에 따라 이에 한정되지 않고, 정사각형, 오각형을 포함하는 다각형 형상, 원 형상, 타원형상 등이 가능하다. 또한, 본 실시예에서는 4쌍의 단위 소자로 이루어진 하나의 칩을 예시하고 있으나, 이에 한정되지 않는다.As shown in FIG. 2A, the first
이를위해, 원하는 소자용 성형 적층 시트를 제조한다. 즉, 배리스터용 성형 적층 시트, 인덕터용 성형 적층 시트를 제조한다. 이를 위해 공업용으로 시판하고 있는 배리스터 소자의 원료 분말을 이용하거나 ZnO 분말에 Bi2O3, CoO, MnO 등의 첨가제를 넣은 원하는 조성에 물 또는 알코올 등을 용매로 24시간 볼밀(Ball Mill)하여 원료분말을 준비한다. 성형 적층 시트를 준비하기 위해 상기 준비된 배리스터용 분말에 첨가제로 PVB계 바인더(binder)를 원료 분말 대비 약 6wt% 정도 측량한 후 톨루엔/알코올(toluene/alcohol)계 솔벤트(solvent)에 용해시켜 투입한 후 소형 볼 밀(ball mill)로 약 24시간 동안 밀링(milling) 및 혼합하여 슬러리(slurry)를 제조하고, 이러한 슬러리를 닥터 블레이드(Doctor blade)등의 방법으로 원하는 두께의 성형 적층 시트(도 2(a)의 10, 20, 30 참조)로 제조한다. 이때 커패시터 소자용 조성의 원료 분말, PTC(positive temperature coefficient) 서미스터 소자용 조성의 원료 분말 또는 NTC(negative temperature coefficient) 서미스터 소자용 조성의 원료 분말도 상기와 같은 방법으로 원하는 두께의 성형 적층 시트로 제조할 수 있다.To this end, a molded laminated sheet for a desired device is produced. That is, the molded laminated sheet for varistors and the molded laminated sheet for inductors are manufactured. To do this, use a raw material powder of a commercial varistor element or ball mill with water or alcohol for 24 hours in a desired composition in which additives such as Bi 2 O 3 , CoO, MnO, etc. are added to ZnO powder. Prepare the powder. In order to prepare a molded laminated sheet, PVB-based binders were measured as an additive to the prepared varistor powder by about 6wt% of the raw material powder, and then dissolved in toluene / alcohol-based solvents. After the milling and mixing for about 24 hours in a small ball mill (slurry) to prepare a slurry (slurry), such a slurry by a method such as a doctor blade (Doctor blade) molded laminate sheet of the desired thickness (Fig. 2) (a) 10, 20, 30). At this time, the raw material powder of the composition for the capacitor element, the raw material powder of the composition for the PTC (positive temperature coefficient) thermistor element, or the raw material powder of the composition for the negative temperature coefficient (NTC) thermistor element is also manufactured into a molded laminated sheet having a desired thickness in the same manner. can do.
또는, 일반적인 절연체용 성형 시트를 이용할 수도 있다. 이뿐 아니라 더미 시트 위에 페라이트 패턴을 인쇄하여 이를 인덕터용 성형 적층 시트로 사용할 수 있다. 또는 별도의 페라이트 시트등의 인덕터용 시트를 별로 제조할 수도 있다. Or you may use the shaping | molding sheet for general insulators. In addition, a ferrite pattern may be printed on the dummy sheet and used as a molded laminated sheet for an inductor. Alternatively, an inductor sheet such as a separate ferrite sheet may be manufactured separately.
상기와 같이 제조된 시트 위에 특수하게 설계된 내부전극 패턴의 스크린을 이용하여 스크린 프린팅(screen printing) 등의 방법으로 Ag, Pt, Pd 등의 도전성 페이스트(Paste)를 인쇄하여 도전체 패턴을 형성한다. A conductive pattern is formed by printing a conductive paste such as Ag, Pt, or Pd by screen printing using a screen of a specially designed internal electrode pattern on the sheet manufactured as described above.
제 1 적층 시트(10)의 상부면의 일 단면에서 타 단면 방향으로 소정 영역까지 굴절 연장된 제 1 전극(11)을 형성하고, 제 3 적층 시트(30)의 상부면의 타 단면에서 일 단면 방향으로 소정 영역까지 굴절 연장된 제 2 전극(31)을 형성한다. 제 1 및 제 2 전극(11, 31)은 도전성 페이스트를 실크 스크린을 이용하여 인쇄함으로써 형성하는 것이 바람직하다. 제 2 적층 시트(20) 상부면에 판형상의 공통전극(21)을 형성한다. The
또한, 제 1 인덕터 적층 시트(41) 상부면에 소정 형상의 제 1 인덕터 패턴(51)을 형성한다. 펀칭장치를 이용하여 제 2 인덕터 적층 시트(42)의 일부 영역을 제거하여 제 1 관통공(53)을 형성하고, 제 1 관통공(53)으로 부터 연장된 소정 형상의 제 2 인덕터 패턴(52)을 형성한다. 제 3 인덕터 적층 시트(43)의 일부 영역 을 제거하여 제 2 관통공(55)을 형성하고, 제 2 관통공(55)으로 부터 연장된 소정 형상의 제 3 인덕터 패턴(54)을 형성한다. 이때, 관통공(53, 55)과 인덕터 패턴(52, 54)은 인덕터 패턴(52, 54) 형성후, 관통공(53, 55)을 형성할 수 있고, 이의 반대의 경우도 가능하다. 또한, 관통공(53, 55)은 인덕터 패턴(52, 54) 형성시 동시에 도전성 물질로 매립할 수도 있다. 또한, 별도의 충진 공정을 실시하여 제 1 및 제 2 관통공(53, 55)을 도전성 물질로 매립할 수 있다. 물론 이에 한정되지 않고, 각각의 인덕터 적층 시트의 인덕터 패턴 간을 전기적으로 연결하기 위해 관통공의 소정 영역을 도전성 물질로 코팅할 수도 있다. 상기의 인덕터 패턴은 Ag, Pt, Pd, Ni-Cr, RuO2 등의 금속 페이스트를 이용하여 제작할 수 있다.In addition, a
도 2의 (b)와 같이 제 1 전극(11)이 형성된 제 1 적층 시트(10)와, 공통전극(21)이 형성된 제 2 적층 시트(20)와, 제 2 전극(31)이 형성된 제 3 적층 시트(30)와, 제 1 인덕터 패턴(51)이 형성된 제 1 인덕터 적층 시트(41)와, 제 2 인덕터 패턴(52)이 형성된 제 2 인덕터 적층 시트(42)와, 제 3 인덕터 패턴(54)이 형성된 제 3 인덕터 적층 시트(43)와, 이들을 보호하기 위한 제 4 적층 시트(60)를 적층시킨다. 이러한 적층을 통해 제 1 전극(11)과 공통전극(21)의 일부가 중첩되고, 공통전극(21)과 제 2 전극(31)의 일부가 중첩된다. 또한, 제 1 내지 제 3 인덕터 패턴(51, 52, 54)이 관통공(53, 55) 내부에 충진된 도전체에 의해 서로 연결된다. As shown in FIG. 2B, the first
상기와 같이 적층된 적층물을 압착한 후 적절한 크기로 절단한다. 예를 들어 단위소자를 개별로 절단할 경우는 단위소자가 단일 칩으로 절단되며, 복수개의 소 자를 주기적으로 절단하는 경우는 복수개의 소자가 단일 칩으로 절단된다. 즉, 도 2의 (a)와 같이 4개의 단위 소자가 배치되도록 절단하면 4개의 단위 소자가 병렬 배치된 어레이형 단일 칩으로 절단할 수 있다.The laminate stacked as described above is pressed and then cut into an appropriate size. For example, when the unit elements are individually cut, the unit elements are cut into a single chip, and when a plurality of elements are periodically cut, the plurality of elements are cut into a single chip. That is, as shown in FIG. 2A, when the four unit elements are cut to be arranged, the four unit elements may be cut into an array type single chip arranged in parallel.
실제로 하나의 소자에 형성되는 패턴을 하나의 시트에 복수 개로 반복하여 나타나도록 형성하여 이들 시트를 적층한 후, 상기 원하는 소자의 크기로 절단하면, 예를 들어 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이 절단하면 대량 생산에 적합할 수 있다. In fact, a pattern formed on one device is repeatedly formed on a sheet so as to appear in plural numbers, and these sheets are stacked, and then cut into the desired size of the device, for example, as shown in FIG. Cutting together may be suitable for mass production.
상기와 같이 절단된 적층물 내의 각종 바인더 등 유기물 성분을 모두 제거하기 위하여 약 300℃ 정도에서 가열하여 베이크 아웃(Bake-out)시킨 후 온도를 상승시켜 적당한 소성온도(예를 들면 약 1100℃)에서 적층물을 소성한다. In order to remove all organic components such as binders in the cut laminate as described above, it is heated at about 300 ° C. and baked out, and then the temperature is raised to a suitable firing temperature (for example, about 1100 ° C.). The laminate is fired.
상기 적층물의 외부에는 적층물의 내부의 각 전극 패턴, 및 인덕터 패턴과 연결되는 외부 단자 전극(81, 82, 83)이 형성되어 적층 칩 소자가 완성된다. 외부 단자는 형성할 전극의 수(소체의 측면에 인쇄되는 외부 단자의 개수, 예를 들면 4개 또는 1개)와 위치에 따라 원주면에 홈이 파여진 고무 디스크(disc)에 은 페이스트(Ag-paste)를 묻힌 후 소체에 디스크를 밀착 회전시켜(dipping작용) 전극을 인쇄한 뒤 적절한 온도에서 소성한다. Outside of the stack, each electrode pattern inside the stack and external
또한, 상술한 바와 같이 공통 전극을 단자 전극인 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 배치시키고, 다수의 제 1 전극 및 제 2 전극들 간의 거리 조절을 통해 어레이된 칩들의 단자간 주파수 특성 차이를 없앨 수 있다. In addition, as described above, the common electrode is disposed between the first electrode and the second electrode, which are terminal electrodes, and the distance between the plurality of first and second electrodes is adjusted to eliminate the difference in frequency characteristics between the terminals of the arrayed chips. Can be.
이뿐 아니라, 본 발명은 공통 전극과 단자 전극간의 위치와 배열 방식을 다 르게 하여 단자간 주파수 특성차이를 감소시키고, 인덕터-배리스터 복합 적층 칩 소자를 제공할 수 있다. 이와 같은 본 발명의 제 2 실시예에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 하기 실시예에서는 앞서 설명한 제 1 실시예와 중복되는 설명은 생략한다. In addition, the present invention can reduce the frequency characteristic difference between the terminals by different position and arrangement between the common electrode and the terminal electrode, it is possible to provide an inductor-varistor composite laminated chip device. This second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiment, a description overlapping with the first embodiment described above will be omitted.
<실시예 2><Example 2>
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 적층 칩 소자의 제조 공정도이다.4 is a manufacturing process diagram of a multilayer chip device according to a second exemplary embodiment of the present invention.
도 4를 참조하면, 제 1 공통 전극(111)이 형성된 제 1 적층 시트(110)와, 다수의 제 1 및 제 2 전극(121, 122) 쌍이 형성된 제 2 적층 시트(120)와, 제 2 공통 전극(131)이 형성된 제 3 적층 시트(130)와, 다수의 인턱터 패턴(150)이 형성된 적층 시트부(140)와, 하부 패턴을 보호하기 위한 제 4 적층 시트(160)를 포함한다. 이때, 제 1 전극(121)과 접속된 제 1 외부 단자 전극(181)과, 제 1 및 제 2 공통전극(111, 131)과 접속된 제 2 외부 단자 전극(182)과, 제 2 전극(122)과 접속된 제 3 외부 단자 전극(183)을 더 포함한다. 인덕터 패턴(150)은 제 1 및 제 3 외부 단자 전극(181, 183)에 접속된다. 본 실시예에서는 제 1 또는 제 3 적층 시트(110, 130) 중 어느 하나가 생략될 수 있다. 또한, 제 4 적층 시트(160) 또한, 생략가능하고, 이는 유리나 수지막과 같은 별도의 보호층으로 대치될 수 있다. Referring to FIG. 4, a first
본 실시예에서는 도면에 도시된 바와 같이 제 2 적층 시트(120)상에 4 쌍의 제 1 및 제 2 전극(121, 122)이 형성된다. In the present embodiment, as shown in the drawing, four pairs of the first and
제 1 전극(121)은 제 2 적층 시트(120)의 일 단면에서 소정 길이 연장되고, 제 2 전극(122)은 제 2 적층 시트(120)의 타 단면에서 소정 길이 연장된다. 즉, 신 호라인으로 사용될 제 1 및 제 2 전극(121, 122)은 제 2 적층 시트(120)의 양 단면에 각각 위치되는 각각의 끝단이 굴절된 직선형상으로 상기 끝단을 제외한 나머지 부분에서는 서로 나란하게 동일면 상에 인쇄된다. 제 2 적층 시트(120)의 상기 제 1 및 제 2 전극(121, 122) 쌍으로 인해 적층 공정상 패턴이 복잡해 지지 않고, 주파수 특성면에서도 단자간 상호 간섭을 줄일 수 있다. 두번째와 세번째의 제 1 및 제 2 전극(121, 122) 쌍간의 거리가 첫번째와 두번째의 제 1 및 제 2 전극(121, 122) 쌍간의 거리와, 세번째와 네번째의 제 1 및 제 2 전극(121, 122) 쌍간의 거리보다 더 좁게 형성될 수 있다. The
제 1 및 제 2 공통전극(111, 131)은 제 1 및 제 3 적층 시트(110, 130) 상에 판형상으로 형성하되, 제 1 및 제 2 전극(121, 122) 쌍과 교차하는 방향으로 형성하는 것이 바람직하다. The first and second
그리고, 인덕터 패턴(150)은 제 1 실시예에서 설명한 바와 동일함으로 이에 관한 구체적인 설명은 생략한다. In addition, since the
상술한 바와 같은 본 실시예의 복합 적층 칩 소자의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다. The manufacturing method of the composite multilayer chip device of the present embodiment as described above is as follows.
실시예 1과 동일한 방법으로 각 적층 시트를 제조하고, 도 4의 (a)에 도시된 바와 같이 제 1 공통 전극(111)이 형성된 제 1 적층 시트(110)와, 제 1 및 제 2 전극(121, 122) 쌍이 형성된 제 2 적층 시트(120)와, 제 2 공통 전극(131)이 형성된 제 3 적층 시트(130)와, 인덕터 패턴(150)이 형성된 적층 시트부(140)와, 제 4 적층 시트(160)를 마련한다. Each laminated sheet was manufactured in the same manner as in Example 1, and as shown in FIG. 4A, the first
제 1 및 제 2 공통 전극(111, 131)은 스크린 프린팅 기법을 통해 제 1 및 제 3 적층 시트(110, 130) 상에 형성하고, 제 1 및 제 2 전극(121, 122) 또한 스크린 프린팅 기법을 통해 제 2 적층 시트(120) 상에 형성한다. 본 실시예에서는 공통 전극은 각기 분리된 2개의 적층 시트 상에 형성되고, 제 1 및 제 2 전극은 하나의 적층 시트 상에 형성된다. The first and second
도 4의 (b)에 도시된 바와 같이 상술한 제 1 적층 시트(110), 제 2 적층 시트(120), 제 3 적층 시트(130), 적층 시트부(140) 및 제 4 적층 시트(160)를 순차적으로 적층한다. 이로써, 제 1 및 제 2 전극(121, 122) 쌍과 제 1 및 제 2 공통 전극(111, 131)의 일부가 중첩된다. 이후, 적층물을 원하는 크기로 절단하고 압착 및 소성한다.As shown in FIG. 4B, the first
도 4의 (c)에 도시된 바와 같이 제 1 전극(121)과 제 3 인덕터 패턴(154)을 연결하는 제 1 외부 전극 단자(181)와, 제 1 및 제 2 공통 전극(111, 131) 단자를 연결하는 제 2 외부 전극 단자(182)와, 제 2 전극(122)과 제 1 인덕터 패턴(151)을 연결하는 제 3 외부 전극 단자(183)를 형성한다. 이로써, 인턱터가 입출력 단자 사이에 직렬 접속되고, 입출력 단자와 접지 사이에 각기 접속된 커패시터를 포함하는 파이형 ESD 필터를 제작할 수 있다. As shown in FIG. 4C, the first
상술한 바와 같이 본 실시예에서는 내부 전극의 패턴을 일 적층 시트 상에 형성하여 패턴이 복잡해지지 않고, 단자 상호간의 간섭을 줄일 수 있는 인덕터-배리스터 복합 적층 칩 소자를 제공할 수 있다. As described above, in the present exemplary embodiment, an inductor-varistor composite multilayer chip device may be provided in which a pattern of an internal electrode is formed on one laminate sheet, so that the pattern is not complicated and the interference between terminals can be reduced.
이뿐 아니라, 본 발명은 공통 전극과 단자 전극 간이 접하는 면적을 넓게하 여 커패시터값을 조절할 수 있는 인덕터-배리스터 복합 적층 칩 소자를 제공할 수 있다. 이와 같은 본 발명의 제 3 실시예에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 하기 실시예에서는 앞서 설명한 제 1 및 제 2 실시예와 중복되는 설명은 생략한다. 또한, 본 실시예는 앞서 설명한 제 1 및 제 2 실시예에 적용될 수 있다. In addition, the present invention can provide an inductor-varistor composite multilayer chip device capable of adjusting a capacitor value by increasing an area between the common electrode and the terminal electrode. Such a third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiment, a description overlapping with the above-described first and second embodiments will be omitted. In addition, the present embodiment can be applied to the first and second embodiments described above.
<실시예 3><Example 3>
도 5는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 적층 칩 소자의 제조 공정도이다.5 is a manufacturing process chart of the stacked chip device according to the third embodiment of the present invention.
도 5를 참조하면, 제 1 공통 전극(1110)이 형성된 제 1 적층 시트(1100)와, 다수의 제 1 및 제 2 전극(1210, 1220) 쌍이 형성된 제 2 적층 시트(1200)와, 제 2 공통 전극(1310)이 형성된 제 3 적층 시트(1300)와, 다수의 제 1 및 제 2 전극(1351, 1352) 쌍이 형성된 제 4 적층 시트(1350)와, 다수의 인턱터 패턴(1500)이 형성된 적층 시트부(1400)와, 하부 패턴을 보호하기 위한 제 5 적층 시트(1600)를 포함한다. 이때, 제 1 전극(1210, 1351)과 접속된 제 1 외부 단자 전극(1810)과, 제 1 및 제 2 공통전극(1110, 1310)과 접속된 제 2 외부 단자 전극(1820)과, 제 2 전극(1220, 1352)과 접속된 제 3 외부 단자 전극(1830)을 더 포함한다. 인덕터 패턴(1500)은 제 1 및 제 3 외부 단자 전극(1810, 1830)에 접속된다. 본 실시예에서는 제 1 또는 제 3 적층 시트(1100, 1300) 중 어느 하나가 생략될 수 있고, 제 2 또는 제 4 적층 시트(1200, 1350) 중 어느 하나가 생략될 수 있다. Referring to FIG. 5, a first
본 실시예에서는 도면에 도시된 바와 같이 제 2 및 제 4 적층 시트(1200, 1350)상에 각기 4 쌍의 제 1 및 제 2 전극(1210, 1220, 1351, 1352)이 형성된다. In the present embodiment, as shown in the drawings, four pairs of the first and
제 1 전극(1210, 1351)은 제 2 및 제 4 적층 시트(1200, 1350)의 일 단면에 서 연장된 판형상으로 형성되고, 제 2 전극(1220, 1352)은 제 2 및 제 4 적층 시트(1200, 1350)의 타 단면에서 연장된 판형상으로 형성된다. 이때, 제 1 전극(1210, 1351)과 제 2 전극(1220, 1352)은 서로 대응되도록 형성되는 것이 바람직하다. 이와 같이, 제 2 및 제 4 적층 시트(1200, 1350)의 상기 제 1 및 제 2 전극(1210, 1220, 1351, 1352) 쌍으로 인해 적층 공정상 패턴이 복잡해 지지 않고, 주파수 특성면에서도 단자간 상호 간섭을 줄일 수 있다. 또한, 두번째와 세번째의 제 1 및 제 2 전극(1210, 1220, 1351, 1352) 쌍간의 거리가 첫번째와 두번째의 제 1 및 제 2 전극(1210, 1220, 1351, 1352) 쌍간의 거리와, 세번째와 네번째의 제 1 및 제 2 전극(1210, 1220, 1351, 1352) 쌍간의 거리보다 더 좁게 형성될 수 있다. The
제 1 및 제 2 공통전극(1110, 1310)은 제 1 및 제 3 적층 시트(1100, 1300) 상에 제 1 및 제 2 전극(1210, 1220, 1351, 1352)이 접하지 않는 양단면을 연결하는 판형상으로 형성하되, 제 1 및 제 2 전극(1210, 1220, 1351, 1352)과 대응하는 영역의 일부가 돌출된 형상으로 형성하는 것이 바람직하다. The first and second
그리고, 인덕터 패턴(1500)은 제 1 실시예에서 설명한 바와 동일함으로 이에 관한 구체적인 설명은 생략한다. Since the
상술한 바와 같은 본 실시예의 복합 적층 칩 소자의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다. The manufacturing method of the composite multilayer chip device of the present embodiment as described above is as follows.
실시예 1과 동일한 방법으로 각 적층 시트를 제조하고, 도 5의 (a)에 도시된 바와 같이 제 1 공통 전극(1110)이 형성된 제 1 적층 시트(1100)와, 제 1 및 제 2 전극(1210, 1220) 쌍이 형성된 제 2 적층 시트(1200)와, 제 2 공통 전극(1310)이 형성된 제 3 적층 시트(1300)와, 제 1 및 제 2 전극(1351, 1352) 쌍이 형성된 제 4 적층 시트(1350)와, 인덕터 패턴(1500)이 형성된 적층 시트부(1400)와, 제 5 적층 시트(1600)를 마련한다. Each laminated sheet was manufactured in the same manner as in Example 1, and as shown in FIG. 5A, the first
도 5의 (b)에 도시된 바와 같이 상술한 제 1 적층 시트(1100), 제 2 적층 시트(1200), 제 3 적층 시트(1300), 제 4 적층 시트(1350), 적층 시트부(1400) 및 제 5 적층 시트(1600)를 순차적으로 적층한다. 이로써, 제 1 및 제 2 전극(1210, 1220, 1351, 1352) 쌍과 제 1 및 제 2 공통 전극(1110, 1310)의 일부가 중첩된다. 이후, 적층물을 원하는 크기로 절단하고 압착 및 소성한다.As shown in FIG. 5B, the first
도 5의 (c)에 도시된 바와 같이 제 1 전극(121, 1351)과 제 3 인덕터 패턴(1540)을 연결하는 제 1 외부 전극 단자(1810)와, 제 1 및 제 2 공통 전극(1110, 1310) 단자를 연결하는 제 2 외부 전극 단자(1820)와, 제 2 전극(1220, 1352)과 제 1 인덕터 패턴(1510)을 연결하는 제 3 외부 전극 단자(1830)를 형성한다. 이로써, 인턱터가 입출력 단자 사이에 직렬 접속되고, 입출력 단자와 접지 사이에 각기 접속된 커패시터를 포함하는 파이형 ESD 필터를 제작할 수 있다. As illustrated in FIG. 5C, the first
상술한 바와 같이 본 실시예에서는 내부 전극의 패턴을 일 적층 시트 상에 형성하여 패턴이 복잡해지지 않고, 단자 상호간의 간섭을 줄일 수 있고, 판형상의 전극을 통해 커패시터 값을 크게 할 수 있는 인덕터-배리스터 복합 적층 칩 소자를 제공할 수 있다. As described above, in the present embodiment, an inductor-varistor capable of forming a pattern of internal electrodes on one laminated sheet does not complicate the pattern, reduces interference between terminals, and increases a capacitor value through a plate-shaped electrode. A composite laminated chip device can be provided.
또한, 이에 한정되지 않고, 인덕터 패턴의 양상이 다양하게 변화될 수 있다. 이하, 인덕터 패턴을 사행형(Meander)으로 형성한 본 발명의 제 4 실시예에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 하기 실시예에서는 제 1 실시예의 내부 단자 전극 패턴을 기본으로 하여 설명하되, 이에 한정되지 않고, 제 2 및 제 3 실시예의 내부 단자 전극 패턴이 적용될 수도 있다. 또한, 제 1 내지 제 3 실시예와 중복되는 설명은 생략한다. 또한, 본 실시예는 앞서 설명한 제 1 내지 제 3 실시예에 적용될 수 있다. In addition, the present invention is not limited thereto, and an aspect of the inductor pattern may be variously changed. Hereinafter, a fourth embodiment of the present invention in which the inductor pattern is formed in a meander shape will be described with reference to the drawings. In the following embodiment, the internal terminal electrode patterns of the first embodiment will be described as a basis, but are not limited thereto. The internal terminal electrode patterns of the second and third embodiments may be applied. In addition, description overlapping with 1st thru | or 3rd embodiment is abbreviate | omitted. In addition, the present embodiment may be applied to the first to third embodiments described above.
<실시예 4><Example 4>
도 6은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 적층 칩 소자의 제조 공정도이다.6 is a manufacturing process chart of the stacked chip device according to the fourth embodiment of the present invention.
도 6을 참조하면, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 적층 칩 소자는 다수의 제 1 전극(211a, 211b, 211c, 211d; 211)이 형성된 제 1 적층 시트(210)와, 공통전극(221)이 형성된 제 2 적층 시트(220)와, 다수의 제 2 전극(231a, 231b, 231c, 231d; 231)이 형성된 제 3 적층 시트(230)와, 상기 제 1 및 제 2 전극(211, 231)과 대응하는 다수의 인턱터 패턴(250)이 형성된 적층 시트부(240)와, 하부 패턴을 보호하기 위한 제 4 적층 시트(260)를 포함한다. 제 1 전극(211)과 인덕터 패턴(250)이 접속된 제 1 외부 단자 전극(281)과, 공통 전극(221)과 접속된 제 2 외부 단자 전극(282)과, 제 2 전극(231)과 인덕터 패턴(250)이 접속된 제 3 외부 단자 전극(283)을 더 포함한다. Referring to FIG. 6, the stacked chip device according to the fourth embodiment of the present invention may include a first
본 실시예에서는 제 1 및 제 3 적층 시트(210, 230) 상에는 각기 4개의 제 1 및 제 2 전극(211, 231)이 형성된다. 이에 따라 인덕터 패턴(250)도 이와 동일한 개수로 형성되고, 도면에서는 이들을 포함하는 단일 칩 4개가 어레이된 형상을 도시하였다. 본 발명의 복합 적층 칩 소자는 이에 한정되지 않고, 적어도 한 개 이상 의 배리스터 커패시터 및 인덕터를 포함한다. In the present embodiment, four first and second electrodes 211 and 231 are formed on the first and third
인덕터 패턴(250)이 형성된 적층 시트부(240)는 제 1 내지 제 4 인덕터 적층 시트(241, 242, 243, 244)를 포함한다. 제 1 인덕터 적층 시트(241) 상에는 사행형상으로 형성되고, 첫번째 제 1 및 제 2 전극(211a, 231a)과 대응하는 제 1 인덕터 패턴(251)이 형성된다. 제 2 인덕터 적층 시트(242) 상에는 사행 형상으로 형성되고, 두번째 제 1 및 제 2 전극(211b, 231b)과 대응하는 제 2 인덕터 패턴(252)이 형성된다. 제 3 인덕터 적층 시트(243) 상에는 사행 형상으로 형성되고, 세번째 제 1 및 제 2 전극(211c, 231c)과 대응하는 제 3 인덕터 패턴(253)이 형성된다. 제 4 인덕터 적층 시트(244) 상에는 사행 형상으로 형성되고, 네번째 제 1 및 제 2 전극(211d, 231d)과 대응하는 제 4 인덕터 패턴(254)이 형성된다. 여기서, 제 1 전극(211)이 노출되는 일 단면과 제 2 전극(231)이 노출되는 타 단면에 각기 인덕터 패턴(250)이 노출되고, 노출면 사이에는 'ㄹ'자를 기본으로 하는 사행형으로 형성된다. The
제 1 외부 단자 전극(281)은 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이 노출된 다수의 제 1 전극(211) 및 인덕터 패턴(250)을 각기 감싸는 형상으로 형성한다. 제 2 외부 단자 전극(282)은 공통 전극(221)은 감싸는 형상으로 형성한다. 제 3 외부 단자 전극(283)은 제 2 전극(231) 및 인덕터 패턴(250)을 각기 감싸는 형상으로 형성한다. As illustrated in FIG. 2B, the first external
상술한 바와 같은 본 실시예에 따른 복합 적층 칩 소자의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다. 실시예 1과 동일한 방법으로 각 적층 시트를 제조하고, 도 6의 (a)에 도시된 바와 같이 다수의 제 1 전극(211)이 형성된 제 1 적층 시트(210)와, 공통 전극(221)이 형성된 제 2 적층 시트(220)와, 다수의 제 2 전극(231)이 형성된 제 2 적층 시트(230)를 마련한다. 한편, 제 1 및 제 2 전극(211, 231)은 각기 4개의 상으로 공통전극(221)을 중심으로 서로 중첩되도록 형성한다. 각기 첫번째 내지 네번째 제 1 및 제 2 전극(211, 231) 쌍의 노출면과 대응하고, 사행형으로 형성된 인덕터 패턴(250)이 형성된 제 1 내지 제 4 인덕터 적층 시트(241, 242, 243, 244)를 마련한다. 또한, 제 4 적층 시트(260)를 마련한다. The manufacturing method of the composite multilayer chip device according to the present embodiment as described above is as follows. Each laminated sheet was manufactured in the same manner as in Example 1, and the first
도 6의 (b)에 도시된 바와 같이 상술한 제 1 내지 제 3 적층 시트(210, 220, 230)와, 제 1 내지 제 4 인덕터 적층 시트(241, 242, 243, 244)와, 제 4 적층 시트(260)를 순차적으로 적층한다. 이후, 적층물을 원하는 크기로 절단하고, 압착 및 소성한다. 제 4 적층 시트(260) 상에 상기 인덕터 패턴(250)에 각기 대응하도록 금속패드(262)를 형성한다. As shown in FIG. 6B, the aforementioned first to third
도 6의 (c)에 도시된 바와 같이 제 1 전극(211) 및 인덕터 패턴(250)을 연결하는 제 1 외부 단자 전극(281)과, 공통 전극(221)을 감싸는 제 2 외부 단자 전극(280)과, 제 2 전극(231) 및 인덕터 패턴(250)을 연결하는 제 3 외부 단자 전극(283)을 형성한다. As shown in FIG. 6C, a first external
이와 같이 본 실시예에서는 하나의 제 1 전극(211), 공통 전극(221) 하나의 제 2 전극(231) 및 제 1 인덕터 패턴(251)이 하나의 단위 소자로써 동작할 수 있게 된다. 또한, 외부 단자 전극들간의 접속관계를 조절하여 인덕터, 커패시터가 조합된 다양한 회로를 구성할 수 있다. 바람직하게는 제 2 외부 단자 전극(282)은 접지 에 접속시키고, 제 1 및 제 3 외부 단자 전극(281, 283)을 입출력단에 접속시킴으로써, 파이형 필터를 제작할 수 있고, 이 필터가 ESD기능까지 수행할 수 있게 된다. 본 실시예에서는 4개의 파이형 필터가 형성된 어레이 칩의 제조가 가능하며, 각각의 칩에 해당하는 인덕터가 하나의 시트위에 각기 형성되어 있기에 그 제조 공정이 단순화될 수 있다. As such, in the present exemplary embodiment, one first electrode 211, one
상술한 사행형 뿐만 아니라 서로 다른 인덕터 적층 시트상에 직선형으로 교차되는 직선 교차형이 가능하다. 이하, 인덕터 패턴을 직선 교차형으로 형성한 본 발명의 제 5 실시예에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 하기 실시예에서는 제 1 실시예의 내부 단자 전극 패턴을 기본으로 하여 설명하되, 이에 한정되지 않고, 제 2 및 제 3 실시예의 내부 단자 전극 패턴이 적용될 수도 있다. 또한, 제 1 내지 제 4 실시예와 중복되는 설명은 생략한다. 또한, 본 실시예는 앞서 설명한 제 1 내지 제 4 실시예에 적용될 수 있다. In addition to the meandering type described above, a linear crossing type that crosses linearly on different inductor laminated sheets is possible. Hereinafter, a fifth embodiment of the present invention in which the inductor pattern is formed in a straight cross shape will be described with reference to the drawings. In the following embodiment, the internal terminal electrode patterns of the first embodiment will be described as a basis, but are not limited thereto. The internal terminal electrode patterns of the second and third embodiments may be applied. In addition, description overlapping with 1st-4th embodiment is abbreviate | omitted. In addition, the present embodiment can be applied to the first to fourth embodiments described above.
<실시예 5>Example 5
도 7은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 적층 칩 소자의 제조 공정도이다.7 is a manufacturing process chart of the stacked chip device according to the fifth embodiment of the present invention.
도 7을 참조하면, 본 실시예에 따른 적층 칩 소자는 다수의 제 1 전극(311)이 형성된 제 1 적층 시트(310)와, 공통전극(321)이 형성된 제 2 적층 시트(320)와, 다수의 제 2 전극(331)이 형성된 제 3 적층 시트(330)와, 다수의 직선 교차형의 인덕터 패턴(350)이 형성된 적층 시트부(340)와, 하부 패턴을 보호하기 위한 제 4 적층 시트(360)를 포함한다. 이때, 제 1 전극(311)과 접속된 제 1 외부 단자 전극(381)과, 공통전극(321)과 접속된 제 2 외부 단자 전극(382)과, 제 2 전극(331) 과 접속된 제 3 외부 단자 전극(383)을 더 포함한다. Referring to FIG. 7, the stacked chip device according to the present exemplary embodiment may include a first
인덕터 패턴(350)이 형성된 적층 시트부(340)는 제 1 인덕터 패턴(351)이 형성된 제 1 인덕터 적층 시트(341)와, 제 2 인덕터 패턴(352)이 형성되고, 제 2 인덕터 패턴(352)과 제 1 인덕터 패턴(351) 간의 접속을 위한 제 1 관통공(353)이 형성된 제 2 인덕터 적층 시트(342)와, 제 3 인덕터 패턴(354)이 형성되고, 제 3 인덕터 패턴(354)과 제 2 인덕터 패턴(352) 간의 접속을 위한 제 2 관통공(355)이 형성된 제 3 인덕터 적층 시트(343)를 포함한다. The
제 1 인덕터 패턴(351)은 제 1 인덕터 적층 시트(341)의 타 단면에서 연장된 직선으로 형성하는 것이 바람직하다. 제 2 인덕터 패턴(352)은 제 1 인덕터 패턴(351)과 그 일부가 중첩된 제 1 관통공(353)과, 제 1 관통공(353)에서 연장된 직선으로 형성하는 것이 바람직하다. 제 3 인덕터 패턴(354)은 제 2 인덕터 패턴(352)과 그 일부가 중첩되 제 2 관통공(355)과 제 2 관통공(355)에서 제 3 인덕터 적층 시트(343)의 일 단면으로 연장된 직선으로 형성하는 것이 바람직하다. The
제 1 내지 제 3 인덕터 적층 시트(341, 342, 343)가 순차적으로 적층되고, 제 1 및 제 2 관통공(353, 355) 내부를 도전성 물질로 매립하여 제 1 내지 제 3 인덕터 패턴(351, 352, 354)이 하나의 라인으로 연결된 인덕터 패턴(340)이 형성된다. The first to third inductor laminated
상술한 본 실시예에 따른 본 발명의 복합 적층 칩 소자의 제작 방법을 설명하면 다음과 같다. The manufacturing method of the composite multilayer chip device of the present invention according to the present embodiment described above is as follows.
실시예 1과 동일한 방법으로 각 적층 시트를 제조하고, 도 7의 (a)에 도시된 바와 같이 제 1 전극(311)이 형성된 제 1 적층 시트(310)와, 공통 전극(321)이 형성된 제 2 적층 시트(320)와, 제 2 전극(331)이 형성된 제 3 적층 시트(330)를 마련한다. 인덕터 패턴(350)이 형성된 적층 시트부(340)를 마련한다. Each laminated sheet was manufactured in the same manner as in Example 1, and as shown in FIG. 7A, the first
적층 시트부(340)의 제 1 인덕터 적층 시트(341) 상에는 타 단면에서부터 연장된 직선 형상의 제 1 인덕터 패턴(351)을 형성한다. 제 2 인덕터 적층 시트(342)의 일부에는 제 1 인덕터 패턴(351)의 끝단과 대응하는 제 1 관통공(353)을 형성하고, 제 1 관통공(353)으로부터 연장된 직선형상의 제 2 인덕터 패턴(352)을 형성한다. 제 3 인덕터 적층 시트(343)의 일부에는 제 2 인덕터 패턴(352)의 끝단과 대응하는 제 2 관통공(355)을 형성하고, 제 2 관통공(355)으로부터 일 단면까지 연장된 직선 형상의 제 3 인덕터 패턴(354)을 형성한다. 이때, 제 1 및 제 2 관통공(353, 355) 형성후, 그 내부를 도전성 물질로 매립할 수 있다. The
상기의 제 1 내지 제 3 적층 시트(310, 320, 330), 적층 시트부(340) 및 제 4 적층 시트(360)를 순차적으로 적층 한 다음, 적층된 적층물을 압착 소성한다. 이때, 제 3 인덕터 패턴(354)은 제 1 전극(311)과 동일한 일 단면에 노출되고, 제 1 인덕터 패턴(351)은 제 2 전극(331)과 동일한 타 단면에 노출된다. 이후, 노출된 제 1 전극(311) 및 제 3 인덕터 패턴(354)을 감싸는 형상의 제 1 외부 단자 전극(381)을 형성하고, 공통 단자(321)를 감싸는 형상의 제 2 외부 단자 전극(382)을 형성하고, 노출된 제 2 전극(331) 및 제 1 인덕터 패턴(351)을 감싸는 형상의 제 3 외부 단자 전극(383)을 형성한다. The first to third
이로써, 인덕터-배리스터가 적층된 구조의 복합 적층 칩을 제작할 수 있고, 직선 배선과 관통공을 이용하여 다수의 인덕터 적층 시트가 적층되어 하나의 인덕터를 형성하는 직선 교차형의 인덕터 패턴을 통해 인접한 칩 간의 간섭을 최소화 할 수 있다. As a result, a composite multilayer chip having a structure in which an inductor-varistor is stacked can be manufactured, and a plurality of inductor stack sheets are stacked by using a straight line and through-holes, and adjacent chips are formed through a straight line inductor pattern forming one inductor. Interference can be minimized.
본 발명의 복합 적층 칩 소자의 인덕터 패턴으로 직선 교차형 뿐만 아니라 나선형의 인덕터 패턴을 형성할 수도 있다. 이하, 인덕터 패턴을 나선형으로 형성한 본 발명의 제 6 실시예에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 하기 실시예에서는 제 1 실시예의 내부 단자 전극 패턴을 기본으로 하여 설명하되, 이에 한정되지 않고, 제 2 및 제 3 실시예의 내부 단자 전극 패턴이 적용될 수도 있다. 또한, 제 1 내지 제 5 실시예와 중복되는 설명은 생략한다. 또한, 본 실시예는 앞서 설명한 제 1 내지 제 5 실시예에 적용될 수 있다. As an inductor pattern of the composite multilayer chip device of the present invention, a linear inductor as well as a spiral inductor pattern may be formed. Hereinafter, a sixth embodiment of the present invention in which the inductor pattern is spirally formed will be described with reference to the drawings. In the following embodiment, the internal terminal electrode patterns of the first embodiment will be described as a basis, but are not limited thereto. The internal terminal electrode patterns of the second and third embodiments may be applied. In addition, description overlapping with 1st thru | or 5th embodiment is abbreviate | omitted. In addition, the present embodiment can be applied to the first to fifth embodiments described above.
<실시예 6><Example 6>
도 8a 및 도 8b는 본 발명의 제 6 실시예에 따른 적층 칩 소자의 제조 공정도이다.8A and 8B are manufacturing process diagrams of the stacked chip device according to the sixth embodiment of the present invention.
도 8a 및 도 8b를 참조하면, 본 실시예에 따른 적층 칩 소자는 다수의 제 1 전극(411)이 형성된 제 1 적층 시트(410)와, 공통전극(421)이 형성된 제 2 적층 시트(420)와, 다수의 제 2 전극(431)이 형성된 제 3 적층 시트(430)와, 각기 제 1 및 제 2 전극(411, 431)에 대응된 다수의 인덕터 패턴(450)이 형성된 적층 시트부(440)와, 상기 적층 시트부(440) 상에 적층된 제 4 적층 시트(460)를 포함한다. 또한, 제 1 전극(411)과 접속된 제 1 외부 단자 전극(481)과, 공통전극(421)과 접속된 제 2 외부 단자 전극(482)과, 제 2 전극(431)과 접속된 제 3 외부 단자 전극 (483)을 더 포함한다. 8A and 8B, the stacked chip device according to the present exemplary embodiment may include a first
적층 시트부(440)는 도 8a에 도시된 바와 같이 제 1 내지 제 4 인덕터 적층 시트(441, 442, 443, 444)를 포함한다. 제 1 인덕터 적층 시트(441) 상에는 두번째 제 2 전극(431) 및 네번째 제 2 전극(431)과 각기 대응되도록 그 일부가 제 1 인덕터 적층 시트(441)의 타 단면에 노출된 나선형의 제 2 및 제 4 인덕터 패턴(452a, 454a)이 형성된다. 즉 나선형의 제 2 인덕터 패턴(452a)의 시작점이 두번째 제 2 전극(431)의 노출면(타 단면)의 상부에서 시작하여 내부로 회전하면서 점차적으로 그 사이즈가 작아지도록 형성된다. 본 실시예에서는 반시계 방향으로 약 3바퀴 정도 회전되도록 하였다. 이는, 이에 한정되지 않고, 목표로 하는 인덕턴스 값에 따라 다양하게 변화할 수 있다.The
제 2 인덕터 적층 시트(442)는 나선형의 제 2 및 제 4 인덕터 패턴(452a, 454a)의 내부 나선과 중첩되는 영역에 각기 형성된 제 2 및 제 4 관통공(452c, 454c)과, 두번째 제 1 전극(411) 및 네번째 제 1 전극(411)과 대응되도록 그 일부가 제 2 인덕터 적층 시트(442)의 일 단면에 노출된 제 2 및 제 4 가교 패턴(452b, 454b)이 형성된다. 제 2 및 제 4 가교 패턴(452b, 454b)은 굴절된 직선형상으로 형성하되, 일 단면에 노출된 영역이 각기 두번째 제 1 전극(411) 및 네번째 제 1 전극(411)과 동일한 영역 상에 노출되도록 하는 것이 바람직하다. 상기 관통공 내부를 도전성 물질로 매립하여 나선형 제 2 인덕터 패턴(452a), 제 2 관통공(452c) 및 제 2 가교 패턴(452b)을 통해 제 1 및 제 2 전극(411, 431)과 대응하는 인덕터 패턴(450)이 형성된다.The second inductor laminated
제 3 인덕터 적층 시트(443) 상에는 나선형의 제 1 및 제 3 인덕터 패턴(451a, 453a)이 형성된다. 이때. 나선형의 제 1 및 제 3 인덕터 패턴(451a, 453a)은 각기 첫번째 제 2 전극(431)과 세번째 제 2 전극(431)과 각기 대응되도록 제 3 인덕터 적층 시트(443)의 타 단면으로 그 일부가 노출된다. Spiral first and
제 4 인덕터 적층 시트(444) 상에는 나선형의 제 1 및 제 3 인덕터 패턴(451a, 453a)의 내부 나선과 중첩되는 영역에 각기 형성된 제 1 및 제 3 관통공(451c, 453c)과, 첫번째 제 1 전극(411) 및 세번째 제 1 전극(411)과 대응되도록 그 일부가 제 4 인덕터 적층 시트(444)의 일단면에 노출된 제 1 및 제 3 가교 패턴(451b, 453b)이 형성된다. 상기의 제 1 및 제 3 가교 패턴(451b, 453b)을 직선형상으로 형성하는 것이 바람직하다. First and third through
이뿐 아니라, 인덕터 패턴을 각기 다른 시트 상에 형성하여 인덕턴스 값을 효과적으로 조절할 수 있다. 즉, 도 8b에 도시된 바와 같이 적층 시트부(440)는 제 1 내지 제 8 인덕터 적층 시트(441a, 441b, 442a, 442b, 443a, 443b, 444a, 444b)를 포함한다. In addition, inductor patterns can be formed on different sheets to effectively adjust the inductance value. That is, as illustrated in FIG. 8B, the
제 1 인덕터 적층 시트(441a) 상에는 네번째 제 2 전극(431)과 대응되도록 그 일부가 제 1 인덕터 적층 시트(441a)의 타 단면에 노출된 나선형의 제 1 인덕터 패턴(451a)이 형성된다. 제 2 인덕터 적층 시트(442a)에는 나선형의 제 1 인덕터 패턴(451a)의 내부 나선의 끝단과 중첩되는 영역에 형성된 제 1 관통공(451c)과 네번째 제 1 전극(411)과 대응되도록 그 일부가 제 2 인덕터 적층 시트(442a)의 일단면에 노출된 제 1 가교 패턴(451b)이 형성된다. A spiral
제 3 인덕터 적층 시트(441b) 상에는 세번째 제 2 전극(431)과 대응되도록 그 일부가 제 3 인덕터 적층 시트(441b)의 타 단면에 노출된 나선형의 제 2 인덕터 패턴(452a)이 형성된다. 제 4 인덕터 적층 시트(442b)에는 나선형의 제 2 인덕터 패턴(452a)의 내부 나선의 끝단과 중첩되는 영역에 형성된 제 2 관통공(452c)과 세번째 제 1 전극(411)과 대응되도록 그 일부가 제 4 인덕터 적층 시트(442b)의 일단면에 노출된 제 2 가교 패턴(452b)이 형성된다. A spiral
제 5 인덕터 적층 시트(443a) 상에는 두번째 제 2 전극(431)과 대응되도록 그 일부가 제 5 인덕터 적층 시트(443a)의 타 단면에 노출된 나선형의 제 3 인덕터 패턴(453a)이 형성된다. 제 6 인덕터 적층 시트(444a)에는 나선형의 제 3 인덕터 패턴(453a)의 내부 나선의 끝단과 중첩되는 영역에 형성된 제 3 관통공(453c)과 두번째 제 1 전극(411)과 대응되도록 그 일부가 제 6 인덕터 적층 시트(444a)의 일단면에 노출된 제 3 가교 패턴(453b)이 형성된다. A spiral
제 7 인덕터 적층 시트(443b) 상에는 첫번째 제 2 전극(431)과 대응되도록 그 일부가 제 7 인덕터 적층 시트(443b)의 타 단면에 노출된 나선형의 제 4 인덕터 패턴(454a)이 형성된다. 제 8 인덕터 적층 시트(444b)에는 나선형의 제 4 인덕터 패턴(454a)의 내부 나선의 끝단과 중첩되는 영역에 형성된 제 4 관통공(454c)과 첫번째 제 1 전극(411)과 대응되도록 그 일부가 제 8 인덕터 적층 시트(444b)의 일단면에 노출된 제 4 가교 패턴(454b)이 형성된다. A spiral
상술한 구조의 본 발명의 적층 칩 소자의 제조 방법을 도 8a를 중심으로 살펴 보면 다음과 같다. Looking at the manufacturing method of the multilayer chip device of the present invention having the above-described structure with reference to Figure 8a as follows.
실시예 1과 동일한 방법으로 각 적층 시트를 제조하고, 도 8a의 (a)에 도시된 바와 같이 제 1 전극(411)이 형성된 제 1 적층 시트(410)와, 공통 전극(421)이 형성된 제 2 적층 시트(420)와, 제 3 전극(431)이 형성된 제 3 적층 시트(430)와, 인덕터 패턴(450)이 형성된 적층 시트부(440)와, 제 4 적층 시트부(460)를 마련한다. Each laminated sheet was manufactured in the same manner as in Example 1, and the first
적층 시트부(440)의 제 1 인덕터 적층 시트(441) 상에는 나선형의 제 2 및 제 4 인덕터 패턴(452a, 454a)을 형성한다. 제 2 인덕터 적층 시트(442)에는 두개의 제 2 및 제 4 관통공(452c, 454c)을 형성하고, 각기 이 관통공(452c, 454c)에서부터 일 단면까지 연장된 제 2 및 제 4 가교 패턴(452b, 454b)을 형성한다. 제 3 인덕터 적층 시트(443) 상에는 나선형의 제 1 및 제 3 인덕터 패턴(451a, 453a)을 형성한다. 제 4 인덕터 적층 시트(444)에는 두개의 제 1 및 제 3 관통공(451c, 453c)을 형성하고, 각기 이 관통공(451c, 453c)에서부터 일 단면까지 연장된 제 1 및 제 3 가교 패턴(451b, 453b)을 형성한다. Spiral second and
다음으로 상기의 제 1 내지 제 3 적층 시트(410, 420, 430)와, 적층 시트부(440)와 제 4 적층 시트부(460)를 순차적으로 적층한다. 이로써, 적층물의 일 단면으로 제 1 전극(411)이 노출되고, 인덕터 패턴(450)의 일부인 제 1 내지 제 4 가교 패턴(451b, 452b, 453b, 454b)이 노출되고, 타 단면으로 제 2 전극(431)이 노출되고, 인덕터 패턴(450)의 일부인 나선형의 제 1 내지 제 4 인덕터 패턴(451a, 452a, 453a, 454a)이 노출된다. 그리고 적층물의 다른 양 단면으로 공통 전극(421)이 노출된다. 이같은 적층물을 압착하고 원하는 크기로 절단한 후, 이를 가열하여 각종 유기물 성분을 제거하고 소성한다.Next, the first to third
이후, 외부 단자 전극을 형성한다. 제 1 전극(411) 및 인덕터 패턴(450)을 감싸는 형상의 제 1 외부 단자 전극(481)을 형성하고, 공통전극(421)을 감싸는 형상의 제 2 외부 단자 전극(482)을 형성하고, 제 2 전극(431) 및 인덕터 패턴(450)을 감싸는 형상의 제 3 외부 단자 전극(483)을 형성한다. Thereafter, an external terminal electrode is formed. A first external
이와 같이 본 실시예에서는 인덕터 패턴을 나선형으로 형성하여 최대의 인덕턴스 값을 얻을 수 있고, 한 시트내에 두개의 칩에 사용할 수 있는 인덕터 패턴을 형성하여 2장의 시트로 4채널을 구현할 수 있다. As described above, in this embodiment, the inductor pattern may be spirally formed to obtain the maximum inductance value, and the inductor pattern for two chips may be formed in one sheet to realize four channels using two sheets.
또한, 본 발명은 LC를 이용한 T형 필터를 제작할 수도 있다. 이하, 본 발명의 제 7 실시예에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 하기 실시예에서는 제 1 내지 제 3 실시예에 따른 제 1 및 제 2 전극 중 어느 하나를 삭제한 전극 패턴을 기본으로 하여 설명한다. 제 1 내지 제 6 실시예와 중복되는 설명은 생략한다. 또한, 본 실시예는 앞서 설명한 제 1 내지 제 6 실시예에 적용될 수 있다. Moreover, this invention can also manufacture the T-type filter using LC. Hereinafter, a seventh embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiment, a description will be given based on an electrode pattern in which any one of the first and second electrodes according to the first to third embodiments is deleted. The description overlapping with the first to sixth embodiments is omitted. In addition, the present embodiment can be applied to the first to sixth embodiments described above.
<실시예 7><Example 7>
도 9a 및 도 9b는 본 발명의 제 7 실시예에 따른 적층 칩 소자의 제작 공정도이다. 9A and 9B are manufacturing process diagrams of a stacked chip device according to a seventh exemplary embodiment of the present invention.
도 10은 본 발명의 제 7 실시예에 따른 적층 칩 소자의 등가 회로도이다. 10 is an equivalent circuit diagram of a multilayer chip device according to a seventh embodiment of the present invention.
도 9a, 도 9b 및 도 10을 참조하면, 본 실시예에 따른 적층 칩 소자는 타 단면에서 연장된 타 인덕터 패턴(951, 952, 953, 954, 951a, 952a)이 형성된 제 1 인덕터 시트(941, 942)와, 일 단면에서 연장된 일 인덕터 패턴(955, 956, 957, 958, 953a, 954a)이 형성된 제 2 인덕터 시트(943, 944)와, 타 인덕터 패턴(951, 952, 953, 954, 951a, 952a)과 접속된 제 1 연결 관통공(912) 및 양측면에 노출된 공통전극(911)이 형성된 제 1 적층시트(610)와, 일 인덕터 패턴(955, 956, 957, 958, 953a, 954a)과 제 1 연결관통공(912)과 접속된 제 1 전극(921)이 형성된 제 2 적층 시트(920)와, 내부 전극과 패턴을 보호하기 위한 더미 시트인 제 3 적층 시트(960, 960a)를 포함한다. 여기서, 일 인덕터 패턴(955, 956, 957, 958, 953a, 954a)은 제 1 외부 단자 전극(981)과 접속되고, 타 인덕터 패턴(951, 952, 953, 954, 951a, 952a)은 제 3 외부 단자 전극(983)에 접속되고, 공통전극(911)은 제 2 외부 단자 전극(982)에 접속된다. 여기서, 적층물 하부에 더미 시트인 제 4 적층 시트(960b)가 더 포함될 수 있다. 9A, 9B, and 10, the multilayer chip device according to the present exemplary embodiment may include a
제 1 및 제 2 인덕터 시트(941, 942, 943, 944)는 각기 2개의 시트로 구성될 수도 있고, 이보다 더 많은 수의 시트 또는 더 적은 수의 시트로도 구성할 수 있으며, 각각의 시트 상에는 하나의 인덕터 패턴이 형성될 수도 있고, 서로 다른 시트를 관통공으로 연결하여 하나의 인덕터 패턴을 이룰 수도 있다. 또한, 공통전극 및 제 1 전극의 형상 또한 다양할 수 있다. 즉, 도 9a에 도시된 바와 같이 제 1 인덕터 적층 시트(941) 상에는 이의 타 단면에서 중앙으로 직선 형상으로 연장된 제 1 인덕터 패턴(951)이 형성된다. 제 1 인덕터 패턴(951)의 끝단에의 제 1 인덕터 적층 시트(941)에는 도전성 물질로 매립된 소정의 관통공(952a)이 형성될 수 있다. 물론 관통공 대신 소정의 패드가 형성될 수도 있다. 패드는 하부의 제 1 인덕터 패턴(951)과 상부의 제 2 인덕터 패턴(953) 간의 연결을 용이하게 하기 위해 형성한 다. 제 2 인덕터 적층 시트(942) 상에는 상기 소정의 관통공(952a)과 대응(물리적, 전기적 접속)하고, 도전성 물질로 매립된 제 1 관통공(952b)이 형성되며, 제 1 관통공(952)에서 부터 타 단면 방향으로 연장된 제 2 인덕터 패턴(953)이 형성되고, 제 2 인덕터 패턴(953)의 끝단에는 제 2 관통공(954)이 형성된다. 물론 제 2 관통공(954) 대신 소정의 도전성 패드가 형성될 수도 있다. The first and
제 1 적층 시트(910) 상에는 빗살 무늬 형상의 공통전극(911)이 형성되고, 공통 전극(911) 사이사이에는 제 2 관통공(954)과 대응하는 제 1 연결 관통공(912)이 형성된다. 여기서, 공통 전극(911)의 형상은 한정되지 않고, 제 1 전극(921)과의 접속면적을 조절하여 커패시턴스 값을 조절할 수 있는 모든 형상이 가능하다. 제 2 적층 시트(920) 상에는 외부로 노출되지 않는 제 1 전극(921)과 제 1 전극(921)의 일부와 중첩되고 제 1 연결 관통공(912)과 대응하는 제 2 연결 관통공(922)이 형성된다. 이때, 타 단면 방향으로 제 1 전극(921)의 일부가 돌출되고, 돌출된 영역의 일부와 중첩되어 제 1 연결 관통공(912)과 대응된 제 2 연결 관통공(922)이 형성되는 것이 바람직하다. A comb-shaped
제 3 인덕터 적층 시트(943) 상에는 제 1 전극(921)의 일 끝단과 대응하는 제 3 관통공(955)이 형성되고, 제 3 관통공(955)에서 부터 타 단면 방향으로 연장된 제 4 인덕터 패턴(956)이 형성된다. 제 4 인덕터 적층 시트(944) 상에는 일 단면에서 타단면 방향으로 연장된 제 5 인덕터 패턴(957)과, 제 4 인덕터 패턴(956)과 제 5 인덕터 패턴(957) 간을 연결하기 위한 제 4 관통공(958)이 형성된다. A third through
이를 통해 제 1 인덕터 패턴(951)과 제 2 인덕터 패턴(953)은 제 1 관통공 (952b)을 통해 연결되고, 제 2 인덕터 패턴(953)과 제 1 전극(921)의 타 끝단은 제 1 및 제 2 연결 관통공(912, 922)을 통해 연결된다. 또한, 제 1 전극(921)의 일 끝단과 제 3 인덕터 패턴(956)은 제 3 관통공(955)을 통해 연결되고, 제 3 인덕터 패턴(956)과 제 4 인덕터 패턴(957)은 제 4 관통공(958)을 통해 연결된다. As a result, the
또한, 도 9b에 도시된 바와 같이 제 1 인덕터 적층 시트(941) 상에는 타단면에서 연장된 ㄷ자 형상의 제 1 인덕터 패턴(951a)이 형성되고, 제 2 인덕터 적층 시트(942) 상에는 제 1 인덕터 패턴(951a)의 타단면과 대응하는 제 1 관통공(952a)이 형성된다. 9B, a U-shaped
제 1 적층 시트(910) 상에는 공통전극(911)이 형성되고, 공통전극(911)과 분리되어 제 1 관통공(952a)과 대응하는 제 1 연결 관통공(912)이 형성된다. 제 2 적층 시트(920) 상에는 제 1 전극(921)이 형성되고, 제 1 전극(921)과 제 1 연결 관통공(912) 간을 연결하기 위한 제 2 연결 관통공(922)이 형성된다. The
제 3 인덕터 적층 시트(943) 상에는 일 단면에서 연장된 ㄷ자 형상의 제 2 인덕터 패턴(954a)이 형성되고, 제 2 인덕터 패턴(954a)과 제 1 전극(921) 간을 연결하기 위한 제 2 관통공(953a)이 형성된다. A
이를 통해 제 1 인덕터 패턴(951a)과, 제 1 전극(921)의 타 끝단은 제 1 관통공(952a)과 제 1 및 제 2 연결 관통공(912, 922)을 통해 연결된다. 제 1 전극(921)의 일 끝단과 제 2 인덕터 패턴(954a)은 제 2 관통공(953a)을 통해 연결된다. Through this, the
상술한 바와 같이 일 인덕터 패턴(955, 956, 957, 958, 953a, 954a)이 제 1 외부 단자 전극(981)에 접속되고, 타 인덕터 패턴(951, 952, 953, 954, 951a, 952a)이 제 3 외부 단자 전극(983)에 접속되며, 일 인덕터 패턴(955, 956, 957, 958, 953a, 954a)과 타 인덕터 패턴(951, 952, 953, 954, 951a, 952a) 사이에는 제 1 전극(921)이 접속되어 있고, 제 1 전극(921)의 하부에는 제 2 외부 단자 전극(982)과 접속된 공통전극(911)이 배치된다. 이로써, 제 1 및 제 3 외부 단자 전극(981, 983)을 신호가 입/출력하는 입출력단에 접속시키고, 제 2 외부 단자 전극(982)을 접지에 접속시키게 되면, 입력단과 출력단 사이에 직렬 접속된 인덕터 패턴과, 인덕터 패턴과 인덕터 패턴 사이 노드와 접지 사이에 접속된 커패시터를 포함하는 T형 필터로써 동작할 수 있게 된다. As described above, one
상술한 바와 같이 본 발명은 다수의 수동 소자들을 단일 칩 내에 결합하여, 주파수 특성을 향상시킬 수 있고, 외부의 과전압 및 정전기로부터 내부 회로를 보호할 수 있으며, 적층 칩의 패턴을 단순화할 수 있다. As described above, the present invention can combine a plurality of passive elements in a single chip to improve frequency characteristics, protect internal circuits from external overvoltage and static electricity, and simplify the pattern of the stacked chip.
또한, 내부 전극 패턴간의 간격과 패턴 형상을 변화시켜 다수 칩간의 주파수 특성 차이를 줄일 수 있다. In addition, it is possible to reduce the difference in frequency characteristics between a plurality of chips by changing the interval and pattern shape between the internal electrode patterns.
또한, 인덕터와 커패시터로 구성된 다양한 형태의 필터를 제공할 수 있다. In addition, various types of filters including inductors and capacitors may be provided.
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