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KR100498006B1 - Fabricating method of organic electroluminescence device - Google Patents

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KR100498006B1
KR100498006B1 KR10-2002-0072704A KR20020072704A KR100498006B1 KR 100498006 B1 KR100498006 B1 KR 100498006B1 KR 20020072704 A KR20020072704 A KR 20020072704A KR 100498006 B1 KR100498006 B1 KR 100498006B1
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Abstract

본 발명은 유기 전계발광소자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 리프트-오프(Lift-off)법을 이용하여 보조 전극을 형성하는 유기 전계발광소자의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법을 사용하면 종래의 보조 전극의 형성에 따른 ITO층의 손상을 방지할 수 있고, 풀 칼라 발광을 위한 보조 전극 패턴 형성이 용이하며, 새도우 마스크의 제작비용 절감할 수 있다. The present invention relates to a method for manufacturing an organic electroluminescent device, and more particularly, to a method for manufacturing an organic electroluminescent device for forming an auxiliary electrode by using a lift-off method. By using the method of the present invention, it is possible to prevent damage to the ITO layer due to the formation of the conventional auxiliary electrode, to form an auxiliary electrode pattern for full color light emission, and to reduce the manufacturing cost of the shadow mask.

Description

유기 전계발광소자의 제조 방법{Fabricating method of organic electroluminescence device}Fabrication method of organic electroluminescence device

본 발명은 유기 전계발광소자(organic electroluminescence device : OELD, 이하, "유기 EL 소자"라 칭함)의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 리프트-오프(Lift-off)법을 이용하여 보조 전극을 형성하는 유기 전계발광소자의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an organic electroluminescence device (OELD), hereinafter referred to as an " organic EL device ", and more particularly to an auxiliary electrode using a lift-off method. The manufacturing method of the organic electroluminescent element to form.

최근 표시장치(디스플레이)의 대형화에 따라 공간 점유가 적은 평면표시소자의 요구가 증대되고 있다. 이러한 문제를 해결할 가능성이 있는 디스플레이로서 최근 유기 발광 재료를 사용한 유기 EL 소자가 많은 주목을 받고 있다.In recent years, as the size of a display device (display) increases, the demand for a flat display device having less space is increasing. As a display capable of solving such a problem, an organic EL device using an organic light emitting material has recently attracted much attention.

유기 EL 소자는 저전압구동, 자기발광, 높은 발광 효율, 경량박형, 넓은 시야각 및 빠른 응답속도 등의 장점을 가지고 있고, 발광물질을 선택하여 풀 칼라 발광이 가능하여 차세대 평판 디스플레이 기술 중의 하나로서 기술개발이 활발하게 진행되고 있다. The organic EL device has advantages such as low voltage driving, self-luminous, high luminous efficiency, light weight, wide viewing angle and fast response speed. This is actively going on.

유기 전계 발광은 유기물(저분자 또는 고분자) 박막에 음극과 양극을 통하여 주입된 전자(electron)와 정공(hole)이 재결합(recombination)하여 여기자 (exition)를 형성하고, 형성된 여기자로부터의 에너지에 의해 특정한 파장의 빛이 발생되는 현상이다. Organic electroluminescence is recombination of electrons and holes injected through a cathode and an anode into an organic (low molecular or polymer) thin film to form an exciton, and specified by energy from the excitons formed. It is a phenomenon that light of wavelength is generated.

이러한 현상을 이용한 유기 EL 소자는 도 1에 도시된 바와 같은 기본적인 구조를 갖고 있다. 도 1은 통상의 유기 EL 소자를 나타내는 개략도이다.The organic EL device using this phenomenon has a basic structure as shown in FIG. 1 is a schematic view showing a conventional organic EL device.

유기 EL 소자의 기본적인 구성은, 도 1과 같이, 투명기판(1)과, 상기 투명기판(1) 상부에 스트라이프 형태로 일렬로 배열된 양극 전극(2)과, 상기 양극 전극(2) 상에 적층되어 형성된 유기 전계발광층(3) 및 상기 유기 전계발광층(3) 상에서 양극 전극과 교차하고 띠 모양으로 형성된 음극 전극(4)인 금속 전극이 순차적으로 적층된 구조이다. The basic configuration of the organic EL device is, as shown in FIG. 1, on the transparent substrate 1, the anode electrodes 2 arranged in a stripe shape on the transparent substrate 1, and on the anode electrodes 2. The stacked organic electroluminescent layer 3 and the metal electrode, which is a cathode electrode 4 formed in a band shape and intersecting with the anode electrode on the organic electroluminescent layer 3, are sequentially stacked.

유기 전계발광층(3)은, 양극 전극(2)으로부터 주입된 정공을 발광층으로 수송하는 정공 수송층(3B, hole transport layer); 양극 전극(2)과 음극 전극(4)으로부터 공급된 정공과 전자의 재결합이 이루어지면서 발광이 일어나는 영역인 발광층(3C, emitting layer); 및 음극 전극(4)으로부터 공급되는 전자의 원활한 수송을 위한 전자 수송층(3D, electron transport layer)이 순차적으로 적층된 구조를 갖는다. 경우에 따라서는 소자 내에 정공 및 전자의 주입이 원활하게 하기 위한 정공 주입층(hole injection layer) 및 전자 주입층(electron injection layer)을 더 적층할 수 있다. The organic electroluminescent layer 3 includes a hole transport layer (3B) for transporting holes injected from the anode electrode 2 to the light emitting layer; A light emitting layer (3C), which is a region where light is emitted while recombination of holes and electrons supplied from the anode electrode 2 and the cathode electrode 4 is performed; And an electron transport layer (3D) for sequentially transporting electrons supplied from the cathode electrode 4 in a stacked manner. In some cases, a hole injection layer and an electron injection layer may be further stacked to smoothly inject holes and electrons into the device.

이러한 구조를 갖는 유기 EL 소자는 다음의 단계들을 거쳐 제조된다. An organic EL device having such a structure is manufactured through the following steps.

먼저, 투명의 유리기판 상에 진공 증착법을 이용하여 양극용 투명전극을 증착하고, 사진식각법(photolithography)으로 패터닝(patterning)한다. First, a transparent electrode for an anode is deposited on a transparent glass substrate using a vacuum deposition method, and patterned by photolithography.

여기서, 양극 전극으로서의 투과성을 만족시키는 금속으로서는 산화 인듐(In2S3)에 산화 주석(SnO2)을 도핑한 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide: ITO, 이하, "ITO"라 칭함)이 적합하나, 이 ITO는 저항이 높다는 문제가 있고, ITO의 저항은 유기 EL 소자의 특성에 큰 영향을 주는 한 요인으로 작용하고 있다.Herein, indium tin oxide (ITO, hereinafter referred to as “ITO”) in which indium oxide (In 2 S 3 ) is doped with tin oxide (SnO 2 ) is suitable as a metal satisfying the permeability as an anode electrode. This ITO has a problem of high resistance, and the resistance of the ITO acts as a factor that greatly affects the characteristics of the organic EL device.

따라서 ITO층의 안정화, 즉 ITO층의 저항을 낮추기 위한 한 방안으로서 ITO층의 에지(edge) 상에 보조 금속 전극을 형성하는 방법이 이용되고 있다. 즉, 패터닝된 ITO층 상에 금속 재료층을 증착한 후, 사진식각법으로 패터닝하여 보조 건극을 형성한다. Therefore, as a method for stabilizing the ITO layer, that is, lowering the resistance of the ITO layer, a method of forming an auxiliary metal electrode on an edge of the ITO layer is used. That is, a metal material layer is deposited on the patterned ITO layer, and then patterned by photolithography to form an auxiliary dry electrode.

다음으로 보조전극이 형성된 ITO층 상에 절연벽과 격벽을 사진식각법으로 형성한다. 그 후, 위에서 설명한 유기물층을 증착하고, 이 유기물층 상에 음극 전극용 금속 전극을 전면 증착한다.Next, an insulating wall and a partition wall are formed by a photolithography method on the ITO layer on which the auxiliary electrode is formed. Thereafter, the organic material layer described above is deposited, and the metal electrode for the cathode electrode is entirely deposited on the organic material layer.

위에서 설명한 ITO층 및 금속 보조 전극 형성 과정을 도 2와 3을 참고하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다. 도 2는 ITO층을 먼저 패터닝 한 후 보조 전극을 형성하는 방법을, 도 3은 보조 전극과 ITO층을 동시에 패터닝 하는 방법을 각각 나타낸다. The process of forming the ITO layer and the metal auxiliary electrode described above will be described in more detail with reference to FIGS. 2 and 3 as follows. 2 illustrates a method of firstly forming an ITO layer and then forming an auxiliary electrode, and FIG. 3 illustrates a method of simultaneously patterning an auxiliary electrode and an ITO layer.

도 2를 참고하면, 먼저 유리 기판(12; glass substrate) 상에 ITO층을 전면 증착하고, 사진식각법(photolithography)으로 소정의 간격을 갖는 스트라이프 형태로 패터닝(patterning)한다(도 2a). 패터닝된 양극 전극(14) 상에 보조 전극 물질로 Cr, Mo 등을 전면 증착하고(도 2b), 금속층(16) 상에 포토레지스트(18)를 도포한다(도 2c). 포토마스크(P)를 이용한 노광 공정(도 2d), 현상 공정(도 2e) 및 금속층에 대한 에칭 공정(도 2f)을 순차적으로 실시한 후, 잔류 포토레지스트 패턴(18A)를 제거함으로서, 도 2g에 도시된 바와 같이 패터닝된 ITO층(14) 상에 패터닝된 보조 금속 전극(16A)이 형성된다.Referring to FIG. 2, first, an ITO layer is entirely deposited on a glass substrate 12, and patterned into a stripe having a predetermined interval by photolithography (FIG. 2A). Cr, Mo, and the like are entirely deposited on the patterned anode electrode 14 with the auxiliary electrode material (FIG. 2B), and the photoresist 18 is applied on the metal layer 16 (FIG. 2C). After performing the exposure process (FIG. 2D), the image development process (FIG. 2E), and the etching process (FIG. 2F) with respect to the metal layer using the photomask P sequentially, it removes the residual photoresist pattern 18A, and FIG. As shown, a patterned auxiliary metal electrode 16A is formed on the patterned ITO layer 14.

도 3을 참고하면, 먼저 유리 기판(22) 상에 ITO층(24)을 전면 증착하고(도 2a), 새도우 마스크(Shadow Mask)를 사용하여 보조 전극 물질을 스퍼터링(sputtering)하여 보조 전극(26)을 형성한다(도 3b). 보조 전극(26)이 형성된 ITO층(24) 상에 네가티브 포토레지스트(28)를 전면 도포한다(도 3c). 포토마스크(P)를 이용한 노광 공정(도 3d), 현상 공정(도 3e)을 실시하고, 보조 전극과 ITO층에 대한 에칭 공정을 실시하여, 도 3f에 도시된 바와 같이 패터닝된 ITO층(24A) 상에 패터닝된 보조 금속 전극(26A)이 형성된다. Referring to FIG. 3, first, an ITO layer 24 is entirely deposited on the glass substrate 22 (FIG. 2A), and the auxiliary electrode material is sputtered by using a shadow mask. ) Is formed (FIG. 3B). The negative photoresist 28 is entirely coated on the ITO layer 24 on which the auxiliary electrode 26 is formed (FIG. 3C). An ITO layer 24A patterned as shown in FIG. 3F by performing an exposure process (FIG. 3D) and a developing process (FIG. 3E) using a photomask P, and an etching process for the auxiliary electrode and the ITO layer. A patterned auxiliary metal electrode 26A is formed on the.

그러나, 도 2와 같이, 새도우 마스크를 사용하지 않고 보조 전극을 증착할 경우, 보조 전극 물질의 스퍼터링시 유기 전계발광층을 적층하기 위한 ITO층의 활성 부위까지 보조 전극 물질이 도포되어 ITO층에 손상을 주고, 이로 인해 유기 EL 소자에 치명적인 결함을 초래한다. However, as shown in FIG. 2, when the auxiliary electrode is deposited without using the shadow mask, the auxiliary electrode material is applied to the active site of the ITO layer for stacking the organic electroluminescent layer when sputtering the auxiliary electrode material, thereby damaging the ITO layer. This causes a fatal defect in the organic EL device.

또한 도 3과 같이, 새도우 마스크를 사용하여 보조 전극을 형성하여도, 기판이 대면적이 되면서 새도우 마스크를 사용하기 위해서는 상당한 마스킹(Masking) 기술이 요구되어지고, 보조 전극 물질의 스퍼터링시 열에 의해 새도우 마스크가 뒤틀림으로 인하여 보조 전극 물질이 ITO의 활성 부위까지 침투되는 현상(이하, "새도우 현상"이라 칭함)이 발생하여 ITO층에 손상을 준다. In addition, as shown in FIG. 3, even when the auxiliary electrode is formed by using the shadow mask, a significant masking technique is required in order to use the shadow mask while the substrate becomes large, and shadows are formed by heat during sputtering of the auxiliary electrode material. Due to the distortion of the mask, a phenomenon in which the auxiliary electrode material penetrates to the active site of the ITO (hereinafter referred to as "shadow phenomenon") occurs and damages the ITO layer.

따라서, ITO층의 저항을 낮추면서도 ITO층에 영향을 주지 않은 보조 전극의 형성방법이 요구된다. Therefore, there is a need for a method of forming an auxiliary electrode that lowers the resistance of the ITO layer but does not affect the ITO layer.

이에 본 발명자는 상기 문제점을 해결하기 위해 예의 연구를 거듭한 결과, 보조 전극을 형성할 때 반도체 공정중 전극을 형성하는 방법의 일종인 리프트-오프법(lift off method)을 유기 EL 소자의 공정에 적용할 경우 보조 전극 물질의 새도우 현상을 완전히 예방할 수 있음을 확인하여 본 발명을 완성하기에 이르렀다. Accordingly, the present inventors have intensively studied to solve the above problems, and as a result, the lift-off method, which is a method of forming an electrode in a semiconductor process when forming an auxiliary electrode, is applied to a process of an organic EL device. When applied, it has been confirmed that the shadow phenomenon of the auxiliary electrode material can be completely prevented, and thus the present invention has been completed.

따라서, 본 발명은 상기 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 종래의 보조 전극 형성함에 따른 ITO층의 손상을 방지할 수 있는, 리프트-오프법을 이용하여 보조 전극을 형성하는 유기 EL 소자의 제조방법을 목적으로 한다. Therefore, the present invention has been made to solve the problems of the prior art, an organic EL device for forming an auxiliary electrode using a lift-off method, which can prevent the damage of the ITO layer by forming a conventional auxiliary electrode The purpose of the preparation method.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 스트라이프 형태의 제1 전극을 투명 기판위에 형성하는 단계; 상기 제1 전극상에 리프트-오프법에 의해 보조 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 유기 발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 전계발광소자의 제조 방법을 제공한다. In order to achieve the above object, the present invention comprises the steps of forming a stripe-shaped first electrode on a transparent substrate; Forming an auxiliary electrode on the first electrode by a lift-off method; Forming an organic emission layer on the first electrode; And it provides a method of manufacturing an organic electroluminescent device comprising the step of forming a second electrode on the organic light emitting layer.

본 발명의 유기 EL 소자의 제조방법에 있어서, 상기 보조 전극을 형성하는 리프트-오프법은 스트라이프 형태로 패턴화된 제1 전극에 포토레지스트를 전면 증착하는 단계; 포토마스크를 사용하여 소정 부위를 노광하는 단계; 노광된 포토레지스트를 현상시키는 단계; 현상된 포토레지스트 상에 보조 전극 형성용 금속층을 전면 증착하는 단계; 및 잔류 포토레지스트 및 보조 전극을 형성하지 않는 불필요한 금속층 부분을 선택적으로 제거하는 단계를 포함할 수 있다. In the method for manufacturing an organic EL device of the present invention, the lift-off method for forming the auxiliary electrode includes the steps of: depositing a photoresist on the first electrode patterned in a stripe shape; Exposing a predetermined portion using a photomask; Developing the exposed photoresist; Depositing a metal layer for forming an auxiliary electrode on the developed photoresist; And selectively removing unnecessary metal layer portions that do not form residual photoresist and auxiliary electrodes.

본 발명의 유기 EL 소자의 제조방법에 있어서, 상기 보조 전극을 형성하는 리프트-오프법은 또한 기판상에 전면 증착된 제1 전극에 포토레지스트를 전면 증착하는 단계; 포토마스크를 사용하여 소정 부위를 노광하는 단계; 노광된 포토레지스트를 현상시키는 단계; 현상된 포토레지스트 상에 보조 전극 형성용 금속층을 전면 증착하는 단계; 잔류 포토레지스트 및 보조 전극을 형성하지 않는 불필요한 금속층 부분을 선택적으로 제거하는 단계; 및 스트라이프 형태로 제1 전극을 에칭하는 단계를 포함할 수 있다. In the method for manufacturing the organic EL device of the present invention, the lift-off method for forming the auxiliary electrode further comprises: depositing a photoresist on the entire surface of the first electrode on the substrate; Exposing a predetermined portion using a photomask; Developing the exposed photoresist; Depositing a metal layer for forming an auxiliary electrode on the developed photoresist; Selectively removing portions of the unnecessary metal layer that do not form residual photoresist and auxiliary electrodes; And etching the first electrode in a stripe form.

상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시예들에 대한 설명을 통하여 보다 명백하게 드러나게 될 것이다. Other objects and features of the present invention in addition to the above object will become more apparent from the description of the embodiments with reference to the accompanying drawings.

이하, 본 발명을 도면을 통한 바람직한 실시예의 설명을 통하여 상세히 설명한다. Hereinafter, the present invention will be described in detail through the description of a preferred embodiment through the drawings.

제 1 실시예First embodiment

도 4은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 보조 전극을 형성하는 각 단계를 도시한 도면으로서, 제 1 실시예에 따른 보조 전극 형성 공정을 단계별로 설명하면 다음과 같다.FIG. 4 is a diagram illustrating each step of forming an auxiliary electrode according to a first embodiment of the present invention, and the auxiliary electrode forming process according to the first embodiment will be described below.

먼저 유리 기판(102) 상에 진공 증착법을 이용하여 ITO층을 증착하고, 사진식각법(photolithography)으로 소정의 간격을 갖는 스트라이프 형태로 패터닝(patterning)한다(도 4a). 패터닝된 ITO층(104) 상에 포토레지스트(106)를 전면 증착한다(도 4b). 그후, 포토마스크(P)를 이용한 노광 공정(도 4c), 현상 공정(도 4d)을 순차적으로 실시한다. 그다음에 몰리브덴(Mo)을 전면 도포하여 노광되지 않은 잔류한 포토레지스트 사이로 보조 전극층을 형성한다(도 4e). 그후, 잔류한 포토레지스트 패턴(106A)과 보조 전극의 불필요한 부분을 동시에 제거한다. First, an ITO layer is deposited on the glass substrate 102 by using a vacuum deposition method, and patterned into a stripe having a predetermined interval by photolithography (FIG. 4A). Photoresist 106 is entirely deposited on patterned ITO layer 104 (FIG. 4B). Then, the exposure process (FIG. 4C) and the image development process (FIG. 4D) using the photomask P are performed sequentially. Molybdenum (Mo) is then applied to the entire surface to form an auxiliary electrode layer between the unexposed remaining photoresist (FIG. 4E). Thereafter, unnecessary portions of the remaining photoresist pattern 106A and the auxiliary electrode are removed at the same time.

도 4f에 도시된 바와 같이, 생성된 보조 전극(108A)은 유기 발전계발광층을 적층하기 위한 ITO층(104)의 활성 부위에는 전혀 영향을 미치지 않는다. As shown in FIG. 4F, the generated auxiliary electrode 108A has no influence on the active site of the ITO layer 104 for stacking the organic light emitting layer.

제 2 실시예Second embodiment

도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 보조 전극을 형성하는 각 단계를 도시한 도면으로서, 제 2 실시예에 따른 보조 전극 형성 공정을 단계별로 설명하면 다음과 같다.FIG. 5 is a diagram illustrating each step of forming the auxiliary electrode according to the second embodiment of the present invention, and the auxiliary electrode forming process according to the second embodiment will be described below.

먼저 유리 기판(202) 상에 진공 증착법을 이용하여 ITO층을 전면 증착하고, 상기 ITO층(204) 상에 포토레지스트(206)를 전면 증착한다(도 5b). 그후, 포토마스크(P)를 이용한 노광 공정(도 5c), 현상 공정(도 5d)을 순차적으로 실시한다. 그다음에 몰리브덴(Mo)을 전면 도포하여 노광되지 않은 잔류한 포토레지스트 사이로 보조 전극층을 형성한다(도 5e). 그후, 포토레지스트 패턴(206A)과 보조 전극의 불필요한 부분을 제거하고, ITO층도 에칭(etching)하여 제거한다.First, an ITO layer is deposited on the glass substrate 202 by vacuum deposition, and a photoresist 206 is deposited on the ITO layer 204 (FIG. 5B). Then, the exposure process (FIG. 5C) and the image development process (FIG. 5D) using the photomask P are performed sequentially. Molybdenum (Mo) is then applied to the entire surface to form an auxiliary electrode layer between the unexposed remaining photoresist (FIG. 5E). Thereafter, unnecessary portions of the photoresist pattern 206A and the auxiliary electrode are removed, and the ITO layer is also etched away.

도 5f에 도시된 바와 같이, 생성된 보조 전극(208A)은 유기 발전계발광층을 적층하기 위한 ITO층(204A)의 활성 부위에는 전혀 영향을 미치지 않는다. As shown in FIG. 5F, the generated auxiliary electrode 208A has no influence on the active site of the ITO layer 204A for stacking the organic light emitting layer.

이상과 같은 본 발명의 방법을 사용하면 종래의 보조 전극 형성에 따른 ITO층의 손상을 방지할 수 있어 안정된 유기 EL 소자를 제조할 수 있고, 풀 칼라 발광을 위한 보조 전극 패턴 형성이 용이하며, 새도우 마스크의 제작비용 절감할 수 있다. By using the method of the present invention as described above it is possible to prevent the damage of the ITO layer according to the conventional auxiliary electrode formation can be produced a stable organic EL device, it is easy to form the auxiliary electrode pattern for full color light emission, shadow The manufacturing cost of the mask can be reduced.

도 1은 통상의 유기 전계발광소자를 나타내는 개략도.1 is a schematic view showing a conventional organic electroluminescent device.

도 2a 내지 도 2g는 종래의 일예에 따른 ITO층 및 금속 보조 전극을 형성하는 각 단계를 나타낸 단면도.2A to 2G are cross-sectional views illustrating each step of forming an ITO layer and a metal auxiliary electrode according to a conventional example.

도 3a 내지 도 3f는 종래의 다른 일예에 따른 ITO층 및 금속 보조 전극을 형성하는 각 단계를 나타낸 단면도.3A to 3F are cross-sectional views illustrating respective steps of forming an ITO layer and a metal auxiliary electrode according to another example of the related art.

도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 제1 실시예에 따른 ITO층 및 금속 보조 전극을 형성하는 각 단계를 나타낸 단면도.4A to 4F are cross-sectional views showing respective steps of forming an ITO layer and a metal auxiliary electrode according to a first embodiment of the present invention.

도 5a 내지 도 4f는 본 발명의 제2 실시예에 따른 ITO층 및 금속 보조 전극을 형성하는 각 단계를 나타낸 단면도.5A to 4F are cross-sectional views illustrating respective steps of forming an ITO layer and a metal auxiliary electrode according to a second embodiment of the present invention.

*** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ****** Explanation of symbols for the main parts of the drawing ***

1, 12, 22, 102, 202 : 투명기판 2, 14, 24, 104, 204 : 양극 전극1, 12, 22, 102, 202: transparent substrate 2, 14, 24, 104, 204: anode electrode

3 : 유기 전계발광층 4 : 음극 전극3: organic electroluminescent layer 4: cathode electrode

16, 26, 108, 208 : 보조 전극 18, 28, 106, 206 : 포토레지스트16, 26, 108, 208: auxiliary electrode 18, 28, 106, 206: photoresist

Claims (3)

삭제delete 스트라이프 형태의 제1 전극을 투명 기판위에 형성하는 단계;Forming a stripe-shaped first electrode on the transparent substrate; 스트라이프 형태로 패턴화된 제1 전극에 포토레지스트를 전면 증착하는 단계;Depositing photoresist on the first electrode patterned in the form of a stripe; 포토마스크를 사용하여 소정 부위를 노광하는 단계;Exposing a predetermined portion using a photomask; 노광된 포토레지스트를 현상시키는 단계;Developing the exposed photoresist; 현상된 포토레지스트 상에 보조 전극 형성용 금속층을 전면 증착하는 단계;Depositing a metal layer for forming an auxiliary electrode on the developed photoresist; 잔류 포토레지스트 및 보조 전극을 형성하지 않는 불필요한 금속층 부분을 선택적으로 제거하는 단계;Selectively removing portions of the unnecessary metal layer that do not form residual photoresist and auxiliary electrodes; 상기 제1 전극상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및 Forming an organic emission layer on the first electrode; And 상기 유기 발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 전계발광소자의 제조 방법.A method of manufacturing an organic electroluminescent device comprising forming a second electrode on the organic light emitting layer. 제1 전극을 투명 기판 위에 전면 증착하는 단계;Depositing a first electrode on the transparent substrate; 기판상에 전면 증착된 제1 전극에 포토레지스트를 전면 증착하는 단계;Depositing a photoresist on the first electrode which is deposited on the substrate; 포토마스크를 사용하여 소정 부위를 노광하는 단계;Exposing a predetermined portion using a photomask; 노광된 포토레지스트를 현상시키는 단계;Developing the exposed photoresist; 현상된 포토레지스트 상에 보조 전극 형성용 금속층을 전면 증착하는 단계; Depositing a metal layer for forming an auxiliary electrode on the developed photoresist; 잔류 포토레지스트 및 보조 전극을 형성하지 않는 불필요한 금속층 부분을 선택적으로 제거하는 단계;Selectively removing portions of the unnecessary metal layer that do not form residual photoresist and auxiliary electrodes; 스트라이프 형태로 제1 전극을 에칭하는 단계Etching the first electrode in the form of a stripe 상기 제1 전극상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및 Forming an organic emission layer on the first electrode; And 상기 유기 발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 전계발광소자의 제조 방법.A method of manufacturing an organic electroluminescent device comprising forming a second electrode on the organic light emitting layer.
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