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KR100447284B1 - 화학기상증착 챔버의 세정 방법 - Google Patents

화학기상증착 챔버의 세정 방법 Download PDF

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KR100447284B1
KR100447284B1 KR10-2002-0042598A KR20020042598A KR100447284B1 KR 100447284 B1 KR100447284 B1 KR 100447284B1 KR 20020042598 A KR20020042598 A KR 20020042598A KR 100447284 B1 KR100447284 B1 KR 100447284B1
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gas
refractory metal
titanium
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문광진
최길현
강상범
박희숙
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삼성전자주식회사
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Abstract

티타늄막의 증착에 사용되는 화학기상증착 챔버의 세정 방법이 개시되어 있다. 기판 상에 내화 금속층을 증착하는 화학기상증착 챔버의 세정 방법에 있어서, 상기 챔버를 질소(N)와 수소(H)를 포함한 제1 가스로 플라즈마 처리하여 상기 챔버 내에 부착된 내화 금속층을 질화시키고 상기 챔버 내의 반응 부산물을 희석한다. 제2 가스로 상기 챔버를 인-시튜 세정하여 상기 챔버 내에 부착된 질화된 내화 금속층을 제거한다. 상기 챔버를 질소(N)와 수소(H)를 포함한 제3 가스로 플라즈마 처리하여 상기 챔버 내의 반응 부산물을 제거한다. 인-시튜 챔버 세정 단계의 전·후 각각에 소(N)와 수소(H)를 포함한 가스 분위기에서 챔버를 플라즈마 처리함으로써, 세정 효율을 높이고 반응 부산물의 생성을 억제할 수 있다.

Description

화학기상증착 챔버의 세정 방법{Method of cleaning chemical vapor deposition chamber}
본 발명은 화학기상증착 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마-강화 화학기상증착(plasma-enhanced chemical vapor deposition; 이하 "PECVD"라 한다) 방법으로 티타늄막을 증착한 후 처리 챔버(processing chamber)를 인-시튜 세정하는데 있어서 세정 효율을 향상시키고 반응 부산물의 생성을 억제할 수 있는 화학기상증착 챔버의 세정 방법에 관한 것이다.
반도체 장치가 고집적화됨에 따라 소자의 디자인-룰, 예컨대 트랜지스터의 채널 길이, 액티브 간격, 배선 넓이(width), 배선 간격 및 콘택 크기 등이 축소(scale-down)되고 있다. 특히, 콘택의 경우에는 저 저항 콘택을 얻기 위해 금속 실리사이드층을 형성하고 있다.
금속 실리사이드층은 실리콘 기판과 그 위에 형성된 금속층 사이에 저 저항의 계면을 제공하는 오믹층(ohmic layer)의 역할을 수행한다. 또한, 금속 실리사이드층은 금속층과 그 하부의 반도체 영역 사이, 또는 다중 금속 시스템에서 두 개의금속층들 사이에서 두 물질들이 서로 확산되는 것을 방지하기 위한 확산 장벽층(diffusion barrier layer)의 역할을 수행한다.
실리사이드는 티타늄 실리사이드(TiSi2)나 8족 실리사이드(PtSi2, PdSi2, CoSi2, 및 NiSi2) 등의 물질로 형성되는데, 0.25㎛급 이하의 반도체 장치에서는 티타늄 실리사이드가 널리 사용되고 있다.
종래에는 스퍼터링 방식으로 내화 금속층을 증착한 후 RTP(rapid thermal process)와 같은 열처리를 실시하여 내화 금속층과 실리콘 영역과의 계면에 금속 실리사이드를 형성하였다. 그러나, 콘택홀의 사이즈가 감소하고 종횡비(aspect ratio)가 증가함에 따라, 스퍼터링 방식은 높은 단차에서의 단차 도포성(step coverage)이 취약하여 콘택홀의 바닥면에 충분한 금속 실리사이드를 형성하는데 한계가 있다.
이러한 스퍼터링 방식의 단차 도포성 문제를 해결하기 위하여 화학기상증착(CVD) 또는 플라즈마-강화 화학기상증착(PECVD) 방식으로 내화 금속층을 증착함과 동시에 금속 실리사이드를 형성하는 방법이 제안되었다. 이 방법은 높은 종횡비를 갖는 콘택에서도 내화 금속층이 액티브 영역의 실리콘과 직접 반응하여 후속의 열처리 공정이 없어도 실리사이드를 형성할 수 있기 때문에 단차 도포성이 우수하고 공정 단순화를 도모할 수 있다는 장점이 있다.
그러나, PECVD 방식으로 내화 금속층을 증착하는 경우, 처리 챔버의 내부, 예를 들어 챔버 내에 처리 가스를 도입하기 위한 샤워 헤드(shower head)와 실리콘웨이퍼와 같은 기판을 가열시키기 위한 히터(heater) 등의 각종 부품들의 표면에도 내화 금속층이 증착된다. 따라서, 챔버 내에 증착된 내화 금속층을 제거하기 위하여, 내화 금속층의 증착 후 상기 챔버에 대한 건식 세정 공정을 인-시튜로 진행하여야 한다.
예를 들어, 티타늄 실리사이드의 경우, 사염화티탄(TiCl4) 가스를 이용한 PECVD 방식으로 티타늄막을 증착함과 동시에 티타늄 실리사이드를 형성한 후, 염소(Cl2) 가스를 이용한 건식 세정 공정으로 챔버를 인-시튜 세정함으로써 챔버 내부에 증착되는 티타늄막을 제거한다. PECVD-Ti 막을 증착한 후 챔버를 인-시튜 건식 세정하여 챔버 내에 증착된 티타늄막을 제거하는 방법들은 국제특허특허 공개 WO 1999-028955호, 대한민국 특허 공개 2001-0007317 및 대한민국 특허 공개 1998-087936 등에 개시되어 있다.
그러나, 처리 챔버 내의 샤워 헤드에 증착된 티타늄막이 TiCl4가스로부터 해리된 다량의 염소(Cl)를 포함한 상태에서 Cl2가스를 이용한 인-시튜 세정 공정을 진행하기 때문에, 챔버 세정이 완료된 후에도 상기 샤워 헤드에 증착된 티타늄막은 완전히 제거되지 못한다. 또한, 인-시튜 세정 공정시 Cl2가스로부터 해리된 염소 원자와 티타늄 원자가 반응하여 티탄염화물(TiClx)(x=1∼4)이나 Cl 형태 등의 반응 부산물들을 다량 생성하게 된다. 이러한 반응 부산물들은 Cl2가스를 이용한 인-시튜 챔버 세정이 완료된 후에도 챔버 내에 잔류하게 된다.
이와 같이 처리 챔버 내에 증착된 티타늄막이 완전히 제거되지 못하고 반응 부산물들이 잔류한 상태에서 다음 웨이퍼(기판)들에 대한 Ti-PECVD 공정을 계속적으로 진행할 경우, 티타늄막의 면저항 재현성 및 웨이퍼 내 균일도(uniformity)가 불량해지는 문제가 발생하게 된다.
이러한 문제를 해결하기 위하여 NF3, ClF3또는 Cl2와 같은 세정 가스로 PECVD 챔버를 인-시튜 세정한 후, 상기 챔버 내에 NH3/H2/Ar 플라즈마를 발생시켜 챔버 내의 잔류 세정 가스 및 불순물들을 제거하는 방법이 국제특허 공개 WO 1999-054522호에 개시되어 있다. 그러나, 이 방법은 PECVD 챔버를 정기적으로 컨디셔닝(conditioning)하기 위한 것으로, 매 웨이퍼마다 처리 챔버를 세정하지 못하기 때문에 처리 웨이퍼의 매수가 늘어날수록 챔버 내에 불필요한 티타늄막 및 반응 부산물들이 지속적으로 축적됨으로써 PECVD-Ti 막의 특성이 열화된다.
따라서, 본 발명의 일 목적은 세정 효율을 향상시키고 챔버 내의 반응 부산물 생성을 억제할 수 있는 화학기상증착 챔버의 세정 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 PECVD-Ti 막을 증착하는데 사용되는 처리 챔버를 효과적으로 세정할 수 있는 화학기상증착 챔버의 세정 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 또다른 목적은 PECVD-Ti 막을 증착한 후 매 웨이퍼마다 처리 챔버를 인-시튜 세정하는 화학기상증착 챔버의 세정 방법을 제공하는데 있다.
도 1은 본 발명에 의한 PECVD-Ti 막의 증착에 이용되는 화학기상증착 장치의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 PECVD-Ti 막 증착의 공정 단계를 나타내는 플로우 차트이다.
도 3a 및 도 3b는 각각, 종래 방법 및 본 발명에 의해 형성된 PECVD-Ti 막에 있어서, 웨이퍼 매수에 따른 PECVD-Ti 막의 면저항 및 균일도를 나타낸 그래프들이다.
도 4a 및 도 4b는 각각, 종래 방법 및 본 발명에 의해 형성된 PECVD-Ti 막에 있어서, 웨이퍼 내 PECVD-Ti 막의 면저항 분포를 나타낸 웨이퍼 맵들이다.
도 5a 및 도 5b는 각각, 종래 방법 및 본 발명에 의한 Ti-PECVD 공정에 있어서, 챔버로부터의 염소(Cl) 아웃개싱량을 나타내는 그래프들이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 처리 챔버 12 : 샤워 헤드
14 : 히터 15 : 서셉터
16 : 게이트 밸브 18 : 가스 도입구
20 : 배기구 21 : 배기관
22 : 공급관 24 : 분기관
26 : 유량 제어기 30, 32, 34, 36, 38, 40 : 가스원
41 : 리드선 42 : 매칭 회로
44 : RF 전원
상술한 목적들을 달성하기 위하여 본 발명은, 기판 상에 내화 금속층을 증착하는 화학기상증착 챔버의 세정 방법에 있어서, (a) 상기 챔버를 질소(N)와 수소(H)를 포함한 제1 가스로 플라즈마 처리하여 상기 챔버 내에 부착된 내화 금속층을 질화시키고 상기 챔버 내의 반응 부산물을 희석하는 단계; (b) 제2 가스로 상기 챔버를 인-시튜 세정하여 상기 챔버 내에 부착된 질화된 내화 금속층을 제거하는 단계; 및 (c) 상기 챔버를 질소(N)와 수소(H)를 포함한 제3 가스로 플라즈마 처리하여 상기 챔버 내의 반응 부산물을 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 챔버의 세정 방법을 제공한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 내화 금속층은 티타늄으로 형성한다. 상기 제1 가스 및 제3 가스는 N2/H2가스 또는 NH3가스를 사용하고, 상기 제2 가스는 염소(Cl2) 가스를 사용한다.
또한, 본 발명의 상술한 목적들은 (a) 기판을 챔버 내에 로딩하는 단계; (b) 상기 기판 상에 내화 금속층을 증착하는 단계; (c) 상기 기판을 상기 챔버로부터 제거하는 단계; (d) 상기 챔버를 질소(N)와 수소(H)를 포함한 제1 가스로 플라즈마 처리하여 상기 챔버 내에 부착된 내화 금속층을 질화시키고 상기 챔버 내의 반응 부산물을 희석하는 단계; (e) 제2 가스로 상기 챔버를 인-시튜 세정하여 상기 챔버 내에 부착된 질화된 내화 금속층을 제거하는 단계; 및 (f) 상기 챔버를 질소(N)와 수소(H)를 포함한 제3 가스로 플라즈마 처리하여 상기 챔버 내의 반응 부산물을 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 챔버의 세정 방법에 의해 달성될 수 있다.
상술한 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 화학기상증착 챔버의 세정 방법은, (a) 챔버 내에 제1 기판을 로딩하는 단계; (b) 상기 제1 기판 상에 티타늄 함유막을 증착하는 단계; (c) 상기 제1 기판을 상기 챔버로부터 제거하는 단계; (d) 상기 챔버를 질소(N)와 수소(H)를 포함한 제1 가스로 플라즈마 처리하여 상기 챔버 내에 부착된 티타늄 함유막을 질화시키고 상기 챔버 내의 반응 부산물을 희석하는 단계; (e) 제2 가스로 상기 챔버를 인-시튜 세정하여 상기 챔버 내에 부착된 질화된 티타늄 함유막을 제거하는 단계; (f) 상기 챔버를 질소(N)와 수소(H)를 포함한 제3 가스로 플라즈마 처리하여 상기 챔버 내의 반응 부산물을 제거하는 단계; (g) 상기 챔버 내에 제2 기판을 로딩하는 단계; 및 (h) 상기 제2 기판 상에 티타늄 함유막을 증착하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 상술한 목적들은 그 내부에 티타늄 함유막이 부착된 화학기상증착 챔버의 세정 방법에 있어서, (a) 상기 챔버를 질소(N)와 수소(H)를 포함한 제1 가스로 플라즈마 처리하여 상기 챔버 내에 부착된 티타늄 함유막을 질화시키고 상기 챔버 내의 반응 부산물을 희석하는 단계; (b) 제2 가스로 상기 챔버를 인-시튜 세정하여 상기 챔버 내에 부착된 질화된 티타늄 함유막을 제거하는 단계; 및 (c) 상기 챔버를 질소(N)와 수소(H)를 포함한 제3 가스로 플라즈마 처리하여 상기 챔버 내의 반응 부산물을 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 챔버의 세정 방법에 의해 달성될 수 있다.
본 발명에 의하면, CVD 또는 PECVD 방식으로 내화 금속층을 증착한 후, 인-시튜 챔버 세정 단계의 전·후 각 단계에서 질소(N)와 수소(H)를 포함한 가스 분위기에서 챔버를 플라즈마 처리한다. 그러면, 챔버 내에 부착된 내화 금속층이 질화되어 막 내의 염소량이 감소되고, TiClx나 Cl 등의 반응 부산물의 생성이 억제된다. 따라서, Cl2가스와 같은 세정 가스에 의한 챔버 세정 효율을 향상시킬 수 있으므로, 내화 금속층의 면저항 재현성 및 웨이퍼 내 균일도를 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명에 의한 PECVD-Ti 막의 증착에 이용되는 화학기상증착 장치의 개략도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 사용되는 PECVD 장치는 증착이 일어나는 처리 챔버(또는 리액터)(10)를 포함한다.
상기 챔버(10)의 측벽 일부에는 챔버(10)에 대한 웨이퍼(W)의 반출입시에 개폐되는 게이트 밸브(16)가 설치되어 있다. 또한, 상기 챔버(10)의 바닥부에는 배기구(20)가 설치되어 있으며, 챔버(10)의 내부를 진공으로 만들 수 있도록 상기 배기구(20)에는 진공 펌프(P)가 설치된 배기관(21)이 접속되어 있다.
상기 챔버(10) 내에는 비전도성 재료로 이루어진 서셉터(susceptor)(15)가 설치되어 있다. 서셉터(15) 상에 탑재되는 기판, 예컨대 반도체 웨이퍼(W)를 소망하는 온도로 가열할 수 있도록, 상기 서셉터(15)의 하면에 히터(14)가 형성되어 이다. 또한, 상기 서셉터(15)의 상면에는 얇은 세라믹제의 정전척(도시하지 않음)이형성되어 있다. 상기 정전척이 발생시키는 쿨롱(coulomb)력에 의해 서셉터(15) 상에 웨이퍼(W)가 흡착 유지된다.
상기 서셉터(15)의 주변부에는 상하 방향으로 승강할 수 있는 리프터 핀(lifter pin)(도시하지 않음)들이 설치되어 있다. 상기 리프터 핀은 챔버(10)에 대한 웨이퍼(W)의 반입·반출시, 도시하지 않은 승강 기구에 의해 승강하여 웨이퍼(W)를 들어 올리거나 내리는 역할을 한다.
상기 챔버(10)의 천정부에는 샤워 헤드(12)가 장착되어 있다. 상기 샤워 헤드(12)는 서셉터(15)의 상면 전체를 덮는 크기로 상기 서셉터(15)와 소정 거리로 이격되어 대향 배치되어 있다. 상기 샤워 헤드(12)와 서셉터(15) 사이에는 플라즈마가 형성되는 처리 공간(S)이 형성된다. 상기 샤워 헤드(12)의 하면에는 처리 가스를 분출하기 위한 다수의 분사 구멍(도시하지 않음)이 형성되어 있으며, 챔버(10) 내에 처리 가스를 샤워 형상으로 도입한다.
상기 챔버(10)의 천정부에는 상기 샤워 헤드(12)에 처리 가스를 도입하기 위한 가스 도입구(18)가 설치되어 있다. 상기 가스 도입구(18)에는 각종 가스를 흘려 보내는 공급관(22)이 접속되어 있다. 상기 공급관(22)에는 처리 가스로서 사염화티탄(TiCl4) 가스를 저장하는 TiCl4가스원(30), 반응 가스들로서 수소(H2) 가스 및 질소(N2) 가스를 저장하는 H2가스원(32) 및 N2가스원(34), 플라즈마 점화 가스로서 아르곤(Ar) 가스를 저장하는 Ar 가스원(36) 및 세정 가스로서 염소(Cl2) 가스를 저장하는 Cl2가스원(38)이 각각 분기관(24)을 거쳐 접속되어 있다. 또한, 액체 사염화티탄(liquid TiCl4)을 사용할 경우, 사염화티탄의 캐리어 가스(carrier gas)로서 헬륨(He) 가스를 저장하는 He 가스원(40)이 분기관(24)을 통해 상기 공급관(22)에 접속될 수 있다.
상기 공급관(22)과 각 가스원(30, 32, 34, 36, 38, 40)을 접속시키는 분기관(24) 중에는, 각 가스의 공급 유량을 제어하는 유량 제어기(massflow controller; MFC)(26)가 설치되어 있다. 액체 사염화티탄을 사용할 경우에는, 액체 사염화티탄과 분기관(24) 사이에 액체유량 계측기(liquid flow meter; LFM)가 설치된다.
상기 샤워 헤드(12)와 서셉터(15) 사이의 처리 공간(S)에 플라즈마를 형성하기 위하여, 상기 챔버(10)의 천정부에는 리드선(41)을 거쳐 매칭 회로(42)와 RF 전원(44)이 접속되어 있다. 바람직하게는, 상기 RF 전원(44)은 약 400∼500㎑의 저 주파수에서 1000W 미만의 RF 전력을 샤워 헤드(12)에 인가한다.
도 2는 도 1의 PECVD 장치를 이용한 PECVD-Ti 막 증착의 공정 단계를 나타내는 플로우 차트이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 기판, 예컨대 반도체 웨이퍼(W)를 처리 챔버(10) 내에 로딩한 후(S50 단계), 웨이퍼(W)를 약 550∼650℃의 온도로 가열하고 챔버(10) 내부의 압력을 1∼10Torr로 가압한다.
이 상태에서, 각 가스원(30, 32, 36)으로부터 약 3∼10sccm의 TiCl4가스,약 1000∼5000sccm의 H2가스 및 약 500∼5000sccm의 Ar 가스가 공급관(22)과 샤워 헤드(12)를 거쳐 챔버(10) 내로 공급된다. 이와 동시에, RF 전원(44)으로부터 저주파 전력, 예컨대 1000W 미만의 RF 전력이 샤워 헤드(12)에 인가되고, 웨이퍼(W)가 탑재되는 서셉터(15)는 접지된다. 그러면, 상기 샤워 헤드(12)와 서셉터(15) 사이의 처리 공간(S)에 플라즈마가 발생하고, TiCl4가 H2와 반응하여 환원됨으로써 티타늄막이 웨이퍼(W) 상에 증착된다. 이와 동시에, 실리콘 원자들과 증착된 티타늄 원자들 간의 반응이 티타늄막과 실리콘 영역과의 계면에서 일어나 티타늄 실리사이드(TiSix)층이 형성된다(S52 단계).
그런 다음, 상기 티타늄막을 질화성 분위기에서 열처리 또는 플라즈마 처리한다. 여기서, 상기 질화성 분위기는 NH3가스나 N2가스를 반응 챔버 내에 공급하여 형성될 수 있다. 그 결과, 티타늄막 표면부에서의 티타늄 원자들이 질화되어 티타늄막의 표면부에 티타늄 질화물층이 형성된다. 이러한 질화 처리는 티타늄막 및 티타늄 실리사이드층 내의 염소량을 감소시키는데 효과적이다.
상기 PECVD-Ti의 증착 과정에서, 염산(HCl)이나 티탄염화물(TiClx)(x=1∼4) 등의 반응 부산물이 생성된다. HCl 가스는 후속 퍼지/펌핑 공정을 통해 배기구(20)로부터 챔버(10)의 외부로 배출되지만, TiClx는 증기압이 상당히 낮기 때문에 챔버(10)의 외부로 배출되지 못하고 챔버(10)의 내벽, 샤워 헤드(12) 및 히터(14) 등의 각종 부품들의 표면에 부착된다. 또한, 웨이퍼(W) 표면에 PECVD-Ti 막이 증착되는 동안 챔버(10)의 내벽, 샤워 헤드(12) 및 히터(14) 등의 표면에도 PECVD-Ti막이 증착되기 때문에, 챔버(10) 내에 증착된 불필요한 티타늄막 및 반응 부산물들을 제거하기 위하여 다음 웨이퍼를 진행하기에 앞서 챔버(10) 내부를 세정한다.
구체적으로, 챔버(10) 내의 압력을 펌핑하여 챔버(10) 내부를 진공으로 만든 후, 게이트 밸드(16)를 개방하여 그 위에 PECVD-Ti 막이 증착된 웨이퍼(W)를 챔버(10)로부터 제거한다(S54 단계). 이어서, 게이트 밸드(16)를 폐쇄한 후, 질소(N)와 수소(H)를 포함한 제1 가스, 예컨대 N2/H2가스 또는 NH3가스를 챔버(10) 내로 공급한다. 바람직하게는, 약 300∼1000sccm의 N2가스 및 약 1000∼5000sccm의 H2가스를 챔버(10) 내로 공급하고, RF 전원(44)으로부터 저주파 전력, 예컨대 1000W 미만의 RF 전력을 샤워 헤드(12)에 인가한다. 그러면, 샤워 헤드(12)와 서셉터(15) 사이의 처리 공간(S)에 플라즈마가 발생하고(S56 단계), 플라즈마 내의 질소 이온들이 챔버(10) 내에 부착된 티타늄막을 질화시킨다. 이때, 상기 챔버(10) 내에 부착되어 있던 티타늄막의 일부에는 Ti 증착 소오스 가스인 TiCl4로부터 해리된 염소(Cl)들이 포함되어 있기 때문에, 상기 챔버(10) 내에 부착된 티타늄막은 TiN 또는 TiClN과 같은 형태로 질화된다. 이러한 질화 과정 동안 플라즈마 내의 수소 이온들은 챔버(10) 내에 부착된 티타늄막의 표면과 충돌하여 티타늄막 표면의 염소 원자들을 HCl 형태의 화합물로 대체시킴으로써, 티타늄막 내의 염소량을 감소시킨다. 또한, 플라즈마 내의 수소 이온들은 챔버 내에 부착된 TiClx와 같은 반응 부산물을 희석시킨다.
이와 같이 챔버(10) 내에 부착된 티타늄막을 질화시키고 티타늄막 내의 염소량 및 반응 부산물을 희석시킨 상태에서, 세정용 제2 가스, 예컨대 약 100∼500sccm의 염소(Cl2) 가스를 이용하여 챔버(10)를 인-시튜 세정한다(S58 단계). 그러면, 챔버(10) 내에 부착된 질화된 티타늄막이 식각되어 제거된다. 이때, 상기 챔버(10) 내에 부착된 티타늄막은 플라즈마 처리에 의해 질화되었기 때문에, 티타늄막 내에 안정된 Ti-N 결합이 유지되어 세정 가스인 Cl2가스로부터 해리된 염소(Cl) 원자와 티타늄 원자 간의 반응이 억제된다. 따라서, 세정 공정 동안 TiClx와 Cl과 같은 반응 부산물의 생성이 억제된다.
상술한 바와 같이 Cl2가스로 챔버(10)를 인-시튜 세정하여 챔버(10) 내에 부착된 질화된 티타늄막을 제거한 후, 질소(N)와 수소(H)를 포함한 제3 가스, 예컨대 N2/H2가스 또는 NH3가스를 챔버(10) 내로 공급한다. 바람직하게는, 약 300∼1000sccm의 N2가스 및 약 1000∼5000sccm의 H2가스를 챔버(10) 내로 공급하고, RF 전원(44)으로부터 저주파 전력, 예컨대 1000W 미만의 RF 전력을 샤워 헤드(12)에 인가한다. 그러면, 샤워 헤드(12)와 서셉터(15) 사이의 처리 공간(S)에 플라즈마가 발생하고, 상기 플라즈마에 의해 챔버(10) 내에 잔류하고 있는 반응 부산물들이 희석되어 제거된다(S60 단계). 또한, 상기 챔버(10) 내에 남아있을 수 있는 티타늄막이 상기 단계에서 질화된다.
상술한 S56, S58 및 S60 단계를 거쳐 챔버(10)를 세정한 후, 게이트 밸브(16)를 개방하고 미처리된 다음의 웨이퍼를 챔버(10) 내로 로딩한다. 이어서,상술한 S52 내지 S60 단계를 반복적으로 수행한다. 즉, PECVD-Ti 막의 증착 단계와 챔버 세정 단계를 교대로 반복함으로써, 매 웨이퍼마다 챔버의 인-시튜 세정을 진행한다.
도 3a 및 도 3b는 각각, 종래 방법 및 본 발명에 의해 형성된 PECVD-Ti 막에 있어서, 웨이퍼 매수에 따른 PECVD-Ti 막의 면저항 및 균일도를 나타낸 그래프들이다. 상기 그래프들에서, 수평 축은 웨이퍼 진행 매수를 나타내고, 왼쪽 수직 축은 PECVD-Ti 막의 면저항(Ω/□)을 나타내며, 오른쪽 수직 축은 PECVD-Ti 막의 면저항 균일도를 나타낸다.
도 4a 및 도 4b는 각각, 종래 방법 및 본 발명에 의해 형성된 PECVD-Ti 막에 있어서, 웨이퍼 내 PECVD-Ti 막의 면저항 분포를 나타낸 웨이퍼 맵들이다.
도 3a 및 도 4a에 도시한 바와 같이, 종래 방법에 의한 PECVD-Ti 증착 공정에 의하면, PECVD 챔버 내에 증착된 티타늄막이 완전히 제거되지 못하고 TiClx와 같은 반응 부산물들이 잔류한 상태에서 다음 웨이퍼들에 대한 Ti-PECVD 공정이 진행된다. 따라서, 웨이퍼의 처리 매수가 증가할수록 챔버 내에 다량의 티타늄막 및 반응 부산물들이 부착되기 때문에, 웨이퍼 내의 PECVD-Ti 막 면저항의 균일도가 9.7% 정도로 불량하게 나타났다.
이에 반하여, 도 3b 및 도 4b에 도시한 본 발명에 의하면, PECVD-Ti 막이 증착된 웨이퍼를 챔버로부터 제거한 상태에서 챔버 내에 증착된 티타늄막의 질화/챔버 내에 증착된 티타늄막의 제거/챔버 내의 반응 부산물 제거의 3단계로 챔버를 세정한다. 이때, 챔버의 세정은 매 웨이퍼 마다 진행하기 때문에, 웨이퍼의 처리 매수가 증가하더라도 PECVD-Ti 막의 면저항이 일정하게 나타난다. 따라서, PECVD-Ti 막의 면저항 재현성을 향상시키고, 웨이퍼 내 면저항 균일도를 5.4%로 개선시킨다.
도 5a 및 도 5b는 각각, 종래 방법 및 본 발명에 의한 Ti-PECVD 공정에 있어서, 챔버로부터의 염소(Cl) 아웃개싱량을 나타내는 그래프들이다.
도 5a의 종래 방법에 의하면, 웨이퍼 처리 매수가 증가함에 따라 PECVD 챔버 내에 다량의 염소(Cl)를 함유한 티타늄막 및 티탄염화물(TiClx)과 같은 반응 부산물들이 지속적으로 부착된다. 따라서, 웨이퍼 처리가 연속적으로 진행됨에 따라 챔버로부터의 염소 아웃개싱량이 점차 증가하게 된다.
이에 반하여, 도 5b의 본 발명에 의하면, 매 웨이퍼마다 질소(N)와 수소(H)를 포함한 가스 분위기에서 챔버를 플라즈마 처리하기 때문에 챔버 내에 부착된 티타늄막의 표면에서 염소 결합들이 HCl 형태의 화합물로 제거되고, 챔버 내에 남아있는 TiClx와 같은 반응 부산물들이 희석되어 제거된다. 따라서, 웨이퍼 처리가 연속적으로 진행됨에 따라 챔버로부터의 염소 아웃개싱량이 점차 감소하게 된다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, CVD 또는 PECVD 방식으로 내화 금속층을 증착한 후, 인-시튜 챔버 세정 단계의 전·후 각 단계에 질소(N)와 수소(H)를 포함한 가스 분위기에서 챔버를 플라즈마 처리한다. 그러면, 챔버 내에 부착된 내화 금속층이 질화되어 막 내의 염소량이 감소되고, 챔버 내에 티탄염화물 등의 반응 부산물의 생성이 억제된다.
따라서, Cl2가스와 같은 세정 가스에 의한 챔버 세정 효율을 향상시킬 수 있으므로, 내화 금속층의 면저항 재현성 및 웨이퍼 내 균일도를 향상시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (18)

  1. 기판 상에 내화 금속층을 증착하는 화학기상증착 챔버의 세정 방법에 있어서,
    (a) 상기 챔버를 질소(N)와 수소(H)를 포함한 제1 가스로 플라즈마 처리하여 상기 챔버 내에 부착된 내화 금속층을 질화시키고 상기 챔버 내의 반응 부산물을 희석하는 단계;
    (b) 제2 가스로 상기 챔버를 인-시튜 세정하여 상기 챔버 내에 부착된 질화된 내화 금속층을 제거하는 단계; 및
    (c) 상기 챔버를 질소(N)와 수소(H)를 포함한 제3 가스로 플라즈마 처리하여 상기 챔버 내의 반응 부산물을 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 챔버의 세정 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 내화 금속층은 티타늄으로 형성하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 챔버의 세정 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 가스 및 제3 가스는 N2/H2가스 또는 NH3가스인 것을 특징으로 하는 화학기상증착 챔버의 세정 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2 가스는 염소(Cl2) 가스인 것을 특징으로 하는 화학기상증착 챔버의 세정 방법.
  5. (a) 기판을 챔버 내에 로딩하는 단계;
    (b) 상기 기판 상에 내화 금속층을 증착하는 단계;
    (c) 상기 기판을 상기 챔버로부터 제거하는 단계;
    (d) 상기 챔버를 질소(N)와 수소(H)를 포함한 제1 가스로 플라즈마 처리하여 상기 챔버 내에 부착된 내화 금속층을 질화시키고 상기 챔버 내의 반응 부산물을 희석하는 단계;
    (e) 제2 가스로 상기 챔버를 인-시튜 세정하여 상기 챔버 내에 부착된 질화된 내화 금속층을 제거하는 단계; 및
    (f) 상기 챔버를 질소(N)와 수소(H)를 포함한 제3 가스로 플라즈마 처리하여 상기 챔버 내의 반응 부산물을 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 챔버의 세정 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 내화 금속층은 티타늄으로 형성하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 챔버의 세정 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 티타늄층은 사염화티탄(TiCl4) 가스를 이용한 플라즈마-강화 화학기상증착(PECVD) 방법으로 증착하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 챔버의 세정 방법.
  8. 제5항에 있어서, 상기 제1 가스 및 제3 가스는 N2/H2가스 또는 NH3가스인 것을 특징으로 하는 화학기상증착 챔버의 세정 방법.
  9. 제5항에 있어서, 상기 제2 가스는 염소(Cl2) 가스인 것을 특징으로 하는 화학기상증착 챔버의 세정 방법.
  10. 제5항에 있어서, 상기 기판 상에 내화 금속층을 증착하는 (b) 단계 후,
    상기 기판 상에 증착된 내화 금속층을 질화성 분위기에서 처리하여 상기 기판 상에 증착된 내화 금속층의 표면에 내화금속 질화물층을 형성하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 챔버의 세정 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 질화성 분위기는 NH3분위기, N2분위기 또는 이들의 혼합 분위기인 것을 특징으로 하는 화학기상증착 챔버의 세정 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 내화금속 질화물층은 열처리 또는 플라즈마 처리에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 챔버의 세정 방법.
  13. 제5항에 있어서, 상기 (f) 단계 후, 상기 (a)∼(f) 단계를 반복해서 진행하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 챔버의 세정 방법.
  14. (a) 챔버 내에 제1 기판을 로딩하는 단계;
    (b) 상기 제1 기판 상에 티타늄 함유막을 증착하는 단계;
    (c) 상기 제1 기판을 상기 챔버로부터 제거하는 단계;
    (d) 상기 챔버를 질소(N)와 수소(H)를 포함한 제1 가스로 플라즈마 처리하여 상기 챔버 내에 부착된 티타늄 함유막을 질화시키고 상기 챔버 내의 반응 부산물을 희석하는 단계;
    (e) 제2 가스로 상기 챔버를 인-시튜 세정하여 상기 챔버 내에 부착된 질화된 티타늄 함유막을 제거하는 단계;
    (f) 상기 챔버를 질소(N)와 수소(H)를 포함한 제3 가스로 플라즈마 처리하여 상기 챔버 내의 반응 부산물을 제거하는 단계;
    (g) 상기 챔버 내에 제2 기판을 로딩하는 단계; 및
    (h) 상기 제2 기판 상에 티타늄 함유막을 증착하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 챔버의 세정 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 제1 가스 및 제3 가스는 N2/H2가스 또는 NH3가스인것을 특징으로 하는 화학기상증착 챔버의 세정 방법.
  16. 제14항에 있어서, 상기 제2 가스는 염소(Cl2) 가스인 것을 특징으로 하는 화학기상증착 챔버의 세정 방법.
  17. 제14항에 있어서, 상기 티타늄 함유막은 사염화티탄(TiCl4) 가스를 이용한 플라즈마-강화 화학기상증착(PECVD) 방법으로 증착하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 챔버의 세정 방법.
  18. 그 내부에 티타늄 함유막이 부착된 화학기상증착 챔버의 세정 방법에 있어서,
    (a) 상기 챔버를 질소(N)와 수소(H)를 포함한 제1 가스로 플라즈마 처리하여 상기 챔버 내에 부착된 티타늄 함유막을 질화시키고 상기 챔버 내의 반응 부산물을 희석하는 단계;
    (b) 제2 가스로 상기 챔버를 인-시튜 세정하여 상기 챔버 내에 부착된 질화된 티타늄 함유막을 제거하는 단계; 및
    (c) 상기 챔버를 질소(N)와 수소(H)를 포함한 제3 가스로 플라즈마 처리하여 상기 챔버 내의 반응 부산물을 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 챔버의 세정 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150104404A (ko) * 2014-03-05 2015-09-15 삼성전자주식회사 반도체 제조 장비 운용 방법

Families Citing this family (395)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040006481A (ko) * 2002-07-12 2004-01-24 주식회사 하이닉스반도체 식각 및 증착장비의 항상성 개선방법
US7344909B2 (en) * 2002-10-25 2008-03-18 Oc Oerlikon Balzers Ag Method for producing semi-conducting devices and devices obtained with this method
KR100519798B1 (ko) * 2003-12-11 2005-10-10 삼성전자주식회사 향상된 생산성을 갖는 박막 형성 방법
KR20050115634A (ko) * 2004-06-04 2005-12-08 삼성전자주식회사 플라즈마 강화 화학기상증착설비를 이용한 화학기상증착방법
US20060032516A1 (en) * 2004-07-30 2006-02-16 Infineon Technologies Ag Method for the recovery of ash rate following metal etching
US7294574B2 (en) * 2004-08-09 2007-11-13 Applied Materials, Inc. Sputter deposition and etching of metallization seed layer for overhang and sidewall improvement
US9627184B2 (en) * 2005-01-26 2017-04-18 Tokyo Electron Limited Cleaning method of processing apparatus, program for performing the method, and storage medium for storing the program
US20060162742A1 (en) * 2005-01-26 2006-07-27 Tokyo Electron Limited Cleaning method of processing apparatus, program for performing the method, and storage medium for storing the program
KR100706810B1 (ko) * 2006-02-07 2007-04-12 삼성전자주식회사 박박 형성 장치의 세정 방법 및 이를 이용한 박막 형성방법
KR100886015B1 (ko) * 2007-05-15 2009-02-26 삼성전자주식회사 다중 리프터를 갖는 반도체 제조설비의 드라이 크린방법
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
KR101559425B1 (ko) * 2009-01-16 2015-10-13 삼성전자주식회사 반도체 소자의 제조 방법
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
JP5364514B2 (ja) * 2009-09-03 2013-12-11 東京エレクトロン株式会社 チャンバ内クリーニング方法
US20120237693A1 (en) * 2011-03-17 2012-09-20 Applied Materials, Inc. In-situ clean process for metal deposition chambers
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
JP5710433B2 (ja) * 2011-09-13 2015-04-30 株式会社東芝 成膜装置のクリーニング方法および成膜装置
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9142393B2 (en) * 2013-05-23 2015-09-22 Asm Ip Holding B.V. Method for cleaning reaction chamber using pre-cleaning process
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
JP6284786B2 (ja) * 2014-02-27 2018-02-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置のクリーニング方法
US20150247238A1 (en) * 2014-03-03 2015-09-03 Lam Research Corporation Rf cycle purging to reduce surface roughness in metal oxide and metal nitride films
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US11332824B2 (en) * 2016-09-13 2022-05-17 Lam Research Corporation Systems and methods for reducing effluent build-up in a pumping exhaust system
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
KR102695659B1 (ko) 2018-01-19 2024-08-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
TWI852426B (zh) 2018-01-19 2024-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
WO2020002995A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10840082B2 (en) 2018-08-09 2020-11-17 Lam Research Corporation Method to clean SnO2 film from chamber
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
JP7133454B2 (ja) * 2018-12-06 2022-09-08 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
JP7603377B2 (ja) 2019-02-20 2024-12-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200141931A (ko) 2019-06-10 2020-12-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
TWI851767B (zh) 2019-07-29 2024-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
US12169361B2 (en) 2019-07-30 2024-12-17 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
KR20210018761A (ko) 2019-08-09 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP2021097227A (ja) 2019-12-17 2021-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
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CN113284789A (zh) 2020-02-03 2021-08-20 Asm Ip私人控股有限公司 形成包括钒或铟层的结构的方法
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US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR20210103956A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
TWI855223B (zh) 2020-02-17 2024-09-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
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US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
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US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
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JP2021181612A (ja) 2020-04-29 2021-11-25 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 固体ソースプリカーサ容器
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JP2021177545A (ja) 2020-05-04 2021-11-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
CN113667953A (zh) 2020-05-13 2021-11-19 Asm Ip私人控股有限公司 用于反应器系统的激光器对准夹具
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
KR20210148914A (ko) 2020-05-29 2021-12-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
US11626271B2 (en) 2020-06-18 2023-04-11 Tokyo Electron Limited Surface fluorination remediation for aluminium oxide electrostatic chucks
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
CN113871296A (zh) 2020-06-30 2021-12-31 Asm Ip私人控股有限公司 衬底处理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
KR20220011093A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 몰리브덴층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20220021863A (ko) 2020-08-14 2022-02-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TW202228863A (zh) 2020-08-25 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
TW202217045A (zh) 2020-09-10 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202218049A (zh) 2020-09-25 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
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US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
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US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
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USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999028955A2 (en) * 1997-12-02 1999-06-10 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition of titanium on a wafer comprising an in-situ precleaning step
WO1999054522A1 (en) * 1998-04-20 1999-10-28 Tokyo Electron Arizona, Inc. Method of passivating a cvd chamber
US6242347B1 (en) * 1998-09-30 2001-06-05 Applied Materials, Inc. Method for cleaning a process chamber
US6284052B2 (en) * 1998-08-19 2001-09-04 Sharp Laboratories Of America, Inc. In-situ method of cleaning a metal-organic chemical vapor deposition chamber
EP1154036A1 (en) * 2000-05-12 2001-11-14 Applied Materials, Inc. Gas reactions to eliminate contaminates in a CVD chamber

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10237662A (ja) * 1996-12-24 1998-09-08 Sony Corp 金属膜のプラズマｃｖｄ方法、および金属窒化物膜の形成方法ならびに半導体装置
JP4038599B2 (ja) 1997-05-15 2008-01-30 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法
JP4519280B2 (ja) 1999-06-11 2010-08-04 東京エレクトロン株式会社 処理室をドライクリーニングするための装置及び方法
US20020094387A1 (en) * 2000-02-24 2002-07-18 Bhan Mohan Krishnan Method for improving chemical vapor deposition of titanium

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999028955A2 (en) * 1997-12-02 1999-06-10 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition of titanium on a wafer comprising an in-situ precleaning step
WO1999054522A1 (en) * 1998-04-20 1999-10-28 Tokyo Electron Arizona, Inc. Method of passivating a cvd chamber
US6284052B2 (en) * 1998-08-19 2001-09-04 Sharp Laboratories Of America, Inc. In-situ method of cleaning a metal-organic chemical vapor deposition chamber
US6242347B1 (en) * 1998-09-30 2001-06-05 Applied Materials, Inc. Method for cleaning a process chamber
EP1154036A1 (en) * 2000-05-12 2001-11-14 Applied Materials, Inc. Gas reactions to eliminate contaminates in a CVD chamber

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150104404A (ko) * 2014-03-05 2015-09-15 삼성전자주식회사 반도체 제조 장비 운용 방법
KR102172753B1 (ko) 2014-03-05 2020-11-02 삼성전자주식회사 반도체 제조 장비 운용 방법

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