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KR100416266B1 - 막힌 희생층 지지대를 갖는 멤스 구조물 및 그의 제작방법 - Google Patents

막힌 희생층 지지대를 갖는 멤스 구조물 및 그의 제작방법 Download PDF

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KR100416266B1
KR100416266B1 KR10-2001-0080358A KR20010080358A KR100416266B1 KR 100416266 B1 KR100416266 B1 KR 100416266B1 KR 20010080358 A KR20010080358 A KR 20010080358A KR 100416266 B1 KR100416266 B1 KR 100416266B1
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KR
South Korea
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sacrificial layer
mems structure
floating
substrate
fixing
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이은성
이문철
김현옥
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삼성전자주식회사
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Abstract

기판에 대해 고정된 고정부, 및 기판상에 부상된 부상부를 구비한 멤스구조물 제작방법이 개시된다. 기판상에 적층된 희생층은, 고정부가 형성될 영역에 대응되는 영역을 둘러싸는 그루브 형상의 공간이 형성되도록 패터닝된다. 패터닝된 희생층상에 멤스구조물층을 적층하면, 공간 내에는 측벽이 형성되고 희생층상에는 고정부와 부상부가 형성된다. 희생층을 에천트를 이용하여 제거하면 고정부 하부의 희생층은 측벽에 의해 에천트로부터 보호되며, 이에 따라 희생층 중 측벽에 의해 둘러쌓인 부분을 제외한 나머지 부분이 제거된다. 따라서, 부상부 하부의 희생층만 제거된다. 연결부가 고정부 및 부상부와 동일한 두께로 제조되므로 견고한 구조를 갖는 멤스구조물이 제공된다. 또한, 고정부와 부상부의 경계를 명확하게 설정할 수 있고, 부상부의 길이의 조절이 정밀하게 제어될 수 있다.

Description

막힌 희생층 지지대를 갖는 멤스 구조물 및 그의 제작방법 {MEMS structure having a blocked-sacrificial layer support/anchor and a fabrication method of the same}
본 발명은 멤스 구조물 및 그의 제작방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 기판상에서 부상된 부위를 갖는 멤스구조물 및 그의 제작방법에 관한 것이다.
MEMS(Micro electro mechanical system)는 기계적, 전기적 부품들을 반도체 공정을 이용하여 구현하는 기술이다. MEMS기술을 이용하여 제작된 소자가 기계적인 동작을 하기 위해서, MEMS소자는 통상적으로 기판상에서 요동가능하도록 부상된 부분을 갖는다.
도 1은 이러한 MEMS구조물의 일 예를 도시한 도면이다.
멤스구조물은 기판(110), 기판(110)상에 고정된 고정부(131), 및 고정부(133)로부터 연장된 부상부(133)를 가지고 있다. 고정부(133)는 통상적으로 앵커(anchor) 또는 서포트(support)라 불리며, 부상부(133)를 기판(110)상에 고정시키는 기능을 한다. 부상부(133)는 기판(110)상에 부상되도록 이격되어 있으며, 이에 따라 외부의 구동력에 의해 점선으로 표시된 바와 같이 상하방향으로 요동가능하다. 부상부(133)는 필요에 따라 비임(Beam) 또는 멤브레인(Membrane) 등과 같은 형상으로 제조된다.
도 2a 내지 도 2d는 상기와 같은 MEMS구조물의 제작공정의 일 예를 순차적으로 도시한 도면이다.
기판(210)상에는 희생층(Sacrifice Layer)(220)이 적층되고, 희생층(220)은 도 2a에 도시된 바와 같이 기판(210)상에 고정되는 앵커(anchor)의 형상에 대응되는 형상을 갖도록 패터닝된다. 패터닝된 희생층(220) 위에 도 2b에 도시된 바와 같이 멤스구조물층(230)이 적층된다. 멤스구조물층(230)이 적층됨에 따라 희생층(220)이 남아있는 부분에는 부상부(233)가 형성되고, 희생층(220)이 제거된 부분에는 고정부(231) 및 고정부(231)와 부상부(233)를 연결하는 연결부(232)가 형성된다.
그리고나서, 도 2c에 도시된 바와 같이 멤스구조물층(230)의 부상부(233)에 에칭홀(Etching Access Holes)(240)이 형성된다. 에칭홀(240)을 통해 희생층(220)에 에천트(etchant)를 공급하면 희생층(220)이 제거되어 도 2d에 도시된 바와 같이 부상부(233)가 기판(210)으로부터 이격된 상태로 된다.
이와 같이 패터닝된 희생층(220)에 멤스구조물층(230)을 적층시키고 희생층(220)을 제거하여 기판(110)상에 부상된 멤스구조물을 제작하는 방법은, 멤스구조물 제작에 가장 일반적으로 사용되는 방법이다.
그러나, 이와 같은 방법에 의해 제작된 멤스구조물은, 기판(210)상에 고정된 고정부(231)와 기판(210)상에서 부상된 부상부(233)를 연결부(232)의 두께가 다른 부분에 비해 상대적으로 얇게 형성되므로, 그 강도가 매우 취약하다는 문제점이 있다. 따라서, 부상부(233)의 구동이 반복됨에 따라 연결부(232)가 파손될 수 있으며, 또한, 연결부(232)의 연결 상태가 가변됨에 따라 부상부(233)의 동작 범위의 정밀한 제어가 어렵게 될 수 있다.
도 3a 내지 도 3d는 멤스구조물의 제작공정의 다른 예를 순차적으로 도시한 도면으로서, SOI(Silicon on Insulator)웨이퍼 등을 이용하여 멤스구조물을 제작하는 공정을 도시한 도면이다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 기판(310)상에는 희생층(320)이 적층되고, 희생층(320)의 상부에는 멤스구조물을 형성하기 위한 멤스구조물층(330)이 적층된다. 멤스구조물층(330)은 제작될 멤스구조물의 형상에 대응되도록 패터닝된다. 도 3b에 도시된 바와 같이, 멤스구조물층(330)이 패터닝될 때 에칭홀(340)도 함께 형성되며, 이때 멤스구조물층(330) 중 부상부(333)에 해당되는 부분에는 에칭홀(340)이 형성되고 고정부(331)에 해당되는 부분에는 에칭홀(340)이 형성되지 않는다.
그리고나서, 에칭홀(340)을 통해 희생층(320)에 에천트(etchant)를 공급하면 희생층(320)이 제거되어 기판(310)상에 멤스구조물만 남게 된다. 이때, 에칭홀(340)이 부상부(333)에 해당되는 부분에만 형성되어 있으므로, 도 3c에 도시된 바와 같이, 부상부(333)의 하부에 존재하는 희생층(320)은 모두 제거되고, 고정부(331)의 하부에 존재하는 희생층(320)은 그 가장자리의 일부만 제거된다.
이와 같이 희생층(320)에 멤스구조물층(330)을 적층시키고 희생층(320)의 일부를 제거하여 기판(310)상에 부상된 멤스구조물을 제작함에 따라, 희생층(320) 중 제거되지 않은 부분은 기판(310)상에 멤스구조물을 고정시키는 앵커의 기능을 하게 된다.
그런데, 이와 같은 방법에 따르면, 에천트에 희생층(320)이 노출되는 시간에 따라 앵커의 기능을 하는 희생층(320)의 폭이 변화되므로, 부상부(333)의 길이를정밀하게 제어하기가 어렵다는 문제점이 있다. 즉, 희생층(320)을 에천트에 노출시키는 릴리스(release)시간이 긴 경우에는 도 3d에 도시된 바와 같이 앵커의 폭이 좁아지고 릴리스시간이 짧은 경우에는 도 3c에 도시된 바와 같이 앵커의 폭이 넓어지게 되며, 이에 따라 부상부(333)의 길이가 변화된다. 따라서, 이와 같은 방법은 부상부(333)의 크기나 길이가 정밀하게 설정되어야 하는 멤스구조물의 제작에는 적합하지 않다.
또한, 이와 같은 방법에 의해 제작된 멤스구조물은, 고정부(331)와 기판(310) 사이에 희생층(320)이 개재되어 있으므로, 희생층(320)이 절연재질로 형성되는 경우에는 기판(310)상의 다른 회로와의 전기적 연결이 어렵다는 문제점이 있다. 따라서, 이러한 경우에는 멤스구조물을 타 회로와 전기적으로 연결하기 위한 추가의 공정이 필요하게 된다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은, 기판상에 고정된 고정부와 기판상에서 부상된 부상부가 상호 견고하게 연결되어 있고, 부상부의 길이의 조절이 정밀하게 제어될 수 있으며, 또한 다른 회로와의 전기적 연결이 용이한 멤스구조물 및 그의 제작방법을 제공하는 것이다.
도 1은 일반적인 멤스구조물의 개략적 측단면도,
도 2a 내지 도 2d는 멤스구조물의 제작공정의 일 예를 순차적으로 도시한 도면,
도 3a 내지 도 3d는 멤스구조물의 제작공정의 다른 예를 순차적으로 도시한 도면,
도 4a 내지 도 4f는 본 발명에 따른 멤스구조물 제작공정을 순차적으로 도시한 도면,
도 5a 내지 도 5e는 도 4a 내지 도 4f에 도시된 제작공정에 따라 멤스구조물에 제작되는 과정을 사시도로 도시한 도면, 그리고
도 6은 도 5e에서 멤스구조물 내의 희생층의 형상을 도시한 도면이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
410 : 기판 420 : 희생층
430 : 멤스구조물층 431 : 고정부
432 : 연결부 433 : 부상부
435 : 측벽 440 : 에칭홀
상기 목적은 본 발명에 따라, 기판에 대해 고정된 고정부, 및 상기 고정부와 연결되며 상기 기판상에 부상된 부상부를 구비한 멤스구조물을 제작하는 방법에 있어서, 상기 기판상에 희생층을 적층시키는 단계; 상기 희생층을 패터닝하여, 상기고정부가 형성될 영역에 대응되는 영역의 적어도 일 부분을 둘러싸는 공간을 형성하는 단계; 상기 희생층상에 멤스구조물층을 적층하여, 상기 공간 내에 측벽을 형성하고 상기 희생층상에 상기 고정부와 상기 부상부를 형성하는 단계; 및 상기 희생층을 에천트를 이용하여 제거하는 단계;를 포함한다. 상기 제거단계에서는, 상기 고정부에 대응되는 상기 희생층의 일 부분에 상기 측벽에 의해 상기 에천트의 공급이 차단되어, 상기 희생층 중 상기 측벽에 의해 둘러쌓인 부분을 제외한 나머지 부분이 제거된다.
본 발명에 따르면, 연결부가 고정부 및 부상부와 동일한 두께로 제조되므로 견고한 구조를 갖는 멤스구조물이 제공된다. 또한, 측벽에 의해 고정부와 기판이 연결되므로, 멤스구조물과 다른 회로와의 전기적 연결이 용이하게 된다.
바람직하게는, 상기 공간 형성 단계에서, 상기 공간은 상기 고정부와 상기 부상부를 연결하는 연결부에 대응되는 부위를 제외한 나머지 부위의 실질적인 전 구간에 걸쳐 형성되며, 또한, 상기 연결부는 상기 고정부보다 그 폭이 좁게 형성된다. 이에 따라, 고정부와 부상부의 경계를 명확하게 설정할 수 있고, 부상부의 길이의 조절이 정밀하게 제어될 수 있다. 또한, 에천트를 이용하여 희생층을 제거하는 릴리스 공정시 릴리스시간의 정밀한 설정이 필요하지 않게 된다.
한편, 본 발명에 따르면, 기판; 상기 기판에 대해 고정된 고정부; 상기 고정부와 연결되며, 상기 기판상에서 부상된 부상부; 상기 고정부와 상기 기판의 사이에 개재되어 상기 고정부를 상기 기판상에 고정시키는 앵커; 및 상기 앵커의 측면의 적어도 일 부분을 둘러싸는 측벽;을 포함하는 것을 특징으로 하는 멤스구조물이제공된다.
이하에서는 첨부도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명에 따른 멤스구조물 제작공정을 순차적으로 도시한 도면이고, 도 5a 내지 도 5e는 도 4a 내지 도 4f에 도시된 제작공정에 따라 멤스구조물에 제작되는 과정을 사시도로 도시한 도면이다.
도 4a 및 도 5a에 도시된 바와 같이, 실리콘 등과 같은 반도체 재질로 제조된 기판(410)상에 희생층(420)이 적층된다. 희생층(420)은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 옥사이드(Oxide), 또는 니켈(Ni) 등과 같은 재질로 제조될 수 있다. 도 4b 및 도 5b에 도시된 바와 같이 희생층(420)은 소정의 형상으로 패터닝된다. 이때, 희생층(420) 중 패터닝되어 제거되는 부분에 의해 희생층(420)에는 그루브(groove) 형상의 공간(423)이 형성되며, 이 그루브 형상의 공간(423)은 후술되는 바와 같이 앵커의 테두리 형상에 대응된다.
패터닝된 희생층(420) 위에는 도 4c 및 도 5c에 도시된 바와 같이 멤스구조물층(430)이 적층된다. 멤스구조물층(430)은 금(Au)과 같은 재질을 증착시킴으로서 형성된다. 이때, 멤스구조물층(430)은 희생층(420)에 형성된 공간(423) 내에도 적층되며, 이에 따라, 멤스구조물층(430)은 희생층(420)의 상부에 고정된 고정부(431), 추후에 희생층(420)이 제거됨에 따라 기판(410)의 상부에 부상되는 부상부(433), 및 공간(423) 내에 형성된 측벽(435)을 구성하게 된다. 멤스구조물층(430)은 희생층(420)의 전 범위에 걸쳐 균일한 두께로 형성되며, 단지 측벽(435)의 수평방향의 폭은, 멤스구조물층(430)이 기판(410)상에 수직방향으로 적층됨에따라, 멤스구조물층(430) 내의 타 부위에 비해 가늘게 된다.
그리고 나서, 도 4d 및 도 5d에 도시된 바와 같이, 멤스구조물층(430)에 에칭홀(Etching Access Holes)(440)이 형성된다. 이때, 에칭홀(440)은 멤스구조물층(430) 중 비임(Beam)이나 멤브레인(Membrane) 등과 같은 부상부(433)가 될 부분에만 형성되고, 고정부(431)가 될 부분에는 형성되지 않는다.
에칭홀(440)을 통해 희생층(420)만 선택적으로 식각을 할 수 있는 에천트(etchant)가 공급되면, 희생층(420)의 일부가 식각되어 제거된다. 도 4e 및 도 4f는 희생층(420)이 에천트에 접촉되는 상태가 지속됨에 따라 부상부(431)의 하부에 존재하는 희생층(420)이 점진적으로 제거되어 가는 상태를 도시하고 있다.
이때, 부상부(433)의 하부에 존재하는 희생층(420)에는 에천트가 공급되나, 고정부(431)의 하부에 존재하는 희생층(420)에는 에천트가 공급되지 않는다. 이는, 고정부(431)에는 에칭홀(440)이 형성되어 있지 않으며, 또한, 고정부(431)의 하부에 존재하는 희생층(420)은 측벽(435)에 의해 둘러쌓여져 있기 때문이다. 따라서, 고정부(431) 하부의 희생층(420)은 측벽(435)에 의해 보호되어 식각되지 않고 원상태로 남게 되며, 이에 따라 고정부(431) 하부의 희생층(420)이 고정부(431)를 기판(410)상에 견고하는 앵커의 기능을 하게 된다.
이와 같이 멤스구조물층(430) 형성시 측벽(435)이 형성되도록 희생층(420)을 사전에 패터닝함으로써, 희생층(420)의 릴리스 공정시 고정부(431) 하부의 희생층은 제거되지 않게 된다. 앵커의 크기가 측벽(435)의 위치에 의해 결정되므로 부상부(433)의 길이 조절이 정밀하게 제어된다. 비록 측벽(435)의 두께가멤스구조물(430) 내의 타 부위에 비해 가늘게 형성되어 있지만, 에천트가 희생층(420)만을 제거하므로, 얇은 두께의 측벽(435)에 의해서도 고정부(431) 하부의 희생층(420)을 에천트로부터 충분히 보호할 수 있다.
또한, 도 4f 및 도 5e에 도시된 바와 같이, 상기와 같은 방식에 의해 형성된 멤스구조물은 고정부(431)와 부상부(433) 및 이들을 상호 연결하는 연결부(432)가 멤스구조물층(430) 적층 공정 수행시 동일한 평면상에서 일체로 형성된다. 따라서, 연결부(432)의 두께가 고정부(431) 및 부상부(433)의 두께와 동일하게 되어 연결부(432)의 강성이 약화가 방지된다.
또한, 상기와 같은 멤스구조물에 따르면, 멤스구조물층(430) 적층공정시 형성된 측벽(435)이 기판(410)에 접촉되어 있어, 기판(410)과 고정부(431)가 측벽(435)에 의해 연결되어 있다. 따라서, 기판(410)상에 형성된 다른 회로와 멤스구조물 간의 전기적 연결이 용이하게 된다.
한편, 도 4b 및 도 5b에 도시된 바와 같은 희생층(420)의 패터닝 공정에서, 패터닝에 의해 형성되는 공간(423)은 고정부(431)가 형성될 영역에 대응되는 영역의 적어도 일 부분을 둘러싸도록 형성된다. 즉, 연결부(432)가 형성될 구간을 제외한 고정부(431)의 나머지 둘레구간의 실질적인 전 범위에 걸쳐 공간(423)이 형성된다. 이에 따라 측벽(435)도 고정부(431)의 둘레구간 중 연결부(432)가 형성된 구간을 제외한 전 구간에 걸쳐 형성된다. 따라서, 희생층(420) 중 앵커가 되는 영역의 거의 전 부분이 에천트에 접촉되지 않도록 측벽(435)에 의해 효과적으로 차폐된다.
도 6은 도 5e에 도시된 멤스구조물 내의 희생층의 형상을 도시한 도면이다. 연결부(432)의 하부에는 측벽(435)이 형성되어 있지 않으므로, 희생층(420) 제거공정 수행 중에, 연결부(432)의 하부를 통해 유입되는 에천트에 의해 도 4f 및 도 6에 도시된 바와 같이 희생층(420)의 일부가 제거될 수 있다.
그러나, 이와 같이 희생층(420)의 일부가 제거되는 경우에도 연결부(432)의 폭이 고정부(431)의 폭보다 좁게 형성되어 있으므로 제거되는 도 6에 도시된 바와 같이 희생층(420)의 일부분, 즉 연결부(432) 부근의 영역만 제거된다. 따라서, 비록 고정부(431) 하부의 희생층(420)의 일부가 제거되어도 고정부(431)가 앵커에 의해 고정되는 상태가 실질적으로 변화되지 않으므로, 부상부(433)의 길이도 실질적으로 변화되지 않는다. 따라서, 부상부(433)의 길이를 원하는 길이로 정밀하게 조절할 수 있게 된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 연결부가 고정부 및 부상부와 동일한 두께로 제조되므로 견고한 구조를 갖는 멤스구조물이 제공된다. 또한, 측벽에 의해 식각이 방지된 희생층에 의해 앵커가 형성되므로, 고정부와 부상부의 경계를 명확하게 설정할 수 있다. 따라서, 부상부의 길이의 조절이 정밀하게 제어될 수 있다. 또한, 측벽에 의해 고정부와 기판이 연결되므로, 멤스구조물과 다른 회로와의 전기적 연결이 용이하게 된다.
또한, 본 발명에 따르면, 엥커가 될 부분이 측벽에 의해 에천트로부터 보호되므로, 에천트를 이용하여 희생층을 제거하는 릴리스 공정시 릴리스시간의 정밀한설정이 필요하지 않게 된다. 따라서, 부상부 하부의 희생층이 모두 제거되는 데에 필요한 충분한 시간동안 릴리스를 하는 것이 가능하며, 이때, 연결부의 폭이 고정부의 폭보다 좁으므로, 엥커가 될 희생층의 부분 중 일부가 제거되어도 멤스 구조물의 성능에는 영향이 없게 된다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.

Claims (10)

  1. 기판에 대해 고정된 고정부, 및 상기 고정부와 연결되며 상기 기판상에 부상된 부상부를 구비한 멤스구조물을 제작하는 방법에 있어서,
    상기 기판상에 희생층을 적층시키는 단계;
    상기 희생층을 패터닝하여, 상기 고정부가 형성될 영역에 대응되는 영역의 적어도 일 부분을 둘러싸는 공간을 형성하는 단계;
    상기 희생층상에 멤스구조물층을 적층하여, 상기 공간 내에 측벽을 형성하고 상기 희생층상에 상기 고정부와 상기 부상부를 형성하는 단계; 및
    상기 희생층을 에천트를 이용하여 제거하는 단계;를 포함하며,
    상기 제거단계에서는, 상기 고정부에 대응되는 상기 희생층의 일 부분에 상기 측벽에 의해 상기 에천트의 공급이 차단되어, 상기 희생층 중 상기 측벽에 의해 둘러쌓인 부분을 제외한 나머지 부분이 제거되는 것을 특징으로 하는 멤스구조물 제작방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 공간 형성 단계에서, 상기 공간은 상기 고정부와 상기 부상부를 연결하는 연결부에 대응되는 부위를 제외한 나머지 부위의 실질적인 전 구간에 걸쳐 형성되는 것을 특징으로 하는 멤스구조물 제작방법.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 연결부는 상기 고정부보다 그 폭이 좁은 것을 특징으로 하는 멤스구조물 제작방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제거단계 수행 전에, 상기 멤스구조물층에 에칭홀을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 멤스구조물 제작방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 에칭홀은 상기 부상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 멤스구조물 제작방법.
  6. 기판;
    상기 기판에 대해 고정된 고정부;
    상기 고정부와 연결되며, 상기 기판상에서 부상된 부상부;
    상기 고정부와 상기 기판의 사이에 개재되어 상기 고정부를 상기 기판상에 고정시키는 앵커; 및
    상기 앵커의 측면의 적어도 일 부분을 둘러싸는 측벽;을 포함하는 것을 특징으로 하는 멤스구조물.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 측벽은, 상기 고정부와 상기 부상부를 연결하는 연결부에 대응되는 부위를 제외한 나머지 부위의 실질적인 전 구간에 걸쳐 형성되는 것을 특징으로 하는 멤스구조물.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 연결부는 상기 고정부보다 그 폭이 좁은 것을 특징으로 하는 멤스구조물.
  9. 제 6항에 있어서,
    상기 측벽, 상기 고정부 및 상기 부상부는 일체로 형성되는 것을 특징으로하는 멤스구조물.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 측벽은 상기 기판과 접촉되는 것을 특징으로 하는 멤스구조물.
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DE60235344T DE60235344D1 (de) 2001-12-18 2002-12-13 MEMS-Struktur, eine verkappte Opferschichtstütze/ Anker enthaltend, und Verfahren zu deren Herstellung
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100419233B1 (ko) * 2002-03-11 2004-02-21 삼성전자주식회사 멤스소자 및 그의 제작방법
EP2029475B1 (en) * 2006-05-18 2016-10-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of microstructure and micromachine
JP5877907B2 (ja) * 2011-11-14 2016-03-08 エプコス アクチエンゲゼルシャフトＥｐｃｏｓ Ａｇ 寄生容量が低減されたｍｅｍｓマイクロフォン
JP5429696B2 (ja) * 2011-12-02 2014-02-26 横河電機株式会社 振動式トランスデューサの製造方法
WO2015047346A1 (en) * 2013-09-27 2015-04-02 Intel Corporation An improved arrangement of through-hole structures of a semiconductor package
EP3765401B1 (en) * 2018-03-14 2025-02-12 Obsidian Sensors, Inc. Mems and nems structures
US20230055603A1 (en) * 2021-08-17 2023-02-23 International Business Machines Corporation Enhanced patterning process for qubit fabrication

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5578976A (en) * 1995-06-22 1996-11-26 Rockwell International Corporation Micro electromechanical RF switch
US6096149A (en) * 1997-04-21 2000-08-01 Ford Global Technologies, Inc. Method for fabricating adhesion-resistant micromachined devices
JP2000210900A (ja) * 1998-05-08 2000-08-02 Rockwell Sci Center Llc 電気絶縁性の高いマイクロ・エレクトロメカニカルデバイスの製造方法
US6127765A (en) * 1998-02-24 2000-10-03 Tokyo Institute Of Technology Micro-electromechanical device
JP2001324685A (ja) * 2000-05-15 2001-11-22 Hera System Co Ltd フラットパネル表示装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2154357C (en) * 1993-02-04 2004-03-02 Kevin A. Shaw Microstructures and single-mask, single-crystal process for fabrication thereof
WO1996008036A1 (en) * 1994-09-02 1996-03-14 Stichting Voor De Technische Wetenschappen Process for producing micromechanical structures by means of reactive ion etching
US5717631A (en) * 1995-07-21 1998-02-10 Carnegie Mellon University Microelectromechanical structure and process of making same
DE19537814B4 (de) * 1995-10-11 2009-11-19 Robert Bosch Gmbh Sensor und Verfahren zur Herstellung eines Sensors
EP0890978B1 (en) * 1997-07-10 2005-09-28 STMicroelectronics S.r.l. Process for manufacturing high-sensitivity capacitive and resonant integrated sensors, particularly accelerometers and gyroscopes, and relative sensors

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5578976A (en) * 1995-06-22 1996-11-26 Rockwell International Corporation Micro electromechanical RF switch
US6096149A (en) * 1997-04-21 2000-08-01 Ford Global Technologies, Inc. Method for fabricating adhesion-resistant micromachined devices
US6127765A (en) * 1998-02-24 2000-10-03 Tokyo Institute Of Technology Micro-electromechanical device
JP2000210900A (ja) * 1998-05-08 2000-08-02 Rockwell Sci Center Llc 電気絶縁性の高いマイクロ・エレクトロメカニカルデバイスの製造方法
JP2001324685A (ja) * 2000-05-15 2001-11-22 Hera System Co Ltd フラットパネル表示装置

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