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KR100395754B1 - 반도체패키지의 단수화 방법 - Google Patents

반도체패키지의 단수화 방법 Download PDF

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KR100395754B1
KR100395754B1 KR10-2001-0009201A KR20010009201A KR100395754B1 KR 100395754 B1 KR100395754 B1 KR 100395754B1 KR 20010009201 A KR20010009201 A KR 20010009201A KR 100395754 B1 KR100395754 B1 KR 100395754B1
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Abstract

본 발명은 반도체 패키지의 단수화방법에 관한 것으로, 그 목적은 단수화 공정시 반도체 패키지의 훼손율을 제로화하고, 생산성을 현저히 향상시킴은 물론 배큠 스테이션을 단일화하여 제작단가를 크게 낮추면서도 고품질의 반도체 패키지를 생산할 수 있는 반도체 패키지의 단수화방법을 제공하는 것이며, 그 구성은 반도체패키지의 단수화방법에 있어서, 상기 방법은 반도체 패키기를 배큠 스테이션상에 안착시키는 반도체패키지 안착단계와; 배큠 스테이션상에 안착된 반도체 패키지를 다이싱 휠을 사용하여 상면에서 소정두께 만큼 절단하는 예비절단단계와; 예비절단시 발생되는 절단슬러지를 제거하기 위하여 예비절단된 반도체패키지를 세척하고, 건조하는 세척 및 건조단계와; 세척건조된 반도체 패키지의 절단되지 않은 잔여두께를 레이저빔을 사용하여 절단하는 레이저빔 절단단계로 구성되는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체패키지의 단수화 방법{A singular method for semiconductor package}
본 발명은 반도체 패키지의 단수화방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 단수화 공정시 반도체 패키지의 훼손율을 제로화하고, 생산성을 현저히 향상시킴은 물론 배큠 스테이션을 단일화하여 제작단가를 크게 낮추면서도 고품질의 반도체 패키지를 생산할 수 있는 반도체패키지의 단수화방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체의 어셈블리공정은 크게 2가지방식으로 구분될 수 있는데 하나는 리드 플레임(Leed frame)상에 칩(Chip)을 적층한 후 몰딩하는 방식이며, 다른 하나는 PCB 스트립(PCB Strip)상에 칩을 적층한 후 몰딩하는 방식이며, 본 발명은 후자의 반도체 어셈블리방식중 BGA공정에서 사용되기 위한 것으로써 모든 어셈블리공정이 완료된 후 PCB 스트립을 개별 유닛(Unit)으로 절단하는 단수화공정에 관한 것이며, 이하, 본 명세서에서는 단수화 공정에 대하여만 기술된다는 것을 양지하기 바란다.
도 1 및 도 2는 종래의 반도체 패키지의 단수화공정을 예시한 예시도이며, 도 3은 종래의 반도체 패키지의 단수화 공정에 사용되는 배큠 스테이션을 도시한 사시도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 종래의 반도체 패키지의 단수화방법은 반도체패키지 안착단계와, 반도체패키지 절단단계와, 절단된 개별유닛의 세척 및 건조단계로 구성된다.
상기 반도체패키지 안착단계는 어셈블리공정이 완료된 반도체패키지(f)를 배큠 스테이션(d)상에 안착시킨다. 상기와 같이 반도체패키지(f)가 배큠 스테이션(d)상에 안착되면, 상기 반도체패키지 절단단계를 실시한다.
상기 반도체패키지 절단단계는 다이싱 휠(c)을 이용하여 반도체패키지(f)를 개별유닛(e)으로 절단한다. 이때 절단된 개별유닛(e)들은 상기 배큠 스테이션(d)상의 배큠홀(d1)에 의해 각각 고정지지되고 있음으로 절단된 상태라도 배열이 흐트러지지 않는다.
상기와 같은 반도체패키지 절단단계가 완료되면, 상기 절단된 개별유닛의 세척 및 건조단계를 실시한다.
상기 세척 및 건조단계는 절단시에 발생되는 절단슬러지(g)에 의해 오염된 개별유닛(e)들을 세척하고, 건조시켜 물기를 제거한다.
또한, 상기와 같은 종래의 반도체패키지의 단수화공정에 사용되는 배큠 스테이션(d)은 상면부에 배큠홀(d1)이 매트릭스 형태로 배치되어 있고, 각가의 배큠홀(d1)은 개별유닛(e)의 하면부에 부착되어 절단된 개별유닛(e)을 각기 고정지지하도록 되어있다. 즉, 반도체패키지(f)가 갖고 있는 개별유닛(e)의 수와 배큠 스테이션(d)상의 배큠홀(d1)의 수는 동일하다. 물론 반도체패키기(f)의 개별유닛(e)의 사이의 피치에 따라 배큠 스테이션(d)의 배큠홀(d1)의 간격도 이에 맞도록 배큠 스테이션이 제작되고 있다.
상기와 같은 종래의 반도체패키지의 단수화공정은 다이싱 휠로 반도체패키지를 완전히 절단하여 개별유닛으로 단수화하기 때문에 절단공정중 다이싱 휠의 회전력에 의해 배큠홀상에 배큠으로 고정되어 있는 개개의 유닛이 배큠 스테이션상에서 이탈되어 훼손되는 경우가 빈번히 발생하여 단위시간당 작업생산성이 낮을 뿐만 아니라 반도체패키지의 깊숙히 남아 있는 절단슬러지를 효과적으로 제거하기 어렵고, 고정처리 후에도 절단슬러지가 남아 있어 상품가치를 하락시키거나 추가적으로 크리닝공정을 실시해야함은 물론 반도체패키지의 유닛 사이즈별로 배큠 스테이션을 각기 제작하여야 하기 때문에 배큠 스테이션 제작비용이 높고 이로 인해 상품의 제작단가가 상승한다는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 고려하여 안출한 것으로써, 그 목적은 단수화 공정시 반도체 패키지의 훼손율을 제로화하고, 생산성을 현저히 향상시킴은 물론 배큠 스테이션을 단일화하여 제작단가를 크게 낮추면서도 고품질의 반도체 패키지를 생산할 수 있는 반도체패키지의 단수화방법을 제공하는 것이다.
상기 본 발명의 목적은 반도체패키지의 단수화방법에 있어서, 상기 방법은 반도체 패키기를 배큠 스테이션상에 안착시키는 반도체패키지 안착단계와; 배큠 스테이션상에 안착된 반도체 패키지를 다이싱 휠을 사용하여 상면에서 소정두께 만큼 절단하는 예비절단단계와; 예비절단시 발생되는 절단슬러지를 제거하기 위하여 예비절단된 반도체패키지를 세척하고, 건조하는 세척 및 건조단계와; 세척건조된 반도체 패키지의 절단되지 않은 잔여두께를 레이저빔을 사용하여 절단하는 레이저빔 절단단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체패키지의 단수화방법에 의해 달성될 수 있는 것이다.
도 1 및 도 2는 종래의 반도체 패키지의 단수화공정을 예시한 예시도.
도 3은 종래의 반도체 패키지의 단수화 공정에 사용되는 배큠 스테이션을 도시한 사시도.
도 4는 본 발명에 따른 반도체 패키지의 단수화방법을 예시하는 블록도.
도 5는 본 발명에 따른 반도체 패키지 단수화방법중 예비절단공정을 예시한 예시도.
도 6은 본 발명에 따른 반도체 패키지 단수화방법중 세척 및 건조단계를 예시한 예시도.
♣도면의 주요부분에 대한 부호의 설명♣
10: 배큠 스테이션 11: 배큠홀
12: 반도체패키지 12a: 에폭시몰드층
12b: PCB층 12c: 솔더볼
13: 스핀들 14: 다이싱 휠
15: 레이저빔
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체패키지의 단수화방법에 대하여 설명하기로 한다.
도 4는 본 발명에 따른 반도체 패키지의 단수화방법을 예시하는 블록도이고, 도 5는 본 발명에 따른 반도체 패키지 단수화방법중 예비절단공정을 예시한 예시도이며, 도 6은 본 발명에 따른 반도체 패키지 단수화방법중 세척 및 건조단계를 예시한 예시도이다.
도 4 내지 도 6을 참조하면, 본 발명에 따른 반도체패키지의 단수화방법은 반도체패키지 안착단계(100)와, 예비절단단계(110)와, 세척 및 건조단계(120)와, 레이저빔절단계(130)로 구성된다.
상기 반도체패키지 안착단계(100)는 반도체패키기(12)를 배큠 스테이션(10)상에 안착시킨다. 즉, 반도체패키지(12)를 배큠 스테이션(10)상에 배치하여 상기 배큠 스테이션(10)상의 배큠홀(11)을 통하여 작동되는 배큠에 의해 반도체패키지(12)가 배큠 스테이션(10)상에 고정된다.
참조적으로, 상기 반도체패키지는 엑폭시몰드층(12a)상에 PCB층(12b)이 적층되고, 상기 PCB층(12b)상에 다수개의 솔드볼(12c)이 정렬되어 부착된다.
상기 예비절단단계(110)는 상기 안착단계(100)가 완료되면 스핀들(13)에 회전가능하게 장착되어 있는 다이싱 휠(14)을 을 사용하여 반도체패키지(12)을 개별유닛(12d)으로 절단하는데 이때 다이싱 휠(14)에 의해 반도체패키지(12)를 완전히 절단하지 않고 두께의 일부만을 절단하여 반도체패키지의 하면측에 반도체패키지를이송시킬 수 있는 만큼의 잔여두께를 남겨 놓는데 이때 다이싱 휠(14)에 의해서 절단되는 두께는 4/5정도의 두께가 바람직한다.
상기 세척 및 건조단계(120)는 상기 예비절단단계(110)에서 발생된 절단슬러지를 깨끗이 세척하고 물기를 건조시킨다.
상기와 같이 예비절단된 반도체패키지(12)에 대한 세척 및 건조단계(120)가 완료되면, 상기 레이저빔절단단계(130)를 실시한다.
상기 레이저빔절단단계(130)는 레이저빔을 사용하여 예비절단단계(110)에서 남겨진 반도체패키지(12)의 잔여두께를 완전히 절단함으로써 반도체패키지를 개별유닛(12d)으로 완전히 단수화시킨다.
상기와 같은 구성을 갖는 본 발명에 따른 반도체패키지의 단수화방법은 상기 예비절단단계(110)에서 반도체패키지(12)의 소정두께를 다이싱 휠(14)로 예비절단한 후 세척 및 건조단계(120)를 실시함으로써 절단슬러지를 깨끗하게 세척할 수 있을 뿐만 아니라 절단슬러지가 배큠 스테이션(10)의 깊숙한 곳으로 유입되는 것을 확실히 방지할 수 있음으로 별도의 크리닝공정을 실시하지 않아도 되며, 상기 레이저빔 절단단계(130)에서 진정 또는 회전과 같은 물리적인 힘을 전혀 발생시키기 않는 레이저빔(15)을 사용하여 잔여두께를 완전히 절단하기 때문에 개별유닛이 배큠 스테이션(10)을 이탈하여 훼손되는 일이 전혀 발생되지 않고, 절단슬러지도 발생되지 않음으로 단위시간당 개별유닛의 생산성을 현저히 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 절단된 개별유닛이 배큠 스테이션을 이탈하여 훼손되는 것을 확실히 방지할 수 있는 것이다.
이상으로 설명한 본 고안에 의하면, 단수화 공정시 반도체 패키지의 훼손율을 제로화하고, 생산성을 현저히 향상시킴은 물론 배큠 스테이션을 단일화하여 제작단가를 크게 낮추면서도 고품질의 반도체 패키지를 생산할 수 있는 효과를 갖는다.

Claims (2)

  1. 반도체패키지의 단수화방법에 있어서, 상기 방법은 반도체패키기(12)를 배큠 스테이션(10)상에 안착시키는 반도체패키지 안착단계(100)와; 배큠 스테이션(10)상에 안착된 반도체패키지(12)를 다이싱 휠(14)을 사용하여 상면에서 소정두께 만큼 절단하는 예비절단단계(110)와; 예비절단시 발생되는 절단슬러지를 제거하기 위하여 예비절단된 반도체패키지(12)를 세척하고, 건조하는 세척 및 건조단계(120)와; 세척건조된 반도체패키지(12)의 절단되지 않은 잔여두께를 레이저빔(15)을 사용하여 절단하는 레이저빔 절단단계(130)로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체패키지의 단수화방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 예비절단단계(110)는 반도체패키지(12)를 이송이 가능한 잔여두께를 남기고 다이싱 휠(14)로 절단하며; 상기 레이저빔 절단단계(130)는 상기 예비절단단계(110)에서 남겨진 잔여두께를 레이저빔으로 절단하는 것을 특징으로 하는 반도체패키지의 단수화방법.
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