KR100395312B1 - 일렉트로크로믹디바이스 - Google Patents
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Abstract
일렉트로크로믹 디바이스
본 발명의 일렉트로크로믹 디바이스(100, 110, 120, 130, 140, 150)는 넓은 표면 영역에 걸쳐 광투과율을 제공하면서 폭 넓은 응용 분야에 이용될 수 있다. 상기 디바이스는 구조물의 층들 사이의 광학 간섭을 최소화하고 균일한 광학 투명도를 최대화하기 위해 광학 튜닝층(60, 61, 62, 63, 64, 65)을 이용하고 있다. 광학 튜닝층은 또한 투명 도전성 산화물층(20, 21)이 얇은 도전성 금속층(21,23)에 의해 대체되도록 할 수 있으며, 이렇게 함으로써 이들 디바이스의 전체적인 두께를 저감시켜 제조 공정을 용이하게 할 수 있다.
Description
본 출원은 1991년 9월 4일 출원된 미국 출원 번호 제07/754,650호의 일부 계속 출원이다.
일렉트로크로믹 재료라고 하는 특정 재료는 전류 또는 전위의 인가에 따라 그들의 광학 특성을 변화시키는 것으로 알려져 있다. 이 특성은 광에너지를 선택적으로 투과하도록 제어될 수 있는 일렉트로크로믹 디바이스를 생산할 수 있는 이점이 있다. 이와 같은 일렉트로크로믹 디바이스는 전기 도전 재료로 된 하나의 층과, 한 층의 일렉트로크로믹 재료로 형성된 전극, 이온 도전층, 대향 전극층 및, 다른 전기 도전층을 포함하는 순차적인 층으로 구성된 구조를 통상 가지고 있다. 일렉트로크로믹 디바이스의 제1 조건에서 상기한 각각의 층은 디바이스에 입사되는 광에너지의 대부분이 그 디바이스를 통해 투과될 정도로 광학적으로 투명하다. 그러나, 이들 층 양단에 전위의 인가시에는 일렉트로크로믹 재료의 광학 특성이 변화하여 일렉트로크로믹 층의 투명성이 낮아지고, 그에 따라서 광에너지의 과도한 투과를방지하게 된다.
이들 일렉트로크로믹 디바이스의 가장 중요한 잠재적 용도 중 하나는 윈도우 특히, 사무용 빌딩과 그 밖의 다른 구조물의 대형 윈도우를 통과하는 광에너지의 투과를 제어하는 것이다. 이들 윈도우를 통과하는 광에너지의 투과를 선택적으로 제어함으로써 이들 빌딩의 난방이나 냉방 중에 상당한 비용 절감을 실현할 수 있다. 그러나 지금까지는 이러한 잠재적 이점을 얻기 위한 노력은 대부분 실패했다. 이러한 실패의 한 원인은 넓은 표면에 걸쳐 효과적으로 이용될 수 있는 일렉트로크로믹 디바이스를 경제적으로 생산하기 위한 기술력의 부족에 있다. 지금까지 이용되어온 장치들은 넓은 표면 영역에 걸쳐 이용되는 경우 상이한 색의 바람직하지 못한 모자이크나 혹은 무지개 효과를 나타내었다. 이들 장치의 색은 여러 층의 두께에 바로 관련되기 때문에 층 두께의 변화는 영역간의 색변화를 초래하게 되고 이것에 의해 상기 무지개 효과를 발생하게 된다. 이러한 어려움을 극복하기 위해 요구되는 극히 타이트한 허용 한계는 넓은 표면 영역에 대해 이들 장치를 사용하는 것이 매우 비경제적이다.
넓은 표면 영역 일렉트로크로믹 디바이스의 광범위한 상업화에 대한 추가적인 장애물은 이들 디바이스의 광학 투명성이 손상되지 않도록 이들 디바이스의 양단에 전위가 인가되는 광학적으로 투명한 도전 재료가 사용되어야 한다는 이 분야의 이해와 관련되어 있다. 이들 재료로 형성된 도전층은 상기 디바이스 전체에 대한 광학 특성을 충분히 신속하고 균일하게 변화시킬 수 있도록 낮은 시트 저항을 갖는 것이 바람직하다. 이들 층은 대개 비싼 투명 도전성 금속 산화물로 형성된다.넓은 표면 영역 디바이스를 위한 조건에 맞는 낮은 시트 저항을 얻을 필요가 있는 비교적 두꺼운 이들 산화물층은 그들의 종합적인 투명성을 감소시키는 경향이 있다. 더욱이, 이들 재료의 상당히 비싼 비용을 고려하면 필요한 비교적 많은 양이 이들 재료의 이용을 비경제적으로 만들고 있다.
따라서 넓은 표면 영역에 걸쳐 사용될 때 수용할 수 있는 상황을 제공하게 될 개선된 일렉트로크로믹 디바이스에 대한 필요성이 제기되고 있다. 효율성과 함께 경제적으로 생산될 수 있으면서 폭 넓은 상업적 용도로 이용할 수 있는 일렉트로크로믹 디바이스에 대한 추가적인 필요성이 존재하고 있다.
발명의 요약
본 발명은 이들 필요성을 다루고 있다.
본 발명의 한 양상은 일렉트로크로믹 재료로 형성된 전극과, 대향 전극 및 상기 전극과 대향 전극 사이에 이온을 전송하기 위한 전송 수단을 포함하는 일렉트로크로믹 구조로 구성된 일렉트로크로믹 디바이스를 제공한다. 적어도 2개의 전기 도전층을 포함하는 도전 수단이 일렉트로크로믹 구조에 삽입되고 이에 따라 전위가 상기 구조물에 인가될 수 있다. 일렉트로크로믹 디바이스는 전기 도전층 중 적어도 하나의 도전층을 통해 방사선의 투과를 증가시키기 위한 증가 수단을 추가로 포함하고 있다. 전극과, 대향 전극 및 이온 도전층은 거의 동일한 굴절율을 갖도록 선택되는 것이 바람직하다.
바람직한 실시예에서 증가 수단은 적어도 하나의 전기 도전층과의 표면 접촉부에 적어도 한 층의 광학적으로 투명한 재료를 포함하고 있다. 바람직하게, 광학적으로 투명한 재료는 투명 산화물과, 투명 질화물 또는 이들의 조합물이다. 일부 상당히 바람직한 실시예에서 광학적으로 투명한 재료는 실리콘 산화물과 주석 산화물의 혼합물을 포함하고 있다.
전송 수단은 전극과 대향 전극 사이에 삽입되는 이온 도전 재료로 형성된 적어도 한 층을 포함하는 것이 바람직하다. 이들 실시예에서 일렉트로크로믹 재료는 텅스텐 산화물과, 니오브 산화물, 티타늄 산화물, 몰리브덴 산화물, 니켈 산화물, 이리듐 산화물 또는 이들의 혼합물로 형성되는 것이 바람직하다. 대향 전극은 바나듐 산화물, 니오브 산화물, 인듐 산화물, 니켈 산화물, 코발트 산화물, 몰리브덴 산화물 또는 이들의 혼합물로 형성되는 것이 바람직하다. 이온 도전 재료는 리튬 실리케이트, 리튬 보로실리케이트, 리튬 알루미늄 실리케이트, 리튬 니오베이트, 리튬 질화물, 또는 리튬 알루미늄 플루오르화물과 같은 리튬 이온 도전 재료일 수도 있다. 대안적으로 이온 도전 재료는 실리콘 이산화물 또는 탄탈 5산화물과 같은 수소 이온 도전 재료일 수도 있다. 전극, 대향 전극, 이온 도전층은 거의 동일한 굴절율을 갖도록 선택되는 것이 바람직하다. 이것은 서로 다른 굴절율을 갖는 산화물의 추가에 의해 이들 재료의 굴절율을 조절함으로써 달성될 수도 있다.
본 발명의 이러한 양상에 따른 일 실시예에서, 일렉트로크로믹 디바이스는 광학적으로 투명한 재료의 적어도 한 층과 표면 접촉되는 기판을 추가로 포함하는데, 상기 기판은 제1 굴절율을, 적어도 하나의 전기 도전층은 제2 굴절율을, 그리고 적어도 한 층의 광학 투명 재료는 상기 제1 및 제2 굴절율 사이의 제3 굴절율을 가지고 있다. 본 실시예에 따른 바람직한 일렉트로크로믹 디바이스에서는 광학적으로 투명한 재료의 적어도 한 층의 굴절율은 제1 및 제2 굴절율의 수학적 곱의 제곱근과 거의 동일하다. 또한 상기 광학적으로 투명한 재료의 적어도 한 층은 광학적으로 투명한 재료의 적어도 한 층의 굴절율에 반비례하는 두께를 가지며, 특히 대략 60 nm 내지 90 nm 사이의 두께인 것이 바람직하다.
또 다른 실시예에서, 증가 수단은 적어도 하나의 전기 도전층과의 표면 접촉에서 제1 광학 투명층을 갖는 일련의 광학 투명층의 시작부와 n번째 광학 투명층을 갖는 일련의 광학 투명층의 종결부로 구성될 수도 있다. 상기 장치의 이러한 실시예는 n번째 광학 투명층을 갖는 표면 접촉부에 기판을 추가로 포함할 수도 있고, 적어도 하나의 전기 도전층은 제1 굴절율을 가지며, 상기 기판은 제1 굴절율 이하의 제2 굴절율을 갖는다. 이 실시예에서 제1 광학 투명층의 굴절율은 제1 굴절율 이하이고, n번째 광학 투명층의 굴절율은 제2 굴절율 이상이며, 각각의 일련의 광학 투명층의 굴절율은 제1 투명층의 굴절율로부터 n 번째 투명층의 굴절율로 단조 함수적으로 감소한다.
또 다른 실시예에서 증가 수단은 2개의 광학 투명층인, 적어도 하나의 전기 도전층과의 표면 접촉부에 존재하는 제1 광학 투명층과 이 제1 광학 투명층과의 표면 접촉부에 존재하는 제2 광학 투명층으로 구성될 수도 있다. 이 실시예에서 적어도 하나의 전기 도전층은 제1 굴절율을 가지고 있고, 광학 투명층중 하나는 제1 굴절율 이하의 굴절율을 가지고 있으며, 또 다른 하나의 광학 투명층은 상기 하나의 광학 투명층의 굴절율 이상인 굴절율을 가지고 있다. 이 디바이스의 바람직한 실시예에서 광학 투명층 중 하나는 굴절율이 약 1.4 내지 1.7 사이이며, 다른 하나의광학 투명층은 제1 굴절율 이상이거나 또는 거의 동일한 굴절율을 가지고 있다. 더욱이 본 실시예에 따른 바람직한 디바이스의 2개의 광학 투명층은 약 30 nm 내지 70 nm 사이의 조합 두께를 가지고 있다.
여전히 또 다른 실시예에서 적어도 하나의 전기 도전층은 제1 전기 도전 금속층을 포함하고 있다. 바람직하게 상기 제1 전기 도전 금속층은 두께가 약 5 nm 내지 15 nm 사이이며, 특히 두께가 약 7 nm 내지 12 nm 사이인 것이 바람직하다. 선택적으로 이 실시예는 일렉트로크로믹 구조물과 제1 전기 도전 금속층간에 배치되는 중간층을 추가로 포함할 수도 있다. 이 중간층은 제1 전기 도전 금속보다 안정한 것이 바람직하며, 제2 전기 도전 금속 또는 전기 도전 산화물로 형성될 수도 있다.
이 최종 실시예의 증가 수단은 제1 전기 도전 금속층과의 표면 접촉부에 적어도 하나의 광학 투명 재료층을 포함하는 것이 바람직하다. 광학 투명 재료는 전기 도전 산화물로 구성되는 것이 특히 바람직하다. 바람직한 광학 투명 재료는 약 1.9 이상의 굴절율을 가지고 있는데, 약 1.9 내지 2.8 사이의 굴절율이 바람직하고, 약 10 nm 내지 약 50 nm 사이의 두께를 갖는데, 특히 약 23 nm 내지 45 nm 사이의 두께가 바람직하다.
본 발명의 또 다른 실시예에서 적어도 하나의 전기 도전층은 전기 도전성 산화물층을 포함하고 있으며, 전극과, 대향 전극 및 이온 도전층과 같은 동일한 굴절율을 갖는 산화물이 바람직하다. 본 실시예에 따른 일렉트로크로믹 디바이스는 전기 도전성 산화물층과의 표면 접촉부에 전기 도전성 금속층을 추가로 포함할 수도있다. 바람직한 실시예에서 전기 도전성 산화물층은 일렉트로크로믹 구조물과 도전 금속층 사이에 배치된다. 바람직하게 이 실시예에서 증가 수단은 도전 금속층과의 표면 접촉부에 굴절율이 약 1.9 이상인 적어도 하나의 광학 투명 재료층를 포함하고 있다. 이들 광학 투명층은 두께가 약 10 nm 내지 50 nm인 것이 바람직하다.
본 발명의 추가적인 양상은 투명 기판과 상기 투명 기판상에 배열된 일렉트로크로믹 디바이스로 구성되는 일렉트로크로믹 조합을 제공하고 있다. 상기 일렉트로크로믹 디바이스는 일렉트로크로믹 재료로 형성된 전극과, 대향 전극 및 상기 전극과 대향 전극 사이에서 이온을 전송하는 전송 수단을 포함하는 인렉트로크로믹 구조물로 통상 구성될 수 있다. 일렉트로크로믹 디바이스는 일렉트로크로믹 구조물에 전위를 인가하기 위해 이 일렉트로크로믹 구조물을 삽입하는 적어도 2개의 전기 도전층을 포함하는 도전 수단과, 적어도 하나의 상기 전기 도전층을 통해 방사선의 투과를 증가시키기 위한 증가 수단을 추가로 구비할 수도 있다.
본 발명의 이러한 양상에 따른 바람직한 실시예는 투명 상판(superstrate)을 추가로 포함할 수도 있고, 여기서 일렉트로크로믹 디바이스는 투명 기판과 투명 상판 사이에 삽입된다. 접착 재료층은 투명 상판을 일렉트로크로믹 디바이스에 접착시키기 위해 사용될 수 있다. 이와 같은 접착층은 굴절율이 약 1.4 내지 약 1.8 사이이며, 여기서 굴절율은 상판의 굴절율과 실질적으로 동일한 것이 바람직하다. 선택적으로 적어도 하나의 전기 도전층은 전기 도전성 산화물층을 포함할 수도 있고, 접착층은 전기 도전성 산화물층과 표면 접촉할 수 있다. 이 경우에 있어서, 접착층의 굴절율은 전기 도전성 산화물층의 굴절율과 투명 상판의 굴절율 사이인 것이 바람직하다.
본 발명은 광을 포함한 에너지가 제어된 조건하에서 투과될 수 있는 일렉트로크로믹 디바이스에 관한 것으로, 특히 넓은 표면에 걸쳐 사용될 수 있는 개선된 일렉트로크로믹 디바이스와 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 보다 완전한 이해와 다양한 이점은 첨부한 도면을 참조하여 이하의 상세한 설명을 통하여 더욱 명확히 이해될 수 있을 것이다.
제1도는 종래 기술에 따른 일렉트로크로믹 디바이스의 개략적인 단면도.
제2도는 표백된 상태에서 제1도의 일렉트로크로믹 디바이스의 광투과율을 나타낸 그래프.
제3도는 본 발명의 일 실시예에 따른 일렉트로크로믹 디바이스의 개략적인 단면도.
제4도는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 일렉트로크로믹 디바이스의 개략적인 단면도.
제5도는 표백된 상태에서 제4도의 일렉트로크로믹 디바이스의 광투과율을 나타낸 그래프.
제6도는 본 발명의 추가의 실시예에 따른 일렉트로크로믹 디바이스의 개략적인 단면도.
제7도는 표백된 상태에서 제6도의 일렉트로크로믹 디바이스의 광투과율을 나타낸 그래프.
제8도는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 일렉트로크로믹 디바이스의 개략적인 단면도.
제9도는 표백된 상태에서 제8도의 일렉트로크로믹 디바이스의 광투과율을 나타내는 그래프.
제10도는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 일렉트로크로믹 디바이스의 개략적인 단면도.
제11도는 본 발명의 추가의 실시예에 따른 일렉트로크로믹 디바이스의 개략적인 단면도.
본 발명을 수행하는 최상의 모드
본 명세서의 예시에 있어서, 본 발명의 일렉트로크로믹 디바이스는 윈도우를 통한 광의 투과율을 제어하는 용도와 관련하여 논의된다. 그러나 이들 일렉트로크로믹 디바이스는 디스플레이 장치와, 가변 반사 미러(variabie reflectance mirrors), 렌즈 및 투명한 구조물을 통한 광에너지의 투과율을 선택적으로 제어하는 능력에 장점이 될 수 있는 유사한 장치를 포함한 여러 용도의 응용에 유용하다는 것을 인식하게 될 것이다.
제1도에는 종래의 기술에 따른 일렉트로크로믹 디바이스를 내장한 윈도우 (10)가 단면도로서 개략적으로 도시되어 있다. 윈도우(10)는 투명 유리 기판(12), 투명 도전성 산화물층(20), 일렉트로크로믹 전극층(30), 이온 도전층(40), 대향 전극층(50), 제2의 투명 도전성 산화물층(22) 및 투명 유리 상판(14)을 포함하는 일련의 순차적인 층으로 구성되어 있다. 저전압 배터리(2)와 스위치(4)는 도전성 배선(6, 8)에 의해 상기 순차적인 층 구조물에 접속된다. 윈도우(10)의 광학 특성을 변경시키기 위해서는 스위치(4)를 폐쇄한 후에, 배터리(2)에 의해 층 구조물의 양단에 전위를 발생시킨다. 배터리의 극성은 발생된 전위의 특성을 통제하게 될 것이고 따라서 이온과 전자의 방향을 통제하게 된다. 제1도에 나타낸 실시예에서 스위치(4)가 폐쇄됨에 따라 발생된 전위는 이온 도전층(40)을 통해 대향 전극층(50)으로부터 일렉트로크로믹 전극층(30)으로 이온이 흐를 수 있도록 할 것이고, 이것에 의해 소위 "채색된" 상태로 일렉트로크로믹 재료를 저감시키게 된다. 이 상태에서는 윈도우(10)상으로 입사되는 대부분의 광에너지가 흡수되어 일렉트로크로믹 전극 층(30)에 의해 반사되기 때문에 윈도우(10)의 투명성은 실질적으로 저감된다. 이온 도전층(40)이 역시 전기적으로 절연되고 있다면 윈도우(10)는 스위치(4)가 개방되더라도 일렉트로크로믹 전극층(30)이 이러한 채색된 상태로 유지된다는 점에서 "메모리"를 갖는다고 말해진다. 그러나 배터리(2)의 극성이 반전되고 스위치(4)가 폐쇄되면, 인가된 전위는 이온 도전층(40)을 통해 일렉트로크로믹 전극층(30)으로부터 대향 전극층(50)으로 이온이 반대 방향으로 흐르도록 할 것이고, 이것에 의해 윈도우(10)의 투명성이 최대인 소위 "표백된" 상태로 일렉트로크로믹 재료를 산화 시키게 된다.
상기한 윈도우(10)의 제조에 있어서 층(20, 22)은 도핑된 주석 산화물, 도핑된 아연 산화물, 주석이 도핑된 인듐 산화물 및 유사한 재료와 같은 주로 전자 전도물인 임의의 투명한 산화물로부터 형성될 수도 있다. 층(20, 22)을 형성하는 재료는 동일할 필요는 없다. 일렉트로크로믹 전극층(30)은 그 산화 상태가 변함에 따라 그 광학 특성이 반대로 변경될 수 있는 재료로 통상 형성되고 있다. 일렉트로크로믹 전극층(30)의 두께는 그 채색된 상태에 있어서 윈도우의 투명성의 수용 가능한 경감이 얻어질 만큼 정상적이 될 것이다. 비록 다른 적절한 재료가 사용될 수있다 하더라도 몰리브덴 산화물, 니켈 산화물, 이리듐 산화물, 니오브 산화물, 티타늄 산화물과 상기 산화물들의 혼합물과 같은 텅스텐 산화물(WO3)이 이점에서는 폭 넓게 사용되는 재료이다. 이온 도전층(40)은 일렉트로크로믹층(30)에 대하여 이온을 전송하기 위해 이용되고, 2개의 전기적으로 상반된 특성을 나타내면서 유지해야 한다. 즉, 이온 도전층(40)은 전위의 인가에 따라 용이하게 이온을 전송해야하지만, 전자의 전송에 관해서는 전기적 절연을 유지해야만 한다. 이점에 관해서는 이온 도전층(40)은 일렉트로크로믹 전극층(30)과 대향 전극층(50)간의 단락 또는 전자의 아킹(arcing) 가능성을 피할 수 있도록 충분한 두께를 갖추어야만 한다. 리튬 이온의 투과를 위해 이온 도전층(40)을 형성하기에 적절한 재료는 예를 들어 리튬 실리케이트, 리튬 보로실리케이트, 리튬 알루미늄 실리케이트, 리튬 니오베이트, 리튬 질화물 및 리튬 알루미늄 플루오르화물을 포함하고 있고; 수소 이온을 투과하기에 적절한 재료는 탄탈 5산화물과 실리콘 이산화물을 포함하고 있다. 대안적으로 이온 도전층(40)은 중합체로 형성될 수도 있다.
윈도우(10)의 대향 전극층(50)은 이온을 저장할 수 있는 재료로 통상 형성되고 다음에 적절한 전위에 따라 일렉트로크로믹층(30)으로의 투과를 위해 이들 이온을 방출한다. 상기 층의 두께는 대향 전극이 일렉트로크로믹 전극층에서 컬러의 수용가능한 변화를 실행할 수 있도록 일렉트로크로믹 전극층으로 충분한 양의 이온을 전달할 수 있는 정도가 바람직하다. 일부 대향 전극 재료는 그 자체는 이들 재료가 전위의 인가에 따라 이온을 제공하거나 또는 수신함에 따라 그들의 광학 특성이 역시 변한다는 점에서 역시 일렉트로크로믹이다. 이들 일렉트로크로믹 대향 전극 재료는 전위가 일렉트로크로믹 전극 재료의 광학 특성에 따라 갖게 되는 영향을 보완할 수도 있을 것이다. 즉, 이들 대향 전극 재료는 이들 재료가 채색된 상태로 일렉트로크로믹 재료를 변환시키기 위해 이온을 방출함에 따라 덜 투명해질 수도 있다. 대향 전극층(50)을 형성하기에 적절한 재료는 바나듐 산화물, 니오브 산화물, 인듐 산화물, 니켈 산화물, 코발트 산화물, 몰리브덴 산화물 및 상기 산화물들의 혼합물을 포함하고 있다.
별개이면서 연속적인 개별적 층이 형성된다면 상기한 각 층은 공지된 기술에 의해 증착될 수도 있다. 각 층에 대한 특정 증착 방법은 증착되는 재료와, 증착되는 층의 두께와, 이전층에 증착되는 재료 등의 몇몇 파라미터에 좌우되고 있다. 이러한 증착법은 RF스퍼터링, CVD(chemical vapor deposition), PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition), EBE(electron beam evaporation), 졸-겔 기법(sol-gel techniques)을 포함하고, 박막을 증착하기 위한 다른 공지된 방법이 통상 이용되고 있다.
제조 공정 중에 적어도 하나의 일렉트로크로믹 전극층(30)과 대향 전극층 (50)은 리튬 이온과 수소 이온이 증착된 형태로 상기 층 중 한 층에 미리 존재하지 않는 한 적절한 이온으로 주입될 수 있다. 이온 주입은 적절한 환원제로 일렉트로크로믹 전극층(30) 또는 대향 전극층(50)을 처리함으로써 달성될 수도 있다, 예를 들어 n-부틸 리튬은 리튬을 주입하기 위해 이용될 수 있으며, 수용성 황산은 수소를 주입하기 위해 이용될 수도 있다. 대안적으로 이온 주입은 증기 상태의 리튬 원자를 생산하도록 분해하는 리튬 타겟과 같이 적절한 이온원으로 제공되는 타겟으로부터 스퍼터링과 같은 진공 처리 단계에 의해 달성될 수도 있다. 또한 수소 주입은 수소 프라즈마로의 노출에 의해 달성될 수도 있다. 이온 주입은 적절한 이온-함유 전해질의 환원에 의해 전기 화학적으로 달성될 수도 있다. 원하는 성분을 얻기 위해 소스 또는 타겟 재료와 반응하게 될 환원 분위기의 기상 증착에 의해 또는 환원 성분을 갖는 소스 또는 타겟을 사용함으로써 바로 한 층의 환원 재료를 증착시킬 수 있는 추가적인 기술이 있다. 주입을 위해 휘발성 선구물질(precursor)을 사용하고 상기 선구물질로부터 상기 주입 이온을 해리시키기 위해 낮은 기압 방전을 시작하는 또 다른 기술이 있다. 예를 들어 개스질 선구 물질의 형태인 유기 리튬 화합물이 해리될 수 있고 따라서 리튬 이온은 이 이온들이 주입되는 재료와 접촉하게 된다.
제2도는 유리 기판(12)이 1.5의 굴절율을, 투명 도전성 산화물층(20)이 2.1의 굴절율과 450 nm의 두께를, 일렉트로크로믹 전극층(30)이 2.1의 굴절율과 300 nm의 두께를, 이온 도전층(40)이 1.5의 굴절율과 200 nm의 두께를, 대향 전극층 (50)이 2.0의 굴절율과 200 nm의 두께를, 투명 도전성 산화물층(22)이 2.1의 굴절율과 450 nm의 두께를, 유리 상판(14)이 1.5의 굴절율을 갖는 윈도우(10)를 위한 표백 상태에서 파장의 함수로서 광에너지의 투과율을 나타낸 것이다. 투과율은 파장의 함수로서 균일한 광학 투과율을 얻는 데 보다 민감하기 때문에 표백 상태가 도시된다. 명백히 알 수 있는 바와 같이 이 층형화된 구조를 통한 광학 투과에 대해서는 균질성이 매우 낮으며, 이는 채색된 모자이크 또는 무지개 빛깔의 효과를 갖는 윈도우를 초래할 수 있다.
본 발명의 한 양상은 경제적 불이익을 극복하고 광학적으로 투명한 일렉트로크로믹 디바이스의 넓은 표면 영역에서 투명한 도전성 산화물의 사용과 관련된 광학적 어려움을 저감하는 것이다. 본 발명의 양상에 따라 일렉트로크로믹 디바이스를 내장한 윈도우(100)의 일 실시예가 제3도에 개략적인 단면도로 도시되어 있다. 윈도우(100)는 일렉트로크로믹 전극층과 유보된 대향 전극층의 위치와 함께 전술한 실시예의 윈도우(10)와 유사하다. 따라서 윈도우(100)는 투명 유리 기판(12)과, 투명 도전성 산화물층(20)과, 대향 전극층(50)과, 이온 도전층(40)과, 일렉트로크로믹 전극층(30)을 포함하고 있다. 이들 층은 윈도우(10)와 관련해서 전술한 바와 같은 실질적으로 동일한 재료로 형성된다. 그러나 제2 투명 도전성 산화물층(22) 보다는 오히려 윈도우(100)가 전기 도전 금속으로 형성된 층(21)과 광학 튜닝층으로 제공되는 투명한 산화물로 형성되는 층(60)을 포함하는 층들의 조합을 가지고 있다. 선택적으로 윈도우(100)는 일렉트로크로믹 전극층(30)으로부터 도전 금속층 (21)으로의 이온의 이동을 방지하기 위해 니켈과 같은 불활성이거나 또는 안정적인 전기 도전 금속으로 형성된 장벽층(80)과, 도전 금속층(21)에 대한 광학 튜닝층 (60)의 접착을 증진시키거나 또는 투명 산화물층(60)내로 도전 금속층(21)내의 도전성 금속의 용해를 방지하는 장벽으로 동작할 수도 있는 제2 층(90)을 포함할 수도 있다. 어셈블리는 투명 유리 상판(14)에 의해 완료된다.
전술한 구조에서 도전 금속층(21)은 은이나 또는 동(copper) 또는 알루미늄 등의 다른 높은 도전성 금속으로 형성될 수도 있다. 높은 도전성 금속을 사용함으로써 낮은 광흡수와 낮은 시트 저항을 갖는 매우 얇은 층들이 형성될 수 있고, 이것에 의해 투명 도전성 산화물의 비교적 두꺼운 층의 사용과 관련된 제조상의 어려움과 비용을 극복할 수 있다. 도전 금속층(21)은 두께가 약 5 nm 내지 약 15 nm 사이인 것이 바람직하며, 특히 두께가 약 7 nm와 약 12 nm 사이인 것이 바람직하다. 은과 다른 도전성 금속의 매우 얇은 층이 높은 반사율로 인해 상당히 광학적으로 투명하지 못하다고 해도 이들을 통한 광학 투과율은 적절히 선택된 광학 튜닝층 (60)의 존재로 인해 개선될 수도 있다. 도전성 금속층과의 조합에 사용되는 광학 튜닝층(60)은 두께가 약 10 nm 내지 약 50 nm 사이인 것이 바람직하고, 특히 두께가 약 23 nm 내지 약 40 nm 사이인 것이 바람직하다. 광학 튜닝층(60)을 형성하는 바람직한 재료는 굴절율이 약 1.9 이상, 특히 굴절율이 약 1.9 내지 약 2.8 사이인 것이 바람직하다. 광학 튜닝층(60)이 약 30-40 nm의 두께와 대향 전극(30)의 굴절율보다 크거나 또는 실질적으로 동일한 굴절율을 갖는 경우 낮은 굴절율을 갖는 도전성 금속층(21)은 보다 높은 굴절율을 갖는 층(60, 30)들 사이에 삽입되고, 층 (14, 60, 21, 30, 40)들 사이의 여러 인터페이스에서 반사되는 신호가 저감될 것이고, 이것에 의해 반사율은 낮아지고 투과율은 최대가 된다. 그 결과, 윈도우(100)는 일렉트로크로믹 전극층(30)의 표백된 상태에서 상당히 광학적으로 투명하게 될 것이다.
일렉트로크로믹 디바이스를 통한 광에너지의 투과에 있어서 추가의 개선은 전술한 바와 같이 투명 도전성 산화물층과의 조합으로 광학 튜닝층의 원리를 사용함으로써 실현될 수 있다. 이와 같은 특성을 갖춘 윈도우(110)가 제4도에 단면도로서 예시되어 있다. 윈도우(110)는 유리 기판(12), 투명 광학 튜닝층(61), 투명 도전성 산화물층(20), 일렉트로크로믹 전극층(30), 이온 도전층(41), 대향 전극층 (50), 투명 도전성 산화물층(22), 투명 광학 튜닝층(62), 적층판 층(laminate layer)(70), 투명 유리 상판(14)으로 구성되어 있다. 각각의 층(12, 20, 30, 50, 14)은 일렉트로크로믹 전극층(30)과 유보된 대향 전극층(50)의 위치와 함께 전술한 실시예의 윈도우(100)와 동일하며, 이에 따라 층들은 제1도에 나타낸 방향에 있다. 이 실시예에서는 도전성 금속층(21)과 광학 튜닝층(60)은 동일한 투명 도전성 산화물 층(20)으로 형성되거나 또는 형성되지 않을 수도 있는 투명 도전성 산화물층 (22)과 적절한 광학 튜닝층(62)으로 대체되고 있다. 또한, 광학 튜닝층(61)은 윈도우(110)를 통해 광투과율을 개선하기 위해, 특히 파장의 함수로서 광투과율의 균일성을 개선하기 위해 삽입되고 있다.
적절한 광학 튜닝층(61, 62)의 선택은 굴절율 = n + ik의 등식과 관련하여 만들어지고, 여기서 n은 굴절율의 실수 성분이고, i는 -1의 제곱근이며, k는 흡수와 관련된 굴절율의 허수 성분이다. 광학 튜닝 효과를 최적화하기 위해 광학 튜닝 층(61, 62)이 선택되고, 이에 따라 층들은 가시선에 대해 투명하고(즉, 굴절율의 허수 성분인 k는 거의 제로와 등가이므로 적은 흡수만 있다), 이들 층의 굴절율의 실수 성분인 n은 이들 광학 튜닝층의 어느 측에서 층의 굴절율의 기하학적 평균과 동일하다. 따라서 광학 튜닝층(61)은 유리 기판(12)의 굴절율과 투명 도전성 산화물층(20)의 굴절율의 기하학적 평균과 동일한 굴절율을 갖는 투명한 재료로 형성되는 것이 바람직하다. 이와 유사하게, 광학 튜닝층(62)은 도전성 산화물층(22)과 적층판 층(70)의 굴절율의 기하학적 평균과 동일한 굴절율을 갖는 투명한 재료로 형성되는 것이 바람직하다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이 "기하학적 평균"은 2개의 굴절율의 수학적 곱의 제곱근을 칭한다.
적절한 광학 튜닝은 입사광의 광학 파장의 1/4와 동일한 것이 바람직한 광학 튜닝층(61, 62)의 두께의 함수이다. 층을 통과하는 광학 파장은 광이 통과하는 즉, 층(61, 62)을 통해 매체의 굴절율에 의한 해당 광의 파장을 분할함으로써 결정된다. 파장이 약 400-650 nm 사이인 가시광에 대해 광학 파장의 유용한 근사는 광학 튜닝층의 굴절율에 의한 540 nm의 파장을 분할함으로써 만들어질 수 있다. 광학 튜닝층의 두께는 광학 파장을 4개로 분할함으로써 결정될 수 있다. 투명 도전성 산화물층(20, 22)과 조합하여 사용되는 광학 튜닝층은 두께가 약 60 nm와 약 90 nm 사이인 것이 바람직하다.
전술한 예와 같이, 이하에서는 광학 튜닝층(61)의 두께와 굴절율을 선택하기 위한 방법을 설명할 것이다. 먼저, 1.5[유리 기판(12)의 굴절율]와 2.1[투명 도전성 산화물층(20)의 굴절율]을 곱하고 그 제곱근을 취함으로써 원하는 굴절율을 결정한다. 이 계산은 1.77의 굴절율을 얻는다. 다음에 광학 튜닝층(61)의 두께는 약 300 nm의 광학 파장을 산출하기 위해 540 nm를 1.77로 나눔으로써 결정된다. 광학 튜닝층(61)의 두께는 이 값(300 nm)의 1/4, 즉 약 75 nm가 바람직하다. 광학 튜닝 층(62)에 대한 계산은 동일한 방법으로 수행된다.
본 발명의 개별적인 광학 튜닝층을 형성하는 바람직한 재료는 투명 산화물, 투명 질화물 및 이 투명 산화물과 투명 질화물의 조합물을 포함하고 있다. 특히 실리콘과 주석의 산화물의 혼합물이 바람직하다. 이들 혼합물에 있어서 실리콘-주석비율은 굴절율을 저하시키는 높은 실리콘-주석 비율과 굴절율을 증가시키는 낮은 실리콘-주석 비율로 굴절율을 결정한다. 광학 튜닝층에 사용될 수 있는 다른 재료로는 발명자가 Gordon인 미국 특허 제4,187,336호와 제4,308,316호에 개시되어 있고, 이들 특허에 개시된 설명은 본 명세서에 인용되고 있다. 광학 튜닝층(61, 62)의 적절한 선택은 튜닝층(61)의 경우에 도전성 산화물층(20)과 기판(12) 사이의 인터페이스 및 튜닝층(62)의 경우에는 도전성 산화물층(22)과 적층판 층(70) 사이의 인터페이스에서 광학 간섭을 최소화시키게 된다.
적층판 층(70)은 유리 상판(14)을 광학 튜닝층(62)에 접착시키기 위한 접착 층이다. 따라서 그 적층판 층(70)은 윈도우(110)의 광투과율을 저하시키지 않으며, 적층판 층(70)은 유리 상판(14)의 굴절율과 실질적으로 동일한 굴절율을 갖도록 선택되는 것이 바람직하며, 이것에 의해 이들 층 사이의 임의의 간섭 효과도 최소화하고 있다. 이와 관련해서 에틸렌 비닐 아세테이트와 폴리비닐부티랄이 적층판층 (70)에 대한 접착제로서 특히 적절하다.
윈도우(110)의 일렉트로크로믹 구조물은 광학 튜닝의 원리가 이온 도전층 (41)에 적용되고 있다는 점에서 윈도우(100)와 종래 기술의 일렉트로크로믹 디바이스의 구조물과 더욱 구분된다. 이 경우에 있어서 이온 도전층(41)과 인접한 일렉트로크로믹 전극층(30)과 대향 전극층(50)간의 인터페이스에서의 광학 간섭은 일렉트로크로믹 전극층(30)과 대향 전극층(50)의 굴절율과 거의 동일한 굴절율을 갖는 투명 재료로 이온 도전층(41)을 형성함으로써 실질적으로 제거될 수 있다. 일렉트로크로믹 전극층(30), 이온 도전층(41) 및 대향 전극층(50)의 굴질율은 원하는 결과를 얻기 위해 보다 높거나 낮은 굴절율을 갖는 재료로 이들 층을 형성하는 재료를 혼합함으로써 조정될 수도 있다. 예를 들어 리튬 실리케이트와 이 리튬 실리케이트 및 티타늄 또는 지르코늄의 혼합물에 의해 제공되는 굴절율보다 높은 굴절율을 갖는 이온 도전층(41)을 제공하는 것이 바람직하다. 이들 3개의 모든 층의 굴절율이 거의 동일할 때 이들 인터페이스에서의 간섭은 실질적으로 제거될 것이고 광투과율이 최대가 될 것이다.
상당히 바람직한 실시예에서 일렉트로크로믹 전극층(30), 이온 도전층(41) 및 대향 전극층(50)의 굴절율은 도전성 산화물층(20, 22)의 굴절율과 실질적으로 동일해지도록 조정된다. 더욱이 상술한 광학 튜닝 공정의 보상 특성 때문에 층 (22~20)의 두께는 광학 간섭과 관련해서 더 이상 중요하지는 않게 되며, 이것에 의해 이들 층이 형성되는 동안 상당히 넓은 두께의 허용 한계를 제공하게 된다.
제5도는 유리 기판(12)이 1.5의 굴절율을, 광학 튜닝층(61)이 1.77의 굴절율과 75 nm의 두께를, 투명 도전성 산화물층(20)이 2.1의 굴절율과 450 nm의 두께를, 일렉트로크로믹 전극층(30)이 2.1의 굴절율과 300 nm의 두께를, 이온 도전층(41)이 2.0의 굴절율과 200 nm의 두께를, 대향 전극층(50)이 2.0의 굴절율과 200 nm의 두께를, 투명 도전성 산화물층(22)이 2.1의 굴절율과 450 nm의 두께를, 광학 튜닝층 (62)이 1.77의 굴절율과 75 nm의 두께를, 적층판 층(70)이 1.5의 굴절율을, 유리 상판(14)이 1.5의 굴절율을 갖는 표백된 상태에서 윈도우(110)에 대한 파장의 함수로서의 광에너지의 투과율을 나타내고 있다. 제5도로부터 명확한 바와 같이, 전술한 특성에 의하여 광투과율에 관해 양호한 균일성을 나타내는 윈도우(110)를 제조할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 윈도우(120)가 제6도에 개략적으로 도시되어 있다. 윈도우(120)는 광학 튜닝층(61)을 한 쌍의 광학 튜닝층(63, 64)으로 대체하고, 광학 튜닝층(62)이 제거된 점을 제외하면 전술한 실시예의 윈도우(110)와 실질적으로 동일하다. 2개의 장학 튜닝층(63, 64)의 사용에 의해서도 하나의 광학 튜닝 층의 사용을 통한 이점을 제공하고 있다. 제1 이점은 2개의 광학 튜닝층은 보다 효과적인 광학 튜닝이 하나의 광학 튜닝층을 위해 필요한 두께 이하인 조합된 튜닝층 두께로 얻어질 수 있는 기회를 제공한다는 점이다. 2개의 광학 튜닝층의 사용에 따른 또 다른 이점은 각 층이 하나의 광학 튜닝층으로부터 형성될 수 있는 것 보다 더 간단한 재료로 형성될 수 있으며, 이것에 의해 상기 하나의 층을 형성하기 위해 필요한 복잡한 화학 작용을 피할 수 있다. 광학 튜닝을 위해 2개의 층을 사용하는 기술은 발명자가 Gordon인 미국 특허 제4,377,613호와 제4,419,386호에 개시되어 있고, 이 특허에 개시된 내용은 본 명세서에 인용되고 있다.
2개의 광학 튜닝층(63, 64)이 서로 인접하게 이용되는 경우 광학 튜닝은 굴절율이 층(20)의 굴절율 보다 상당히 작은 광학 튜닝층(64)을 선택하고 광학 튜닝층(64)의 굴절율 보다 굴절율이 큰 광학 튜닝층(63)을 선택함으로써 달성될 수도 있고, 투명 도전성 산화물층(20)의 굴절율과 실질적으로 유사한 것이 가장 바람직하다. 이와 같은 조합에서 여러 인터페이스간의 간섭은 실질적으로 상쇄되고 여러 층을 통과하는 투과율은 층(63, 64)이 적절한 두께를 갖는 경우에 최대가 될 것이다. 층(64)은 굴절율이 약 1.4 내지 1.7 사이일 것이고, 층(63, 64)은 약 30 nm 내지 약 70 nm 사이의 조합된 두께를 갖는 것이 바람직하며, 층(64)은 층(63) 보다 두께가 두꺼울 것이다.
제7도는 파장의 함수로서 표백된 상태에서 윈도우(120)를 통과하는 광투과율을 나타내고 있으며, 이 경우 유리 기판(12)은 1.5의 굴절율을, 광학 튜닝층(63)은 2.1의 굴절율과 20 nm의 두께를, 광학 튜닝층(64)은 1.5의 굴절율과 29 nm의 두께를, 투명 도전성 산화물층(20)은 2.1의 굴절율과 450 nm의 두께를, 일렉트로크로믹 전극층(30)은 2.1의 굴절율과 300 nm의 두께를, 이온 도전층(41)은 2.0의 굴절율과 200 nm의 두께를, 대향 전극층(50)은 2.0의 굴절율과 200 nm의 두께를, 투명 도전성 산화물층(22)은 2.1의 굴절율과 450 nm의 두께를, 적층판 층(70)은 1.5의 굴절율을, 유리 상판(14)은 1.5의 굴절율을 갖는다. 이와 같은 구성으로부터 알 수 있는 바와 같이, 윈도우(120)를 통과하는 광학 투과율은 광학 튜닝층이 없이 형성된 윈도우(윈도우(10)와 같은)를 통과하는 것보다는 더 균일하지만, 윈도우(110)를 통과하는 것보다는 덜 균일하다. 이러한 열등한 수행에 대한 주 이유는 디바이스의 이면 단부에서 도전성 산화물층(22)과 적층판 층(70)의 사이에 광학 튜닝층이 존재하지 않기 때문이다.
윈도우(120)의 광학 투과 특성의 개선은 일렉트로크로믹 전극층(30), 이온 도전층(41) 및 대향 전극층(50)의 굴절율을 조정함으로써 달성될 수 있고, 이에 따라 굴절율은 투명 도전성 산화물층(20, 22)의 굴절율과 서로 유사하다.
윈도우(120)의 광학 투과 특성의 추가적인 약간의 개선은 적층판 층(70)의 굴절율을 최적화함으로써 달성될 수 있다. 이것은 투명 도전성 산화물층(22)과 유리 상판(14)의 굴절율의 기하학적 평균인 굴절율을 갖는 적층판층(70)을 사용함으로써 달성될 수 있다. 적층판 층(70)은 유리 상판(14)을 투명 도전성 산화물층(22)에 접착시키도록 하기 때문에 이 층의 두께를 변화시킬 수 있는 기회는 거의 없다.
투명 도전성 산화물층(20)을 광학 튜닝하는 상기 방법 보다는 오히려, 이 층은 2 개 이상의 광학적 튜닝층을 사용함으로써 광학적으로 튜닝될 수 있고, 그에 따라서 여러 층의 굴절율은 기판(12)의 굴절율로부터 투명 도전성 산화물층(20)의 굴절율로 점차적으로 증가한다. 이에 관해서 윈도우(120)의 층(63, 64)은 굴절율을 단조 함수적으로 증가시키는 2개 이상의 층에 의해 대체될 수도 있다. 예를 들어 1.5의 굴절율을 갖는 유리 기판(12)과 1.9의 굴절율을 갖는 투명 도전성 산화물층 (20)을 포함하는 디바이스에 대해서, 광학 튜닝층(63)은 굴절율이 약 (1.52x 1.9)1/3또는 1.62인 것이 바람직하고, 광학 튜닝층(64)은 굴절율이 약 (1.5 x 1.92)1/3또는 1.76인의 것이 바람직하다. 광학 튜닝층(63, 64)의 두께는 최대 투과율을 얻기 위해 광학 모델링에 의해 결정되는 바와 같이 각각 약 60 nm와 53 nm가 바람직하다. 바람직한 경우 일련의 2개 이상의 인접한 광학 튜닝층은 광학 튜닝 효과를 더욱 증가시키기 위해 사용될 수도 있다.
전술한 윈도우(110) 또는 윈도우(120)의 구조를 갖는 본 발명의 실시예에 대해서는 투명 도전성 산화물층(20, 22)과, 일렉트로크로믹 전극층(30), 이온 도전층 (41) 및 대향 전극층(50) 모두가 굴절율이 거의 동일한 것이 바람직하다. 이와 같은 경우일 때 이들 층의 두께는 상당히 미미한 것이고, 최적의 광학 튜닝이 얻어지며, 즉 이들 윈도우는 최소의 무지개 빛깔을 나타내게 된다. 그러나 만약 이들 층에 대한 굴절율에 있어서 실질적으로 서로 매칭되지 않는 경우에는, 일부 광학 튜닝은 여전히 상기 층의 두께를 조정함으로써 달성될 수도 있다. 설명을 위해 윈도우(120)의 각 층은 이온 도전층(41)의 굴절율이 1.5인 것을 제외하면 제7도와 관련해서 전술한 바와 같은 두께와 굴절율을 가질 수도 있다. 이러한 시나리오에서 무지개 빛깔을 최소화하기 위해 이온 도전층(41)의 두께는 윈도우를 통과하는 최대 투과율을 얻기 위해 광학적 모델링에 의해 결정된 바와 같이 약 130 nm와 160 nm 사이로 저감되어야 한다.
본 발명의 추가적인 실시예에 따른 윈도우(130)가 제8도에 단면도로서 개략적으로 도시되어 있다. 윈도우(130)는 투명 도전성 산화물층(22)이 도전성 금속층 (21)과 광학 튜닝층(64)으로 대체된 점을 제외하면 전술한 윈도우(120)와 유사하다. 층(21, 64)은 상기 윈도우(100)의 층(21, 60)과 실질적으로 유사하고, 광학적으로 튜닝되어 광학 투명 일렉트로크로믹 윈도우를 제공하기 위해 윈도우(120)와 동일한 방법으로 다른 층과 함께 동작한다.
제9도는 윈도우(130)의 층이 윈도우(120)와 관련해서 전술한 바와 같이 동일한 굴절율과 두께를 갖는 윈도우(130)의 표백된 상태에서 파장의 함수로서 광투과율을 나타내고 있으며, 도전성 금속층(21)은 두께가 10 nm인 은이고, 광학 튜닝층 (64)은 굴절율이 2.5이고 두께가 30 nm인 투명한 산화물이다. 동 도면으로부터 알수 있는 바와 같이 윈도우(130)의 구조는 파장과 관련해 양호한 광투과율의 균일성을 제공한다. 더욱이, 제7도와 제9도의 비교는 도전성 금속층을 내장한 윈도우가도전성 금속층 보다는 오히려 투명 도전성 산화물층을 이용하는 윈도우를 통과하는 광투과율과 유사한 광투과율을 나타낼 수 있음을 보여주고 있다.
본 발명에 따른 윈도우(140)의 또 다른 실시예가 제10도에 개략적으로 나타나 있다. 윈도우(140)는 도전성 금속층(21)과 대향 전극층(50)의 사이에 중간층 (22)이 추가된 점을 제외하면 전술한 윈도우(130)와 실질적으로 동일하다. 일 실시예에 있어서 중간층(22)은 투명한 전기 도전성 산화물로 형성되고, 표백 및 채색 상태간의 스위칭 시간을 개선하게 될 보다 낮은 전체적인 시트 저항을 갖는 적층판을 제공하기 위해 도전성 금속층(21)과 조합되고 있다. 따라서 이 개선된 스위칭은 도전성 금속층(21)의 두께가 실질적으로 증가한다면 발생할 수도 있는 디바이스의 광학 특성을 열화시키는 일이 없이 달성될 수 있다. 더욱이, 투명한 전기 도전성 산화물층(22)은 대향 전극층(50)과 도전성 금속층(21)의 사이의 원하지 않는 확산을 방지하는 확산 장벽의 역할을 한다.
또 다른 실시예에서 중간층(22)은 두께가 약 2nm 이하인 금속층의 형태일 수도 있다. 이 실시예에서 금속층은 통상 투명한 전기 도전성 산화물로 형성되는 층과 동일한 기능중 하나의 기능을 제공하고, 대향 전극층(50)과 도전성 금속층(21)간의 원하지 않는 확산을 방지한다. 층(22)을 형성하는 바람직한 금속은 상당히 안정적이거나 또는 불활성인 금속을 포함하고 있다. 이러한 점에서 특히 바람직한 금속은 니켈이다. 중간층(22)을 형성하는 재료에 상관없이 광학 튜닝층(64)은 약 10nm 내지 50nm 사이의 두께와 1.9 이상의 굴절율을 갖는 것이 바람직하다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 윈도우(150)는 제11도에 개략적으로 나타나 있다. 윈도우(150)는 투명 산화물층(20)과 광학 튜닝층(63, 64)이 각각 도전성 금속층(23)과 광학 튜닝층(65)으로 대체한 점을 제외하면 윈도우(130)와 실질적으로 동일하고, 이것에 의해 층(30, 41, 50)의 조합 두께에 제약을 두고 있다. 본 실시예에서는 층(30, 41, 50)은 유사한 굴절율을 가지며 조합된 이들 층의 두께는 가능한 얇은 것이 바람직하고, 약 400 nm와 650 nm 사이의 선택된 파장에서 최대 투과율의 억제를 필요로 한다. 예를 들어 만약 각각의 층(30, 41, 50)이 약 2.2의 굴절율을 갖는다면 그들의 조합 두께는 최대의 광투과율을 얻기 위해 광학적 모델링에 의해 결정된 바와 같이 약 50 nm 또는 약 300 nm가 바람직할 것이다. 이 실시예에서 도전성 금속층(23)은 도전성 금속층(21)과 유사하고 광학 튜닝층(65)은 광학 튜닝층(64)과 유사하다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 윈도우(130, 140, 150)의 도시 생략된 광학 튜닝층(64)은 전기 도전성 투명 산화물로 형성될 수도 있다. 이 경우에 이들 디바이스는 도전성 금속층(21)으로 보다는 오히려 층(64)으로 배선(6, 8)을 연결함으로써 간단하게 제조될 수 있고, 이것에 의해 이와 상이한 경우에 요구될 수도 있는 마스킹 단계 또는 에칭 단계를 피할 수 있다.
전술한 바와 같이 본 발명의 일렉트로크로믹 디바이스는 유리 기판(12)과 같은 기판상에 통상 조립된다. 이 기판은 제조 및 사용 중에 이들 디바이스의 박막층을 지지해줄 뿐만 아니라 분위기에 노출되어 층이 손상되는 것을 방지한다. 유리 상판(14)과 같은 상판은 추가적인 지지와 보호를 제공한다. 본 발명의 각각의 실시예가 유리로 제작된 기판과 상판과 관련하여 개시되고 있지만, 다른 기판과 상판재료가 사용될 수도 있으며, 이들 재료로는 투명한 세라믹 재료와 경질 및 가소성의 투명 플라스틱을 포함하고 있다. 이와 관련해서 제11도에 나타낸 실시예는 도전성 금속층(23)이 비교적 저온에서 응용될 수 있기 때문에 플라스틱 기판에 특히 적절하다. 더욱이 일렉트로크로믹 디바이스는 초기에 플라스틱 기판상에 형성될 수도 있고 다음에 전체 어셈블리는 윈도우와 다른 상기 구조물에 응용될 것으로 기대된다.
더욱이 상기한 본 발명의 실시예는 세라믹 재료로 형성된 이온 도전층을 사용하면서 기판(12)으로부터 상판(14)으로의 연속적인 층의 증착을 기대할 수 있다. 그러나 광학적으로 튜닝된 디바이스는 이후 이온 도전층의 역할을 하게 될 중합체 시트의 반대측으로 2개의 "절반(one-half)"구조를 조립함으로써 형성될 수도 있음을 인식하게 될 것이다. 예를 들어 윈도우(110)는 기판(12)상에 층(61, 20, 30)을, 상판(14)상에 층(62, 22, 50)을 형성하고(층(70)은 이 배열에는 더 이상 필요하지 않을 것이다), 이온 도전층의 주변에 이들 2부분을 삽입하고, 이온 도전층(41)으로서 동작하게 될 중합체 시트를 전기적으로 절연시킴으로써 제조될 수 있다.
지금까지 본 발명을 특정 실시예에 관련하여 설명하였지만, 이들 실시예는 단지 본 발명의 원리와 이해를 돕기 위한 것임을 인식해야한다. 따라서 당업자라면 전술한 실시예 및 첨부된 특허 청구의 범위에 개시된 본 발명의 기술적 사상 및 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 변경 및 다른 구성이 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
본 발명의 일렉트로크로믹 디바이스는 종래에 공지된 디바이스의 광투과율 보다 우수한 넓은 표면 영역에 걸쳐 광투과율을 제공하면서 폭넓은 상업적 용도로 이용할 수 있다.
Claims (36)
- 일렉트로크로믹 재료로 형성된 전극(30), 대향 전극(50) 및 상기 전극과 상기 대향 전극 사이에 이온을 전송하는 전송 수단(41)을 포함하는 일렉트로크로믹 구조물과;상기 일렉트로크로믹 구조물의 양단에 전위를 인가하기 위해 2개의 전기 도전층 사이에 상기 일렉트로크로믹 구조물이 삽입되는 적어도 2개의 전기 도전층 (20, 22)을 포함하는 도전 수단과;상기 전기 도전층 중 적어도 하나의 층을 통해 방사선의 투과율을 증가시키는 증가 수단(61)을 구비하고,상기 일렉트로크로믹 재료는 제1 굴절율을, 상기 대향 전극은 제2 굴절율을, 상기 전송 수단은 제3 굴절율을 가지며, 상기 제1, 제2 및 제3 굴절율은 동일한 것인 일렉트로크로믹 디바이스.
- 제1항에 있어서, 상기 일렉트로크로믹 재료는 텅스텐 산화물, 니오브 산화물, 티타늄 산화물, 몰리브덴 산화물, 니켈 산화물, 이리듐 산화물 및 이들의 혼합물로 구성되는 군으로부터 선택되는 것인 일렉트로크로믹 디바이스.
- 제1항에 있어서, 상기 대향 전극은 바나듐 산화물, 니오브 산화물, 인듐 산화물, 니켈 산화물, 코발트 산화물, 몰리브덴 산화물 및 이들의 혼합물로 구성되는군으로부터 선택된 재료로 형성되는 것인 일렉트로크로믹 디바이스.
- 제1항에 있어서, 상기 전송 수단은 상기 전극과 상기 대향 전극 사이에 삽입된 이온 도전 재료로 형성되는 적어도 하나의 층을 포함하고, 상기 이온 도전 재료는 리튬을 주성분으로 한 리튬 이온 도전성의 세라믹 재료인 것인 일렉트로크로믹 디바이스.
- 제1항에 있어서, 상기 전송 수단은 상기 전극과 상기 대향 전극 사이에 삽입되는 이온 도전성 재료로 형성된 적어도 하나의 층을 포함하고, 상기 이온 도전성 재료는 수소 이온 도전성 재료인 것인 일렉트로크로믹 디바이스.
- 제1항에 있어서, 상기 전송 수단은 상기 전극과 상기 대향 전극 사이에 삽입되는 이온 도전성 재료로 형성된 적어도 하나의 층을 포함하고, 상기 이온 도전성 재료는 중합체인 것인 일렉트로크로믹 디바이스.
- 제1항에 있어서, 상기 증가 수단은 적어도 하나의 전기 도전층을 통해 방사선의 투과율을 증가시키는 광학 투명 재료의 적어도 하나의 층(61)과, 상기 전기 도전층 중 다른 하나의 전기 도전층을 통해 방사선의 투과율을 증가시키는 광학 투명 재료의 적어도 하나의 다른 층(62)을 포함하는 것인 일렉트로크로믹 디바이스.
- 일렉트로크로믹 재료로 형성된 전극(30), 대향 전극(50) 및 상기 전극과 상기 대향 전극 사이에 이온을 전송하는 전송 수단(41)을 포함하는 일렉트로크로믹 구조물과,상기 일렉트로크로믹 구조물의 양단에 전위를 인가하기 위해 2개의 전기 도전층 사이에 상기 일렉트로크로믹 구조물이 삽입되는 적어도 2개의 전기 도전층 (20, 22)을 포함하는 도전 수단과,기판(12)과,상기 기판과 상기 전기 도전층 중 적어도 하나의 층 사이에 배치된 광학 투명 재료의 적어도 하나의 층을 포함하고, 상기 적어도 하나의 전기 도전층을 통해 방사선의 투과율을 증가시키는 증가 수단(61)을 구비하고,상기 기판은 제1 굴절율을, 상기 적어도 하나의 전기 도전층은 제2 굴절율을, 상기 적어도 한 층의 광학 투명 재료는 상기 제1 굴절율과 제2 굴절율 사이의 제3 굴절율을 갖는 것인 일렉트로크로믹 디바이스.
- 제8항에 있어서, 상기 제3 굴절율은 상기 제1 굴절율과 제2 굴절율의 수학적 곱의 제곱근과 동일한 것인 일렉트로크로믹 디바이스.
- 제8항에 있어서, 상기 광학 투명 재료의 적어도 하나의 층은 두께가 60 nm 내지 90 nm 사이인 것인 일렉트로크로믹 디바이스.
- 제8항에 있어서, 상기 광학 투명 재료의 적어도 한층은 두께가 상기 제3 굴절율에 반비례하는 것인 일렉트로크로믹 디바이스.
- 제8항에 있어서, 상기 증가 수단은 상기 전기 도전층 중 다른 하나의 전기 도전층을 통해 방사선의 투과율을 증가시키는 광학 투명 재료의 적어도 하나의 다른 층(62)을 더 포함하는 것인 일렉트로크로믹 디바이스.
- 일렉트로크로믹 재료로 형성된 전극(30), 대향 전극(50) 및 상기 전극과 상기 대향 전극 사이에 이온을 전송하는 전송 수단(41)을 포함하는 일렉트로크로믹 구조물과,상기 일렉트로크로믹 구조물의 양단에 전위를 인가하기 위해 2개의 전기 도전층 사이에 상기 일렉트로크로믹 구조물이 삽입되는 적어도 2개의 전기 도전층 (20, 22)을 포함하는 도전 수단과,기판(12)과,상기 적어도 하나의 전기 도전층을 통해 방사선의 투과율을 증가시키는 증가 수단을 구비하고,상기 증가 수단은 상기 기판과 상기 적어도 하나의 전기 도전층 사이에 배치된 제1 광학 투명층(64)으로 시작하고 상기 기판과 상기 제1 광학 투명층 사이에 배치된 n번째의 광학 투명층(63)으로 끝나는 일련의 광학 투명층을 포함하며, 상기 적어도 하나의 전기 도전층은 제1 굴절율을, 상기 기판은 상기 제1 굴절율 이하의제2 굴절율을, 상기 제1 광학 투명층은 상기 제1 굴절율 이하의 제3 굴절율을, 상기 n번째의 광학 투명층은 상기 제2 굴절율 이상의 제4 굴절율을 가지며, 상기 일련의 광학 투명층의 각 층의 굴절율은 상기 제 3 굴절율로부터 상기 제4 굴절율로 단조 함수적으로 감소하는 것인 일렉트로크로믹 디바이스.
- 제13항에 있어서, 상기 증가 수단은 상기 전기 도전층 중 다른 하나의 전기 도전층을 통해 방사선의 투과율을 증가시키는 적어도 하나의 다른 층(64)의 광학 투명 재료를 더 포함하는 것인 일렉트로크로믹 디바이스.
- 일렉트로크로믹 재료로 형성된 전극(30), 대향 전극(50) 및 상기 전극과 상기 대향 전극 사이에 이온을 전송하는 전송 수단(41)을 포함하는 일렉트로크로믹 구조물과,상기 일렉트로크로믹 구조물의 양단에 전위를 인가하기 위해 2개의 전기 도전층 사이에 상기 일렉트로크로믹 구조물이 삽입되는 적어도 2개의 전기 도전층 (20, 22)을 포함하는 도전 수단과,상기 적어도 하나의 전기 도전층을 통해 방사선의 투과율을 증가시키는 증가 수단을 구비하고,상기 증가 수단은 2개의 광학 투명층(63, 64)을 포함하고,상기 광학 투명층 중 하나의 층은 상기 적어도 하나의 전기 도전층과 가장 인접해 있고 상기 광학 투명층 중 다른 하나의 층은 상기 적어도 하나의 전기 도전층으로부터 멀리 떨어져 있으며,상기 적어도 하나의 전기 도전층은 제1 굴절율을, 상기 하나의 광학 투명층은 상기 제1 굴절율 이하의 굴절율을, 상기 다른 하나의 광학 투명층은 상기 하나의 광학 투명층의 굴절율 이상의 굴절율을 갖는 것인 일렉트로크로믹 디바이스.
- 제15항에 있어서, 상기 광학 투명층 중 하나의 층은 굴절율이 1.4 내지 1.7사이이고, 상기 광학 투명층 중 다른 하나의 층은 굴절율이 상기 제1 굴절율과 동일하거나 그 이상인 것인 일렉트로크로믹 디바이스.
- 제15항에 있어서, 상기 2개의 광학 투명층은 30 nm 내지 70 nm 사이의 조합된 두께를 갖는 것인 일렉트로크로믹 디바이스.
- 제15항에 있어서, 상기 증가 수단은 상기 전기 도전층 중 다른 하나의 전기 도전층을 통해 방사선의 투과율을 증가시키는 광학 투명 재료의 적어도 하나의 다른 층(64)을 더 포함하는 것인 일렉트로크로믹 디바이스.
- 일렉트로크로믹 재료로 형성된 전극(30), 대향 전극(50) 및 상기 전극과 상기 대향 전극 사이에 이온을 전송하는 전송 수단(41)을 포함하는 일렉트로크로믹 구조물과,상기 일렉트로크로믹 구조물의 양단에 전위를 인가하기 위해 2개의 전기 도전층 사이에 상기 일렉트로크로믹 구조물이 삽입되는 적어도 2개의 전기 도전층 (20, 22)을 포함하며, 적어도 하나의 상기 전기 도전층은 전기 도전성 산화물층을 포함하는 도전 수단과,상기 전기 도전성 산화물층을 통해 방사선의 투파율을 증가시키는 증가 수단 (61)을 구비하고,상기 일렉트로크로믹 재료는 제1 굴절율을, 상기 대향 전극은 제2 굴절율을, 상기 전송 수단은 제3 굴절율을, 상기 전기 도전성 산화물층은 제4 굴절율을 가지며, 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 굴절율은 동일한 것인 일렉트로크로믹 디바이스.
- 제19항에 있어서, 상기 증가 수단은 상기 전기 도전성 산화물층을 통해 방사선의 투과율을 증가시키는 광학 투명 재료의 적어도 하나의 층(61)과, 상기 전기 도전층 중 다른 하나의 전기 도전층을 통해 방사선의 투과율을 증가시키는 광학 투명 재료의 적어도 하나의 다른 층(62)을 포함하는 것인 일렉트로크로믹 디바이스.
- 일렉트로크로믹 재료로 형성된 전극(30), 대향 전극(50) 및 상기 전극과 상기 대향 전극 사이에 이온을 전송하는 전송 수단(41)을 포함하는 일렉트로크로믹 구조물과,상기 일렉트로크로믹 구조물의 양단에 전위를 인가하기 위해 2개의 전기 도전층 사이에 상기 일렉트로크로믹 구조물이 삽입되는 적어도 2개의 전기 도전층 (20, 22)을 포함하는 도전 수단과,상기 일렉트로크로믹 구조물과 상기 전기 도전층이 삽입될 수 있도록 함께 협력하는 투명 기판 및 투명 상판과,상기 전기 도전층을 통해 방사선의 투과율을 증가시키는 증가 수단을 구비하고,상기 증가 수단은 상기 기판과 상기 전기 도전층 중 하나의 층 사이에 삽입된 적어도 하나의 광학 투명층과 상기 상판과 상기 다른 전기 도전층 사이에 삽입된 적어도 하나의 다른 광학 투명층을 포함하는 것인 일렉트로크로믹 디바이스.
- 투명 기판(12)과 상기 투명 기판상에 배치된 일렉트로크로믹 디바이스를 포함하고,상기 일렉트로크로믹 디바이스는, 일렉트로크로믹 재료로 형성된 전극(30), 대향 전극(50) 및 상기 전극과 상기 대향 전극 사이에 이온을 전송하는 전송 수단 (41)을 포함하는 일렉트로크로믹 구조물과,상기 일렉트로크로믹 구조물의 양단에 전위를 인가하기 위해 2개의 전기 도전층 사이에 상기 일렉트로크로믹 구조물이 삽입되는 적어도 2개의 전기 도전층 (20, 22)을 포함하는 도전 수단과,상기 전기 도전층 중 적어도 하나의 층을 통해 방사선의 투과율을 증가시키는 증가 수단(61)을 구비하고,상기 일렉트로크로믹 재료는 제1 굴절율을, 상기 대향 전극은 제2 굴절율을, 상기 전송 수단은 제3 굴절율을 가지며, 상기 제1, 제2 및 제3 굴절율은 동일한 것인 일렉트로크로믹 조합체.
- 제22항에 있어서, 상기 증가 수단은 상기 적어도 하나의 전기 도전층을 통해 방사선의 투과율을 증가시키기 위해 상기 일렉트로크로믹 디바이스와 상기 투명 기판 사이에 배치된 광학 투명 재료의 적어도 하나의 층(61)과, 상기 전기 도전층의 다른 하나의 전기 도전층을 통해 방사선의 투과율을 증가시키는 광학 투명 재료의 적어도 하나의 다른 층(62)을 포함하는 것인 일렉트로크로믹 조합체.
- 제22항에 있어서, 투명 상판(14)을 더 포함하고, 상기 일렉트로크로믹 디바이스는 상기 투명 기판과 상기 투명 상판 사이에 삽입되는 것인 일렉트로크로믹 조합체.
- 제24항에 있어서, 상기 증가 수단은 상기 적어도 하나의 전기 도전층을 통해 방사선의 투과율을 증가시키기 위해 상기 일렉트로크로믹 디바이스와 상기 투명 기판 사이에 배치된 광학 투명 재료의 적어도 하나의 층(61)과, 상기 전기 도전층의 다른 하나의 전기 도전층을 통해 방사선의 투과율을 증가시키기 위해 상기 일렉트로크로믹 디바이스와 상기 투명 상판 사이에 배치된 광학 투명 재료의 적어도 하나의 다른 층(62)을 포함하는 것인 일렉트로크로믹 조합체.
- 제24항에 있어서, 상기 투명 상판을 상기 일렉트로크로믹 디바이스에 접착시키기 위한 접착 재료층(70)을 더 포함하는 것인 일렉트로크로믹 조합체.
- 제26항에 있어서, 상기 접착층은 굴절율이 1.4 내지 1.8 사이인 것을 특징으로 하는 일렉트로크로믹 조합체.
- 제26항에 있어서, 상기 투명 상판은 소정의 굴절율을 가지고 있고, 상기 접착층은 굴절율이 상기 투명 상판의 굴절율과 동일한 것을 특징으로 하는 일렉트로크로믹 조합체.
- 제26항에 있어서, 상기 전기 도전층 중 하나의 층은 전기 도전성 산화물층을 포함하고, 상기 접착층은 상기 전기 도전성 산화물층과 표면 접촉하는 것인 일렉트로크로믹 조합체.
- 제29항에 있어서, 상기 전기 도전성 산화물층은 하나의 굴절율을 가지고 있고, 상기 투명 상판은 다른 하나의 굴절율을 가지며, 상기 접착층은 굴절율이 상기 굴절율 중 하나의 굴절율과 다른 하나의 굴절율 사이인 것인 특징으로 하는 일렉트로크로믹 조합체.
- 투명 기판(12)과 상기 투명 기판상에 배치된 일렉트로크로믹 디바이스를 포함하고,상기 일렉트로크로믹 디바이스는, 일렉트로크로믹 재료로 형성된 전극(30), 대향 전극(50) 및 상기 전극과 상기 대향 전극 사이에 이온을 전송하는 전송 수단 (41)을 포함하는 일렉트로크로믹 구조물과,상기 일렉트로크로믹 구조물의 양단에 전위를 인가하기 위해 2개의 전기 도전층 사이에 상기 일렉트로크로믹 구조물이 삽입되는 적어도 2개의 전기 도전층 (20, 22)을 포함하며, 상기 일렉트로크로믹 구조물과 상기 기판 사이의 적어도 하나의 상기 전기 도전층은 금속층을 제외한 투명 도전성 산화물층을 포함하는 도전 수단과,상기 전기 도전층 중 적어도 하나의 층을 통해 방사선의 투과율을 증가시키는 증가 수단(61)을 구비하고,상기 증가 수단은 상기 기판과 상기 전기 도전층 중 적어도 하나의 층 사이에 삽입된 적어도 하나의 광학 투명층(61)을 포함하는 것인 일렉트로크로믹 조합체.
- 투명 기판(12)과 상기 투명 기판상에 배치된 일렉트로크로믹 디바이스를 포함하고,상기 일렉트로크로믹 디바이스는, 일렉트로크로믹 재료로 형성된 전극(30), 대향 전극(50) 및 상기 전극과 상기 대향 전극 사이에 이온을 전송하는 전송 수단 (41)을 포함하는 일렉트로크로믹 구조물과,상기 일렉트로크로믹 구조물의 양단에 전위를 인가하기 위해 2개의 전기 도전층 사이에 상기 일렉트로크로믹 구조물이 삽입되는 적어도 3개의 전기 도전층 (20, 22)을 포함하는 도전 수단과,상기 전기 도전층을 통해 방사선의 투과율을 증가시키는 증가 수단(61)을 구비하고,상기 증가 수단은 2개의 광학 투명층 사이에 상기 일렉트로크로믹 구조물과 상기 전기 도전층이 삽입되게 하는 적어도 2개의 광학 투명층(61, 62)을 포함하고, 상기 광학 투명층 중 하나의 층은 상기 기판과 상기 전기 도전층 사이에 삽입되는 것인 일렉트로크로믹 조합체.
- 제32항에 있어서, 상기 적어도 2개의 광학 투명층은 굴절율이 1.5 이상 인 것인 일렉트로크로믹 조합체.
- 투명 기판(12)과 상기 투명 기판상에 배치된 일렉트로크로믹 디바이스를 포함하고,상기 일렉트로크로믹 디바이스는, 일렉트로크로믹 재료로 형성된 전극(30), 대향 전극(50) 및 상기 전극과 상기 대향 전극 사이에 이온을 전송하는 전송 수단 (41)을 포함하는 일렉트로크로믹 구조물과,상기 일렉트로크로믹 구조물의 양단에 전위를 인가하기 위해 2개의 전기 도전층 사이에 상기 일렉트로크로믹 구조물이 삽입되는 적어도 2개의 전기 도전층 (20, 22)을 포함하며,상기 일렉트로크로믹 구조물과 상기 기판 사이의 상기 적어도 하나의 전기 도전층은 투명 산화물을 포함하는 도전 수단과,상기 전기 도전층 중 적어도 하나의 층을 통해 방사선의 투과율을 증가시키는 증가 수단을 구비하고,상기 증가 수단은 상기 투명 산화물과 표면 접촉하는 상기 전기 도전층의 적어도 하나의 층과 상기 기판 사이에 삽입되는 적어도 하나의 광학 투명층(61)을 포함하는 것인 일렉트로크로믹 조합체.
- 일렉트로크로믹 재료로 형성된 전극(30), 대향 전극(50) 및 상기 전극과 상기 대향 전극 사이에 이온을 전송하는 전송 수단(41)을 포함하는 일렉트로크로믹 구조물과,상기 일렉트로크로믹 구조물의 양단에 전위를 인가하기 위해 2개의 전기 도전층 사이에 상기 일렉트로크로믹 구조물이 삽입되는 적어도 2개의 전기 도전층 (20, 22)을 포함하는 도전 수단과,상기 전기 도전층을 통해 방사선의 투과율을 증가시키는 증가 수단(61)을 구비하고,상기 증가 수단은 2개의 광학 투명층 사이에 상기 일렉트로크로믹 구조물과 상기 전기 도전층이 삽입되게 하는 적어도 2개의 광학 투명층(61, 62)을 포함하고,상기 적어도 2개의 광학 투명층은 굴절율이 각각 1.5 이상인 것인 일렉트로크로믹 디바이스.
- 제21항에 있어서, 상기 일렉트로크로믹 구조물과 상기 기판 사이의 상기 전기 도전층 중 하나의 층은 투명 산화물을 포함하고, 상기 전기 도전층 중 하나의 층과 상기 기판 사이의 적어도 하나의 광학 투명층은 상기 투명 산화물과 표면 접촉하는 것인 일렉트로크로믹 디바이스.
Applications Claiming Priority (2)
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