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KR100382325B1 - 웨이퍼처리장치및그방법,웨이퍼반송장치,그리고반도체제조장치 - Google Patents

웨이퍼처리장치및그방법,웨이퍼반송장치,그리고반도체제조장치 Download PDF

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KR100382325B1
KR100382325B1 KR1019980003021A KR19980003021A KR100382325B1 KR 100382325 B1 KR100382325 B1 KR 100382325B1 KR 1019980003021 A KR1019980003021 A KR 1019980003021A KR 19980003021 A KR19980003021 A KR 19980003021A KR 100382325 B1 KR100382325 B1 KR 100382325B1
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processing
tank
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processing apparatus
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카즈타카 야나기타
키요후미 사카구찌
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캐논 가부시끼가이샤
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Abstract

홀더구동기구는 쥠부에 의해서 웨이퍼홀더를 유지하고, 웨이퍼처리조내에서 해당 웨이퍼홀더를 요동시킨다. 이때, 웨이퍼의 외주부가 요동지원부재의 말단부와 접촉하면, 웨이퍼는 회전함과 동시에, 웨이퍼홀더내에서 수직으로, 즉 상하로 이동한다. 따라서, 효율적으로 웨이퍼를 요동시키는 것이 가능하여, 처리를 균일화할 수 있다. 또, 초음파조로부터 초음파를 공급함으로써 처리속도를 높일 수도 있다.

Description

웨이퍼처리장치 및 그 방법, 웨이퍼반송장치, 그리고 반도체제조장치{WAFER PROCESSING APPARATUS AND METHOD, WAFER CONVEY APPARATUS, AND SEMICONDUCTOR FABRICATION APPARATUS}
본 발명은, 웨이퍼처리장치 및 그 방법, 웨이퍼반송로보트(즉, 웨이퍼반송장치), 그리고 반도체제조장치에 관한 것으로서, 특히, 웨이퍼를 처리액속에 침지해서(즉, 담가서)처리하는 웨이퍼처리장치 및 그 방법, 이 처리에 적합한 웨이퍼반송장치, 그리고 반도체 제조방법에 관한 것이다.
웨이퍼를 액속에 침지해서 행하는 처리의 대표예로서 습식에칭을 들 수 있다. 습식에칭에 있어서의 1개의 과제는, 면내의 균일성을 향상시키는 데 있다. 종래에는, 에칭액을 조(槽)내에서 순환시켜서 신선한 에칭액을 반응면에 공급함으로써 면내의 균일성을 확보하고 있었다.
또, 웨이퍼를 액속에 침지해서 행하는 다른 예로서, 웨이퍼세정처리를 들 수 있다. 일본국 특개평 8-293478호에는, 웨이퍼의 일부를 액속에 침지하고, 웨이퍼를 회전시키면서 초음파를 공급함으로써 웨이퍼의 세정효율을 높이는 웨이퍼세정장치가 개시되어 있다.
그러나, 상기 일본국 특개평 8-293478호에 개시된 웨이퍼세정장치는, 회전하고 있는 캠을 웨이퍼에 접촉시켜서 웨이퍼를 회전시키는 것이므로, 캠 및 그 부속기구에 의한 파티클(particle)의 발생이 문제가 된다.
또, 이 웨이퍼세정장치에 있어서는, 초음파의 정재파의 강도가 웨이퍼의 중앙부와 주변부에서 다르고, 또한, 캠이 초음파의 전달을 방해하므로, 초음파가 웨이퍼의 전체면에 대해서 균일하게 공급될 수 없다. 따라서, 균일하게 웨이퍼를 처리할 수 없다고 하는 문제가 있다.
또한, 상기 웨이퍼세정장치에 있어서는, 초음파에 의해 캠과 조내의 액체가 진동하고, 이것에 의해 웨이퍼도 진동하므로, 웨이퍼와 캠이 서로에 대해서 슬립(slip)을 발생하기 쉬워, 웨이퍼가 균일하게 회전할 수 없다고 하는 문제가 있다.
게다가, 상기 웨이퍼세정장치에 있어서는, 오리엔테이션 플랫(orientation flat)을 지닌 웨이퍼를 처리할 경우에 있어서, 오리엔테이션 플랫부분과 그 이외의 나머지 부분에서 캠이 웨이퍼에 대해서 회전력을 전달하는 조건이 다르므로, 웨이퍼가 균일하게 회전할 수 없다고 하는 문제가 있다.
본 발명은 상기 문제를 감안해서 이루어진 것으로, 웨이퍼에 실시하는 처리를 균일화하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적은 파티클에 의한 웨이퍼의 오염을 방지하는 것이다.
본 발명에 의한 웨이퍼처리장치는, 웨이퍼를 처리액속에 침지해서 처리하는 웨이퍼처리장치에 있어서, 웨이퍼처리조, 웨이퍼를 직접 또는 간접적으로 유지하는 유지부 및 상기 유지부를 상기 처리조의 위쪽으로부터 지지해서 상기 처리조내에 있어서 해당 유지부를 요동시키는 구동부를 구비한 것을 특징으로 한다.
상기 웨이퍼처리장치에 있어서, 상기 구동부는, 해당 웨이퍼처리장치와 다른 장치와의 사이에서 웨이퍼를 반송하기 위한 반송기구로서도 작용하는 것이 바람직하다.
상기 웨이퍼처리장치는, 상기 처리조내에 초음파를 발생시키는 초음파발생수단을 또 구비하는 것이 바람직하다.
상기 웨이퍼처리장치는, 상기 구동부에 의해서 웨이퍼를 요동시킬 때에 웨이퍼의 외주부와 접촉해서 상기 구동부에 의한 요동동작을 지원하는 요동지원부재를 또 구비하는 것이 바람직하다.
상기 웨이퍼처리장치에 있어서, 상기 요동지원부재가 웨이퍼의 외주부와 접촉하는 부분은, 둥글게 되어 있는 것이 바람직하다.
상기 웨이퍼처리장치에 있어서, 상기 요동지원부재가 웨이퍼의 외주부와 접촉하는 부분에는, 웨이퍼면과 대략 평행한 방향으로 홈이 형성되어 있는 것이 바람직하다.
상기 웨이퍼처리장치에 있어서, 상기 홈은 V자형상을 지니는 것이 바람직하다.
상기 웨이퍼처리장치에 있어서, 상기 홈은 완전파의 정류파형상을 지니는 것이 바람직하다.
상기 웨이퍼처리장치에 있어서, 상기 처리조는 오버플로조를 포함하는 순환기구를 지니는 것이 바람직하다.
상기 웨이퍼처리장치에 있어서, 상기 구동부는, 웨이퍼의 외주부가 상기 요동지원부재와 접촉할 때 해당 웨이퍼가 회전하도록, 상기 유지부를 요동시키는 것이 바람직하다.
상기 웨이퍼처리장치에 있어서, 상기 초음파발생수단은, 초음파조와, 초음파원과, 상기 초음파원의 위치를 상기 초음파조내에 있어서 조정하는 조정기구를 지니고, 상기 처리조에는, 상기 초음파조에 설치된 초음파전달매체를 개재해서 초음파가 전달되는 것이 바람직하다.
상기 웨이퍼처리장치에 있어서, 상기 구동부는, 상기 유지부를 수평방향으로 구동하는 제 1구동부와, 상기 유지부를 수직방향으로 구동하는 제 2구동부를 지니는 것이 바람직하다.
상기 웨이퍼처리장치에 있어서, 상기 유지부는, 상기 처리조의 바닥면에 대해서 대략 수직으로 웨이퍼를 유지하고, 상기 구동부는, 상기 처리조의 바닥면에 대해서 대략 직교하는 면내에 있어서 웨이퍼를 요동시키는 것이 바람직하다.
상기 웨이퍼처리장치에 있어서, 상기 구동부는, 웨이퍼가 처리액에 의해 대략 균일하게 처리도도록, 상기 처리조내에 있어서 상기 유지부를 요동시키는 것이 바랍직하다.
상기 웨이퍼처리장치에 있어서, 상기 유지부는, 복수의 웨이퍼를 수용가능한 웨이퍼홀더를 유지가능한 것이 바람직하다.
상기 웨이퍼처리장치에 있어서, 상기 처리조, 상기 유지부 및 상기 구동부중 적어도 처리액과 접촉하는 부분은, 석영 및 플라스틱으로 이루어진 군으로부터 선택된 재료로 구성되어 있는 것이 바람직하다.
상기 웨이퍼처리장치에 있어서, 상기 처리조, 상기 유지부 및 상기 구동부중 적어도 처리액과 접촉하는 부분은, 불소수지, 염화비닐, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT) 및 폴리에테르에테르케톤(PEEK)으로 이루어진 군으로부터 선택된 재료로 구성되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명에 의한 웨이퍼반송장치는, 웨이퍼를 반송하는 웨이퍼반송장치에 있어서, 웨이퍼를 직접 또는 간접적으로 유지하는 유지부와, 상기 유지부를 반송경로를 따라서 구동하는 구동부를 구비하고, 상기 구동부는, 상기 반송경로의 도중에 있어서, 웨이퍼처리조내에 웨이퍼를 침지해서 요동시키는 것을 특징으로 한다.
상기 웨이퍼반송장치에 있어서, 상기 구동부는, 상기 유지부를 수평방향으로 구동하는 제 1구동부와, 상기 유지부를 수직방향으로 구동하는 제 2구동부를 지니는 것이 바람직하다.
상기 웨이퍼반송장치에 있어서, 상기 유지부는, 상기 처리조의 바닥면에 대해서 대략 수직으로 웨이퍼를 유지하고, 상기 구동부는, 상기 처리조의 바닥면에 대해서 대략 직교하는 면내에 있어서 웨이퍼를 요동시키는 것이 바람직하다.
상기 웨이퍼반송장치에 있어서, 상기 구동부는, 웨이퍼가 상기 처리조내의 처리액에 의해 대략 균일하게 처리되도록, 상기 처리조내에 있어서 상기 유지부를 요동시키는 것이 바람직하다.
상기 웨이퍼반송장치에 있어서, 상기 구동부는, 웨이퍼의 외주부가 상기 처리조내에 형성된 돌출부와 접촉할 때 해당 웨이퍼의 요동동작이 크게 되도록, 상기 처리조내에 있어서 상기 유지부를 요동시키는 것이 바람직하다.
상기 웨이퍼반송장치에 있어서, 상기 구동부는, 웨이퍼의 외주부가 상기 처리조내에 형성된 돌출부와 접촉할 때 웨이퍼가 회전하도록, 상기 처리조내에 있어서 상기 유지부를 요동시키는 것이 바람직하다.
상기 웨이퍼반송장치에 있어서, 상기 유지부는, 복수의 웨이퍼를 수용가능한 웨이퍼홀더를 유지가능한 것이 바람직하다.
본 발명에 의한 반도체제조장치는, 상기 웨이퍼반송장치와, 1개 또는 복수개의 웨이퍼처리장치를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 웨이퍼처리방법은, 웨이퍼를 처리액속에 침지해서 처리하는 웨이퍼처리방법에 있어서, 웨이퍼처리조의 위쪽으로부터 웨이퍼를 지지하면서 해당 웨이퍼를 처리액속에 침지하고, 상기 처리조내에 있어서 해당 웨이퍼를 요동시키는 것을 특징으로 한다. 상기 웨이퍼처리방법에 있어서, 상기 웨이퍼를 상기 처리조내에 있어서 요동시키는 한펴, 상기 처리액에 초음파를 발생시키는 것이 바람직하다.
상기 웨이퍼처리방법에 있어서, 상기 처리조내에 있어서 웨이퍼를 요동시킬 때에, 해당 웨이퍼의 외주부를 상기 처리조내에 형성된 돌출부와 접촉시킴으로써 해당 웨이퍼의 요동동작을 크게 하는 것이 바람직하다.
상기 웨이퍼처리방법에 있어서, 상기 처리조내에 있어서 웨이퍼를 요동시킬 때에, 해당 웨이퍼의 외주부를 상기 처리조내에 형성된 돌출부와 접촉시킴으로써, 해당 웨이퍼를 회전시키는 것이 바람직하다.
상기 웨이퍼처리방법에 있어서, 웨이퍼가 상기 처리액에 의해 대략 균일하게 처리되도록, 웨이퍼를 요동시키는 것이 바람직하다.
상기 웨이퍼처리방법은, 상기 처리액으로서 에칭액을 이용해서, 상기 웨이퍼를 에칭하는데 적합하다.
상기 웨이퍼처리방법은, 상기 처리액으로서 에칭액을 이용해서, 다공질실리콘층을 지닌 웨이퍼를 에칭하는데 적합하다.
본 바명에 의한 반도체기판, 즉 SOI웨이퍼의 제조방법은, 상기 웨이퍼처리방법을 제조공정의 일부에 적용해서 SOI웨이퍼를 제조하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 웨이퍼처리방법은, 상기 웨이퍼처리장치를 이용해서, 웨이퍼를 처리하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 웨이퍼처리방법은, 상기 웨이퍼처리장치를 이용해서, 웨이퍼에 형성된 특정층을 에칭하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 SOI웨이퍼의 제조방법은, 상기 웨이퍼처리방법을 제조공정의 일부에 적용해서 SOI웨이퍼를 제조하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 웨이퍼처리방법은, 초음파를 공급하면서 웨이퍼를 처리하는 웨이퍼처리방법에 있어서, 웨이퍼를 처리액속에 완전히 침지하고, 해당 웨이퍼에 작용하는 초음파의 강도를 변화시키면서 웨이퍼를 처리하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 웨이퍼처리방법은, 초음파를 공급하면서 웨이퍼를 처리하는 웨이퍼처리방법에 있어서, 웨이퍼를 처리액속에 완전히 침지하고, 해당 웨이퍼를 이동시키면서 처리하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 웨이퍼처리방법은, 초음파를 공급하면서 웨이퍼를 처리하는 웨이퍼처리방법에 있어서, 웨이퍼를 처리액속에 완전히 침지하고, 해당 웨이퍼를 요동시키면서 처리하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 웨이퍼처리방법은, 초음파를 공급하면서 웨이퍼를 처리하는 웨이퍼처리방법에 있어서, 웨이퍼를 처리액속에 완전히 침지하고, 초음파의 진동면을 횡절하도록 해당 웨이퍼를 요동시키면서 처리하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 이한 웨이퍼처리방법은, 초음파를 공급하면서 웨이퍼를 처리하는 웨이퍼처리방법에 있어서, 웨이퍼를 처리액속에 완전히 침지함과 동시에 초음파의 진동면에 대해서 대략 평행하게 지지하고, 초음파의 진동면을 횡절하도록 해당 웨이퍼를 요동시키면서 처리하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기타 목적과, 특징 및 이점 등은 첨부도면을 참조한 이하의 본 발명의 바람직한 실시예의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1A는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 웨이퍼처리장치의 개략구성을 도시한 도면
도 1B는 홀더구동기구의 개략구성을 도시한 도면
도 2A 내지 도 2E는 웨이퍼요동방식을 설명하기 위한 도면
도 3은 요동지원부재의 구성예를 도시한 도면
도 4A 및 도 4B는 요동지원부재의 다른 구성예를 각각 도시한 도면
도 5A는 웨이퍼처리장치를 편입시킨 웨이퍼처리시스템의 개략구성을 도시한 사시도
도 5B는 웨이퍼처리장치를 편입시킨 웨이퍼처리시스템의 개략구성을 도시한 정면도
도 6A 내지 도 6D는 웨이퍼요동방식의 다른 예를 설명하기 위한 도면
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 의한 웨이퍼처리장치의 개략구성을 도시한 도면
도 8A 내지 도 8F는 각각 반도체기판의 제조방법을 표시한 도면
〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉
11: 웨이퍼처리조12: 4면 오버플로조
13, 13': 요동지원부재13a: V자형 홈
13b: 완전파의 정류파형상 홈14: 액면
21: 웨이퍼홀더31, 31':홀더구동기구
31a, 31a': 쥠부31b: 개폐용 로드
31c: 수평구동축31d: 수직구동축
41: 웨이퍼51: 초음파원
61: 초음파조62: 조정기구
71: 순환기80: 웨이퍼이동기구
81: 아암100, 101: 웨이퍼처리장치
501: 단결정Si기판502: 다공질Si층
503: 비다공질층504: SiO2층
505: 제 2기판
이하, 첨부도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.
[제 1실시예]
도 1A는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 웨이퍼처리장치의 개략구성을 도시한 도면이다. 이 실시예에 의한 웨이퍼처리장치는, 에칭, 세정 및 그밖의 처리액을 웨이퍼에 공급하는 처리에 폭넓게 적용가능하다.
이 실시예에 의한 웨이퍼처리장치(100)중, 처리액이 접촉할 수 있는 부분은, 용도에 따라서, 석영이나 플라스틱으로 구성하는 것이 바람직하다. 플라스틱으로서는, 예를 들면, 불소수지, 염화비닐, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT) 및 폴리에테르에테르케톤(PEEK) 등이 바람직하다. 이중 불소수지로서는 PVDF, PFA 및 PTFE 등이 바람직하다.
이 웨이퍼처리장치(100)는, 웨이퍼처리조(11)와, 웨이퍼홀더(21)를 웨이퍼처리조(11)내에서 요동시키는 홀더구동기구(31)를 지닌다. 또, 웨이퍼처리장치(100)는 초음파조(61)를 구비하는 것이 바람직하다.
웨이퍼를 처리할 때에는, 웨이퍼처리조(11)에 처리액을 채운다. 웨이퍼처리조(11)에는, 4면 오버플로조(12)가 설치되어 있어, 필터를 내장한 순환기(71)에 의해 처리액을 웨이퍼처리조(11)의 바닥부로부터 웨이퍼처리조(11)내에 공급한다. 웨이퍼처리조(11)로부터 넘쳐흐른 처리액은 4면 오버플로조(12)에 저장되어, 4면 오버플로조(12)의 바닥부로부터 순환기(71)를 향해서 배출된다. 이 웨이퍼처리장치(100)는 홀더구동기구(31)에 의해 웨이퍼홀더(21)를 요동시키면서 동시에 처리액을 교반하므로, 처리액의 액레벨을 일정하게 유지할 수 있다. 따라서, 상기 4면 오버플로조(12)를 포함하는 순환계가 매우 유용하다.
웨이퍼홀더(21)는, 일반적으로 시판되고 있는 제품을 그대로 사용할 수도 있으나, 석영이나 플라스틱으로 구성한 것이 바람직하다. 플라스틱으로서는, 예를 들면, 불소수지, 염화비닐, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부틸렌테레프탈레이트 (PET) 및 폴리에테르에테르케톤(PEEK) 등이 바람직하다. 이중 불소수지로서는 PVDF, PFA 및 PTFE 등이 바람직하다.
홀더구동기구(31)는, 웨이퍼홀더(21)를 꽉 쥐는 1쌍의 쥠부(gripping portion)(31a)를 지니며, 이 1쌍의 쥠부(31a)에 의해 웨이퍼홀더(21)를 꽉 쥐어서 웨이퍼처리조(11)내에 침지시키는 동시에, 웨이퍼처리조(11)내에 있어서 웨이퍼홀더(21)를 요동시키면서, 웨이퍼(41)에 대해서 소망의 처리를 행할 수 있다. 따라서, 홀더구동기구(31)는, 앞의 공정이 종료된 웨이퍼(41)를 수용하는 웨이퍼홀더 (21)를 웨이퍼처리조(11)에 반송하는 기능이나 다음 공정으로 반송하는 기능을 지니는 한편, 웨이퍼처리장치(100)의 일부로서의 기능을 지닌다.
또, 이 실시예는, 쥠부(31a)에 의해 웨이퍼홀더(21)를 꽉 쥠으로써 웨이퍼(41)를 간접적으로 유지하는 것이지만, 예를 들면, 쥠부(31a) 대신에 흡착패드에 의해 웨이퍼(41)를 직접적으로 유지가능한 구성으로 하는 것도 가능하다. 또한, 웨이퍼(41)를 유지하는 방향은, 웨이퍼처리조(11)의 바닥면에 수직인 방향으로 한정되지 않고, 예를 들면, 해당 바닥면에 평행한 방향이어도 된다.
웨이퍼처리조(11)의 바닥부에는, 홀더구동기구(31)에 의해 웨이퍼(41)를 요동할 때에, 웨이퍼(41)의 요동효율을 높이기 위한 요동지원부재(13)를 배치하는 것이 바람직하다. 이 요동지원부재(13)는, 웨이퍼홀더(21)가 이동할 때에, 웨이퍼홀더(21)에 유지된 웨이퍼(41)의 외주부에 접촉하여, 그 마찰력에 의해 웨이퍼(41)를 회전시키는 동시에, 웨이퍼홀더(21)내에서 수직방향으로, 즉 상하로 이동시킨다. 따라서, 이 요동지원부재(13)는, 처리된 웨이퍼의 면내균일성을 향상시키는 점에서 유용하다.
또, 이 요동지원부재(13)를 수직(y축방향)및/또는 수평(x축방향)으로 이동시키는 구동기구를 배치하는 것도 유효하다. 이 경우, 요동지원부재(13) 자체가 이동함으로써 웨이퍼(41)를 회전시킴과 동시에 웨이퍼홀더(21)내에서 수직으로, 즉 상하로 이동시키는 것이 가능하다. 따라서, 홀더구동기구(31)에 의해 웨이퍼홀더 (21)를 이동시키는 범위를 축소시키는 것, 즉, 웨이퍼처리조(11)를 소형화하는 것이 가능하다.
초음파조(61)내에는, 초음파원(51)이 배치되고, 초음파전달매체(예를 들면, 물)로 채워져 있다. 이 초음파원(51)은, 수직 및/또는 수평으로 초음파원(51)의 위치를 조정하기 위한 조정기구(62)에 고정되어 있다. 이 조정기구(62)에 의해 초음파원(51)과 웨이퍼처리조(11)와의 위치관계를 조정함으로써, 웨이퍼처리조 (11), 보다 상세하게는 웨이퍼(41)에 공급되는 초음파를 최적화할 수 있다. 초음파원(51)은, 발생하는 초음파의 주파수나 강도를 조정하는 기능을 구비하는 것이 바람직하며, 이것에 의해 초음파의 공급을 더욱 최적화할 수 있다. 이와 같이, 초음파원(51)은 웨이퍼(41)에 대한 초음파의 공급을 최적화하기 위한 기능을 지님으로써, 각종의 웨이퍼를 처리하는 것이 가능해진다.
도 1B는 홀더구동기구(31)의 개략구성을 도시한 도면이다. 쥠부(31a)는, 개폐용 로드(31b)를 확장함으로써 개방되고, 이들 로드(31b)를 수축함으로써 폐쇄된다. 홀더구동기구(31)는, 수평구동축(31c)을 따라 x축방향으로 이동하고, 수직구동축(31d)을 따라 y축방향으로 이동한다.
도 2A 내지 도 2E는, 웨이퍼요동방식을 설명하기 위한 도면이다. 도 2A 내지 도 2E에 있어서, 화살표는 웨이퍼홀더(21)의 이동방향을 나타낸다. 도 2A는 웨이퍼의 요동동작을 개시하기 직전의 상태를 표시하고 있다. 웨이퍼의 요동동작의 개시가 지시되면, 컴퓨터제어하, 우선 도 2B에 도시한 바와 같이, 홀더구동기구 (31)는 쥠부(31a)를 아래쪽으로 누른다. 이 누르는 도중에서, 웨이퍼(41)의 외주부는 요동지원부재(13)에 접촉한다. 따라서, 웨이퍼(41)의 하부는 요동지원부재(13)에 의해서 지지된다.
요동지원부재(13)는, 웨이퍼(41)에 접촉할 때 약간의 파티클을 발생기킬 가능성이 있다. 여기서, 도 3에 도시한 바와 같이, 요동지원부재(13)는 말단부를 둥글게 함으로써 웨이퍼(41)와 원활하게 접촉하도록 하는 것이 바람직하다.
요동지원부재(13)는, 웨이퍼(41)의 요동을 지원할 수 있으면 충분하므로, 초음파의 전달을 저해하지 않는 형상, 예를 들면, 박판형상으로 형성할 수 있다. 이 형상에 의해, 웨이퍼(41)에 공급되는 초음파를 균일화하여, 웨이퍼(41)를 균일하게 처리할 수 있다.
또, 이 웨이퍼처리장치(100)는, 웨이퍼(41)와 요동지원부재(13)와의 상대적인 위치관계, 다시 말하면, 웨이퍼(41)와 웨이퍼처리조(11)와의 상대적인 위치관계를 변화시키면서 웨이퍼(41)를 처리하므로, 요동지원부재(13)에 의해 생기는 근소한 초음파의 불균일도 문제로 되지 않는다.
웨이퍼홀더(21)의 누름량은 어느 정도 큰 쪽이, 웨이퍼(41)와 요동지원부재 (13)와의 접촉압력을 크게 할 수 있으므로, 요동지원부재(13)와 웨이퍼(41)와의 슬립을 방지해서 동작불량을 방지하는 것이 가능하다. 이것은, 누름량이 너무 적으면, 웨이퍼(41)에 대한 중력이 요동지원부재(13)의 말단부에 작용하는 비율보다도 웨이퍼홀더(21)에 작용하는 비율이 크기 때문이다. 이 실시예에 의한 형상을 지닌 요동지원부재(13)를 이용한 경우, 누름량은, 웨이퍼(41)가 요동지원부재(13)에 접촉한 후 30mm정도인 것이 바람직하다.
웨이퍼홀더(21)를 누르는 동작이 종료하면, 홀더구동기구(31)는, 컴퓨터제어하, 도 2C에 도시한 바와 같이, 쥠부(31a)를 오른쪽방향(x축의 양의 방향)으로 이동시킨다. 이것에 의해, 웨이퍼(41)는 시계방향으로 회전하면서, 웨이퍼처리조 (11)내에 있어서, 오른쪽방향(X축의 양의 방향)으로 대략 수평으로 이동시킨다. 쥠부(31a)의 이동량은, 이들 쥠부(31a)가 웨이퍼홀더(21)의 하부의 개구부에 대해서 충돌하지 않는 범위내에서 설정할 필요가 있다.
웨이퍼홀더(21)가 오른쪽방향(x축의 양의 방향)으로 이동한 후, 홀더구동기구(31)는, 컴퓨터제어하, 도 2D에 도시한 바와 같이, 쥠부(31a)를 수직방향으로 이동시킨다. 쥠부(31a)의 이동량은, 웨이퍼(41)가 처리액의 액면(14)의 근처에 이르지 않는 범위내로 하는 것이 바람직하다. 이것은, 웨이퍼(41)가 액면(14)근처에 이르면 웨이퍼의 표면에 파티클이 부착할 염려가 있기 때문이다.
웨이퍼홀더(21)의 위쪽방향으로의 이동이 종료하면, 홀더구동기구(31)는, 컴퓨터제어하, 도 2E에 도시한 바와 같이, 쥠부(31a)를 왼쪽방향(x축의 음의 방향)으로 이동시켜, 초기상태로 복원시킨다.
이상의 동작(도 2A→도 2B→도 2C→도2E)을 반복해서 행함으로써, 웨이퍼(41)를 적절하게 요동시킬 수 있어, 균일하게 처리할 수 있다.
이 웨이퍼처리장치(100)에 의하면, 초음파조(61)를 조정함으로써 초음파의 공급이 최적화된 영역에 있어서 웨이퍼(41)를 요동시키므로, 웨이퍼(41)에 작용하는 초음파를 최적화할 수 있다.
그런데, 초음파의 정재파는 일정간격으로 파복(강도가 강한 부분)과 파절(강도가 약한 부분)을 지니므로, 초음파를 웨이퍼처리조(11)내에 있어서 균일화하는것은 곤란하다.
그러나, 이 웨이퍼처리장치(100)는 홀더구동기구(31)에 의해 웨이퍼(41)를 요동시키므로, 초음파의 강도의 다소 불균일한 분포에도 불구하고, 웨이퍼(41)를 균일하게 처리할 수 있다. 또, 웨이퍼(41)를 이동시키는 방향은, 예를 들면, 수평방향만, 수직방향만 또는 사선방향만 등의 단순한 방향이더라도, 웨이퍼(41)의 처리의 균일화에 기여시킬 수 있다. 또, 웨이퍼(41)를 그의 축방향(z축방향)으로 요동시킴으로써, 수평방향면내에 있어서의 초음파의 고강도부분으로 인한 웨이퍼간의 처리의 불균일성을 정정하는 것이 가능하다.
이 웨이퍼처리장치(100)는, 또 요동지원부재(13)를 구비하고 있으므로, 웨이퍼(41)의 요동량을 효율적으로 높일 수 있다. 또, 요동지원부재(13)의 고정위치는 웨이퍼처리조(11)의 바닥부분으로 한정되지 않고, 요동지원부재(13)가 웨이퍼홀더(21)의 전체 웨이퍼(41)에 접촉할 수 있는 한, 예를 들면, 웨이퍼처리조(11)의 측벽이나 홀더구동기구(31)에 고정해도 된다(이 경우에는, 요동지원부재(13)와 쥠부(31a)와의 상대적인 위치관계를 변화시키는 기구를 배치한다).
또한, 이 웨이퍼처리장치(100)에 의하면, 웨이퍼처리조(11)내에 구동기구가 존재하지 않으므로, 구동기구에 기인하는 파티클이 발생하지 않는다.
이 웨이퍼처리장치(100)는, 초음파조(61)를 구비하지 않은 경우에 있어서도, 웨이퍼처리에 적합한 장치로서 기능할 수 있다. 즉, 웨이퍼처리장치(100)는 홀더구동기구(31)에 의해 웨이퍼홀더(21)를 웨이퍼처리조(11)내에 있어서 요동시키는 기능을 갖추고 있으면, 이 기능만으로도 웨이퍼(41)를 균일하게 처리할 수 있고,또 처리액을 효율적으로 교반할 수 있다. 또, 웨이퍼(41)를 처리할 때에 발생하는 가스 등을 효율적으로 웨이퍼(41)의 표면으로부터 제거할 수 있다. 또한, 홀더구동기구(31)를 웨이퍼의 반송기구 및 요동기구로서 겸용하는 것도 가능하므로, 웨이퍼를 효율적으로 처리할 수 있다.
도 4A는 요동지원부재(13)의 다른 구성예의 전체도이고, 도 4B는 요동지원부재(13)의 일부확대도이다. 초음파의 강도가 강하면, 요동지원부재(13)의 말단부분과 웨이퍼(41) 사이에 슬립이 생겨, 웨이퍼(41)를 효율적으로 요동시키는 것이 불가능할 수도 있다.
도 4A 및 도 4B에 도시한 요동지원부재(13')는, 일정간격으로 V자형의 홈(13a)을 지닌다. 이와 같은 V자형 홈(13a)을 형성함으로써, 웨이퍼(41)와의 접촉면적을 증가시킬 수 있고, 또, 끼워넣도록 해서 요동지원부재(13')를 웨이퍼(41)와 걸어맞춤하므로, 웨이퍼(41)의 요동효율이 높아진다. 또 웨이퍼(41)가 진동해서 일시적으로 요동지원부재(13')로부터 떨어지도록 해도, 웨이퍼(41)가 정확히 수직방향(상하방향)으로 이동하지 않는 한, 웨이퍼(41)와의 마찰력이 손상되지 않는다.
요동지원부재(13')의 말단부분의 홈은, 예를 들면(13b)와 같은 형상, 즉 완전파의 정류파형상이어도 된다. 이 경우, 상기 홈은 V자형홈과 달리 정점을 지니지 않으므로, 웨이퍼(41)와의 접촉시에 있어서의 파티클의 발생을 억제할 수 있다.
[제 2실시예]
도 5A는 웨이퍼처리장치(100)를 편입시킨 웨이퍼처리시스템의 개략구성을 도시한 사시도이고, 도 5B는 도 5A에 도시한 웨이퍼처리시스템의 일부를 도시한 정면도이다.
이 웨이퍼처리시스템은, 로더(loader), 웨이퍼처리장치(예를 들면 에칭장치 또는 세정장치), 스핀드라이어, 언로더(unloader) 등을 조합시킨 것이 바람직하다.
(31')는 홀더구동기구(31)와 실질적으로 마찬가지 기능을 지닌 홀더구동기구이며, 웨이퍼홀더(21)를 꽉쥐기 위한 쥠부(31a')와, 웨이퍼홀더(21)를 수평방향(각 장치의 배열방향)으로 구동하는 수단과, 웨이퍼홀더(21)를 수직방향으로 구동하는 수단을 지닌다.
이 웨이퍼처리시스템은, 컴퓨터제어하, 자동적으로 웨이퍼를 처리할 수 있다. 따라서, 조작자의 개입에 의해 발생하는 파티클이 웨이퍼에 부착하는 것을 방지할 수 있는 동시에, 처리효율을 높일 수 있다.
[제 3실시예]
이 제 3실시예는 웨이퍼요동방식의 다른 예를 예시한 것이다. 또 6A 내지 도 6D는 이 실시예에 있어서의 웨이퍼요동방식을 설명하기 위한 도면이다. 도 6A 내지 도 6D에 있어서, 화살표는 웨이퍼홀더(21)의 이동방향을 표시한다. 도 6A는 웨이퍼의 요동동작을 개시하기 직전의 상태를 표시하고 있다. 웨이퍼의 요동동작의 개시가 지시되면, 컴퓨터제어하, 도 6B에 도시한 바와 같이, 홀더구동기구(31)는 쥠부(31a)를 오른쪽 아래방향으로 이동시킨다. 이 이동방향은, 수평면에 대해서 약 45°의 각도가 적합하다. 웨이퍼홀더(21)가 오른쪽 아랫방향으로 이동하면, 웨이퍼(41)의 외주부가 웨이퍼홀더(21)의 좌측벽에 의해서 압압되면서 요동지원부재(13)의 말단부를 중심으로 해서 웨이퍼(41)가 시계방향으로 회동한다.
또, 웨이퍼홀더(21)가 오른쪽 아랫방향으로 이동하면, 웨이퍼(41)의 무게중심이 요동지원부재(13)의 말단부에 대해서 오른쪽으로 이동함으로써, 웨이퍼(41)는 웨이퍼홀더(21)의 우측벽을 향해서 회동하여, 도 6C에 도시한 상태로 된다.
또한, 웨이퍼홀더(21)를 오른쪽 아랫방향으로 이동시킨 후, 이어서, 도 6D에 도시한 바와 같이, 홀더구동기구(31)는 쥠부(31a)를 왼쪽 위쪽방향으로 이동시킨다. 이 이동방향은, 도 6B에 도시한 이동방향의 반대방향으로 하는 것이 바람직하다.
웨이퍼홀더(21)가 왼쪽 위쪽방향으로 이동하면, 웨이퍼(41)의 외주부가 웨이퍼홀더(21)의 우측벽에 의해서 압압되면서, 요동지원부재(13)를 중심으로 해서 웨이퍼(41)가 반시계방향으로 회동한다. 그래서, 도 6A에 도시한 상태까지 웨이퍼홀더(21)를 이동시킴으로써, 1회의 동작이 종료한다.
이상의 동작(도 6A→도 6B→도 6C→도 6D)를 반복함으로써, 웨이퍼(41)를 적절하게 요동시킬 수 있어, 균일하게 처리할 수 있다.
[제 4실시예]
이 제 4실시예는 다른 구성을 지닌 웨이퍼처리장치에 관한 것이다. 도 7은 이 실시예에 의한 웨이퍼처리장치의 개략구성을 도시한 도면이다. 또, 제 1실시예에 의한 웨이퍼처리장치(100)의 구성과 실질적으로 동일한 구성요소에는 동일한 참조부호를 붙이고, 그 설명을 생략한다.
제 4실시예에 의한 웨이퍼처리장치(101)는, 웨이퍼이동기구(80)에 의해서,웨이퍼처리조(11)의 바닥면에 대해서 대략 평행(즉, 초음파의 진동면에 대해서 대략 평행)하게 웨이퍼(41)를 유지해서, 웨이퍼처리조(11)내의 처리액(예를 들면, 세정액 또는 에칭액)에 완전히 침지한 상태에서 웨이퍼(41)를 요동시킴으로써, 웨이퍼(41)를 균일하게 처리함과 동시에 파티클에 의한 웨이퍼(41)의 오염을 방지한다.
웨이퍼이동기구(80)는, 아암(arm)(81)에 의해서 웨이퍼(41)를 꽉 쥐고, 웨이퍼처리조(11)내에 있어서 웨이퍼(41)를 요동시킨다. 이때의 웨이퍼(41)의 요동방향은, 초음파의 진동면에 수직인 방향(즉, 상하방향) 또는 상기 진동면에 평행한 방향(즉, 수평방향)이 바람직하다.
이 웨이퍼처리장치(100)에 있어서도, 웨이퍼(41)를 처리액에 완전히 침지한 상태에서 처리하는 것이 바람직하며, 이 경우, 처리액과 대기와의 경계부근에 있어서 웨이퍼(41)에 파티클이 부착하는 것을 방지할 수 있다.
이 웨이퍼처리장치(101)에 의하면, 웨이퍼(41)를 웨이퍼처리조(11)내에서 요동시킴으로써, 웨이퍼(41)를 균일하게 처리할 수 있다.
[웨이퍼처리장치의 적용예]
상기 각 실시예에 의한 웨이퍼처리장치(100)는, 예를 들면 에칭장치로서 적합하다. 이러한 에칭장치에 의하면, 1) 균일하게 웨이퍼를 에칭할 수 있고, 2) 파티클에 의한 오염을 경감할 수 있으며, 3) 에칭속도를 높일 수 있다.
또, 웨이퍼처리장치(100)는, 다공질실리콘층을 지닌 웨이퍼를 에칭하는 에칭장치로서 적합하다. K. Sakaguchi et al., Jpn. Appl. Phys. Vol. 34, part1, No. 2B, 842∼847(1995)에 있어서, 다공질실리콘의 에칭메카니즘이 개시되어 있다.다공질실리콘은, 에칭액이 모세관작용에 의해서 다공질실리콘의 구멍에 침투해서, 이 구멍의 벽을 에칭함으로써 에칭된다. 구멍의 벽이 얇게 되면, 이들 벽은 어떤 지점을 넘어서 스스로 유지될 수 없게 되고, 최종적으로는 다공질층이 전면적으로 붕괴되어 에칭이 종료한다. 이때, 에칭작용을 보조함이 없이 에칭액만의 작용으로 구멍벽을 붕괴시킬 경우, 구멍벽의 에칭속도가 느리고, 에칭시간이 길어진다. 또, 다공질층이 붕괴한 영역에서는, 하부층이 에칭되어 버리므로, 다공질실리콘웨이퍼의 면내에칭속도와 웨이퍼간의 에칭속도의 편차를 가능한 한 억제하는 것이 바람직하다.
예를 들면, 단결정실리콘기판위에 다공질실리콘층을 형성하고, 이 다공질실리콘층위에 에피택셜층을 성장시키고, 이 에피택셜층위에 절연막을 형성함으로써 제 1기판을 제작한다. 이 제 1기판과 별도로 준비한 제 2기판을, 상기 절연막을 샌드위치시키도록 해서 맞붙인 후에, 제 1기판의 하부면으로부터 단결정실리콘기판을 제거하고, 또한 다공질실리콘층을 에칭해서 SOI웨이퍼를 제조한다. 이 방법에 있어서는, 105정도의 에칭선택비(다공질실리콘/에피택셜층)을 얻을 수 있으면 충분하다.
그러나, 높은 선택비를 지닌 에칭방법을 이용해도, 다공질실리콘층이 에칭에 의해 제거된 후에 표출된 SOI층의 표면은, 약간 에칭된다. 이러한 약간의 불필요한 에칭은, SOI층의 막두께의 균일성을 심하게 열화시키는 것은 아니지만, 높은 선택비나 높은 두께균일성이 요망되는 바이다. 금후, 웨이퍼사이즈가 확대됨에 따라, 보다 높은 SOI층의 두께균일성이 요구될 것이 예상되기 때문이다.
상기 웨이퍼처리장치(100)를 다공질실리콘에칭장치에 적용한 경우, 웨이퍼처리조내에서 웨이퍼를 요동시킴으로써 SOI층의 면내 편차 및 웨이퍼간의 편차를 억제할 수 있어, 보다 고품위의 SOI기판을 제조할 수 있다.
또, 웨이퍼의 요동에 대해서, 초음파를 공급하면서 에칭을 행함으로써, 다공질실리콘층의 붕괴를 촉진할 수 있어, 에칭시간을 단축함과 동시에 에칭선택비를 향상시킬 수 있다.
이하에, 상기 각 실시예에 의한 웨이퍼처리장치를 이용해서 반도체기판을 제조하는 방법의 일례를 설명한다.
도 8A 내지 도 8F는, 각각 반도체기판의 제조방법을 도시한 도면이다. 개략적으로 설명하면, 이 제조방법은, 단결정실리콘기판위에 다공질실리콘층을 형성하고, 이 다공질실리콘층위에 비다공질층을 형성하고, 이 비다공질층위에 바람직하게는 절연막을 형성함으로써 제 1기판을 제작한다. 이 제 1기판과 별도로 준비한 제 2기판을, 상기 절연막을 샌드위치시키도록 해서 맞붙인 후, 제 1기판의 하부면으로부터 단결정실리콘기판을 제거하고, 다공질실리콘층을 에칭해서 반도체기판을 제조한다.
이하, 도 8A 내지 도 8F를 참조하면서 반도체기판의 제조방법을 상세히 설명한다.
먼저, 제 1기판을 형성하기 위한 단결정Si기판(501)을 준비하고, 이 단결정Si기판(501)의 주표면위에 다공질Si층(502)을 형성한다(도 8A참조). 이어서, 다공질Si층(502)위에 적어도 1층의 비다공질층(503)을 형성한다(도 8B참조). 비다공질층(503)의 예로서는, 단결정Si층, 다결정Si층, 비정질Si층, 금속막층, 화합물반도체층 및 초전도체층 등이 바람직하다. 또, 비다공질층(503)에는 MOSFET 등의 소자를 형성해도 된다.
비다공질층(503)위에는, 다른 비다공질층으로서 SiO2층(504)을 형성하고, 이것을 제 1기판으로서 이용한다(도 8C). 이 SiO2층(504)은, 후속공정에서 제 1기판과 제 2기판(505)을 맞붙일 때에, 그 맞붙인 계면에서의 계면에너지를 활성층으로부터 제거할 수 있으므로 유용하다.
다음에, SiO2층(504)을 샌드위치시키도록 해서 제 1기판과 제 2기판(505)을 실온에서 밀착시킨다(도 8D참조). 그후, 양극접합처리, 가압처리 또는 필요에 따라서 열처리를 실시하거나, 혹은 이들 처리를 조합시켜 실시함으로써 이 밀착을 강고하게 해도 된다.
비다공질층(503)으로서 단결정Si층을 형성한 경우에는, 해당 단결정Si층의 표면에 열산화 등의 방법에 의해서 SiO2층(504)을 형성한 후에 해당 제 1기판을 제 2기판(505)에 맞붙이는 것이 바람직하다.
제 2기판(505)의 예로서는, Si기판, Si기판상에 SiO2층을 형성한 기판, 석영기판 등의 투광성 기판 및 사파이어기판 등이 바람직하다. 그러나, 제 2기판(505)은, 맞붙일 면이 평탄한 면을 지닌 것이면 충분하며, 다른 종류의 기판이어도 된다.
또, 도 8D는 SiO2층(504)을 개재해서 제1기판과 제 2기판을 맞붙인 상태를 표시하고 있으나, 이 SiO2층(504)은, 비다공질층(503) 또는 제 2기판이 Si가 아닌 경우에는 형성할 필요가 없다.
또한, 맞붙인때에는, 제 1기판과 제 2기판과의 사이에 절연성 박판을 삽입해도 된다.
다음에, 다공질Si층(502)을 경계로 해서, 제 1기판을 제 2기판으로부터 제거한다(도 8E참조). 이 때의 제거방법으로서는,연삭, 연마, 에칭 등에 의한 제 1방법(제 1기판을 폐기)과, 다공질층(502)을 경계로 해서 제 1기판과 제 2기판을 분리하는 제 2방법이 있다. 제 2방법의 경우, 분리된 제 1기판에 잔류하는 다공질Si를 제거하고, 필요에 따라서, 제 1기판의 표면을 평탄화함으로써 제 1기판을 재이용할 수 있다.
이어서, 다공질Si층(502)을 선택적으로 에칭해서 제거한다(도 8F참조). 이 에칭에는, 상기의 웨이퍼처리장치(100) 또는 (101)가 적합하다. 이 웨이퍼처리장치는, 웨이퍼(이 경우, 도 8E에 표시한 웨이퍼)를 에칭액에 완전히 침지한 상태에서 요동시키면서, 초음파를 공급하므로, 파티클에 의한 웨이퍼의 오염이 거의 없어, 에칭처리가 균일화된다. 또, 이 웨이퍼처리장치에 의하면, 에칭시간이 단축되고, 비다공질층(503)과 다공질층(504)과의 에칭선택비가 높아진다. 에칭시간이 단축되는 이유는 초음파에 의해 에칭이 촉진되기 때문이며, 에칭선택비가 높아지는이유는, 초음파에 의한 에칭의 촉진은 비다공질층(503)에 대한 것보다도 다공질층(504)에 대해서 더욱 현저하기 때문이다.
비다공질층(503)이 단결정Si인 경우에는, Si용의 통상의 에칭액이외에, 이하의 에칭액이 적합하다.
(a) 불산
(b) 불산에 알콜 및 과산화수소의 적어도 한쪽을 첨가해서 제조한 혼합액
(c) 버퍼드불산
(d) 버퍼드불산에 알콜 및 과산화수소의 적어도 한쪽을 첨가해서 제조한 혼합액
(e) 불산, 질산 및 아세트산의 혼합액
이들 에칭액에 의해, 다공질층(502)을 선택적으로 에칭해서, 그 밑에 있는 비다공질층(503)(단결정Si)을 남길 수 있다. 이와 같은 에칭액에 의한 다공질층 (502)의 선택적인 에칭이 용이한 이유는, 다공질Si는 팽대한 표면적을 지니므로, 비다공질Si층에 대해서 에칭의 진행이 극히 빠르기 때문이다.
도 8E는, 상기 제조방법에 의해 얻어진 반도체기판을 개략적으로 도시하고 있다. 이 제조방법에 의하면, 제 2기판(505)의 표면전역에 걸쳐서, 평탄한 비다공질층(503)(예를 들면, 단결정Si층)이 균일하게 형성된다.
예를 들면, 제 2기판(505)으로서 절연성 기판을 채용하면, 상기 제조방법에 의해서 얻어진 반도체기판은, 절연된 전자소자의 형성에 효율적으로 이용된다.
이상, 본 발명에 의하면, 웨이퍼에 실시하는 처리를 균일화할 수 있고, 또, 파티클에 의한 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 실시예로 한정되지 않고, 본 발명의 정신과 범위내에서 각종 변경과 수정이 가능하다. 따라서, 본 발명의 범위를 공중에게 알리기 위하여, 이하의 특허청구범위를 작성하였다.

Claims (41)

  1. 웨이퍼를 처리액에 침지해서 처리하는 웨이퍼처리장치에 있어서,
    웨이퍼처리조;
    상기 웨이퍼의 상하움직임 및 회전을 허용하고, 상기 웨이퍼를 직접 또는 간접적으로 유지하는 유지부(21);
    상기 유지부를 상기 웨이퍼처리조내에 있어서 요동시키는 구동부(31); 및
    상기 처리조내에 정지해서 배치되고, 상기 웨이퍼의 외주부에의 접촉이 허용되고 있는 접촉부를 가진 부재(13)를 구비하고,
    상기 유지부는, 상기 구동부에 의해 수평방향 및 상하방향으로 구동되고, 상기 부재의 상기 접촉부에 상기 웨이퍼의 상기 외주부를 접촉시키면서 움직이는 것에 의해, 상기 부재와 협동하여 상기 웨이퍼를 그 중심을 회전축으로 하여 회전시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 구동부는, 해당 웨이퍼처리장치와 다른 장치와의 사이에서 웨이퍼를 반송하기 위한 반송기구로서도 겸용되고 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리장치.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 처리조내에 초음파를 발생시키는 초음파발생수단을 또 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리장치.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 접촉부는, 둥글게 되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리장치.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 접촉부에는, 웨이퍼면과 대략 평행한 방향으로 홈이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리장치.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 홈은 V자형상을 지니는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리장치.
  7. 제 5항에 있어서, 상기 홈은 완전파의 정류파형상을 지니는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리장치.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 처리조는 오버플로조를 포함하는 순환기구를 지니는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리장치.
  9. 제 3항에 있어서, 상기 초음파발생수단은, 초음파조와, 초음파원과, 상기 초음파원의 위치를 상기 초음파조내에 있어서 조정하는 조정기구를 지니고, 상기 처리조에는, 상기 초음파조에 설치된 초음파전달매체를 개재해서 초음파가 전달되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리장치.
  10. 제 1항에 있어서, 상기 구동부는, 상기 유지부를 수평방향으로 구동하는 제 1구동부와, 상기 유지부를 상하방향으로 구동하는 제 2구동부를 지니는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리장치.
  11. 제 1항에 있어서, 상기 유지부는, 상기 처리조의 바닥면에 대해서 대략 수직으로 웨이퍼를 유지하고, 상기 구동부는, 상기 처리조의 바닥면에 대해서 대략 직교하는 면내에 있어서 웨이퍼를 회전시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리장치.
  12. 제 1항에 있어서, 상기 구동부는, 웨이퍼가 처리액에 의해 대략 균일하게 처리되도록, 상기 처리조내에 있어서 상기 유지부를 요동시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리장치.
  13. 제 1항에 있어서, 상기 유지부는, 복수의 웨이퍼를 수용가능한 웨이퍼홀더를 유지가능한 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리장치.
  14. 제 1항에 있어서, 상기 처리조, 상기 유지부 및 상기 구동부중 적어도 처리액과 접촉하는 부분은, 석영 및 플라스틱으로 이루어진 군으로부터 선택된 재료로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리장치.
  15. 제 1항에 있어서, 상기 처리조, 상기 유지부 및 상기 구동부중 적어도 처리액과 접촉하는 부분은, 불소수지, 염화비닐, 폴리에틸렌, 폴리프로펠렌, 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT) 및 폴리에테르에테르케톤(PEEK)으로 이루어진 군으로부터 선택된 재료로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리장치.
  16. 웨이퍼를 반송하는 웨이퍼반송장치로써,
    웨이퍼를 직접 또는 간접적으로 유지하는 유지부와,
    상기 유지부를 반송경로를 따라서 구동하는 구동부를 구비하고,
    상기 유지부는, 상기 웨이퍼처리조의 바닥면에 대해서 대략 수직으로 웨이퍼를 유지하고, 상기 구동부는, 상기 반송경로의 중도에 있어서 상기 처리조내에 상기 유지부를 침지하고, 상기 처리조의 바닥면에 대해서 대략 직교하는 면내에 있어서 상기유지부를 요동시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼반송장치.
  17. 웨이퍼를 반송하는 웨이퍼반송장치로써,
    웨이퍼를 직접 또는 간접적으로 유지하는 유지부와,
    상기 유지부를 반송경로를 따라서 구동하는 구동부를 구비하고,
    상기 구동부는, 상기 반송경로의 중도에 있어서 웨이퍼의 처리조내에 상기 유지부를 침지하고, 웨이퍼가 상기 처리조내의 처리액에 의해 대략 균일하게 처리되도록, 상기 처리조내에 있어서 상기 유지부를 요동시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼반송장치.
  18. 웨이퍼를 반송하는 웨이퍼반송장치로써,
    웨이퍼를 직접 또는 간접적으로 유지하는 유지부와,
    상기 유지부를 반송경로를 따라서 구동하고, 상기 반송경로의 중도에 있어서 웨이퍼의 처리조내에 상기 유지부를 침지해서 요동시키는 구동부를 구비하고,
    상기 구동부는, 웨이퍼의 외주부가 상기 처리조내에 형성된 돌출부와 접촉하는 것에 의해 해당 웨이퍼의 요동동작이 크게 되도록, 상기 처리조내에 있어서 상기 유지부를 요동시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼반송장치.
  19. 웨이퍼를 반송하는 웨이퍼반송장치로써,
    웨이퍼를 직접 또는 간접적으로 유지하는 유지부와,
    상기 유지부를 반송경로를 따라서 구동하고, 상기 반송경로의 중도에 있어서 웨이퍼의 처리조내에 상기 유지부를 침지해서 요동시키는 구동부를 구비하고,
    상기 구동부는, 웨이퍼의 외주부가 상기 처리조내에 형성된 돌출부와 접촉하는 것에 의해 웨이퍼가 회전하도록, 상기 처리조내에 있어서 상기 유지부를 요동시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼반송장치.
  20. 웨이퍼를 처리액속에 침지해서 처리하는 웨이퍼처리방법에 있어서, 웨이퍼처리조의 위쪽으로부터 웨이퍼를 지지하면서 해당 웨이퍼를 처리액속에 침지하고, 상기 처리조내에서 해당 웨이퍼를 요동시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  21. 제 20항에 있어서, 상기 웨이퍼를 상기 처리조내에 있어서 요동시키는 한편, 상기 처리액에 초음파를 발생시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  22. 제 20항 또는 제 21항에 있어서, 상기 처리조내에 있어서 웨이퍼를 요동시킬때에, 해당 웨이퍼의 외주부를 상기 처리조내에 형성된 돌출부와 접촉시킴으로써, 해당 웨이퍼의 요동동작을 크게 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  23. 제 20항 또는 제 21항에 있어서, 상기 처리조내에 있어서 웨이퍼를 요동시킬때에, 해당 웨이퍼의 외주부를 상기 처리조내에 형성된 돌출부와 접촉시킴으로써, 해당 웨이퍼를 회전시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  24. 제 20항 또는 제 21항에 있어서, 웨이퍼가 상기 처리액에 의해 대략 균일하게 처리되도록, 웨이퍼를 요동시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  25. 제 20항 또는 제 21항에 있어서, 상기 처리액으로서 에칭액을 이용해서, 상기 웨이퍼를 에칭하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  26. 제 20항 또는 제 21항에 있어서, 상기 처리액으로서 에칭액을 이용해서, 다공질실리콘층을 지닌 웨이퍼를 에칭하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  27. 제 26항에 기재된 웨이퍼처리방법을 제조공정의 일부에 적용해서 반도체기판을 제조하는 것을 특징으로 하는 반도체기판의 제조방법.
  28. 제 1항, 제 2항, 제 4항~제 8항 및 제 9항~제 15항 중 어느 한 항에 기재된 웨이퍼처리장치를 이용해서, 웨이퍼를 처리하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  29. 제 1항, 제 2항, 제 4항~제 8항 및 제 9항~제 15항 중 어느 한 항에 기재된 웨이퍼처리장치를 이용해서, 웨이퍼에 형성된 특정층을 에칭하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  30. 제 29항에 기재된 웨이퍼처리방법을 제조공정의 일부에 적용해서 반도체기판을 제조하는 것을 특징으로 하는 반도체기판의 제조방법.
  31. 제 1항에 있어서, 상기 부재는, 불소수지, 염화비닐, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT) 및 폴리에테르에테르케톤(PEEK)으로 이루어진 군으로부터 선택된 재료로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리장치.
  32. 제 22항에 있어서, 웨이퍼가 상기 처리액에 의해 대략 균일하게 처리되도록웨이퍼를 요동시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  33. 제 23항에 있어서, 웨이퍼가 상기 처리액에 의해 대략 균일하게 처리되도록 웨이퍼를 요동시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  34. 제 22항에 있어서, 상기 처리액으로써 에칭액을 이용해서, 상기 웨이퍼를 에칭하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  35. 제 23항에 있어서, 상기 처리액으로써 에칭액을 이용해서, 상기 웨이퍼를 에칭하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  36. 제 24항에 있어서, 상기 처리액으로써 에칭액을 이용해서, 상기 웨이퍼를 에칭하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  37. 제 22항에 있어서, 상기 처리액으로써 에칭액을 이용해서 다공질실리콘을 지닌 웨이퍼를 에칭하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  38. 제 23항에 있어서, 상기 처리액으로써 에칭액을 이용해서 다공질실리콘을 지닌 웨이퍼를 에칭하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  39. 제 24항에 있어서, 상기 처리액으로써 에칭액을 이용해서 다공질실리콘을 지닌 웨이퍼를 에칭하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  40. 제 3항에 기재된 웨이퍼처리장치를 이용해서 웨이퍼를 처리하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
  41. 제 3항에 있어서, 제 3항에 기재된 웨이퍼처리장치를 이용해서, 웨이퍼에 형성된 특정층을 에칭하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼처리방법.
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