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KR100381263B1 - 플라즈마 디스플레이 패널의 전극구조 및 서스테인전극구동방법 - Google Patents

플라즈마 디스플레이 패널의 전극구조 및 서스테인전극구동방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 휘도를 향상하도록 한 플라즈마 디스플레이 패널의 전극구조 및 서스테인전극 구동방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 전극구조는 제1 전극의 폭방향으로 제1 전극에서 길게 신장되는 제1 돌출부와, 제1 전극의 길이방향으로 제1 돌출부에서 길게 신장되는 다수의 제2 돌출부와, 제2 전극의 폭방향으로 제2 전극에서 길게 신장되는 제3 돌출부와, 제2 전극의 길이방향으로 제3 돌출부에서 길게 신장되는 다수의 제4 돌출부를 구비한다. 상기 제2 돌출부들과 상기 제4 돌출부들 각각은 교대로 배치되는 것을 특징으로 한다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 전극구조 및 서스테인전극 구동방법{Electrode Structure Of Plasma Display Panel and Method of Driving Sustain Electrode in The Plasma Display Panel}
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로, 특히 휘도를 향상하도록 한 플라즈마 디스플레이 패널의 전극구조 및 서스테인전극 구동방법에 관한 것이다.
일반적으로, 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : 이하 "PDP"라 함)은 셀 내부의 기체 방전현상을 이용하여 화상을 표시하는 발광형 표시소자이다. 이 PDP는 액정표시소자(Liquid Crystal Display : LCD)와 같이 각 셀마다 액티브 소자를 형성할 필요가 없다. 이 때문에 PDP는 제조공정이 간단하여 대형화에 유리하다.
이러한 PDP는 매트릭스 형태로 배열되어진 다수의 방전셀들을 가진다. 방전셀들은 방전을 서스테인시키기 위한 서스테인 전극 라인들과 방전될 셀을 선택하기 위한 어드레스 전극라인들의 교차점들 각각에 마련되게 된다.
PDP는 벽전하를 축적하기 위한 유전체층이 방전셀 내에 존재하는가에 따라 직류형 및 교류형 패널들로 대별된다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 교류형 3전극 PDP의 한 셀은 서스테인전극쌍(12A,12B)이 형성된 전면기판(10)과, 어드레스전극(20)이 형성된 배면기판(18)을 구비한다. 전면기판(10)과 배면기판(18)은 격벽(24)을 사이에 두고 평행하게 이격되며, 프리트 글라스(Frit Glass)에 의해 밀봉된다. 전면기판(10), 배면기판(18) 및 격벽(24)에 의해 마련되어진 방전공간에는 Ne-Xe, He-Xe 등의 혼합가스가 주입된다. 서스테인전극쌍(12A,12B)은 하나의 플라즈마 방전채널 내에 2 개가 한 쌍을 이루게 된다. 서스테인전극쌍(12A,12B) 중 어느 하나는 어드레스기간에 공급되는 스캔펄스에 응답하여 어드레스전극(20)과 함께 대향방전을 일으키고 서스테인기간에 공급되는 서스테인펄스에 응답하여 인접한 다른 서스테인전극과 면방전을 일으키는 주사전극으로 이용된다. 또한, 주사전극으로 이용되는 서스테인전극(12A 또는 12B)과 인접한 서스테인전극(12B 또는 12A)은 서스테인펄스가 공통으로 공급되는 공통서스테인전극으로 이용된다.
서스테인전극쌍(12A,12B) 각각은 상호 전기적으로 접속된 투명전극(30A,30B)과 금속전극(28A,28B)를 포함한다. 투명전극(30A,30B)은 개구율 저하를 방지하기 위하여 약 300μm의 전극폭으로 인듐틴옥사이드(Indium Tin Oxide : 이하 "ITO"라함)를 전면기판(10) 상에 증착함으로써 형성된다. 금속전극(28A,28B)은 은(Ag)이나 크롬(Cr)-구리(Cu)-크롬(Cr)의 3층 구조로 전면기판(10) 상에 증착된다. 이 금속전극(28A,28B)은 투명전극(30A,30B)으로 인한 전압강하를 줄이는 역할을 한다.
서스테인전극쌍(12A,12B)이 형성된 전면기판(10) 상에는 유전층(14)과 보호막(16)이 적층된다. 유전층(14)은 플라즈마 방전전류를 제한함과 아울러 방전시 벽전하를 축적하는 역할을 한다. 보호막(16)은 플라즈마 방전시 발생된 스퍼터링에 의한 유전층(14)의 손상을 방지하고 2차 전자의 방출 효율을 높이게 된다. 이 보호막(16)은 통상 산화마그네슘(MgO)으로 이루어진다. 배면기판(18)에는 어드레스전극(20)을 덮는 유전체후막(26)이 형성되며, 방전공간을 분할하기 위한 격벽들(24)이 수직으로 신장된다. 배면기판(18)과 격벽들(24)의 표면에는 진공 자외선에 의해 여기되어 가시광을 발생하는 형광체(22)가 도포된다.
이와 같은 PDP의 셀들(1)은 도 3에 도시된 바와 같이 패널(30) 상에 매트릭스 형태로 배치된다. 셀들(1) 각각에는 주사/서스테인전극라인(S1 내지 Sm), 공통서스테인전극라인(C1 내지 Cm) 및 어드레스전극라인(D1 내지 Dn)이 교차된다. 주사/서스테인전극라인(S1 내지 Sm)과 공통서스테인전극라인(C1 내지 Cm)은 도 1에서 서스테인전극쌍(12A,12B)으로 이루어진다. 그리고 어드레스전극라인(D1 내지 Dn)은 어드레스전극(20)으로 이루어진다.
이러한 PDP는 한 프레임이 다수의 서브필드로 구성되어 서브필드의 조합에 의해 계조가 실현된다. 예를 들어, 256 계조를 실현하고자 하는 경우에 한 프레임 기간은 8개의 서브필드들로 시분할된다. 아울러, 8개의 서브 필드들 각각은 리셋기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간으로 다시 나누어지게 된다. 리셋기간에는 전화면이 초기화된다. 어드레스 기간에는 데이터가 표시될 셀들이 라이팅방전에 의해 선택되어진다. 선택된 셀들은 서스테인 기간에 방전이 서스테인된다. 서스테인 기간은 서브필드들 각각의 가중치에 따라 2n 에 해당하는 기간씩 길어지게 된다. 다시 말하여, 제1 내지 제8 서브필드들 각각에 포함되어진 서스테인 기간은 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27 의 비율로 길어지게 된다. 이를 위하여, 서스테인 기간에 발생되는 서스테인 펄스의 수도 서브필드들에 따라 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27 로 증가된다. 이들 서브필드들의 조합에 따라 표시영상의 휘도 및 색도가 결정되게 된다.
PDP의 발광과정을 상세히 설명하면 다음과 같다. 먼저, 리셋기간에 일어나는 리셋방전에 의해 전화면의 셀 내에는 벽전하가 균일하게 축적된다. 어드레스기간에는 주사/서스테인전극라인(S1 내지 Sm)과 어드레스전극라인(D1 내지 Dn)에 공급되는 어드레스 방전 전압에 의해 선택된 셀들에 라이팅방전이 일어난다. 이어서, 주사/서스테인전극라인(S1 내지 Sm)과 공통서스테인전극라인(C1 내지 Cm)에 교번적으로 서스테인펄스가 공급되면 어드레스기간에 선택된 셀들의 방전이 서스테인된다.
셀 내에서 플라즈마 방전이 일어나면, 셀 내의 방전가스들 중의 미량 전자들이 가속되기 시작하고 중성입자와 연속적으로 충돌한다. 이러한 에벌런치(Avalanche) 효과에 의해 셀 내의 방전가스들은 빠른 속도로 전자와 이온으로 전리되어 플라즈마 상태로 되는 동시에 진공 자외선(Vacuum Ultraviolet)이발생된다. 이 진공자외선은 형광체(22)를 여기시켜 형광체(22)로 하여금 가시광을 발생하게 한다.
그러나 종래의 PDP는 그 방전구조상 휘도를 만족할만한 수준까지 향상시키는데 한계가 있다. 이를 상세히 하면, PDP의 서스테인방전시에는 도 4와 같이 주사/서스테인전극라인(S1 내지 Sm)과 공통서스테인전극라인(C1 내지 Cm) 사이의 대향된 한 면에서 시작되어 점차 셀 전체로 확산된다. 이러한 방전구조는 방전이 주사/서스테인전극라인(S1 내지 Sm)과 공통서스테인전극라인(C1 내지 Cm) 사이의 한 면에서만 집중적으로 일어나기 때문에 휘도가 낮게 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 휘도를 향상하도록 한 PDP의 전극구조 및 서스테인전극 구동방법을 제공하는데 있다.
도 1은 종래의 교류형 3전극 PDP의 한 셀을 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 셀의 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 셀의 배치를 나타내는 평면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 PDP에서 두 라인의 서스테인방전을 나타내는 평면도이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 PDP의 한 셀을 나타내는 사시도이다.
도 6은 도 5에 도시된 PDP의 평면도이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 PDP의 한 셀을 나타내는 사시도이다.
도 8은 도 7에 도시된 PDP의 평면도이다.
도 9A 및 도 9B는 본 발명의 제3 실시예에 따른 PDP를 나타내는 평면도이다.
도 10은 본 발명의 제4 실시예에 따른 PDP를 나타내는 평면도이다.
도 11A 내지 도 11C는 본 발명의 제5 실시예에 따른 PDP를 나타내는 평면도이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
10,40 : 전면기판 14,26 : 유전층
16 : 보호막 18 : 배면기판
20 : 어드레스전극 22 : 형광체
54A,54B,104A,104B,114A,114B,124A,124B : 굴절전극
12A,12B,50A,50B,56A,56C,100A,100B,110A,110B,120A,120B : 서스테인전극쌍
24 : 격벽
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 PDP의 전극구조는 제1 전극의 폭방향으로 제1 전극에서 길게 신장되는 제1 돌출부와, 제1 전극의 길이방향으로 제1 돌출부에서 길게 신장되는 다수의 제2 돌출부와, 제2 전극의 폭방향으로 제2 전극에서 길게 신장되는 제3 돌출부와, 제2 전극의 길이방향으로 제3 돌출부에서 길게 신장되는 다수의 제4 돌출부를 구비한다. 상기 제2 돌출부들과 상기 제4 돌출부들 각각은 교대로 배치되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 PDP의 서스테인전극 구동방법은 제1 전극의 폭방향으로 제1 전극에서 길게 신장되는 제1 돌출부, 제1 전극의 길이방향으로 제1 돌출부에서 길게 신장되는 다수의 제2 돌출부, 제2 전극의 폭방향으로 제2 전극에서 길게 신장되는 제3 돌출부 및, 제2 전극의 길이방향으로 상기 제3 돌출부에서 길게 신장되며 제2 돌출부와 교대로 배치되는 다수의 제4 돌출부를 구비하는 PDP의 구동방법에 있어서, 셀 내의 적어도 두 지점 이상에서 서스테인 방전이 일어나도록 제2 및 제4 돌출부들 사이에서 방전이 일어나게 함과 아울러 제2 및 제4 돌출부와 제1 및 제2 전극 사이에 방전이 일어나게 하는 단계를 포함한다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부한 도면들을 참조한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부한 도 5 내지 도 8을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 PDP의 전극구조를 나타낸다. 도 5 및 도 6에 있어서, 도 1에 도시된 PDP와 동일한 구조 및 기능을 가지는 구성요소들에 대하여는 동일한 도면부호를 붙이고 상세한 설명을 생략한다.
도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 PDP는 서스테인전극쌍(50A,50B) 각각에 접속된 굴절전극(54A,54B)이 형성된 전면기판(40)과, 어드레스전극(20)이 형성된 배면기판(18)을 구비한다. 서스테인전극쌍(50A,50B) 중 어느 하나는 어드레스기간에 공급되는 스캔펄스에 응답하여 어드레스전극(20)과 함께 대향방전을 일으키고 서스테인기간에 공급되는 서스테인펄스에 응답하여 인접한 다른 굴절전극과 면방전을 일으키는 주사전극으로 이용된다. 주사전극과 다른 서스테인전극(50A,50B)은 서스테인펄스가 공통으로 공급되는 공통서스테인전극으로 이용된다. 굴절전극들(54A,54B)은 서스테인전극쌍(50A,50B)으로부터 공급되는 전압에 의해 상호 간에 방전되거나 서스테인전극쌍(50A,50B)과 방전됨으로써 셀 내의 다수 지점에서 방전이 일어나게 한다. 이 서스테인전극쌍(50A,50B)은(Ag)이나 크롬(Cr)-구리(Cu)-크롬(Cr)의 3층 구조로 형성된다.
굴절전극들(54A,54B)은 "T"자형으로 패터닝된 투명전극이다. 투명전극의 재료로는 형광체(22)로부터 발광되는 광에 대한 투과도가 높고 전기전도도가 높은 투명 도전성 전극물질 예를 들면, ITO 등으로 선택된다. 또한, 굴절전극들(54A,54B)은 금속전극으로 제작될 수도 있다. 굴절전극들(54A,54B)은 서스테인전극쌍(50A,50B)에 연결된 제1 돌출부(52A,52C)와, 제1 돌출부(52A,52C)에서 서스테인전극쌍(50A,50B)의 길이방향으로 굴절되는 제2 돌출부(52B,52D)를 포함한다. 제1 돌출부(52A,52C)는 격벽(24)과 중첩되는 위치 즉, 셀 간 경계부에 위치한다. 이러한 굴절전극들(54A,54B)과 서스테인전극쌍(50A,50B)이 형성된 전면기판(40) 상에는 도시하지 않은 유전층과 보호막이 도 1과 같이 적층된다.
이와 같은 굴절전극들(54A,54B)의 구조에 있어서, 도 6에 나타낸 바와 같이 서스테인전극쌍(50A,50B)과 제2 돌출부(52B,52D) 간의 간격(a,c)과, 제2 돌출부들(52B,52D) 상호 간의 간격(b)은 등간격(a=b=c)이다. 따라서, 서스테인전극쌍(50A,50B)에 서스테인전압이 인가되면, 서스테인전극쌍(50A,50B)과 제2 돌출부(52B,52D) 사이에 방전이 일어남과 동시에, 제2 돌출부들(52B,52D) 상호간에 방전이 일어나고 점차로 셀 전체로 확산된다. 즉, 매 서스테인펄스가 공급될 때마다 셀 내의 세 지점에서 동시에 서스테인 방전이 시작된다. 이렇게 서스테인 방전이 셀 내에서 동시에 여러 군데서 발생되면 그 만큼 방전개시시점에서의 발광휘도가 높아짐은 물론 발광효율과 방전공간 활용도가 높아지게 된다.
한편, 전극간 간격(a,b,c)이 동일하지 않으면, 이들 중 가장 간격이 가장 가까운 전극들 사이에서 방전이 먼저 일어난 후, 상대적으로 전극간 간격이 큰 전극들 사이에서 방전이 일어난다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 PDP의 전극구조를 나타낸다.도 7 및 도 8에 있어서, 도 1에 도시된 PDP와 동일한 구조 및 기능을 가지는 구성요소들에 대하여는 동일한 도면부호를 붙이고 상세한 설명을 생략한다.
도 7을 참조하면, 본 발명에 따른 PDP는 폭방향으로 신장되는 돌출부(56B,56D)를 가지는 서스테인전극쌍(56A,56C)과, 돌출부(56B,56D)에 접촉되고 서스테인전극쌍(56A,56C)의 길이방향으로 형성되는 투명전극(58A,58B)을 구비한다. 서스테인전극쌍(56A,56C)의 돌출부(56B,56D)는 도 5에 도시된 투명전극(54A,54B)의 제1 돌출부(52A,52C)에 의한 전압강하양을 줄임과 아울러 투명전극(58A,58B)에 전압신호를 공급하는 역할을 한다. 이 돌출부(56B,56D)는 상호 대향된 금속전극쌍(56A,56C)에서 교번적으로 형성되며, 격벽(24)과 수직으로 대향되어 셀간 경계부에 위치한다. 따라서, 돌출부(56B,56D)는 형광체(22)로부터 발광되어 표시면 쪽으로 진행하는 가시광을 간섭하지 않는다. 이러한 서스테인전극쌍(56A,56C)은 은(Ag)이나 크롬(Cr)-구리(Cu)-크롬(Cr)의 3층 구조로 형성된다. 투명전극(54A,54B)은 투명 도전성 전극 물질 예를 들면, ITO나 IZO로서 서스테인전극쌍(56A,56C)의 길이방향으로 형성되어 서스테인 방전이 동시에 셀 내의 다수 지점에서 발생되게 한다.
도 8에 나타낸 바와 같이 서스테인전극쌍(56A,56C)의 돌출부(56B,56D) 및 투명전극(58A,58B) 간의 간격과, 투명전극들(58A,58B) 상호 간의 간격(b)은 등간격(a=b=c)이다. 따라서, 서스테인전극쌍(56A,56C)에 서스테인전압이 인가되면, 돌출부(56B,56D)와 투명전극(58A,58B) 간의 간격과 투명전극(58A,58B) 간의 간격에서 동시에 방전이 시작된다.
도 9A 내지 도 11C는 본 발명의 다른 실시예에 따른 PDP들의 전극구조를 나타낸다. 도 9A 내지 도 11C에 있어서, 도 1에 도시된 PDP와 동일한 구조 및 기능을 가지는 구성요소들에 대하여는 동일한 도면부호를 붙이고 상세한 설명을 생략한다.
도 9A 및 도 9B를 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 PDP는 다수의 제2 돌출부들(102B,102D)을 가지는 굴절전극(104A,104B)을 구비한다. 굴절전극들(104A,104B)은 투명 도전성 전극물질이나 금속으로 형성된다. 서스테인전극쌍(100A,100B)은 금속으로 형성되어 굴절전극(104A,104B)의 제1 돌출부(102A,102C)와 연결된다. 굴절전극들(104A,104B)은 제1 돌출부(102A,102C)가 서스테인전극쌍(100A,100B)의 폭방향으로 신장되고 다수의 제2 돌출부들(102B,102D)가 서스테인전극쌍(100A,100B)의 길이방향으로 신장되도록 트리구조로 패터닝된다. 제1 돌출부(102A,102C)는 격벽(24)과 중첩되는 위치 즉, 셀 간 경계부에 위치한다. 이러한 굴절전극들(104A,104B)과 서스테인전극쌍(100A,100B)이 형성된 전면기판(40) 상에는 도시하지 않은 유전층과 보호막이 적층된다.
이와 같은 굴절전극들(104A,104B)의 구조에 있어서, 서스테인전극쌍(100A,100B)과 제2 돌출부들(102B,102D) 간의 간격과, 제2 돌출부들(102B,102D) 상호 간의 간격은 등간격이다. 따라서, 서스테인전극쌍(100A,100B)에 서스테인전압이 인가되면, 서스테인전극쌍(100A,100B)과 제2 돌출부들(102B,102D) 사이에 방전이 일어남과 동시에, 제2 돌출부들(102B,102D) 상호간에 방전이 일어나고 점차로 셀 전체로 확산된다. 즉, 매 서스테인펄스가 공급될 때마다 셀 내의 다수지점에서 동시에 서스테인 방전이 시작된다. 또한, 서스테인전극쌍(100A,100B)과 제2 돌출부들(102B,102D) 간의 간격과, 제2 돌출부들(102B,102D) 상호 간의 간격은 서로 다른 간격으로 형성될 수도 있다. 이 경우, 전극간 간격이 좁은 전극들 사이에서 방전이 개시되고 그 직후에 전극간 간격이 상대적으로 넓은 전극들 사이에 방전이 일어난다.
한편, 본 발명의 제1 실시예에서는 낮은 전압에도 방전이 안정되게 일어날 수 있도록 도 5에 도시된 굴절전극(54A,54B)의 제2 돌출부들(52B,52D) 상호간의 간격이나 제2 돌출부들(52B,52D)과 서스테인전극쌍(50A,50B)의 간격이 좁게 조정되어야 한다. 그리고 이렇게 전극들 간의 간격을 좁게 하기 위해서는 제2 돌출부들(52B,52D)의 폭을 크게 하여야 한다. 그러나 제2 돌출부들(52B,52D)이 커지게 되면 그 만큼 개구율이 떨어지게 된다. 이에 비하여, 도 9A 및 도 9B에 도시된 굴절전극들(104A,104B)은 제2 돌출부들(102B,102D)의 수가 많기 때문에 간격 조정이 쉽게 되므로 제2 돌출부들(102B,102D)을 크게 할 필요가 없다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 PDP는 제1 돌출부들(112A,112C)로부터 일정 각도로 경사지게 신장되는 다수의 제2 돌출부들(112B,112D)을 가지는 굴절전극(114A,114B)을 구비한다. 굴절전극들(114A,114B)은 투명 도전성 전극물질이나 금속으로 형성된다. 서스테인전극쌍(110A,110B)은 금속으로 형성되어 굴절전극(114A,114B)의 제1돌출부(112A,112C)와 연결된다. 굴절전극들(114A,114B)은 제1 돌출부(112A,112C)가 서스테인전극쌍(100A,100B)의 폭방향으로 신장되고 다수의 제2 돌출부들(112B,112D)이 소정 각도로 경사지도록 트리구조로 패터닝된다. 제1 돌출부(112A,112C)는 격벽(24)과 중첩되는 위치 즉, 셀 간 경계부에 위치한다. 이러한 굴절전극들(114A,114B)과 서스테인전극쌍(110A,110B)이 형성된 전면기판(40) 상에는 도시하지 않은 유전층과 보호막이 적층된다.
이와 같은 굴절전극들(114A,114B)의 구조에 있어서, 제2 돌출부들(112B,112D) 상호 간의 간격은 등간격이다. 따라서, 서스테인전극쌍(110A,110B)에 서스테인전압이 인가되면, 제2 돌출부들(112B,112D) 상호간에 방전이 일어나고 점차로 셀 전체로 확산된다. 이와 같은 굴절전극들(114A,114B)은 제2 돌출부들(112B,112D)의 수가 많기 때문에 전극간 간격이 좁아지게 되므로 전극간 간격 조정이 용이하고 제2 돌출부들(112B,112D)을 크게 할 필요가 없다. 또한, 제2 돌출부들(112B,112D) 상호 간의 간격은 서로 다른 간격으로 형성될 수도 있다.
이와 같은 전극구조는 제2 돌출부들(112B,112D)이 소정 각도로 경사지게 되므로 앞의 실시예들에서 수평방향으로 신장되는 제2 돌출부에 비하여 그 길이가 길어지게 된다. 따라서, 제2 돌출부들(112B,112D) 간의 방전면적이 커지게 된다.
도 11A 내지 도 11C를 참조하면, 본 발명의 제5 실시예에 따른 PDP의 굴절전극(124A,124B)은 서스테인전극쌍(120A,120B)에 수직하는 제1 돌출부들(122A,122D)과, 제1 돌출부들(122A,122D)로부터 일정 각도로 경사지게 신장되는 다수의 제2 돌출부들(122B,122E)과, 서스테인전극쌍(120A,120B)과 나란하게 대향하는 제3 돌출부들(122C,122F)을 구비한다. 굴절전극들(124A,124B)은 투명 도전성 전극물질이나 금속으로 형성된다. 서스테인전극쌍(120A,120B)은 금속으로 형성되어 굴절전극(124A,124B)의 제1 돌출부(122A,122D)와 연결된다. 제1 돌출부(122A,122D)는 격벽(24)과 중첩되는 위치 즉, 셀 간 경계부에 위치한다. 이러한 굴절전극들(124A,124B)과 서스테인전극쌍(110A,110B)이 형성된 전면기판(40) 상에는 도시하지 않은 유전층과 보호막이 적층된다.
이와 같은 굴절전극들(124A,124B)의 구조에 있어서, 제2 돌출부들(122B,122E) 상호 간의 간격과, 서스테인전극쌍(120A,120B)과 제3 돌출부들(122C,122F) 사이의 간격은 등간격이다. 따라서, 서스테인전극쌍(120A,120B)에 서스테인전압이 인가되면, 제2 돌출부들(122B,122E) 상호간에 방전이 일어남과 동시에, 서스테인전극쌍(120 A,120B)과 제3 돌출부들(122C,122F) 사이에 방전이 일어나고 점차로 셀 전체로 확산된다. 제2 돌출부들(122B,122E) 상호 간의 간격과, 서스테인전극쌍(120A,120B)과 제3 돌출부들(122C,122F) 사이의 간격은 달라질 수도 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 PDP의 전극구조 및 서스테인전극 구동방법은 서스테인전극 간에 방전이 다수 지점에서 일어날 수 있도록 서스테인전극 각각을 굴절구조로 형성함으로써 서스테인 방전이 셀 내의 다수 지점에서 동시에 일어나게 한다. 그 결과, 본 발명에 따른 PDP의 전극구조 및 서스테인전극 구동방법은 휘도가 높아지게 된다. 나아가, 본 발명에 따른 PDP의 전극구조 및 서스테인전극 구동방법은 투명전극이 줄어들게 되므로 투명전극에 의한 전압강하양을 줄임으로써 소비전력을 낮출 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.

Claims (20)

  1. 제1 전극과 제2 전극을 포함하는 서스테인전극쌍을 가지는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서,
    상기 제1 전극의 폭방향으로 상기 제1 전극에서 길게 신장되는 제1 돌출부와,
    상기 제1 전극의 길이방향으로 상기 제1 돌출부에서 길게 신장되는 다수의 제2 돌출부와,
    상기 제2 전극의 폭방향으로 상기 제2 전극에서 길게 신장되는 제3 돌출부와,
    상기 제2 전극의 길이방향으로 상기 제3 돌출부에서 길게 신장되는 다수의 제4 돌출부를 구비하며,
    상기 제2 돌출부들과 상기 제4 돌출부들 각각은 교대로 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극구조.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀들을 구획하기 위한 격벽을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극구조.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1 및 제3 돌출부는 상기 격벽과 중첩되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극구조.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 돌출부는 상기 제1 돌출부의 양측에서 상기 제1 전극의 길이방향으로 신장되며,
    상기 제4 돌출부는 상기 제3 돌출부의 양측에서 상기 제2 전극의 길이방향으로 신장되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극구조.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 전극과 상기 제2 돌출부 사이의 간격과 상기 제2 돌출부들 사이의 간격은 등간격이며,
    상기 제2 전극과 상기 제4 돌출부 사이의 간격과 상기 제4 돌출부들 사이의 간격은 등간격인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극구조.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 및 제4 돌출부들 사이의 방전과 상기 제2 및 제4 돌출부와 상기 서스테인전극쌍 사이의 방전은 동시에 일어나는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극구조.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 전극과 상기 제2 돌출부 사이의 간격과 상기 제2 돌출부들 상호 간의 간격은 서로 다르며,
    상기 제2 전극과 상기 제4 돌출부 사이의 간격과 상기 제4 돌출부들 상호 간의 간격은 서로 다른 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극구조.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 돌출부들은 투명 전도성 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극구조.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 돌출부들은 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극구조.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 및 제3 돌출부는 금속으로 형성되며,
    상기 제2 및 제4 돌출부는 투명 전도성 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극구조.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 서스테인전극쌍은 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극구조.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 및 제4 돌출부 중 적어도 어느 하나는 상기 서스테인전극쌍에 대하여 소정 각도로 경사지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극구조.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 돌출부들은 투명 전도성 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극구조.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 돌출부들은 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극구조.
  15. 제1 전극의 폭방향으로 상기 제1 전극에서 길게 신장되는 제1 돌출부, 상기 제1 전극의 길이방향으로 상기 제1 돌출부에서 길게 신장되는 다수의 제2 돌출부, 제2 전극의 폭방향으로 상기 제2 전극에서 길게 신장되는 제3 돌출부 및, 상기 제2 전극의 길이방향으로 상기 제3 돌출부에서 길게 신장되며 상기 제2 돌출부와 교대로 배치되는 다수의 제4 돌출부를 구비하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법에 있어서,
    셀 내의 적어도 두 지점 이상에서 서스테인 방전이 일어나도록 상기 제2 및 제4 돌출부들 사이에서 방전이 일어나게 함과 아울러 상기 제2 및 제4 돌출부와 상기 제1 및 제2 전극 사이에 방전이 일어나게 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 서스테인전극 구동방법.
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