[go: up one dir, main page]

KR100348220B1 - 리프레쉬장치 - Google Patents

리프레쉬장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100348220B1
KR100348220B1 KR10-1998-0029305A KR19980029305A KR100348220B1 KR 100348220 B1 KR100348220 B1 KR 100348220B1 KR 19980029305 A KR19980029305 A KR 19980029305A KR 100348220 B1 KR100348220 B1 KR 100348220B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
refresh
signal
address
command signal
generating
Prior art date
Application number
KR10-1998-0029305A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20000009111A (ko
Inventor
김미영
김종우
Original Assignee
주식회사 하이닉스반도체
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 하이닉스반도체 filed Critical 주식회사 하이닉스반도체
Priority to KR10-1998-0029305A priority Critical patent/KR100348220B1/ko
Publication of KR20000009111A publication Critical patent/KR20000009111A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100348220B1 publication Critical patent/KR100348220B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/406—Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/18—Address timing or clocking circuits; Address control signal generation or management, e.g. for row address strobe [RAS] or column address strobe [CAS] signals

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 메모리소자에서 사용되는 리프레쉬 장치에 관한 것으로, 리프레쉬의 수행 중 입력된 리프레쉬 명령신호의 전달을 막도록 리프레쉬 카운터의 동작을 제어하여 메모리 셀의 안정적인 리프레쉬 동작을 확보하기 위해, 메모리 셀의 리프레쉬 명령신호를 입력받아 라스바신호를 발생시키는 라스신호 발생부와, 리프레쉬를 수행하기 위해 내부 어드레스를 출력하는 어드레스 카운팅부와, 상기 라스바신호 및 외부로부터 입력된 리프레쉬 명령신호를 조합하여 상기 어드레스 카운팅부의 동작을 제어하는 신호를 발생시키는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 한다.

Description

리프레쉬 장치
본 발명은 반도체 메모리소자의 리프레쉬 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 리프레쉬 수행 중에 입력된 리프레쉬 명령신호의 전달을 막아 리프레쉬 카운터의 동작을 제어하므로써 메모리 셀의 안정적인 리프레쉬 동작을 확보한 리프레쉬 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 디램(DRAM) 또는 싱크로너스 디램(synchronous DRAM) 등의 메모리소자는 셀 자체가 다이나믹 셀(dynamic cell)로 이루어지기 때문에 일정시간이 지나면 셀에 저장된 데이타가 파괴되어서 일정한 주기단위로 다시 쓰기(rewrite)를해주어야 하는데, 이를 리프레쉬(refresh)라 하며, 상기 리프레쉬 동작에서 한 셀이 리프레쉬를 수행하고 나서 다시 그 셀이 리프레쉬 동작을 수행하기까지의 시간을 ‘리프레쉬 시간’, 또는 ‘리프레쉬 주기’라 한다.
그리고, 리프레쉬 장치는 자동 리프레쉬(automatic refresh)나 셀프 리프레쉬(self refresh)명령신호가 들어올 때마다 내부 어드레스를 증가시키는 리프레쉬 카운터를 구비하며, 정상동작에서는 상기 리프레쉬 명령신호가 상기 리프레쉬 주기를 만족하며 입력된다. 예를 들어, 셀프 리프레쉬(self refresh)의 경우는 리프레쉬 카운터로 들어오는 입력신호를 내부적으로 일정한 간격(리프레쉬 주기이상의 시간)으로 발생시키며, 자동 리프레쉬(automatic refresh)의 경우는 외부 제어기에서 리프레쉬 명령신호가 발생되어 상기 리프레쉬 주기를 만족하며 메모리의 외부 입력신호로 들어오게 된다.
그런데, 만약 리프레쉬 명령신호가 리프레쉬 주기를 만족하지 못하는 상태로 입력될 경우에는, 상기 리프레쉬 카운터가 바람직하지 못한 카운팅 동작을 유발하는 문제점이 발생한다.
도 1 은 종래에 사용된 리프레쉬 장치의 동작 타이밍도를 나타낸 것으로, 도 1(a)에 도시된 바와 같이 클럭신호(CLK)의 상승에지부에서 리프레쉬 명령신호(AREF1∼AREF4)가 입력되면, 리프레쉬 동작을 위해 워드라인(word line)을 활성화시키는 라스바(/RAS)신호가 도 1(b)에 도시된 바와 같이 ‘로우’로 천이된다.
그런데, 종래의 리프레쉬 장치는 상기 리프레쉬 명령신호(AREF1∼AREF4)에따라 발생된 리프레쉬 카운터 인에이블신호(REF_CNT_EN)가 바로 리프레쉬 카운터로 입력되어 상기 리프레쉬 카운터는 내부 어드레스를 증가시키는 카운팅동작을 곧바로 수행하였다. 이 때, 상기 리프레쉬 카운터의 동작을 제어하는 리프레쉬 카운터 인에이블신호(REF_CNT_EN)가 도 1(c)에 도시된 바와 같이 상기 리프레쉬 명령신호(AREF1∼AREF4)의 입력 수만큼 발생한다.
그래서, 메모리 셀이 리프레쉬를 수행하고 있는 중에 상기 리프레쉬 카운터는 어드레스 카운팅 동작을 계속하게 되어, 도 1(d)와 도 1(e)에 도시된 바와 같이 내부 어드레스신호가 계속 증가하여 변하게 된다. 그 결과, 리프레쉬를 수행하고 난 후 입력된 리프레쉬 명령신호(동 도면에서는 AREF2, AREF3가 된다)에 대해 리프레쉬 카운터에서 발생된 내부 어드레스신호는 원치않는 어드레스가 된다. 이 경우, 리프레쉬 카운터의 과도 카운팅 동작으로 인해 내부 어드레스신호가 크게 증가해 있기 때문에, 리프레쉬 동작 중간에 건너뛴 내부 어드레스에 해당하는 메모리 셀의 데이타는 리프레쉬 주기동안 리프레쉬 동작을 수행하지 못하여 데이터 값을 잃어버리게 되는 문제가 발생된다.
상기 동작에 의해, 종래의 리프레쉬 장치는 리프레쉬 동작이 안정되지 못한 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 리프레쉬 수행 중에 입력되는 리프레쉬 명령신호의 전달을 막아 리프레쉬 카운터의 동작을 제어하는 별도의 제어부를 구비하므로써, 메모리 셀의 안정적인 리프레쉬 동작을 확보한 리프레쉬 장치를 제공하는데 있다.
도 1 은 종래에 사용된 리프레쉬 장치의 동작 타이밍도
도 2 는 본 발명에 의한 리프레쉬 장치의 구성도
도 3 은 도 2 에 도시된 리프레쉬 장치의 동작 타이밍도
〈 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 〉
10: 라스신호 발생부 20: 어드레스 카운팅부
30: 어드레스 카운터 제어부
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 리프레쉬 장치는 리프레쉬 명령신호를 입력받아 라스바신호를 발생시키는 라스신호 발생부와,
리프레쉬를 수행하기 위한 내부 어드레스를 발생하는 어드레스 카운팅부와,
상기 리프레쉬 명령신호와 상기 라스바 신호를 조합하여 상기 어드레스 카운팅부의 동작을 제어하는 카운팅 인에이블신호를 발생시키는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상술한 목적 및 기타의 목적과 본 발명의 특징 및 이점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2 는 본 발명에 의한 리프레쉬 장치의 구성도를 나타낸 것으로, 리프레쉬 명령신호(AREF1)를 입력받아 라스바신호(/RAS; Row Address Strobe)를 발생시키는 라스신호 발생부(10)와, 리프레쉬 동작을 수행하기 위한 내부 어드레스를 발생하는 어드레스 카운팅부(20)와, 리프레쉬 명령신호(AREFp)와 상기 라스바 신호(/RAS)를 앤드 조합하여 상기 어드레스 카운팅부(20)의 동작을 제어하는 리프레시 카운터 제어신호(REF_CNT_EN)를 발생시키는 리프레쉬 카운터 제어부(30)로 구성된다.
그리고, 상기 리프레쉬 카운터 제어부(30)는 리프레쉬 명령신호(AREFp)와 상기 라스바 신호(/RAS)를 낸드 조합하는 낸드게이트(NAND1)와, 그낸드게이트(NAND1)의 출력신호를 반전시키는 인버터(I1)로 구성된다.
도 3 은 상기 구성을 갖는 본 발명에 따른 리프레쉬 장치의 동작 타이밍도를 나타낸 것으로, 이를 참조하며 본 발명의 동작을 살펴보기로 한다.
우선, 도 3(a)에 도시된 바와 같이 클럭신호(CLK)의 상승 에지부에서 리프레쉬 명령신호(AREF1∼AREF4)가 라스신호 발생부(10)에 입력되면, 리프레쉬 동작을 위해 워드라인(word line)을 활성화시키는 라스바(/RAS)신호가 도 3(b)에 도시된 바와같이 ‘로우’레벨로 발생된다. 그리고, 첫 번째 리프레쉬 명령신호(AREF1)가 리프레쉬 카운터로 입력되는데, 이때 상기 리프레쉬 카운터에서 발생된 내부 어드레스(internal add)에 해당하는 워드라인(word line)의 리프레쉬가 수행된다.
그런데, 본 발명에서는 내부 어드레스(internal add)의 카운팅을 제어하는 리프레쉬 카운터 제어신호(REF_CNT_EN)가 외부에서 즉시 입력되는 리프레쉬 명령신호(AREF)가 아닌 라스 신호 발생부(10)에서 출력된 라스바신호(/RAS)와 조합된 리프레쉬 명령신호이기 때문에, 상기 라스바신호(/RAS)가 ‘로우’로 활성화되어 있는 동안-즉, 리프레쉬가 수행중인 동안-에는 상기 리프레쉬 카운터 제어신호(REF_CNT_EN)가 발생하지 않게 된다. 그래서, 리프레쉬가 수행중인 동안에는 리프레쉬 카운팅부(20)의 어드레스 카운팅동작이 억제되기 때문에, 도 3(d)와 도 3(e)에 도시된 바와 같이 내부 어드레스(internal add)가 증가되지 않는다.
그리고, 리프레쉬 수행 후, 다시 리프레쉬 명령신호(도 3에서 AREF4로 도시됨)가 입력되면 상기 리프레쉬 카운터 제어신호(REF_CNT_EN)가 다시 ‘하이’펄스로 발생되어 상기 어드레스 카운팅부(20)는 어드레스 카운팅동작을 수행하고, 이에따라 내부 어드레스(internal add)가 증가되어 상기 어드레스에 해당하는 워드라인의 리프레쉬 동작이 수행되게 된다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 리프레쉬 장치에 의하면, 리프레쉬 수행 중에 입력되는 리프레쉬 명령신호의 전달을 막아 리프레쉬 카운터의 동작을 제어하는 별도의 제어부를 구비함으로써 리프레쉬 동작 중에 내부 어드레스의 증가를 막을 수 있으며, 또한 상기 내부 어드레스의 증가로 발생되는 리프레쉬 오동작을 막고 안정적인 리프레쉬 동작을 수행할 수 있는 매우 뛰어난 효과가 있다.
아울러 본 발명의 바람직한 실시예들은 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가 등이 가능할 것이며, 이러한 수정 변경 등은 이하의 특허청구의 범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.

Claims (2)

  1. 리프레쉬 명령신호를 입력받아 라스바신호를 발생시키는 라스신호 발생부와,
    리프레쉬를 수행하기 위해 워드라인을 구동하는 내부 어드레스를 발생하는 리프레쉬 어드레스 카운팅부와,
    상기 라스바신호가 디스에이블되었을 때 상기 리프레쉬 명령신호를 이용하여 상기 어드레스 카운팅부를 인에이블시키는 리프레쉬 카운트 제어신호를 발생시키는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 리프레쉬 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 라스바신호 및 상기 리프레쉬 명령신호를 논리조합하는 앤드조합 논리소자로 구성하는 것을 특징으로 하는 리프레쉬장치.
KR10-1998-0029305A 1998-07-21 1998-07-21 리프레쉬장치 KR100348220B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-1998-0029305A KR100348220B1 (ko) 1998-07-21 1998-07-21 리프레쉬장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-1998-0029305A KR100348220B1 (ko) 1998-07-21 1998-07-21 리프레쉬장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20000009111A KR20000009111A (ko) 2000-02-15
KR100348220B1 true KR100348220B1 (ko) 2003-01-15

Family

ID=19544748

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-1998-0029305A KR100348220B1 (ko) 1998-07-21 1998-07-21 리프레쉬장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100348220B1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR20000009111A (ko) 2000-02-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7492658B2 (en) Apparatus and method for self-refreshing dynamic random access memory cells
US5379261A (en) Method and circuit for improved timing and noise margin in a DRAM
JP3220586B2 (ja) 半導体記憶装置
KR100232749B1 (ko) 반도체 메모리장치
KR100193409B1 (ko) 반도체 장치의 파워관리 회로 및 반도체 메모리장치
KR100482365B1 (ko) 의사 스태틱 랜덤 억세스 메모리 장치의 리플레쉬제어회로 및 그 제어방법
US6912169B2 (en) Synchronous semiconductor memory device
JP2843481B2 (ja) リフレッシュアドレステスト回路を備えた半導体メモリ装置
KR20020002659A (ko) 반도체 메모리 장치의 셀프 리프레시 회로
CN101276640A (zh) 半导体存储器、系统及半导体存储器的操作方法
US7327631B2 (en) Semiconductor memory device and method of operating semiconductor memory device
WO1996028825A1 (fr) Memoire a semi-conducteur
US6026041A (en) Semiconductor memory device
US7167948B2 (en) Semiconductor memory device
KR100305021B1 (ko) 라스 액세스 시간 제어 회로
US5619457A (en) Dynamic semiconductor memory device that can control through current of input buffer circuit for external input/output control signal
KR100348220B1 (ko) 리프레쉬장치
JP4804609B2 (ja) セルアレイ電源の上昇を防止したメモリ回路
JP2004185686A (ja) 半導体記憶装置
KR100480553B1 (ko) 디램장치의리프레쉬제어방법
JP2000222878A (ja) ダイナミックアクセスメモリ
KR100286346B1 (ko) 에스디램의 리프레쉬 회로
KR100421904B1 (ko) 반도체 소자의 리프래쉬 회로
KR100794998B1 (ko) 반도체 메모리의 셀프 리프레쉬 펄스 발생 장치 및 방법
KR19990027320A (ko) 동기식 랜덤 엑세스 메모리 제어장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19980721

A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 19990708

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 19980721

Comment text: Patent Application

PG1501 Laying open of application
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20010530

Patent event code: PE09021S01D

AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 20020130

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 20010530

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I

J201 Request for trial against refusal decision
PJ0201 Trial against decision of rejection

Patent event date: 20020228

Comment text: Request for Trial against Decision on Refusal

Patent event code: PJ02012R01D

Patent event date: 20020130

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PJ02011S01I

Appeal kind category: Appeal against decision to decline refusal

Decision date: 20020517

Appeal identifier: 2002101000653

Request date: 20020228

AMND Amendment
PB0901 Examination by re-examination before a trial

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event date: 20020326

Patent event code: PB09011R02I

Comment text: Request for Trial against Decision on Refusal

Patent event date: 20020228

Patent event code: PB09011R01I

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event date: 20010728

Patent event code: PB09011R02I

B701 Decision to grant
PB0701 Decision of registration after re-examination before a trial

Patent event date: 20020517

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event code: PB07012S01D

Patent event date: 20020415

Comment text: Transfer of Trial File for Re-examination before a Trial

Patent event code: PB07011S01I

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20020729

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20020730

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20050621

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20060619

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20070622

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20080619

Start annual number: 7

End annual number: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20090624

Start annual number: 8

End annual number: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100624

Year of fee payment: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20100624

Start annual number: 9

End annual number: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee