KR100344767B1 - 반도체장치의 미세패턴 형성방법 - Google Patents
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- 제 1 패턴영역과 제 2 패턴영역이 지그재그 모양으로 상호 엇갈린 형태로 정의된 기판 상에 마스크층을 형성하는 단계와,상기 마스크층 상에 포토레지스트를 도포하는 단계와,서로 이격되어 매트릭스 형태를 정의하는 제 1 노광마스크를 이용하는 노광 및 현상을 상기 포토레지스트에 실시하여 상기 기판의 제 1 패턴영역 상부의 상기 마스크층 부위를 덮는 제 1 포토레지스트패턴을 형성하는 단계와,상기 제 1 포토레지스트패턴으로 덮히지 않은 상기 마스크층 부위를 제거하여 상기 기판의 제 1 패턴영역을 덮는 식각마스크를 형성하는 단계와,상기 제 1 포토레지스트패턴을 제거하는 단계와,상기 기판의 제 2 패턴영역을 덮는 제 2 포토레지스트패턴을 형성하는 단계와,상기 식각마스크와 상기 제 2 포토레지스트패턴으로 덮혀있지 않는 상기 기판 부위를 소정 깊이로 제거하여 그루브를 형성하는 단계와,상기 식각마스크와 상기 제 2 포토레지스트패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 마스크층은 질화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 패턴영역과 상기 제 2 패턴영역은 각각 정방형 행렬을 이루는 구조로 배열되어 있고 상기 제 2 패턴영역은 네 개의 상기 제 1 패턴영역이 이루는 사각형의 중앙 부위에 둘러싸인 형태로 상호 엇갈린 형태로 배열되도록 정의된 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 반도체장치의 미세패턴 형성방법은 상기 그루브에 절연물질을 매립하여 소자격리영역을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 미세패턴 형성방법.
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| KR1019990047217A KR100344767B1 (ko) | 1999-10-28 | 1999-10-28 | 반도체장치의 미세패턴 형성방법 |
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| KR100344767B1 true KR100344767B1 (ko) | 2002-07-19 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR0135053B1 (ko) * | 1994-04-30 | 1998-04-20 | 문정환 | 미세형상 형성방법 |
| US20100012119A1 (en) * | 2006-12-11 | 2010-01-21 | Valois Sas | Fluid product dispensing device |
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1999
- 1999-10-28 KR KR1019990047217A patent/KR100344767B1/ko not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR0135053B1 (ko) * | 1994-04-30 | 1998-04-20 | 문정환 | 미세형상 형성방법 |
| US20100012119A1 (en) * | 2006-12-11 | 2010-01-21 | Valois Sas | Fluid product dispensing device |
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