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KR100338011B1 - 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법 - Google Patents

액정 표시 장치용 기판의 제조 방법 Download PDF

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KR100338011B1
KR100338011B1 KR1019990026023A KR19990026023A KR100338011B1 KR 100338011 B1 KR100338011 B1 KR 100338011B1 KR 1019990026023 A KR1019990026023 A KR 1019990026023A KR 19990026023 A KR19990026023 A KR 19990026023A KR 100338011 B1 KR100338011 B1 KR 100338011B1
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South Korea
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organic insulating
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insulating film
forming
liquid crystal
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윤종용
삼성전자 주식회사
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Abstract

게이트 전극, 반도체층, 소스 및 드레인 전극 등을 포함하는 박막 트랜지스터가 형성되어 있는 절연 기판 위에 유기 절연막을 형성하고 패터닝하여 드레인 전극을 드러내는 접촉구를 형성한 다음, 아르곤을 이용하여 유기 절연막을 플라스마 처리하여, 접촉구 내에 잔류하는 유기 절연막을 제거함과 동시에 유기 절연막의 표면 거칠기를 증가시킨다. 다음, ITO (indium-tin-oxide)막과 같은 투명 도전막을 증착하고 패터닝하여, 드레인 전극과 접촉구를 통해 접촉하는 화소 전극을 형성한다. 이처럼, 유기 절연막의 표면 거칠기를 증가시킨 후 ITO 막을 증착하는 경우, 두 막 사이의 접착력이 증가하기 때문에, ITO막 패턴의 오버 에칭이나 언더 컷 등이 발생하지 않는다. 또한, 접촉구 내의 잔류물을 제거하였기 때문에, 접촉구에서의 하부 배선과 화소 전극의 접촉 저항도 낮아진다.

Description

액정 표시 장치용 기판의 제조 방법{a manufacturing method of panels for liquid crystal displays}
본 발명은 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 액정 표시 장치는 배선 및 전극이 형성되어 있는 두 기판 사이에 액정을 주입하고, 여기에 가하는 전장의 세기를 조절하여 광 투과량을 조절하는 구조로 되어 있다.
이러한 배선 및 전극은 도전성 박막을 적층하고 패터닝하여 형성하며, 배선과 배선 또는 배선과 전극 사이에는 산화 규소막(SiO2) 또는 질화 규소막(SiNx) 등으로 절연막 또는 보호막을 형성하여 도전성 배선을 서로 절연시킨다. 최근에는 액정 표시 장치의 개구율 및 막의 평탄화 특성을 향상시키기 위해, 보호막으로 BCB(benzocyclobutene), PFCB(perfloucyclobutene), 아크릴계 수지 등의 유기 절연막을 종종 사용한다. 이러한 유기 절연막은 감광성을 가지므로, 별도의 감광막을 사용할 필요가 없고 보호막을 식각하는 공정도 생략할 수 있어, 공정이 단순해 진다. 그러나, 유기 절연막은 질화 규소막 등에 비해 상대적으로 무르기 때문에 접촉구 등을 패터닝할 때에 막 물질이 잔류하는 경향이 있으므로, 접촉구를 통해 접촉하는 하부 금속막과 상부 화소 전극과의 접촉 저항이 불균일해지는 단점이 있다. 또한, 유기 절연막의 상부에 스퍼터링(sputtering) 등으로 형성되는 ITO 막 등의 투명 도전막과 유기 절연막의 접착력이 불량하기 때문에, 투명 화소 전극 등을 형성하기 위해 투명 도전막을 식각할 때에 감광막 패턴보다 화소 전극 등의 투명 도전막 패턴이 안쪽으로 식각되는 오버 에칭(over etching)이 발생하거나, 유기 절연막과 접해 있는 투명 도전막의 하측이 상측보다 빨리 식각되는 언더 컷(under-cut) 현상이 발생한다. 따라서, 패턴의 선폭(critical dimension)이 부분적으로 불균일해 질수 있다.
본 발명의 과제는 접촉구 내에 잔류하는 유기 절연막을 효과적으로 제거하여, 접촉구를 통해 연결되는 하부의 금속막과 상부 투명 전극의 접촉 저항을 줄이는 것이다.
본 발명의 다른 과제는 유기 절연막과 상부 투명 도전막의 계면 접착력을 향상시켜 상부 투명 도전막을 식각할 때에 투명 도전막 패턴의 언더 컷 및 오버 에칭이 발생하는 것을 방지하는 것이다.
도 1 내지 도 8은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 비정질 규소 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법을 공정 순서에 따라 도시한 평면도 및 단면도이고,
도 9 및 도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치용 비정질 규소 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에서의 유기 절연막 처리 공정을 도시한 단면도이고,
도 11은 본 발명의 제3 실시예에 따른 액정 표시 장치용 비정질 규소 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에서의 접촉구 공정을 도시한 단면도이고,
도 12는 본 발명의 제4 실시예에 따른 액정 표시 장치용 다결정 규소 박막 트랜지스터 기판의 박막 트랜지스터 구조를 도시한 단면도이고,
도 13은 수직 배향 액정 표시 장치용 컬러 필터 기판의 단면도이고,
도 14a 내지 도 14d는 본 발명의 제5 실시예에 따른 수직 배향 액정 표시 장치용 컬러 필터 기판의 제조 방법을 공정 순서에 따라 도시한 단면도이고,
도 15는 본 발명의 제6 실시예에 따른 액정 표시 장치용 기판을 도시한 단면도이고,
도 16은 본 발명의 제7 실시예에 따른 액정 표시 장치용 기판을 도시한 단면도이고,
도 17은 가시 광선 파장 영역에 따른 투과율의 변화를 유기 절연막의 처리 조건에 대해 나타낸 그래프이다.
이러한 과제를 해결하기 위하여 본 발명에서는 유기 절연막을 아르곤을 이용하여 플라스마 처리하거나, 산소를 이용하여 플라스마 처리하고 이어 아르곤을 이용하여 플라스마 처리하여 접촉구에서의 접촉 저항을 감소시키고 유기 절연막의 표면 거칠기를 증가시킨다.
본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법에서는 절연 기판 위에 유기 절연막을 형성하고, 유기 절연막을 플라스마 처리하여 표면 거칠기를 증가시킨 다음, 유기 절연막 위에 투명 도전막을 증착하고 식각한다.
이때, 플라스마 처리는 아르곤 기체를 이용하여 실시할 수 있다.
유기 절연막의 표면 거칠기를 증가시키기 위한 플라스마 처리 단계 이전에 산소를 이용한 플라스마 처리를 실시하는 것이 가능하다.
또한, 절연 기판 위에 게이트선 및 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선을 형성하고, 게이트 전극과 절연되어 중첩하는 반도체층을 비정질 규소로 형성하며, 이 위에 데이터 배선용 금속막을 증착하고 식각하여, 게이트선과 절연되어 교차하는 데이터선, 데이터선으로부터 연장되어 반도체층의 가장자리와 중첩하는 소스 전극, 그리고 소스 전극의 반대편에서 반도체층의 가장자리와 중첩하는 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선을 형성한 다음, 유기 절연막을 패터닝하여 드레인 전극을 드러내는 접촉구를 형성하는 것이 가능하다. 다음, 투명 도전막을 식각하여 드레인 전극의 표면과 접촉구를 통해 연결되는 화소 전극을 형성할 수 있다. 이때, 화소 전극은 게이트선과 데이터선이 교차하여 이루는 화소 영역 내에 위치하며, 가장자리가 게이트선 및 데이터선과 중첩되도록 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 접촉구를 통해 드러난 드레인 전극의 표면은 아르곤을 이용한 스퍼터링을 실시할 수 있다. 특히, 드레인 전극이 크롬으로 형성되어 있어 드레인 전극과 유기 절연막의 계면에 크롬 산화막과 같은 고저항을 가지는 산화막이 형성되는경우에 효과적이다.
데이터 배선용 금속막을 식각하여 데이터선의 끝에 연결되는 데이터 패드를 형성하고, 유기 절연막을 패터닝하여 데이터 패드를 드러내는 접촉구를 형성하는 것이 가능하며, 앞서 드레인 전극의 표면을 스퍼터링하는 단계에서, 접촉구를 통해 드러난 데이터 패드를 스퍼터링 하는 것이 바람직하다. 또한, 접촉구를 통해 데이터 패드와 접촉하는 데이터 패드 접촉 패턴을 투명 도전막을 식각하여 형성할 수 있다.
한편, 절연 기판 위에 반도체층이 다결정 규소층으로 형성될 수 있으며, 다결정 규소층은 도핑된 소스 및 드레인 영역과 도핑되지 않은 채널 영역을 포함하는 것이 바람직하다.
절연 기판 위에 컬러 필터 패턴 및 차광층을 형성할 수 있으며, 이때 투명 도전막을 식각하여 투명 도전막 내에 개구 패턴을 형성하는 것이 가능하다.
하나의 기판 위에 게이트 전극, 소스 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 형성하고 그 상부에 컬러 필터를 모두 형성하는 경우에는, 컬러 필터를 패터닝하여 드레인 전극을 드러내는 접촉구를 형성한 후, 플라스마 처리하여 컬러 필터 등의 잔유물을 제거하고 컬러 필터의 표면 거칠기를 증가시킨 후에 투명 도전막을 그 상부에 증착한다.
컬러 필터 상부에 유기 보호막을 도포하는 구조에서는 유기 보호막과 컬러 필터를 패터닝하여 드레인 전극을 드러낸 후, 플라스마 처리하여 컬러 필터 및 유기 보호막의 잔유물을 제거하고 유기 보호막의 표면 거칠기를 증가시킨 다음, 투명도전막을 그 상부에 증착한다.
플라스마 처리는, 아르곤을 이용하여 하거나, 산소를 이용하여 일차 플라스마 처리한 후 아르곤을 이용하여 이차 플라스마 처리를 하는 것이 바람직하다.
컬러 필터와 반도체층 사이에는 얇은 보호 절연막을 형성하는 것이 가능하다.
그러면, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명에 따른 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세하게 설명한다.
도 1 내지 도 8은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 비정질 규소 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법을 공정 순서에 따라 도시한 평면도 및 단면도이다.
먼저, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 절연 기판(10) 위에 게이트 배선용 금속막을 증착하고 패터닝하여, 가로 방향으로 놓인 게이트선(100), 게이트선(100)으로부터 연장된 게이트 전극(110), 그리고 게이트선(100)의 끝에 연결되어 있으며 주사 신호를 인가받기 위한 게이트 패드(120)로 이루어진 게이트 배선을 형성한다.
다음, 게이트 배선(100, 110, 120)을 덮는 게이트 절연막(20)을 증착하고, 그 위에 비정질 규소막과 도핑된 비정질 규소막을 연속하여 증착한 다음, 도핑된 비정질 규소막과 비정질 규소막을 동시에 패터닝하여 게이트 전극(110) 상부에 반도체층(200)과 접촉층(210)을 형성한다.
반도체층(200), 접촉층(210) 및 게이트 절연막(20) 위에 크롬(Cr),몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금(Mo-alloy) 등의 데이터 배선용 금속막을 증착하고 패터닝하여, 세로 방향의 데이터선(300), 데이터선(300)으로부터 연장되어 반도체층(200)의 한쪽 가장자리와 중첩하는 소스 전극(310), 소스 전극(310)의 반대쪽에서 반도체층(200)의 가장자리와 중첩하는 드레인 전극(320), 그리고 데이터선(300)의 끝에 연결되어 있는 데이터 패드(330)로 이루어진 데이터 배선을 형성한다.
다음, 소스 및 드레인 전극(310, 320) 바깥으로 드러난 접촉층(210)을 제거한 다음, 그 위에 감광성이 있는 유기 절연막(30)을 코팅한다.
다음, 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 유기 절연막(30)을 노광하고 현상하여 각각 드레인 전극(320), 게이트 패드(120) 상부의 게이트 절연막(20) 및 데이터 패드(330)를 드러내는 접촉구(C1, C2, C3)를 형성한 다음, 접촉구(C2)를 통해 드러난 게이트 절연막(20)을 식각하여 게이트 패드(120)를 드러낸다. 이 단계에서, 접촉구(C1, C2, C3) 내부에 유기 절연막(30)의 일부가 잔류하기도 한다.
이어, 도 5에 도시한 바와 같이, 아르곤(Ar)을 반응 기체로 하여 60초 정도 플라스마 처리를 실시한다. 이 단계에서 접촉구(C1, C2, C3) 내부에 잔류하는 유기 절연막(30)이 제거됨과 동시에, 유기 절연막(30)의 표면 거칠기가 증가한다.
도 6 및 도 7에 도시한 바와 같이, 유기 절연막(30) 위에 ITO(indium-tin-oxide)막과 같은 투명 도전막을 증착하고, 그 위에 감광막 패턴(40)을 형성한 후, 이 감광막 패턴(40)을 마스크로 하여 투명 도전막을 습식 식각하여, 드레인 전극(320), 게이트 패드(120) 및 데이터 패드(330)과 접촉구(C1, C2, C3)를 통해각각 접촉하는 화소 전극(410), 게이트 패드 접촉 패턴(420) 및 데이터 패드 접촉 패턴(430) 등의 ITO 패턴을 형성한다. 이때, 화소 전극(410)은 게이트선(100)과 데이터선(300)에 의해 둘러싸인 화소 영역 내에 형성되며, 그 가장자리는 게이트선(100) 및 데이터선(300)과 중첩된다.
다음, 도 8에 도시한 바와 같이, 감광막 패턴(40)을 제거한다.
이와 같이, 유기 절연막(30)을 아르곤 기체를 이용하여 플라스마 처리하는 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 비정질 규소 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에서는, 접촉구(C1, C2, C3) 내부에 잔류하는 유기 절연막(30)이 제거되므로 접촉구(C1)를 통해 연결되는 화소 전극(410)과 드레인 전극(320) 사이의 접촉 저항이 줄어든다. 또한, 유기 절연막(30)의 표면 거칠기를 증가되어 ITO 투명 도전막과 유기 절연막(30) 사이의 접착력이 증가되므로, 투명 도전막을 습식 식각할 때에 ITO 패턴(410, 420, 430)이 오버 에칭되거나 언더 컷되는 등의 불량이 방지되고, 결과적으로 ITO 패턴의 선폭이 부분적으로 불균일하게 나타나는 것을 막을 수 있다.
그러면, 유기 절연막(30)을 산소 플라스마 처리한 후 다시 아르곤 플라스마 처리를 하는 제2 실시예에 대하여 다음에서 설명한다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치용 비정질 규소 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 대한 단면도이다.
먼저, 도 1 내지 도 4에서와 동일한 방법으로 가로 방향으로 놓인 게이트선(100), 게이트선(100)으로부터 연장된 게이트 전극(110), 그리고게이트선(100)의 끝에 연결되어 있으며 주사 신호를 인가받기 위한 게이트 패드(120)로 이루어진 게이트 배선을 형성한 후, 게이트 배선(100, 110, 120)을 덮는 게이트 절연막(20)을 증착한다. 게이트 전극(110) 상부의 게이트 절연막(20) 위에 반도체층(200)과 접촉층(210), 세로 방향의 데이터선(300), 데이터선(300)으로부터 연장되어 반도체층(200)의 한쪽 가장자리와 중첩하는 소스 전극(310), 소스 전극(310)의 반대쪽에서 반도체층(200)의 가장자리와 중첩하는 드레인 전극(320), 그리고 데이터선(300)의 끝에 연결되어 있는 데이터 패드(330)로 이루어진 데이터 배선을 형성한다. 다음, 그 위에 감광성이 있는 유기 절연막(30)을 코팅하고, 이를 노광하고 현상하여 각각 드레인 전극(320), 게이트 패드(120) 상부의 게이트 절연막(20) 및 데이터 패드(330)를 드러내는 접촉구(C1, C2, C3)를 형성한 다음, 접촉구(C2)를 통해 드러난 게이트 절연막(20)을 식각하여 게이트 패드(120)를 드러낸다.
다음, 도 9에 도시한 바와 같이, 산소(O2)를 이용하여 유기 절연막(30)을 10초 정도 플라스마 처리한다. 이 단계에서, 접촉구(C1, C2, C3) 내부에 잔류하는 유기 절연막(30)이 제거되기 때문에, 이후 형성될 화소 전극(410)과 드레인 전극(320) 사이의 접촉 저항이 낮아진다.
이어, 도 10에 도시한 바와 같이, 아르곤(Ar) 기체를 이용하여 유기 절연막(30)을 60초 정도 플라스마 처리한다. 이 단계에서, 앞선 산소를 이용한 플라스마 공정에서 유기 절연막(30) 표면에 부분적으로 발생한 산화 물질과 접촉구내부에 여전히 잔류하는 유기 절연막(30)이 제거되며, 유기 절연막(30)의 표면 거칠기도 증가된다. 유기 절연막(30)의 표면 거칠기가 증가되면 이후 형성되는 ITO 투명 도전막과 유기 절연막(30)의 접착력이 증가된다.
이후, 도 6 내지 도 8를 참고로 설명한 제1 실시예에서와 동일한 방법으로, 화소 전극(410), 게이트 패드 접촉 패턴(420) 및 데이터 패드 접촉 패턴(430)을 형성한다.
결국, 유기 절연막(30)을 산소 플라스마 처리하고, 이어 아르곤 플라스마 처리하는 제2 실시예에 따른 방법에 따르면, 화소 전극(410)과 드레인 전극(320) 사이의 접촉 저항이 줄어들 뿐만 아니라, 투명 도전막의 오버 에칭 또는 언더 컷 등이 방지되어 ITO 패턴의 선폭이 부분적으로 불균일하게 나타나는 것을 막을 수 있다.
본 발명의 제1 및 제2 실시예에서, 데이터 배선용 금속으로 특정 금속인 크롬(Cr)을 사용한 경우, 유기 절연막(30)과 데이터 배선(300, 310, 320, 330)의 계면에 산화 크롬(CrOx)막 등의 저항이 매우 높은 산화막이 형성될 수 있다.
이러한 산화 크롬막을 제거해 주기 위한 방법이 도 11에 도시되어 있다.
도 11은 본 발명의 제3 실시예에 따른 액정 표시 장치용 비정질 규소 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법을 도시한 단면도이다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 액정 표시 장치용 비정질 규소 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법은 앞선 제1 실시예 또는 제2 실시예와 거의 동일하다. 단, 접촉구(C1, C2, C3)를 형성한 이후에 산화 크롬막(31)을 부분적으로 제거하는 단계가 추가된다.
즉, 도 11에 도시한 바와 같이, 접촉구(C1, C3)을 통해 드러난 드레인 전극(320) 및 데이터 패드(320, 330) 표면의 산화 크롬막을 아르곤(Ar) 스퍼터링(sputtering)으로 제거한다.
따라서, 크롬으로 형성된 드레인 전극(320) 및 데이터 패드(330)와 이후 공정에서 형성된 ITO 화소 전극(410) 및 데이터 패드 접촉 패턴(430) 사이의 접촉 저항이 증가되는 것을 방지할 수 있다.
이상에서는, 비정질 규소층을 박막 트랜지스터의 반도체층으로 사용하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 중심으로 설명하였으나, 다결정 규소층을 박막 트랜지스터의 반도체층으로 사용하는 경우에도 유사하게 적용될 수 있다.
도 12는 본 발명의 제4 실시예에 따른 액정 표시 장치용 다결정 규소 박막 트랜지스터 기판의 박막 트랜지스터 구조를 도시한 단면도이다.
도 12에 도시한 바와 같이, 기판(10) 면에 도핑된 소스 및 드레인 영역(1)과 도핑되지 않은 채널 영역(2)을 가지는 다결정 규소 패턴이 형성되어 있고, 그 위에 게이트 절연막(3)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(3) 위에는 게이트 전극(4)이 채널 영역(2)에 대응되는 위치에 형성되어 있으며, 게이트 전극(4) 및 게이트 절연막(3)이 층간 절연막(5)으로 덮여 있다. 층간 절연막(5) 및 게이트 절연막(3)에는 소스 및 드레인 영역(1)을 각각 드러내는 접촉구(C4, C5)가 형성되어 있고, 접촉구(C4, C5)를 통해 소스 및 드레인 영역(1)과 접촉하는 소스 및 드레인 전극 패턴(6, 7)이 층간 절연막(5) 위에 형성되어 있다. 소스 및 드레인 전극 패턴(6,7)과 층간 절연막(5) 위에는 드레인 전극 패턴(7)을 드러내는 경유구(C6)가 뚫려 있는 보호막인 유기 절연막(8)이 형성되어 있고, 보호막(8) 위에는 경유구(C6)를 통해 드레인 전극 패턴(7)과 연결되는 ITO 화소 전극(9)이 형성되어 있다.
본 발명의 제4 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에서는, 앞선 실시예들에서와 마찬가지로, 보호막으로 개구율 및 막 평탄화 특성이 좋으며 감광성이 있는 유기 절연막(8)을 사용하며, 유기 절연막(8)의 처리 방법 또한 제1 실시예 또는 제2 실시예에서와 동일하다.
즉, 유기 절연막(8)을 노광·현상하여 드레인 전극 패턴(7)을 드러내는 경유구(C6)를 형성한 후, 아르곤(Ar)을 이용한 플라스마 처리를 실시하여 경유구(C6) 내에 잔류하는 유기 절연막(8)을 제거할 뿐만 아니라, 유기 절연막(8)의 표면 거칠기 또한 증가시킨다. 한편, 아르곤(Ar) 플라스마 처리 이전에 산소(O2)를 이용한 플라스마 처리를 아르곤 플라스마 처리보다 짧은 시간에 걸쳐 실시할 수도 있다.
소스 및 드레인 전극 패턴(6, 7)을 크롬과 같이 유기 절연막(8)과 반응하여 산화 크롬막을 형성하는 금속으로 형성한 경우에는, 경유구(C6)를 형성한 이후에 아르곤 스퍼터링을 실시하여 드레인 전극 패턴(7)의 표면에 형성되어 있는 산화 크롬막을 제거하여 준다.
이상에서와 같이, 본 발명의 제4 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에서는 경유구(C6) 내에 유기 절연막(8)의 잔유물이 남지 않고, 드레인 전극 패턴(7) 표면의 산화 크롬막이 제거되기 때문에, 드레인 전극 패턴(7)과 화소전극(9) 사이의 접촉 저항을 낮춘다. 또한, 유기 절연막(8)의 표면 거칠기가 증가되어 유기 절연막(8)과 투명 도전막의 접착력이 향상되기 때문에, 투명 도전막을 식각하여 화소 전극(9)을 형성할 때에 오버 에칭 또는 언더 컷이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
앞서 제1 내지 제4 실시예를 통해 설명한 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법은 유기 절연막을 보호막으로 사용하는 컬러 필터 기판에도 동일하게 적용될 수 있다. 특히, 투명 전극에 개구 패턴을 형성하여야 하는 수직 배향 액정 표시 장치용 컬러 필터 기판에 효과적으로 적용될 수 있다.
도 13은 유기 절연막을 보호막으로 사용한 수직 배향 액정 표시 장치용 컬러 필터 기판의 단면도로서, 유기 절연막을 아르곤 플라스마 처리하지 않았을 때의 패턴 상태를 나타낸다.
도 13에 도시한 바와 같이, 기판(11) 위에 R, G, B 컬러 필터(13)가 화소 단위로 번갈아 배열되어 있고, 화소 바깥의 컬러 필터(13) 사이에는 차광층(12)이 형성되어 있다. 컬러 필터(13)와 차광층(12) 위에 유기 절연막(14)이 덮여 있고, 유기 절연막(14) 위에는 ITO 등의 투명 도전막으로 투명 전극(15)이 형성되어 있으며, 투명 전극(15)에는 화소 내부에 영역을 분할하기 위한 개구 패턴(16)이 형성되어 있다.
일반적으로 플라스마 처리하지 않은 유기 절연막(14)은 투명 전극(15)과의 접착력이 그다지 좋지 않기 때문에, 투명 도전막을 습식 식각하여 개구 패턴(16)을 형성할 때에, 유기 절연막(14)과 접해있는 투명 전극의 하측이 상측에 비해 빨리식각된다. 따라서, 도 13에 도시한 바와 같이, 개구 패턴(16)의 하측 감광막 패턴(도시하지 않음)에 비해 안쪽으로 깍인 언더 컷(under cut) 구조가 형성된다. 이러한 언더 컷 구조는 개구 패턴(16)의 선폭을 불균일하게 하는 요인이 된다.
본 발명의 제5 실시예에서는 유기 절연막(14)과 상부의 투명 전극과의 접착력을 향상시키기 위해 앞선 실시예에서와 같은 유기 절연막 처리 방법을 적용하였다.
도 14a 내지 도 14d는 본 발명의 제5 실시예에 따른 수직 배향 액정 표시 장치용 컬러 필터 기판의 제조 방법을 공정 순서에 따라 도시한 단면도이다.
먼저, 도 14a에 도시한 바와 같이, 기판(11) 위에 차광층(12)과 R, G, B 컬러 필터(13)를 형성하고, 그 위에 유기 절연막(14)을 코팅한다.
도 14b에 도시한 바와 같이, 유기 절연막(14)을 아르곤(Ar)을 이용하여 플라스마 처리한다. 이 단계에서, 유기 절연막(14)의 표면 거칠기가 증가된다.
도 14c에 도시한 바와 같이, ITO 등의 투명한 도전막을 증착하여 투명 전극(15)을 형성한다.
마지막으로 도 14d에 도시한 바와 같이, 습식 식각 방식으로 투명 전극(15) 내에 개구 패턴(17)을 형성한다.
앞서 언급한 바와 같이, 유기 절연막(14)을 아르곤 플라스마 처리를 하게되면, 유기 절연막(14)의 표면 거칠기가 증가하여 유기 절연막(14)과 투명 전극(15)의 접착력이 향상되기 때문에, 투명 전극(15)에 개구 패턴(17)을 형성할 때에 개구 수 있다.
다음, 박막 트랜지스터 기판에 컬러 필터가 형성되어 있는 구조의 액정 표시 장치용 기판에 대한 제6 및 제7 실시예를 각각 설명한다.
먼저, 도 15를 참고로 하여 제6 실시예에 따른 액정 표시 장치용 기판의 구조와 이를 제조하는 방법을 설명한다.
도 15에 도시한 바와 같이, 절연 기판(10) 위에 게이트선(도시하지 않음), 게이트 전극(130) 등을 포함하는 게이트 배선이 형성되어 있고, 그 위에 게이트 절연막(20)이 형성되어 있다.
게이트 전극(130) 상부의 게이트 절연막(20) 위에는 비정질 규소층으로 반도체층(220)이 형성되어 있고, 그 상부에 도핑된 비정질 규소층과 같은 물질로 접촉층(230)이 형성되어 있다. 이 접촉층(230)은 두 부분으로 분리되어 있다. 게이트 절연막(20) 위에는 데이터선(도시하지 않음), 접촉층(230)과 접촉하는 소스 및 드레인 전극(340, 350) 등을 포함하는 데이터 배선이 형성되어 있다. 이때, 데이터선(62)은 20μm 내외로 종래(6 내지 7 μm)에 비하여 상당히 넓은 폭을 가지도록 할 수 있다. 이는 후술할 컬러 필터(60)가 박막 트랜지스터 기판에 형성되기 때문이다.
게이터 배선 및 게이트 절연막(20) 상부에는 질화 규소와 같은 물질로 보호 절연막(50)이 얇게 형성되어 있다. 이 보호 절연막(50)은 박막 트랜지스터의 채널부의 반도체층(220)이 이후 형성되는 컬러 필터(60)와 직접 접촉되는 것을 막기 위한 것이다.
보호 절연막(60) 위에는 R, G, B 컬러 필터(60)가 각 화소마다 번갈아 형성되어 있다. 또한, 컬러 필터(60) 및 게이트 절연막(20) 내에는 드레인 전극(350)을 노출시키는 접촉구(C7)가 형성되어 있다.
ITO 와 같은 투명한 도전 물질막으로 각각의 화소의 컬러 필터(60) 위에 화소 전극(450)이 형성되어 있으며, 이 화소 전극(450)은 접촉구(C7)를 통해 드레인 전극(350)과 연결되어 있다.
이러한 구조의 액정 표시 장치용 기판을 제조하는 방법은 다음과 같다.
먼저, 게이트용 도전체층을 스퍼터링 따위의 방법으로 증착하고 사진 식각 방법으로 패터닝하여, 기판(10) 위에 게이트 전극(130)을 포함하는 게이트 배선을 형성한 다음, 질화 규소막 등의 게이트 절연막(20)을 전면에 증착한다. 이어, 비정질 규소막, 인(P) 등으로 고농도로 도핑된 비정질 규소막을 연속해서 증착하고, 도핑된 비정질 규소막과 비정질 규소막을 동시에 식각하여 게이트 전극(130) 상부의 게이트 절연막(20) 위에 반도체층(220)과 접촉층(230)을 형성한다.
다음, 크롬이나 몰리브덴 등의 화학적으로 안정한 금속을 이용하여 데이터용 도전체층을 증착하고 패터닝하여, 데이터선(도시하지 않음), 소스 전극(340) 및 드레인 전극(350)을 포함하는 데이터 배선을 형성한다. 이어, 소스 전극(340)과 드레인 전극(350) 사이로 노출되어 있는 접촉층(230)을 제거한다.
다음, 데이터 배선(340, 350), 반도체층(220) 및 게이트 절연막(20) 위에 질화 규소막 등을 얇게 증착하여 보호 절연막(50)을 형성한다.
보호 절연막(50) 위에 색소를 포함하는 감광성 물질을 도포하고 노광 및 현상하여 R, G, B 컬러 필터(90)를 형성한다.
이후, 컬러 필터(90)와 보호 절연막(50)을 패터닝하여 드레인 전극(350)을 드러내는 접촉구(C7)을 형성한다. 컬러 필터(90)를 이루고 있는 물질은 질화 규소 등에 비해 무르기 때문에, 접촉구(C7) 내에 컬러 필터(90) 물질이 남아있을 수 있다. 이를 방지하기 위해, 접촉구(C7)를 형성한 이후에 앞선 실시예에서와 마찬가지로 아르곤을 이용한 플라스마 처리를 하거나, 산소 플라스마 처리와 아르곤 플라스마 처리를 연속적으로 하여, 접촉구(C7) 내에 잔존하는 컬러 필터(90) 물질을 제거하고 컬러 필터(90)의 표면 거칠기를 증가시킨다.
다음, ITO와 같은 투명 도전막을 증착하고 이를 패터닝하여, 접촉구(C7)를 통해 드레인 전극(350)과 접촉하는 화소 전극(450)을 형성한다.
이처럼, 본 발명의 제6 실시예에 따른 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법에 따르면, 아르곤 플라스마 처리 또는 산소 플라스마 처리와 아르곤 플라스마 처리를 통해 접촉구(C7) 내의 잔존 물질을 제거하고 컬러 필터(90)의 표면 거칠기를 증가시켰으므로, 접촉구(C7)에서의 접촉 저항이 증가하는 것을 막을 수 있으며, 화소 전극(450)과 컬러 필터(90)의 접착력을 향상시킬 수 있다.
도 16은 본 발명의 제7 실시예에 따른 액정 표시 장치용 기판의 단면도로서, 제6 실시예와 거의 동일한 구조를 가진다. 단, 컬러 필터(90)와 화소 전극(450) 사이에 유기 절연막(30)이 형성되어 있으며, 접촉구(C8)는 유기 절연막(30), 컬러 필터(60) 및 보호 절연막(50)에 걸쳐 형성되어 있다.
이러한 구조의 액정 표시 장치용 기판을 제조하는 방법은 앞서 설명한 제6 실시예를 제조하는 방법과 거의 같다. 단, 컬러 필터(60)를 형성한 후, 그 위에스핀 코팅(spin coating) 등의 방법으로 유기 절연막(30)을 형성하고, 유기 절연막(30), 컬러 필터(60) 및 보호 절연막(50)을 패터닝하여, 드레인 전극(350)을 드러내는 접촉구(C8)를 형성한다. 이후, 접촉구(C8) 내에 잔존하는 유기 절연막(30) 물질 및 컬러 필터(60)을 제거하고, 유기 절연막(30)의 표면 거칠기를 증가시킬 목적으로, 아르곤을 이용하여 플라스마 처리를 실시하거나, 산소를 이용하여 일차로 플라스마 처리를 한 후 아르곤을 이용하여 이차로 플라스마 처리를 한다.
따라서, ITO 화소 전극(450)과 드레인 전극(350)이 접촉하는 접촉구(C8)의 접촉 저항이 증가되지 않으며, 화소 전극(450)과 유기 절연막(30)과의 접착력 또한 향상된다.
그러면, 유기 절연막의 플라스마 처리 조건을 달리하여 측정한 접촉 저항 및 화소 전극 등의 ITO막 패턴의 상태에 대한 구체적인 자료를 다음의 표 1를 통하여 제시한다.
먼저, 유기 절연막의 처리 조건은 각각 다음과 같다.
조건 1의 경우, 일차적으로 유기 절연막을 300sccm 유량의 산소 기체를 반응 기체로 하여 플라스마 처리한 다음, 50sccm의 아르곤 기체를 반응 기체로 하여 플라스마 처리한다. 이때, 산소 플라스마 처리 시간은 10초 정도로 아르곤 플라스마 처리 시간인 60초 보다 짧은 시간 동안 진행한다.
조건 2의 경우, 50sccm의 아르곤 기체를 주입하여 유기 절연막을 60 초 동안 플라스마 처리 한다.
조건 3의 경우, 50sccm 유량의 아르곤 기체와 30sccm 유량의 산소 기체를 혼입하여 60초 동안 유기 절연막을 플라스마 처리한다.
조건 4의 경우에서는 유기 절연막을 플라스마 처리하지 않는다.
유기 절연막처리 조건 접촉 저항R1 R2 R3 R4 평균저항 ITO막 패턴상태
조건1 1st: O2플라스마 처리(300sccm)2nd: Ar 플라스마처리(50sccm) 23.7 26.7 16.1 21.0 21.9 양호함
조건2 Ar 플라스마처리(50sccm) 17.7 22.0 13.7 16.5 17.5 양호함
조건3 Ar 플라스마와O2플라스마를혼입하여 처리(각각 50,30 sccm) 9800 260 72.6 97.6 2557.6 오버 에칭 발생함
조건4 플라스마처리 안함 × × × × 매우 높음 오버 에칭 발생함
* 단위: kΩ/200 접촉구 수
표 1에 도시한 바와 같이, 플라스마 처리를 한 경우, 즉 조건 1, 조건 2 및 조건 3의 경우가 플라스마 처리를 하지 않은 조건 4에 비해 접촉 저항이 낮게 나타나는 것을 알 수 있다. 그러나, 산소 기체와 아르곤 기체를 혼입하여 플라스마 처리하는 조건 3의 경우, 조건 1 및 조건 2의 경우에 비해 접촉 저항이 높고 불균일하게 나타난다. 따라서, 접촉 저항의 측면에서 조건 1 및 조건 2의 처리 방식이 적합하다.
한편, ITO 패턴의 상태를 살펴보면, 조건 3 및 조건 4에서는 오버 에칭 또는 언더 컷 현상이 발생하는 데에 비해, 조건 1과 조건 2에서는 오버 에칭 또는 언더 컷이 없는 비교적 양호한 패턴이 얻어진다.
유기 절연막의 ITO 패턴의 오버 에칭 및 언더 컷이 발생하는지의 여부는 유기 절연막의 표면 거칠기 특성과 관계가 있다. 즉, 유기 절연막의 표면 거칠기가 클수록 ITO 패터닝 특성이 향상된다.
이에 대하여 다음의 표 2를 참고로 하여 설명한다.
표 2에는 유기 절연막의 처리 조건을 달리하여 측정한 유기 절연막의 표면 거칠기가 기재되어 있다.
측정 지점 측정 면적(μm)2 평균 높이(Å) RMS 표면거칠기(Å) 평균 표면 거칠기(Å)
조건 1 1 100 50 14 12
2 50 15 12
3 53 14 11
조건 2 1 100 55 14 12
2 58 16 12
3 58 16 12
조건 3 1 100 34 7.3 5.7
2 31 6.6 5.3
3 26 6.7 5.3
조건 4 1 100 14 3.6 2.9
2 14 3.5 2.8
3 14 3.5 2.8
이때, 유기 절연막의 표면 거칠기는, 표 1에서 언급한 동일한 조건 하에서 처리된 유기 절연막을 시료로 하여 AFM (atomic force microscope) 설비로 측정하였다. 또한, 각 시료에 대해 화소 내의 3 지점을 임의로 정하고, 각 지점의 10μm × 10μm 면적 범위를 측정하였다.
표 2의 결과에서 알 수 있듯이, 플라스마 처리를 한 조건 1 및 조건 2 및 조건 3에서의 유기 절연막은 플라스마 처리를 하지 않은 조건 4에서의 유기 절연막에 비해 RMS(root means square) 표면 거칠기 및 평균 표면 거칠기 값은 대략 2배에서 4배가 증가하였다. 한편, 산소 및 아르곤을 각각 이용하여 두 단계로 플라스마 처리를 한 조건 1의 유기 절연막은 아르곤 플라스마 처리만을 실시한 조건 2의 유기 절연막과 거의 비슷한 표면 거칠기를 나타낸다. 또한, 산소 기체와 아르곤 기체를 혼입하여 플라스마 처리한 조건 3의 유기 절연막은 조건 1 및 조건 2의 유기 절연막보다는 작은 표면 거칠기를 나타낸다.
표 1 및 표 2의 결과를 통해 알 수 있듯이, 조건 1 및 조건 2의 경우 유기 절연막의 표면 거칠기의 값이 상대적으로 크게 나타날 뿐만 아니라, ITO 패턴이 비교적 양호하게 나타난다. 이는 유기 절연막의 표면 거칠기가 증가할수록 상부 ITO 막과의 접착력이 증가하여, ITO 막 상부의 감광막 패턴보다 안쪽으로 ITO 막이 식각되거나, 유기 절연막과 접해 있는 ITO 하측이 상측보다 빨리 깍이는 등의 현상을 방지하기 때문이다.
그러면, 유기 절연막에 플라스마 처리를 하는 것이 액정 표시 장치의 투과율 등의 표시 특성에 어떠한 영향을 미치는 지에 대하여 표 3 및 도 9를 참고로 하여 설명한다.
L Y 투과율 비고
조건 1 98.003 96.046 98.725(1.25%↓) 유기 절연막처리 후
조건 2 97.459 94.982 98.177(1.823%↓)
조건 3 99.268 98.541 99.986(0.014%↓)
조건 4 99.281 98.567 100
조건 1 93.023 86.534 97.965(2.035%↓) ITO막형성 후
조건 2 92.743 86.534 97.965(2.035%↓)
조건 3 94.146 88.635 99.148(0.852%↓)
조건 4 94.955 90.164 100
이 실험에서는, 앞선 실험들과 동일한 처리 조건 하에서 처리된 각각의 유기 절연막에 대한 투과율과 이 유기 절연막 위에 ITO 막을 형성한 이후의 투과율로 나누어 측정하였으며, 서로 다른 파장 영역에서의 투과율 또한 측정하였다. 이때, 플라스마 처리를 하지 않은 조건 4에서의 투과율을 100으로 가정하고, 나머지 조건에 대해서는 조건 4에 대한 상대적인 값으로 투과율을 구하였다. 또한, L은 가시 광선 영역 전체에 대한 평균 투과율을 나타내며, Y는 540∼550 nm 의 특정 파장 영역에서의 투과율을 나타낸다.
표 3에 나타난 바와 같이, 유기 절연막을 처리한 이후의 투과율은 조건 4 (100) > 조건 3 (99.986) > 조건 1 (98.725) > 조건 2 (98.177)의 순서로 투과율이 줄어든다. 플라스마 처리한 유기 절연막 위에 ITO막을 형성한 이후, ITO막 형성 이전보다 투과율이 줄어들기는 하지만, 조건 4 (100) > 조건 3 (99.148) > 조건 1 (97.965) > 조건 2 (97.670)의 순서로 투과율이 줄어드는 경향은 동일하다.
이처럼, 조건 1 및 조건 2에 의한 플라스마 처리 방식은 접촉 저항 특성 및 접착력 특성은 다른 조건의 경우보다 뛰어나지만, 투과율 특성은 다소 저하된다. 그럼에도 불구하고, 투과율 감소 정도는 대략 1.25%∼1.82% (ITO막 형성 이후, 2.035% ∼ 2.33%)로서 액정 표시 장치용 기판의 투과율에는 큰 영향을 미치지 않는다.
한편, 각 처리 조건에 대한 투과율의 차이는 파장이 길어질수록 줄어든다.
도 17은 가시 광선의 파장 영역에 따른 투과율의 변화를 나타낸 그래프로서, 조건 1, 조건 2, 조건 3 및 조건 4에서 유기 절연막을 처리한 후의 투과율을 각각 a, b, c 및 d (A 그룹)로 나타내고, 그 위에 ITO막을 증착한 후의 투과율을 각각 e, f, g, h (B 그룹)로 나타내었다.
도 17에 나타난 바와 같이, 가시 광선의 전 영역에서 투과율은 d > c > a > b 및 h > g > e > f 의 특성을 나타낸다. 그러나, 파장이 짧을수록 투과율의 감소 정도가 커지고, 파장이 길어질수록 투과율의 감소가 크게 줄어들어, 앞서 표 3을 통해 설명한 바와 같이, 투과율 감소 정도는 가시 광선 전 영역에 대해 1.25%∼1.82% 정도가 된다.
이처럼, 유기 절연막을 아르곤 플라스마 처리하거나, 산소 플라스마 처리 후 아르곤 플라스마 처리를 하더라도, 투과율 등의 표시 특성은 크게 저하되지 않는다.
이상에서와 같이, 본 발명에 따른 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법에서는 접촉구가 형성된 유기 절연막을 아르곤을 이용하여 플라스마 처리하거나, 산소를 이용하여 플라스마 처리를 한 후 다시 아르곤을 이용하여 플라스마 처리를 함으로써, 드레인 전극과 화소 전극, 그리고 데이터 패드와 데이터 패드 접촉 패드 사이의 접촉 저항이 낮아질 뿐만 아니라, 투명 도전막과 유기 절연막 간의 접착력이 증가되어 투명 도전막의 언더 컷 및 오버 에칭 등이 방지된다.

Claims (41)

  1. (정정) 컬러 필터 패턴을 형성하는 단계,
    상기 컬러 필터층 위에 유기 절연막을 형성하는 단계,
    상기 유기 절연막을 제1 플라스마 처리하는 단계,
    상기 제1 플라스마 처리한 상기 유기 절연막 위에 투명 도전막을 증착하는 단계
    를 포함하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  2. 제1항에서,
    상기 제1 플라스마 처리의 전 단계에서 상기 유기 절연막을 제2 플라스마 처리하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  3. (정정) 제1항에서,
    상기 투명 도전막을 패터닝하여, 개구부를 형성하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  4. (삭제)
  5. (정정) 제1항 내지 제3항 중의 어느 한 항에서,
    상기 제1 플라스마 처리는 아르곤 기체를 이용하여 실시하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  6. (삭제)
  7. (삭제)
  8. (삭제)
  9. (삭제)
  10. 제2항에서,
    상기 제2 플라스마 처리는 산소 기체를 이용하여 실시하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  11. (정정) 제1항에서,
    상기 절연 기판 위에 차광막을 형성하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  12. (삭제)
  13. (삭제)
  14. (삭제)
  15. (삭제)
  16. (삭제)
  17. (삭제)
  18. (삭제)
  19. (삭제)
  20. (삭제)
  21. (삭제)
  22. (삭제)
  23. (정정) 기판 위에 게이트 전극 및 게이트 선을 포함하는 게이트 배선을 형성하는 단계,
    상기 게이트 배선 위에 제1 절연막, 반도체층 패턴, 접촉층 패턴 및 상기 접촉층 패턴과 접촉하는 소소 전극, 드레인 전극 및 데이터선을 포함하는 데이터 배선을 형성하는 단계,
    상기 데이터 배선 상부에 컬러 필터를 형성하는 단계,
    상기 컬러 필터를 패터닝하여 상기 드레인 전극을 드러내는 제1 접촉구를 형성하는 단계,
    상기 컬러 필터를 1차 플라스마 처리하는 단계,
    상기 제1차 플라스마 처리한 상기 컬러 필터 위에 투명 도전막을 증착하는 단계, 및
    상기 투명 도전막을 식각하여 상기 제1 접촉구를 통해 상기 드레인 전극과 접촉하는 화소 전극을 형성하는 단계
    를 포함하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  24. 제23항에서,
    상기 컬러 필터를 형성하는 단계 이전에, 상기 반도체층을 덮는 보호 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  25. 제23항에서,
    상기 제1 플라스마 처리의 전 단계에서 상기 컬러 필터를 제2 플라스마 처리하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  26. 제25항에서,
    상기 제2 플라스마 처리는 산소를 이용하여 실시하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  27. 제23항에서,
    상기 제1 플라스마 처리는 아르곤을 이용하여 실시하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  28. (정정) 기판 위에 게이트 전극 및 게이트 선을 포함하는 게이트 배선을 형성하는 단계,
    상기 게이트 배선 위에 제1 절연막, 반도체층 패턴, 접촉층 패턴 및 상기 접촉층 패턴과 접촉하는 소스 전극, 드레인 전극, 데이터선을 포함하는 데이터 배선을 형성하는 단계,
    상기 데이터 배선 위에 컬러 필터를 형성하는 단계,
    상기 컬러 필터를 덮는 유기 절연막을 형성하는 단계,
    상기 유기 절연막과 상기 컬러 필터를 패터닝하여 상기 드레인 전극을 드러내는 제1 접촉구를 형성하는 단계,
    상기 유기 절연막을 1차 플라스마 처리하는 단계,
    상기 제1차 플라스마 처리한 상기 유기 절연막 위에 투명 도전막을 증착하는 단계, 및
    상기 투명 도전막을 식각하여 상기 제1 접촉구를 통해 상기 드레인 전극과 접촉하는 화소 전극을 형성하는 단계
    를 포함하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  29. 제28항에서,
    상기 컬러 필터를 형성하는 단계 이전에, 상기 반도체층을 덮는 보호 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  30. 제28항에서,
    상기 제1 플라스마 처리의 전 단계에서 상기 유기 절연막을 제2 플라스마 처리하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  31. 제30항에서,
    상기 제2 플라스마 처리는 산소를 이용하여 실시하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  32. 제28항에서,
    상기 제1 플라스마 처리는 아르곤을 이용하여 실시하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  33. (신설) 기판 위에 게이트 전극, 게이트선, 및 게이트 패드를 포함하는 게이트 배선을 형성하는 단계,
    상기 게이트 배선 위에 절연막, 반도체층 패턴, 접촉층 패턴 및 상기 접촉층 패턴과 접촉하는 소스 전극, 드레인 전극, 데이터선 및 데이터 패드를 포함하는 데이터 배선을 형성하는 단계,
    상기 데이터 배선 위에 유기 절연막을 형성하는 단계,
    상기 유기 절연막과 상기 게이트 절연막을 패터닝하여 상기 드레인 전극을 드러내는 제1 접촉구, 상기 게이트 패드를 드러내는 제2 접촉구 및 상기 데이터 패드를 드러내는 제3 접촉구를 형성하는 단계
    상기 유기 절연막을 제1차 플라스마 처리하는 단계,
    상기 제1차 플라스마 처리한 상기 유기 절연막 위에 투명 도전막을 증착하는 단계, 및
    상기 투명 도전막을 식각하여 상기 제1 접촉구를 통해 상기 드레인 전극과 접촉하는 화소 전극, 제2 접촉구를 통하여 상기 게이트 패드부와 접촉하는 보조 게이트 패드 및 제3 접촉구를 통하여 상기 데이터 패드와 접촉하는 보조 데이터 패드를 형성하는 단계
    를 포함하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  34. (신설) 제33항에서,
    상기 유기 절연막 하부에 반도체층을 덮는 보호 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  35. (신설) 제33항에서,
    상기 제1 플라스마 처리의 전 단계에서 상기 유기 절연막을 제2 플라스마 처리하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  36. (신설) 제35항에서,
    상기 제2 플라스마 처리는 산소를 이용하여 실시하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  37. (신설) 제33항에서,
    상기 제1 플라스마 처리는 아르곤을 이용하여 실시하는 액정 표시 장치용 기판의 제조방법.
  38. (신설) 절연 기판 위에 차광층을 형성하는 단계,
    컬러 필터 패턴을 형성하는 단계,
    상기 컬러 필터를 제1 플라스마 처리하는 단계,
    상기 제1 플라스마 처리한 상기 유기 절연막 위에 투명 도전막을 증착하는 단계
    를 포함하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  39. (신설) 제38항에서,
    상기 제1 플라스마 처리의 전 단계에서 상기 컬러 필터를 제2 플라스마 처리하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  40. (신설) 제39항에서,
    상기 제2 플라스마 처리는 산소를 이용하여 실시하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  41. (신설) 제38항 내지 제40항 중의 어느 한 항에서,
    상기 제2 플라스마 처리는 산소 기체를 이용하여 실시하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.
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Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100392909B1 (ko) * 1997-08-26 2004-03-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막트랜지스터및그의제조방법
JP2000122095A (ja) 1998-10-20 2000-04-28 Sanyo Electric Co Ltd 反射型液晶表示装置
JP3463006B2 (ja) * 1998-10-26 2003-11-05 シャープ株式会社 液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置
TW413844B (en) 1998-11-26 2000-12-01 Samsung Electronics Co Ltd Manufacturing methods of thin film transistor array panels for liquid crystal displays and photolithography method of thin films
US6521474B2 (en) * 1998-11-27 2003-02-18 Sanyo Electric Co., Ltd. Manufacturing method for reflection type liquid crystal display
JP2001005038A (ja) * 1999-04-26 2001-01-12 Samsung Electronics Co Ltd 表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
KR100632216B1 (ko) * 1999-12-16 2006-10-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
US6563559B2 (en) 2000-02-02 2003-05-13 Sanyo Electric Co., Ltd. Reflective liquid crystal display having increase luminance for each display pixel
KR100673331B1 (ko) * 2000-02-19 2007-01-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 따른액정표시장치
KR100344777B1 (ko) * 2000-02-28 2002-07-20 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막트랜지스터를 포함하는 소자 제조방법
TW447138B (en) * 2000-04-28 2001-07-21 Unipac Optoelectronics Corp Manufacturing method of thin-film transistor
US7256669B2 (en) * 2000-04-28 2007-08-14 Northeastern University Method of preparing electrical contacts used in switches
KR100386631B1 (ko) * 2000-08-29 2003-06-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그의 제조방법
US6534396B1 (en) * 2000-10-10 2003-03-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Patterned conductor layer pasivation method with dimensionally stabilized planarization
US6545422B1 (en) 2000-10-27 2003-04-08 Science Applications International Corporation Socket for use with a micro-component in a light-emitting panel
US6764367B2 (en) 2000-10-27 2004-07-20 Science Applications International Corporation Liquid manufacturing processes for panel layer fabrication
US7288014B1 (en) 2000-10-27 2007-10-30 Science Applications International Corporation Design, fabrication, testing, and conditioning of micro-components for use in a light-emitting panel
US6570335B1 (en) 2000-10-27 2003-05-27 Science Applications International Corporation Method and system for energizing a micro-component in a light-emitting panel
US6612889B1 (en) * 2000-10-27 2003-09-02 Science Applications International Corporation Method for making a light-emitting panel
US6935913B2 (en) 2000-10-27 2005-08-30 Science Applications International Corporation Method for on-line testing of a light emitting panel
US6796867B2 (en) 2000-10-27 2004-09-28 Science Applications International Corporation Use of printing and other technology for micro-component placement
US6801001B2 (en) 2000-10-27 2004-10-05 Science Applications International Corporation Method and apparatus for addressing micro-components in a plasma display panel
US6822626B2 (en) 2000-10-27 2004-11-23 Science Applications International Corporation Design, fabrication, testing, and conditioning of micro-components for use in a light-emitting panel
US6762566B1 (en) 2000-10-27 2004-07-13 Science Applications International Corporation Micro-component for use in a light-emitting panel
US6620012B1 (en) 2000-10-27 2003-09-16 Science Applications International Corporation Method for testing a light-emitting panel and the components therein
JP2002182243A (ja) * 2000-12-15 2002-06-26 Nec Corp 液晶表示装置用トランジスタ基板及びその製造方法
KR100803177B1 (ko) * 2001-05-14 2008-02-14 삼성전자주식회사 액정표시장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
KR100507279B1 (ko) * 2001-06-14 2005-08-09 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정표시장치의 제조방법
KR20030016051A (ko) * 2001-08-20 2003-02-26 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR100858297B1 (ko) * 2001-11-02 2008-09-11 삼성전자주식회사 반사-투과형 액정표시장치 및 그 제조 방법
KR100796756B1 (ko) * 2001-11-12 2008-01-22 삼성전자주식회사 반도체 소자의 접촉부 및 그 제조 방법과 이를 포함하는표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
KR100475110B1 (ko) * 2001-12-26 2005-03-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사형 액정표시소자 및 그 제조방법
KR100491143B1 (ko) * 2001-12-26 2005-05-24 삼성에스디아이 주식회사 블랙매트릭스를 구비한 평판표시장치 및 그 제조방법
KR100848553B1 (ko) * 2001-12-28 2008-07-25 엘지디스플레이 주식회사 게이트패드의 파손이 방지된 액정표시소자 제조방법
KR100487432B1 (ko) * 2001-12-28 2005-05-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자
KR100853220B1 (ko) * 2002-04-04 2008-08-20 삼성전자주식회사 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법
US7652359B2 (en) * 2002-12-27 2010-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Article having display device
EP1437683B1 (en) * 2002-12-27 2017-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. IC card and booking account system using the IC card
DE602004014743D1 (de) * 2003-03-17 2008-08-14 Dow Corning Lösemittelfreie druckempfindliche siliconklebemittel mit verbesserter hoch-temperatur kohäsion
KR100997964B1 (ko) * 2003-06-16 2010-12-02 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
TWI221942B (en) * 2003-08-21 2004-10-11 Toppoly Optoelectronics Corp Liquid crystal display device
KR100560782B1 (ko) * 2003-08-25 2006-03-13 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
US7566001B2 (en) 2003-08-29 2009-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. IC card
KR101012718B1 (ko) * 2003-12-30 2011-02-09 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
JP2005316404A (ja) * 2004-03-31 2005-11-10 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
KR101188425B1 (ko) * 2005-08-24 2012-10-05 엘지디스플레이 주식회사 식각 테이프 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이기판의 제조 방법
TWI330276B (en) * 2006-04-25 2010-09-11 Au Optronics Corp Active device array substrate and fabricating method thereof
CN100468705C (zh) * 2006-05-11 2009-03-11 友达光电股份有限公司 主动元件阵列基板及其制造方法
JP5098474B2 (ja) * 2006-08-02 2012-12-12 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置の製造方法
CN101217131B (zh) * 2008-01-14 2010-06-09 友达光电股份有限公司 像素结构及其制造方法
TWI569454B (zh) * 2008-09-01 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
KR101073562B1 (ko) * 2009-08-21 2011-10-17 삼성모바일디스플레이주식회사 패드부, 이를 포함하는 유기전계발광표시장치 및 유기전계발광표시장치의 제조방법
TWI595621B (zh) 2012-07-03 2017-08-11 元太科技工業股份有限公司 畫素結構及其製造方法
CN103325732B (zh) * 2013-06-28 2016-03-30 京东方科技集团股份有限公司 一种coa基板及其制造方法、显示装置
CN103913884A (zh) * 2013-06-28 2014-07-09 上海天马微电子有限公司 一种彩膜基板及其制造方法、显示面板
KR20160013433A (ko) * 2014-07-25 2016-02-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR940022164A (ko) * 1993-03-24 1994-10-20 쯔지 하루오 반사형 액정표시장치 및 그의 제조방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2585560B2 (ja) * 1987-01-07 1997-02-26 株式会社日立製作所 カラー液晶表示素子およびその製造方法
US5212575A (en) * 1988-08-30 1993-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Functional substrate for controlling pixels
NL9000389A (nl) * 1990-02-19 1991-09-16 Philips Nv Inrichting met kleurfilter.
EP0642050B1 (en) * 1993-09-02 2002-01-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Spatial light modulator, method of production thereof and projection type display
JP3317387B2 (ja) * 1996-06-03 2002-08-26 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板およびその製造方法
US6188452B1 (en) * 1996-07-09 2001-02-13 Lg Electronics, Inc Active matrix liquid crystal display and method of manufacturing same
JPH1079510A (ja) * 1996-09-02 1998-03-24 Sharp Corp 半導体装置およびその製造方法
KR100255592B1 (ko) * 1997-03-19 2000-05-01 구본준 액정 표시 장치 구조 및 그 제조 방법
JPH11337973A (ja) * 1998-05-28 1999-12-10 Sharp Corp アクティブマトリクス基板の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR940022164A (ko) * 1993-03-24 1994-10-20 쯔지 하루오 반사형 액정표시장치 및 그의 제조방법

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Publication number Publication date
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US6300152B1 (en) 2001-10-09

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