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KR100311432B1 - 주사노광방법, 주사형 노광장치 및 소자제조방법 - Google Patents

주사노광방법, 주사형 노광장치 및 소자제조방법 Download PDF

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KR100311432B1
KR100311432B1 KR1019990038118A KR19990038118A KR100311432B1 KR 100311432 B1 KR100311432 B1 KR 100311432B1 KR 1019990038118 A KR1019990038118 A KR 1019990038118A KR 19990038118 A KR19990038118 A KR 19990038118A KR 100311432 B1 KR100311432 B1 KR 100311432B1
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KR
South Korea
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exposure
scanning
substrate
exposure beam
vibration
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Application number
KR1019990038118A
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Inventor
나까시마도시하루
하마따니마사또
오자와겐
Original Assignee
시마무라 테루오
가부시키가이샤 니콘
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Priority claimed from JP29047893A external-priority patent/JP3387073B2/ja
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Abstract

마스크에 형성된 패턴을 주사노광방식으로 감광기판상에 전사하는 투영노광장치는 소정의 공간 코히어런스를 갖는 광빔을 발생하는 광원과, 광원에서의 광빔을 입사시켜 마스크상의 국소적인 영역을 조명하는 조명광학계와, 마스크의 패턴을 감광기판상에 전사하기 위해서, 마스크와 감광기판을 동기적으로 이동시키는 장치를 가지며 조명영역내에서 광빔의 공간 코히어런스가 높은 방향과 조명영역과 마스크와의 상대 주사의 방향을 거의 일치시키는 것이다.

Description

주사노광방법, 주사형 노광장치 및 소자제조방법 {SCANNING EXPOSURE METHOD, SCANNING TYPE EXPOSURE APPARATUS, AND METHOD OF FABRICATING A DEVICE}
본 발명은 예를 들면 반도체 소자, 액정표시소자, 또는 박막자기헤드 등을 제조하는 포토리소그래피 공정에서 사용되는 마스크(또는 레티클)와 기판을 동기적으로 이동시킴으로써, 마스크의 패턴을 기판상에 전사하는 주사형 노광장치에 관한 것으로, 특히 공간 코히어런스가 높은 광(예를 들면 KrF, 또는 ArF 엑시머 레이저, YAG 레이저의 고조파 등)을 사용하는 경우에 가장 적합한 것이다.
그런데, 반도체 소자제조의 포토리소그래피 공정에서는 마스크 또는 레티클(이하, 레티클로 총칭)의 패턴을 투영광학계를 거쳐서 감광재(포토레지스트)가 도포된 반도체 웨이퍼상에 전사하는 스텝 앤 리피트(step and repeat)방식의 축소 투영노광장치(스테퍼;stepper)가 사용되고 있다. 이같은 종류의 스테퍼에서는 노광광을 단파장화해서 해상도를 향상시키기 위해서 노광광으로서 원자외역의 레이저광, 예를 들면 KrF, 또는 ArF 엑시머 레이저 혹은 YAG 레이저나 아르곤 레이저의 고조파 등을 사용하는 것이 제안되고 있다. 현재는, KrF 엑시머 레이저를 사용하는 스테퍼가 실용화되고 제조 라인에서 가동하고 있다.
그러나, 레이저광은 일반적으로 공간 코히어런스(가간섭성)가 높고, 레티클 위에 스펙트럼 패턴(간접 무늬)이 생기기 때문에 레티클 및 웨이퍼 위에서의 조도 균일성이 저하한다. 그래서, 예를 들면 미국 특허 제 4,619,508 호, 일본 특개평 1-259533호 공보(대응미국출원 322,207(1989. 3. 13))에 개시되어 있는 바와 같이, 조명광학계중의 플라이 아이 렌즈에 대해서 그것의 광원측에 진동미러를 설치하고, 1 내지 수 펄스마다 플라이 아이 렌즈로의 레이저광의 입사각을 변화시킨다. 이에 의해, 노광중 레티클 위에서 간접 무늬가 차례로 이동한다. 따라서, 레티클이나 웨이퍼 위에서의 조도 균일성, 즉 노광량의 균일성이 향상된다.
또한, 최근에는 반도체 소자의 대형화 및 미세화에 대응해서, 투영광학계의 이미지 필드의 확대, 및 해상도의 향상을 행하는 것이 요구되고 있다. 그러나, 투영광학계의 고해상화와 넓은 필드화의 양쪽을 실현하는 것은 설계상 및 제조상 매우 곤란하다. 그래서, 예를 들면 미국 특허 제 4,747,678 호, 미국 특허 제4,924,257 호, 미국 특허 제 5,194,893 호에 개시되어 있는 바와 같이, 레티클 위의 국소적인 영역만을 조명하고 또한 레티클과 웨이퍼를 동기적으로 이동시킴으로써, 레티클의 패턴을 웨이퍼 위에 전사하는 주사형 노광장치가 주목되고 있다. 주사형 노광장치는 투영광학계의 이미지 필드가 최소한 큰 면적의 패턴이미지를 웨이퍼위에 전사가능하고, 더욱이 투영광학계의 해상도를 비교적 용이하게 향상시킬 수가 있다.
그러나, 주사형 노광장치에서는 레티클과 웨이퍼가 동기 주사되기 때문에, 주사방향에 있어서 펄스 발광 사이의 레티클 및 웨이퍼의 이동량(피치 ; pitch)과 조명영역내의 간섭 무늬의 피치와의 관계가 스테이지의 주사속도(즉, 웨이퍼의 가장 적합한 노광량)에 따라서 변화한다. 따라서, 주사형 노광장치에서는 노광광으로서 공간 코히어런스가 높은 광을 사용하면, 상술하는 진동미러를 사용해도 간섭 무늬에 의한 노광량 얼룩을 저감하는 일은 어렵다는 문제가 있다.
본 발명은 공간 코히어런스가 높은 광을 노광광으로서 사용하여도 간섭 무늬에 기인하는 감광기판위에서의 노광량 얼룩을 가능한 한 적게 할 수 있는 주사형 노광장치를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
제 1 도는 본 발명의 제 1 실시예에 의한 투영노광장치의 구성을 도시하는 사시도.
제 2 도는 제 1 도의 투영노광장치의 제어계를 도시하는 블럭도.
제 3 도는 제 1 도 중의 빔 정형 광학계의 구성의 한 예를 도시하는 도면.
제 4 도는 레티클상에서의 조명영역의 조도분포를 도시하는 사시도.
제 5a 도는 레티클상의 조명영역의 주사방향의 조도분포를 도시하는 도면.
제 5b 도, 5c 도는 간섭 무늬를 진동시키는 경우의 조명영역의 주사방향의 조도분포를 도시하는 도면.
제 6a 도는 2 방향으로부터의 레이저빔으로 조명영역을 조명하는 경우의 조명영역의 2 개의 조도분포를 도시하는 도면.
제 6b 도는 제 6a 도의 2 개의 조도분포의 합의 조도분포를 도시하는 도면.
제 7 도는 본 발명의 제 2 실시예에 의한 투영노광장치의 구성을 도시하는 사시도.
제 8 도는 진동미러의 제어 원리의 설명에 제공하는 도면.
제 9 도는 진동미러에 의한 간섭 무늬 저감법의 원리 설명도.
제 10 도는 제 9 도의 경우의 잔류 콘트라스트를 도시하는 도면.
제 11 도는 제 2 실시예의 주사노광에 의한 적산 노광량의 주사방향에 대한 잔류 콘트라스트를 도시하는 도면.
제 12 도는 제 2 실시예에서의 진동미러의 제어방법의 한 예를 도시하는 도면.
제 13 도는 제 12 도에 대응하는 등가 광원의 분포상태를 도시하는 도면.
제 14 도는 제 2 실시예에서의 진동미러의 제어방법의 다른 예를 도시하는 도면.
제 15 도는 제 2 실시예의 노광 동작의 한 예를 도시하는 순서도.
♣도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ♣
8 : 진동미러 9 : 구동장치
14 : 콘덴서 렌즈 15 : 조명영역
31 : 파장검출기
본 발명에 의한 제 1 의 주사형 노광장치는, 소정의 공간 코히어런스를 갖는 광빔을 발생하는 광원과, 이 광빔을 입사시켜 마스크상의 국소적인 영역을 조명하는 조명광학계와, 마스크에 형성된 패턴을 감광기판위에 전사하기 위해, 마스크와감광기판을 동기적으로 이동시키는 장치를 갖추고, 마스크위의 조명영역 내에서의 광빔의 공간 코히어런스가 높은 방향과, 조명영역에 대한 마스크의 주사방향을 거의 일치시킨 것이다.
본 발명의 제 1 장치에 의하면, 광원으로부터의 광빔을 마스크로 유도하는 조명광학계의 광축과 수직인 면내에서의, 광빔의 공간 코히어런스(가간섭성의 정도)가 높은 방향을 미리 계측하여 두고, 조명영역에 있어서 마스크의 주사방향으로 그 공간 코히어런스가 높은 방향을 일치시킨다. 따라서, 예를 들자면 제 4 도에 도시하는 바와 같이, 조명영역내의 주사방향(X 방향)의 조도분포는 곡선(40)과 같이 소정의 피치로 비교적 큰 진폭으로 변동한다. 한편, 조명영역내의, 주사방향과 수직인 비주사방향(Y 방향)의 조도분포는 곡선(41)과 같이 비교적 평탄하다. 이 경우, 주사방향에서는 이 조도분포(곡선40)가 크게 변동했어도 공간 코히어런스가 높은 방향을 따라서 마스크가 주사되므로 주사노광후의 감광기판위에서의 주사방향의 노광량 얼룩은 대폭적으로 저감된다. 또, 비주사방향에서는 원래 그 조도분포(곡선41)가 거의 플랫(flat)이기 때문에, 감광기판위의 비주사방향의 노광량 얼룩도 매우 적어져 있다. 따라서, 조명영역내의 간섭 무늬에 의해 조도 균일성이 나빠도, 감광기판위의 쇼트(shot) 영역의 전체면에서 노광량 얼룩이 적어지는, 즉 노광량의 균일성이 향상된다.
본 발명에 의한 제 2 주사형 노광장치는 소정의 공간 코히어런스를 갖는 펄스광을 발생하는 광원과, 그 펄스광을 입사시켜 마스크위의 국소적인 영역을 조명하는 조명광학계와, 마스크에 형성된 패턴을 감광기판위에 전사하기 위해 마스크와감광기판을 동기적으로 이동시키는 장치를 갖추고, 조명광학계에 의한 조명영역과 마스크와의 상대 주사의 속도와 조명영역내에 생기는 간섭 무늬의 상대 주사의 방향의 피치에 따라서, 조명영역내에서의 간섭 무늬의 위치를, 예를 들자면 1 내지 수 펄스마다 변화시키는 간섭 무늬 이동부재를 설치한 것이다. 또한 펄스광의 공간을 코히어런스를 검출하는 검출기와 이 검출된 공간 코히어런스에 따라서 간섭 무늬 이동부재의 동작을 제어하는 제어계를 설치해도 좋다.
본 발명의 제 2 장치에 의하면, 노광광으로서 펄스광이 사용된다. 펄스광이 원자외선 레이저, 예를 들면 파장 248nm 의 KrF 엑시머 레이저인 경우, 투영광학계의 색수차를 양호하게 보정하는 것은 쉽지 않기 때문에, 펄스 광원에서는 회절격자(또는 에탈론; etalon), 및 슬릿 등을 사용해서 펄스광의 파장을 협대화하고 있다. 이 때문에, 예를 들면 제 1 도에 있어서, 광원(1)에서 출사되는 펄스광(LBo)은 수평방향(H방향)에서는 공간 코히어런스가 높고 동시에 빔폭이 좁게 되어 있지만, 수직방향(V 방향)에서는 공간 코히어런스가 낮고 또한 빔폭이 넓어져 있다. 따라서, 광원에서 출사되는 펄스광의 수평방향을 마스크위의 조명영역의 주사방향에 설정한다.
여기에서, 광원으로부터의 펄스광의 수평방향의 폭과 수직방향의 폭의 비는 일반적으로 조명영역의 주사방향의 폭과 비주사방향의 폭의 비보다 적게 되어 있다. 이 때문에, 예를 들면 제 3 도에 도시하는 바와 같은 2 개의 원통 렌즈(38, 39)를 사용해서 펄스광의 수평방향의 폭을 넓힐 필요가 있다. 이때입사하는 펄스광(LBo)의 퍼짐각 θ1, 전단(前段)(광원쪽)의 원통 렌즈(38)의 초점거리 f1, 후단(마스크쪽)의 원통 렌즈(39)의 초점거리를 f2라 하면, 원통 렌즈(39)에서 출사되는 펄스광(LB)의 퍼짐각 θ2는 다음과 같이 된다.
θ2= (f1/f2) θ1
그런데, 수평방향의 빔폭을 넓히기 위해 f1< f2라 하면, 다음과 같이 되어, 출사되는 펄스광(LB)의 퍼짐각 θ2는 적어진다.
θ1θ2
따라서, 빔폭을 수평방향으로 펼치면, 제 4 도에 도시하는 바와 같이 조명영역의 주사방향(SR 방향)에서의 공간 코히어런스는 더욱 높아진다. 이 때문에, 주사방향으로는 콘트라스트가 높은 간섭 무늬가 형성된다. 이에 대해서 간섭 무늬의 비주사방향의 콘트라스트는 낮기 때문에, 비주사방향에서는 조도 얼룩이 충분히 적게 되어 있다.
여기에서, 조명영역의 주사방향의 조도분포는 예를들면 제 5a 도의 곡선(40)과 같이 된다. 따라서, 마스크(및 감도기판)의 주사방향을 이 방향으로 선택하면, 주사에 의한, 간섭 무늬와 마스크와의 상대 이동에 의해 감광기판위에서는 제 5b 도와 같이 여러 가지의 위상의 파가 중첩되므로, 적산 효과에 의해 간섭 무늬에 의한 노광량 얼룩이 대폭적으로 저감되게 된다.
단, 주사속도에 따라서는, 펄스 발광의 타이밍과 간섭 무늬의 위상이 거의일치하는, 즉, 펄스 발광간의 마스크의 이동량이 간섭 무늬의 피치와 거의 일치한다. 이로 인하여, 마스크위의 어떤 조사점에서는 예를 들면 제 5a 도의 위치(40C, 40F, ...)의 순으로 펄스 발광이 행해지고 별도의 조사점에서는 위치(40B, 40E, ...)의 순으로 펄스 발광이 행해진다. 따라서 마스크위의 어느 점에서도 적산 효과가 예측 불가능하고, 노광량 얼룩이 경감되지 않는 가능성도 있다.
이것을 회피하기 위해서, 제 5a 도의 위치(40C, 40F, 40I)의 각각에서 펄스 발광이 행해지는 것과 같은 주사속도일 때는, 예를 들면 진동미러를 사용해서, 위치(40F)에서 발광할 때는 δA, 위치(40I)에서 발광할때는 δB 만큼 간섭 무늬를 가로로 어긋나게 한다. 이에 의해, 마스크위의 패턴 영역내의 각 점은 제 5b 도의 곡선(40; 실선), (42; 점선), (43; 일점 쇄선)의 펄스수에 따라서 등분되어서, 서로 간섭 무늬의 위상이 다른 복수의 펄스광으로 조사된다. 이 때문에, 적산 효과에 의해 노광량 얼룩이 큰 폭으로 저감되는, 즉 감광기판위의 쇼트 영역에서의 적산 노광량은 그것의 전체면에서 거의 균일하게 된다. 여기에서 n, m을 정수로 하고 마스크위의 임의의 조사점에 있어서 펄스 발광마다 곡선(40)상의 주사방향의 위상이 0, 2mπ+(2/πn), 4mπ+(4π/n), 6mπ+(6π/n),..., 2(n-1)mπ+2(n-1)π/n,... 로 되도록 간섭 무늬 이동부재의 동작을 제어함으로써 주사방향의 조도 얼룩이 저감된다.
본 발명에 의한 제 3 주사형 노광장치는, 소정의 코히어런스를 갖는 펄스광을 발생하는 광원과, 이 펄스광을 입사시켜 복수의 광원 이미지를 형성하는 광학적분기(optical integrator)와, 복수의 광원 이미지 각각으로부터의 광을 집광해서 마스크위의 국소적인 영역을 조명하는 광학계와, 마스크에 형성된 패턴을 감광기판위에 전사하기 위해, 마스크와 감광기판을 동기적으로 이동시키는 장치를 갖고, 조명영역내에 생기는 간섭 무늬(의 위상)을, 조명영역과 마스크와의 상대 주사방향을 거의 따라서 시프트(shift)시키는 위상가변부재를 설치한다. 그래서, 펄스 발광 사이에서의 조명영역과 마스크와의 상대 주사에 따르는 간섭 무늬의 이동량에, 펄스 발광 사이에서의 위상가변부재에 의한 간섭 무늬의 상대 주사방향으로의 시프트량을 부가한 길이에서의 위상 변조에 의해, 복수의 펄스광의 조사후의 마스크 또는 감광기판위에서의 적산 광량 분포의 콘트라스트를 소정의 허용치 이하로 한 것이다. 또, 위상가변부재는 상술한 상대 주사방향으로 수직인 방향에 대해서도 간섭 무늬를 이동가능하게 하는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 3 장치에 의하면, 감광기판의 적정 노광량에 따른 마스크(및 감광기판)의 주사속도에 따라서, 위상가변부재에 의한 상대 주사방향으로의 간섭 무늬의 이동량을, 예를 들면, 1 내지 수 펄스마다 결정한다. 이때 「조명영역내에 생기는 간섭 무늬의 피치」와 「조명영역과 마스크와의 상대 주사속도」 와의 관계에 따라, 복수의 펄스광의 조사후의 감광기판위에서의 적산 광량 분포의 콘트라스트(잔류 콘트라스트)가 소정의 허용치 이하로 되도록, 위상가변부재에 의한 간섭 무늬의 상대 주사방향으로의 이동량을 결정한다. 따라서, 감광기판의 적정 노광량의 변경에 따라 간섭 무늬의 피치와 상대 주사속도와의 관계가 변화해도 잔류 콘트라스트가 그 허용치보다도 커져서 노광량 얼룩이 악화하는 일은 없다.
또 주사방향만으로 간섭 무늬를 이동시키는 1 차원의 진동미러(예를 들면 폴리곤 미러, 갈바노 미러)를 위상가변부재로서 사용하는 경우에는, 상술한 간섭 무늬의 상대 주사방향으로의 이동량에 방향성(부호)을 가미함으로써, 그의 진동미러의 진동 제어가 단순한 왕복 운동으로도 좋아진다. 또한 위상가변부재를 예를 들면 2 차원적으로 진동가능한 진동미러로 하고, 조명영역내의 간섭 무늬를 상대 주사방향과 수직인 비주사방향으로도 이동시키면, 비주사방향에서의 노광량 얼룩도 저감할 수 있다.
제 1 도 내지 제 6a 도, 6b 도를 참조해서 본 발명의 제 1 실시예에 대해서 설명을 한다. 본 실시예는 펄스 발진형의 레이저광원을 구비한 스텝 앤드 스캔 방식의 주사형 투영노광장치에 본 발명을 적용한 것이다.
제 1 도에 있어서 엑시머 레이저광원(1)에서 출사된 원자외역(예를 들면 파장 248nm)의 레이저빔 LBo 는 미러 M1, M2, M3 및 M4 를 거쳐서 원통 렌즈를 포함하는 빔 정형 광학계(2)에 입사한다. 엑시머 레이저광원(1)에서 출사된 레이저빔 LBo 의 단면 형상은 수평방향(H 방향) 의 폭이 수직방향(V 방향)의 폭보다도 상당히 좁은 가늘고 긴 정방형이다. 빔 정형 광학계(2)는 레이저빔 LBo 의 수평방향의 폭을 넓혀 후술하는 조명영역(15)의 세로 가로 비와 거의 같은 세로 가로비(거의 상이)의 단면 형상의 레이저빔 LB 를 출사한다.
제 3 도는 빔 정형 광학계(2)의 구체적인 구성의 한 예를 도시한다. 제 3 도에 있어서 광원(1)으로부터의 레이저빔 LBo 는 초점거리 f1의 원통 렌즈(38)및 초점거리 f2(f2f1)의 원통 렌즈(39)를 통과해서 단면 형상의 수평방향의 폭이 f2/f1배로 확대된다. 원통 렌즈(38)에 입사하는 레이저빔 LBo 의 퍼짐각을 θ1이라 하면 원통 렌즈(39)에서 출사되는 레이저빔 LB의 퍼짐각 θ2는 퍼짐각 θ1의 f1/f2로 감소되어 있다. 일반적으로 광속(光束)의 공간 코히어런스는 퍼짐각이 적을수록 높기 때문에, 레이저빔 LB 의 수평방향(H 방향)의 공간 코히어런스는 레이저빔 LBo 보다도 높아져 있다.
제 1 도로 되돌아가, 빔 정형 광학계(2)에서 출사된 레이저빔 LB 는 비러 M5 에서 반사되어서 빔 확대기(또는 줌렌즈; 3)로 입사하여 그 단면 치수가 소정치까지 확대된다. 빔 확대기(3)로부터 출사된 평행한 레이저빔 LB 는 수정 프리즘(편광 부재; 4)에 입사해서 2개의 직교하는 편광 성분으로 분리된다. 수정 프리즘(4)을 출사한 2 개의 편광 성분은 광로 보정용의 석영유리 프리즘(5)에 입사하여 빔의 진행 방향이 보정된다. 또한, 2 개의 편광 성분의 레이저빔은 1 단째의 플라이 아이 렌즈(6) 및 릴레이 렌즈(7)를 통과해서 진동미러(8)에서 구부려진다. 진동미러(8)는 구동장치(9)에 의해 수평면상의 소정의 각도 범위내에서 레이저빔을 적절한 제어방법으로 주사한다.
진동미러(8)에서 주사되는 레이저빔이 릴레이 렌즈(10)를 거쳐서 2 단째의 플라이 아이 렌즈(11)에 입사하고 그 출사쪽의 초점면에 다수의 3 차 광원이 형성된다. 다수의 3 차 광원으로부터의 레이저빔은 집광 렌즈(12)에 집광되고 미러(13)에서 반사되어 콘덴서 렌즈(14)에 입사한다. 다수의 3 차 광원으로부터의 레이저빔은 콘덴서 렌즈(14)에 의해 레티클 R 위에서 짧은 변 방향의 폭이 D 로 되는 장방형의 조명영역(15)에 중첩되어 조사된다. 조명영역(15)내의 패턴의 이미지가 투영광학계 PL 를 거쳐 웨이퍼 W 위의 장방형의 노광 영역(16)내에 결상 투영된다.
여기에서 투영광학계 PL 의 광축에 평행하게 Z 축을 취하고 그 광축에 수직인 XY 평면내의 X 축을 조명영역(15)의 짧은 변 방향, Y 축을 조명영역(15)의 긴 변 방향으로 취한다. 본 실시예에서는 투영광학계 PL 의 투영 배율을 β로 하면 조명영역(15)에 대해서 레티클 R 을 X 방향(이하 주사방향 SR 로 한다)으로 속도 V 로 정속 이동하는 데에 동기해서 웨이퍼 W 를 -X 방향(이하, 주사방향 SW 로 한다)으로 속도 βㆍV 로 정속 이동한다. 이에 따라, 레티클 R 의 패턴 영역 PA 내의 회로 패턴의 이미지가 웨이퍼 W 의 쇼트 영역으로 주사노광된다.
제 1 도에서는 엑시머 레이저광의 공간 코히어런스를 조사하기 위해 집광 렌즈 L1 을 미러 M6 의 뒤에 설치하고, 미러 M5 에서의 누설광을 집광 렌즈 L1 의 뒤쪽 초점위치에 집광해서, 그 초점 위치에 설치한 2 차원 촬상소자(예를 들면 CCD; 17)로 수광한다. 그래서, 촬상소자(17)로부터의 촬상신호를 화상 처리계(18)에서 처리함으로써 레이저빔의 발산각을 측정한다. 레이저빔의 발산각은 공간 코히어런스에 대해서 반비례의 관계에 있기 때문에, 그 측정된 발산각에 의거해서, 조명영역(15)위에서의 주사방향 SR 및 비주사방향의 공간 코히어런스를 산출할 수 있다.
제 2 도는 제 1 도의 투영노광장치의 제어계를 도시한다. 제 2 도에 있어서 엑시머 레이저광원(1)내에는 레이저 발진의 매체가 되는 혼합가스나 발진 트리커용의 전극을 봉입한 레이저 튜브(21), 공진기를 구성하는 소정의 반사율(100% 미만)을 가진 프론트 미러(22), 이 공진기의 리어 미러(23), 파장 선택용의 개구판(29), 파장 선택 및 파장 협대화용의 프리즘(24), 및 반사형 회절격자(25) 등이 설치된다. 또한, 엑시머 레이저광원(1)에는 레이저 튜브(21)내의 전극에 고전압을 부가해서 발진을 행하도록 하기 위한 발진 제어부(26), 발진되는 레이저빔의 절대 파장을 항상 일정하게 하기 위해 회절격자(25)의 경사각을 조정하는 파장 조정 구동부(27), 및 리어 미러(23)의 기울기를 조정하기 위한 구동부(28) 등이 설치된다.
또한, 프론트 미러(22)에서 출사된 레이저빔의 일부는 빔 스플리터(30)를 거쳐서 파장검출기(분광기 등 ; 31)로 유도되고, 파장검출기(31)에서 레이저빔의 파장을 검출하여, 검출한 파장을 파장 조정 구동부(27)로 전달한다. 파장 조정 구동부(27)는 파장검출기(31)에서 검출된 파장에 의해, 미리 정해진 절대 파장과의 차가 규격내로 되도록 회절격자(25)의 경사각을 변화시킨다. 또, 촬상 소자(17)로부터의 촬상 신호를 화상 처리계(18)에서 처리해서 검사되는 빔 발산각에 따라서 신호(구체적으로는 촬상 소자(17)의 수광면위에 만들어진 빔 스폿의 크기에 따른 신호)는, 엑시머 레이저광원(1)의 리어 미러(23)의 구동부 (28)로 피이드백됨과 동시에 장치 전체의 동작을 제어하는 주 제어 장치(32)로도 보내진다. 구동부 (28)는 미리 정해진 값에 대해서 실측된 빔의 발산각의 값이 허용범위 이상으로 벗어나 있을 때에는 리어 미러(23)의 경사각을 변화시킨다.
또 레티클 R 의 위치 결정 및 주사는 레티클 스테이지 RST 에 의해 행해지고 웨이퍼 W 의 위치 결정 및 주사는 웨이퍼 스테이지 WST 에 의해 행해진다. 레티클 스테이지 RST 는 1 칩의 패턴이 그려진 레티클 R 의 조사 범위를 차례로 바꾸기 위해 레티클 R 의 주사를 행한다. 웨이퍼 스테이지 WST 는 웨이퍼 W 위의 복수의 쇼트 영역의 각각에 대해서 레테클 R 의 패턴 이미지가 노광되도록 X, Y 방향으로 스텝 앤드 리피트 방식으로 웨이퍼 W 를 이동시키는 기능과 레티클 R 의 조사 범위에 의해 레티클 R 에 동기되어 웨이퍼 W 를 주사하는 가능을 겸해서 갖는다.
주 제어 장치(32)는 발진 제어부(26)를 거쳐서 엑시머 레이저광원(1)의 발진을 제어하고 웨이퍼 스테이지 제어계(34) 및 레티클 스테이지 제어계(35)를 거쳐서 각각 웨이퍼 스테이지 WST 및 레티클 스테이지 RST 의 동작을 제어한다. 또한, 주 제어 장치(32)는 구동장치(9)를 거쳐서 진동미러(8)의 진동의 진폭 및 주기 등을 제어한다. 주 제어 장치(32)에는 입력 장치로서의 키보드(36), 좌표 입력 장치(소위 마우스; 37)나 출력 장치로서의 표시부(CRT 디스플레이, 미터 등; 33)등이 접속되어 있다. 키보드(36) 및 좌표 입력 장치(37)는 웨이퍼위의 하나의 쇼트 영역을 몇 발의 펄스광으로 노광하는가를 미리 지정하는 것 외에 각종의 시퀸스 설정이나 파라미터 설정을 위해 사용된다.
또한, 주 제어 장치(32)는 예비 발진중의 엑시머 레이저광원(1)으로부터의 레이저빔의 발산각의 정보를 화상 처리계(18)로부터 입력하고, 스루풋(throughput)을 낮추지 아니하고 간섭 무늬의 콘트라스트를 가장 적게 하도록 최적화된 발진 주파수 및 웨이퍼 w 위의 하나의 쇼트 영역에 조사되는 레이저빔의 펄스수를 결정해서 발진 제어부(26)에 지령한다. 병행해서 주 제어 장치(32)는 진동미러(8)의 진동 주기, 진폭, 및 위상을 결정해서 구동장치(9)에 지령을 발함과 동시에 레티클 스테이지 제어계(35) 및 웨이퍼 스테이지 제어계(34)에는 가장 적합한 주사속도를 결정해서 지령한다.
다음으로 본 실시예에서 레티클 R 및 웨이퍼 W 위의 광량 얼룩을 저감시키기 위한 구성에 대해 설명을 한다. 본 실시예에서는 제 1 도에 있어서 엑시머 레이저광원(1)에서 출사되는 레이저빔 LBo 의 공간 코히어런스는 수평방향(H 방향)으로 높아져 있다. 그래서, 레이저빔 LBo 의 공간 코히어런스가 높은 방향이 조명영역(15)의 짧은 변 방향, 즉 주사방향 SR과 일치하도록 조명광학계를 구성한다. 이에 따라, 레티클 R 위의 조명영역(15)내에 생기는 간섭 무늬(스펙트럼 패턴)는 그것의 콘트라스트가 주사방향 SR 에서 높고, 또한 주사방향 SR 과 수직인 비주사방향(Y 방향)으로 낮아져 있다.
제 1 도의 레티클 R 위 및 웨이퍼 W 위에 생성되는 간섭 패턴에는 플라이 아이 렌즈(6,11)의 렌즈 요소의 배열에 대응하는 주기적인 성분이 포함이 되어 있고, 이 간섭 패턴의 콘트라스트는 비주사방향보다도 주사방향에서 높아진다.
그래서, 본 실시예에서는 간섭 패턴의 콘트라스트를 저감시키기 위하여 레이저빔 LB를 수정 프리즘(4)으로 소정 각도를 이루는 두 개의 편광 성분 레이저빔으로 분리하여 레티클 R을 조명한다. 두 개의 편광 성분중 제 1 편광 성분에 의한 조명영역(15)의 주사방향(X 방향)의 조도분포(상대치) I(X)는 제 6a 도의곡선(40)처럼 소정 피치로 주기적으로 변화하고 있다. 이에 대해, 제 2 편광 성분에 의한 조도분포 I(X) 는 곡선(44)으로 표시되고, 곡선(44)은 그 위상이 곡선(40)에 대하여 X 방향으로 반 피치만큼 벗어나 있다. 이로서, 전체 조도분포 I(X)는 제 6b 도의 곡선(45)이 되고 조도분포의 변동폭은 대폭 저감된다.
제 4 도는 레티클 R 상의 조명영역(15)의 조도분포를 도시하고 레티클 R 상에는 주사방향 SR(X 방항)의 폭 D 의 조명영역(15)이 형성되어 있다. 또한, 조명영역(15)의 X 방향의 조도분포 I(X)는 곡선(40)처럼 소정 피치로 비교적 큰 진폭으로 변화하고, 조명영역(15)의 Y 방향의 조도분포 I(Y)는 곡선(41)처럼 거의 평탄하다. 따라서, 비주사방향(Y 방향)의 광량 불균일은 작아진다. 또한 본 실시예에서는 X 방향의 광량 불균일을 조명영역(15)에 관한 레티클 R 의 주사와 진동미러(8)에 의한 레이저빔의 조사로 해소한다.
제 5a 도는 조명영역(15)에서의 1 펄스당 주사방향(X 방향)의 조도분포 I(X)에 대응하는 곡선(40)을 도시하고 원점 0 에서 X 좌표가 D 까지의 영역이 제 4 도의 조명영역(15)의 X 방향폭에 상응한다. 또한 조명영역(15)에 대하여 레티클 R 이 X 방향으로 주사되면 레티클 R 상의 각 조사점이 제 5a 도(제 5b 도도 동일)의 X 축에 따라서 이동해 가는 것으로 한다.
본 실시예에서는 곡선(40)의 피치를 PX, 1 펄스당 에너지 밀도와 레지스트 감도에서 구해지는 1 쇼트의 노광에 필요한 펄스수를 n 으로 하면, n 회의 펄스 발광으로 0, PX/n, 2PX/n,..., (n-1)PX/n의 각 위치에 피크를 갖는 곡선이 얻어지는 주사속도가, 미리 결정되어 있는 속도 (조명영역(15)의 폭 D 를 필요 펄스 n으로 나누고 광원(1)의 발진 주파수 f 를 곱한 값 V = (D/n) f) 와 일치하는 경우, 진동미러(8)를 주사시킬 것도 없이, 레티클 R 상 및 웨이퍼 W 상에서의 적산 광량 불균일이 가장 좋은 효율로 경감된다. 단, 상술한 주사속도는 0, PX/n, 2PX/n, ... , (n-1)PX/n 의 순서로 피크를 갖는 곡선이 출현할 필요는 없고, n 회의 펄스 발광에 있어서 각 위치에 피크를 갖는 곡선이 모두 얻어지면 된다. 또한, n이 충분히 크고 피치 PX 를 n/2, n/3, ... 등분한 위치에 피크를 갖는 곡선이 얻어지면 되는 경우도 있다.
예를 들면, 필요 펄스수 n 이 3 인 경우에는, 1 펄스 마다 레티클 R 은 X 방향으로 D/3 만 이동한다. 따라서 제 5a 도에 도시한 바와 같이 레티클 R 상의 어떤 조사점 (X=0) 에서는 간격 D/3 의 위치 40A, 40E, 40I,... 의 순서로 펄스광이 조사되고, X 방향의 적산 광량 분포를 보면, 제 5b 도의 곡선(40, 42, 43)의 조도분포를 갖는 펄스광의 중첩으로 되므로 적산 광량 불균일이 극히 작아진다. 레티클 R 이 1 펄스마다 이동하는 거리는 조명영역(15)의 주사방향 SR 의 폭 D 의 정수분의 1 로 미리 설정되어 있다.
단, 레티클 R 및 웨이퍼 W 의 주사속도는 후술하는 바와 같이 웨이퍼 W 상의 적정 노광량 등으로 결정되므로, 반드시 상기 조건이 만족되지 않는 경우가 있다. 이러한 경우에는 진동미러(8)를 병용하여 0, PX/n, 2PX/n,..., (n-1)PX/n의 각 위치에 피크를 갖는 조도분포가 얻어지도록 할 필요가 있다.
구체적으로, 필요 펄스수 n 이 4인 경우에는, 1 펄스마다 레티클 R 은 X 방향으로 D/4 만큼만 이동한다. 따라서 제 5a 도에 도시한 바와 같이 레티클 R상의 어떤 조사점(X=0)에서는 간격이 D/4의 위치 40A, 40D, 40G, 40K,... 의 순서로 펄스광이 조사되고, 별도의 어떤 점, 예를 들면 X=0 의 위치에서 D/6 만큼 떨어진 점에서는, 위치 40C, 40F, 40I, 40L,... 의 순서로 펄스광이 조사된다. 이 때문에, X 방향의 적산 광량 분포는 곡선(40)의 겹침으로 되고, 광량 불균일의 경감이 전혀 이루어지지 않는다. 그래서, 본 실시예에서는 진동미러(8)를 주사시킨다. 예를 들면, 위치(40F)에서는 PX/4, 위치(40I)에서는 PX/2, 위치(40L)에서는 3PX/4 만큼 진동미러(8)의 주사에 의해 조도분포(간섭 무늬)의 위상을 바꾸면, 제 5c 도처럼 상이한 4 종류의 위상파의 중첩으로 되어, 광량 불균일이 극히 작아진다. 제 5c 도의 곡선(46, 47, 48)은 진동미러(8)에 의해 곡선(40)에 대하여 위상을 PX/4, PX/2, 3PX/4 만큼 바꾼 것이다.
다음에, 레티클 R 및 웨이퍼 W 의 주사속도를 설명한다. 웨이퍼 W 의 주사속도는 웨이퍼 W 에 부여하는 적정 노광량(웨이퍼 W 상에 도포되는 레지스트의 감도 특성에 따라 정해짐)과 매 펄스의 에너지량으로 결정된다. 엑시머 레이저광원(1)인 경우, 매 펄스에 방출되는 에너지량이 예를 들면 ±5% 정도의 범위에 분포된다. 그래서, 레티클 R 에 입사하는 레이저빔의 강도(에너지량)를 감쇠시켜서 1 쇼트의 주사노광에 필요한 펄스수를 늘림으로써, 이의 적산 효과로 웨이퍼 W 상의 광량의 불균일이 작아지도록 매 펄스의 에너지량이 결정된다.
웨이퍼 W 의 적정 노광량을 E, 매 펄스의 에너지량(평균 에너지량)을 EP라 하면, 웨이퍼 W 상의 소정점에서 최저로 필요한 노광 펄스 수는 E/Ep 이다. 또한 레티클 R 상에서 한 번에 조명되는 범위의 주사방향의 길이(조명영역(15)의 주사방향의 폭)은 D 이므로, 1 펄스 마다의 레티클 R 의 이동량은 (Ep/E) D 가 된다. 따라서, 엑시머 레이저광원(1)의 발진 주파수가 f[Hz]일 때, 레티클 R 의 주사속도 V 는 다음 식의 값으로 설정된다.
V = (EP/E) fㆍD
그런데, 본 실시예에서는 조명영역(15)안의 간섭 패턴을 비주사방향(제 4 도의 Y 방향)으로 이동하고 있지 않았으나, 비주사방향의 광량 불균일을 더욱 경감시키기 위하여는, 예를 들면, 제 1 도의 진동미러(8)를 2 차원적으로 진동 가능하게 구성하고 비주사방향에도 간섭 패턴의 주사를 행하는 것이 바람직하다. 이 때 조명광학계에 두 세트의 진동미러를 배치하고 주사방향과 비주사방향에서 간섭 패턴을 시프트시키는 진동미러를 따로따로 해도 된다. 또한, 제 4 도에 있어서, 주사방향 SR(X 방향)과 비주사방향(Y 방향)의 양쪽에 간섭 패턴을 진동시키기 위하여, X 방향과 Y 방향이 교차하는 방향(예를 들면 45°방향)으로 간섭 패턴을 시프트시켜도 된다.
또한, 공간 코히어런스가 높은 방향과 주사방향을 일치시키는 방법에는 다음과 같은 방법도 있다.
① 노광장치 본체측에서 레티클, 웨이퍼를 X, Y 방향 양쪽으로 주사 가능하게 구성해 두면, 장치의 본체와 레이저광원을 접속시킨 후라도 X, Y 방향 중 공간 코히어런스가 높은 방향을 주사방향으로 하는 것만으로도 좋다. 이 때, 이 결정된 주사방향이 레티클상의 조명영역의 가까운 방향이 되도록 예를 들면 레티클 블라인드(blind)(시야 조리개)로 조명영역의 형상을 설정할 필요가 있다.
② 광원으로부터의 레이저광원의 공간 코히어런스가 높은 방향이 주사방향과 일치하도록 광원에서 발생되어 노광장치의 조명광학계에 입사하는 레이저빔의 공간 코히어런스가 높은 방향을 예를 들면 복수 개의 미러로 조정하면 된다. 단, 플라이 아이 렌즈 등을 조정할 필요가 있을 때도 있다. 일반적으로는 공간 코히어런스가 높은 방향을 고려하여 장치를 조립함이 바람직하다.
또한, 본 실시예에서는 진동미러(8)로 간섭 패턴을 1 펄스 마다 이동시키는 것으로 했으나, 복수 펄스마다 간섭 패턴을 이동하도록 해도 된다.
다음에, 제 7 도를 참조하여 본 발명의 제 2 실시예를 설명한다. 제 7 도는 본 실시예에 따른 펄스 발진형 레이저광원을 갖춘 주사형 투영노광장치의 구성을 도시하며, 제 1 도와 동일한 기능 및 작용 부재는 동일 부호로 나타내고 있다.
제 7 도에 있어서 엑시머 레이저광원(1)에서 출사된 원자외역(예를 들면 파장 248nm)의 레이저빔 LBo 는 원통 렌즈를 포함하는 빔 정형 광학계(2)에 입사한다. 일반적으로, 엑시머 레이저광원(1)에서 출사된 레이저빔 LBo 의 단면 형상은 수평방향(H 방향)의 폭이 수직방향(V 방향)의 폭보다 꽤 좁고 가늘고 긴 구형이다. 빔 정형 광학계(2)는 레이저빔 LBo를 단면 형상이 가로 세로비 1 : 1 의 정방형 빔으로 정형하여 출사한다.
빔 정형 광학계(2)에서 출사된 레이저빔은 미러 M1, M2 에서 굴절되어 빔확대기(3)에 입사되어, 그 단면 치수가 소정치까지 확대된다. 빔 확대기(3)에서 출사된 평행 레이저빔 LB 는 미러(3)에서 반사된 후 진동미러(간섭 무늬의 위상 변조기; 54)에서 광로가 굴절된다. 진동미러(54)는 상호 직각인 2 개의 축(54a, 54b)을 회전축으로 하여 독립으로 진동할 수 있도록 지지되고, 2 개의 회전축(54a, 54b) 주위에 진동미러(54)를 진동시키는 2 개의 모터(도시 않음)가 설치되어 있다.
또한 진동미러(54)에서 반사된 레이저빔은 제 8 도에 도시한 필드 렌즈(61) 및 입력 렌즈(62 ; 제 7 도에서는 도시 않음)를 통하여 광 적분기(플라이 아이 렌즈 ; 55)에 입사한다. 플라이 아이 렌즈(55)는 단면 형상이 구형인 미소한 렌즈 엘리먼트를 종횡으로 밀착시켜 배열한 것이며, 플라이아이 렌즈(55)의 뒤쪽(레티클측) 초점면에 다수의 광원 이미지(2차 광원)가 형성된다. 다수의 광원 이미지에서 발산되는 레이저빔의 일부가 빔 스플리터(56)로 반사된 후, 도시되지 않은 집광 광학계를 통하여 광전 검출기(적분기 센서; 57)에 입사된다.
그리고, 빔 스플리터(56)를 통과한 레이저빔은 제 1 릴레이 렌즈(58)로 레티클 R 의 패턴 형성면과 거의 공액인 면안에 배치되는 레티클 블라인드(시야 조리개 ; 59)위에 집광된다. 따라서, 레티클 블라인드(59)의 개구 형상에 따라 레티클 R 상의 조명영역(15)의 형상이 결정된다. 본 실시예에서는 조명영역(15)의 형상은 단변 방향(주사방향 SR)의 폭 D 의 장방형으로 한다. 레티클 블라인드(59)의 개구를 통과한 레이저빔은 제 2 릴레이 렌즈(60), 미러(13) 및 콘덴서 렌즈(14)를 통해 레티클 R 상의 패턴 영역내의 일부분(조명영역 ; 15)에만 입사한다. 즉플라이 아이 렌즈(55)로 형성되는 다수의 광원 이미지의 각각으로부터의 레이저빔은 콘덴서 렌즈(14)에 의해 레티클 R 상의 단변 방향의 폭 D 의 조명영역(15)을 중첩적으로 조명한다. 조명영역(15)안의 패턴 이미지가 투영광학계 PL을 통하여 웨이퍼 W 상의 장방형 노광 영역(16)안에 결상 투영된다. 또한 조명영역(15)안에 발생되는 간섭 무늬는 플라이 아이 렌즈(55)의 뒤쪽 초점면안의 광원 이미지의 배열에 따른 것이며, 이하에서는 X, Y 방향 각각에 따라 간섭 무늬가 발생하고 있는 것으로 하여 설명한다.
다음에 진동미러(54)의 구체적인 제어방법을 설명한다. 생각하는 방법의 기본이 되는 모델을 제 8 도에 도시한다. 제 8 도는 제 7 도의 주요 부재만을 도시하고 제 8 도의 지면에 평행인 방향에 X 축, 즉 주사방향 SR, SW 를 취하고 진동미러(54)를 구동시켜, 레티클 R 상의 간섭 무늬를 주사방향으로만 1 차원적으로 주사하는 경우를 생각한다.
제 8 도에서 렌즈 엘리먼트(3a, 3b)로 이루어지는 빔 확대기(3)에서 출사된 레이저빔 LB 는 제 8 도의 지면에 수직인 축(54a)을 중심으로 하여 고속으로 회전운동 가능한 진동미러(54)에서 반사된 후 필드 렌즈(61)에 의해 면(63)위에 집광되고, 면(63)위에 등가 광원 LS 가 형성된다. 그리고, 등가 광원 LS 로부터의 레이저빔은 입력 렌즈(62)를 통하여 플라이 아이 렌즈(55)에 입사된다. 또한, 플라이 아이 렌즈(55)의 뒤쪽 초점면에 형성된 다수의 광원상으로부터의 레이저빔은 콘덴서 렌즈(14)를 통하여 중첩적으로 레티클 R 상의 조명영역(15)을 조명한다.
레티클 R 은 레티클 스테이지 RST 위에 유지되고 레티클 스테이지 RST 는 조명영역(15)에 대하여 레티클 R 은 SR 방향 또는 역방향으로 소정 속도로 주사한다. 한편, 웨이퍼 W 는 웨이퍼 스테이지 WST 위에 놓여지고, 웨이퍼 스테이지 WST 는 스테핑 동작에 의해 웨이퍼 W 상의 각 쇼트 영역의 단부를 순차 투영광학계 PL 의 이미지 필드안에 설정한다. 즉, 각 쇼트 영역을 직교 좌표계 XY 안의 소정 조주(助走)(가속) 개시 위치에 설정한 후, 레티클 스테이지 RST 의 주사 동작과 동기시켜 웨이퍼 W 를 SW 방향 또는 역 방향으로 소정 속도로 주사한다. 또한, 투영광학계 PL은 전군 렌즈계(64), 개구 조리개(65) 및 후군 렌즈(66)로 구성되어 있다. 또한, 개구 조리개(65)는 투영광학계 PL 의 눈동자면에 배치되어 개구수 (NA) 를 규정하는 것이다.
그리고 본 실시예에서는 진동미러(54)를 축(54a)을 중심으로 회전운동시킨다. 즉, 진동시킴으로써 면(63)위의 등가 광원 LS 에 시간 평균에서의 소정 크기를 갖게 하고, 조명영역(15)의 인코히어런스화를 달성한다. 엑시며 레이저광원(1)은 대단히 지향성이 높으므로, 등가 광원 LS 의 어떤 시점에서의 강도 분포는 어떤 1 점에서만 예리한 피크를 갖는 δ 함수로서 취급할 수 있다. 또한, 진동미러(54)가 정지하고 있을 때, 레티클 R 의 패턴 형성면에는 플라이 아이 렌즈(55)의 다수의 렌즈 엘리먼트 사이의 간섭에 의해, 피치 P 의 간섭 무늬가 형성된다. 여기서, λ를 레이저빔 LB 의 파장(노광 파장), Ps 를 주사방향 플라이 아이 렌즈(55)의 렌즈 엘리먼트 간격, fc 를 제 1 릴레이 렌즈(58)의 초점거리, α를 레티클 블라인드(59)와 레티클 R 사이에 배치되는 광학계(60, 14)의 배율로 하면, 이의 간섭 무늬의 피치 P 는 다음과 같이 된다.
다음에, 주사노광방식이 아니고 종래의 정지노광방식(스테퍼 방식)에 있어서, 제 9 도에 도시한 바와 같이 펄스 발광 사이의 진동미러(54)의 진동각 θ0및 1 개의 쇼트 영역으로의 노광 펄스 수가 N 펄스인 조건에서 진동미러(54)를 진동시키는 것으로 한다. 여기서, 진동각 θ0는 펄스 발광 사이의 등가 광원 LS 의 크기를 나타내나, 진동미러(54)의 진동각이 미소한 때에는 진동각 θ0와 실제 진동각 사이에는 상관이 있다. N 발의 펄스광 조사후의 웨이퍼 W 상에서의 적산 광량 분포의 콘트라스트는 제 9 도의 등가 광원 분포의 후리에 변환의 2 승으로 표시된다. 제 10 도는 제 9 도에 대응하는 웨이퍼 W 상에서의 적산 광량 분포의 콘트라스트를 도시하고, 제 10 도에서 레티클 R 및 웨이퍼 W 를 정지시켜 1 펄스만 발광했을 때의 간섭 무늬의 콘트라스트를 '1' 로 하고 있다.
그리고, 본 실시예에서는 주사형 노광장치의 노광량 제어 방식으로서 아래 방식을 생각한다. 또한 이하에서는 레티클 R 상의 광량 불균일을 생각한다. 제 7 도의 레티클 R 상의 조명영역(15)의 짧은 변 방향(주사방향 SR)의 폭은 D 이며 폭 D 는 미리 웨이퍼 스테이지상의 광전변환소자를 상면상에서 주사시켜 얻은 길이에 투영광학계 PL 의 투영 배율 β 의 역수(1/β)를 곱하는 등의 방법으로 계측되어 있다.
또한, 레티클 R 상의 조명영역(15)안의 임의의 1 점에 부여할 노광 펄스수를N 으로 한다. 노광 펄스수 N 은 웨이퍼 W 의 적정 노광량과 레이저빔의 1 펄스당 에너지량으로 구해진다. 주사노광중은 다음 펄스가 조사될 때까지의 사이에 레티클 스테이지 RST 는 주사방향 SR 에 D/N 만큼만 이동한다. 레이저빔의 매 펄스의 에너지량 e 의 불균일(표준 편차 σ, 또는 3σ)을 δe, 이의 펄스 에너지 e 의 평균치를 E 로 하고, 펄스 에너지의 불균일을 δe/E 로 규격화하여 표시한다. 또한, 적정 노광량의 재현성(노광량 제어 정밀도)을 A 로 하면, 노광 펄스수 N 에는 다음과 같은 하한 Nmin이 존재한다.
레이저빔의 펄스 에너지 e 가 크고 노광 펄스수 N 가 Nmin이하로 될 때는, 레이저빔 LB(또는 LBo)의 광로중에, 예를 들면 ND 필터 등의 감광 부재를 삽입함으로써 수학식 2의 조건이 만족된다. 이와 같이, 노광 펄스수 N 이 결정되면, 레티클 R 은 펄스 발광마다 주사방향 SR 에 D/N 만큼 이동한다. 이 이동량은 레티클 R 상의 간섭 무늬의 피치 P (수학식 1 로 결정)를 단위로 한 경우, D/(NP)(단위는 간섭 무늬의 주기수)에 상응하고, 진동미러(54)가 정지하고 있을 때에도, 주사노광시에 레티클 R 상에서 간섭 무늬를 주사방향 SR 에 D/(NP)(주기) 만큼 흔든 것과 등가이다. 이하에서는, 진동미러(54)의 진동각을 레티클 R 상에서의 간섭 무늬의 이동량(이동하는 간섭 무늬의 주기수)을 단위로 하여 나타낸다. 이하, 미러의 진동각과 레티클 R 상의 간섭 무늬의 이동량에 관하여 미리 상관이 취해진 것으로 한다.
제 11 도는 제 10 도와 대응하여 본 실시예에서 Nm 발의 펄스광으로 적산 노광을 행한 후의 간섭 무늬의 콘트라스트(잔류 콘트라스트)를 도시하며 가로축에 간섭 무늬의 주기를 단위로 한 진동미러(54)의 진동각 피치(발광 사이의 진동각), 세로축에 잔류 콘트라스트를 취하고 있다. 펄스수 Nm 는 진동미러(54)의 진동 주기의 반 주기내의 노광 펄스수이다(상세 후술). 이 경우, 가로축의 값이 정수의 위치에서는 간섭 무늬를 정수 주기 늦추어서 겹친 경우에 상응하므로, 잔류 콘트라스트는 각각 최대치인 1 이 되고 있으며, 이들 최대 피크 주변에 정수 Nm 로 위치가 정해지는 작은 피크가 계속되어 있다. 또한, 본 실시예에서는 주사노광시의 레티클 스테이지의 구동에 따른 레티클 R 상에서의 간섭 무늬의 이동도 등가적으로 진동미러(54)를 흔든 결과로 하고 취급한다. 즉, 노광 펄스수 N 에서는 실제로는 진동미러(54)가 정지되어 있는 경우에도, 제 11 도에서 진동각에는 D/(NP) 만큼의 진동각 오프셋(offset)이 부가되어 있는 것으로 간주한다.
제 11 도로 알 수 있듯이, 이 진동각 오프셋 D/(NP)가 정수 혹은 정수에 아주 가까운 수치를 취할 때에는, 진동미러(54)를 정지된 채로 놓아 두면, Nm 발의 펄스광의 적산 노광후에 높은 콘트라스트의 간섭 무늬가 남는다. 그래서, 본 실시예에서는 이 잔류 콘트라스트를 진동미러(54)의 진동 제어에 의해 제 11 도의 안전 영역 S+A 또는 안전 영역 S-A 에 넣는다. 즉, 안전 영역 S+A, S-A 는 잔류 콘트라스트의 값이 소정치 이하가 되는 영역이며, 제 11 도에서는 최대 피크의 위치를 중심으로 한 5 개의 피크를 제외한 영역이 각각 안전 영역 S+A, S-A 로 되어 있다. 그리고, 제 11 도의 가로축 상에서 안전 영역 S+A 및 S-A 이외의 영역이 잔류 콘트라스트가 커서 광량 불균일이 허용치를 넘을 염려가 있는 위험 영역 DA 로 되어 있다.
실제로는, 안전 영역 S+A 및 S-A 의 설정 방법은 사용하는 레이저광원의 특성, 웨이퍼 W 위에 도포하는 포토 레지스트의 감광 특성 및 광량 불균일의 허용치 등으로 결정되나, 통상은 최악 조건을 상정하여 설정하면 된다. 제 11 도를 참조하면, 제 8 도의 진동미러(54)의 제어방법은 다음 2 가지 경우로 나눈다.
[진동미러(54)를 구동하는 경우(조건 A)]
진동각 오프셋 D/(NP) 가 위험 영역 DA 안에 있는 경우, 진동미러(54)의 펄스 발광 사이에서의 진동각(진동 피치)을 δ로 하고, {D/(NP)±δ}가 예를 들면 안전 영역 S+A 에 들어가도록 진동미러(54)를 제어한다. 여기서 진동각 δ의 ±부호는, + 부호는 레티클 R 의 주사방향과 진동미러(54)에 의한 간섭 무늬의 이동 방향과 동일 방향인 경우를 나타내며, - 부호는 양자가 역 방향인 경우를 나타낸다.
제 11 도의 예에서는, 진동각 오프셋 D/(NP)를 중심으로 하여 안전 영역 S-A 까지의 간격을 δ-(부의 값)으로 하고, 안전 영역 S+A 까지의 간격을 δ+(정의 값)으로 하면, | δ+| > | δ-| 이 성립하고 있다. 따라서 수 a, b 중 큰 쪽을 max(a,b)로 표시한 경우, 진동미러(54)의 진동각 δ은 다음과 같이 된다.
[진동미러(54)를 정지시켜 놓아 좋은 경우(조건 B)]
진동각 오프셋 D/(NP)가 안전 영역 S+A 또는 S-A 에 있는 경우, 진동미러(54)는 흔들 필요가 없다.
다음에, 본 실시예에서 레티클 R 의 패턴 이미지를 주사노광방식으로 웨이퍼 W 위에 전사할 때의 4 가지 조건을 설명한다.
[제 1 조건]
레티클 R 상의 조명영역(15)안의 임의의 점은 동일 크기의 등가 광원 LS(제 8 도 참조)의 빛으로 조명되지 않으면 안된다.
[제 2 조건]
조명영역(15)안의 임의의 점은 진동미러(54)의 풀스트로크(full stroke)의 진동 주기를 TM로 한 경우, 반주기(TM/2)의 정수배의 시간만큼 조명되도록, 이 반주기중의 노광 펄스수를 결정하지 않으면 안된다. 이로서, 진동미러(54)가 왕복 운동을 하는 제어 방식을 채용해도, 레티클 R 상의 모든 점으로의 조명을 행하는 경우에, 각각 진동미러(54)가 반주기(TM/2)의 정수배의 시간 만큼만 간섭 무늬를 흔들 수 있다.
[제 3 조건]
레티클 R(또는 웨이퍼 W)상에서의 주사노광후의 간섭 무늬의 잔류 콘트라스트를 저하시키기 위하여는, 적분 효과를 높이기 위하여, 진동미러(54)의 반주기 중의 노광 펄스수는 가능한 한 많은 것이 바람직하다.
[제 4 조건]
진동미러(54)의 구동부로서 피에조 소자 등을 사용한 경우에는, 이의 펄스 발광 사이의 진동각 δ에 소정 분해능이 존재한다. 예를 들면, 제 11 도의 경우에서는, 펄스 발광 사이의 진동각의 최소치는 3/Nm이므로, 이것이 사용하는 진동미러 (54)의 진동각의 분해능 이상이 되도록 이 반주기 중의 최대 노광 펄스수를 결정할 필요가 있다.
상기 제조건들을 고려하여, 본 실시예에서의 진동미러(54)의 제어 시퀸스를 결정한다. 제 12 도∼제 14 도는 그 제어 시퀸스의 일예를 도시한다. 웨이퍼 W 상의 쇼트 영역안의 A 점에서는 제 7 도의 진동미러(54)에서 보면, As 점에서 노광이 시작되고, 진동각이 진폭 θ0인 3 각 파장으로 1 주기 변화한 후, Af점에서 노광이 종료된다. 또한, A 점에서 주사방향으로 약간 늦춰진 B 점에서는, 진동미러(54)에서 보면, Bs점에서 노광이 시작되고, 진동각이 1 주기 변화한 후의 Bf점에서 노광이 종료된다. 즉, A 점 및 B 점 공히, 진동미러(54)의 진동각이 풀 스트로크 θ0에서 1 주기 변화하여 노광된 것으로 된다.
제 13 도는 제 12 도에 대응한 제 8 도의 등가 광원 LS 의 동작을 도시한다. 제 13a 도에 도시한 바와 같이, 등가 광원 LS 는 X 축에 따라 풀 스트로크 θ0에서주기적으로 진동하도록 이동한다. 이에 대응하여, 웨이퍼 W 상의 A 점에 대해서는 등가 광원 LS 는 As 점에서 Af점까지 1 주기 이동하고, 웨이퍼 W 상의 B 점에 대해서는 등가 광원 LS 는 Bs 점에서 Bf점까지 1 주기 이동한다.
다음에, 제 15 도를 참조하여 본 실시예의 주사노광 동작의 일예를 설명한다. 우선, 수학식 2 를 만족시키는 최소 노광 펄스수 중, 짝수로 되는 것을 Nmin으로 한다. 또한 상기 제 1 조건에서 진동미러(54)의 진동 반주기(TM/2) 중의 최소 노광 펄스수 Nm,min은 다음과 같이 된다.
또한, 상술한 제 4 조건에서 진동미러(54)의 진동의 반주기중의 최대 노광 펄스수를 Nm,max로 한다. 다음, 제 15 도의 단계(101)에 있어서, 웨이퍼 W 상의 1 점당 노광 펄스수 N 을(2)식을 만족시키도록 결정한다. 그리고, 단계 (102)에 있어서, 진동미러(54)의 진동 반주기 중의 노광 펄스수 Nm을 결정한다. 이 노광 펄스수 Nm은 다음 조건을 충족한다.
따라서, Nmin≤N ≤2Nm,max가 성립할 때, int(a)가 실수 a 의 정수부를 표시하는 것으로 하여, 노광 펄스수 Nm은 다음과 같이 된다(단계103).
한편, 2Nm,max≤ N 인 때, 노광 펄스수 Nm은 다음과 같이 된다(단계 104).
이것에서 제 1 조건 내지 제 4 조건이 만족된다. 단계(103 또는 104)의 실행 후, 단계(105)로 이행해서, 진동미러(54)가 진동 제어를 실행하는가의 여부를 판단한다. 여기서는, 진동미러(54)의 진동각의 안전 영역을, 제 11 도의 안전 영역 S+A 및 S-A 로 한다. 그리고, CINT(a)가 실수 a 에 최대한 근접한 정수, 즉 실수 a 의 소수점 이하 첫째자리를 반올림한 정수를 표시하는 것으로써, 제 11 도에서 잔류 콘트라스트가 최대가 되는 위치에서 어긋난 양인 |D(NP)-CINT(D/(NP))| 가 허용치인 3/Nm보다도 작을 때에 진동미러(54)의 진동을 제어한다. 즉, 다음 식이 성립할 때에 단계(107)로 이행한다.
반면, 수학식 8 이 성립하지 않을 때에는 단계(106)으로 이행해서, 진동미러(54)를 정지한 채로 주사노광을 행한다. 이것은 상기의 조건 B 를 이용한 것이다.
그리고, 단계(107)에 있어서는, 상기의 조건 A 을 이용한 다음식에 의해 진동미러(54)의 펄스마다의 진동각(진동각 피치) δ를 산출한다.
다음으로, 단계(108)에 있어서, 진동각 피치 δ와 반주기의 노광 펄스수 Nm 을 이용하여, 진동미러(54)의 진동각의 풀스토로크 θ0을 다음식에서 산출한다.
이상에서 진동미러(54)의 각 제어량이 구해진다. 그 후, 단계(109)에서 펄스 발광시킨 후, 앞서 구한 제어량에 기초해서, 단계(111)에서 진동미러(54)의 진동각을 제어한다. 이하, 단계(109 내지 111)을 반복 실행하고, 단계(110)에 있어서, 웨이퍼 W 의 1 개의 쇼트 영역의 전면으로의 주사노광이 종료한 시점에서 노광 동작이 종료한다. 또, 웨이퍼 W 상의 다른 쇼트 영역에도, 동일 형상의 시퀸스로서 주사노광이 행하여진다.
다음에, 제 7 도로 돌아가서, 레티클 R 상의 비주사방향(Y 방향)으로 간섭 무늬를 이동시키는 방법에 관해 설명한다. 상기와 같이 주사방향에서는, 웨이퍼 W 의 적정 노광량 등의 조건에 따라, 진동미러(54)를 반드시 구동하지 않아도좋은 경우가 있지만, 주사방향에서 레티클 R 은 정지해 있기 때문에, 진동미러(54) 또는 다른 주사 부재를 통해 간섭 무늬를 비주사방향으로 진동시키는 것이 바람직하다.
비주사방향에 관해서도, 종래의 정지노광방식(스테퍼 방식)과 동일하게 진동미러(54)를 진동시키면 좋다. 비주사방향에 대해서도, 레티클 R 상에는 제 11 도와 같은 잔류 콘트라스트가 남지만, 주사방향과 달리, 적정 노광량에 의해 결정되는 진동미러(54)의 진동각의 오프셋은 없다. 따라서, 적정 노광량에 의해, 진동미러(54)의 진동각이 피치 및 풀스토로크가 변하지 않는다. 또한, 주사방향과 같이 목표로 하는 안전 영역만을 생각하는 방법이 아닌, 목표점을 생각하는 것이 가능하다. 즉, 진동각의 오프셋은 0 이기 때문에, 제 11 도에서는 잔류 콘트라스트가 0 으로 되는 T 점을 목표로 하는 진동각으로 가정한다. 그리고, 진동미러(54)의 펄스 발광간의 진동각(진동각 피치)이 3/Nm, 풀스토로크 θ0가 레티클 R 상에서 간섭무늬의 3 피치분에 상당하도록, 진동미러(54)의 진동각을 제어한다. 또한, 진동미러(54)의 진동의 반주기 중의 노광펄스수 Nm 은, 다음과 같은 조건이면 가능하다.
또, 제 11 도중의 T 점과 같은 목표점은 진동미러(54)의 제어정도나, 비주사방향의 레이저빔의 공간 코히어런스에 따라 결정된다.
이상과 같이 본 실시예에서는, 주사방향에 대해서는, 웨이퍼 W 상의 쇼트 영역내의 1 점으로의 노광펄스수 N 에 따라서, 진동미러(54)의 진동각 피치, 진동각의 스토로크 및 반주기 중의 노광펄스수를 변화시키지만, 비주사방향에 대해서는, 진동각 피치, 및 진동각의 스토로크를 변화시키지 않는다. 이와 같이 주사방향과 비주사방향에서 진동미러(54)의 제어방식은 다르게 된다. 더욱이, 본 실시예에서는 1 쇼트의 주사노광중에 진동미러(54)를 왕복운동시키는 경우를 고려했지만, 진동미러(54)를 일 방향만으로 진동시키는 제어방법도 있다.
제 14 도는 진동미러(54)를 일 방향으로 진동시키는 경우를 나타낸다. 즉, 제 13 도에서는 진동미러(54)를 왕복 경로 모두에 동일한 각속도로 진동시키고 있는 것에 대해, 제 14 도에서는 진동미러(54)를, 예를 들면, 가는 경로에서는 제 13 도와 동일하게 진동시키고, 돌아오는 경로에서는, 고속으로 초기 위치까지 되돌리는 동작을 반복하여, 항상 간섭 무늬를 일정한 방향으로만 진동하도록 하고 있다. 또한, 제 14 도의 동작은 진동미러(54)를 예를 들면 다각형 미러로 구성한 경우에, 다각형 미러의 회전방향을 일정하게 하는 것으로 실현가능하다.
이와 같이 진동미러를 일 방향으로 진동시키는 경우, 제 11 도에 있어서, 진동각의 오프셋이 D/(NP)이면, 목표 영역을 안전 영역 S-A 로 한다. 즉, 이 경우 진동각 피치 δ는 다음과 같다.
그리고, 진동미러(54)를 진동시키는 방향은, 레티클 스테이지의 주사방향 SR 과 역방향으로 간섭무늬를 이동시키는 것과 같은 방향이다. 또한, 이 경우에는 진동미러(54)의 진동의 반주기 중의 펄스수 Nm 은 다음과 같이 분리된다.
먼저, Nmin≤N ≤Nm,max일 때는 다음과 같다.
또한, Nm,max< N 일 때는 다음과 같다.
이에 따라, 진동미러(54)의 진동각의 풀스토로크 θ0도 다음과 같이 된다.
이 방식에서는, 제 15 도의 단계(107)에 있어서의 진동각 δ의 선택은 필요없고, 진동미러(54)에 요구되는 최대 풀스토로크 θ0은, 왕복운동하는 방식의 절반값으로 끝난다.
또, 본 실시예에서도 제 1 실시예와 마찬가지로, 공간 코히어런스가 높은 방향과 주사방향 SR 을 거의 일치시켜도 된다. 주사방향의 광량 불균일을 작게 할 수 있고, 또한 비주사방향의 노광량 불균일의 콘트라스트도 작게 할 수 있다.
또, 본 발명은 이상의 각 실시예에 한정되지 않고, 예를 들면 YAG 레이저의 고주파, 또는 수은램프의 휘선(i선 등)과 같은 연속광을 사용하는 경우에서도, 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위에서 여러 가지 구성을 얻는 것은 물론이다.
본 발명에 따르면, 공간 코히어런스가 높은 광을 노광광으로 사용해도, 간섭 무늬에 기인하는 감광기판상에서의 노광량 얼룩을 가능한 한 적게 할 수 있다.

Claims (33)

  1. 펄스발진되는 노광빔에 대하여 기판을 이동시킴으로써, 상기 기판을 주사노광하는 주사노광방법에 있어서,
    상기 노광빔의 발산각의 정보에 의거하여, 상기 기판의 노광조건을 결정함과 동시에, 상기 주사노광시, 상기 기판의 이동속도를 V, 상기 기판의 이동방향에 관한 상기 노광빔의 조사영역의 폭을 D, 상기 기판상에 조사되는 노광빔의 펄스수를 n, 상기 노광빔의 발진주파수를 f 로 하여, V = f·D/n 을 만족하는 것을 특징으로 하는 주사노광방법.
  2. 제 19 항에 있어서, 상기 노광빔의 발산각의 정보에 의거하여, 상기 노광빔의 발진주파수를 결정하는 것을 특징으로 하는 주사노광방법.
  3. 제 19 항에 있어서, 상기 노광빔의 발산각의 정보에 의거하여, 상기 기판상에 조사되는 노광빔의 펄스수를 결정하는 것을 특징으로 하는 주사노광방법.
  4. 제 19 항에 있어서, 상기 노광빔의 발산각의 정보에 의거하여, 상기 노광빔의 조명영역내에 형성되는 간섭패턴을 시프트시키기 위한 미러의 진동조건을 결정하는 것을 특징으로 하는 주사노광방법.
  5. 제 19 항에 있어서, 상기 노광빔의 발산각의 정보에 의거하여, 상기 기판의 이동속도를 결정하는 것을 특징으로 하는 주사노광방법.
  6. 주사노광중에, 노광빔을 소정의 조사영역에 조사함과 동시에 그 조사영역에 대하여 피조사체를 주사방향으로 이동시키는 주사노광방법에 있어서,
    상기 마스크상에서의 상기 주사방향의 조도분포가 서로 다른 복수의 빔을 상기 조사영역에 조사하는 것을 특징으로 하는 주사노광방법.
  7. 제 24 항에 있어서, 상기 복수의 빔은 편광방향이 서로 다른 것을 특징으로 하는 주사노광방법.
  8. 제 19 항 내지 제 25 항 중 어느 한 항에 기재된 방법을 이용하는 소자제조방법.
  9. 노광빔에 대하여 기판을 이동시킴으로써, 상기 기판을 주사노광하는 주사형 노광장치에 있어서,
    상기 노광빔을 펄스발진하는 빔원과,
    상기 기판을 지지하여 상기 주사노광을 위하여 이동하는 스테이지와,
    상기 노광빔의 발산각의 정보를 측정하는 측정수단과,
    상기 측정수단으로 측정된 상기 노광빔의 발산각의 정보에 의거하여, 상기 기판의 노광조건을 제어하는 제어수단을 구비한 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  10. 제 27 항에 있어서, 상기 측정수단은 화상처리를 이용하여 상기 노광빔의 발산각의 정보를 측정하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  11. 마스크를 소정의 주사방향으로 이동시킴과 동시에, 그 마스크의 주사방향에 대응하는 주사방향으로 기판을 이동시킴으로써, 상기 마스크의 패턴을 이용하여 상기 기판을 주사노광하는 주사형 노광장치에 있어서,
    노광빔을 발사하는 빔원과,
    상기 빔원으로부터의 노광빔을 제 1 편광성분의 제 1 빔과 제 2 편광성분의 제 2 빔으로 분리하는 편광수단을 구비하며,
    상기 제 1 빔의 상기 마스크상에서의 상기 주사방향의 조도분포와 상기 제 2 빔의 상기 마스크상에서의 상기 주사방향의 조도분포는 상기 주사방향으로 어긋나 있는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  12. 제 29 항에 있어서, 상기 편광수단은 프리즘을 포함하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  13. 제 29 항에 있어서, 상기 편광수단은 상기 광원과 플라이 아이 렌즈 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  14. 주사노광중에 노광빔과 피조사물체를 상대적으로 이동시키는 주사형 노광장치에 있어서,
    상기 노광빔을 소정의 조사영역에 조사하는 조사계와,
    상기 조사영역내에 생기는 간섭패턴을 이동시키는 이동수단과,
    상기 주사노광중에 상기 간섭패턴을 이동시킬지의 여부를 판단하는 제어수단을 구비한 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  15. 제 32 항에 있어서, 상기 주사노광중에, 상기 노광빔의 조사영역과 상기 피조사체를 상대적으로 이동시키는 주사수단을 더 구비하며,
    상기 제어수단은 상기 조사영역과 상기 피조사체의 상대속도에 의거하여 상기 간섭패턴을 이동시킬지의 여부를 판단하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  16. 제 33 항에 있어서, 상기 주사노광중에, 상기 노광빔의 조사영역과 상기 피조사체를 상대적으로 이동시키는 주사수단을 더 구비하며,
    상기 제어수단은 상기 간섭패턴의 피치에 의거하여 상기 간섭패턴을 이동시킬지의 여부를 판단하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  17. 제 33 항에 있어서, 상기 상대이동의 방향에 관한 상기 조사영역의 폭을 D, 상기 피조사체상의 임의의 일점에 부여해야 할 노광펄스수를 N, 상기 간섭패턴의 피치를 P 라 하고, D/NP 에 의거하여 상기 간섭패턴을 이동시킬지의 여부를 판단하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  18. 제 35 항에 있어서, 상기 조사계는 플라이 아이 렌즈를 갖고,
    상기 간섭패턴의 피치 (P) 는 상기 플라이 아이 렌즈의 렌즈엘리먼트 간격에 의거하여 결정되는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  19. 주사노광중에 노광빔과 피조사물체를 소정의 주사방향으로 상대적으로 이동시키는 주사형 노광장치에 있어서,
    상기 노광빔을 소정의 조사영역에 조사하는 조사계와,
    상기 주사방향 및 이 주사방향과 교차하는 비주사방향으로 상기 노광빔을 진동시키는 진동수단과,
    상기 주사방향으로의 상기 노광빔의 진동의 제어방식과 상기 비주사방향으로의 상기 노광빔의 진동의 제어방식을 다르게 하는 제어수단을 구비한 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  20. 제 37 항에 있어서, 상기 제어수단은, 상기 주사방향으로의 상기 노광빔의 진동의 피치를 상기 피조사체상의 1 점으로 조사되는 펄스수에 따라서 변경하고, 상기 비주사방향으로의 상기 노광빔의 진동의 피치를 상기 피조사체상의 1 점으로 조사되는 펄스수에 따라서 변경하지 않는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  21. 제 37 항에 있어서, 상기 제어수단은, 상기 주사방향으로의 상기 노광빔의 진동의 스트로크를 상기 피조사체상의 1 점으로 조사되는 펄스수에 따라서 변경하고, 상기 비주사방향으로의 상기 노광빔의 진동의 스트로크를 상기 피조사체상의 1 점으로 조사되는 펄스수에 따라서 변경하지 않는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  22. 제 37 항에 있어서, 상기 조사계는 제 1 플라이 아이 렌즈와 제 2 플라이 아이 렌즈를 갖는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  23. 제 40 항에 있어서, 상기 진동수단은 상기 제 1 플라이 아이 렌즈와 상기 제 2 플라이 아이 렌즈 사이에 배치된 진동미러를 포함하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  24. 제 37 항에 있어서, 상기 조사계는, 상기 노광빔을 발사하는 빔원과, 플라이 아이 렌즈와, 상기 빔원으로부터의 노광빔을 나누어 플라이 아이 렌즈로 입사시키는 프리즘을 갖는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  25. 제 27 항 내지 제 42 항 중 어느 한 항에 기재된 장치를 사용하는 소자제조방법.
  26. 노광빔에 대하여 기판을 이동시킴으로써, 상기 노광빔으로 상기 기판을 주사노광하는 주사형 노광장치에 있어서,
    상기 노광빔을 펄스 발진하는 빔원;
    상기 주사노광중에 상기 기판이 상대이동되는 조명영역에 상기 노광빔을 조사하는 조사계; 및
    상기 조사계내에 설치되어, 상기 기판이 이동되는 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향에 관한 상기 기판상에서의 노광량 분포를 균일화하는 균일화수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  27. 제 44 항에 있어서,
    상기 주사노광시, 상기 기판의 이동속도를 V, 상기 제 1 방향에 관한 상기 조사영역의 폭을 D, 상기 기판상에 조사되는 노광빔의 펄스수를 n, 상기 노광빔의 발진주파수를 f 로 하여, V = f·D/n 을 만족하도록 상기 기판의 주사노광조건을 설정하는 설정수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  28. 제 45 항에 있어서,
    상기 노광빔의 발진 사이에 상기 기판이 이동하는 거리를 상기 조명영역의 폭의 정수분의 1 로 하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  29. 제 44 항에 있어서,
    상기 주사노광시, 상기 기판의 노광량을 E, 상기 노광빔의 에너지량을 Ep, 상기 기판의 이동속도를 V, 상기 제 1 방향에 관한 상기 조명영역의 폭을 D, 상기 노광빔의 발진주파수를 f 로 하여, V = f·D·Ep/E 를 만족하도록 상기 기판의 주사노광조건을 설정하는 설정수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  30. 제 44 항에 있어서,
    상기 균일화수단은, 상기 빔원과 상기 조사계내의 옵티컬 인테그레이터와의 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  31. 제 44 항에 있어서,
    상기 조사계는, 상기 노광빔의 공간 코히어런스가 높은 방향을 상기 제 2 방향과 상이하게 하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  32. 노광빔에 대하여 기판을 이동시킴으로써, 상기 노광빔으로 상기 기판을 주사노광하는 주사형 노광장치에 있어서,
    상기 노광빔을 펄스 발진하는 빔원;
    상기 주사노광중에 상기 기판이 상대이동되는 조명영역에 상기 노광빔을 조사하는 조사계; 및
    상기 노광빔의 공간 코히어런스가 높은 방향과 상이한 소정 방향에 관한 상기 기판상에서의 노광량 분포를 균일화하는 균일화수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  33. 제 44 항 내지 제 50 항 중 어느 한 항에 기재된 장치를 사용하는 소자제조방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100546160B1 (ko) * 1999-04-16 2006-01-24 주식회사 하이닉스반도체 광학 조명계의 시그마값 변화 측정방법

Families Citing this family (84)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09311278A (ja) 1996-05-20 1997-12-02 Nikon Corp 反射屈折光学系
JP3395801B2 (ja) 1994-04-28 2003-04-14 株式会社ニコン 反射屈折投影光学系、走査型投影露光装置、及び走査投影露光方法
USRE38438E1 (en) 1994-08-23 2004-02-24 Nikon Corporation Catadioptric reduction projection optical system and exposure apparatus having the same
JPH08179204A (ja) 1994-11-10 1996-07-12 Nikon Corp 投影光学系及び投影露光装置
USRE38465E1 (en) 1994-12-14 2004-03-16 Nikon Corporation Exposure apparatus
JP3454390B2 (ja) 1995-01-06 2003-10-06 株式会社ニコン 投影光学系、投影露光装置及び投影露光方法
JP3491212B2 (ja) * 1995-06-23 2004-01-26 株式会社ニコン 露光装置、照明光学装置、照明光学系の設計方法及び露光方法
JP3320262B2 (ja) * 1995-07-07 2002-09-03 キヤノン株式会社 走査露光装置及び方法並びにそれを用いたデバイス製造方法
JP3359193B2 (ja) * 1995-07-21 2002-12-24 キヤノン株式会社 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP3624973B2 (ja) * 1995-10-12 2005-03-02 株式会社ニコン 投影光学系
JPH1054932A (ja) * 1996-08-08 1998-02-24 Nikon Corp 投影光学装置及びそれを装着した投影露光装置
JPH10153866A (ja) * 1996-11-22 1998-06-09 Nikon Corp 照明装置および該照明装置を備えた露光装置
US5896188A (en) * 1996-11-25 1999-04-20 Svg Lithography Systems, Inc. Reduction of pattern noise in scanning lithographic system illuminators
CN1244020C (zh) * 1996-11-28 2006-03-01 株式会社尼康 曝光装置
JPH10209039A (ja) 1997-01-27 1998-08-07 Nikon Corp 投影露光方法及び投影露光装置
JPH10229038A (ja) * 1997-02-14 1998-08-25 Nikon Corp 露光量制御方法
JP3821324B2 (ja) 1997-04-25 2006-09-13 株式会社ニコン リソグラフィシステム及び素子製造方法
US6522386B1 (en) * 1997-07-24 2003-02-18 Nikon Corporation Exposure apparatus having projection optical system with aberration correction element
KR100521704B1 (ko) * 1997-09-19 2005-10-14 가부시키가이샤 니콘 스테이지장치, 주사형 노광장치 및 방법, 그리고 이것으로제조된 디바이스
JP3462053B2 (ja) * 1997-09-30 2003-11-05 株式会社半導体エネルギー研究所 ビームホモジェナイザーおよびレーザー照射装置およびレーザー照射方法および半導体デバイス
US6235438B1 (en) 1997-10-07 2001-05-22 Nikon Corporation Projection exposure method and apparatus
TW448487B (en) 1997-11-22 2001-08-01 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus, exposure method and manufacturing method of device
JPH11243050A (ja) * 1998-02-24 1999-09-07 Canon Inc 露光装置
JP4238390B2 (ja) * 1998-02-27 2009-03-18 株式会社ニコン 照明装置、該照明装置を備えた露光装置および該露光装置を用いて半導体デバイスを製造する方法
JPH11312463A (ja) * 1998-04-28 1999-11-09 Hitachi Ltd 配線基板およびそれを用いたガス放電型表示装置
WO2000070660A1 (fr) 1999-05-18 2000-11-23 Nikon Corporation Procede et dispositif d'exposition, et dispositif d'eclairage
JP3985346B2 (ja) * 1998-06-12 2007-10-03 株式会社ニコン 投影露光装置、投影露光装置の調整方法、及び投影露光方法
US6469827B1 (en) * 1998-08-06 2002-10-22 Euv Llc Diffraction spectral filter for use in extreme-UV lithography condenser
WO2000016381A1 (fr) * 1998-09-14 2000-03-23 Nikon Corporation Appareil d'exposition et son procede de fabrication, et procede de production de dispositif
US6208747B1 (en) * 1998-12-01 2001-03-27 Advanced Micro Devices Inc. Determination of scanning error in scanner by reticle rotation
US6393042B1 (en) 1999-03-08 2002-05-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Beam homogenizer and laser irradiation apparatus
AU3754800A (en) 1999-03-17 2000-10-04 Rochester Institute Of Technology Mofification of a projection imaging system with a non-circular aperture and a method thereof
US6556361B1 (en) 1999-03-17 2003-04-29 Rochester Institute Of Technology Projection imaging system with a non-circular aperture and a method thereof
JP4748836B2 (ja) * 1999-08-13 2011-08-17 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ照射装置
JP2001264696A (ja) * 2000-03-16 2001-09-26 Canon Inc 照明光学系及びそれを備えた露光装置
JP3904841B2 (ja) * 2000-05-15 2007-04-11 シャープ株式会社 液晶表示装置及びそれを用いた電子機器並びに液晶表示方法
US7289212B2 (en) * 2000-08-24 2007-10-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufacturing thereby
US7561270B2 (en) * 2000-08-24 2009-07-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
TW527526B (en) * 2000-08-24 2003-04-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
JP3619142B2 (ja) * 2000-11-10 2005-02-09 キヤノン株式会社 投影露光装置及びデバイス製造方法
JP3576960B2 (ja) * 2000-11-10 2004-10-13 キヤノン株式会社 走査型露光装置及びデバイス製造方法
JP2002373839A (ja) * 2001-06-13 2002-12-26 Canon Inc 照明装置、露光装置及び露光方法
US7372630B2 (en) * 2001-08-17 2008-05-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser, irradiation apparatus, laser irradiation method, and method for manufacturing semiconductor device
US6798494B2 (en) * 2001-08-30 2004-09-28 Euv Llc Apparatus for generating partially coherent radiation
US6859263B2 (en) * 2001-08-30 2005-02-22 Euv Llc Apparatus for generating partially coherent radiation
SG108878A1 (en) * 2001-10-30 2005-02-28 Semiconductor Energy Lab Laser irradiation method and laser irradiation apparatus, and method for fabricating semiconductor device
US6577429B1 (en) * 2002-01-15 2003-06-10 Eastman Kodak Company Laser projection display system
SE0200547D0 (sv) * 2002-02-25 2002-02-25 Micronic Laser Systems Ab An image forming method and apparatus
KR20110086130A (ko) * 2002-12-10 2011-07-27 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
TWI338323B (en) 2003-02-17 2011-03-01 Nikon Corp Stage device, exposure device and manufacguring method of devices
EP1596425A4 (en) * 2003-02-19 2007-08-01 Nikon Corp Transfer method, exposure method and exposure device, and construction element manufacturing method
EP1467253A1 (en) * 2003-04-07 2004-10-13 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20180054929A (ko) 2003-04-11 2018-05-24 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법
EP2275869B1 (en) 2003-06-19 2014-01-15 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
KR101205263B1 (ko) 2003-08-07 2012-11-27 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 노광 장치, 스테이지 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
EP1683074A1 (en) * 2003-11-10 2006-07-26 Technology Innovations, LLC Digital imaging assembly and methods thereof
US20070081133A1 (en) * 2004-12-14 2007-04-12 Niikon Corporation Projection exposure apparatus and stage unit, and exposure method
WO2005057635A1 (ja) * 2003-12-15 2005-06-23 Nikon Corporation 投影露光装置及びステージ装置、並びに露光方法
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP4974049B2 (ja) * 2004-02-20 2012-07-11 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、並びにデバイス製造方法
WO2005096354A1 (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Nikon Corporation 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法、並びに面形状検出装置
WO2006001416A1 (ja) * 2004-06-29 2006-01-05 Nikon Corporation 管理方法及び管理システム、並びにプログラム
EP1806828A4 (en) 2004-10-01 2016-11-09 Nikon Corp LINEAR MOTOR, FLOOR APPARATUS AND EXPOSURE APPARATUS
US7227294B2 (en) * 2005-04-29 2007-06-05 Symbol Technologies, Inc. Piezoelectric motor drive circuit and method
US7948606B2 (en) * 2006-04-13 2011-05-24 Asml Netherlands B.V. Moving beam with respect to diffractive optics in order to reduce interference patterns
JP5339056B2 (ja) * 2006-07-14 2013-11-13 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
US7936503B2 (en) * 2007-02-19 2011-05-03 Olympus Corporation Laser scanning microscope
US8587764B2 (en) * 2007-03-13 2013-11-19 Nikon Corporation Optical integrator system, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2009010231A (ja) * 2007-06-28 2009-01-15 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
TWI579659B (zh) * 2009-08-07 2017-04-21 尼康股份有限公司 An exposure apparatus, and an element manufacturing method
KR101499285B1 (ko) 2009-08-07 2015-03-05 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
JPWO2012115002A1 (ja) 2011-02-22 2014-07-07 株式会社ニコン 保持装置、露光装置、及びデバイスの製造方法
DE102011119764B4 (de) * 2011-11-24 2015-04-30 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung und Verfahren zur Interferenzstrukturierung von flächigen Proben und deren Verwendung
JP6311720B2 (ja) * 2013-10-25 2018-04-18 株式会社ニコン レーザ装置、該レーザ装置を備えた露光装置及び検査装置
TWI656704B (zh) 2014-02-18 2019-04-11 日商尼康股份有限公司 Method for generating pulsed light, pulsed laser device, and exposure device and inspection device having the same
TWI575566B (zh) 2014-02-24 2017-03-21 東京威力科創股份有限公司 與光敏化化學放大光阻化學品及程序一起使用的方法及技術
DE112015000546T5 (de) 2014-02-25 2016-11-10 Tokyo Electron Limited Chemische Verstärkungsverfahren und -methoden für entwickelbare untere Antireflexbeläge und gefärbte Implantationsresists
CN107851955A (zh) * 2015-08-19 2018-03-27 极光先进雷射株式会社 激光装置
US10048594B2 (en) 2016-02-19 2018-08-14 Tokyo Electron Limited Photo-sensitized chemically amplified resist (PS-CAR) model calibration
US10429745B2 (en) 2016-02-19 2019-10-01 Osaka University Photo-sensitized chemically amplified resist (PS-CAR) simulation
CN109313394B (zh) 2016-05-13 2021-07-02 东京毅力科创株式会社 使用光敏化学品或光敏化学放大抗蚀剂的临界尺寸控制
TWI662360B (zh) 2016-05-13 2019-06-11 東京威力科創股份有限公司 藉由使用光劑之臨界尺寸控制
CN110383606B (zh) * 2017-04-26 2021-11-09 极光先进雷射株式会社 窄带化模块
WO2021034567A1 (en) 2019-08-16 2021-02-25 Tokyo Electron Limited Method and process for stochastic driven defectivity healing

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH033315A (ja) * 1989-05-31 1991-01-09 Hitachi Ltd 露光方法およびその装置
US5150173A (en) * 1990-01-31 1992-09-22 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for alignment and exposure
JPH05275317A (ja) * 1992-03-30 1993-10-22 Nikon Corp 照明装置及び該照明装置を用いた露光装置
US5789734A (en) * 1993-05-14 1998-08-04 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus that compensates for spherical aberration of an image forming device

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4619508A (en) * 1984-04-28 1986-10-28 Nippon Kogaku K. K. Illumination optical arrangement
JPH0616480B2 (ja) * 1985-06-03 1994-03-02 株式会社日立製作所 縮小投影式アライメント方法およびその装置
US4747678A (en) * 1986-12-17 1988-05-31 The Perkin-Elmer Corporation Optical relay system with magnification
JP2536023B2 (ja) * 1988-02-29 1996-09-18 株式会社ニコン 露光装置、及び露光方法
US5307207A (en) * 1988-03-16 1994-04-26 Nikon Corporation Illuminating optical apparatus
JP2662562B2 (ja) * 1988-04-11 1997-10-15 株式会社ニコン 露光装置
US4924257A (en) * 1988-10-05 1990-05-08 Kantilal Jain Scan and repeat high resolution projection lithography system
US5253110A (en) * 1988-12-22 1993-10-12 Nikon Corporation Illumination optical arrangement
US5153773A (en) * 1989-06-08 1992-10-06 Canon Kabushiki Kaisha Illumination device including amplitude-division and beam movements
US5473410A (en) 1990-11-28 1995-12-05 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
JP2830492B2 (ja) * 1991-03-06 1998-12-02 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH033315A (ja) * 1989-05-31 1991-01-09 Hitachi Ltd 露光方法およびその装置
US5150173A (en) * 1990-01-31 1992-09-22 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for alignment and exposure
JPH05275317A (ja) * 1992-03-30 1993-10-22 Nikon Corp 照明装置及び該照明装置を用いた露光装置
US5789734A (en) * 1993-05-14 1998-08-04 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus that compensates for spherical aberration of an image forming device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100546160B1 (ko) * 1999-04-16 2006-01-24 주식회사 하이닉스반도체 광학 조명계의 시그마값 변화 측정방법

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