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KR100303635B1 - 압전공진자및그의주파수조정방법 - Google Patents

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KR100303635B1
KR100303635B1 KR1019980027238A KR19980027238A KR100303635B1 KR 100303635 B1 KR100303635 B1 KR 100303635B1 KR 1019980027238 A KR1019980027238 A KR 1019980027238A KR 19980027238 A KR19980027238 A KR 19980027238A KR 100303635 B1 KR100303635 B1 KR 100303635B1
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기요시 이야마
도시히코 우나미
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무라타 야스타카
가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
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Abstract

본 발명에서는 스퓨리어스(spurious) 공진이 작고 공진 주파수와 반공진 주파수와의 차이 ΔF가 큰 압전 공진자의 주파수를 낮은 주파수로 조정할 수 있다. 상기 압전 공진자는 복수개의 적층된 압전체층을 포함하는 베이스 부재(base member)와 상기 베이스 부재의 길이 방향에 실질적으로 직교하는 복수개의 내부 전극을 포함한다. 상기 복수개의 압전체층은 상기 베이스 부재의 길이 방향으로 분극되어 있다. 상기 베이스 부재의 표면에는 제1외부 전극과 제2외부 전극이 형성되어 상기 복수개의 내부 전극에 접속된다. 본 발명에서 압전 공진자의 공진 주파수는 상기 베이스 부재의 길이 방향에서의 중간 부분을 절단함으로써 조정된다.

Description

압전 공진자 및 그의 주파수 조정방법{Piezoelectric resonator and method of adjusting resonant frequency thereof}
본 발명은 압전 공진자와 그의 공진 주파수를 조정하는 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 압전체의 기계적인 진동을 이용하는 압전 공진자와, 발진자(oscillator), 판별 장치(discriminator) 및 필터(filter) 등과 같이 상기한 압전 공진자를 포함하는 전자 부품 및 이들의 공진 주파수를 조정하는 방법에 관한 것이다.
종래의 압전 공진자에서는, 위에서 볼 때 직사각형 판 모양 또는 정사각형 판 모양의 압전체 기판의 양면에 전극이 형성된다. 이러한 압전 기판은 두께 방향으로 분극되어 있다. 신호가 전극들 사이에 인가되면, 전기장은 압전 기판의 두께 방향으로 압전 기판에 형성되고, 이러한 압전 기판은 전극이 형성된 면에 평행한 방향으로 진동한다.
상술한 압전 공진자는 비강성형(unstiffened type)으로 형성되고 진동 방향이 분극 방향 및 전기장의 인가 방향과 다르다. 이러한 비강성 압전 공진자의 전기기계결합계수는 진동 방향이 분극 방향 및 전기장의 인가 방향과 동일한 강성 압전 공진자의 전기기계결합계수보다 작다. 따라서, 비강성 압전 공진자는 공진 주파수와 반공진 주파수와의 주파수 차이 ΔF가 상대적으로 작다. 이것은 발진자 또는 필터 등에 비강성 압전 공진자를 사용할 때에 실제의 주파수 대역폭이 좁아진다는 문제를 유발한다. 그러므로, 이러한 압전 공진자와 이러한 압전 공진자를 포함하는 전자 부품의 특성 설계에서 자유도가 낮아진다.
위에서 볼 때에 직방형의 판 모양인 압전 기판을 사용하는 압전 공진자는 길이 모드(longitudinal mode)에서의 1차 공진을 이용하고 있다. 그러나, 이러한 압전 공진자는 구조적으로 3차, 5차 모드 등의 기수(odd-order) 고차 모드와 폭 모드에서의 스퓨리어스(spurious) 공진도 크게 발생시킨다.
위에서 볼 때에 정방형의 판 모양인 압전 기판을 사용하는 압전 공진자는 길이 모드에서의 1차 공진을 이용하고 있다. 그러나, 이러한 압전 공진자는 구조적으로 두께 모드와 정방형 진동 모드에서의 3차 고차 모드 등의 스퓨리어스 공진도 크게 발생시키기 쉽다.
상술한 문제를 해결하기 위하여, 스퓨리어스 공진이 작고 공진 주파수와 반공진 주파수와의 차이 ΔF가 큰 적층 구조의 압전 공진자가 제안되어 있다. 도 20은 이러한 적층 구조의 압전 공진자의 일례를 나타내는 도면이다. 도 20의 적층 구조의 압전 공진자에서, 복수개의 압전체층 3과 복수개의 내부 전극 4는 교대로 적층되어 폭이 좁은 베이스 부재 2를 형성하고, 상술한 복수개의 압전체층 3은 베이스 부재 2의 길이 방향으로 분극되어 있다. 이러한 적층 구조의 압전 공진자 1은 강성형(stiffened type)으로 형성되고, 진동 방향이 분극 방향 및 인가되는 전기장의 방향과 동일한 압전체층 3을 포함한다. 그러므로, 진동 방향이 분극 방향 및 전지장의 방향과 다른 비강성 압전 공진자에 비해서, 상술한 강성 압전 공진자는 전기기계결합계수가 크고 공진 주파수와 반공진 주파수와의 주파수 차이 ΔF가 크다. 더욱이, 이러한 적층 구조의 압전 공진자 1은 강성형으로 형성되기 때문에, 기본 진동 및 다른 폭 모드와 두께 모드에서의 진동이 쉽게 발생되지 않는다. 이러한 적층 구조의 압전 공진기 1에서는, 베이스 부재 4개의 모든 측면에 내부 전극 4의 가장자리가 노출된다. 베이스 부재 2의 한쪽 면은 내부 전극 4를 1개씩 걸러서 그의 가장자리의 한쪽 끝을 절연막 5a로 덮은 다음에, 나머지 다른 1개씩 걸러서 있는 내부 전극 4에 외부 전극 6a가 접속되도록 형성된다. 또한, 베이스 부재 2의 한쪽 면은 상술한 다른 1개씩 걸러서 있는 내부 전극의 가장자리의 다른 한쪽 끝을 절연막 5b로 덮은 다음에, 절연막 5a가 형성된 전극 4에 외부 전극 6b가 접속되도록 형성된다.
도 20의 적층 구조의 압전 공진자 1을 대량 생산하는 경우에, 제조 편차 등의 일부 원인에 의해 소정의 공진 주파수와 소정의 반공진 주파수를 얻지 못하는 경우가 있다. 또한, 상술한 압전 공진자 1에서는 압전 공진자 1의 주파수가 소정의 주파수보다 낮은 경우에, 공진자의 전체 길이가 짧아지도록 절단하여 소정의 주파수로 주파수를 증가시킬 수 있다. 그러나, 상술한 압전 공진자 1의 주파수가 소정의 주파수보다 높은 경우에는, 주파수를 소정의 주파수로 감소시킬 수 없다. 따라서, 제조 수율이 낮다.
상술한 문제를 극복하기 위하여, 본 발명의 특정 구현예에서는 스퓨리어스 공진이 작고, 공진 주파수와 반공진 주파수와의 차이 ΔF가 크며, 주파수가 이보다 낮은 주파수로 조정되는 압전 공진자를 제공한다.
또한, 본 발명의 바람직한 구현예에서는 압전 공진자의 공진 주파수를 조정하는 방법으로서, 스퓨리어스 공진이 작고 공진 주파수와 반공진 주파수와의 차이 ΔF가 큰 압전 공진자의 주파수를 보다 낮은 주파수로 조정하는 방법을 제공한다.
도 1은 본 발명의 특정 구현예에 따른 압전 공진자의 일례를 나타내는 도면이다.
도 2는 압전 공진자의 베이스 부재에 절단부를 형성하는데 사용되는 절단 장치의 일례를 나타내는 도면이다.
도 3은 도 1의 압전 공진자에서 절단부가 형성되기 전(절단 전)에 얻어진 주파수 특성과 절단부가 형성된 후(절단 후)에 얻어진 주파수 특성을 나타내는 그래프이다.
도 4는 도 1의 압전 공진자에서 절단부의 반경 "r"과 공진 주파수 Fr과의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 5는 도 1의 압전 공진자에서 절단부의 깊이 "d"와 공진 주파수 Fr과의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 6은 본 발명의 다른 구현예에 따른 압전 공진자를 나타내는 도면이다.
도 7은 도 6의 압전 공진자에서 절단부가 형성되기 전(절단 전)에 얻어진 주파수 특성과 절단부가 형성된 후(절단 후)에 얻어진 주파수 특성을 나타내는 그래프이다.
도 8은 도 6의 압전 공진자에서 절단부의 폭 "w"와 공진 주파수 Fr과의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 9는 도 6의 압전 공진자에서 절단부의 깊이 "d"와 공진 주파수 Fr과의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 10은 도 6의 압전 공진자 10에서 공진 주파수 Fr, 반공진 주파수 Fa 및 이들의 차이 ΔF의 관계를 절단부의 소정 절단값과 주파수 변화량으로 나타낸 그래프이다.
도 11은 도 6의 압전 공진자 10에서 압전체층의 절단 개수가 1개, 2개, 3개 및 5개로 구성되는 폭이 다른 절단부를 형성하는 경우에, 절단부의 소정 절단값과 공진 주파수 Fr의 주파수 변화량의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 12는 도 6의 압전 공진자 10에서 압전체층의 절단 개수가 1개, 2개, 3개 및 5개로 구성되는 폭이 다른 절단부를 형성하는 경우에, 절단부의 소정 절단값과 반공진 주파수 Fa의 주파수 변화량의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 13은 도 11과 도 12에 도시된 소정의 절단 깊이와 절단부의 실제 폭과의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 14는 도 11과 도 12에 도시된 소정의 절단 깊이와 절단부의 실제 깊이와의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 15는 본 발명의 또 다른 구현예에 따른 압전 공진자를 나타내는 도면이다.
도 16은 도 15의 압전 공진자에서 절단부가 형성되기 전(절단 전)에 얻어진주파수 특성과 절단부가 형성된 후(절단 후)에 얻어진 주파수 특성을 나타내는 그래프이다.
도 17은 본 발명의 다른 특정 구현예에 따른 압전 공진자를 포함하는 전자부품을 나타내는 도면이다.
도 18은 도 17의 압전 공진자를 실장하는 방법을 나타내는 측면도이다.
도 19a와 도 19b는 압전 공진자에 사용된 내부 전극의 변형예를 나타내는 도면이다.
도 20은 본 발명의 기술 배경으로서의 적층된 압전 공진자를 나타내는 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 압전 공진자
12 베이스 부재
12a 압전체층
14 전극
16, 18 절연막
20, 22 외부 전극
24, 26 절단부
본 발명의 바람직한 구현예에 따르면, 압전 공진자는, 길이 방향을 구비한 베이스 부재(base member)와; 상기 베이스 부재의 길이 방향으로 소정의 간격을 두고서 배치되어, 상기 베이스 부재의 길이 방향에 실질적으로 직교하는 복수개의 내부 전극; 및 상기 베이스 부재의 표면에 형성되고, 상기 복수개의 내부 전극에 접속되는 제1외부 전극 및 제2외부 전극을 포함하며,
상기한 베이스 부재는 복수개의 적층된 압전체층을 포함하고, 상기 복수개의 압전체층은 상기 베이스 부재의 길이 방향으로 분극되어 있으며, 상기 복수개의 내부 전극은 상기 베이스 부재의 길이 방향에 실질적으로 직교하도록 상기 복수개의 압전체층의 표면에 형성되고; 상기 베이스 부재의 중간부분에는 길이 방향으로 연장된 절단 부분이 형성되어 있으며, 상기 압전 공진자의 공진 주파수는 상기 절단부분에 의하여 조정되는 것을 특징으로 한다.
이러한 바람직한 구현예에 따른 압전 공진자에서, 상기 베이스 부재의 길이 방향에서의 중간 부분은 일정한 깊이 또는 변화하는 깊이로 절단된다. 예를 들어, 상기 베이스 부재의 길이 방향에서의 중간 부분의 중심은 가장 깊게 절단된다.
또, 본 발명의 바람직한 구현예에서는, 길이 방향을 구비한 베이스 부재와; 상기 베이스 부재의 길이 방향에서 소정의 간격으로 상기 베이스 부재의 길이 방향에 실질적으로 직교하는 복수개의 내부 전극과; 상기 베이스 부재의 표면에 형성되고 상기 복수개의 내부 전극에 접속되는 제1외부 전극 및 제2외부 전극을 포함하는 압전 공진자로서, 상기 베이스 부재는 복수개의 적층된 압전체층을 포함하며, 상기 복수개의 압전체층은 상기 베이스 부재의 길이 방향으로 분극되어 있고, 상기 복수개의 내부 전극은 상기 베이스 부재의 길이 방향과 실질적으로 직교하도록 상기 복수개의 압전체층의 표면에 형성되는 압전 공진자의 공진 주파수를 조정하는 방법으로서,
상기 압전 공진자의 공진 주파수를 조정하기 위하여 상기 베이스 부재의 길이 방향에서 중간 부분을 절단하는 단계를 포함하는 압전 공진자의 공진 주파수 조정방법을 제공한다.
이러한 바람직한 구현예에 따르는 상기 방법에서, 상기한 절단 단계는 상기 베이스 부재의 길이 방향에서 상기 중간 부분을 일정한 깊이 또는 변화하는 깊이로 절단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이러한 절단 단계는, 예를 들어 상기 베이스 부재의 길이 방향에서 상기 중간 부분의 중심부를 가장 깊게 절단하는 단계를 포함한다.
본 발명의 바람직한 구현예에 따른 압전 공진자는, 강성형(stiffened type)으로 형성되고, 진동 방향이 분극 방향 및 인가되는 전기장의 방향과 동일한 압전체층을 포함한다. 그러므로, 진동 방향이 분극 방향 및 전기장의 방향과 다른 비강성 압전 공진자에 비해서, 상술한 강성 압전 공진자는 전기기계결합계수가 크고 공진 주파수와 반공진 주파수와의 주파수 차이 ΔF가 크다. 게다가, 길이 진동과 다른 폭 모드와 두께 모드 등에서의 진동은 강성 압전 공진자에서 쉽게 발생하지 않는다.
또, 스퓨리어스 공진이 작고, 공진 주파수와 반공진 주파수와의 차이 ΔF가 큰 압전 공진자의 주파수가 낮은 주파수로 조정될 수 있다. 따라서, 압전 공진자의 수율이 향상된다.
또한, 본 발명에 따른 압전 공진자를 이용하여 칩형 전자 부품을 제조할 수 있기 때문에, 회로 기판에 이러한 부품을 실장하기가 용이하다.
본 발명의 또 다른 특징과 효과는 도면을 참조하여 설명하는 하기의 본 발명의 상세한 설명으로부터 더욱 명백하게 될 것이다.
도 1은 본 발명의 바람직한 구현예에 따른 압전 공진자를 나타내는 도면이다. 도 1에 도시된 압전 공진자 1은, 예를 들어 약 4.8㎜×1㎜×1㎜ 치수의 실질적으로 직방형의 평형6면체 모양인 베이스 부재 12를 포함하는 것이 바람직하다. 베이스 부재 12는 예를 들어, 압전 세라믹 재료 또는 다른 소정의 재료로부터 형성된 복수개, 예를 들어 12개의 적층된 압전체층 12a를 포함한다. 이러한 압전체층 12a는 동일한 치수로 구성되는 것이 바람직하다. 이들 압전체층 12a는 도 1에서 화살표로 도시된 바와 같이, 인접한 압전체층 12a의 분극 방향이 반대되도록 베이스 부재 12의 길이 방향으로 분극되어 있다.
내부 전극 14는 베이스 부재 12의 복수개의 압전체층 12a의 각각의 사이에 형성된다. 또, 이들 내부 전극 14는 베이스 부재 12의 길이 방향에서 소정의 간격으로 베이스 부재 12의 길이 방향에 수직으로 배치된다. 또한, 이들 내부 전극 14는 압전체층 12a의 양쪽 주면 전체에 배치된다. 그러므로, 이들 내부 전극 14는 베이스 부재 12의 4개의 측면에 노출되도록 형성된다.
베이스 부재 12의 한쪽 표면은 내부 전극 14를 1개씩 걸러서 그의 각각의 한쪽 가장자리의 한쪽 끝은 절연막 16으로 덮여지고, 나머지 다른 내부 전극 14를 1개씩 걸러서 그의 각각의 한쪽 가장자리의 다른쪽 끝은 절연막 18로 덮여진다.
또, 베이스 부재 12의 상기 표면에서는, 제1외부 전극 20이 내부 전극 14를 1개씩 걸러서 이들의 한쪽 끝에 형성된 절연막 16에 배치되고, 상기 외부 전극 20이 나머지 내부 전극 14에 접속된다. 또한, 베이스 부재 12의 상기 표면에서는, 제2외부 전극 22가 상술한 나머지 내부 전극 14에 형성된 절연막 18에 배치되고, 상기 외부 전극 22가 1개씩 걸러진 내부 전극 14에 접속된다.
상술한 베이스 부재 12의 상기 표면과 대향하는 표면의 길이 방향의 중간 부분에, 예를 들어 원호형의 절단면을 구비한 절단부 24가 형성된다. 이 경우에, 절단부 24는 베이스 부재 12의 길이 방향에서 중간 부분의 중심부가 가장 깊게 절단되도록 형성된다. 이러한 절단부 24는 압전 공진자 10의 공진 주파수 또는 반공진 주파수를 낮은 주파수로 조정하기 위하여 이용된다.
상술한 절단부 24는, 예를 들어 도 2에 도시된 절단 장치 100에 의해 형성된다. 도 2에 도시된 절단 장치 100은 고정용 테이블 102와 104를 포함한다. 고정용 테이블 102의 위에는 압전 공진자를 접착제 등으로 지지하기 위한 지지용 지그(jig) 106이 배치된다. 또, 2개의 고정용 테이블 102와 104에는 압착용 부재 112와 114가 각각의 고정용 나사 108과 110으로 고정되고, 지지용 지그 106은 압착용 부재 112와 114에 의해 아래로 눌려진다. 지지용 지그 106의 위에는 다이아몬드 휠(diamond wheel) 116이 회전하며 움직이도록 제공된다. 절단부 24은 지지용 지그 106에 의해 지지된 압전 공진자 10에 대하여 다이아몬드 휠 116을 밀착하며 회전시켜서 형성된다.
압전 공진자 10은 입력 및 출력 전극으로서 제1 및 제2외부 전극 20, 22를 이용한다. 제1 및 제2외부 전극 20, 22에 신호가 인가되면, 서로 인접한 내부 전극들 14의 사이에 전기장이 형성되기 때문에, 베이스 부재 12의 양쪽 말단에 배치된 압전체층 12a를 제외한 압전체층 12a는 압전적으로(piezoelectrically) 활성화된다. 따라서, 베이스 부재 12에서 서로 대향하는 방향으로 분극된 압전체층 12a에 서로 반대 방향으로 전압이 인가되기 때문에, 압전체층 12a는 전체적으로 동일한 방향으로 팽창하고 수축하게 된다. 다시 말해서, 베이스 부재 12의 길이 방향으로 교류 전기장이 외부 전극 20, 22에 접속된 내부 전극 14에 의해 개개의 압전체층 12a에 인가되어, 개개의 압전체층 12a에 수축 및 팽창의 구동력을 발생시킨다. 그러므로, 전체적인 압전 공진자 10에서는 베이스 부재 12의 길이 방향의 중심부를 노드(node)로 이용하는 길이 방향의 기본 모드가 여진된다.
이러한 압전 공진자 10에서는, 압전체층 12a의 분극 방향과, 입력 신호에 의해 인가된 전기장의 방향, 및 압전체층 12a에서의 진동 방향이 모두 동일하다. 다시 말해서, 이러한 압전 공진자 10은 강성형으로 형성된다. 이러한 압전 공진자 10은 진동 방향이 분극 방향 및 전기장의 방향과 다른 비강성 압전 공진자보다 전기기계결합계수가 크다. 그러므로, 이러한 압전 공진자 10은 종래의 비강성 압전 공진자보다 공진 주파수와 반공진 주파수와의 주파수 차이 ΔF가 크다. 따라서, 종래의 비강성 압전 공진자에 비해서 상기한 압전 공진자 10에서는 보다 대역폭이 큰 특성(wide-frequency-band characteristics)을 얻을 수 있다는 것이 명백하다.
도 1에 도시된 압전 공진자 10에서, 절단부 24는 베이스 부재 12의 길이 방향에서 그 중간 부분에 형성되고, 이에 의해서 주파수는 도 20에 도시된 압전 공진자 1에 비해서 낮은 주파수로 조정되게 된다. 도 3은 도 1에 도시된 압전 공진자 10에서 절단부 24가 형성되기 전(절단 전)에 얻어진 주파수 특성과 절단부 24가 형성된 후(절단 후)에 얻어진 주파수 특성을 나타낸다.
도 4는 도 1에 도시된 압전 공진자 10에서 절단부 24의 반경 "r"과 공진 주파수 Fr과의 관계를 나타낸다. 도 5는 도 1에 도시된 압전 공진자 10에서 절단부 24의 깊이 "d"와 공진 주파수 Fr과의 관계를 나타낸다. 도 1에 도시된 압전 공진자 10의 반공진 주파수 Fa 등의 다른 주파수들도 절단부 24의 반경 "r"과 깊이 "d"에 따라서 공진 주파수 Fr과 동일하게 변화한다.
압전 공진자 10에서, 공진자의 용량(capacitance)은, 내부 전극 14의 대향 면적과, 압전체층 12a의 개수 또는 베이스 부재 12의 길이 방향에서의 압전체층 12a의 치수 등에 의해 조정될 수 있다. 다시 말해서, 내부 전극 14의 대향 면적과, 압전체층 12a의 개수 또는 내부 전극 14의 개수를 증가시키거나, 또는 베이스 부재 12의 길이 방향에서의 압전체층 12a의 치수를 감소시킴으로써 상기한 용량을 증가시킬 수 있다. 반대로, 공진자의 용량(capacitance)은, 내부 전극 14의 대향 면적과, 압전체층 12a의 개수 또는 내부 전극 14의 개수를 감소시키거나, 또는 베이스 부재 12의 길이 방향에서의 압전체층 12a의 치수를 증가시킴으로써 감소될 수 있다. 그러므로, 내부 전극 14의 대향 면적과, 압전체층 12a의 개수와, 내부 전극 14의 개수, 또는 베이스 부재 12의 길이 방향에서의 압전체층 12a의 치수를 조정함으로써 용량을 조정할 수 있다. 이것은 용량 설계에 자유도가 높아진다는 것을 나타낸다. 따라서, 상술한 압전 공진자 10을 회로 기판에 실장할 때에 외부 회로와의 임피던스 정합을 얻기가 용이하다.
도 6은 본 발명의 다른 특정 구현예에 따른 압전 공진자를 나타내는 도면이다. 도 6에 도시된 압전 공진자에서는, 도 1에 도시된 종래의 압전 공진자에 비해서, 절단부 24가 베이스 부재 12의 길이 방향에서 그의 중간 부분에 직사각형 모양의 절단면으로 형성된다. 이러한 절단부 24는 도 2에 도시된 절단용 장치 100에 의해서 형성될 수 있다.
도 6에 도시된 압전 공진자에서는, 도 1에 도시된 압전 공진자에 비해서, 절단부 24의 깊이 "d"를 실질적으로 절반으로 형성하여 도 1에 도시된 압전 공진자와 동일한 주파수를 얻을 수 있다. 따라서, 이것은 절단부 24의 깊이 "d"와의 관계에서 주파수가 낮은 주파수로 조정될 수 있다는 또 다른 효과를 나타내는 것이다. 도 7은 도 6에 도시된 압전 공진자 10에서 절단부 24가 형성되기 전(절단 전)에 얻어진 주파수 특성과 절단부 24가 형성된 후(절단 후)에 얻어진 주파수 특성을 나타낸다.
도 8은 도 6에 도시된 압전 공진자 10에서 절단부 24의 폭 "w"와 공진 주파수 Fr과의 관계를 나타낸다. 도 9는 도 6에 도시된 압전 공진자 10에서 절단부 24의 깊이 "d"와 공진 주파수 Fr과의 관계를 나타낸다. 도 6에 도시된 압전 공진자 10의 반공진 주파수 Fa 등의 다른 주파수들도 절단부 24의 폭 "w"와 깊이 "d"에 따라서 공진 주파수 Fr과 동일하게 변화한다.
도 10은 도 6에 도시된 압전 공진자에서의 공진 주파수 Fr과, 반공진 주파수Fa 및 이들의 차이 ΔF를 절단부 24의 소정 절단값(㎛)과 주파수 변화량(㎑)으로 나타낸 그래프이다.
도 11은, 도 2에 도시된 절단용 장치 100으로 1개, 2개, 3개 및 5개의 압전체층을 절단하여 폭이 다른 절단부 24를 형성하는 도 6에 도시된 압전 공진자에서, 절단부 24의 소정의 절단 깊이(㎛)와 공진 주파수 Fr의 주파수 변화량(㎑)과의 관계를 나타내는 그래프이다. 도 12는 상술한 경우에서 절단부 24의 소정의 절단 깊이(㎛)와 반공진 주파수 Fa의 주파수 변화량(㎑)과의 관계를 나타내는 그래프이다. 도 13은 도 11과 도 12에 도시된 소정의 절단 깊이(㎛)와 절단부 24의 실제 폭(㎜)와의 관계를 나타내는 그래프이다. 도 14는 도 11과 도 12에 도시된 소정의 절단 깊이(㎛)와 절단부 24의 실제의 깊이(㎛)와의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 15는 본 발명의 또 다른 구현예에 따른 압전 공진자를 나타내는 도면이다. 도 15에 도시된 압전 공진자에서, 베이스 부재 12의 또 다른 측면의 길이 방향의 중간 부분에도 직사각형 모양의 단면으로 다른 절단부가 형성된다. 이러한 절단부 26도 도 2에 도시된 절단용 장치 100에 의해 형성될 수 있다.
도 15에 도시된 압전 공진자에서는, 도 1과 도 6에 도시된 압전 공진자에 비해서, 절단부가 베이스 부재 12의 한쪽 면에 집중되지 않기 때문에, 강도가 증가된다는 또 다른 효과도 포함한다. 도 16은 도 15에 도시된 압전 공진자 10에서, 절단부 24, 26이 형성되기 전(절단 전)에 얻어진 주파수 특성과 절단부 24, 26이 형성된 후(절단 후)에 얻어진 주파수 특성을 나타낸다.
상술한 개개의 압전 공진자 10을 이용하여, 발진자 또는 판별 장치 등의 전자 부품을 제조할 수 있다. 도 17은 전자 부품 60을 나타내는 도면이다. 전자 부품 60은 지지 부재로서의 절연체 기판 62를 포함한다. 절연체 기판 62의 대향하는 2개의 가장자리에는 각각 2개의 오목부 64가 형성된다. 절연체 기판 62의 한쪽 표면상에는 2개의 패턴 전극 66, 68이 형성된다. 1개의 패턴 전극 66은 대향하는 오목부 64의 사이에 형성되고, 한쪽 말단 부근으로부터 절연체 기판 62의 중심을 향하여 "L"모양으로 연장된다. 또 다른 패턴 전극 68은 대향하는 다른 오목부 64의 사이에 형성되고, 다른쪽 말단 부근으로부터 절연체 기판 62의 중심을 향하여 "L"모양으로 연장된다. 상술한 패턴 전극 66, 68은 절연체 기판 62의 오목부 64로부터 반대쪽 표면에까지 에워싸는 모양으로 형성된다.
절연체 기판 62의 중심부측의 패턴 전극 66, 68의 각각의 말단부에는, 도전성 접착제 등을 이용하는 실장용 부재로서의 돌기부 70이 형성된다. 상술한 압전 공진자 10은 그의 중심부가 돌기부 70 위에 배치되도록 실장된다. 도 18에 도시된 바와 같이, 압전 공진자 10의 제1 및 제2외부 전극 20, 22는, 예를 들어 돌기부 70과 접속된다. 또한, 돌기부 70은 압전 공진자 10에 먼저 형성될 수도 있다.
상술한 절연체 기판 62는 금속 캡(metal cap) 74로 덮여진다. 상술한 금속 캡 74가 패턴 금속 66, 68과 단락(short-circuited)되는 것을 방지하기 위하여, 절연 수지 등의 절연물이 절연체 기판 62와 패턴 금속 66, 68에 도포된다. 금속 캡 74는 전자 부품 60을 완전하게 덮는다, 전자 부품 60은 절연체 기판 62의 오목부 64로부터 밑면으로 연장되어 있는 패턴 전극 66, 68을 외부 회로와 접속하기 위한 입력 또는 출력 단자들로서 이용한다.
상술한 전자 부품 60에 돌기부 70이 형성되고 압전 공진자 10의 중심부가 돌기부 70에 고정되기 때문에, 압전 공진자 10의 말단부는 절연체 기판 62로부터 분리되어 배치되고, 따라서 압전 공진자의 진동이 방해되지 않는다. 압전 공진자 10의 노드(node)로서의 중심부가 돌기부 70에 고정되기 때문에, 여진된 길이 진동이 약해지지 않는다.
상술한 전자 부품 60은 IC칩 및 다른 부품과 함께 회로 기판에 실장되어 발진자 또는 판별 장치를 형성한다. 이러한 구조의 전자 부품 60은 금속 캡 74에 의해 봉지(seal)되고 보호되기 때문에, 리플로우 솔더링(reflow soldering)으로 실장될 수 있는 칩형 부품으로서 이용될 수 있다.
상술한 전자 부품 60이 발진자에 사용되는 경우에는, 상술한 전자 부품 60에 사용된 압전 공진자 10의 효과에 의해서 스퓨리어스 진동이 낮은 수준으로 억제되고, 스퓨리어스 진동에 의한 이상 발진(unusual vibration)이 방지될 수 있다. 따라서, 상술한 압전 공진자 10의 용량이 원하는 소정의 값으로 설정될 수 있기 때문에, 외부 회로와의 임피던스 정합을 용이하게 한다. 특히, 상술한 전자 부품이 전압 조정 발진기용 발진자로서 사용되는 경우에는 공진자의 큰 ΔF에 의해서 종래에는 얻을 수 없었던 폭넓은 주파수 가역 범위를 얻을 수 있다.
상술한 전자 부품 60이 판별 장치에 사용되는 경우에는 공진자의 큰 ΔF에 의해서 폭넓은 첨두치 분할(peak-separation) 범위가 방지된다. 더욱이, 상술한 공진자는 설계상에서 폭넓은 용량 범위를 제공하기 때문에, 외부 회로와의 임피던스 정합이 용이하다.
상술한 전자 부품은 칩 모양으로 형성된다. 그러나, 본 발명은 칩 형상 이외의 다른 형상으로도 형성할 수 있다.
상술한 각각의 압전 공진자 10에서, 내부 전극 14는 압전체층 12a의 주면 전체에 형성된다. 그러나, 본 발명의 내부 전극은, 내부 전극이 도 19a에 도시된 바와 같이 압전체층 12a의 상부에서 한쪽 말단을 포함하는 주면에 교대로 배치되고, 다른 내부 전극이 도 19b에 도시된 바와 같이 압전체층 12a의 상부에서 다른쪽 말단을 포함하는 주면에 교대로 배치되도록 형성될 수도 있다. 이러한 방법으로 내부 전극 14가 형성되는 경우에는, 베이스 부재 12의 한쪽 표면에서, 교대로 있는 내부 전극 14가 가장자리의 한쪽 끝에 노출되지 않고, 다른쪽의 교대로 있는 내부 전극 14가 상기 가장자리의 다른쪽 끝에 노출되지 않기 때문에, 절연막 16과 18을 형성할 필요가 없다.
상술한 압전 공진자 10에서, 복수개의 압전체층 12a는 교대로 서로의 대향 방향으로 분극되어 있다. 이러한 복수개의 압전체층 12a의 분극 방향은 상술한 경우로 제한되지는 않는다.
상술한 압전 공진자 10에서, 베이스 부재 12의 길이 방향에서 압전체층 12a의 치수는 동일하고, 서로 인접한 내부 전극들 14의 간격도 동일하다. 그러나, 이들이 동일하게 형성되지 않아도 된다.
상술한 압전 공진자 10에서, 인접한 내부 전극 14의 사이에는 1개의 압전체층 12a가 배치되어 있다. 그러나, 복수개의 압전체층이 배치되어도 된다.
상술한 압전 공진자 10에서는, 제1 및 제2외부 전극 20, 22가 교대로 있는내부 전극 14에 각각 접속된다. 그러나, 이들은 교대로 배열되지 않은 내부 전극 14에 접속될 수도 있다.
본 발명에 의하면, 스퓨리어스 진동이 작고, 공진 주파수와 반공진 주파수와의 차이 ΔF가 큰 압전 공진자의 주파수를 낮은 주파수로 조정할 수 있다. 또한, 상기한 압전 공진자를 이용하여 칩형 전자 부품을 제조할 수 있기 때문에, 회로 기판 등에 실장하는 것이 용이하다.
이상에서, 본 발명을 특정 구현예들을 참조하여 설명하였지만, 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 않는 다양한 형태들이 첨부한 특허청구범위 내에서 가능하다는 것은 당업자에게 명백하다. 그러므로, 본 발명의 범위는 특허청구범위에 의해서만 제한된다.

Claims (8)

  1. 길이 방향을 구비한 베이스 부재;
    상기 베이스 부재의 길이 방향으로 소정의 간격을 두고서 배치되어, 상기 베이스 부재의 길이 방향에 실질적으로 직교하는 복수개의 내부 전극;
    상기 베이스 부재의 표면에 형성되고, 상기 복수개의 내부 전극에 접속되는 제1외부 전극 및 제2외부 전극을 포함하는 압전 공진자로서,
    상기 베이스 부재는 복수개의 적층된 압전체층을 포함하며,
    상기 복수개의 압전체층은 상기 베이스 부재의 길이 방향으로 분극되어 있고,
    상기 복수개의 내부 전극은 상기 베이스 부재의 길이 방향에 실질적으로 직교하도록 상기 복수개의 압전체층의 표면에 형성되며,
    상기 베이스 부재의 중간 부분에는 길이 방향으로 연장된 절단 부분이 형성되어 있으며, 상기 압전 공진자의 공진 주파수가 상기 절단 부분에 의하여 조정되는 것을 특징으로 하는 압전 공진자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 베이스 부재의 길이 방향에서의 중간 부분이 일정한 깊이로 절단되는 것을 특징으로 하는 압전 공진자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 베이스 부재의 길이 방향에서의 중간 부분이 변화하는깊이로 절단되는 것을 특징으로 하는 압전 공진자.
  4. 제3항에 있어서, 상기 베이스 부재의 길이 방향에서의 중간 부분의 중심부가 가장 깊게 절단되는 것을 특징으로 하는 압전 공진자.
  5. 압전 공진자로서,
    길이 방향을 구비한 베이스 부재; 상기 베이스 부재의 길이 방향에서 소정의 간격으로 상기 베이스 부재의 길이 방향에 실질적으로 직교하는 복수개의 내부 전극; 상기 베이스 부재의 표면에 형성되고, 상기 복수개의 내부 전극에 접속되는 제1외부 전극 및 제2외부 전극을 포함하며,
    상기 베이스 부재는 복수개의 적층된 압전체층을 포함하고, 상기 복수개의 압전체층은 상기 베이스 부재의 길이 방향으로 분극되며, 상기 복수개의 내부 전극은 상기 베이스 부재의 길이 방향에 실질적으로 직교하도록 상기 복수개의 압전체층의 표면에 형성되는 상기 압전 공진자의 공진 주파수를 조정하는 방법으로서,
    상기 압전 공진자의 공진 주파수를 조정하기 위하여 상기 베이스 부재의 길이 방향에서의 중간 부분을 절단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 공진자의 공진 주파수 조정방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 절단 단계는 상기 베이스 부재의 길이 방향에서의 중간 부분을 일정한 깊이로 절단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 공진자의 공진 주파수 조정방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 절단 단계는 상기 베이스 부재의 길이 방향에서의 중간 부분을 변화하는 깊이로 절단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 공진자의 공진 주파수 조정방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 절단 단계는 상기 베이스 부재의 길이 방향에서의 중간 부분의 중심부를 가장 깊게 절단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 공진자의 공진 주파수 조정 방법.
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Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6398350B2 (en) * 2000-02-08 2002-06-04 Seiko Epson Corporation Piezoelectric vibrator unit, liquid jet head, manufacturing method of piezoelectric vibrator unit, and manufacturing method of liquid jet head
JP3729103B2 (ja) * 2001-08-28 2005-12-21 株式会社村田製作所 圧電装置、ラダー型フィルタ及び圧電装置の製造方法
US7275292B2 (en) * 2003-03-07 2007-10-02 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method for fabricating an acoustical resonator on a substrate
US7358831B2 (en) 2003-10-30 2008-04-15 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator (FBAR) devices with simplified packaging
US7019605B2 (en) 2003-10-30 2006-03-28 Larson Iii John D Stacked bulk acoustic resonator band-pass filter with controllable pass bandwidth
US7362198B2 (en) 2003-10-30 2008-04-22 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd Pass bandwidth control in decoupled stacked bulk acoustic resonator devices
US6946928B2 (en) 2003-10-30 2005-09-20 Agilent Technologies, Inc. Thin-film acoustically-coupled transformer
EP1528677B1 (en) 2003-10-30 2006-05-10 Agilent Technologies, Inc. Film acoustically-coupled transformer with two reverse c-axis piezoelectric elements
US7615833B2 (en) 2004-07-13 2009-11-10 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator package and method of fabricating same
US7388454B2 (en) 2004-10-01 2008-06-17 Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd Acoustic resonator performance enhancement using alternating frame structure
US8981876B2 (en) 2004-11-15 2015-03-17 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Piezoelectric resonator structures and electrical filters having frame elements
US7202560B2 (en) 2004-12-15 2007-04-10 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Wafer bonding of micro-electro mechanical systems to active circuitry
US7791434B2 (en) 2004-12-22 2010-09-07 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator performance enhancement using selective metal etch and having a trench in the piezoelectric
US7427819B2 (en) 2005-03-04 2008-09-23 Avago Wireless Ip Pte Ltd Film-bulk acoustic wave resonator with motion plate and method
US7369013B2 (en) 2005-04-06 2008-05-06 Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd Acoustic resonator performance enhancement using filled recessed region
US7436269B2 (en) 2005-04-18 2008-10-14 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustically coupled resonators and method of making the same
US7868522B2 (en) 2005-09-09 2011-01-11 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Adjusted frequency temperature coefficient resonator
US7391286B2 (en) 2005-10-06 2008-06-24 Avago Wireless Ip Pte Ltd Impedance matching and parasitic capacitor resonance of FBAR resonators and coupled filters
US7425787B2 (en) 2005-10-18 2008-09-16 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating single insulated decoupled stacked bulk acoustic resonator with acoustically-resonant electrical insulator
US7525398B2 (en) 2005-10-18 2009-04-28 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustically communicating data signals across an electrical isolation barrier
US7423503B2 (en) 2005-10-18 2008-09-09 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating film acoustically-coupled transformer
US7675390B2 (en) 2005-10-18 2010-03-09 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating single decoupled stacked bulk acoustic resonator
US7737807B2 (en) 2005-10-18 2010-06-15 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating series-connected decoupled stacked bulk acoustic resonators
US7463499B2 (en) 2005-10-31 2008-12-09 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte Ltd. AC-DC power converter
US20070115387A1 (en) * 2005-11-21 2007-05-24 Ho Kenneth K Underwater camera combination
US7561009B2 (en) 2005-11-30 2009-07-14 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator (FBAR) devices with temperature compensation
US7612636B2 (en) 2006-01-30 2009-11-03 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Impedance transforming bulk acoustic wave baluns
US7746677B2 (en) 2006-03-09 2010-06-29 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. AC-DC converter circuit and power supply
US7479685B2 (en) 2006-03-10 2009-01-20 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Electronic device on substrate with cavity and mitigated parasitic leakage path
US7629865B2 (en) 2006-05-31 2009-12-08 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Piezoelectric resonator structures and electrical filters
US7508286B2 (en) 2006-09-28 2009-03-24 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. HBAR oscillator and method of manufacture
US7791435B2 (en) 2007-09-28 2010-09-07 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Single stack coupled resonators having differential output
US7855618B2 (en) 2008-04-30 2010-12-21 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator electrical impedance transformers
US7732977B2 (en) 2008-04-30 2010-06-08 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Transceiver circuit for film bulk acoustic resonator (FBAR) transducers
JP5558786B2 (ja) * 2008-12-26 2014-07-23 キヤノン株式会社 高圧電源装置及び画像形成装置
US8902023B2 (en) 2009-06-24 2014-12-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion
US8248185B2 (en) 2009-06-24 2012-08-21 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator structure comprising a bridge
US8193877B2 (en) 2009-11-30 2012-06-05 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Duplexer with negative phase shifting circuit
US9243316B2 (en) 2010-01-22 2016-01-26 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method of fabricating piezoelectric material with selected c-axis orientation
US8796904B2 (en) 2011-10-31 2014-08-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator comprising piezoelectric layer and inverse piezoelectric layer
US8962443B2 (en) 2011-01-31 2015-02-24 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same
US9048812B2 (en) 2011-02-28 2015-06-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic wave resonator comprising bridge formed within piezoelectric layer
US9154112B2 (en) 2011-02-28 2015-10-06 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Coupled resonator filter comprising a bridge
US9425764B2 (en) 2012-10-25 2016-08-23 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Accoustic resonator having composite electrodes with integrated lateral features
US9203374B2 (en) 2011-02-28 2015-12-01 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator comprising a bridge
US9083302B2 (en) 2011-02-28 2015-07-14 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked bulk acoustic resonator comprising a bridge and an acoustic reflector along a perimeter of the resonator
US9136818B2 (en) 2011-02-28 2015-09-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked acoustic resonator comprising a bridge
US9148117B2 (en) 2011-02-28 2015-09-29 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Coupled resonator filter comprising a bridge and frame elements
US8575820B2 (en) 2011-03-29 2013-11-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked bulk acoustic resonator
US9444426B2 (en) 2012-10-25 2016-09-13 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Accoustic resonator having integrated lateral feature and temperature compensation feature
US8350445B1 (en) 2011-06-16 2013-01-08 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator comprising non-piezoelectric layer and bridge
US8922302B2 (en) 2011-08-24 2014-12-30 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator formed on a pedestal
CN109586679B (zh) * 2018-11-21 2021-11-16 电子科技大学 一种压电谐振器等效电参数及谐振频率的测量方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1207974A (en) * 1966-11-17 1970-10-07 Clevite Corp Frequency selective apparatus including a piezoelectric device
JPS5379396A (en) * 1976-12-23 1978-07-13 Nec Corp Square plate form piezoelectric ceramic vibrator
JPS5390893A (en) * 1977-01-21 1978-08-10 Nec Corp Manufacture of square panel type piezoelectric ceramic oscillator
US4564782A (en) * 1983-09-02 1986-01-14 Murata Manufacturing Co., Ltd. Ceramic filter using multiple thin piezoelectric layers
JPS61139112A (ja) * 1984-12-10 1986-06-26 Murata Mfg Co Ltd 周波数調整可能な積層型圧電素子
JP2790177B2 (ja) * 1987-07-06 1998-08-27 株式会社村田製作所 電歪共振素子
JP2790180B2 (ja) * 1987-12-29 1998-08-27 株式会社村田製作所 電歪共振装置
US5118982A (en) * 1989-05-31 1992-06-02 Nec Corporation Thickness mode vibration piezoelectric transformer
JP2965602B2 (ja) * 1990-02-26 1999-10-18 日立金属株式会社 積層型変位素子
JPH06177689A (ja) * 1992-12-04 1994-06-24 Ngk Spark Plug Co Ltd 梯子型電気濾波器の周波数調整方法
JPH07297661A (ja) * 1994-04-27 1995-11-10 Murata Mfg Co Ltd 圧電共振子及び圧電共振子の共振周波数調整方法
JP3161216B2 (ja) * 1994-04-27 2001-04-25 株式会社村田製作所 圧電共振子の共振周波数調整方法
JP3147793B2 (ja) * 1996-11-22 2001-03-19 株式会社村田製作所 ラダー型フィルタ
JP4831368B2 (ja) 2008-08-15 2011-12-07 信越化学工業株式会社 グレートーンマスクブランク及びグレートーンマスク
JP6261170B2 (ja) 2013-01-30 2018-01-17 株式会社ディ・ライト 遊技機
US10249661B2 (en) 2014-08-22 2019-04-02 Visera Technologies Company Limited Imaging devices with dummy patterns

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