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KR100298918B1 - 자기저항효과소자의제조방법 - Google Patents

자기저항효과소자의제조방법 Download PDF

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KR100298918B1
KR100298918B1 KR1019980003285A KR19980003285A KR100298918B1 KR 100298918 B1 KR100298918 B1 KR 100298918B1 KR 1019980003285 A KR1019980003285 A KR 1019980003285A KR 19980003285 A KR19980003285 A KR 19980003285A KR 100298918 B1 KR100298918 B1 KR 100298918B1
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마사미찌 사이또
나오야 하세가와
아끼히로 마끼노
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가타오카 마사타카
알프스 덴키 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 적어도 자화가 외부의 자계에 대하여 자유롭게 반전하는 1 층의 프리 강자성층 (14) 과 비자성층 (13) 과 자화반전이 핀고정된 핀고정 강자성층 (12) 을 구비하는 적층체 (15) 를 형성하고, 상기 프리 강자성층 (14) 과 핀고정 강자성층 (12) 은 그들의 자화 용이축 방향을 변경하기 위하여 필요한 열처리 조건이 다른 것으로 함과 동시에 제 1 방향으로 자계를 부여하여 소정의 온도로 제 1 어닐링을 행하고, 그 후 제 1 방향과 대략 직교하는 제 2 방향으로 자계를 인가하여 제 2 어닐링을 행하여, 상기 프리 강자성층의 자화 용이축과 핀고정 강자성층의 자화 용이축을 대략 직교시키는 자기저항효과 소자의 제조방법이다.

Description

자기저항효과 소자의 제조방법 {MANUFACTURING METHOD OF MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT}
본 발명은 자기 헤드, 위치 센서, 회전 센서 등에 사용되는 자기저항효과 소자용의 제조방법에 관한 것이다.
종래, 거대 자기저항효과를 이용한 자기저항효과 소자의 일례로써, 미국특허 제 5,206,590 호 공보에 개시되어 있는 자기저항효과 소자가 공지되어 있다.
이 공보에 기재된 자기저항효과 소자 (A) 는 도 8 에 나타내는 바와 같이, 비자성 기판 (1) 에 연자성체로 이루어지는 제 1 강자성층 (2) 과 비자성층 (3) 과 제 2 강자성층 (4) 과 반강자성층 (5) 을 적층하여 구성된 것으로서, 제 2 강자성층 (4) 의 자화 방향 (B) 이 반강자성층 (5) 에 의한 자기적 교환결합에 의해 고정됨과 동시에 제 1 강자성층 (2) 의 자화 방향 (C) 이 인가자계가 없을 때에 제 2 강자성층 (4) 의 자화 방향 (B) 에 대하여 직각으로 향하고 있다. 단, 이 제 1강자성층 (2) 의 자화 방향 (C) 은 고정되지 않고 프리 상태로 되어 있기 때문에 외부자계에 의해 회전할 수 있도록 되어 있다.
도 8 에 나타내는 구조에 대하여 인가자계 (h) 를 부가하면 인가자계 (h) 의 방향에 따라 제 1 강자성층 (2) 의 자화 방향 (C) 이 쇄선 화살표와 같이 회전하므로, 제 1 강자성층 (2) 과 제 2 강자성층 (4) 사이에서 자화에 각도차가 생기기 때문에 저항변화가 일어나고, 이에 따라 자계검출을 할 수 있도록 된다.
도 8 에 나타내는 구조의 자기저항효과 소자 (A) 를 제조하는 경우, 반강자성층 (5) 에 의해 만들어지는 교환결합 자계의 방향을 적절한 방향으로 제어함에 있어서는 반강자성층 (5) 을 막형성하는 경우에 소망의 방향 (예컨대, 연자성체로 이루어지는 제 1 강자성층 (2) 의 자화 용이축에 직교하는 방향) 으로 자계를 인가시키는 방법, 또는 각층을 적층한 후, 블로킹 온도를 넘는 온도로 가열한 후, 연자성체로 이루어지는 제 1 강자성층 (2) 의 자화 용이축에 대하여 직교하는 방향으로 자계를 인가하면서 실온까지 급랭하는 열처리를 실시할 필요가 있다.
또한, 상기 구조의 자기저항효과 소자 (A) 의 제조 방법에 있어서는, 이와 같은 자계중의 막형성 처리 또는 1회의 자계중의 열처리를 실시하여 각 자성층의 자기 이방성을 제어하기 때문에 제 1 강자성층 (2) 의 자화 용이축 방향과 제 2 강자성층 (4) 의 자화 용이축 방향은 동일 방향으로 일치되어 버리는 것을 알았다.
그러나, 2 개의 강자성층 (2,4) 의 자화 용이축 방향을 동일 방향으로 일치시키는 구조에서는 자화의 회전이 프리로 되어 이루어지는 제 1 강자성층 (2) 의 보자력을 작게 할 수 없어서, 결과적으로 제 1 강자성층 (2) 에서 얻어지는 자화곡선의 마이너 루프에서의 히스테리시스가 커지는 문제가 있다. 그래서 도 8 에 나타내는 종래의 구조에서는 바이어스 자계를 많이 인가하여 제 1 강자성층 (2) 의 자화의 회전을 안정화시키는 구조를 채용할 필요가 있었다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 자기저항효과와 교환결합자계 등의 필요한 특성을 열화시키지 않으면서 제 1 자성층의 보자력을 낮게 할 수 있고, 출력의 향상과 안정성의 향상 및 자기저항효과 소자에 필요한 하드 바이어스의 바이어스량 저감을 도모할 수 있는 자기저항효과 소자의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위하여 적어도 자화가 외부의 자계에 대하여 자유롭게 반전하는 1 층의 프리 강자성층과 비자성층과 자화반전이 핀고정된 핀고정 강자성층을 구비하는 적층체를 형성하고, 상기 프리 강자성층과 핀고정 강자성층은 그들의 자화 용이축 방향을 변경하기 위하여 필요한 열처리 조건이 다른 것으로 함과 동시에 제 1 방향으로 자계를 부여하여 소정의 온도로 제 1 어닐링을 행하고, 그 후 제 1 방향과 대략 직교하는 제 2 방향으로 자계를 인가하여 제 2 어닐링을 행하여, 상기 프리 강자성층의 자화 용이축과 핀고정 강자성층의 자화 용이축을 대략 직교시키는 것이다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위하여 상기 제 2 방향의 자계를 제 1 방향의 자계보다 작은 자계, 또는 핀고정 강자성층의 교환결합자계보다 작은 자계로 하는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 자계를 1 kOe ∼ 4 kOe, 상기 제 2 방향의 자계를 50 ∼ 400 Oe 로 할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 제 1 어닐링의 유지온도를 210 ∼ 250 ℃, 제 2 어닐링의 유지온도를 반강자성층의 블로킹 온도 이하 (핀고정 강자성층의 교환결합자계가 소실되는 온도) 로 할 수 있다.
그리고, 본 발명에 있어서 상기 제 2 어닐링의 유지온도를 150 ∼ 250 ℃ 로 할 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서 상기 프리 강자성층을 NiFe, CoFe, Co 합금 중 어느 하나로 형성하고, 상기 비자성층을 Cu, CuAu, CuNi 중 어느 하나로 형성하고, 상기 핀고정 강자성층을 NiFe, CoFe, Co 중 어느 하나로 형성하고, 상기 핀고정 강자성층을 PtMn, NiMn, IrMn, RhMn, PdMn 중 어느 하나로 이루어지는 반강자성층과 인접시켜 형성할 수 있다.
도 1 은 본 발명에 따른 제조방법으로 얻어지는 자기저항효과 소자의 제 1 형태의 단면도.
도 2 는 본 발명으로 얻어지는 자기저항효과 소자의 제 2 형태의 단면도.
도 3 은 본 발명에서 실시되는 어닐링시의 인가자계의 방향을 나타내는 것으로서, 도 3(A) 는 제 1 어닐링시의 인가자계의 방향을 나타내는 도면, 도 3(B) 는 제 1 어닐링시의 인가자계의 방향을 나타내는 도면, 도 3(C) 는 각 인가자계의 방향과 실시예로 얻어지는 R-H 커브를 측정할 때의 인가자계방향을 나타내는 도면.
도 4 는 실시예로 얻어진 시료의 제 1 어닐링 처리 후의 R-H 커브의 메이저 루프를 나타내는 도면.
도 5 는 실시예로 얻어진 시료의 제 1 어닐링 처리 후의 R-H 커브의 마이너 루프를 나타내는 도면.
도 6 은 실시예로 얻어진 시료의 제 2 어닐링 처리 후의 R-H 커브의 메이저 루프를 나타내는 도면.
도 7 은 실시예로 얻어진 시료의 제 2 어닐링 처리 후의 R-H 커브의 마이너 루프를 나타내는 도면.
도 8 은 종래의 자기저항효과 소자의 일례를 나타내는 구성도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
A, B : 자기저항효과 소자 10 : 기판
11 : 반강자성층 12 : 핀고정 강자성층
13 : 비자성층 14 : 프리 강자성층
15, 18 : 적층체 16 : 경강자성층
17 : 전극층 19 : 하지층
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
도 1 은 본 발명에 따른 방법으로 제조되는 자기저항효과 소자의 한 형태를 나타내는 것으로서, 이 형태의 자기저항효과 소자 (A) 는 기판 (10) 상에 반강자성층 (11) 과 핀고정 강자성층 (12) 과 비자성층 (13) 과 프리 강자성층 (14) 을 적층하여 단면 사다리꼴 형상으로 형성시킨 적층체 (15) 와, 이 적층체 (15) 의 양측에 형성된 하드 바이어스용 경자성층 (16,16) 과, 각 경자성층 (16) 위에 적층된 전극층 (17) 을 주체로 하여 구성되어 있다.
이 형태의 구조에 있어서 경자성층 (16) 은 그 단부 (16a) 에 있어서 반강자성층 (11) 과 핀고정 강자성층 (12) 과 비자성층 (13) 과 프리 강자성층 (14) 의 측부를 덮어 형성되어 있는데, 각층의 관계는 도면에 나타낸 것에 한정되지 않는다.
상기 기판 (10) 은 유리, Si, Al2O3, TiC, SiC, Al2O3와 TiC 의 소결체, Zn 페라이트 등으로 대표되는 비자성 재료로 형성된다. 그리고, 기판 (10) 의 상면에는 기판상면의 요철이나 기복을 제거하는 목적 또는 그 위에 적층되는 층의 결정 정합성을 양호하게 하는 등의 목적으로 Ta 등의 비자성 재료로 형성된 피복층이나 버퍼층을 적당히 형성시켜도 된다.
상기 반강자성층 (11) 은 그 위에 형성되는 핀고정 강자성층 (12) 에 자기적 교환 결합력을 작용시켜 핀고정 강자성층 (12) 의 자화 방향을 핀고정하기 위한 것으로서, 이 반강자성층 (11) 은 예컨대 PtMn, NiMn, IrMn, RhMn, PdMn, α-Fe2O3등의 반강자성체로 형성된다.
상기 강자성층 (12,14) 은 모두 강자성체의 박막으로 이루어지는데, 구체적으로는 Ni-Fe 합금, Co-Fe 합금, Ni-Co 합금, Co, Ni-Fe-Co 합금 등으로 이루어진다. 또한, 강자성층 (12) 을 Co 층으로, 강자성층 (14) 를 Ni-Fe 합금층으로, 또는 Co 층과 Ni-Fe 합금층의 적층구조로 구성할 수도 있다. 그리고, Co 층과 Ni-Fe 합금층의 2 층 구조로 하는 경우에는 비자성층 (13) 측에 얇은 Co 층을 배치하는 구조로 할 수도 있다.
이는, 비자성층 (13) 을 강자성층 (12,14) 사이에 끼우는 구조의 거대 자기저항효과 발생기구에 있어서는, Co 와 Cu 의 계면에서 전도전자의 스핀 의존 산란 (spin depending scattering) 의 효과가 큰 점, 및 강자성층 (12,14) 을 동종의 재료로 형성하는 편이 이종의 재료로 구성하는 것보다 전도전자의 스핀 의존 산란 이외의 인자가 발생하는 가능성이 낮고, 보다 높은 자기저항효과를 얻을 수 있는 점에 기인하고 있다. 이와 같은 이유로, 강자성층 (12) 을 Co 로 구성한 경우에는 강자성층 (14) 의 비자성층 (13) 측을 소정의 두께로 Co 층으로 치환한 구조가 바람직하다. 또한, Co 층을 특별히 구별하여 형성하지 않아도 강자성층 (14) 의 비자성층 (13) 측에 Co 를 많이 함유시킨 합금구조로 하고, 비자성층 (13) 의 반대측으로 향함에 따라 서서히 Co 농도가 묽어지는 농도 구배층으로 하여도 된다.
상기 비자성층 (13) 은 Cu, Cr, Au, Ag 등으로 대표되는 비자성체로 이루어지고, 바람직하게는 20 ∼ 40 Å 의 두께로 형성되어 있다. 여기에서 비자성막 (13) 의 두께가 20 Å 보다 얇으면 강자성층 (12) 과 강자성층 (14) 사이에서 자기적 결합이 일어나기 쉽게 된다. 또한, 비자성층 (13) 이 40 Å 보다 두꺼우면 자기저항효과를 발생시키는 요인인 비자성층 (13) 과 강자성층 (12,14) 의 계면에서 산란되는 전도전자율이 저하되고, 전류의 분류효과에 의해 자기저항효과가 저감되기 때문에 바람직하지 않다.
하드 바이어스층으로서의 상기 경질 자성층 (16) 을 배치함으로써, 프리 강자성층 (14) 에 종 바이어스가 인가되고, 프리 강자성층 (14) 이 단자구화 (單磁區化) 된다. 그 결과, 자기매체로부터의 누설자계의 검출시에 노이즈 (바크하우젠 (Barkhausen) 노이즈) 의 발생을 억제할 수 있다. 상기 경자성층 (16) 은 보자력이 큰 강자성체막, 예컨대 Co-Pt 합금, Co-Cr-Pt 합금으로 이루어지는 것이 바람직하다.
이하, 상기 구조의 자기저항효과 소자 (A) 의 제조방법에 대하여 설명한다.
도 1 에 나타내는 구조의 자기저항효과 소자 (A) 를 제조하기 위해서는 기판 (10) 상에 반강자성층 (11) 과 핀고정 강자성층 (12) 과 비자성층 (13) 과 프리 강자성층 (14) 을 적층하고, 이어서 이것들에 후술하는 조건으로 열처리를 실시하고, 그 후에 이것들을 패터닝기술을 이용하여 트랙 폭에 상당하는 폭을 가지는 단면 사다리꼴 형상의 적층체 (15) 로 가공하고, 그리고 적층체 (15) 의 양측에 반강자성층 (16) 과 전극층 (17) 을 적층함으로써 제조한다.
상기 각층을 기판 (10) 상에 형성하기 위해서는 범용의 기술, 예컨대 스퍼터나 증착 등의 박막형성장치를 사용하여 합금박막 등으로 제조하여 형성할 수 있다. 예컨대 막형성장치로서, 고주파 2 극 스퍼터 장치, DC 스퍼터, 마그네트론 스퍼터, 3 극 스퍼터, 이온 비임 스퍼터, 대향 타깃식 스퍼터 등을 이용할 수 있다. 또한, 스퍼터 타깃으로서 Co 또는 Ni-Fe-Co 합금 타깃상에 첨가원소의 칩을 배치한 복합 타깃 등을 사용할 수 있다.
상기 각층을 막형성한 후, 도 3(A) 에 나타내는 바와 같이 핀고정 강자성층 (12) 과 비자성층 (13) 과 프리 강자성층 (14) 을 평면으로 본 경우에 화살표 (a) 방향으로 1 ∼ 4 kOe, 예컨대 2 kOe 의 자계를 인가하면서 210 ∼ 250 ℃, 예컨대 230 ℃ 에서 수시간, 예컨대 4 시간 유지한 후 서냉하는 어닐링 처리를 실시한다.
그리고, 본 발명에 있어서 210 ∼ 250 ℃ 란 210 ℃ 이상 250 ℃ 이하를 의미하고, 「∼」로 표시하는 수치범위의 상한 하한은 모두 「이상」 및 「이하」 로 규정되는 것으로 한다.
여기에서 가열온도를 210 ℃ 이상으로 하는 것은 핀고정 강자성층 (12) 과 PtMn 의 반강자성층 (11) 과의 교환결합을 충분히 얻기 위한 것으로, 상한을 250 ℃ 로 한 것은 이보다 높은 온도에서는 비자성층 (13) 계면의 열적 데미지에 의해 △MR 이 감소하기 때문이다.
상기 열처리에 의해 핀고정 강자성층 (12) 과 프리 강자성층 (14) 의 자화 용이축 방향은 모두 a1방향으로 된다.
이어서, 도 3(B) 에 나타내는 바와 같이 핀고정 강자성층 (12) 과 비자성층 (13) 과 프리 강자성층 (14) 을 평면으로 본 경우에 화살표 (b) 방향 (상기 a 방향과 직교하는 방향) 으로 50 ∼ 400 Oe, 예컨대 100 Oe 의 자계를 인가하면서 블로킹 온도 이하인 150 ∼ 250 ℃, 더욱 바람직하게는 180 ∼ 220 ℃, 예컨대 200 ℃ 에서 수시간, 예컨대 2 시간 유지한 후 냉각하는 어닐링 처리를 실시한다. 여기에서 상한을 250 ℃ 로 한 것은, 이보다 높은 온도에서는 반강자성층 (11) 의 블로킹 온도 (핀고정 강자성층의 교환결합자계가 소실되는 온도) 에 근접하여 Hex(핀고정 강자성층의 보자력) 이 소실될 우려가 있음과 동시에, △MR (자기저항효과) 도 저하되기 때문이다.
상기 자계의 강도와 열처리에 의해 핀고정 강자성층 (12) 의 자화 용이축 방향은 a1방향에서 변화하지 않지만, 프리 강자성층 (14) 의 자화 용이축 방향을 b1방향으로 변화시킬 수 있다.
이상과 같이 2 단계의 자계중 열처리를 하여 제조된 자기저항효과 소자 (A) 는 외부자계가 0 인 상태에서는 도 1 에 나타내는 바와 같이 비자성층 (11) 을 사이에 두고 상하로 인접하는 강자성층 (12, 14) 의 각각의 자화의 방향이 직교하는 방향으로 되는데, 이 자기저항효과 소자 (A) 에 도 1 에 나타내는 Z 방향으로 자기매체로부터의 누설자계가 작용하면 프리 강자성층 (14) 의 자화의 방향이 회전하여 이동하도록 된다. 이 때에 자화의 회전에 따라 저항이 변화하므로, 이 저항변화를 검출함으로써, 역으로 자계가 작용하였는지 아닌지를 검출할 수 있다.
그리고, 상기 구조에 있어서는 핀고정 강자성층 (12) 의 자화 용이축 방향을 도 3(A) 의 a1방향, 프리 강자성층 (14) 의 자화 용이축 방향을 도 3(B) 의 b1방향과 서로 직교시키고 있으므로, 높은 자기저항효과를 유지한 상태로 자기매체로부터의 누설자계, 도 1 의 Z 방향의 프리 강자성층 (14) 의 보자력을 작게 할 수 있다. 따라서, 하드 바이어스 구조에 의해 인가하는 바이어스를 종래의 구조보다 얇게 인가할 수 있도록 되고, 출력의 향상효과를 얻을 수 있음과 동시에 안정성의 향상효과를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 제조방법은 도 2 에 나타내는 자기저항효과 소자 (B) 에도 적용할 수 있다. 도 2 에 나타내는 자기저항효과 소자 (B) 는 기판상에 Ta 등으로 이루어지는 하지층 (19) 과 프리 강자성층 (14) 과 비자성층 (13) 과 핀고정강자성층 (12) 과 반강자성층 (11) 을 차례로 적층한 단면 사다리꼴 형상의 적층체 (18) 와 이 적층체 (18) 의 양측에 형성된 하드 바이어스용 경자성층 (16,16) 과 각경자성층 (16) 상에 적층된 전극층 (17) 을 주체로 하여 구성되어 있다. 그리고, 도 2 에서는 결정배향을 조절하기 위하여 기판상에 Ta 등의 비자성 재료로 형성된 하지층 (19) 을 막형성한 후, 프리 강자성층 (14) 을 그 위에 적층하고 있는데, 하지층 (19) 은 적당히 형성시키면 되고, 없어도 된다. 또한, 적층체 (18) 를 보호하기 위하여 보호층을 최상층인 반강자성층 (11) 위에 형성하여도 된다. 이와 같이 형성된 자기저항효과 소자 (B) 의 동작원리에 대하여는 도 1 에 나타내는 자기저항효과 소자 (A) 와 동일하다.
그리고, 도 1 에 나타낸 자기저항효과 소자 (A) 와 마찬가지로 프리 강자성층 (14) 의 비자성층 (13) 측에 Co 를 많이 함유시킨 합금구조로 하고, 비자성층 (13) 의 반대측으로 향함에 따라 Co 농도가 묽어지는 농도 구배층으로 하여도 된다.
실시예 1
고주파 마그네트론 스퍼터 장치를 사용하여 Al2O3막을 피복한 Si 기판 위에 복수의 타깃을 사용하여 Ta (50 Å)/PtMn (300 Å)/CoFe (30 Å)/Cu (22 Å)/CoFe (10 Å)/NiFe (70 Å)/Ta (50 Å) 의 적층구조로 되도록 스퍼터하여 적층체를 형성하고, 이어서 이하의 표 1 에 나타내는 조건으로 2 단계의 자계중 열처리를 실시하여 도 1 에 나타내는 자기저항효과 소자 (A) 를 제조하였다.
이 때 PtMn 은 Pt48Mn52(at%) 의 조성, CoFe 는 Co90Fe10(at%) 의 조성, NiFe 는 Ni80Fe20의 조성의 것을 사용하였다. 또한, 표 1 의 제 1 어닐링 자계방향은 도 3(A) 의 a1방향으로 자계를 인가하면서 어닐링하는 것을 의미하고, 제 2 어닐링 자계방향은 도 3(B) 의 b1방향으로 자계를 인가하면서 어닐링하는 것을 의미한다.
제 1 어닐링 조건과 어닐링 후의 특성
어닐링온도,인가자계 △MR (%) Hex(Oe) Hcf(Oe) Free 층의자화 용이축 방향
210℃×4HR,2kOe 7.7 500 4 제 1 어닐링 자계방향
230℃×4HR,2kOe 7.57.57.57.57.57.5 700700700700700700 333333 제 1 어닐링 자계방향제 1 어닐링 자계방향제 1 어닐링 자계방향제 1 어닐링 자계방향제 1 어닐링 자계방향제 1 어닐링 자계방향
250℃×2HR,2kOe 7.5 700 3 제 1 어닐링 자계방향
제 2 어닐링 조건과 어닐링 후의 특성
어닐링온도,인가자계 △MR (%) Hex(Oe) Hcf(Oe) Free 층의 자화 용이축 방향
200℃×2HR, 50 Oe 7.6 500 ≤0.5 제 2 어닐링 자계방향
100℃×2HR, 50 Oe180℃×2HR, 50 Oe200℃×2HR, 50 Oe220℃×2HR, 50 Oe200℃×2HR, 100 Oe200℃×2HR, 200 Oe 7.47.57.47.47.57.4 700680720680700660 3≤0.5≤0.5≤0.5≤0.5≤0.5 제 1 어닐링자계방향 (비교예)제 2 어닐링 자계방향제 2 어닐링 자계방향제 2 어닐링 자계방향제 2 어닐링 자계방향제 2 어닐링 자계방향
200℃×2HR, 50 Oe 7.3 700 ≤0.5 제 2 어닐링 자계방향
: Si 기판/알루미나/Ta 50Å/PtMn 300 Å/CoFe 30Å/Cu 22Å/CoFe 10Å/NiFe 70Å/Ta 50Å
표 1 에 나타내는 각시료의 △MR (저항 변화율), Hex(핀고정 강자성층의 교환결합자계), Hcf(도 3 의 a 방향의 프리 강자성층의 보자력, 즉 자기매체로부터의 누설자계, 도 1 의 Z 방향의 보자력) 의 값으로부터 밝혀지는 바와 같이, 제 1 어닐링 자계방향과 제 2 어닐링 자계방향을 90 도 바꾸어 실시한 시료에 있어서는 자계방향을 바꾸지 않고 처리한 비교예 시료에 비하여 △MR, Hex의 값은 동일하면서도 Hcf의 값이 작아져 있는 것이 명백하다. 이 Hcf의 값이 작아지면 자기기록매체로부터의 누설자계에 의해 프리 강자성층의 자화의 회전이 이루어지는 경우에자화의 회전이 높은 안정성을 가지고 이루어진다. 또한, Hcf의 값을 작게함으로써 하드 바이어스 구조에 의해 인가하는 바이어스를 작게 할 수 있으므로 출력을 향상시킬 수 있다.
고주파 마그네트론 스퍼터 장치를 사용하여 Al2O3막을 피복한 Si 기판 위에 복수의 타깃을 사용하여 Ta (50Å)/PtMn (200Å)/CoFe (30Å)/Cu (22Å)/CoFe (10Å)/NiFe (70Å)/CoFe (10Å)/Cu (22Å)/CoFe (30Å)/PtMn (200Å)/Ta (50Å) 의 적층구조로 되도록 스퍼터하여 적층체를 형성하고, 이어서 이하의 표 2 에 나타내는 조건으로 2 단계의 자계중 열처리를 실시하여 자기저항효과 소자 시료를 제조하였다.
제 1 어닐링 조건과 어닐링 후의 특성
어닐링온도,인가자계 △MR (%) Hex(Oe) Hcf(Oe) Free 층의자화 용이축 방향
210℃×4HR,1kOe 10.5 400 4 제 1 어닐링 자계방향
230℃×4HR,2kOe 10.3 600 3 제 1 어닐링 자계방향
250℃×2HR,4kOe 10.0 600 4 제 1 어닐링 자계방향
제 2 어닐링 조건과 어닐링 후의 특성
어닐링온도,인가자계 △MR (%) Hex(Oe) Hcf(Oe) Free 층의 자화 용이축 방향
200℃×2HR, 100 Oe 10.4 440 ≤0.5 제 2 어닐링 자계방향
200℃×2HR, 100 Oe 10.2 600 ≤0.5 제 2 어닐링 자계방향
200℃×2HR, 100 Oe 10.1 580 ≤0.5 제 2 어닐링 자계방향
: Si 기판/알루미나/Ta 50Å/PtMn 200Å/CoFe 30Å/Cu 22Å/CoFe 10Å/NiFe 70Å/CoFe 10Å/Cu 22Å/CoFe 30Å/PtMn 200Å/Ta 50Å
표 2 에 나타내는 각시료의 △MR, Hex, Hcf의 값으로부터 밝혀지는 바와 같이, 이 시료의 구조에서도 제 1 어닐링 자계방향과 제 2 어닐링 자계방향을 90 도 바꾸어 실시한 시료에 있어서는 표 1 의 시료와 동일한 Hcf의 값으로 되어 있는 것이 명백하다. 따라서, 이 예의 적층구조에서도 자화의 회전이 높은 안정성을 가지고 이루어지고, 하드 바이어스를 작게 할 수 있으므로 출력을 향상시킬 수 있다.
또한, 표 2 에 나타내는 구조에서는 Ta (50Å) 상의 PtMn (200Å) 와 Ta (50Å) 하의 PtMn (200Å) 이 모두 핀고정 강자성층으로 이루어지고, 두 개의 Cu (22Å) 사이에 끼워진 CoFe (10Å)/NiFe (70Å)/CoFe (10Å) 가 프리 강자성층을 구성하는 듀얼 타입의 구조로서, 이 구조로 하는 편이 표 1 에 나타내는 구조보다 높은 △MR 을 얻을 수 있는 것도 명백해졌다.
도 4 와 도 5 는 표 1 에 나타낸 시료에 있어서, 표 1 의 어닐링 (230 ℃ ×4 시간, 2kOe) 후에 얻어진 시료의 R-H 커브의 메이저 루프 (핀고정 강자성층의 R-H 커브) 와 마이너 루프 (프리 강자성층의 R-H 커브) 를 나타내고, 도 6 과 도 7 은 제 2 어닐링 (200 ℃ × 2 시간, 100 Oe) 후에 얻어진 시료의 R-H 커브의 메이저 루프 (핀고정 강자성층의 R-H 커브) 와 마이너 루프 (프리 강자성층의 R-H 커브) 를 나타낸다.
도 4 내지 도 7 에 나타내는 결과로부터, 2 단계의 어닐링을 실시함으로써, 프리 강자성층의 보자력이 작아져 있는 것이 명료하게 되었다.
실시예 2
이어서, 실시예 1 과 동일하게 하여, Ta (50Å)/NiFe (70Å)/CoFe (10Å)/Cu (25Å)/CoFe (30Å)/PtMn (300Å)/Ta (50Å) 의 적층구조로 되도록 스퍼터하여 적층체를 형성하고, 이어서 표 3 에 나타내는 조건으로 2 단계의 자계중 열처리를 실시하여 도 2 에 나타내는 자기저항효과 소자 (B) 를 제조하였다. 이 때의 PtMn, CoFe, NiFe 의 조성은 실시예 1 과 동일하다.
제 1 어닐링 조건과 어닐링 후의 특성
어닐링온도,인가자계 △MR (%) Hex(Oe) Hcf(Oe) Free 층의자화 용이축 방향
230℃×10HR,2kOe250℃×10HR,2kOe 6.56.0 700800 34 제 1 어닐링 자계방향제 1 어닐링 자계방향
제 2 어닐링 조건과 어닐링 후의 특성
어닐링온도,인가자계 △MR (%) Hex(Oe) Hcf(Oe) Free 층의자화 용이축 방향
250℃×3HR, 50 Oe270℃×3HR, 50 Oe 6.25.8 650700 ≤0.5≤0.5 제 2 어닐링 자계방향제 2 어닐링 자계방향
표 2 에 나타내는 각시료의 △MR, Hex(핀고정 강자성층의 교환결합자계), Hcf(프리 강자성층의 보자력, 즉 자기매체로부터의 누설자계, 도 2 의 Z 방향의 보자력) 의 값으로부터 밝혀지는 바와 같이, 제 1 어닐링 자계방향과 제 2 어닐링 자계방향을 90 도 바꾸어 실시한 시료에 있어서는 자계방향을 바꾸지 않고 어닐링한 비교예 시료에 비하여 △MR, Hex,Hcf의 값이 작아져 있는 것이 명백하다. 따라서, 실시예 1 과 마찬가지로 Hcf의 값을 작게 함으로써 하드 바이어스 구조에 의해 인가하는 바이어스를 작게 할 수 있으므로 출력을 향상시킬 수 있다.
이상 설명한 바와같이, 본 발명에 따라 제조되는 자기저항효과 소자에 의하면, 자기저항효과와 교환결합자계 등의 필요한 특성을 열화시키지 않으면서 제 1 자성층의 보자력을 낮게 할 수 있고, 출력의 향상과 안정성의 향상 및 자기저항효과 소자에 필요한 하드 바이어스의 바이어스량 저감을 도모할 수 있다.

Claims (14)

  1. 자화가 외부의 자계에 대하여 자유롭게 반전하는 1 층의 프리 강자성층과, 비자성층과, 반강자성층과, 반강자성층에 의해 자화반전이 핀고정된 핀고정 강자성층을 구비하는 적층체를 형성하고,
    제 1 방향으로 자계를 부여하여 소정의 온도로 제 1 어닐링을 행하고,
    그 후 제 1 방향과 대략 직교하는 제 2 방향으로 자계를 인가하여 제 2 어닐링을 행하여, 상기 프리 강자성층의 자화 용이축과 핀고정 강자성층의 자화 용이축을 대략 직교시키는 공정을 가지며,
    상기 제 2 방향의 자계를 제 1 방향의 자계보다도 작은 자계로 하고, 제 2 어닐링의 유지 온도를 반강자성층의 블로킹 온도이하로 하는 것을 특징으로 하는 자기저항효과 소자의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 제 2 방향의 자계를 반강자성층에 의해 자화가 핀고정된 핀고정 강자성층의 교환결합자계보다 작은 자계로 하는 것을 특징으로 하는 자기저항효과 소자의 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 방향의 자계를 1 kOe ∼ 4 kOe, 상기 제 2 방향의 자계를 50 ∼ 400 Oe 로 하는 것을 특징으로 하는 자기저항효과 소자의 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 어닐링의 유지온도를 210 ∼ 250 ℃로 하는 것을 특징으로 하는 자기저항효과 소자의 제조방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 제 2 어닐링의 유지온도를 150 ∼ 250 ℃ 로 하는 것을 특징으로 하는 자기저항효과 소자의 제조방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 프리 강자성층을 NiFe 합금, NiCo 합금, CoFe 합금, Co, NiFeCo 합금 중 어느 하나로 형성하고, 상기 비자성층을 Cu, CuAu, CuNi 중 어느 하나로 형성하고, 상기 핀고정 강자성층을 NiFe 합금, NiCo 합금, CoFe 합금, Co, NiFeCo 합금중 어느 하나로 형성하고, 상기 핀고정 강자성층을 PtMn, NiMn, IrMn, RhMn, PdMn, RuMn, α-Fe2O3중 어느 하나로 이루어지는 반강자성층과 인접시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 자기저항효과 소자의 제조방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 제 1 어닐링을 핀고정 반강자성층의 교환결합방향을 규정하는 자계인가조건으로 실시하고, 제 2 어닐링을 프리 강자성층의 자화 용이축의 방향을 규정하는 자계인가조건으로 실시하는 것을 특징으로 하는 자기저항효과 소자의 제조방법.
  8. 제 1 반강자성층과, 제 1 반강자성층에 의해 자화반전이 핀고정된 제 1 핀고정 강자성층과, 제 1 비자성층과, 자화가 외부의 자계에 대하여 자유롭게 반전하는 프리 강자성층과, 제 2 비자성층과, 제 2 핀고정 강자성층과, 제 2 핀고정 강자성층을 핀고정하기 위한 제 2 반강자성층을 구비하는 적층체를 형성하고,
    제 1 방향으로 자계를 부여하여 소정의 온도에서 제 1 어닐링을 실시하고,
    그후 제 1 방향과 대략 직교하는 제 2 방향으로 자계를 인가하여 제 2 어닐링을 실시하고, 상기 프리 강자성층의 자화 용이축의 자화 용이축과, 제 1 및 제 2 핀고정 강자성층의 자화 용이축을 대략 직교시키는 공정을 가지며,
    상기 제 2 방향의 자계를 제 1 방향의 자계보다도 작은 자계로 하고, 제 2 어닐링의 유지 온도를 반강자성층의 블로킹 온도 이하로 하는 것을 특징으로 하는 자기저항효과 소자의 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 제 2 방향의 자계를 반강자성층에 의해 자화가 핀고정된 핀고정 강자성층의 교환결합자계보다 작은 자계로 하는 것을 특징으로 하는 자기저항효과 소자의 제조방법.
  10. 제 8 항에 있어서, 상기 제 1 방향의 자계를 1 kOe ∼ 4 kOe, 상기 제 2 방향의 자계를 50 ∼ 400 Oe 로 하는 것을 특징으로 하는 자기저항효과 소자의 제조방법.
  11. 제 8 항에 있어서, 상기 제 1 어닐링의 유지온도를 210 ∼ 250 ℃로 하는 것을 특징으로 하는 자기저항효과 소자의 제조방법.
  12. 제 8 항에 있어서, 상기 제 2 어닐링의 유지온도를 150 ∼ 250 ℃ 로 하는 자기저항효과 소자의 제조방법.
  13. 제 8 항에 있어서, 상기 프리 강자성층을 NiFe 합금, NiCo 합금, CoFe 합금, Co, NiFeCo 합금 중 어느 하나로 형성하고, 상기 비자성층을 Cu, CuAu, CuNi 중 어느 하나로 형성하고, 상기 핀고정 강자성층을 NiFe 합금, NiCo 합금, CoFe 합금, Co, NiFeCo 합금중 어느 하나로 형성하고, 상기 핀고정 강자성층을 PtMn, NiMn, IrMn, RhMn, PdMn, RuMn, α-Fe2O3중 어느 하나로 이루어지는 반강자성층과 인접시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 자기저항효과 소자의 제조방법.
  14. 제 8 항에 있어서, 제 1 어닐링을 핀고정 반강자성층의 교환결합방향을 규정하는 자계인가조건으로 실시하고, 제 2 어닐링을 프리 강자성층의 자화 용이축의 방향을 규정하는 자계인가조건으로 실시하는 것을 특징으로 하는 자기저항효과 소자의 제조방법.
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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000149228A (ja) 1998-11-05 2000-05-30 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP3382866B2 (ja) * 1998-12-18 2003-03-04 日本電気株式会社 磁気抵抗効果素子の製造方法
JP2000285413A (ja) * 1999-03-26 2000-10-13 Fujitsu Ltd スピンバルブ磁気抵抗効果型素子とその製造法、及びこの素子を用いた磁気ヘッド
US6728055B1 (en) 2000-03-21 2004-04-27 International Business Machines Corporation Method and apparatus for performing spin valve combined pinned layer reset and hard bias initialization at the HGA level
US6522507B1 (en) * 2000-05-12 2003-02-18 Headway Technologies, Inc. Single top spin valve heads for ultra-high recording density
US7144484B2 (en) * 2000-08-15 2006-12-05 Seagate Technology Llc Ion mill shutter system
US6767655B2 (en) * 2000-08-21 2004-07-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Magneto-resistive element
US6680831B2 (en) * 2000-09-11 2004-01-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Magnetoresistive element, method for manufacturing the same, and method for forming a compound magnetic thin film
US6649423B2 (en) * 2001-10-04 2003-11-18 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method for modifying switching field characteristics of magnetic tunnel junctions
US20030080848A1 (en) * 2001-10-29 2003-05-01 Hubbell Incorporated Unitary arrester housing and support bracket
US6581272B1 (en) * 2002-01-04 2003-06-24 Headway Technologies, Inc. Method for forming a bottom spin valve magnetoresistive sensor element
JP2004296000A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Hitachi Ltd 磁気抵抗効果型ヘッド、及びその製造方法
US7088608B2 (en) * 2003-12-16 2006-08-08 Freescale Semiconductor, Inc. Reducing power consumption during MRAM writes using multiple current levels
US7256972B2 (en) * 2004-06-30 2007-08-14 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. CPP sensor with improved pinning strength longitudinal bias structure
JP4292128B2 (ja) * 2004-09-07 2009-07-08 キヤノンアネルバ株式会社 磁気抵抗効果素子の製造方法
JP4179260B2 (ja) * 2004-09-29 2008-11-12 ソニー株式会社 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及び磁気テープ装置
JP2006287081A (ja) * 2005-04-04 2006-10-19 Fuji Electric Holdings Co Ltd スピン注入磁区移動素子およびこれを用いた装置
JP2006303159A (ja) * 2005-04-20 2006-11-02 Fuji Electric Holdings Co Ltd スピン注入磁区移動素子およびこれを用いた装置
JP2007005664A (ja) * 2005-06-27 2007-01-11 Fuji Electric Holdings Co Ltd スピン注入磁化反転素子
JP4833691B2 (ja) * 2006-03-03 2011-12-07 株式会社リコー 磁気センサ及びその製造方法
US7461447B2 (en) * 2006-05-05 2008-12-09 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method of fabrication of magnetic head having annealed embedded read sensor
JP4942445B2 (ja) * 2006-09-08 2012-05-30 Ｔｄｋ株式会社 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置
JP5072120B2 (ja) * 2009-09-25 2012-11-14 株式会社東芝 磁気抵抗素子及び磁気メモリ
FR2954512B1 (fr) * 2009-12-21 2012-05-25 Commissariat Energie Atomique Realisation d'un dispositif a structures magnetiques formees sur un meme substrat et ayant des orientations d'aimantation respectives differentes
DE102014116953B4 (de) * 2014-11-19 2022-06-30 Sensitec Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Magnetfeldsensorvorrichtung, sowie diesbezüglicheMagnetfeldsensorvorrichtung

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4944805A (en) * 1987-09-10 1990-07-31 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method of heat treatment amorphous soft magnetic film layers to reduce magnetic anisotropy
JPH03130910A (ja) * 1989-07-10 1991-06-04 Hitachi Ltd 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
JPH0478012A (ja) * 1990-07-12 1992-03-12 Mitsubishi Electric Corp 薄膜磁気ヘッドの製造方法
US5206590A (en) * 1990-12-11 1993-04-27 International Business Machines Corporation Magnetoresistive sensor based on the spin valve effect
JPH05109022A (ja) * 1991-10-18 1993-04-30 Fuji Electric Co Ltd 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法
US5315468A (en) * 1992-07-28 1994-05-24 International Business Machines Corporation Magnetoresistive sensor having antiferromagnetic layer for exchange bias
US5422621A (en) * 1993-10-29 1995-06-06 International Business Machines Corporation Oriented granular giant magnetoresistance sensor
US5612098A (en) * 1996-08-14 1997-03-18 Read-Rite Corporation Method of forming a thin film magnetic structure having ferromagnetic and antiferromagnetic layers

Also Published As

Publication number Publication date
US6074707A (en) 2000-06-13
JP3219713B2 (ja) 2001-10-15
JPH10223942A (ja) 1998-08-21
KR19980071112A (ko) 1998-10-26

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