JP2001345495A - スピンバルブ型薄膜磁気素子およびこのスピンバルブ型薄膜磁気素子を備えた薄膜磁気ヘッド - Google Patents
スピンバルブ型薄膜磁気素子およびこのスピンバルブ型薄膜磁気素子を備えた薄膜磁気ヘッドInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明はスピンバルブ型の薄膜磁気素子の構
造のバックド層の結晶配向性を良好にして抵抗変化率の
向上を図ることを目的とする。更に本発明は、スピンバ
ルブ型の構造においてバックド層に隣接させるフリー磁
性層の保磁力を低減し、軟磁気特性を向上させ、検出感
度を向上させることを目的とする。 【解決手段】 本発明は、反強磁性層と、これとの交換
結合磁界により磁化方向が固定される固定磁性層と、固
定磁性層の磁化方向と交差する方向へ磁化方向が揃えら
れたフリー磁性層と、フリー磁性層の非磁性導電層側に
対する逆側に接して形成された非磁性導電材料からなる
バックド層とを具備、前記バックド層をＲｕ、Ｐｔ、Ｉ
ｒ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｃｒの中から選択される１種ま
たは２種以上の金属または合金からなるものとした。
造のバックド層の結晶配向性を良好にして抵抗変化率の
向上を図ることを目的とする。更に本発明は、スピンバ
ルブ型の構造においてバックド層に隣接させるフリー磁
性層の保磁力を低減し、軟磁気特性を向上させ、検出感
度を向上させることを目的とする。 【解決手段】 本発明は、反強磁性層と、これとの交換
結合磁界により磁化方向が固定される固定磁性層と、固
定磁性層の磁化方向と交差する方向へ磁化方向が揃えら
れたフリー磁性層と、フリー磁性層の非磁性導電層側に
対する逆側に接して形成された非磁性導電材料からなる
バックド層とを具備、前記バックド層をＲｕ、Ｐｔ、Ｉ
ｒ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｃｒの中から選択される１種ま
たは２種以上の金属または合金からなるものとした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固定磁性層（ピン
（Pinned）磁性層）の固定磁化方向と外部磁界の影響を
受けるフリー（Free）磁性層の磁化方向との関係で電気
抵抗が変化するスピンバルブ型薄膜磁気素子、およびこ
のスピンバルブ型薄膜磁気素子を備えた薄膜磁気ヘッド
に関し、特に、抵抗変化率の向上と、フリー磁性層の保
磁力の低減を図ることができる技術に関する。
（Pinned）磁性層）の固定磁化方向と外部磁界の影響を
受けるフリー（Free）磁性層の磁化方向との関係で電気
抵抗が変化するスピンバルブ型薄膜磁気素子、およびこ
のスピンバルブ型薄膜磁気素子を備えた薄膜磁気ヘッド
に関し、特に、抵抗変化率の向上と、フリー磁性層の保
磁力の低減を図ることができる技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】スピンバルブ型薄膜磁気素子は、巨大磁
気抵抗効果を示すＧＭＲ（Giant Magnetoresistive）素
子の一種であり、ハードディスクなどの磁気記録媒体か
ら記録磁界を検出するものである。前記スピンバルブ型
薄膜磁気素子は、ＧＭＲ素子の中で比較的構造が単純
で、しかも、外部磁界に対して抵抗変化率が高く、弱い
磁界で抵抗が変化するなどの優れた点を有している。
気抵抗効果を示すＧＭＲ（Giant Magnetoresistive）素
子の一種であり、ハードディスクなどの磁気記録媒体か
ら記録磁界を検出するものである。前記スピンバルブ型
薄膜磁気素子は、ＧＭＲ素子の中で比較的構造が単純
で、しかも、外部磁界に対して抵抗変化率が高く、弱い
磁界で抵抗が変化するなどの優れた点を有している。
【０００３】図１１は、従来のスピンバルブ型薄膜磁気
素子の一例を記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）側から見
た場合の構造を示した断面図である。図１１に示すスピ
ンバルブ型薄膜磁気素子は、反強磁性層、固定磁性層、
非磁性導電層、フリー磁性層が一層ずつ形成された、い
わゆるトップタイプのシングルスピンバルブ型薄膜磁気
素子とされている。このスピンバルブ型薄膜磁気素子で
は、ハードディスクなどの磁気記録媒体の移動方向は、
図示Ｚ方向であり、磁気記録媒体からの洩れ磁界の方向
は、Ｙ方向である。
素子の一例を記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）側から見
た場合の構造を示した断面図である。図１１に示すスピ
ンバルブ型薄膜磁気素子は、反強磁性層、固定磁性層、
非磁性導電層、フリー磁性層が一層ずつ形成された、い
わゆるトップタイプのシングルスピンバルブ型薄膜磁気
素子とされている。このスピンバルブ型薄膜磁気素子で
は、ハードディスクなどの磁気記録媒体の移動方向は、
図示Ｚ方向であり、磁気記録媒体からの洩れ磁界の方向
は、Ｙ方向である。
【０００４】図１１において符号１２１は基板上に設け
られている下地層を示している。この下地層１２１の上
には、フリー磁性層１２５が形成され、更に前記フリー
磁性層１２５の上には、非磁性導電層１２４が形成され
ている。この非磁性導電層１２４の上には、固定磁性層
１２３が形成され、固定磁性層１２３の上には、反強磁
性層１２２が形成され、更に反強磁性層１２２の上に
は、保護層１２７が形成されている。また、符号１２
６、１２６は、下地層１２１、固定磁性層１２３、非磁
性導電層１２４、フリー磁性層１２５のトラック幅（Ｔ
w）方向両側に設けられたハードバイアス層を示し、符
号１２８、１２８はハードバイアス層１２６上に形成さ
れた電極層を示し、符号１２９は、下地層１２１とフリ
ー磁性層１２５と非磁性導電層１２４と固定磁性層１２
３と、反強磁性層１２２と保護層１２７とからなる断面
台形状の積層体を示している。さらに、この例のスピン
バルブ型薄膜磁気素子では、固定磁性層１２３の磁化方
向がＹ方向と１８０度反対方向に固定されている。
られている下地層を示している。この下地層１２１の上
には、フリー磁性層１２５が形成され、更に前記フリー
磁性層１２５の上には、非磁性導電層１２４が形成され
ている。この非磁性導電層１２４の上には、固定磁性層
１２３が形成され、固定磁性層１２３の上には、反強磁
性層１２２が形成され、更に反強磁性層１２２の上に
は、保護層１２７が形成されている。また、符号１２
６、１２６は、下地層１２１、固定磁性層１２３、非磁
性導電層１２４、フリー磁性層１２５のトラック幅（Ｔ
w）方向両側に設けられたハードバイアス層を示し、符
号１２８、１２８はハードバイアス層１２６上に形成さ
れた電極層を示し、符号１２９は、下地層１２１とフリ
ー磁性層１２５と非磁性導電層１２４と固定磁性層１２
３と、反強磁性層１２２と保護層１２７とからなる断面
台形状の積層体を示している。さらに、この例のスピン
バルブ型薄膜磁気素子では、固定磁性層１２３の磁化方
向がＹ方向と１８０度反対方向に固定されている。
【０００５】前記下地層１２１は、Ｔａ（タンタル）な
どからなり、反強磁性層１２２は、ＩｒＭｎ合金、Ｆｅ
Ｍｎ合金、ＮｉＭｎ合金などから形成されている。さら
に、前記固定磁性層１２３およびフリー磁性層１２５
は、Ｃｏ、ＮｉＦｅ合金などから形成され、非磁性導電
層１２４がＣｕ（銅）から形成され、また、ハードバイ
アス層１２６、１２６がＣｏ−Ｐｔ（コバルトー白金）
合金から形成され、電極層１２８、１２８がＣｕなどの
良導電体から形成されている。また、図１１に示す構造
のスピンバルブ型薄膜磁気素子にあっては、フリー磁性
層１２５が、ＮｉＦｅ層１２５Ａと、非磁性導電層１２
４に接するＣｏ層１２５Ｂとからなる積層構造とされて
いる。
どからなり、反強磁性層１２２は、ＩｒＭｎ合金、Ｆｅ
Ｍｎ合金、ＮｉＭｎ合金などから形成されている。さら
に、前記固定磁性層１２３およびフリー磁性層１２５
は、Ｃｏ、ＮｉＦｅ合金などから形成され、非磁性導電
層１２４がＣｕ（銅）から形成され、また、ハードバイ
アス層１２６、１２６がＣｏ−Ｐｔ（コバルトー白金）
合金から形成され、電極層１２８、１２８がＣｕなどの
良導電体から形成されている。また、図１１に示す構造
のスピンバルブ型薄膜磁気素子にあっては、フリー磁性
層１２５が、ＮｉＦｅ層１２５Ａと、非磁性導電層１２
４に接するＣｏ層１２５Ｂとからなる積層構造とされて
いる。
【０００６】次に、図１２は、従来のスピンバルブ型薄
膜磁気素子の他の例を記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）
側から見た場合の構造を示した断面図である。図１２に
示すスピンバルブ型薄膜磁気素子は、反強磁性層、固定
磁性層、非磁性導電層、フリー磁性層が一層ずつ形成さ
れた、いわゆるボトムタイプのシングルスピンバルブ型
薄膜磁気素子である。このスピンバルブ型薄膜磁気素子
では、ハードディスクなどの磁気記録媒体の移動方向
は、図示Ｚ方向であり、磁気記録媒体からの洩れ磁界の
方向は、Ｙ方向である。
膜磁気素子の他の例を記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）
側から見た場合の構造を示した断面図である。図１２に
示すスピンバルブ型薄膜磁気素子は、反強磁性層、固定
磁性層、非磁性導電層、フリー磁性層が一層ずつ形成さ
れた、いわゆるボトムタイプのシングルスピンバルブ型
薄膜磁気素子である。このスピンバルブ型薄膜磁気素子
では、ハードディスクなどの磁気記録媒体の移動方向
は、図示Ｚ方向であり、磁気記録媒体からの洩れ磁界の
方向は、Ｙ方向である。
【０００７】図１２における従来のスピンバルブ型薄膜
磁気素子は、基板上に、下側から順に下地層１０６、反
強磁性層１０１、固定磁性層１０２、非磁性導電層１０
３、フリー磁性層１０４、および保護層１０７で構成さ
れた積層体１０９と、この積層体１０９のトラック幅
（Ｔw）方向両側に形成された一対のハードバイアス層
１０５、１０５と、このハードバイアス層１０５、１０
５の上に形成された電極層１０８、１０８とで構成され
ている。
磁気素子は、基板上に、下側から順に下地層１０６、反
強磁性層１０１、固定磁性層１０２、非磁性導電層１０
３、フリー磁性層１０４、および保護層１０７で構成さ
れた積層体１０９と、この積層体１０９のトラック幅
（Ｔw）方向両側に形成された一対のハードバイアス層
１０５、１０５と、このハードバイアス層１０５、１０
５の上に形成された電極層１０８、１０８とで構成され
ている。
【０００８】前記下地層１０６は、Ｔａなどからなり、
反強磁性層１０１が、ＮｉＯ合金、ＦｅＭｎ合金、Ｎｉ
Ｍｎ合金などから形成されている。更に、前記固定磁性
層１０２およびフリー磁性層１０４は、Ｃｏ、ＮｉＦｅ
合金などから形成され、非磁性導電層１０３にはＣｕ膜
が適応され、また、ハードバイアス層１０５、１０５が
Ｃｏ−Ｐｔ合金で形成され、電極層１０８、１０８がＣ
ｕなどの良導電体で形成されている。前記固定磁性層１
０２は、前記反強磁性層１０１に接して形成されること
により、前記固定磁性層１０２と反強磁性層１０１との
界面にて交換結合磁界（交換異方性磁界）が発生し、前
記固定磁性層１０２の固定磁化は、例えば、図示Ｙ方向
に固定されている。次に、前記ハードバイアス層１０
５、１０５が図示Ｘ１方向に磁化されていることで、前
記フリー磁性層１０４の変動磁化が図示Ｘ１方向に揃え
られている。これにより、前記フリー磁性層１０４の変
動磁化と前記固定磁性層１０２の固定磁化とが交差する
関係とされている。フリー磁性層１０４は、ＮｉＦｅ層
１０４Ａと、非磁性導電層１０３に接するＣｏ層１０４
Ｂとから形成されている。
反強磁性層１０１が、ＮｉＯ合金、ＦｅＭｎ合金、Ｎｉ
Ｍｎ合金などから形成されている。更に、前記固定磁性
層１０２およびフリー磁性層１０４は、Ｃｏ、ＮｉＦｅ
合金などから形成され、非磁性導電層１０３にはＣｕ膜
が適応され、また、ハードバイアス層１０５、１０５が
Ｃｏ−Ｐｔ合金で形成され、電極層１０８、１０８がＣ
ｕなどの良導電体で形成されている。前記固定磁性層１
０２は、前記反強磁性層１０１に接して形成されること
により、前記固定磁性層１０２と反強磁性層１０１との
界面にて交換結合磁界（交換異方性磁界）が発生し、前
記固定磁性層１０２の固定磁化は、例えば、図示Ｙ方向
に固定されている。次に、前記ハードバイアス層１０
５、１０５が図示Ｘ１方向に磁化されていることで、前
記フリー磁性層１０４の変動磁化が図示Ｘ１方向に揃え
られている。これにより、前記フリー磁性層１０４の変
動磁化と前記固定磁性層１０２の固定磁化とが交差する
関係とされている。フリー磁性層１０４は、ＮｉＦｅ層
１０４Ａと、非磁性導電層１０３に接するＣｏ層１０４
Ｂとから形成されている。
【０００９】図１２に示すスピンバルブ型薄膜磁気素子
では、ハードバイアス層１０５の上に形成された電極層
１０８から、固定磁性層１０２、非磁性導電層１０３、
フリー磁性層１０４に検出電流（センス電流）が与えら
れる。ハードディスクなどの磁気記録媒体の移動方向
は、図示Ｚ方向であり、磁気記録媒体からの洩れ磁界が
Ｙ方向に与えられると、フリー磁性層１０４の磁化がＸ
１方向からＹ方向へ向けて変化する。この際のフリー磁
性層１０４内での磁化の方向の変動と、固定磁性層１０
２の固定磁化方向との関係で電気抵抗値が変化し、（こ
れを磁気抵抗（ＭＲ）効果という）、この電気抵抗値の
変化に基づく電圧変化により、磁気記録媒体からの漏れ
磁界が検出される。
では、ハードバイアス層１０５の上に形成された電極層
１０８から、固定磁性層１０２、非磁性導電層１０３、
フリー磁性層１０４に検出電流（センス電流）が与えら
れる。ハードディスクなどの磁気記録媒体の移動方向
は、図示Ｚ方向であり、磁気記録媒体からの洩れ磁界が
Ｙ方向に与えられると、フリー磁性層１０４の磁化がＸ
１方向からＹ方向へ向けて変化する。この際のフリー磁
性層１０４内での磁化の方向の変動と、固定磁性層１０
２の固定磁化方向との関係で電気抵抗値が変化し、（こ
れを磁気抵抗（ＭＲ）効果という）、この電気抵抗値の
変化に基づく電圧変化により、磁気記録媒体からの漏れ
磁界が検出される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】図１１に示す構造のス
ピンバルブ型薄膜磁気素子において、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ
などの非磁性導電材料からなるバックド層をフリー磁性
層１２５の下地層１２１側に別途設け、磁気抵抗効果に
寄与する＋スピン（上向きスピン：up spin ）の電子に
おける平均自由行程（mean free path）を延ばす、いわ
ゆるスピンフィルター効果により、大きな△Ｒ／Ｒ（抵
抗変化率）を得ることを可能とし得る構造が提案されて
いる。
ピンバルブ型薄膜磁気素子において、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ
などの非磁性導電材料からなるバックド層をフリー磁性
層１２５の下地層１２１側に別途設け、磁気抵抗効果に
寄与する＋スピン（上向きスピン：up spin ）の電子に
おける平均自由行程（mean free path）を延ばす、いわ
ゆるスピンフィルター効果により、大きな△Ｒ／Ｒ（抵
抗変化率）を得ることを可能とし得る構造が提案されて
いる。
【００１１】ところが、図１１に示す構造においてフリ
ー磁性層１２５とＴａの下地層１２１との間にＣｕから
なるバックド層を追加した構造とした場合、Ｔａの下地
層１２１上にＣｕのバックド層を数１０Å程度に成膜す
ると、Ｔａの下地層１２１上にＣｕのバックド層を良好
な結晶配向性で成膜することが難しく、その結果として
バックド層の配向性が低下し、これが起因となって、大
きな△Ｒ／Ｒ（抵抗変化率）を得ることが難しいという
問題を有していた。また、Ｔａの下地層１２１の上に形
成したバックド層層には凹凸が生じやすく、凹凸を有す
るバックド層上に形成されたフリー磁性層１２５と非磁
性導電層１２４と固定磁性層１２３と反強磁性層１２２
は厚さが不均一になり易いので、高い磁気抵抗効果を発
揮するスピンバルブ型薄膜磁気素子を得ることが難しい
問題を有していた。
ー磁性層１２５とＴａの下地層１２１との間にＣｕから
なるバックド層を追加した構造とした場合、Ｔａの下地
層１２１上にＣｕのバックド層を数１０Å程度に成膜す
ると、Ｔａの下地層１２１上にＣｕのバックド層を良好
な結晶配向性で成膜することが難しく、その結果として
バックド層の配向性が低下し、これが起因となって、大
きな△Ｒ／Ｒ（抵抗変化率）を得ることが難しいという
問題を有していた。また、Ｔａの下地層１２１の上に形
成したバックド層層には凹凸が生じやすく、凹凸を有す
るバックド層上に形成されたフリー磁性層１２５と非磁
性導電層１２４と固定磁性層１２３と反強磁性層１２２
は厚さが不均一になり易いので、高い磁気抵抗効果を発
揮するスピンバルブ型薄膜磁気素子を得ることが難しい
問題を有していた。
【００１２】次に、図１２に示すようなスピンバルブ型
薄膜磁気素子において、フリー磁性層１０４の上には、
通常、Ｔａの保護層１０７が成膜されているが、フリー
磁性層１０４がＮｉＦｅ合金から形成されていると、Ｔ
ａとＮｉＦｅ合金との界面において元素の熱拡散が起こ
り易い傾向がある。このようにフリー磁性層１０４と保
護層１０７の界面において加熱により元素拡散がなされ
ると、フリー磁性層１０４の磁気的膜厚（Ｍｓ・ｔ）の
値が低下する。さらに、保護膜１０７とフリー磁性層１
０４との界面近傍における磁気異方性分散の増加が起こ
り、フリー磁性層１０４の保磁力の増加、並びに、抵抗
変化率の低下を引き起こすおそれがあった。
薄膜磁気素子において、フリー磁性層１０４の上には、
通常、Ｔａの保護層１０７が成膜されているが、フリー
磁性層１０４がＮｉＦｅ合金から形成されていると、Ｔ
ａとＮｉＦｅ合金との界面において元素の熱拡散が起こ
り易い傾向がある。このようにフリー磁性層１０４と保
護層１０７の界面において加熱により元素拡散がなされ
ると、フリー磁性層１０４の磁気的膜厚（Ｍｓ・ｔ）の
値が低下する。さらに、保護膜１０７とフリー磁性層１
０４との界面近傍における磁気異方性分散の増加が起こ
り、フリー磁性層１０４の保磁力の増加、並びに、抵抗
変化率の低下を引き起こすおそれがあった。
【００１３】なお、本発明者らは先に、固定磁性層が非
磁性中間層によって複数層に分割されたいわゆるシンセ
ティックフェリピンド型（synthetic-ferri-pinned typ
e ）とされるスピンバルブ型薄膜磁気素子を提案してい
るが、これらのような構成においても上述したフリー磁
性層における問題は発生する可能性があった。
磁性中間層によって複数層に分割されたいわゆるシンセ
ティックフェリピンド型（synthetic-ferri-pinned typ
e ）とされるスピンバルブ型薄膜磁気素子を提案してい
るが、これらのような構成においても上述したフリー磁
性層における問題は発生する可能性があった。
【００１４】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
ので、バックド層を用いたスピンバルブ型の薄膜磁気素
子の構造においてバックド層の結晶配向性を良好にして
抵抗変化率の向上を図ることを目的とする。更に本発明
は、スピンバルブ型の薄膜磁気素子の構造においてバッ
クド層に隣接させるフリー磁性層の保磁力を低減し、軟
磁気特性を向上させ、検出感度を向上させることを目的
とする。本発明は、ボトムタイプのスピンバルブ型薄膜
磁気素子において、フリー磁性層の磁気的膜厚低下を防
止し、フリー磁性層と保護層界面での磁気異方性分散の
増加を防止すること、フリー磁性層の保磁力増加を防止
し、抵抗変化率の低下を抑制することを目的とする。ま
た、本発明は、上記のようなスピンバルブ型薄膜磁気素
子を備えた薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とす
る。
ので、バックド層を用いたスピンバルブ型の薄膜磁気素
子の構造においてバックド層の結晶配向性を良好にして
抵抗変化率の向上を図ることを目的とする。更に本発明
は、スピンバルブ型の薄膜磁気素子の構造においてバッ
クド層に隣接させるフリー磁性層の保磁力を低減し、軟
磁気特性を向上させ、検出感度を向上させることを目的
とする。本発明は、ボトムタイプのスピンバルブ型薄膜
磁気素子において、フリー磁性層の磁気的膜厚低下を防
止し、フリー磁性層と保護層界面での磁気異方性分散の
増加を防止すること、フリー磁性層の保磁力増加を防止
し、抵抗変化率の低下を抑制することを目的とする。ま
た、本発明は、上記のようなスピンバルブ型薄膜磁気素
子を備えた薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とす
る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明のスピンバルブ型
薄膜磁気素子は、反強磁性層と、該反強磁性層と接して
形成され、前記反強磁性層との交換結合磁界により磁化
方向が固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に非磁
性導電層を介して形成され、前記固定磁性層の磁化方向
と交差する方向へ磁化方向が揃えられたフリー磁性層
と、このフリー磁性層の前記非磁性導電層側に対する逆
側に接して形成された非磁性導電材料からなるバックド
層とを有し、前記バックド層がＲｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒ
ｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｃｒの中から選択される１種または２
種以上の金属または合金からなることにより上記課題を
解決した。バックド層がこれらの金属や合金からなる場
合、結晶配向の良好なものが得られ易く、それに密接し
て形成されるフリー磁性層との界面の格子整合性を良好
にすることができ、結果的にバックド層が本来有する伝
導電子のアップスピンのものを選択するスピンフィルタ
ー効果を充分良好に発揮させて高い抵抗変化率を得るこ
とができる。
薄膜磁気素子は、反強磁性層と、該反強磁性層と接して
形成され、前記反強磁性層との交換結合磁界により磁化
方向が固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に非磁
性導電層を介して形成され、前記固定磁性層の磁化方向
と交差する方向へ磁化方向が揃えられたフリー磁性層
と、このフリー磁性層の前記非磁性導電層側に対する逆
側に接して形成された非磁性導電材料からなるバックド
層とを有し、前記バックド層がＲｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒ
ｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｃｒの中から選択される１種または２
種以上の金属または合金からなることにより上記課題を
解決した。バックド層がこれらの金属や合金からなる場
合、結晶配向の良好なものが得られ易く、それに密接し
て形成されるフリー磁性層との界面の格子整合性を良好
にすることができ、結果的にバックド層が本来有する伝
導電子のアップスピンのものを選択するスピンフィルタ
ー効果を充分良好に発揮させて高い抵抗変化率を得るこ
とができる。
【００１６】ここで以下に、上記のスピンフィルター効
果によって磁気抵抗変化率が高くなる理由を簡単に述べ
るが、それに先だって、スピンバルブ型薄膜磁気素子の
巨大磁気抵抗効果の原理を簡単に説明する。スピンバル
ブ型薄膜磁気素子にセンス電流を印加したときには、伝
導電子が主に電気抵抗の小さい非磁性導電層付近を移動
する。この伝導電子にはアップスピン（＋スピン、上向
きスピン：up spin ）とダウンスピン（−スピン、下向
きスピン：down spin ）の２種類の伝導電子が確率的に
等量存在する。スピンバルブ型薄膜磁気素子の磁気抵抗
変化率は、これらの２種類の伝導電子の平均自由行程
（mean free path）の行程差に対して正の相関を示す。
果によって磁気抵抗変化率が高くなる理由を簡単に述べ
るが、それに先だって、スピンバルブ型薄膜磁気素子の
巨大磁気抵抗効果の原理を簡単に説明する。スピンバル
ブ型薄膜磁気素子にセンス電流を印加したときには、伝
導電子が主に電気抵抗の小さい非磁性導電層付近を移動
する。この伝導電子にはアップスピン（＋スピン、上向
きスピン：up spin ）とダウンスピン（−スピン、下向
きスピン：down spin ）の２種類の伝導電子が確率的に
等量存在する。スピンバルブ型薄膜磁気素子の磁気抵抗
変化率は、これらの２種類の伝導電子の平均自由行程
（mean free path）の行程差に対して正の相関を示す。
【００１７】ダウンスピンの伝導電子は、印加される外
部磁界の向きにかかわらず、非磁性導電層とフリー磁性
層との界面で常に散乱され、フリー磁性層に移動する確
率は低いまま維持され、その平均自由行程はアップスピ
ンの伝導電子の平均自由行程に比べて短いままである。
一方、アップスピンの伝導電子については、外部磁界に
よってフリー磁性層の磁化方向が固定磁性層の磁化方向
と平行状態になったときに、非磁性導電層からフリー磁
性層に移動する確率が高くなり、平均自由行程が長くな
っている。これに対し、外部磁界によってフリー磁性層
の磁化方向が固定磁性層の磁化方向に対して平行状態か
ら変化するに従って、非磁性導電層とフリー磁性層との
界面で散乱される確率が増加し、アップスピンの伝導電
子の平均自由行程が短くなる。このように外部磁界の作
用によって、アップスピンの伝導電子の平均自由行程が
ダウンスピンの伝導電子の平均自由行程に比べて大きく
変化し、行程差が大きく変化することによって、抵抗率
が変化し、スピンバルブ型薄膜磁気素子の磁気抵抗変化
率（△Ｒ／Ｒ）が大きくなる。
部磁界の向きにかかわらず、非磁性導電層とフリー磁性
層との界面で常に散乱され、フリー磁性層に移動する確
率は低いまま維持され、その平均自由行程はアップスピ
ンの伝導電子の平均自由行程に比べて短いままである。
一方、アップスピンの伝導電子については、外部磁界に
よってフリー磁性層の磁化方向が固定磁性層の磁化方向
と平行状態になったときに、非磁性導電層からフリー磁
性層に移動する確率が高くなり、平均自由行程が長くな
っている。これに対し、外部磁界によってフリー磁性層
の磁化方向が固定磁性層の磁化方向に対して平行状態か
ら変化するに従って、非磁性導電層とフリー磁性層との
界面で散乱される確率が増加し、アップスピンの伝導電
子の平均自由行程が短くなる。このように外部磁界の作
用によって、アップスピンの伝導電子の平均自由行程が
ダウンスピンの伝導電子の平均自由行程に比べて大きく
変化し、行程差が大きく変化することによって、抵抗率
が変化し、スピンバルブ型薄膜磁気素子の磁気抵抗変化
率（△Ｒ／Ｒ）が大きくなる。
【００１８】ここで、フリー磁性層の前記非磁性導電層
と逆側の位置にバックド層を積層すると、このバックド
層はフリー磁性層との界面においてポテンシャル障壁を
形成し、フリー磁性層中を移動するアップスピンの伝導
電子の平均自由行程を延ばすことができる。つまり、い
わゆるスピンフィルター効果を発現させることが可能と
なり、スピンバルブ型薄膜磁気素子の磁気抵抗変化率を
より向上させることができる。以上のスピンフィルター
効果は、バックド層の結晶配向性が乱れると減少する。
また、バックド層の下地に凹凸やうねりがあってバック
ド層自体に凹凸や不均一性がある場合もスピンフィルタ
効果は減少する。よって、前記の如くバックド層がＲ
ｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｃｒの中から選択
される１種または２種以上の金属または合金からなるこ
とにより下地との整合性が改善し、結晶配向性が良好に
なる確率が向上する結果、バックド層が本来有する伝導
電子のアップスピンのものを選択するスピンフィルター
効果を良好に発揮させ得ることができ易くなり、高い抵
抗変化率を得るようにすることができる。
と逆側の位置にバックド層を積層すると、このバックド
層はフリー磁性層との界面においてポテンシャル障壁を
形成し、フリー磁性層中を移動するアップスピンの伝導
電子の平均自由行程を延ばすことができる。つまり、い
わゆるスピンフィルター効果を発現させることが可能と
なり、スピンバルブ型薄膜磁気素子の磁気抵抗変化率を
より向上させることができる。以上のスピンフィルター
効果は、バックド層の結晶配向性が乱れると減少する。
また、バックド層の下地に凹凸やうねりがあってバック
ド層自体に凹凸や不均一性がある場合もスピンフィルタ
効果は減少する。よって、前記の如くバックド層がＲ
ｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｃｒの中から選択
される１種または２種以上の金属または合金からなるこ
とにより下地との整合性が改善し、結晶配向性が良好に
なる確率が向上する結果、バックド層が本来有する伝導
電子のアップスピンのものを選択するスピンフィルター
効果を良好に発揮させ得ることができ易くなり、高い抵
抗変化率を得るようにすることができる。
【００１９】本発明は、基板上に、少なくともバックド
層と、フリー磁性層と、非磁性導電層と、固定磁性層
と、反強磁性層とが積層され、前記固定磁性層の磁化方
向が前記反強磁性層との交換結合磁界により固定され、
前記フリー磁性層の磁化方向が前記固定磁性層の磁化方
向と交差するように揃えられてなることを特徴とする。
基板上にバックド層とフリー磁性層と非磁性導電層が積
層され、それらの上に反強磁性層が配置されたトップタ
イプのスピンバルブ型薄膜磁気素子において、バックド
層の結晶配向性が向上し、凹凸も減少すると、バックド
層上に形成される他の層の凹凸が少なくなり、不均一性
も解消されるので、先のスピンフィルタ効果が得られ易
くなり、抵抗変化率の向上も大きい。
層と、フリー磁性層と、非磁性導電層と、固定磁性層
と、反強磁性層とが積層され、前記固定磁性層の磁化方
向が前記反強磁性層との交換結合磁界により固定され、
前記フリー磁性層の磁化方向が前記固定磁性層の磁化方
向と交差するように揃えられてなることを特徴とする。
基板上にバックド層とフリー磁性層と非磁性導電層が積
層され、それらの上に反強磁性層が配置されたトップタ
イプのスピンバルブ型薄膜磁気素子において、バックド
層の結晶配向性が向上し、凹凸も減少すると、バックド
層上に形成される他の層の凹凸が少なくなり、不均一性
も解消されるので、先のスピンフィルタ効果が得られ易
くなり、抵抗変化率の向上も大きい。
【００２０】本発明は、基板上に、少なくとも反強磁性
層と、固定磁性層と、非磁性導電層と、フリー磁性層
と、バックド層とが積層され、前記固定磁性層の磁化方
向が前記反強磁性層との交換結合磁界により固定され、
前記フリー磁性層の磁化方向が前記固定磁性層の磁化方
向と交差するように揃えられてなることを特徴とする。
反強磁性層が基板に近い側に配置されたボトム型のスピ
ンバルブ構造の薄膜磁気素子においても先のバックド層
によるスピンフィルタ効果を得ることが可能となる。
層と、固定磁性層と、非磁性導電層と、フリー磁性層
と、バックド層とが積層され、前記固定磁性層の磁化方
向が前記反強磁性層との交換結合磁界により固定され、
前記フリー磁性層の磁化方向が前記固定磁性層の磁化方
向と交差するように揃えられてなることを特徴とする。
反強磁性層が基板に近い側に配置されたボトム型のスピ
ンバルブ構造の薄膜磁気素子においても先のバックド層
によるスピンフィルタ効果を得ることが可能となる。
【００２１】本発明は、前記基板上に、Ｔａの下地層を
介してバックド層が積層されてなることを特徴とする。
Ｔａの下地層の上に形成されるバックド層が先の材料か
らなることで、バックド層の結晶配向性を良好とし易く
することが可能であり、凹凸の少ない表面粗さの小さな
バックド層が得られ易い。また、バックド層において凹
凸や欠陥も生じ難くなるので、バックド層とその上に積
層されるフリー磁性層との界面が良好な接合状態となり
易く、スピンフィルタ効果が十分に発揮される。
介してバックド層が積層されてなることを特徴とする。
Ｔａの下地層の上に形成されるバックド層が先の材料か
らなることで、バックド層の結晶配向性を良好とし易く
することが可能であり、凹凸の少ない表面粗さの小さな
バックド層が得られ易い。また、バックド層において凹
凸や欠陥も生じ難くなるので、バックド層とその上に積
層されるフリー磁性層との界面が良好な接合状態となり
易く、スピンフィルタ効果が十分に発揮される。
【００２２】本発明は、前記フリー磁性層の基板側と反
対側に、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｃｒの
中から選択される１種または２種以上の金属または合金
からなる保護層が積層されたことを特徴とする。前記金
属または合金の保護層がフリー磁性層の上に直接形成さ
れている構造の場合、従来のＴａの保護層とは異なり、
熱拡散が生じ難くなるので、フリー磁性層の磁気的膜厚
低下を防止でき、フリー磁性層と保護層界面での磁気異
方性分散増加を防止でき、フリー磁性層の保磁力増大を
抑制でき、抵抗変化率の低減を抑制できる。
対側に、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｃｒの
中から選択される１種または２種以上の金属または合金
からなる保護層が積層されたことを特徴とする。前記金
属または合金の保護層がフリー磁性層の上に直接形成さ
れている構造の場合、従来のＴａの保護層とは異なり、
熱拡散が生じ難くなるので、フリー磁性層の磁気的膜厚
低下を防止でき、フリー磁性層と保護層界面での磁気異
方性分散増加を防止でき、フリー磁性層の保磁力増大を
抑制でき、抵抗変化率の低減を抑制できる。
【００２３】本発明は、前記フリー磁性層がＮｉＦｅか
らなり、前記保護層が熱拡散防止機能を有することを特
徴とする。フリー磁性層がＮｉＦｅからなる場合、保護
層の材料によっては熱拡散を生じやすくなり、特にＴａ
の保護層の場合に熱拡散が大きくなるので、加熱される
と界面での元素拡散の影響が生じやすくなる。保護層が
熱拡散防止機能を有する先の金属または合金からなるこ
とで、熱拡散が起こり難くなり、フリー磁性層の磁気的
膜厚の低下を防止でき、フリー磁性層と保護層界面での
磁気異方性分散増加を防止でき、フリー磁性層の保磁力
増大を抑制でき、抵抗変化率の低減を抑制できる。
らなり、前記保護層が熱拡散防止機能を有することを特
徴とする。フリー磁性層がＮｉＦｅからなる場合、保護
層の材料によっては熱拡散を生じやすくなり、特にＴａ
の保護層の場合に熱拡散が大きくなるので、加熱される
と界面での元素拡散の影響が生じやすくなる。保護層が
熱拡散防止機能を有する先の金属または合金からなるこ
とで、熱拡散が起こり難くなり、フリー磁性層の磁気的
膜厚の低下を防止でき、フリー磁性層と保護層界面での
磁気異方性分散増加を防止でき、フリー磁性層の保磁力
増大を抑制でき、抵抗変化率の低減を抑制できる。
【００２４】本発明は、前記反強磁性層と固定磁性層と
非磁性導電層とフリー磁性層とバックド層が少なくとも
積層されてなる積層体の両側に形成されて、前記フリー
磁性層の磁化方向を前記固定磁性層の磁化方向と交差す
る方向へ揃えるためのバイアス層と、前記バイアス層上
に形成されて前記積層体に検出電流を与える電極層とを
有してなることを特徴とする。バイアス層を有すること
で、フリー磁性層にバイアスを印加してフリー磁性層の
磁化の方向を均一に揃えることができ、フリー磁性層に
おいて磁化の向きが変動する際にフリー磁性層の全体で
均一に磁化の向きを変更できる。また、電極層を設ける
ことで薄膜磁気素子に検出電流（センス電流）を流すこ
とができる。
非磁性導電層とフリー磁性層とバックド層が少なくとも
積層されてなる積層体の両側に形成されて、前記フリー
磁性層の磁化方向を前記固定磁性層の磁化方向と交差す
る方向へ揃えるためのバイアス層と、前記バイアス層上
に形成されて前記積層体に検出電流を与える電極層とを
有してなることを特徴とする。バイアス層を有すること
で、フリー磁性層にバイアスを印加してフリー磁性層の
磁化の方向を均一に揃えることができ、フリー磁性層に
おいて磁化の向きが変動する際にフリー磁性層の全体で
均一に磁化の向きを変更できる。また、電極層を設ける
ことで薄膜磁気素子に検出電流（センス電流）を流すこ
とができる。
【００２５】本発明は、前記固定磁性層が、非磁性中間
層と、該非磁性中間層を挟む第１、第２固定磁性層とか
らなり、該第１、第２固定磁性層の磁化方向が反平行方
向とされ、かつこの第１、第２固定磁性層がフェリ磁性
状態とされていることを特徴とする。固定磁性層が２つ
の固定磁性層からなる構造を採用し、２つの固定磁性層
どうしで磁化の向きをフェリ磁性状態とすると、固定磁
性層の内部で磁化の向きをバランスさせることができ、
固定磁性層の磁化の向きを安定して保持できるので、出
力特性の安定したスタビリティの高い薄膜磁気素子が得
られる。
層と、該非磁性中間層を挟む第１、第２固定磁性層とか
らなり、該第１、第２固定磁性層の磁化方向が反平行方
向とされ、かつこの第１、第２固定磁性層がフェリ磁性
状態とされていることを特徴とする。固定磁性層が２つ
の固定磁性層からなる構造を採用し、２つの固定磁性層
どうしで磁化の向きをフェリ磁性状態とすると、固定磁
性層の内部で磁化の向きをバランスさせることができ、
固定磁性層の磁化の向きを安定して保持できるので、出
力特性の安定したスタビリティの高い薄膜磁気素子が得
られる。
【００２６】本発明のスピンバルブ型薄膜磁気素子にお
いて、固定磁性層を２つに分断した構造は、いわゆる、
シンセティックフェリピンド型（synthetic-ferri-pinn
ed type ）と称することができ、これにより、固定磁性
層の固定磁化による反磁界（双極子磁界）を、第１の固
定磁性層の静磁結合磁界と第２の固定磁性層の静磁結合
磁界とにより、相互に打ち消してキャンセルすることが
できる。これにより、フリー磁性層の変動磁化の方向に
影響を与える固定磁性層の固定磁化による反磁界（双極
子磁界）からの、フリー磁性層の変動磁化への寄与を減
少することができる。
いて、固定磁性層を２つに分断した構造は、いわゆる、
シンセティックフェリピンド型（synthetic-ferri-pinn
ed type ）と称することができ、これにより、固定磁性
層の固定磁化による反磁界（双極子磁界）を、第１の固
定磁性層の静磁結合磁界と第２の固定磁性層の静磁結合
磁界とにより、相互に打ち消してキャンセルすることが
できる。これにより、フリー磁性層の変動磁化の方向に
影響を与える固定磁性層の固定磁化による反磁界（双極
子磁界）からの、フリー磁性層の変動磁化への寄与を減
少することができる。
【００２７】また、このように固定磁性層を非磁性中間
層を介して２つに分断したスピンバルブ型薄膜磁気素子
とした場合、２つに分断された固定磁性層のうち一方が
他方の固定磁性層を適正な方向に固定する役割を担い、
固定磁性層の状態を非常に安定した状態に保つことが可
能となる。また、２つに分断された固定磁性層により、
この固定磁性層の固定磁化による反磁界（双極子磁界）
のフリー磁性層への影響を低減し、フリー磁性層の変動
磁化の方向を所望の方向に補正することがより容易にな
り、アシンメトリーの小さい優れたスピンバルブ型薄膜
磁気素子とすることが可能なために、フリー磁性層の変
動磁化方向の制御を、より容易にすることができる。
層を介して２つに分断したスピンバルブ型薄膜磁気素子
とした場合、２つに分断された固定磁性層のうち一方が
他方の固定磁性層を適正な方向に固定する役割を担い、
固定磁性層の状態を非常に安定した状態に保つことが可
能となる。また、２つに分断された固定磁性層により、
この固定磁性層の固定磁化による反磁界（双極子磁界）
のフリー磁性層への影響を低減し、フリー磁性層の変動
磁化の方向を所望の方向に補正することがより容易にな
り、アシンメトリーの小さい優れたスピンバルブ型薄膜
磁気素子とすることが可能なために、フリー磁性層の変
動磁化方向の制御を、より容易にすることができる。
【００２８】ここで、アシンメトリーとは、再生出力波
形の非対称性の度合いを示すものであり、再生出力波形
が与えられた場合、波形が対称であればアシンメトリー
が小さくなる。したがって、アシンメトリーが０に近づ
くほど再生出力波形が対称性に優れていることになる。
前記アシンメトリーは、フリー磁性層の変動磁化の方向
と固定磁性層の固定磁化の方向とが直交しているとき０
となる。アシンメトリーが大きくずれるとメディアから
の情報の読みとりが正確にできなくなり、エラーの原因
となる。このため、前記アシンメトリーが０に近づくほ
ど、再生信号処理の信頼性が向上することとなり、スピ
ンバルブ型薄膜磁気素子として優れたものとなる。
形の非対称性の度合いを示すものであり、再生出力波形
が与えられた場合、波形が対称であればアシンメトリー
が小さくなる。したがって、アシンメトリーが０に近づ
くほど再生出力波形が対称性に優れていることになる。
前記アシンメトリーは、フリー磁性層の変動磁化の方向
と固定磁性層の固定磁化の方向とが直交しているとき０
となる。アシンメトリーが大きくずれるとメディアから
の情報の読みとりが正確にできなくなり、エラーの原因
となる。このため、前記アシンメトリーが０に近づくほ
ど、再生信号処理の信頼性が向上することとなり、スピ
ンバルブ型薄膜磁気素子として優れたものとなる。
【００２９】また、固定磁性層の固定磁化による反磁界
（双極子）磁界Ｈd は、一般的に素子高さ方向におい
て、その端部で大きく中央部で小さいという、不均一な
分布を持ち、フリー磁性層内における単磁区化が妨げら
れる場合があるが、固定磁性層を上記の積層構造とする
ことにより、双極子磁界Ｈd をほぼＨd ＝０にし、これ
によって、フリー磁性層内に磁壁ができて単磁区化が妨
げられ、磁化の不均一が発生し、スピンバルブ型薄膜磁
気素子において、磁気記録媒体からの信号の処理が不正
確になる不安定性（instability ）の原因となるバルク
ハイゼンノイズ等が発生することを防止することができ
る。
（双極子）磁界Ｈd は、一般的に素子高さ方向におい
て、その端部で大きく中央部で小さいという、不均一な
分布を持ち、フリー磁性層内における単磁区化が妨げら
れる場合があるが、固定磁性層を上記の積層構造とする
ことにより、双極子磁界Ｈd をほぼＨd ＝０にし、これ
によって、フリー磁性層内に磁壁ができて単磁区化が妨
げられ、磁化の不均一が発生し、スピンバルブ型薄膜磁
気素子において、磁気記録媒体からの信号の処理が不正
確になる不安定性（instability ）の原因となるバルク
ハイゼンノイズ等が発生することを防止することができ
る。
【００３０】本発明は、前記フリー磁性層が、非磁性中
間層と該非磁性中間層を挟む第１、第２フリー磁性層と
からなり、該第１、第２フリー磁性層の磁化方向が反平
行方向とされ、かつこの第１、第２フリー磁性層がフェ
リ磁性状態とされていることを特徴とする。フリー磁性
層が２つのフリー磁性層からなる構造を採用し、２つの
フリー磁性層どうしで磁化の向きをフェリ磁性状態とす
ると、フリー磁性層の内部で磁化の向きをバランスさせ
ることができ、フリー磁性層の磁化の向きを安定して保
持できるので、出力特性の安定したスタビリティの高い
薄膜磁気素子が得られる。
間層と該非磁性中間層を挟む第１、第２フリー磁性層と
からなり、該第１、第２フリー磁性層の磁化方向が反平
行方向とされ、かつこの第１、第２フリー磁性層がフェ
リ磁性状態とされていることを特徴とする。フリー磁性
層が２つのフリー磁性層からなる構造を採用し、２つの
フリー磁性層どうしで磁化の向きをフェリ磁性状態とす
ると、フリー磁性層の内部で磁化の向きをバランスさせ
ることができ、フリー磁性層の磁化の向きを安定して保
持できるので、出力特性の安定したスタビリティの高い
薄膜磁気素子が得られる。
【００３１】本発明は、前記反強磁性層が、Ｘ−Ｍｎ合
金，Ｐｔ−Ｍｎ−Ｘ’合金（ただし前記組成式におい
て、ＸはＰｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ、Ｏｓのなかか
ら選択される１種を示し、Ｘ’はＰｄ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｎ
ｉ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘ
ｅ、Ｋｒのなかから選択される１種または２種以上を示
す）のいずれかからなることを特徴とする。これらの合
金の反強磁性層は、交換結合磁界を失うブロッキング温
度が高いので、熱的に安定であり、固定磁性層の磁化の
向きをピン止めする交換結合磁界も高いものが得られる
ので固定磁性層のピン止め力を高くすることができる。
金，Ｐｔ−Ｍｎ−Ｘ’合金（ただし前記組成式におい
て、ＸはＰｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ、Ｏｓのなかか
ら選択される１種を示し、Ｘ’はＰｄ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｎ
ｉ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘ
ｅ、Ｋｒのなかから選択される１種または２種以上を示
す）のいずれかからなることを特徴とする。これらの合
金の反強磁性層は、交換結合磁界を失うブロッキング温
度が高いので、熱的に安定であり、固定磁性層の磁化の
向きをピン止めする交換結合磁界も高いものが得られる
ので固定磁性層のピン止め力を高くすることができる。
【００３２】また、上記のスピンバルブ型薄膜磁気素子
においては、前記反強磁性層は、Ｘ−Ｍｎ（ただし、Ｘ
は、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｏｓのうちから選
択される１種の元素を示す。）の式で示される合金から
なり、Ｘが３７〜６３原子％の範囲であることが望まし
く、さらにまた、上記のスピンバルブ型薄膜磁気素子に
おいては、前記反強磁性層が、Ｘ’−Ｐｔ−Ｍｎ（ただ
し、Ｘ’は、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｏ
ｓ、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒのうちから選
択される１種または２種以上の元素を示す。）の式で示
される合金からなり、Ｘ’＋Ｐｔが３７〜６３原子％の
範囲であることが望ましい。
においては、前記反強磁性層は、Ｘ−Ｍｎ（ただし、Ｘ
は、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｏｓのうちから選
択される１種の元素を示す。）の式で示される合金から
なり、Ｘが３７〜６３原子％の範囲であることが望まし
く、さらにまた、上記のスピンバルブ型薄膜磁気素子に
おいては、前記反強磁性層が、Ｘ’−Ｐｔ−Ｍｎ（ただ
し、Ｘ’は、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｏ
ｓ、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒのうちから選
択される１種または２種以上の元素を示す。）の式で示
される合金からなり、Ｘ’＋Ｐｔが３７〜６３原子％の
範囲であることが望ましい。
【００３３】これにより、反強磁性層に、Ｘ−Ｍｎの式
で示される合金またはＸ’−Ｐｔ−Ｍｎの式で示される
合金を用いたスピンバルブ型薄膜磁気素子とすること
で、前記反強磁性層に従来から使用されているＮｉＯ合
金、ＦｅＭｎ合金、ＮｉＭｎ合金などを用いたものと比
較して、交換結合磁界が大きく、またブロッキング温度
が高く、さらに耐食性に優れているなどの優れた特性を
有するスピンバルブ型薄膜磁気素子とすることができ
る。
で示される合金またはＸ’−Ｐｔ−Ｍｎの式で示される
合金を用いたスピンバルブ型薄膜磁気素子とすること
で、前記反強磁性層に従来から使用されているＮｉＯ合
金、ＦｅＭｎ合金、ＮｉＭｎ合金などを用いたものと比
較して、交換結合磁界が大きく、またブロッキング温度
が高く、さらに耐食性に優れているなどの優れた特性を
有するスピンバルブ型薄膜磁気素子とすることができ
る。
【００３４】本発明は、前記非磁性導電層の前記フリー
磁性層側と前記非磁性導電層の前記固定磁性層側の少な
くとも一方に、Ｃｏ層を配置してなることを特徴とす
る。非磁性導電層をフリー磁性層と固定磁性層で挟持す
るスピンバルブ型の構造において、非磁性導電層の両側
または一方にＣｏ層を配することで、より大きな抵抗変
化を得易くなる。
磁性層側と前記非磁性導電層の前記固定磁性層側の少な
くとも一方に、Ｃｏ層を配置してなることを特徴とす
る。非磁性導電層をフリー磁性層と固定磁性層で挟持す
るスピンバルブ型の構造において、非磁性導電層の両側
または一方にＣｏ層を配することで、より大きな抵抗変
化を得易くなる。
【００３５】本発明の薄膜磁気ヘッドは、前記いずれか
に記載のスピンバルブ型薄膜磁気素子を備えたことを特
徴とする。前記種々の作用を奏するスピンバルブ型薄膜
磁気素子を備えた薄膜磁気ヘッドであるならば、低い外
部磁界にも敏感に反応して検出精度が高く、抵抗変化率
が大きいので、安定した出力を得ることができるものを
提供できる。
に記載のスピンバルブ型薄膜磁気素子を備えたことを特
徴とする。前記種々の作用を奏するスピンバルブ型薄膜
磁気素子を備えた薄膜磁気ヘッドであるならば、低い外
部磁界にも敏感に反応して検出精度が高く、抵抗変化率
が大きいので、安定した出力を得ることができるものを
提供できる。
【００３６】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るスピンバルブ
型薄膜磁気素子の第１実施形態を、図面に基づいて説明
する。 ［第１実施形態］図１は、本発明の第１実施形態のスピ
ンバルブ型薄膜磁気素子を記録媒体との対向面側（ＡＢ
Ｓ面側）から見た場合の構造を示した断面図である。本
発明のスピンバルブ型薄膜磁気素子は、巨大磁気抵抗効
果を利用したＧＭＲ（giant magnetoresitive ）素子の
一種である。この第１実施形態のスピンバルブ型薄膜磁
気素子ＧＭＲ１は、後述するように、ハードディスク装
置に設けられた浮上式スライダーのトレーリング側端部
などに設けられて、ハードディスクなどの記録磁界を検
出するものである。なお、ハードディスクなどの磁気記
録媒体の移動方向は図１においてＺ方向であり、磁気記
録媒体からの漏れ磁界方向はＹ方向である。本発明の第
１実施形態のスピンバルブ型薄膜磁気素子ＧＭＲ１は、
基板側から順に、フリー磁性層、非磁性導電層、固定磁
性層、反強磁性層が形成されたトップタイプ（Top typ
e）とされるシングルスピンバルブ型薄膜磁気素子の一
種である。
型薄膜磁気素子の第１実施形態を、図面に基づいて説明
する。 ［第１実施形態］図１は、本発明の第１実施形態のスピ
ンバルブ型薄膜磁気素子を記録媒体との対向面側（ＡＢ
Ｓ面側）から見た場合の構造を示した断面図である。本
発明のスピンバルブ型薄膜磁気素子は、巨大磁気抵抗効
果を利用したＧＭＲ（giant magnetoresitive ）素子の
一種である。この第１実施形態のスピンバルブ型薄膜磁
気素子ＧＭＲ１は、後述するように、ハードディスク装
置に設けられた浮上式スライダーのトレーリング側端部
などに設けられて、ハードディスクなどの記録磁界を検
出するものである。なお、ハードディスクなどの磁気記
録媒体の移動方向は図１においてＺ方向であり、磁気記
録媒体からの漏れ磁界方向はＹ方向である。本発明の第
１実施形態のスピンバルブ型薄膜磁気素子ＧＭＲ１は、
基板側から順に、フリー磁性層、非磁性導電層、固定磁
性層、反強磁性層が形成されたトップタイプ（Top typ
e）とされるシングルスピンバルブ型薄膜磁気素子の一
種である。
【００３７】図１において、符号１は、基板Ｋ上に設け
られた下地層である。この下地層１の上には、バックド
層５Ａ、フリー磁性層５、非磁性導電層４、固定磁性層
３、反強磁性層２、保護層７が積層され、これら、下地
層１、バックド層５Ａ、フリー磁性層５、非磁性導電層
４、固定磁性層３、反強磁性層２、保護層７から、断面
略台形状とされる積層体９が構成されている。この積層
体９の図１に示す幅方向両側（トラック幅方向Ｔwの両
側）には、バイアス下地層６Ａと、ハードバイアス層６
Ｂと、中間層６Ｃとが積層され、中間層６Ｃの上には電
極層８が積層されている。ハードバイアス層６Ｂは、図
１において、Ｘ１方向に磁化されており、これにより、
フリー磁性層の磁化方向が、Ｘ１方向に揃えられてい
る。
られた下地層である。この下地層１の上には、バックド
層５Ａ、フリー磁性層５、非磁性導電層４、固定磁性層
３、反強磁性層２、保護層７が積層され、これら、下地
層１、バックド層５Ａ、フリー磁性層５、非磁性導電層
４、固定磁性層３、反強磁性層２、保護層７から、断面
略台形状とされる積層体９が構成されている。この積層
体９の図１に示す幅方向両側（トラック幅方向Ｔwの両
側）には、バイアス下地層６Ａと、ハードバイアス層６
Ｂと、中間層６Ｃとが積層され、中間層６Ｃの上には電
極層８が積層されている。ハードバイアス層６Ｂは、図
１において、Ｘ１方向に磁化されており、これにより、
フリー磁性層の磁化方向が、Ｘ１方向に揃えられてい
る。
【００３８】さらに詳細に説明すると、本発明の第１の
実施形態のスピンバルブ型薄膜磁気素子では、前記反強
磁性層２は、積層体９の中央部分において、５０〜３０
０Å程度の厚さとされ、ＰｔＭｎ合金で形成されること
が好ましい。このＰｔＭｎ合金は、従来から反強磁性層
として使用されているＮｉＭｎ合金やＦｅＭｎ合金など
に比べて耐食性に優れ、しかもブロッキング温度が高
く、交換結合磁界（交換異方性磁界）も大きい。また、
前記ＰｔＭｎ合金に代えて、Ｘ−Ｍｎ（ただし、Ｘは、
Ｐｄ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｏｓの内から選択される１種
の元素を示す。）の式で示される合金、あるいは、Ｘ’
−Ｐｔ−Ｍｎ（ただし、Ｘ’は、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｒ
ｈ、Ｏｓ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｒ、Ｎｅ、Ｘ
ｅ、Ｋｒの内から選択される１種または２種以上の元素
を示す。）の式で示される合金で反強磁性層２が形成さ
れていてもよい。
実施形態のスピンバルブ型薄膜磁気素子では、前記反強
磁性層２は、積層体９の中央部分において、５０〜３０
０Å程度の厚さとされ、ＰｔＭｎ合金で形成されること
が好ましい。このＰｔＭｎ合金は、従来から反強磁性層
として使用されているＮｉＭｎ合金やＦｅＭｎ合金など
に比べて耐食性に優れ、しかもブロッキング温度が高
く、交換結合磁界（交換異方性磁界）も大きい。また、
前記ＰｔＭｎ合金に代えて、Ｘ−Ｍｎ（ただし、Ｘは、
Ｐｄ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｏｓの内から選択される１種
の元素を示す。）の式で示される合金、あるいは、Ｘ’
−Ｐｔ−Ｍｎ（ただし、Ｘ’は、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｒ
ｈ、Ｏｓ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｒ、Ｎｅ、Ｘ
ｅ、Ｋｒの内から選択される１種または２種以上の元素
を示す。）の式で示される合金で反強磁性層２が形成さ
れていてもよい。
【００３９】また、前記ＰｔＭｎ合金および前記Ｘ−Ｍ
ｎの式で示される組成の合金において、ＰｔあるいはＸ
が３７〜６３原子％の範囲であることが望ましい。より
好ましくは、４７〜５７原子％の範囲である。ここで、
特に規定しない限り〜で示す数値範囲の上限と下限は、
以下、以上を意味する。更にまた、Ｘ’−Ｐｔ−Ｍｎの
式で示される合金において、Ｘ’＋Ｐｔが３７〜６３原
子％の範囲であることが望ましい。より好ましくは、４
７〜５７原子％の範囲である。さらに、前記Ｘ’−Ｐｔ
−Ｍｎの式で示される合金としては、Ｘ’が０．２〜１
０原子％の範囲であることが望ましい。
ｎの式で示される組成の合金において、ＰｔあるいはＸ
が３７〜６３原子％の範囲であることが望ましい。より
好ましくは、４７〜５７原子％の範囲である。ここで、
特に規定しない限り〜で示す数値範囲の上限と下限は、
以下、以上を意味する。更にまた、Ｘ’−Ｐｔ−Ｍｎの
式で示される合金において、Ｘ’＋Ｐｔが３７〜６３原
子％の範囲であることが望ましい。より好ましくは、４
７〜５７原子％の範囲である。さらに、前記Ｘ’−Ｐｔ
−Ｍｎの式で示される合金としては、Ｘ’が０．２〜１
０原子％の範囲であることが望ましい。
【００４０】ただし、Ｘ’がＰｄ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｒｈ、
Ｏｓの１種以上の場合、Ｘ’は０．２〜４０原子％の範
囲であることが望ましい。前記反強磁性層２として、上
記した適正な組成範囲の合金を使用し、これをアニール
処理することで、大きな交換結合磁界を発生する反強磁
性層２を得ることができる。とくに、ＰｔＭｎ合金であ
れば、４８ｋＡ／ｍ以上、例えば、６４ｋＡ／ｍを越え
る交換結合磁界を有し、前記交換結合磁界を失うブロッ
キング温度が３８０℃と極めて高い優れた反強磁性層２
を得ることができる。これらの合金は、成膜したままで
は不規則系の面心立方構造（ｆｃｃ：格子定数がａ軸と
ｃ軸とで同じ値）であるが、熱処理により、ＣｕＡｕＩ
タイプの規則系の面心正方構造（ｆｃｔ：ａ軸／ｃ軸≒
０．９）に構造変態する。
Ｏｓの１種以上の場合、Ｘ’は０．２〜４０原子％の範
囲であることが望ましい。前記反強磁性層２として、上
記した適正な組成範囲の合金を使用し、これをアニール
処理することで、大きな交換結合磁界を発生する反強磁
性層２を得ることができる。とくに、ＰｔＭｎ合金であ
れば、４８ｋＡ／ｍ以上、例えば、６４ｋＡ／ｍを越え
る交換結合磁界を有し、前記交換結合磁界を失うブロッ
キング温度が３８０℃と極めて高い優れた反強磁性層２
を得ることができる。これらの合金は、成膜したままで
は不規則系の面心立方構造（ｆｃｃ：格子定数がａ軸と
ｃ軸とで同じ値）であるが、熱処理により、ＣｕＡｕＩ
タイプの規則系の面心正方構造（ｆｃｔ：ａ軸／ｃ軸≒
０．９）に構造変態する。
【００４１】固定磁性層３は、強磁性体の薄膜からな
り、例えば、Ｃｏ、ＮｉＦｅ合金、ＣｏＮｉＦｅ合金、
ＣｏＦｅ合金、ＣｏＮｉ合金などで形成され、１０〜５
０Å程度の厚さとされることが好ましく、固定磁性層３
は、例えばＣｏからなりその膜厚が３０Åに設定され
る。この固定磁性層３は、反強磁性層２に接して形成さ
れ、磁場中アニール（熱処理）を施すことにより、前記
固定磁性層３と反強磁性層２との界面にて交換結合磁界
（交換異方性磁界）が発生し、例えば図１に示すよう
に、前記固定磁性層３の磁化が、図示Ｙ方向に固定され
る。
り、例えば、Ｃｏ、ＮｉＦｅ合金、ＣｏＮｉＦｅ合金、
ＣｏＦｅ合金、ＣｏＮｉ合金などで形成され、１０〜５
０Å程度の厚さとされることが好ましく、固定磁性層３
は、例えばＣｏからなりその膜厚が３０Åに設定され
る。この固定磁性層３は、反強磁性層２に接して形成さ
れ、磁場中アニール（熱処理）を施すことにより、前記
固定磁性層３と反強磁性層２との界面にて交換結合磁界
（交換異方性磁界）が発生し、例えば図１に示すよう
に、前記固定磁性層３の磁化が、図示Ｙ方向に固定され
る。
【００４２】交換結合磁界が大きいほど、固定磁性層３
の磁化を安定して保つことが可能であり、特に、反強磁
性層２としてブロッキング温度が高く、しかも固定磁性
層３と界面で大きい交換結合磁界（交換異方性磁界）を
発生させるＰｔＭｎ合金などの前述の組成系の合金を使
用することで、前記固定磁性層３の磁化状態を熱的にも
安定して保つことができる。
の磁化を安定して保つことが可能であり、特に、反強磁
性層２としてブロッキング温度が高く、しかも固定磁性
層３と界面で大きい交換結合磁界（交換異方性磁界）を
発生させるＰｔＭｎ合金などの前述の組成系の合金を使
用することで、前記固定磁性層３の磁化状態を熱的にも
安定して保つことができる。
【００４３】前記フリー磁性層５は、ＣｏＦｅ系合金、
ＦｅＮｉ合金などからなる磁性層とされ、その膜厚が、
１０〜５０Åの範囲に設定され、より好ましくは、１５
〜３０Åの範囲に設定されることが好ましい。ここで、
フリー磁性層の膜厚が、１０〜５０Åの範囲以外である
と、厚い場合はセンス電流のシャントロスにより、薄い
場合にはフリー磁性層中を移動するアップスピン伝導電
子とダウンスピン伝導電子の平均自由工程差が小さくな
るためにＧＭＲ効果における△Ｒ／Ｒ（抵抗変化率）が
減少し、スピンバルブ型薄膜磁気素子の再生出力特性が
悪化する傾向がある。
ＦｅＮｉ合金などからなる磁性層とされ、その膜厚が、
１０〜５０Åの範囲に設定され、より好ましくは、１５
〜３０Åの範囲に設定されることが好ましい。ここで、
フリー磁性層の膜厚が、１０〜５０Åの範囲以外である
と、厚い場合はセンス電流のシャントロスにより、薄い
場合にはフリー磁性層中を移動するアップスピン伝導電
子とダウンスピン伝導電子の平均自由工程差が小さくな
るためにＧＭＲ効果における△Ｒ／Ｒ（抵抗変化率）が
減少し、スピンバルブ型薄膜磁気素子の再生出力特性が
悪化する傾向がある。
【００４４】また、本実施形態においては、前記フリー
磁性層５を、ＣｏＦｅからなる単層とすることもでき
る。さらに、このフリー磁性層５を、Ｃｏリッチな組成
とすることもでき、例えばＣｏ：Ｆｅ＝９０：１０とい
う原子パーセントの比率とすることができる。このよう
にＣｏリッチな組成にした場合には、ΔＲ／Ｒ（抵抗変
化率）の増大が期待でき好ましい。
磁性層５を、ＣｏＦｅからなる単層とすることもでき
る。さらに、このフリー磁性層５を、Ｃｏリッチな組成
とすることもでき、例えばＣｏ：Ｆｅ＝９０：１０とい
う原子パーセントの比率とすることができる。このよう
にＣｏリッチな組成にした場合には、ΔＲ／Ｒ（抵抗変
化率）の増大が期待でき好ましい。
【００４５】前記バックド層５Ａは、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｉ
ｒ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｃｒの中から選択される１種ま
たは２種以上の金属または合金からなる。バックド層５
Ａが単層構造とされる場合、先の金属元素のうちの１種
の単体金属層から、あるいは、先の金属元素のうちの２
種以上の金属の合金層から形成され、バックド層５Ａが
複数層構造とされる場合は、先の金属元素のうちの１種
の単体金属層の積層構造か、先の金属元素のうちの２種
以上の金属の合金層の積層構造か、あるいは、前記単体
金属層と合金層との複合積層構造からなることが好まし
い。また、バックド層５Ａの膜厚は１０〜３０Åの範
囲、より好ましくは１２〜２０Åの範囲に設定されるこ
とが好ましい。
ｒ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｃｒの中から選択される１種ま
たは２種以上の金属または合金からなる。バックド層５
Ａが単層構造とされる場合、先の金属元素のうちの１種
の単体金属層から、あるいは、先の金属元素のうちの２
種以上の金属の合金層から形成され、バックド層５Ａが
複数層構造とされる場合は、先の金属元素のうちの１種
の単体金属層の積層構造か、先の金属元素のうちの２種
以上の金属の合金層の積層構造か、あるいは、前記単体
金属層と合金層との複合積層構造からなることが好まし
い。また、バックド層５Ａの膜厚は１０〜３０Åの範
囲、より好ましくは１２〜２０Åの範囲に設定されるこ
とが好ましい。
【００４６】前記基板Ｋは後述する薄膜磁気ヘッドのス
ライダを構成するセラミック材料の一面に必要に応じて
絶縁層あるいは平坦化層などを被覆したものである。前
記下地層１はＴａなどからなるが、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、
Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｃｒの中から選択される１種または
２種以上の金属または合金からなるものでも良い。前記
非磁性導電層４は、Ｃｕ（銅）等からなり、その膜厚は
例えば２０〜３０Åに設定される。前記保護層７は、Ｔ
ａなどからなり、その表面が、酸化された酸化層７ａと
されている。
ライダを構成するセラミック材料の一面に必要に応じて
絶縁層あるいは平坦化層などを被覆したものである。前
記下地層１はＴａなどからなるが、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、
Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｃｒの中から選択される１種または
２種以上の金属または合金からなるものでも良い。前記
非磁性導電層４は、Ｃｕ（銅）等からなり、その膜厚は
例えば２０〜３０Åに設定される。前記保護層７は、Ｔ
ａなどからなり、その表面が、酸化された酸化層７ａと
されている。
【００４７】次に、前記バイアス下地層６Ａは、緩衝膜
および配向膜であり、Ｃｒなどで形成されることが好ま
しく、例えば、２０〜５０Å程度の範囲、好ましくは３
５Å程度の厚さとされ、中間層６Ｃは、例えばＴａから
なり５０Å程度の膜厚とされる。これらバイアス下地層
６Ａおよび中間層６Ｃが、後工程のインダクティブヘッ
ド（書込ヘッド）の製造プロセスでおこなう絶縁レジス
トの硬化工程（ＵＶキュアまたはハードベーク）等で高
温に曝される場合に、拡散バリアーとして機能すること
により、ハードバイアス層６Ｂ、６Ｂと周辺層の間で熱
拡散がおこり、ハードバイアス層６Ｂ、６Ｂの磁気特性
が劣化することを防止できる。
および配向膜であり、Ｃｒなどで形成されることが好ま
しく、例えば、２０〜５０Å程度の範囲、好ましくは３
５Å程度の厚さとされ、中間層６Ｃは、例えばＴａから
なり５０Å程度の膜厚とされる。これらバイアス下地層
６Ａおよび中間層６Ｃが、後工程のインダクティブヘッ
ド（書込ヘッド）の製造プロセスでおこなう絶縁レジス
トの硬化工程（ＵＶキュアまたはハードベーク）等で高
温に曝される場合に、拡散バリアーとして機能すること
により、ハードバイアス層６Ｂ、６Ｂと周辺層の間で熱
拡散がおこり、ハードバイアス層６Ｂ、６Ｂの磁気特性
が劣化することを防止できる。
【００４８】前記ハードバイアス層６Ｂ、６Ｂは、通
常、２００〜５００Å程度の厚さとされ、例えば、Ｃｏ
−Ｐｔ合金やＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金やＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ
（コバルト−クロム−タンタル）合金などで形成される
ことが好ましい。また、前記ハードバイアス層６Ｂ、６
Ｂが、図示Ｘ１方向に磁化されていることで、前記フリ
ー磁性層５の磁化が、図示Ｘ１方向に揃えられている。
これにより、前記フリー磁性層５の変動磁化と前記固定
磁性層３の固定磁化とが９０度で交差する関係となって
いる。
常、２００〜５００Å程度の厚さとされ、例えば、Ｃｏ
−Ｐｔ合金やＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金やＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ
（コバルト−クロム−タンタル）合金などで形成される
ことが好ましい。また、前記ハードバイアス層６Ｂ、６
Ｂが、図示Ｘ１方向に磁化されていることで、前記フリ
ー磁性層５の磁化が、図示Ｘ１方向に揃えられている。
これにより、前記フリー磁性層５の変動磁化と前記固定
磁性層３の固定磁化とが９０度で交差する関係となって
いる。
【００４９】前記電極層８は、Ｃｒ、Ａｕ、Ｔａ、Ｗか
ら選択される１種またはそれ以上からなる単層膜もしく
はその多層膜で形成されており、抵抗値をできる限り低
減することが好ましい。ここでは、電極層８の形成材料
としてＣｒが選択されて、Ｔａからなる中間層６Ｃ上に
エピタキシャル成長させて形成されることにより電気抵
抗値が低減される。
ら選択される１種またはそれ以上からなる単層膜もしく
はその多層膜で形成されており、抵抗値をできる限り低
減することが好ましい。ここでは、電極層８の形成材料
としてＣｒが選択されて、Ｔａからなる中間層６Ｃ上に
エピタキシャル成長させて形成されることにより電気抵
抗値が低減される。
【００５０】図１に示す構造のスピンバルブ型薄膜磁気
素子においては、電極層８、８から積層体９に検出電流
（センス電流）が与えられる。磁気記録媒体から図１に
示す図示Ｙ方向に磁界が印加されると、フリー磁性層５
の磁化は、図示Ｘ１方向からＹ方向に変動する。このと
きの非磁性導電層４とフリー磁性層５との界面で、いわ
ゆるＧＭＲ効果によってスピンに依存した伝導電子の散
乱が起こることにより、電気抵抗が変化し、記録媒体か
らの洩れ磁界が検出される。
素子においては、電極層８、８から積層体９に検出電流
（センス電流）が与えられる。磁気記録媒体から図１に
示す図示Ｙ方向に磁界が印加されると、フリー磁性層５
の磁化は、図示Ｘ１方向からＹ方向に変動する。このと
きの非磁性導電層４とフリー磁性層５との界面で、いわ
ゆるＧＭＲ効果によってスピンに依存した伝導電子の散
乱が起こることにより、電気抵抗が変化し、記録媒体か
らの洩れ磁界が検出される。
【００５１】ここで、バックド層５Ａによって、磁気抵
抗効果に寄与する＋スピン（上向きスピン：up spin ）
の電子における平均自由行程（mean free path）をのば
し、いわゆるスピンフィルター効果（spin filter effe
ct）によりスピンバルブ型薄膜素子において、大きな△
Ｒ／Ｒ（抵抗変化率）が得られ、高密度記録化に対応で
きるものとすることができる。
抗効果に寄与する＋スピン（上向きスピン：up spin ）
の電子における平均自由行程（mean free path）をのば
し、いわゆるスピンフィルター効果（spin filter effe
ct）によりスピンバルブ型薄膜素子において、大きな△
Ｒ／Ｒ（抵抗変化率）が得られ、高密度記録化に対応で
きるものとすることができる。
【００５２】以下、スピンフィルター効果（spin filte
r effect）について説明する。図２は、スピンバルブ型
薄膜素子においてバックド層によるスピンフィルター効
果への寄与を説明するための模式説明図である。ここ
で、磁性材料で観測される巨大磁気抵抗ＧＭＲ効果は、
主として、電子の「スピンに依存した散乱」によるも
の、つまり、磁性材料、ここではフリー磁性層５の磁化
方向に平行なスピン（例えば＋スピン（上向きスピン：
up spin ））を持つ伝導電子の平均自由行程（mean fre
e path：λ+ ）と、磁性材料の磁化方向と逆平行なスピ
ン（例えば−スピン（下向きスピン：down spin ））を
持つ伝導電子の平均自由行程（λ- ）との差を利用した
ものである。ここで、図２においては、up spin を持つ
伝導電子を上向き矢印で示し、down spin を持つ伝導電
子を下向き矢印で示して区別している。
r effect）について説明する。図２は、スピンバルブ型
薄膜素子においてバックド層によるスピンフィルター効
果への寄与を説明するための模式説明図である。ここ
で、磁性材料で観測される巨大磁気抵抗ＧＭＲ効果は、
主として、電子の「スピンに依存した散乱」によるも
の、つまり、磁性材料、ここではフリー磁性層５の磁化
方向に平行なスピン（例えば＋スピン（上向きスピン：
up spin ））を持つ伝導電子の平均自由行程（mean fre
e path：λ+ ）と、磁性材料の磁化方向と逆平行なスピ
ン（例えば−スピン（下向きスピン：down spin ））を
持つ伝導電子の平均自由行程（λ- ）との差を利用した
ものである。ここで、図２においては、up spin を持つ
伝導電子を上向き矢印で示し、down spin を持つ伝導電
子を下向き矢印で示して区別している。
【００５３】電子がフリー磁性層５を通り抜けようとす
る際において、この電子がフリー磁性層５の磁化方向に
平行な＋スピンを持てば自由に移動できるが、これと逆
に、電磁が−スピンを持った場合には、直ちに散乱され
てしまう。これは、＋スピンを持つ電子の平均自由行程
λ+ が、例えば、５０Å程度であるのに対して、−スピ
ンを持つ電子の平均自由行程λ- が６Å程度であり、１
０分の１程度と極端に小さいためである。
る際において、この電子がフリー磁性層５の磁化方向に
平行な＋スピンを持てば自由に移動できるが、これと逆
に、電磁が−スピンを持った場合には、直ちに散乱され
てしまう。これは、＋スピンを持つ電子の平均自由行程
λ+ が、例えば、５０Å程度であるのに対して、−スピ
ンを持つ電子の平均自由行程λ- が６Å程度であり、１
０分の１程度と極端に小さいためである。
【００５４】本実施形態においては、フリー磁性層５の
膜厚は、６Å程度である−スピン電子の平均自由行程λ
- よりも大きく、５０Å程度である＋スピン電子の平均
自由行程λ+ よりも小さく設定されている。したがっ
て、このフリー磁性層５を通り抜けようとする際におい
て、−スピン伝導電子（少数キャリア；minority carri
er）は、このフリー磁性層５によって有効にブロックさ
れ（すなわちフィルタ・アウトされ）るが、＋スピン伝
導電子（多数キャリア；majority carrier）は、本質的
に、このフリー磁性層５に対して透過的に移動する。
膜厚は、６Å程度である−スピン電子の平均自由行程λ
- よりも大きく、５０Å程度である＋スピン電子の平均
自由行程λ+ よりも小さく設定されている。したがっ
て、このフリー磁性層５を通り抜けようとする際におい
て、−スピン伝導電子（少数キャリア；minority carri
er）は、このフリー磁性層５によって有効にブロックさ
れ（すなわちフィルタ・アウトされ）るが、＋スピン伝
導電子（多数キャリア；majority carrier）は、本質的
に、このフリー磁性層５に対して透過的に移動する。
【００５５】固定磁性層３で発生する多数キャリアおよ
び少数キャリア、つまり、固定磁性層３の磁化方向に対
応する＋スピン電子および−スピン電子は、フリー磁性
層５に向かって移動し、電荷の移動、つまり、キャリア
となる。これらのキャリアは、フリー磁性層５の磁化が
回転するときに、それぞれ異なった状態で散乱する、つ
まり、フリー磁性層５における通過状態が、それぞれ異
なっているために、上記のＧＭＲ効果をもたらすことに
なる。
び少数キャリア、つまり、固定磁性層３の磁化方向に対
応する＋スピン電子および−スピン電子は、フリー磁性
層５に向かって移動し、電荷の移動、つまり、キャリア
となる。これらのキャリアは、フリー磁性層５の磁化が
回転するときに、それぞれ異なった状態で散乱する、つ
まり、フリー磁性層５における通過状態が、それぞれ異
なっているために、上記のＧＭＲ効果をもたらすことに
なる。
【００５６】フリー磁性層５から固定磁性層３に向かっ
て移動する電子もＧＭＲ効果に寄与するが、固定磁性層
３からフリー磁性層５へ向かう電子と、フリー磁性層５
から固定磁性層３へ向かう電子とを平均すると同じ方向
に移動するので説明を省略する。また、非磁性導電層４
で発生する電子は、＋スピン電子の数と−スピン電子の
数とが等しいので、平均自由行程の和は変化せず、これ
も説明を割愛する。
て移動する電子もＧＭＲ効果に寄与するが、固定磁性層
３からフリー磁性層５へ向かう電子と、フリー磁性層５
から固定磁性層３へ向かう電子とを平均すると同じ方向
に移動するので説明を省略する。また、非磁性導電層４
で発生する電子は、＋スピン電子の数と−スピン電子の
数とが等しいので、平均自由行程の和は変化せず、これ
も説明を割愛する。
【００５７】固定磁性層３で発生し、非磁性導電層４を
通過する少数キャリア、つまり、−スピン電子の数は、
固定磁性層３と非磁性導電層４との界面で散乱した−ス
ピン電子の数に等しい。この−スピン電子は、フリー磁
性層５との界面に到達する遥か以前に非磁性導電層４と
固定磁性層３との界面付近で散乱される。つまり、この
−スピン電子はフリー磁性層５の磁化方向が回転して
も、平均自由行程は変化せず、＋スピン電子の平均自由
行程に比べて非常に短いままであり、ＧＭＲ効果となる
抵抗変化率に寄与する抵抗値変化に影響しない。したが
って、ＧＭＲ効果には、＋スピン電子の挙動のみを考え
ればよい。
通過する少数キャリア、つまり、−スピン電子の数は、
固定磁性層３と非磁性導電層４との界面で散乱した−ス
ピン電子の数に等しい。この−スピン電子は、フリー磁
性層５との界面に到達する遥か以前に非磁性導電層４と
固定磁性層３との界面付近で散乱される。つまり、この
−スピン電子はフリー磁性層５の磁化方向が回転して
も、平均自由行程は変化せず、＋スピン電子の平均自由
行程に比べて非常に短いままであり、ＧＭＲ効果となる
抵抗変化率に寄与する抵抗値変化に影響しない。したが
って、ＧＭＲ効果には、＋スピン電子の挙動のみを考え
ればよい。
【００５８】固定磁性層３で発生した多数キャリア、つ
まり、＋スピン電子は、この＋スピン電子の平均自由行
程λ+ より短い非磁性導電層４中を移動し、フリー磁性
層５に到達する。フリー磁性層５に外部磁界が作用して
おらず、フリー磁性層５の磁化方向が回転していない場
合、多数キャリアは、この＋スピン電子がフリー磁性層
５の磁化方向に平行な＋スピンを持っているため、この
フリー磁性層５を自由に通過できる。
まり、＋スピン電子は、この＋スピン電子の平均自由行
程λ+ より短い非磁性導電層４中を移動し、フリー磁性
層５に到達する。フリー磁性層５に外部磁界が作用して
おらず、フリー磁性層５の磁化方向が回転していない場
合、多数キャリアは、この＋スピン電子がフリー磁性層
５の磁化方向に平行な＋スピンを持っているため、この
フリー磁性層５を自由に通過できる。
【００５９】さらに、図２Ｂに示すように、フリー磁性
層５を通過した＋スピン電子は、バックド層５Ａにおい
て、このバックド層５Ａの材料で決定される追加平均自
由行程λ+ bを移動した後散乱する。これは、図２Ａに示
すバックド層５Ａが無い構造の場合、＋スピン電子は、
フリー磁性層５中を移動し、その表面において散乱して
しまうが、これに比べて、バックド層５Ａを設けた場
合、即ち、図２Ｂの構造の場合は、追加平均自由行程λ
+ b分だけ平均自由行程が延びたことを意味する。したが
って、比較的低い抵抗値（すなわち、長い平均自由行
程）を有する導電材料のうち、先に記載のＲｕ、Ｐｔ、
Ｉｒ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｃｒの中から選択される１種
または２種以上の金属または合金のバックド層５Ａを適
用することにより、スピンバルブ型薄膜素子としての抵
抗値は減少する。
層５を通過した＋スピン電子は、バックド層５Ａにおい
て、このバックド層５Ａの材料で決定される追加平均自
由行程λ+ bを移動した後散乱する。これは、図２Ａに示
すバックド層５Ａが無い構造の場合、＋スピン電子は、
フリー磁性層５中を移動し、その表面において散乱して
しまうが、これに比べて、バックド層５Ａを設けた場
合、即ち、図２Ｂの構造の場合は、追加平均自由行程λ
+ b分だけ平均自由行程が延びたことを意味する。したが
って、比較的低い抵抗値（すなわち、長い平均自由行
程）を有する導電材料のうち、先に記載のＲｕ、Ｐｔ、
Ｉｒ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｃｒの中から選択される１種
または２種以上の金属または合金のバックド層５Ａを適
用することにより、スピンバルブ型薄膜素子としての抵
抗値は減少する。
【００６０】一方、外部磁界を印加することにより、フ
リー磁性層５の磁化方向を回転すると、この磁性材料の
磁化方向とスピンの向きが異なるため、＋スピン電子が
フリー磁性層５中で散乱することになり、有効平均自由
行程が急激に減少する。つまり、抵抗値が増大する。こ
れにより、バックド層５Ａが無い図２Ａの構造の場合に
比べて、図２Ｂに示す構造では△Ｒ／Ｒ（抵抗変化率）
の大きなＧＭＲ効果を観測することができ、スピンバル
ブ型薄膜素子の再生出力特性を向上することができる。
リー磁性層５の磁化方向を回転すると、この磁性材料の
磁化方向とスピンの向きが異なるため、＋スピン電子が
フリー磁性層５中で散乱することになり、有効平均自由
行程が急激に減少する。つまり、抵抗値が増大する。こ
れにより、バックド層５Ａが無い図２Ａの構造の場合に
比べて、図２Ｂに示す構造では△Ｒ／Ｒ（抵抗変化率）
の大きなＧＭＲ効果を観測することができ、スピンバル
ブ型薄膜素子の再生出力特性を向上することができる。
【００６１】次に、バックド層５Ａが形成されるのは、
Ｔａの下地層１の上であるが、Ｔａの下地層１の上に仮
にＣｕのバックド層を形成したとすると、Ｃｕのバック
ド層はＴａの下地層１との格子整合性が悪く、数１０Å
の厚さのＣｕのバックド層の場合に結晶配向性が不十分
で前述のスピンフィルター効果を利用して大きな抵抗変
化率を得ようとする目的には不十分である。これに対し
て先に記載のＲｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｃ
ｒの中から選択される１種または２種以上の金属または
合金からなるバックド層５Ａであるならば、Ｔａの下地
層１の上に良好な格子整合性でもって結晶配向する。ま
た、良好な格子整合性で結晶配向することが起因となっ
てバックド層５Ａの凹凸を少なくして表面粗さを小さく
することができる結果、バックド層５Ａ上に積層される
フリー磁性層５と非磁性導電層４と反強磁性層３を均一
な厚さに形成できるようになり、その結果として抵抗変
化率（△ＭＲ）が向上するとともにフリー磁性層５の保
磁力を低く抑えることができ、フリー磁性層５の磁化の
向きが外部磁界に応じて感度良く回転するようになる効
果がある。
Ｔａの下地層１の上であるが、Ｔａの下地層１の上に仮
にＣｕのバックド層を形成したとすると、Ｃｕのバック
ド層はＴａの下地層１との格子整合性が悪く、数１０Å
の厚さのＣｕのバックド層の場合に結晶配向性が不十分
で前述のスピンフィルター効果を利用して大きな抵抗変
化率を得ようとする目的には不十分である。これに対し
て先に記載のＲｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｃ
ｒの中から選択される１種または２種以上の金属または
合金からなるバックド層５Ａであるならば、Ｔａの下地
層１の上に良好な格子整合性でもって結晶配向する。ま
た、良好な格子整合性で結晶配向することが起因となっ
てバックド層５Ａの凹凸を少なくして表面粗さを小さく
することができる結果、バックド層５Ａ上に積層される
フリー磁性層５と非磁性導電層４と反強磁性層３を均一
な厚さに形成できるようになり、その結果として抵抗変
化率（△ＭＲ）が向上するとともにフリー磁性層５の保
磁力を低く抑えることができ、フリー磁性層５の磁化の
向きが外部磁界に応じて感度良く回転するようになる効
果がある。
【００６２】更に、本実施形態のスピンバルブ型薄膜磁
気素子において、フリー磁性層５の膜厚が１０〜５０Å
の範囲、より好ましくは、１５〜３０Åの範囲に設定さ
れることにより、上記範囲より厚い場合に生じるセンス
電流のシャントロスを防止でき、かつ上記範囲より薄い
場合に生じるフリー磁性層中を移動するアップスピン伝
導電子とダウンスピン伝導電子の平均自由工程差が小さ
くなることを防止することができる。これにより、ＧＭ
Ｒ効果における抵抗変化率（△ＭＲ）が減少することを
防止でき、スピンバルブ型薄膜磁気素子の再生出力特性
が悪化することを防止することができる。
気素子において、フリー磁性層５の膜厚が１０〜５０Å
の範囲、より好ましくは、１５〜３０Åの範囲に設定さ
れることにより、上記範囲より厚い場合に生じるセンス
電流のシャントロスを防止でき、かつ上記範囲より薄い
場合に生じるフリー磁性層中を移動するアップスピン伝
導電子とダウンスピン伝導電子の平均自由工程差が小さ
くなることを防止することができる。これにより、ＧＭ
Ｒ効果における抵抗変化率（△ＭＲ）が減少することを
防止でき、スピンバルブ型薄膜磁気素子の再生出力特性
が悪化することを防止することができる。
【００６３】次に、図３と図４にこの第１実施形態のス
ピンバルブ型薄膜磁気素子ＧＭＲ１を備えた薄膜磁気ヘ
ッドを具備してなる浮上式磁気ヘッド１５０の一例を示
す。図３に示す浮上式磁気ヘッド１５０は、スライダ１
５１と、スライダ１５１の端面１５１ｄ側に備えられた
本発明に係る薄膜磁気ヘッドｈ1及びインダクティブヘ
ッドｈ2を主体として構成されている。図３における符
号１５５は、スライダ１５１の磁気記録媒体の移動方向
の上流側であるリーディング側を示し、符号１５６は、
トレーリング側を示す。このスライダ１５１の媒体対向
面（ＡＢＳ面）１５２には、レール１５１ａ、１５１
ａ、１５１ｂが形成され、各レール同士間には、エアー
グルーブ１５１ｃ、１５１ｃが形成されている。
ピンバルブ型薄膜磁気素子ＧＭＲ１を備えた薄膜磁気ヘ
ッドを具備してなる浮上式磁気ヘッド１５０の一例を示
す。図３に示す浮上式磁気ヘッド１５０は、スライダ１
５１と、スライダ１５１の端面１５１ｄ側に備えられた
本発明に係る薄膜磁気ヘッドｈ1及びインダクティブヘ
ッドｈ2を主体として構成されている。図３における符
号１５５は、スライダ１５１の磁気記録媒体の移動方向
の上流側であるリーディング側を示し、符号１５６は、
トレーリング側を示す。このスライダ１５１の媒体対向
面（ＡＢＳ面）１５２には、レール１５１ａ、１５１
ａ、１５１ｂが形成され、各レール同士間には、エアー
グルーブ１５１ｃ、１５１ｃが形成されている。
【００６４】図３及び図４に示すように、本発明に係る
薄膜磁気ヘッドｈ1は、スライダ１５１の端面１５１ｄ
上に形成された絶縁層１６２と、この絶縁層１６２上に
積層された下部シールド層１６３と、下部シールド層１
６３に積層された下部ギャップ層１６４と、下部ギャッ
プ層１６４上に形成されて媒体対向面１５２上に露出す
る本発明に係るスピンバルブ型薄膜磁気素子ＧＭＲ１
と、スピンバルブ型薄膜磁気素子ＧＭＲ１を覆う上部ギ
ャップ層１６６と、上部ギャップ層１６６を覆う上部シ
ールド層１６７とから構成されている。なお、上部シー
ルド層１６７は、後述するインダクティブヘッドｈ2の
下部コア層と兼用とされている。以上の構成において、
スライダ１５１と絶縁層１６２と下部シールド層１６３
と下部ギャップ層１６４が図１における基板Ｋに相当す
る。
薄膜磁気ヘッドｈ1は、スライダ１５１の端面１５１ｄ
上に形成された絶縁層１６２と、この絶縁層１６２上に
積層された下部シールド層１６３と、下部シールド層１
６３に積層された下部ギャップ層１６４と、下部ギャッ
プ層１６４上に形成されて媒体対向面１５２上に露出す
る本発明に係るスピンバルブ型薄膜磁気素子ＧＭＲ１
と、スピンバルブ型薄膜磁気素子ＧＭＲ１を覆う上部ギ
ャップ層１６６と、上部ギャップ層１６６を覆う上部シ
ールド層１６７とから構成されている。なお、上部シー
ルド層１６７は、後述するインダクティブヘッドｈ2の
下部コア層と兼用とされている。以上の構成において、
スライダ１５１と絶縁層１６２と下部シールド層１６３
と下部ギャップ層１６４が図１における基板Ｋに相当す
る。
【００６５】インダクティブヘッドｈ2は、下部コア層
（上部シールド層）１６７と、下部コア層１６７に積層
されたギャップ層１７４と、コイル１７６と、コイル１
７６を覆う上部絶縁層１７７と、前記ギャップ層１７４
に接合され、かつコイル１７６側にて下部コア層１６７
に接合される上部コア層１７８とから構成されている。
なお、前記コイル１７６は、平面的に螺旋状となるよ
うにパターン化されているとともに、コイル１７６のほ
ぼ中央部分にて上部コア層１７８の基端部１７８ｂが下
部コア層１６７に磁気的に接続されている。また、上部
コア層１７８には、アルミナなどからなるコア保護層１
７９が積層されている。
（上部シールド層）１６７と、下部コア層１６７に積層
されたギャップ層１７４と、コイル１７６と、コイル１
７６を覆う上部絶縁層１７７と、前記ギャップ層１７４
に接合され、かつコイル１７６側にて下部コア層１６７
に接合される上部コア層１７８とから構成されている。
なお、前記コイル１７６は、平面的に螺旋状となるよ
うにパターン化されているとともに、コイル１７６のほ
ぼ中央部分にて上部コア層１７８の基端部１７８ｂが下
部コア層１６７に磁気的に接続されている。また、上部
コア層１７８には、アルミナなどからなるコア保護層１
７９が積層されている。
【００６６】図３と図４に示す構成のスライダ１５１が
磁気記録媒体に対して浮上走行するとともに、インダク
ティブヘッドｈ2を利用してコイル１７６に通電するこ
とでギャップ層１７４の先端側の磁気ギャップＧから漏
れ磁束を磁気記録媒体に作用させることで磁気記録を行
うことができるとともに、先に説明した如くスピンバル
ブ型薄膜磁気素子ＧＭＲ１を用いて磁気記録媒体からの
漏れ磁界を検出することで磁気情報の読出を高感度で行
うことができる。
磁気記録媒体に対して浮上走行するとともに、インダク
ティブヘッドｈ2を利用してコイル１７６に通電するこ
とでギャップ層１７４の先端側の磁気ギャップＧから漏
れ磁束を磁気記録媒体に作用させることで磁気記録を行
うことができるとともに、先に説明した如くスピンバル
ブ型薄膜磁気素子ＧＭＲ１を用いて磁気記録媒体からの
漏れ磁界を検出することで磁気情報の読出を高感度で行
うことができる。
【００６７】以下、本発明に係るスピンバルブ型薄膜磁
気素子の第２実施形態について、図面に基づいて説明す
る。 ［第２実施形態］図５は、本発明の第２実施形態のスピ
ンバルブ型薄膜磁気素子ＧＭＲ２を記録媒体との対向面
側（ＡＢＳ面）から見た場合の構造を示した断面図であ
る。本実施形態のスピンバルブ型薄膜磁気素子ＧＭＲ２
は、先に説明した図１に示す第１実施形態のものと略同
等のトップタイプ（Top type）とされるシングルスピン
バルブ型薄膜磁気素子とされ、対応する構成には、同一
の符号を付けその説明を省略する。
気素子の第２実施形態について、図面に基づいて説明す
る。 ［第２実施形態］図５は、本発明の第２実施形態のスピ
ンバルブ型薄膜磁気素子ＧＭＲ２を記録媒体との対向面
側（ＡＢＳ面）から見た場合の構造を示した断面図であ
る。本実施形態のスピンバルブ型薄膜磁気素子ＧＭＲ２
は、先に説明した図１に示す第１実施形態のものと略同
等のトップタイプ（Top type）とされるシングルスピン
バルブ型薄膜磁気素子とされ、対応する構成には、同一
の符号を付けその説明を省略する。
【００６８】本実施形態のスピンバルブ型薄膜磁気素子
ＧＭＲ２において、図１に示す第１実施形態と異なる点
は、固定磁性層が、第１の固定磁性層と、前記第１の固
定磁性層に非磁性中間層を介して形成され、前記第１の
固定磁性層の磁化方向と反平行に磁化方向が揃えられた
第２の固定磁性層とを有し、固定磁性層が合成フェリ磁
性状態とされてなる構造、いわゆる、シンセティックフ
ェリピンド型（synthetic-ferri-pinned type ）とされ
た点である。
ＧＭＲ２において、図１に示す第１実施形態と異なる点
は、固定磁性層が、第１の固定磁性層と、前記第１の固
定磁性層に非磁性中間層を介して形成され、前記第１の
固定磁性層の磁化方向と反平行に磁化方向が揃えられた
第２の固定磁性層とを有し、固定磁性層が合成フェリ磁
性状態とされてなる構造、いわゆる、シンセティックフ
ェリピンド型（synthetic-ferri-pinned type ）とされ
た点である。
【００６９】本実施形態においては、Ｃｕ（銅）等から
なる非磁性導電層４の上に、固定磁性層３Ａ、３Ｃが形
成されている。本実施形態の固定磁性層３は、非磁性導
電層４の上に積層された第２の固定磁性層３Ｃと、前記
第２の固定磁性層３Ｃの上に非磁性中間層３Ｂを介して
形成され、前記第２の固定磁性層３Ｃの磁化方向と反平
行に磁化方向が揃えられた第１の固定磁性層３Ａとから
なる。この第１の固定磁性層３Ａの上には、ＰｔＭｎ合
金などからなる反強磁性層２が形成される。
なる非磁性導電層４の上に、固定磁性層３Ａ、３Ｃが形
成されている。本実施形態の固定磁性層３は、非磁性導
電層４の上に積層された第２の固定磁性層３Ｃと、前記
第２の固定磁性層３Ｃの上に非磁性中間層３Ｂを介して
形成され、前記第２の固定磁性層３Ｃの磁化方向と反平
行に磁化方向が揃えられた第１の固定磁性層３Ａとから
なる。この第１の固定磁性層３Ａの上には、ＰｔＭｎ合
金などからなる反強磁性層２が形成される。
【００７０】第１および第２の固定磁性層３Ａ、３Ｃは
強磁性体の薄膜からなり、例えば、Ｃｏ、ＮｉＦｅ合
金、ＣｏＮｉＦｅ合金、ＣｏＦｅ合金、ＣｏＮｉ合金な
どで形成され、４０Å程度の厚さとされることが好まし
く、第１の固定磁性層３Ａは、例えばＣｏからなりその
膜厚が１３〜１５Åに設定され。第２の固定磁性層３Ｃ
は、例えばＣｏからなりその膜厚が２０〜２５Åに設定
される。また、前記非磁性中間層３Ｂは、Ｒｕ、Ｒｈ、
Ｉｒ、Ｃｒ、Ｒｅ、Ｃｕのうち１種あるいは２種以上の
合金で形成されていることが好ましく、通常、８Å程度
の厚さに形成されている。
強磁性体の薄膜からなり、例えば、Ｃｏ、ＮｉＦｅ合
金、ＣｏＮｉＦｅ合金、ＣｏＦｅ合金、ＣｏＮｉ合金な
どで形成され、４０Å程度の厚さとされることが好まし
く、第１の固定磁性層３Ａは、例えばＣｏからなりその
膜厚が１３〜１５Åに設定され。第２の固定磁性層３Ｃ
は、例えばＣｏからなりその膜厚が２０〜２５Åに設定
される。また、前記非磁性中間層３Ｂは、Ｒｕ、Ｒｈ、
Ｉｒ、Ｃｒ、Ｒｅ、Ｃｕのうち１種あるいは２種以上の
合金で形成されていることが好ましく、通常、８Å程度
の厚さに形成されている。
【００７１】この第１の固定磁性層３Ａは、反強磁性層
２に接して形成され、磁場中アニール（熱処理）を施す
ことにより、前記第１の固定磁性層３Ａと反強磁性層２
との界面にて交換結合磁界（交換異方性磁界）が発生
し、例えば図５に示すように、前記第１の固定磁性層３
Ａの磁化が、図示Ｙ方向に固定される。前記第１の固定
磁性層３Ａの磁化が、図示Ｙ方向に固定されると、非磁
性中間層３Ｂを介して対向する第２の固定磁性層３Ｃの
磁化は、第１の固定磁性層３Ａの磁化と反平行の状態、
つまり、図示Ｙ方向と逆方向に固定される。図５に示す
ように、これら下地層１から酸化層７ａまでの各層によ
り、略台形状の断面形状を有する積層体９１が構成され
ている。
２に接して形成され、磁場中アニール（熱処理）を施す
ことにより、前記第１の固定磁性層３Ａと反強磁性層２
との界面にて交換結合磁界（交換異方性磁界）が発生
し、例えば図５に示すように、前記第１の固定磁性層３
Ａの磁化が、図示Ｙ方向に固定される。前記第１の固定
磁性層３Ａの磁化が、図示Ｙ方向に固定されると、非磁
性中間層３Ｂを介して対向する第２の固定磁性層３Ｃの
磁化は、第１の固定磁性層３Ａの磁化と反平行の状態、
つまり、図示Ｙ方向と逆方向に固定される。図５に示す
ように、これら下地層１から酸化層７ａまでの各層によ
り、略台形状の断面形状を有する積層体９１が構成され
ている。
【００７２】先に記載の交換結合磁界が大きいほど、第
１の固定磁性層３Ａの磁化と第２の固定磁性層３Ｃの磁
化を安定して反平行状態に保つことが可能であり、特
に、反強磁性層２としてブロッキング温度が高く、しか
も第１の固定磁性層３Ａとの界面で大きい交換結合磁界
（交換異方性磁界）を発生させるＰｔＭｎ合金あるいは
前記組成の合金を使用することで、前記第１の固定磁性
層３Ａおよび第２の固定磁性層３Ｃの磁化状態を熱的に
も安定して保つことができる。
１の固定磁性層３Ａの磁化と第２の固定磁性層３Ｃの磁
化を安定して反平行状態に保つことが可能であり、特
に、反強磁性層２としてブロッキング温度が高く、しか
も第１の固定磁性層３Ａとの界面で大きい交換結合磁界
（交換異方性磁界）を発生させるＰｔＭｎ合金あるいは
前記組成の合金を使用することで、前記第１の固定磁性
層３Ａおよび第２の固定磁性層３Ｃの磁化状態を熱的に
も安定して保つことができる。
【００７３】本実施形態では、第１の固定磁性層３Ａと
第２の固定磁性層３Ｃとの膜厚比を適正な範囲内に収め
ることによって、交換結合磁界（Ｈｅｘ* ）を大きくで
き、第１の固定磁性層３Ａと第２の固定磁性層３Ｃとの
磁化を、熱的にも安定した反平行状態（フェリ状態）に
保つことができ、しかも、△Ｒ／Ｒ（抵抗変化率）を従
来と同程度に確保することが可能である。さらに熱処理
中の磁場の大きさおよびその方向を適正に制御すること
によって、第１の固定磁性層３Ａおよび第２の固定磁性
層３Ｃの磁化方向を、所望の方向に制御することが可能
になる。
第２の固定磁性層３Ｃとの膜厚比を適正な範囲内に収め
ることによって、交換結合磁界（Ｈｅｘ* ）を大きくで
き、第１の固定磁性層３Ａと第２の固定磁性層３Ｃとの
磁化を、熱的にも安定した反平行状態（フェリ状態）に
保つことができ、しかも、△Ｒ／Ｒ（抵抗変化率）を従
来と同程度に確保することが可能である。さらに熱処理
中の磁場の大きさおよびその方向を適正に制御すること
によって、第１の固定磁性層３Ａおよび第２の固定磁性
層３Ｃの磁化方向を、所望の方向に制御することが可能
になる。
【００７４】前記バックド層５Ａは、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｉ
ｒ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｃｒの中から選択される１種ま
たは２種以上の金属または合金からなる。バックド層５
Ａが単層構造とされる場合、先の金属元素のうちの１種
の単体金属層から、あるいは、先の金属元素のうちの２
種以上の金属の合金層から形成され、バックド層５Ａが
複数層構造とされる場合は、先の金属元素のうちの１種
の単体金属層の積層構造か、先の金属元素のうちの２種
以上の金属の合金層の積層構造か、あるいは、前記単体
金属層と合金層との複合積層構造からなることが好まし
い。また、バックド層５Ａの膜厚は１２〜２０Å程度の
範囲に設定されることが好ましい。
ｒ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｃｒの中から選択される１種ま
たは２種以上の金属または合金からなる。バックド層５
Ａが単層構造とされる場合、先の金属元素のうちの１種
の単体金属層から、あるいは、先の金属元素のうちの２
種以上の金属の合金層から形成され、バックド層５Ａが
複数層構造とされる場合は、先の金属元素のうちの１種
の単体金属層の積層構造か、先の金属元素のうちの２種
以上の金属の合金層の積層構造か、あるいは、前記単体
金属層と合金層との複合積層構造からなることが好まし
い。また、バックド層５Ａの膜厚は１２〜２０Å程度の
範囲に設定されることが好ましい。
【００７５】前記基板Ｋは後述する薄膜磁気ヘッドのス
ライダを構成するセラミック材料の一面に必要に応じて
絶縁層あるいは平坦化層などを被覆したものである。前
記下地層１はＴａなどからなるが、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、
Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｃｒの中から選択される１種または
２種以上の金属または合金からなるものでも良い。前記
非磁性導電層４は、Ｃｕ（銅）等からなり、その膜厚
は、２０〜３０Åに設定される。前記保護層７は、Ｔａ
などからなり、その表面が、酸化された酸化層７ａとさ
れている。
ライダを構成するセラミック材料の一面に必要に応じて
絶縁層あるいは平坦化層などを被覆したものである。前
記下地層１はＴａなどからなるが、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、
Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｃｒの中から選択される１種または
２種以上の金属または合金からなるものでも良い。前記
非磁性導電層４は、Ｃｕ（銅）等からなり、その膜厚
は、２０〜３０Åに設定される。前記保護層７は、Ｔａ
などからなり、その表面が、酸化された酸化層７ａとさ
れている。
【００７６】ここで、本実施形態のスピンバルブ型薄膜
磁気素子においては、第１の固定磁性層３Ａと、第１の
固定磁性層３Ａに非磁性中間層３Ｂを介して形成され、
第１の固定磁性層３Ａの磁化方向と反平行に磁化方向が
揃えられた第２の固定磁性層３Ｃと、を積層体９１に形
成し固定磁性層を合成フェリ磁性状態とされてなる構
造、いわゆる、シンセティックフェリピンド型（synthe
tic-ferri-pinned type）としたことにより、第１の固
定磁性層３Ａと第２の固定磁性層３Ｃとによって作られ
る反磁界（双極子磁界）Ｈd を、第１の固定磁性層３Ａ
の静磁結合磁界Ｈ P1と第２の固定磁性層３Ｃの静磁結合
磁界ＨP2とにより、相互に打ち消してキャンセルするこ
とができる。
磁気素子においては、第１の固定磁性層３Ａと、第１の
固定磁性層３Ａに非磁性中間層３Ｂを介して形成され、
第１の固定磁性層３Ａの磁化方向と反平行に磁化方向が
揃えられた第２の固定磁性層３Ｃと、を積層体９１に形
成し固定磁性層を合成フェリ磁性状態とされてなる構
造、いわゆる、シンセティックフェリピンド型（synthe
tic-ferri-pinned type）としたことにより、第１の固
定磁性層３Ａと第２の固定磁性層３Ｃとによって作られ
る反磁界（双極子磁界）Ｈd を、第１の固定磁性層３Ａ
の静磁結合磁界Ｈ P1と第２の固定磁性層３Ｃの静磁結合
磁界ＨP2とにより、相互に打ち消してキャンセルするこ
とができる。
【００７７】これにより、フリー磁性層４の変動磁化方
向に影響を与えてしまう、この反磁界（双極子）磁界
を、ほぼＨd ＝０とすることができ、固定磁性層の固定
磁化による反磁界（双極子）磁界Ｈd からの、フリー磁
性層４の変動磁化Ｍf への寄与を激減することができ
る。これによって、フリー磁性層４内に磁壁ができて単
磁区化が妨げられる原因となり、磁化の不均一が発生す
る原因となり、スピンバルブ型薄膜磁気素子において磁
気記録媒体からの信号の処理が不正確になる不安定性
（instability ）の原因となるバルクハイゼンノイズの
発生を防止することができる。
向に影響を与えてしまう、この反磁界（双極子）磁界
を、ほぼＨd ＝０とすることができ、固定磁性層の固定
磁化による反磁界（双極子）磁界Ｈd からの、フリー磁
性層４の変動磁化Ｍf への寄与を激減することができ
る。これによって、フリー磁性層４内に磁壁ができて単
磁区化が妨げられる原因となり、磁化の不均一が発生す
る原因となり、スピンバルブ型薄膜磁気素子において磁
気記録媒体からの信号の処理が不正確になる不安定性
（instability ）の原因となるバルクハイゼンノイズの
発生を防止することができる。
【００７８】このため、フリー磁性層４の変動磁化の方
向を所望の方向に補正することがより容易になり、アシ
ンメトリーの小さい優れたスピンバルブ型薄膜磁気素子
とするために、フリー磁性層の変動磁化の方向を制御す
ることを、より容易にすることができる。ここで、アシ
ンメトリーとは、再生出力波形の非対称性の度合いを示
すものであり、再生出力波形が与えられた場合、波形が
対称であればアシンメトリーが小さくなる。したがっ
て、アシンメトリーが０に近づくほど再生出力波形が対
称性に優れていることになる。前記アシンメトリーは、
フリー磁性層の変動磁化の方向と固定磁性層の固定磁化
の方向とが直交しているとき０となる。アシンメトリー
が大きくずれるとメディアからの情報の読みとりが正確
にできなくなり、エラーの原因となる。このため、前記
アシンメトリーが小さいものほど、再生信号処理の信頼
性が向上することとなり、スピンバルブ型薄膜磁気素子
として優れたものとなる。
向を所望の方向に補正することがより容易になり、アシ
ンメトリーの小さい優れたスピンバルブ型薄膜磁気素子
とするために、フリー磁性層の変動磁化の方向を制御す
ることを、より容易にすることができる。ここで、アシ
ンメトリーとは、再生出力波形の非対称性の度合いを示
すものであり、再生出力波形が与えられた場合、波形が
対称であればアシンメトリーが小さくなる。したがっ
て、アシンメトリーが０に近づくほど再生出力波形が対
称性に優れていることになる。前記アシンメトリーは、
フリー磁性層の変動磁化の方向と固定磁性層の固定磁化
の方向とが直交しているとき０となる。アシンメトリー
が大きくずれるとメディアからの情報の読みとりが正確
にできなくなり、エラーの原因となる。このため、前記
アシンメトリーが小さいものほど、再生信号処理の信頼
性が向上することとなり、スピンバルブ型薄膜磁気素子
として優れたものとなる。
【００７９】次に、本第２実施形態の構造においても、
バックド層Ａ５によって、磁気抵抗効果に寄与する＋ス
ピン（上向きスピン：up spin ）の電子における平均自
由行程（mean free path）をのばし、前述のスピンフィ
ルター効果（spin filter effect）によりスピンバルブ
型薄膜素子において、大きな△Ｒ／Ｒ（抵抗変化率）が
得られ、高密度記録化に対応できるものとすることがで
きる効果については先の第１実施形態の構造と同等であ
る。また、本第２実施形態のスピンバルブ型薄膜磁気素
子ＧＭＲ２を図３と図４に示すスライダ１５０に設ける
ことで薄膜磁気ヘッドとインダクティブヘッドを備えた
浮上式磁気ヘッドが構成される。
バックド層Ａ５によって、磁気抵抗効果に寄与する＋ス
ピン（上向きスピン：up spin ）の電子における平均自
由行程（mean free path）をのばし、前述のスピンフィ
ルター効果（spin filter effect）によりスピンバルブ
型薄膜素子において、大きな△Ｒ／Ｒ（抵抗変化率）が
得られ、高密度記録化に対応できるものとすることがで
きる効果については先の第１実施形態の構造と同等であ
る。また、本第２実施形態のスピンバルブ型薄膜磁気素
子ＧＭＲ２を図３と図４に示すスライダ１５０に設ける
ことで薄膜磁気ヘッドとインダクティブヘッドを備えた
浮上式磁気ヘッドが構成される。
【００８０】[第３実施形態]次に本発明の第３実施形態
を図面を参照して説明する。図６に、本発明の第３実施
形態であるスピンバルブ型薄膜磁気素子ＧＭＲ３を磁気
記録媒体側からみた断面模式図を示し、図７には同スピ
ンバルブ型薄膜磁気素子ＧＭＲ３をトラック幅方向から
みた断面模式図を示す。図６及び図７において、図示Ｚ
方向は磁気記録媒体の移動方向であり、図示Ｙ方向は磁
気記録媒体からの漏れ磁界の方向であり、図示Ｘ1方向
はスピンバルブ型薄膜磁気素子ＧＭＲ３のトラック幅方
向と平行な方向である。
を図面を参照して説明する。図６に、本発明の第３実施
形態であるスピンバルブ型薄膜磁気素子ＧＭＲ３を磁気
記録媒体側からみた断面模式図を示し、図７には同スピ
ンバルブ型薄膜磁気素子ＧＭＲ３をトラック幅方向から
みた断面模式図を示す。図６及び図７において、図示Ｚ
方向は磁気記録媒体の移動方向であり、図示Ｙ方向は磁
気記録媒体からの漏れ磁界の方向であり、図示Ｘ1方向
はスピンバルブ型薄膜磁気素子ＧＭＲ３のトラック幅方
向と平行な方向である。
【００８１】図６及び図７に示すスピンバルブ型薄膜磁
気素子ＧＭＲ３は、第１実施形態のスピンバルブ型薄膜
磁気素子ＧＭＲ１と同様に、図３と図４に示す薄膜磁気
ヘッドｈ1に備えられて浮上式磁気ヘッドを構成するも
のである。そしてこのスピンバルブ型薄膜磁気素子ＧＭ
Ｒ３は、フリー磁性層４０、非磁性導電層２９、固定磁
性層４５及び反強磁性層５０が順次積層されてなるトッ
プタイプのシングルスピンバルブ型薄膜磁気素子であ
る。
気素子ＧＭＲ３は、第１実施形態のスピンバルブ型薄膜
磁気素子ＧＭＲ１と同様に、図３と図４に示す薄膜磁気
ヘッドｈ1に備えられて浮上式磁気ヘッドを構成するも
のである。そしてこのスピンバルブ型薄膜磁気素子ＧＭ
Ｒ３は、フリー磁性層４０、非磁性導電層２９、固定磁
性層４５及び反強磁性層５０が順次積層されてなるトッ
プタイプのシングルスピンバルブ型薄膜磁気素子であ
る。
【００８２】図６において符号１６４は下部ギャップ層
を示し、符号１７は、下部ギャップ層１６４上に積層さ
れた下地層を示している。この下地層１７の上にバック
ド層６２が積層され、このバックド層６２の上にフリー
磁性層４０が積層され、フリー磁性層４０の上に非磁性
導電層２９が積層され、非磁性導電層２９の上に固定磁
性層４５が積層され、固定磁性層４５の上に反強磁性層
５０が積層され、反強磁性層５０の上には保護層（キャ
ップ層）１８が積層されている。このように、下地層１
７から保護層１８までの各層が順次積層されてトラック
幅に対応する幅を有する断面視略台形状の積層体１６が
構成されている。
を示し、符号１７は、下部ギャップ層１６４上に積層さ
れた下地層を示している。この下地層１７の上にバック
ド層６２が積層され、このバックド層６２の上にフリー
磁性層４０が積層され、フリー磁性層４０の上に非磁性
導電層２９が積層され、非磁性導電層２９の上に固定磁
性層４５が積層され、固定磁性層４５の上に反強磁性層
５０が積層され、反強磁性層５０の上には保護層（キャ
ップ層）１８が積層されている。このように、下地層１
７から保護層１８までの各層が順次積層されてトラック
幅に対応する幅を有する断面視略台形状の積層体１６が
構成されている。
【００８３】前記積層体１６の図示Ｘ1方向両側、即ち
トラック幅方向両側には、バイアス層３６、３６が形成
されている。これらのバイアス層３６、３６は、下部ギ
ャップ層１６４上から積層体１６の両側面１６Ａ、１６
Ａに乗り上げるようにして形成されている。これらのバ
イアス層３６、３６はフリー磁性層４０の磁化方向を揃
えて、フリー磁性層４０のバルクハウゼンノイズを低減
するために設けられている。
トラック幅方向両側には、バイアス層３６、３６が形成
されている。これらのバイアス層３６、３６は、下部ギ
ャップ層１６４上から積層体１６の両側面１６Ａ、１６
Ａに乗り上げるようにして形成されている。これらのバ
イアス層３６、３６はフリー磁性層４０の磁化方向を揃
えて、フリー磁性層４０のバルクハウゼンノイズを低減
するために設けられている。
【００８４】また、図６の符号３８、３８は導電層を示
している。これらの導電層３８、３８はバイアス層３
６、３６の上方に積層されている。これらの導電層３
８、３８は積層体１６にセンス電流を印加するために設
けられている。また、バイアス層３６、３６と下部ギャ
ップ層１６４との間、及び、バイアス層３６、３６と積
層体１６の両側面１６Ａ、１６Ａとの間にはバイアス下
地層３５、３５が設けられている。更に、バイアス層３
６、３６と導電層３８、３８との間には中間層３７、３
７が設けられている。これらのバイアス下地層３５、バ
イアス層３６、中間層３７、導電層３８は、第１または
第２の実施形態で説明したバイアス下地層６Ａ、バイア
ス層６Ｂ、中間層６Ｃ及び導電層８と同等の材料からな
る。
している。これらの導電層３８、３８はバイアス層３
６、３６の上方に積層されている。これらの導電層３
８、３８は積層体１６にセンス電流を印加するために設
けられている。また、バイアス層３６、３６と下部ギャ
ップ層１６４との間、及び、バイアス層３６、３６と積
層体１６の両側面１６Ａ、１６Ａとの間にはバイアス下
地層３５、３５が設けられている。更に、バイアス層３
６、３６と導電層３８、３８との間には中間層３７、３
７が設けられている。これらのバイアス下地層３５、バ
イアス層３６、中間層３７、導電層３８は、第１または
第２の実施形態で説明したバイアス下地層６Ａ、バイア
ス層６Ｂ、中間層６Ｃ及び導電層８と同等の材料からな
る。
【００８５】反強磁性層５０は、先の実施形態の場合と
同様にＰｔＭｎ合金で形成されていることが好ましい。
この反強磁性層５０は、先の第１、第２実施形態で説明
したＸ-Ｍｎ合金あるいはＸ'-Ｍｎ合金の反強磁性層と
同等の組成からなる。
同様にＰｔＭｎ合金で形成されていることが好ましい。
この反強磁性層５０は、先の第１、第２実施形態で説明
したＸ-Ｍｎ合金あるいはＸ'-Ｍｎ合金の反強磁性層と
同等の組成からなる。
【００８６】固定磁性層４５は、非磁性中間層４８とこ
の非磁性中間層４８を挟む第１固定磁性層４６と第２固
定磁性層４７とから構成されている。前記第１固定磁性
層４６は、非磁性層４８より反強磁性層５０側に設けら
れて反強磁性層５０に接し、第２固定磁性層４７は、非
磁性層４８より非磁性導電層２９側に設けられて非磁性
導電層２９に接している。第１固定磁性層４６と反強磁
性層５０の界面では交換結合磁界（交換異方性磁界）が
発生し、第１固定磁性層４６の磁化方向が図示Ｙ方向の
反対方向に固定されている。また、第２固定磁性層４７
の厚さが第１固定磁性層４６の厚さより大とされてい
る。
の非磁性中間層４８を挟む第１固定磁性層４６と第２固
定磁性層４７とから構成されている。前記第１固定磁性
層４６は、非磁性層４８より反強磁性層５０側に設けら
れて反強磁性層５０に接し、第２固定磁性層４７は、非
磁性層４８より非磁性導電層２９側に設けられて非磁性
導電層２９に接している。第１固定磁性層４６と反強磁
性層５０の界面では交換結合磁界（交換異方性磁界）が
発生し、第１固定磁性層４６の磁化方向が図示Ｙ方向の
反対方向に固定されている。また、第２固定磁性層４７
の厚さが第１固定磁性層４６の厚さより大とされてい
る。
【００８７】第１固定磁性層４６の磁化方向は、反強磁
性層５０との交換結合磁界により図示Ｙ方向の反対方向
に固定され、第２固定磁性層４７は、第１固定磁性層４
６と反強磁性的に結合してその磁化方向が図示Ｙ方向に
固定されている。ここでは、第１、第２固定磁性層４
６、４７の磁化方向が互いに反平行とされているので、
第１、第２固定磁性層４６、４７の磁気モーメントが相
互に打ち消し合う関係にあるが、第２固定磁性層４７の
厚さが僅かに大きいため、固定磁性層４５自体の自発磁
化が僅かに残る結果となり、フェリ磁性状態になってい
る。そしてこの自発磁化が反強磁性層５０との交換結合
磁界によって更に増幅され、固定磁性層４５の磁化方向
が図示Ｙ方向に固定される。
性層５０との交換結合磁界により図示Ｙ方向の反対方向
に固定され、第２固定磁性層４７は、第１固定磁性層４
６と反強磁性的に結合してその磁化方向が図示Ｙ方向に
固定されている。ここでは、第１、第２固定磁性層４
６、４７の磁化方向が互いに反平行とされているので、
第１、第２固定磁性層４６、４７の磁気モーメントが相
互に打ち消し合う関係にあるが、第２固定磁性層４７の
厚さが僅かに大きいため、固定磁性層４５自体の自発磁
化が僅かに残る結果となり、フェリ磁性状態になってい
る。そしてこの自発磁化が反強磁性層５０との交換結合
磁界によって更に増幅され、固定磁性層４５の磁化方向
が図示Ｙ方向に固定される。
【００８８】第１固定磁性層４６及び第２固定磁性層４
７は、いずれも強磁性材料より形成されるもので、前述
の第１または第２実施形態で説明した第１固定磁性層３
Ａ及び第２固定磁性層３Ｃと同様の材料からなる。ま
た、第１固定磁性層４６と第２固定磁性層４７は同一の
材料で形成されることが好ましい。また、非磁性中間層
４８は、非磁性材料より形成されるもので、前述の第２
実施形態で説明した非磁性中間層３Ｂと同様の材料から
なる。
７は、いずれも強磁性材料より形成されるもので、前述
の第１または第２実施形態で説明した第１固定磁性層３
Ａ及び第２固定磁性層３Ｃと同様の材料からなる。ま
た、第１固定磁性層４６と第２固定磁性層４７は同一の
材料で形成されることが好ましい。また、非磁性中間層
４８は、非磁性材料より形成されるもので、前述の第２
実施形態で説明した非磁性中間層３Ｂと同様の材料から
なる。
【００８９】非磁性導電層２９は、第１または第２の実
施形態で説明した非磁性導電層４と同様の材料から形成
される。
施形態で説明した非磁性導電層４と同様の材料から形成
される。
【００９０】図６及び図７に示すように、フリー磁性層
４０は、非磁性中間層４３と、この非磁性中間層４３を
挟む第１フリー磁性層４１と第２フリー磁性層４２から
構成されている。第１フリー磁性層４１は、非磁性中間
層４３よりバックド層６２側に設けられてバックド層６
２に接し、第２フリー磁性層４２は、非磁性中間層４３
より非磁性導電層２９側に設けられて非磁性導電層２９
に接している。
４０は、非磁性中間層４３と、この非磁性中間層４３を
挟む第１フリー磁性層４１と第２フリー磁性層４２から
構成されている。第１フリー磁性層４１は、非磁性中間
層４３よりバックド層６２側に設けられてバックド層６
２に接し、第２フリー磁性層４２は、非磁性中間層４３
より非磁性導電層２９側に設けられて非磁性導電層２９
に接している。
【００９１】第１フリー磁性層４１は、強磁性材料より
形成されるもので、例えばＮｉＦｅ合金、Ｃｏ、ＣｏＮ
ｉＦｅ合金、ＣｏＦｅ合金、ＣｏＮｉ合金等により形成
されるものであり、特にＮｉＦｅ合金より形成されるこ
とが好ましい。また、非磁性中間層４３は、非磁性材料
より形成されるもので、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｒ
ｅ、Ｃｕのうちの１種またはこれらの合金から形成され
ることが好ましく、特にＲｕにより形成されることが好
ましい。
形成されるもので、例えばＮｉＦｅ合金、Ｃｏ、ＣｏＮ
ｉＦｅ合金、ＣｏＦｅ合金、ＣｏＮｉ合金等により形成
されるものであり、特にＮｉＦｅ合金より形成されるこ
とが好ましい。また、非磁性中間層４３は、非磁性材料
より形成されるもので、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｒ
ｅ、Ｃｕのうちの１種またはこれらの合金から形成され
ることが好ましく、特にＲｕにより形成されることが好
ましい。
【００９２】第２フリー磁性層４２は、拡散防止層４２
Ａと強磁性層４２Ｂとから形成されている。拡散防止層
４２Ａは強磁性材料からなるもので、例えばＣｏから形
成される。この拡散防止層４２Ａは、強磁性層４２Ｂと
非磁性導電層２９の相互拡散を防止する。また強磁性層
４２Ｂは強磁性材料からなるもので、例えばＮｉＦｅ合
金、Ｃｏ、ＣｏＮｉＦｅ合金、ＣｏＦｅ合金、ＣｏＮｉ
合金等により形成されるものであり、特にＮｉＦｅ合金
より形成されることが好ましい。なお、第２フリー磁性
層４２は単層で構成されていても良い。
Ａと強磁性層４２Ｂとから形成されている。拡散防止層
４２Ａは強磁性材料からなるもので、例えばＣｏから形
成される。この拡散防止層４２Ａは、強磁性層４２Ｂと
非磁性導電層２９の相互拡散を防止する。また強磁性層
４２Ｂは強磁性材料からなるもので、例えばＮｉＦｅ合
金、Ｃｏ、ＣｏＮｉＦｅ合金、ＣｏＦｅ合金、ＣｏＮｉ
合金等により形成されるものであり、特にＮｉＦｅ合金
より形成されることが好ましい。なお、第２フリー磁性
層４２は単層で構成されていても良い。
【００９３】次に、第２フリー磁性層４２の厚さｔ
2は、第１フリー磁性層４１の厚さｔ1よりも厚く形成さ
れている。なお、第２フリー磁性層４２の厚さｔ2は、
２．５〜４．５ｎｍの範囲であることが好ましい。第２
フリー磁性層４２の厚さｔ2が前記の範囲を外れると、
スピンバルブ型薄膜磁気素子の磁気抵抗変化率を大きく
することができなくなるので好ましくない。また第１フ
リー磁性層４１の厚さｔ1は０．５〜２．５ｎｍの範囲
であることが好ましい。
2は、第１フリー磁性層４１の厚さｔ1よりも厚く形成さ
れている。なお、第２フリー磁性層４２の厚さｔ2は、
２．５〜４．５ｎｍの範囲であることが好ましい。第２
フリー磁性層４２の厚さｔ2が前記の範囲を外れると、
スピンバルブ型薄膜磁気素子の磁気抵抗変化率を大きく
することができなくなるので好ましくない。また第１フ
リー磁性層４１の厚さｔ1は０．５〜２．５ｎｍの範囲
であることが好ましい。
【００９４】第１フリー磁性層４１及び第２フリー磁性
層４２の飽和磁化をそれぞれＭ1、Ｍ2としたとき、第１
フリー磁性層４１及び第２フリー磁性層４２の磁気的膜
厚はそれぞれＭ1・ｔ1、Ｍ2・ｔ2となる。なお、第２フ
リー磁性層４２が拡散防止層４２Ａ及び強磁性層４２Ｂ
から構成されているため、第２フリー磁性層４２の磁気
的膜厚Ｍ2・ｔ2は、拡散防止層４２Ａの磁気的膜厚Ｍ21
・ｔ21と強磁性層４２Ｂの磁気的膜厚Ｍ22・ｔ22との和
となる。即ち、Ｍ2・ｔ2＝Ｍ21・ｔ21＋Ｍ22・ｔ22とな
る。ここで、Ｍ21、ｔ21は拡散防止層４２Ａの飽和磁
化、膜厚をそれぞれ示し、Ｍ 22、ｔ22は強磁性層４２Ｂ
の飽和磁化、膜厚をそれぞれ示している。例えば、拡散
防止層４２ＡをＣｏで形成し、強磁性層４２ＢをＮｉＦ
ｅ合金で形成した場合、拡散防止層２２Ａの飽和磁化Ｍ
21は、強磁性層２２Ｂの飽和磁化Ｍ22より大きくなる。
そしてフリー磁性層４０は、第１フリー磁性層４１と第
２フリー磁性層４２との磁気的膜厚の関係を、Ｍ2・ｔ2
＞Ｍ1・ｔ1とするように構成されている。
層４２の飽和磁化をそれぞれＭ1、Ｍ2としたとき、第１
フリー磁性層４１及び第２フリー磁性層４２の磁気的膜
厚はそれぞれＭ1・ｔ1、Ｍ2・ｔ2となる。なお、第２フ
リー磁性層４２が拡散防止層４２Ａ及び強磁性層４２Ｂ
から構成されているため、第２フリー磁性層４２の磁気
的膜厚Ｍ2・ｔ2は、拡散防止層４２Ａの磁気的膜厚Ｍ21
・ｔ21と強磁性層４２Ｂの磁気的膜厚Ｍ22・ｔ22との和
となる。即ち、Ｍ2・ｔ2＝Ｍ21・ｔ21＋Ｍ22・ｔ22とな
る。ここで、Ｍ21、ｔ21は拡散防止層４２Ａの飽和磁
化、膜厚をそれぞれ示し、Ｍ 22、ｔ22は強磁性層４２Ｂ
の飽和磁化、膜厚をそれぞれ示している。例えば、拡散
防止層４２ＡをＣｏで形成し、強磁性層４２ＢをＮｉＦ
ｅ合金で形成した場合、拡散防止層２２Ａの飽和磁化Ｍ
21は、強磁性層２２Ｂの飽和磁化Ｍ22より大きくなる。
そしてフリー磁性層４０は、第１フリー磁性層４１と第
２フリー磁性層４２との磁気的膜厚の関係を、Ｍ2・ｔ2
＞Ｍ1・ｔ1とするように構成されている。
【００９５】また、第１フリー磁性層４１及び第２フリ
ー磁性層４２は、相互に反強磁性的に結合されている。
即ち、第２フリー磁性層４２の磁化方向がバイアス層３
６、３６により図示Ｘ1方向に揃えられると、第１フリ
ー磁性層４１の磁化方向が図示Ｘ1方向の反対方向に揃
えられる。第１、第２フリー磁性層４１、４２の磁気的
膜厚の関係がＭ2・ｔ2＞Ｍ1・ｔ1とされていることか
ら、第２フリー磁性層４２の磁化が残存した状態とな
り、フリー磁性層４０全体の磁化方向が図示Ｘ1方向に
揃えられる。このときのフリー磁性層４０の実効膜厚
は、（Ｍ2・ｔ2−Ｍ1・ｔ1）となる。このように、第１
フリー磁性層４１と第２フリー磁性層４２は、それぞれ
の磁化方向が反平行方向となるように反強磁性的に結合
され、かつ磁気的膜厚の関係がＭ2・ｔ2＞Ｍ1・ｔ1とさ
れていることから、人工的なフェリ磁性状態（syntheti
c ferri free;シンセフィックフェリフリー）とされて
いる。またこれにより、フリー磁性層４０の磁化方向と
固定磁性層４５の磁化方向とが交差する関係となる。
ー磁性層４２は、相互に反強磁性的に結合されている。
即ち、第２フリー磁性層４２の磁化方向がバイアス層３
６、３６により図示Ｘ1方向に揃えられると、第１フリ
ー磁性層４１の磁化方向が図示Ｘ1方向の反対方向に揃
えられる。第１、第２フリー磁性層４１、４２の磁気的
膜厚の関係がＭ2・ｔ2＞Ｍ1・ｔ1とされていることか
ら、第２フリー磁性層４２の磁化が残存した状態とな
り、フリー磁性層４０全体の磁化方向が図示Ｘ1方向に
揃えられる。このときのフリー磁性層４０の実効膜厚
は、（Ｍ2・ｔ2−Ｍ1・ｔ1）となる。このように、第１
フリー磁性層４１と第２フリー磁性層４２は、それぞれ
の磁化方向が反平行方向となるように反強磁性的に結合
され、かつ磁気的膜厚の関係がＭ2・ｔ2＞Ｍ1・ｔ1とさ
れていることから、人工的なフェリ磁性状態（syntheti
c ferri free;シンセフィックフェリフリー）とされて
いる。またこれにより、フリー磁性層４０の磁化方向と
固定磁性層４５の磁化方向とが交差する関係となる。
【００９６】この実施形態のスピンバルブ型薄膜磁気素
子ＧＭＲ３では、ハードディスクなどの記録媒体からの
洩れ磁界により、図示Ｘ1方向に揃えられたフリー磁性
層４０の磁化方向が変動すると、図示Ｙ方向に固定され
た固定磁性層４５の磁化との関係で電気抵抗が変化し、
この電気抵抗値の変化に基づく電圧変化により、記録媒
体からの洩れ磁界が検出される。
子ＧＭＲ３では、ハードディスクなどの記録媒体からの
洩れ磁界により、図示Ｘ1方向に揃えられたフリー磁性
層４０の磁化方向が変動すると、図示Ｙ方向に固定され
た固定磁性層４５の磁化との関係で電気抵抗が変化し、
この電気抵抗値の変化に基づく電圧変化により、記録媒
体からの洩れ磁界が検出される。
【００９７】また、第１フリー磁性層４１と第２フリー
磁性層４２の磁気的膜厚の関係が、Ｍ2・ｔ2＞Ｍ1・ｔ1
とされているので、フリー磁性層４０のスピンフロップ
磁界を大きくすることができる。これにより、フリー磁
性層４０がフェリ磁性状態を保つ磁界の範囲が広くな
る。よって、フリー磁性層４０が安定してフェリ磁性状
態を保つことができる。
磁性層４２の磁気的膜厚の関係が、Ｍ2・ｔ2＞Ｍ1・ｔ1
とされているので、フリー磁性層４０のスピンフロップ
磁界を大きくすることができる。これにより、フリー磁
性層４０がフェリ磁性状態を保つ磁界の範囲が広くな
る。よって、フリー磁性層４０が安定してフェリ磁性状
態を保つことができる。
【００９８】前記バックド層６２は、フリー磁性層４０
の非磁性導電層２９に接する面の反対側、即ち第１フリ
ー磁性層４１に接して形成されている。バックド層６２
は、第１または第２の実施形態において説明したバック
ド層６１と同等の材料からなる。また、バックド層６２
の厚さは、第１、第２の実施形態で説明したバックド層
５Ａと同様な理由から１０〜３０Å、より好ましくは１
２〜２０Åの範囲であることが好ましい。
の非磁性導電層２９に接する面の反対側、即ち第１フリ
ー磁性層４１に接して形成されている。バックド層６２
は、第１または第２の実施形態において説明したバック
ド層６１と同等の材料からなる。また、バックド層６２
の厚さは、第１、第２の実施形態で説明したバックド層
５Ａと同様な理由から１０〜３０Å、より好ましくは１
２〜２０Åの範囲であることが好ましい。
【００９９】本実施形態のスピンバルブ型薄膜磁気素子
ＧＭＲ３は、先に記載の実施形態と同様に、バックド層
６２によるスピンフィルター効果により磁気抵抗変化率
を向上させることが出来る。
ＧＭＲ３は、先に記載の実施形態と同様に、バックド層
６２によるスピンフィルター効果により磁気抵抗変化率
を向上させることが出来る。
【０１００】バックド層６２によるスピンフィルター効
果は、第１の実施形態において説明したスピンバルブ型
薄膜磁気素子ＧＭＲ１のスピンフィルター効果と同じも
のである。即ち、非磁性導電層２９からフリー磁性層４
０に移動するアップスピンの伝導電子を、バックド層６
２まで移動させることができ、アップスピンの伝導電子
の平均自由行程を更に延ばすことができる。また、下地
層１７の上にバックド層６２を形成する場合、先に記載
のように、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｃｒ
の中から選択される１種または２種以上の金属または合
金からなるバックド層５Ａであるならば、Ｔａの下地層
１７の上に良好な格子整合性でもって結晶配向する。ま
た、良好な格子整合性で結晶配向することが起因となっ
てバックド層６２の凹凸を少なくして表面粗さを小さく
することができる結果、バックド層６２に積層されるフ
リー磁性層５と非磁性導電層４と反強磁性層３を均一な
厚さに形成できるようになり、その結果として抵抗変化
率（△Ｒ／Ｒ）が向上するとともにフリー磁性層５の保
磁力を低く抑えることができ、フリー磁性層５の磁化の
向きが外部磁界に応じて感度良く回転するようになる効
果がある。その他の効果についても先に記載の第１、２
実施形態の場合と同等である。
果は、第１の実施形態において説明したスピンバルブ型
薄膜磁気素子ＧＭＲ１のスピンフィルター効果と同じも
のである。即ち、非磁性導電層２９からフリー磁性層４
０に移動するアップスピンの伝導電子を、バックド層６
２まで移動させることができ、アップスピンの伝導電子
の平均自由行程を更に延ばすことができる。また、下地
層１７の上にバックド層６２を形成する場合、先に記載
のように、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｃｒ
の中から選択される１種または２種以上の金属または合
金からなるバックド層５Ａであるならば、Ｔａの下地層
１７の上に良好な格子整合性でもって結晶配向する。ま
た、良好な格子整合性で結晶配向することが起因となっ
てバックド層６２の凹凸を少なくして表面粗さを小さく
することができる結果、バックド層６２に積層されるフ
リー磁性層５と非磁性導電層４と反強磁性層３を均一な
厚さに形成できるようになり、その結果として抵抗変化
率（△Ｒ／Ｒ）が向上するとともにフリー磁性層５の保
磁力を低く抑えることができ、フリー磁性層５の磁化の
向きが外部磁界に応じて感度良く回転するようになる効
果がある。その他の効果についても先に記載の第１、２
実施形態の場合と同等である。
【０１０１】このように、本実施形態のスピンバルブ型
薄膜磁気素子ＧＭＲ３は、先の実施形態のスピンバルブ
型薄膜磁気素子と同様に、アップスピンの伝導電子の平
均自由行程を延ばすことができるので、ダウンスピンの
伝導電子との平均自由行程差が大きくなって、スピンバ
ルブ型薄膜磁気素子ＧＭＲ３の磁気抵抗変化率を向上で
きる。
薄膜磁気素子ＧＭＲ３は、先の実施形態のスピンバルブ
型薄膜磁気素子と同様に、アップスピンの伝導電子の平
均自由行程を延ばすことができるので、ダウンスピンの
伝導電子との平均自由行程差が大きくなって、スピンバ
ルブ型薄膜磁気素子ＧＭＲ３の磁気抵抗変化率を向上で
きる。
【０１０２】[第４実施形態]以下、本発明に係るスピン
バルブ型薄膜磁気素子の第４実施形態を、図面に基づい
て説明する。図８は、本発明の第４実施形態のスピンバ
ルブ型薄膜磁気素子ＧＭＲ４を記録媒体との対向面側か
ら見た場合の構造を示した断面図である。本実施形態の
スピンバルブ型薄膜磁気素子は、巨大磁気抵抗効果を利
用したＧＭＲ（giant magnetoresitive ）素子の一種で
ある。このスピンバルブ型薄膜磁気素子は、前述したよ
うに、ハードディスク装置に設けられた浮上式スライダ
ーのトレーリング側端部などに設けられて、ハードディ
スクなどの記録磁界を検出するものである。なお、ハー
ドディスクなどの磁気記録媒体の移動方向は図において
Ｚ方向であり、磁気記録媒体からの漏れ磁界方向はＹ方
向である。本発明に係る第４実施形態のスピンバルブ型
薄膜磁気素子ＧＭＲ４は、反強磁性層、固定磁性層、非
磁性導電層、フリー磁性層が形成されたボトム型（Bott
omtype ）とされるシングルスピンバルブ型薄膜磁気素
子の一種である。
バルブ型薄膜磁気素子の第４実施形態を、図面に基づい
て説明する。図８は、本発明の第４実施形態のスピンバ
ルブ型薄膜磁気素子ＧＭＲ４を記録媒体との対向面側か
ら見た場合の構造を示した断面図である。本実施形態の
スピンバルブ型薄膜磁気素子は、巨大磁気抵抗効果を利
用したＧＭＲ（giant magnetoresitive ）素子の一種で
ある。このスピンバルブ型薄膜磁気素子は、前述したよ
うに、ハードディスク装置に設けられた浮上式スライダ
ーのトレーリング側端部などに設けられて、ハードディ
スクなどの記録磁界を検出するものである。なお、ハー
ドディスクなどの磁気記録媒体の移動方向は図において
Ｚ方向であり、磁気記録媒体からの漏れ磁界方向はＹ方
向である。本発明に係る第４実施形態のスピンバルブ型
薄膜磁気素子ＧＭＲ４は、反強磁性層、固定磁性層、非
磁性導電層、フリー磁性層が形成されたボトム型（Bott
omtype ）とされるシングルスピンバルブ型薄膜磁気素
子の一種である。
【０１０３】図８において、基板Ｋの上に下地層１０が
形成され、その上に反強磁性層１１が形成され、更にこ
の反強磁性層１１の上に３層構造の固定磁性層１２が形
成されている。この固定磁性層１２の上には、Ｃｕ
（銅）等からなる非磁性導電層１３が形成され、非磁性
導電層１３の上には、フリー磁性層１４が形成されてい
る。前記フリー磁性層１４の上には、バックド層１９が
形成され、更にその上にＲｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｐ
ｄ、Ｏｓ、Ｃｒの中から選択される１種または２種以上
の金属または合金からなる保護層１５が形成されてい
る。保護層１５が単層構造とされる場合、先の金属元素
のうちの１種の単体金属層から、あるいは、先の金属元
素のうちの２種以上の金属の合金層から形成され、保護
層１５が複数層構造とされる場合は、先の金属元素のう
ちの１種の単体金属層の積層構造か、先の金属元素のう
ちの２種以上の金属の合金層の積層構造か、あるいは、
前記単体金属層と合金層との複合積層構造からなること
が好ましい。図８に示すように、下地層１０から保護層
１５までの各層により、略台形状の断面形状を有する積
層体９２が構成されている。
形成され、その上に反強磁性層１１が形成され、更にこ
の反強磁性層１１の上に３層構造の固定磁性層１２が形
成されている。この固定磁性層１２の上には、Ｃｕ
（銅）等からなる非磁性導電層１３が形成され、非磁性
導電層１３の上には、フリー磁性層１４が形成されてい
る。前記フリー磁性層１４の上には、バックド層１９が
形成され、更にその上にＲｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｐ
ｄ、Ｏｓ、Ｃｒの中から選択される１種または２種以上
の金属または合金からなる保護層１５が形成されてい
る。保護層１５が単層構造とされる場合、先の金属元素
のうちの１種の単体金属層から、あるいは、先の金属元
素のうちの２種以上の金属の合金層から形成され、保護
層１５が複数層構造とされる場合は、先の金属元素のう
ちの１種の単体金属層の積層構造か、先の金属元素のう
ちの２種以上の金属の合金層の積層構造か、あるいは、
前記単体金属層と合金層との複合積層構造からなること
が好ましい。図８に示すように、下地層１０から保護層
１５までの各層により、略台形状の断面形状を有する積
層体９２が構成されている。
【０１０４】また、符号６Ａはバイアス下地層を、６Ｂ
はハードバイアス層を、６Ｃは中間層を、８は電極層を
示し、先の第１実施形態の場合と同じ材料から構成され
ている。
はハードバイアス層を、６Ｃは中間層を、８は電極層を
示し、先の第１実施形態の場合と同じ材料から構成され
ている。
【０１０５】ここで、図１に示す第１実施形態および図
２に示す第２実施形態のトップタイプ（top type）のス
ピンバルブ型薄膜磁気素子においては、ハードバイアス
層を経由して反強磁性層の下側に位置する固定磁性層、
非磁性導電層、フリー磁性層付近、つまり積層体下側に
センス電流が直接流れ込む分流の成分が大きいのに対し
て、このように、ボトムタイプ（Bottom type ）とする
ことにより、比抵抗の高い反強磁性層を介さずに積層体
に与えるセンス電流の割合を向上することができる。
２に示す第２実施形態のトップタイプ（top type）のス
ピンバルブ型薄膜磁気素子においては、ハードバイアス
層を経由して反強磁性層の下側に位置する固定磁性層、
非磁性導電層、フリー磁性層付近、つまり積層体下側に
センス電流が直接流れ込む分流の成分が大きいのに対し
て、このように、ボトムタイプ（Bottom type ）とする
ことにより、比抵抗の高い反強磁性層を介さずに積層体
に与えるセンス電流の割合を向上することができる。
【０１０６】さらに詳細に説明すると、本発明の第３実
施形態のスピンバルブ型薄膜磁気素子では、前記反強磁
性層１１は、積層体９２の中央部分において、８０〜１
５０Å程度の厚さとされ、ＰｔＭｎ合金で形成されるこ
とが好ましい。このＰｔＭｎ合金は、従来から反強磁性
層として使用されているＮｉＭｎ合金やＦｅＭｎ合金な
どに比べて耐食性に優れ、しかもブロッキング温度が高
く、交換結合磁界（交換異方性磁界）も大きい。また、
前述のＰｔＭｎ合金に代えて、Ｘ−Ｍｎ（ただし、Ｘ
は、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｏｓのうちから選択され
る１種の元素を示す。）の式で示される合金、あるい
は、Ｘ’−Ｐｔ−Ｍｎ（ただし、Ｘ’は、Ｐｄ、Ｒｕ、
Ｉｒ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｒ、Ｎ
ｅ、Ｘｅ、Ｋｒのうちから選択される１種または２種以
上の元素を示す。）の式で示される合金で形成されてい
てもよい。
施形態のスピンバルブ型薄膜磁気素子では、前記反強磁
性層１１は、積層体９２の中央部分において、８０〜１
５０Å程度の厚さとされ、ＰｔＭｎ合金で形成されるこ
とが好ましい。このＰｔＭｎ合金は、従来から反強磁性
層として使用されているＮｉＭｎ合金やＦｅＭｎ合金な
どに比べて耐食性に優れ、しかもブロッキング温度が高
く、交換結合磁界（交換異方性磁界）も大きい。また、
前述のＰｔＭｎ合金に代えて、Ｘ−Ｍｎ（ただし、Ｘ
は、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｏｓのうちから選択され
る１種の元素を示す。）の式で示される合金、あるい
は、Ｘ’−Ｐｔ−Ｍｎ（ただし、Ｘ’は、Ｐｄ、Ｒｕ、
Ｉｒ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｒ、Ｎ
ｅ、Ｘｅ、Ｋｒのうちから選択される１種または２種以
上の元素を示す。）の式で示される合金で形成されてい
てもよい。
【０１０７】また、前記ＰｔＭｎ合金および前記Ｘ−Ｍ
ｎの式で示される合金において、ＰｔあるいはＸが３７
〜６３原子％の範囲であることが望ましい。より好まし
くは、４７〜５７原子％の範囲である。さらにまた、
Ｘ’−Ｐｔ−Ｍｎの式で示される合金において、Ｘ’＋
Ｐｔが３７〜６３原子％の範囲であることが望ましい。
より好ましくは、４７〜５７原子％の範囲である。さら
に、前記Ｘ’−Ｐｔ−Ｍｎの式で示される合金として
は、Ｘ’が０．２〜１０原子％の範囲であることが望ま
しい。ただし、Ｘ’がＰｄ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｏｓの
１種以上の場合は、Ｘ’は０．２〜４０原子％の範囲で
あることが望ましい。前記反強磁性層１１として、上記
した適正な組成範囲の合金を使用し、これをアニール処
理することで、大きな交換結合磁界を発生する反強磁性
層１１を得ることができる。とくに、ＰｔＭｎ合金であ
れば、４８ｋＡ／ｍ以上、例えば、６４ｋＡ／ｍを越え
る交換結合磁界を有し、前記交換結合磁界を失うブロッ
キング温度が３８０℃と極めて高い優れた反強磁性層１
１を得ることができる。
ｎの式で示される合金において、ＰｔあるいはＸが３７
〜６３原子％の範囲であることが望ましい。より好まし
くは、４７〜５７原子％の範囲である。さらにまた、
Ｘ’−Ｐｔ−Ｍｎの式で示される合金において、Ｘ’＋
Ｐｔが３７〜６３原子％の範囲であることが望ましい。
より好ましくは、４７〜５７原子％の範囲である。さら
に、前記Ｘ’−Ｐｔ−Ｍｎの式で示される合金として
は、Ｘ’が０．２〜１０原子％の範囲であることが望ま
しい。ただし、Ｘ’がＰｄ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｏｓの
１種以上の場合は、Ｘ’は０．２〜４０原子％の範囲で
あることが望ましい。前記反強磁性層１１として、上記
した適正な組成範囲の合金を使用し、これをアニール処
理することで、大きな交換結合磁界を発生する反強磁性
層１１を得ることができる。とくに、ＰｔＭｎ合金であ
れば、４８ｋＡ／ｍ以上、例えば、６４ｋＡ／ｍを越え
る交換結合磁界を有し、前記交換結合磁界を失うブロッ
キング温度が３８０℃と極めて高い優れた反強磁性層１
１を得ることができる。
【０１０８】この反強磁性層１１の上には第１の固定磁
性層１２Ａが形成され、この第１の固定磁性層１２Ａの
上には非磁性中間層１２Ｂが形成され、さらに非磁性中
間層１２Ｂの上に第２の固定磁性層１２Ｃが形成されて
いる。前記第１の固定磁性層１２Ａおよび第２の固定磁
性層１２Ｃは、例えばＣｏ膜、ＮｉＦｅ合金、ＣｏＮｉ
Ｆｅ合金、ＣｏＦｅ合金などで形成されている。ところ
で図８に示す第１の固定磁性層１２Ａおよび第２の固定
磁性層１２Ｃに示されている矢印は、それぞれの磁気モ
ーメントの大きさおよびその方向を表しており、前記磁
気モーメントの大きさは、飽和磁化（Ｍｓ）と膜厚
（ｔ）とをかけた値で決定される。図８に示す第１の固
定磁性層１２Ａと第２の固定磁性層１２Ｃとは同じ材
質、例えばＣｏ膜、ＮｉＦｅ合金、ＣｏＮｉＦｅ合金、
ＣｏＦｅ合金で形成され、しかも第２の固定磁性層１２
Ｃの膜厚ｔＰ2が、第１の固定磁性層１２Ａの膜厚ｔＰ1
よりも大きく形成されているために、第２の固定磁性層
１２Ｃの方が第１の固定磁性層１２Ａに比べ磁気モーメ
ントが大きくなっている。なお、本実施形態では、第１
の固定磁性層１２Ａおよび第２の固定磁性層１２Ｃが異
なる磁気モーメントを有することを必要としており、従
って、第１の固定磁性層１２Ａの磁気的膜厚ｔＰ1が第
２の固定磁性層１２Ｃの磁気的膜厚ｔＰ2より厚く形成
されていてもよい。
性層１２Ａが形成され、この第１の固定磁性層１２Ａの
上には非磁性中間層１２Ｂが形成され、さらに非磁性中
間層１２Ｂの上に第２の固定磁性層１２Ｃが形成されて
いる。前記第１の固定磁性層１２Ａおよび第２の固定磁
性層１２Ｃは、例えばＣｏ膜、ＮｉＦｅ合金、ＣｏＮｉ
Ｆｅ合金、ＣｏＦｅ合金などで形成されている。ところ
で図８に示す第１の固定磁性層１２Ａおよび第２の固定
磁性層１２Ｃに示されている矢印は、それぞれの磁気モ
ーメントの大きさおよびその方向を表しており、前記磁
気モーメントの大きさは、飽和磁化（Ｍｓ）と膜厚
（ｔ）とをかけた値で決定される。図８に示す第１の固
定磁性層１２Ａと第２の固定磁性層１２Ｃとは同じ材
質、例えばＣｏ膜、ＮｉＦｅ合金、ＣｏＮｉＦｅ合金、
ＣｏＦｅ合金で形成され、しかも第２の固定磁性層１２
Ｃの膜厚ｔＰ2が、第１の固定磁性層１２Ａの膜厚ｔＰ1
よりも大きく形成されているために、第２の固定磁性層
１２Ｃの方が第１の固定磁性層１２Ａに比べ磁気モーメ
ントが大きくなっている。なお、本実施形態では、第１
の固定磁性層１２Ａおよび第２の固定磁性層１２Ｃが異
なる磁気モーメントを有することを必要としており、従
って、第１の固定磁性層１２Ａの磁気的膜厚ｔＰ1が第
２の固定磁性層１２Ｃの磁気的膜厚ｔＰ2より厚く形成
されていてもよい。
【０１０９】図８に示すように第１の固定磁性層１２Ａ
は図示Ｙ方向、すなわち記録媒体から離れる方向（ハイ
ト方向；素子高さ方向）に磁化されており、非磁性中間
層１２Ｂを介して対向する第２の固定磁性層１２Ｃの磁
化は前記第１の固定磁性層１２Ａの磁化方向と反平行に
磁化されている。第１の固定磁性層１２Ａは、反強磁性
層１１に接して形成され、磁場中アニール（熱処理）を
施すことにより、前記第１の固定磁性層１２Ａと反強磁
性層１１との界面にて交換結合磁界（交換異方性磁界）
が発生し、例えば図８に示すように、前記第１の固定磁
性層１２Ａの磁化が、図示Ｙ方向に固定される。前記第
１の固定磁性層１２Ａの磁化が、図示Ｙ方向に固定され
ると、非磁性中間層１２Ｂを介して対向する第２の固定
磁性層１２Ｃの磁化は、第１の固定磁性層１２Ａの磁化
と反平行の状態で固定される。
は図示Ｙ方向、すなわち記録媒体から離れる方向（ハイ
ト方向；素子高さ方向）に磁化されており、非磁性中間
層１２Ｂを介して対向する第２の固定磁性層１２Ｃの磁
化は前記第１の固定磁性層１２Ａの磁化方向と反平行に
磁化されている。第１の固定磁性層１２Ａは、反強磁性
層１１に接して形成され、磁場中アニール（熱処理）を
施すことにより、前記第１の固定磁性層１２Ａと反強磁
性層１１との界面にて交換結合磁界（交換異方性磁界）
が発生し、例えば図８に示すように、前記第１の固定磁
性層１２Ａの磁化が、図示Ｙ方向に固定される。前記第
１の固定磁性層１２Ａの磁化が、図示Ｙ方向に固定され
ると、非磁性中間層１２Ｂを介して対向する第２の固定
磁性層１２Ｃの磁化は、第１の固定磁性層１２Ａの磁化
と反平行の状態で固定される。
【０１１０】本実施形態では、前記第１の固定磁性層１
２Ａの磁気的膜厚ｔＰ1と、第２の固定磁性層１２Ｃの
磁気的膜厚比ｔＰ2を適正化することが好ましく、（第
１の固定磁性層の磁気的膜厚ｔＰ1）／（第２の固定磁
性層の磁気的膜厚ｔＰ2）は、０．３３〜０．９５、あ
るいは１．０５〜４の範囲内であることが好ましい。こ
の範囲内であれば交換結合磁界を大きくできるが、上記
範囲内においても第１の固定磁性層１２Ａと第２の固定
磁性層１２Ｃとの膜厚自体が厚くなると、交換結合磁界
は低下する傾向にあるため、本実施形態では、第１の固
定磁性層１２Ａと第２の固定磁性層１２Ｃの膜厚を適正
化することが好ましい。
２Ａの磁気的膜厚ｔＰ1と、第２の固定磁性層１２Ｃの
磁気的膜厚比ｔＰ2を適正化することが好ましく、（第
１の固定磁性層の磁気的膜厚ｔＰ1）／（第２の固定磁
性層の磁気的膜厚ｔＰ2）は、０．３３〜０．９５、あ
るいは１．０５〜４の範囲内であることが好ましい。こ
の範囲内であれば交換結合磁界を大きくできるが、上記
範囲内においても第１の固定磁性層１２Ａと第２の固定
磁性層１２Ｃとの膜厚自体が厚くなると、交換結合磁界
は低下する傾向にあるため、本実施形態では、第１の固
定磁性層１２Ａと第２の固定磁性層１２Ｃの膜厚を適正
化することが好ましい。
【０１１１】上記範囲内で適正に膜厚比、および膜厚を
調節すれば、少なくとも４０００Ａ／ｍ以上の交換結合
磁界（Ｈｅｘ* ）を得ることが可能である。ここで交換
結合磁界とは、最大△Ｒ／Ｒ（抵抗変化率）の半分の△
Ｒ／Ｒとなるときの外部磁界の大きさのことであり、前
記交換結合磁界（Ｈｅｘ* ）は、反強磁性層１１と第１
の固定磁性層１２Ａとの界面で発生する交換結合磁界
（交換異方性磁界）や第１の固定磁性層１２Ａと第２の
固定磁性層１２Ｃとの間で発生する交換結合磁界（ＲＫ
ＫＹ相互作用）などのすべての磁界を含めた総合的なも
のである。
調節すれば、少なくとも４０００Ａ／ｍ以上の交換結合
磁界（Ｈｅｘ* ）を得ることが可能である。ここで交換
結合磁界とは、最大△Ｒ／Ｒ（抵抗変化率）の半分の△
Ｒ／Ｒとなるときの外部磁界の大きさのことであり、前
記交換結合磁界（Ｈｅｘ* ）は、反強磁性層１１と第１
の固定磁性層１２Ａとの界面で発生する交換結合磁界
（交換異方性磁界）や第１の固定磁性層１２Ａと第２の
固定磁性層１２Ｃとの間で発生する交換結合磁界（ＲＫ
ＫＹ相互作用）などのすべての磁界を含めた総合的なも
のである。
【０１１２】本実施形態のスピンバルブ型薄膜磁気素子
ＧＭＲ４は、先に記載の実施形態と同様に、バックド層
１９によるスピンフィルター効果により磁気抵抗変化率
を向上させることが出来る。バックド層１９によるスピ
ンフィルター効果は、第１の実施形態において説明した
スピンバルブ型薄膜磁気素子ＧＭＲ１のスピンフィルタ
ー効果と同じものである。即ち、非磁性導電層１３から
フリー磁性層１４側に移動するアップスピンの伝導電子
を、バックド層１９まで移動させることができ、アップ
スピンの伝導電子の平均自由行程を更に延ばすことがで
きる。
ＧＭＲ４は、先に記載の実施形態と同様に、バックド層
１９によるスピンフィルター効果により磁気抵抗変化率
を向上させることが出来る。バックド層１９によるスピ
ンフィルター効果は、第１の実施形態において説明した
スピンバルブ型薄膜磁気素子ＧＭＲ１のスピンフィルタ
ー効果と同じものである。即ち、非磁性導電層１３から
フリー磁性層１４側に移動するアップスピンの伝導電子
を、バックド層１９まで移動させることができ、アップ
スピンの伝導電子の平均自由行程を更に延ばすことがで
きる。
【０１１３】このように、本実施形態のスピンバルブ型
薄膜磁気素子ＧＭＲ４は、先の実施形態のスピンバルブ
型薄膜磁気素子と同様に、アップスピンの伝導電子の平
均自由行程を延ばすことができるので、ダウンスピンの
伝導電子との平均自由行程差が大きくなって、スピンバ
ルブ型薄膜磁気素子ＧＭＲ４の磁気抵抗変化率を向上で
きる。また、フリー磁性層１４をＮｉＦｅから形成した
場合、ＮｉＦｅのフリー磁性層１４とバックド層１９と
の界面において熱拡散が起こり難く、加熱後に界面が乱
れるおそれが少ない。ここで仮に、フリー磁性層１４の
上に直接Ｔａの保護層１５を被覆すると、ＮｉＦｅとＴ
ａ界面において元素拡散が進行し、磁気異方性分散の増
加、更にはフリー磁性層１４の保磁力の増大、ΔＭＲの
減少を招くおそれがある。
薄膜磁気素子ＧＭＲ４は、先の実施形態のスピンバルブ
型薄膜磁気素子と同様に、アップスピンの伝導電子の平
均自由行程を延ばすことができるので、ダウンスピンの
伝導電子との平均自由行程差が大きくなって、スピンバ
ルブ型薄膜磁気素子ＧＭＲ４の磁気抵抗変化率を向上で
きる。また、フリー磁性層１４をＮｉＦｅから形成した
場合、ＮｉＦｅのフリー磁性層１４とバックド層１９と
の界面において熱拡散が起こり難く、加熱後に界面が乱
れるおそれが少ない。ここで仮に、フリー磁性層１４の
上に直接Ｔａの保護層１５を被覆すると、ＮｉＦｅとＴ
ａ界面において元素拡散が進行し、磁気異方性分散の増
加、更にはフリー磁性層１４の保磁力の増大、ΔＭＲの
減少を招くおそれがある。
【０１１４】なお、本実施形態ではバックド層１９と保
護層１５を区別して設け、それぞれをＲｕ、Ｐｔ、Ｉ
ｒ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｃｒの中から選択される１種ま
たは２種以上の金属または合金からなるものとしたが、
これらを共用として１層構造としても良いのは勿論であ
る。
護層１５を区別して設け、それぞれをＲｕ、Ｐｔ、Ｉ
ｒ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｃｒの中から選択される１種ま
たは２種以上の金属または合金からなるものとしたが、
これらを共用として１層構造としても良いのは勿論であ
る。
【０１１５】[第５実施形態]以下、本発明に係るスピン
バルブ型薄膜磁気素子の第５実施形態を、図面に基づい
て説明する。図５に、本発明の第５実施形態であるスピ
ンバルブ型薄膜磁気素子ＧＭＲ５を磁気記録媒体側から
みた断面模式図を示し、図１０にはこのスピンバルブ型
薄膜磁気素子ＧＭＲ５をトラック幅方向から見た断面模
式図を示す。なお、図９、図１０において、図示Ｚ方向
は磁気記録媒体の移動方向であり、図示Ｙ方向は磁気記
録媒体からの漏れ磁界の方向であり、図示Ｘ1方向はス
ピンバルブ型薄膜磁気素子１のトラック幅方向である。
バルブ型薄膜磁気素子の第５実施形態を、図面に基づい
て説明する。図５に、本発明の第５実施形態であるスピ
ンバルブ型薄膜磁気素子ＧＭＲ５を磁気記録媒体側から
みた断面模式図を示し、図１０にはこのスピンバルブ型
薄膜磁気素子ＧＭＲ５をトラック幅方向から見た断面模
式図を示す。なお、図９、図１０において、図示Ｚ方向
は磁気記録媒体の移動方向であり、図示Ｙ方向は磁気記
録媒体からの漏れ磁界の方向であり、図示Ｘ1方向はス
ピンバルブ型薄膜磁気素子１のトラック幅方向である。
【０１１６】図９及び図１０に示すスピンバルブ型薄膜
磁気素子ＧＭＲ５は、反強磁性層３０、固定磁性層２
５、非磁性導電層２９、フリー磁性層２０、バックド層
６１及び保護層１８が順次積層されてなるボトムタイプ
のシングルスピンバルブ型薄膜磁気素子である。図９及
び図１０において符号１６４はＡｌ2Ｏ3などにより形成
された下部ギャップ層（先の実施形態における基板に相
当）を示し、符号１７は、下部ギャップ層１６４上に積
層されたＴａ（タンタル）などからなる下地層を示して
いる。この下地層１７の上に反強磁性層３０が積層さ
れ、反強磁性層３０の上に固定磁性層２５が積層され、
固定磁性層２５の上にＣｕなどにより形成された非磁性
導電層２９が積層され、非磁性導電層２９の上にフリー
磁性層２０が積層され、フリー磁性層２０の上にバック
ド層６１が積層され、バックド層６１の上に保護層１８
が積層されている。このように、下地層１７から保護層
１８までの各層が順次積層されてトラック幅に対応する
幅を有する断面視略台形状の積層体９３が構成されてい
る。
磁気素子ＧＭＲ５は、反強磁性層３０、固定磁性層２
５、非磁性導電層２９、フリー磁性層２０、バックド層
６１及び保護層１８が順次積層されてなるボトムタイプ
のシングルスピンバルブ型薄膜磁気素子である。図９及
び図１０において符号１６４はＡｌ2Ｏ3などにより形成
された下部ギャップ層（先の実施形態における基板に相
当）を示し、符号１７は、下部ギャップ層１６４上に積
層されたＴａ（タンタル）などからなる下地層を示して
いる。この下地層１７の上に反強磁性層３０が積層さ
れ、反強磁性層３０の上に固定磁性層２５が積層され、
固定磁性層２５の上にＣｕなどにより形成された非磁性
導電層２９が積層され、非磁性導電層２９の上にフリー
磁性層２０が積層され、フリー磁性層２０の上にバック
ド層６１が積層され、バックド層６１の上に保護層１８
が積層されている。このように、下地層１７から保護層
１８までの各層が順次積層されてトラック幅に対応する
幅を有する断面視略台形状の積層体９３が構成されてい
る。
【０１１７】なお、フリー磁性層２０は、非磁性中間層
２３と、この非磁性中間層２３を挟んで反強磁性的に結
合する第１、２フリー磁性層２１、２２とから構成され
ている。また、固定磁性層２５は、非磁性層２８と、こ
の非磁性層２８を挟む第１、２固定磁性層２６、２７と
から構成されている。
２３と、この非磁性中間層２３を挟んで反強磁性的に結
合する第１、２フリー磁性層２１、２２とから構成され
ている。また、固定磁性層２５は、非磁性層２８と、こ
の非磁性層２８を挟む第１、２固定磁性層２６、２７と
から構成されている。
【０１１８】積層体９３の図示Ｘ1方向両側、即ちトラ
ック幅方向両側には、例えばＣｏ−Ｐｔ（コバルト−白
金）合金からなる一対のバイアス層３２、３２が形成さ
れている。これらのバイアス層３２、３２は、積層体９
３の両側面１１Ａ、１１Ａに突き合わされており、特に
図９に示すように、積層体９３の両側面１１Ａ、１１Ａ
のうち、反強磁性層３０から第２フリー磁性層２２が積
層されている階層位置に当接するように突き合わされて
いる。前記第２フリー磁性層２２の磁化方向が図示Ｘ1
方向に揃えられる。また第１フリー磁性層２１の磁化方
向が図示Ｘ1方向の反対方向に揃えられる。
ック幅方向両側には、例えばＣｏ−Ｐｔ（コバルト−白
金）合金からなる一対のバイアス層３２、３２が形成さ
れている。これらのバイアス層３２、３２は、積層体９
３の両側面１１Ａ、１１Ａに突き合わされており、特に
図９に示すように、積層体９３の両側面１１Ａ、１１Ａ
のうち、反強磁性層３０から第２フリー磁性層２２が積
層されている階層位置に当接するように突き合わされて
いる。前記第２フリー磁性層２２の磁化方向が図示Ｘ1
方向に揃えられる。また第１フリー磁性層２１の磁化方
向が図示Ｘ1方向の反対方向に揃えられる。
【０１１９】また、符号３４、３４はＣｒ、Ｔａ、Ｃ
ｕ、Ａｕなどで形成された導電層を示している。この導
電層３４、３４はバイアス層３２、３２の上方に積層さ
れている。即ち導電層３４、３４は、バイアス層３２、
３２よりも上側に位置する積層体９３の両側面１１Ａ、
１１Ａに突き合わされて形成されている。この導電層３
４、３４（３４Ａ、３４Ａ）は積層体９３にセンス電流
（検出電流）を印加するためのものである。
ｕ、Ａｕなどで形成された導電層を示している。この導
電層３４、３４はバイアス層３２、３２の上方に積層さ
れている。即ち導電層３４、３４は、バイアス層３２、
３２よりも上側に位置する積層体９３の両側面１１Ａ、
１１Ａに突き合わされて形成されている。この導電層３
４、３４（３４Ａ、３４Ａ）は積層体９３にセンス電流
（検出電流）を印加するためのものである。
【０１２０】前記バイアス層３２、３２と下部ギャップ
層１６４との間、及び、バイアス層３２、３２と積層体
９３との間には、例えば非磁性金属であるＣｒからなる
バイアス下地層３１が設けられている。結晶構造が体心
立方構造（ｂｃｃ構造）であるＣｒからなるバイアス下
地層３１上にバイアス層３２を形成することにより、バ
イアス層３２の保磁力および角形比が大きくなり、第２
フリー磁性層２２の単磁区化に必要なバイアス磁界を増
大させることができる。
層１６４との間、及び、バイアス層３２、３２と積層体
９３との間には、例えば非磁性金属であるＣｒからなる
バイアス下地層３１が設けられている。結晶構造が体心
立方構造（ｂｃｃ構造）であるＣｒからなるバイアス下
地層３１上にバイアス層３２を形成することにより、バ
イアス層３２の保磁力および角形比が大きくなり、第２
フリー磁性層２２の単磁区化に必要なバイアス磁界を増
大させることができる。
【０１２１】更に、バイアス層３２、３２と導電層３
４、３４との間には、例えば非磁性金属であるＴａ若し
くはＣｒからなる中間層３３、３３が設けられている。
導電層３４、３４としてＣｒを用いた場合は、Ｔａの中
間層３３、３３を設けることにより、後工程のレジスト
硬化などの熱プロセスに対して拡散バリアーとして機能
し、バイアス層３２、３２の磁気特性の劣化を防ぐこと
ができる。また、導電層３４、３４としてＴａを用いる
場合は、Ｃｒの中間層３３、３３を設けることにより、
Ｃｒの上に堆積するＴａの結晶を、より低抵抗の体心立
方構造としやすくする効果がある。
４、３４との間には、例えば非磁性金属であるＴａ若し
くはＣｒからなる中間層３３、３３が設けられている。
導電層３４、３４としてＣｒを用いた場合は、Ｔａの中
間層３３、３３を設けることにより、後工程のレジスト
硬化などの熱プロセスに対して拡散バリアーとして機能
し、バイアス層３２、３２の磁気特性の劣化を防ぐこと
ができる。また、導電層３４、３４としてＴａを用いる
場合は、Ｃｒの中間層３３、３３を設けることにより、
Ｃｒの上に堆積するＴａの結晶を、より低抵抗の体心立
方構造としやすくする効果がある。
【０１２２】反強磁性層３０、固定磁性層２５、フリー
磁性層２０はいずれも、先の第３実施形態の構造で用い
た図６に示す反強磁性層５０、固定磁性層４５、フリー
磁性層４０と同等の材料から構成されている。なお、図
６に示す積層体１６の積層構造に対して図９に示す積層
体９３の積層構造は、層構造を上下逆としたのみであ
り、名称が同じ個々の層は同じものである。即ち、固定
磁性層２５は第１固定磁性層２７と非磁性中間層２８と
第２固定磁性層２８から構成されるが、これらは先の第
３実施形態の構造の第１固定磁性層４６、非磁性中間層
４８、第２固定磁性層４７と同等のものである。また、
フリー磁性層２０は第１フリー磁性層２１と非磁性中間
層２３と第２フリー磁性層２２とから構成されるが、こ
れらは先の第３実施形態の構造の第１フリー磁性層と非
磁性中間層と第２フリー磁性層と同等のものである。
磁性層２０はいずれも、先の第３実施形態の構造で用い
た図６に示す反強磁性層５０、固定磁性層４５、フリー
磁性層４０と同等の材料から構成されている。なお、図
６に示す積層体１６の積層構造に対して図９に示す積層
体９３の積層構造は、層構造を上下逆としたのみであ
り、名称が同じ個々の層は同じものである。即ち、固定
磁性層２５は第１固定磁性層２７と非磁性中間層２８と
第２固定磁性層２８から構成されるが、これらは先の第
３実施形態の構造の第１固定磁性層４６、非磁性中間層
４８、第２固定磁性層４７と同等のものである。また、
フリー磁性層２０は第１フリー磁性層２１と非磁性中間
層２３と第２フリー磁性層２２とから構成されるが、こ
れらは先の第３実施形態の構造の第１フリー磁性層と非
磁性中間層と第２フリー磁性層と同等のものである。
【０１２３】図９と図１０に示す構造のスピンバルブ型
薄膜磁気素子においても、先の図６に示す第３実施形態
の構造と同様に、バックド層６１が、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｉ
ｒ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｃｒの中から選択される１種ま
たは２種以上の金属または合金からなり、その上に必要
に応じて先の実施形態の場合と同等の保護層１８が形成
されている。なお、この実施形態においてはフリー磁性
層２０の上に形成したバックド層６１を保護層１８と共
用しても良いし、バックド層６１の上に更に保護層１８
を設けた図９の構造にしても良い。
薄膜磁気素子においても、先の図６に示す第３実施形態
の構造と同様に、バックド層６１が、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｉ
ｒ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｃｒの中から選択される１種ま
たは２種以上の金属または合金からなり、その上に必要
に応じて先の実施形態の場合と同等の保護層１８が形成
されている。なお、この実施形態においてはフリー磁性
層２０の上に形成したバックド層６１を保護層１８と共
用しても良いし、バックド層６１の上に更に保護層１８
を設けた図９の構造にしても良い。
【０１２４】本実施形態のスピンバルブ型薄膜磁気素子
ＧＭＲ５は、先に記載の実施形態と同様に、バックド層
６１によるスピンフィルター効果により磁気抵抗変化率
を向上させ得る。バックド層６１によるスピンフィルタ
ー効果は、第１の実施形態において説明したスピンバル
ブ型薄膜磁気素子ＧＭＲ１のスピンフィルター効果と同
じものである。即ち、非磁性導電層２９からフリー磁性
層２０側に移動するアップスピンの伝導電子を、バック
ド層６１まで移動させることができ、アップスピンの伝
導電子の平均自由行程を更に延ばすことができる。
ＧＭＲ５は、先に記載の実施形態と同様に、バックド層
６１によるスピンフィルター効果により磁気抵抗変化率
を向上させ得る。バックド層６１によるスピンフィルタ
ー効果は、第１の実施形態において説明したスピンバル
ブ型薄膜磁気素子ＧＭＲ１のスピンフィルター効果と同
じものである。即ち、非磁性導電層２９からフリー磁性
層２０側に移動するアップスピンの伝導電子を、バック
ド層６１まで移動させることができ、アップスピンの伝
導電子の平均自由行程を更に延ばすことができる。
【０１２５】このように、本実施形態のスピンバルブ型
薄膜磁気素子ＧＭＲ５は、先の実施形態のスピンバルブ
型薄膜磁気素子と同様に、アップスピンの伝導電子の平
均自由行程を延ばすことができるので、ダウンスピンの
伝導電子との平均自由行程差が大きくなって、スピンバ
ルブ型薄膜磁気素子ＧＭＲ５の磁気抵抗変化率を向上で
きる。また、前記フリー磁性層２０の第１フリー磁性層
２１をＮｉＦｅから形成した場合、ＮｉＦｅの第１フリ
ー磁性層２１とバックド層６１との界面において熱拡散
が起こり難く、加熱後に界面が乱れるおそれが少ない。
ここで仮に、第１フリー磁性層２１の上に直接Ｔａの保
護層を被覆すると、ＮｉＦｅとＴａ界面において元素拡
散が進行し、磁気異方性分散の増加、更にはフリー磁性
層２１の保磁力の増大、ΔＭＲの減少を招くおそれがあ
る。
薄膜磁気素子ＧＭＲ５は、先の実施形態のスピンバルブ
型薄膜磁気素子と同様に、アップスピンの伝導電子の平
均自由行程を延ばすことができるので、ダウンスピンの
伝導電子との平均自由行程差が大きくなって、スピンバ
ルブ型薄膜磁気素子ＧＭＲ５の磁気抵抗変化率を向上で
きる。また、前記フリー磁性層２０の第１フリー磁性層
２１をＮｉＦｅから形成した場合、ＮｉＦｅの第１フリ
ー磁性層２１とバックド層６１との界面において熱拡散
が起こり難く、加熱後に界面が乱れるおそれが少ない。
ここで仮に、第１フリー磁性層２１の上に直接Ｔａの保
護層を被覆すると、ＮｉＦｅとＴａ界面において元素拡
散が進行し、磁気異方性分散の増加、更にはフリー磁性
層２１の保磁力の増大、ΔＭＲの減少を招くおそれがあ
る。
【０１２６】
【実施例】「実施例１」本実施例では、シンセティック
フェリピンド型のトップタイプのスピンバルブ型薄膜磁
気素子において、フリー磁性層の下にＲｕのバックド層
を形成し、更にその下地にＴａの下地層を用いた構造に
おけるΔＭＲとフリー磁性層の保磁力を測定した。ま
た、比較例として、Ｔａの下地層上にＣｕのバックド層
を設けた構造のシンセティックフェリピンド型のトップ
タイプのスピンバルブ型薄膜磁気素子を形成し、ΔＭＲ
（抵抗変化率）とフリー磁性層の保磁力を測定した。
フェリピンド型のトップタイプのスピンバルブ型薄膜磁
気素子において、フリー磁性層の下にＲｕのバックド層
を形成し、更にその下地にＴａの下地層を用いた構造に
おけるΔＭＲとフリー磁性層の保磁力を測定した。ま
た、比較例として、Ｔａの下地層上にＣｕのバックド層
を設けた構造のシンセティックフェリピンド型のトップ
タイプのスピンバルブ型薄膜磁気素子を形成し、ΔＭＲ
（抵抗変化率）とフリー磁性層の保磁力を測定した。
【０１２７】実験に使用したスピンバルブ型薄膜磁気素
子は、図３に示す第２実施形態と同等の積層構造を有す
るシンセティックフェリピンド型のトップタイプのスピ
ンバルブ型薄膜磁気素子である。本発明例のスピンバル
ブ素子の積層体における積層構造と各層の膜厚は、下か
ら下地層Ｔａ（３０Å）／バックド層Ｒｕ（２０Å）／
フリー磁性層ＣｏＦｅ（３０Å）／非磁性導電層（２７
Å）／第２の固定磁性層ＣｏＦｅ（２５Å）／非磁性中
間層Ｒｕ（８.５Å）／第１の固定磁性層ＣｏＦｅ（１
５Å）／反強磁性ＰｔＭｎ（２００Å）／保護層Ｔａ
（２０Å）とした。なお、基板として、Ｓｉ基板本体を
用い、その基板本体表面にＡｌ2Ｏ3の被覆層を形成した
ものを基板として用いた。また、積層体の両側に形成す
るバイアス層としてＣｏＰｔからなるものを用い、電極
層はＣｒあるいはＡｕからなるものを用い、バイアス下
地層はＣｒからなるものを用い、電極下地層はＴａから
なるものを用いて各々試料を作成した。
子は、図３に示す第２実施形態と同等の積層構造を有す
るシンセティックフェリピンド型のトップタイプのスピ
ンバルブ型薄膜磁気素子である。本発明例のスピンバル
ブ素子の積層体における積層構造と各層の膜厚は、下か
ら下地層Ｔａ（３０Å）／バックド層Ｒｕ（２０Å）／
フリー磁性層ＣｏＦｅ（３０Å）／非磁性導電層（２７
Å）／第２の固定磁性層ＣｏＦｅ（２５Å）／非磁性中
間層Ｒｕ（８.５Å）／第１の固定磁性層ＣｏＦｅ（１
５Å）／反強磁性ＰｔＭｎ（２００Å）／保護層Ｔａ
（２０Å）とした。なお、基板として、Ｓｉ基板本体を
用い、その基板本体表面にＡｌ2Ｏ3の被覆層を形成した
ものを基板として用いた。また、積層体の両側に形成す
るバイアス層としてＣｏＰｔからなるものを用い、電極
層はＣｒあるいはＡｕからなるものを用い、バイアス下
地層はＣｒからなるものを用い、電極下地層はＴａから
なるものを用いて各々試料を作成した。
【０１２８】また、他の実施例として、下地層Ｔａ（３
０Å）／バックド層Ｒｕ（１０Å）／バックド層Ｃｕ
（１０Å）／フリー磁性層ＣｏＦｅ（３０Å）／非磁性
導電層（２７Å）／第２の固定磁性層ＣｏＦｅ（２５
Å）／非磁性中間層Ｒｕ（８.５Å）／第１の固定磁性
層ＣｏＦｅ（１５Å）／反強磁性ＰｔＭｎ（２００Å）
／保護層Ｔａ（２０Å）とした構造のスピンバルブ素子
の積層体を製造した。次に、比較例として、バックド層
（スピンフィルタ層）を備えたボトムスピンバルブ型の
薄膜磁気素子として、Ｔａ（３０Å）／ＰｔＭｎ（２０
０Å）／ＣｏＦｅ（１５Å）／Ｒｕ（８Å）／ＣｏＦｅ
（２５Å）／Ｃｕ（２７Å）／ＣｏＦｅ（３０Å）／Ｃ
ｕ（２０Å）／Ｔａ（２０Å）（各数字はそれぞれの膜
厚を示す）の積層構造とした積層体を製造した。更に、
比較例の積層体として、下から下地層Ｔａ（３０Å）／
バックド層Ｃｕ（１０Å）／Ｒｕ（１０Å）／フリー磁
性層ＣｏＦｅ（３０Å）／非磁性導電層（２７Å）／第
２の固定磁性層ＣｏＦｅ（２５Å）／非磁性中間層Ｒｕ
（８.５Å）／第１の固定磁性層ＣｏＦｅ（１５Å）／
反強磁性ＰｔＭｎ（２００Å）／保護層Ｔａ（２０Å）
の積層体を得た。これら積層体の両側に設けるバイアス
層と電極層とバイアス下地層と電極下地層は先の例と同
等である。
０Å）／バックド層Ｒｕ（１０Å）／バックド層Ｃｕ
（１０Å）／フリー磁性層ＣｏＦｅ（３０Å）／非磁性
導電層（２７Å）／第２の固定磁性層ＣｏＦｅ（２５
Å）／非磁性中間層Ｒｕ（８.５Å）／第１の固定磁性
層ＣｏＦｅ（１５Å）／反強磁性ＰｔＭｎ（２００Å）
／保護層Ｔａ（２０Å）とした構造のスピンバルブ素子
の積層体を製造した。次に、比較例として、バックド層
（スピンフィルタ層）を備えたボトムスピンバルブ型の
薄膜磁気素子として、Ｔａ（３０Å）／ＰｔＭｎ（２０
０Å）／ＣｏＦｅ（１５Å）／Ｒｕ（８Å）／ＣｏＦｅ
（２５Å）／Ｃｕ（２７Å）／ＣｏＦｅ（３０Å）／Ｃ
ｕ（２０Å）／Ｔａ（２０Å）（各数字はそれぞれの膜
厚を示す）の積層構造とした積層体を製造した。更に、
比較例の積層体として、下から下地層Ｔａ（３０Å）／
バックド層Ｃｕ（１０Å）／Ｒｕ（１０Å）／フリー磁
性層ＣｏＦｅ（３０Å）／非磁性導電層（２７Å）／第
２の固定磁性層ＣｏＦｅ（２５Å）／非磁性中間層Ｒｕ
（８.５Å）／第１の固定磁性層ＣｏＦｅ（１５Å）／
反強磁性ＰｔＭｎ（２００Å）／保護層Ｔａ（２０Å）
の積層体を得た。これら積層体の両側に設けるバイアス
層と電極層とバイアス下地層と電極下地層は先の例と同
等である。
【０１２９】これらの各種積層構造のスピンバルブ型薄
膜磁気素子に対して２１０℃に６０分程度加熱するトラ
ック幅アニール処理を施した後のΔＭＲ（抵抗変化率）
とフリー磁性層の保磁力を測定した結果を以下の表１に
示す。
膜磁気素子に対して２１０℃に６０分程度加熱するトラ
ック幅アニール処理を施した後のΔＭＲ（抵抗変化率）
とフリー磁性層の保磁力を測定した結果を以下の表１に
示す。
【０１３０】 [表１] 下地層／バックド層構造 ΔＭＲ フリー磁性層保磁力（Ｈcf） Ｔａ／Ｒｕ／Ｃｕ ８.５１％ １３６Ａ／ｍ（１.７ Ｏｅ） Ｔａ／Ｒｕ ９.０９％ ９６Ａ／ｍ（１.２ Ｏｅ） Ｔａ／Ｃｕ ８.２９％ ４２４Ａ／ｍ（５.３ Ｏｅ） Ｔａ／Ｃｕ／Ｒｕ ６.６４％ １８４Ａ／ｍ（２.３ Ｏｅ） バックド層付きボトムスピン バルブ型の薄膜磁気素子 ８.６０％ ６０８Ａ／ｍ（７.６ Ｏｅ）
【０１３１】表１に示す結果から明らかなように、下地
層にＴａを用いた構造の場合、Ｃｕのバックド層を積層
するよりもＲｕのバックド層を積層する方がΔＭＲの向
上効果が大きく、しかもフリー磁性層の保磁力も低減で
きることが明らかになった。特に、Ｃｕのバックド層を
用いた構造とＲｕのバックド層を用いた構造を比較する
と、ΔＭＲを約１０％増加することができ、フリー磁性
層の保磁力を約７７％低減することができた。このよう
に本発明によりフリー磁性層の保磁力を大幅に削減でき
ることから、フリー磁性層の磁化の反転を安定して生じ
させ得ることが明らかであり、ΔＭＲと保磁力のいずれ
の面においても極めて大きな効果を得ることができた。
また、Ｔａ下地層の上にＣｕを介してＲｕを積層したも
のはΔＭＲが大幅に低下した。この積層体に対し、ＴＥ
Ｍ観察したところ、下地中のＲｕはＣｕとＣｏＦｅに挟
まれているので、ＴＥＭ像上でコントラストが付いて判
別できるはずであるが、どこにどの層が存在するのか判
別できないほど界面が乱れているとともに、Ｔａ下地層
上のＣｕ層の結晶性が極めて悪いものであることをＴＥ
Ｍ像から認識できた。これらに対してＴａ／Ｒｕの積層
構造のものは、Ｔａ下地層上のＲｕ層の結晶性が良好で
あることをＴＥＭ像からも容易に確認することができ
た。
層にＴａを用いた構造の場合、Ｃｕのバックド層を積層
するよりもＲｕのバックド層を積層する方がΔＭＲの向
上効果が大きく、しかもフリー磁性層の保磁力も低減で
きることが明らかになった。特に、Ｃｕのバックド層を
用いた構造とＲｕのバックド層を用いた構造を比較する
と、ΔＭＲを約１０％増加することができ、フリー磁性
層の保磁力を約７７％低減することができた。このよう
に本発明によりフリー磁性層の保磁力を大幅に削減でき
ることから、フリー磁性層の磁化の反転を安定して生じ
させ得ることが明らかであり、ΔＭＲと保磁力のいずれ
の面においても極めて大きな効果を得ることができた。
また、Ｔａ下地層の上にＣｕを介してＲｕを積層したも
のはΔＭＲが大幅に低下した。この積層体に対し、ＴＥ
Ｍ観察したところ、下地中のＲｕはＣｕとＣｏＦｅに挟
まれているので、ＴＥＭ像上でコントラストが付いて判
別できるはずであるが、どこにどの層が存在するのか判
別できないほど界面が乱れているとともに、Ｔａ下地層
上のＣｕ層の結晶性が極めて悪いものであることをＴＥ
Ｍ像から認識できた。これらに対してＴａ／Ｒｕの積層
構造のものは、Ｔａ下地層上のＲｕ層の結晶性が良好で
あることをＴＥＭ像からも容易に確認することができ
た。
【０１３２】
【発明の効果】本発明のスピンバルブ型薄膜磁気素子、
およびこのスピンバルブ型薄膜磁気素子を備えた薄膜磁
気ヘッドによれば、以下の効果を奏する。本発明では、
バックド層をＲｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｃ
ｒの中から選択される１種または２種以上の金属または
合金からなるものとしたので、結晶配向の良好なものが
得られ易く、それに密接して形成されるフリー磁性層と
の界面の格子整合性を良好にすることができ、結果的に
バックド層が本来有する伝導電子のアップスピンのもの
を選択するスピンフィルター効果を充分良好に発揮させ
て高い抵抗変化率を得ることができる。
およびこのスピンバルブ型薄膜磁気素子を備えた薄膜磁
気ヘッドによれば、以下の効果を奏する。本発明では、
バックド層をＲｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｃ
ｒの中から選択される１種または２種以上の金属または
合金からなるものとしたので、結晶配向の良好なものが
得られ易く、それに密接して形成されるフリー磁性層と
の界面の格子整合性を良好にすることができ、結果的に
バックド層が本来有する伝導電子のアップスピンのもの
を選択するスピンフィルター効果を充分良好に発揮させ
て高い抵抗変化率を得ることができる。
【０１３３】本発明によれば、基板上にバックド層とフ
リー磁性層と非磁性導電層が積層され、それらの上に反
強磁性層が配置されたトップタイプのスピンバルブ型薄
膜磁気素子において、バックド層の結晶配向性が向上
し、凹凸も減少させることで、バックド層上に積層され
る他の層の凹凸が少なくなり、例えば、フリー磁性層と
非磁性導電層と反強磁性層の不均一性も解消されるの
で、先のスピンフィルタ効果が得られ易くなり、抵抗変
化率の向上も大きい。
リー磁性層と非磁性導電層が積層され、それらの上に反
強磁性層が配置されたトップタイプのスピンバルブ型薄
膜磁気素子において、バックド層の結晶配向性が向上
し、凹凸も減少させることで、バックド層上に積層され
る他の層の凹凸が少なくなり、例えば、フリー磁性層と
非磁性導電層と反強磁性層の不均一性も解消されるの
で、先のスピンフィルタ効果が得られ易くなり、抵抗変
化率の向上も大きい。
【０１３４】本発明において、反強磁性層として基板に
近い側に配置されたボトム型のスピンバルブ構造の薄膜
磁気素子においても先のバックド層によるスピンフィル
タ効果を得ることが可能となる。
近い側に配置されたボトム型のスピンバルブ構造の薄膜
磁気素子においても先のバックド層によるスピンフィル
タ効果を得ることが可能となる。
【０１３５】本発明において、Ｔａの下地層の上に形成
されるバックド層として、先の材料としたことで、バッ
クド層の結晶配向性を良好とし易くすることが可能であ
り、凹凸の少ない表面粗さの小さなバックド層が得られ
易い。また、バックド層において凹凸や欠陥も生じ難く
なるので、バックド層とその上に積層されるフリー磁性
層との界面が良好な接合状態となり易く、スピンフィル
タ効果を十分に発揮させることができる。
されるバックド層として、先の材料としたことで、バッ
クド層の結晶配向性を良好とし易くすることが可能であ
り、凹凸の少ない表面粗さの小さなバックド層が得られ
易い。また、バックド層において凹凸や欠陥も生じ難く
なるので、バックド層とその上に積層されるフリー磁性
層との界面が良好な接合状態となり易く、スピンフィル
タ効果を十分に発揮させることができる。
【０１３６】本発明において、フリー磁性層の基板側と
反対側に、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｃｒ
の中から選択される１種または２種以上の金属または合
金からなる保護層を積層することで、従来のＴａの保護
層とは異なり、熱拡散が生じ難くなるので、フリー磁性
層の磁気的膜厚低下を防止でき、フリー磁性層と保護層
界面での磁気異方性分散増加を防止でき、フリー磁性層
の保磁力増大を抑制でき、抵抗変化率の低減を抑制でき
る。
反対側に、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｃｒ
の中から選択される１種または２種以上の金属または合
金からなる保護層を積層することで、従来のＴａの保護
層とは異なり、熱拡散が生じ難くなるので、フリー磁性
層の磁気的膜厚低下を防止でき、フリー磁性層と保護層
界面での磁気異方性分散増加を防止でき、フリー磁性層
の保磁力増大を抑制でき、抵抗変化率の低減を抑制でき
る。
【０１３７】フリー磁性層がＮｉＦｅからなる場合、保
護層の材料によっては熱拡散を生じやすくなり、特にＴ
ａの保護層の場合に熱拡散が大きくなるので、加熱され
ると界面での元素拡散の影響が生じやすくなる。これに
対して保護層を熱拡散防止機能を有する先の金属または
合金から構成することで、熱拡散を起こり難くし、フリ
ー磁性層の磁気的膜厚の低下を防止でき、フリー磁性層
と保護層界面での磁気異方性分散増加を防止でき、フリ
ー磁性層の保磁力増大を抑制でき、抵抗変化率が悪化す
ることを抑制できる。
護層の材料によっては熱拡散を生じやすくなり、特にＴ
ａの保護層の場合に熱拡散が大きくなるので、加熱され
ると界面での元素拡散の影響が生じやすくなる。これに
対して保護層を熱拡散防止機能を有する先の金属または
合金から構成することで、熱拡散を起こり難くし、フリ
ー磁性層の磁気的膜厚の低下を防止でき、フリー磁性層
と保護層界面での磁気異方性分散増加を防止でき、フリ
ー磁性層の保磁力増大を抑制でき、抵抗変化率が悪化す
ることを抑制できる。
【図１】 図１は本発明に係るスピンバルブ型薄膜磁
気素子の第１実施形態を記録媒体との対向面側から見た
場合の構造を示した断面図である。
気素子の第１実施形態を記録媒体との対向面側から見た
場合の構造を示した断面図である。
【図２】 図２は本発明に係るスピンバルブ型薄膜磁
気素子におけるバックド層のスピンフィルタ効果につい
て説明するためのもので、図２Ａはバックド層を有しな
い場合の電子のスピンを示す図、図２Ｂはバックド層を
設けた場合の電子のスピンを示す図である。
気素子におけるバックド層のスピンフィルタ効果につい
て説明するためのもので、図２Ａはバックド層を有しな
い場合の電子のスピンを示す図、図２Ｂはバックド層を
設けた場合の電子のスピンを示す図である。
【図３】 図３は本発明のスピンバルブ型薄膜磁気素
子を備えた薄膜磁気ヘッドの一例を示した斜視図であ
る。
子を備えた薄膜磁気ヘッドの一例を示した斜視図であ
る。
【図４】 図３に示した薄膜磁気ヘッドの磁気コア部
を示した拡大断面図である。
を示した拡大断面図である。
【図５】 図５は本発明に係るスピンバルブ型薄膜磁
気素子の第２実施形態を記録媒体との対向面側から見た
場合の構造を示した断面図である。
気素子の第２実施形態を記録媒体との対向面側から見た
場合の構造を示した断面図である。
【図６】 図６は本発明に係るスピンバルブ型薄膜磁
気素子の第３実施形態を記録媒体との対向面側から見た
場合の構造を示した断面図である。
気素子の第３実施形態を記録媒体との対向面側から見た
場合の構造を示した断面図である。
【図７】 図７は本発明に係るスピンバルブ型薄膜磁
気素子の第３実施形態の要部を模式図的に示した横断面
図である。
気素子の第３実施形態の要部を模式図的に示した横断面
図である。
【図８】 図８は本発明に係るスピンバルブ型薄膜磁
気素子の第４実施形態を記録媒体との対向面側から見た
場合の構造を示した断面図である。
気素子の第４実施形態を記録媒体との対向面側から見た
場合の構造を示した断面図である。
【図９】 図９は本発明に係るスピンバルブ型薄膜磁
気素子の第５実施形態を記録媒体との対向面側から見た
場合の構造を示した断面図である。
気素子の第５実施形態を記録媒体との対向面側から見た
場合の構造を示した断面図である。
【図１０】 図１０本発明に係るスピンバルブ型薄膜
磁気素子の第３実施形態の要部を模式図的に示した横断
面図である。
磁気素子の第３実施形態の要部を模式図的に示した横断
面図である。
【図１１】 図１１は従来のトップタイプのスピンバ
ルブ型薄膜磁気素子の一例を記録媒体との対向面側から
見た場合の構造を示した断面図である。
ルブ型薄膜磁気素子の一例を記録媒体との対向面側から
見た場合の構造を示した断面図である。
【図１２】 図１２は従来のトップタイプのスピンバ
ルブ型薄膜磁気素子の一例を記録媒体との対向面側から
見た場合の構造を示した断面図である。
ルブ型薄膜磁気素子の一例を記録媒体との対向面側から
見た場合の構造を示した断面図である。
Ｋ…基板 １、１０、１７…下地層 ２、１１、３０、５０、…反強磁性層 ３、４５、１２、２５、…固定磁性層 ３Ａ、１２Ａ、４６…第１の固定磁性層 ３Ｂ、１２Ｂ、４８…非磁性中間層 ３Ｃ、１２Ｃ、４７…第２の固定磁性層 ４、１３、２９、…非磁性導電層 ５…フリー磁性層 ５Ａ、６１、６２…バックド層 ７…保護層 ８…電極層 ９、１６、９１、９３…積層体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｆ 10/14 Ｈ０１Ｆ 10/32 10/32 Ｇ０１Ｒ 33/06 Ｒ (72)発明者 田中 健一 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内 (72)発明者 長谷川 直也 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内 Ｆターム(参考） 2G017 AA03 AC09 AD55 CA01 CB24 CC04 5D034 BA03 BA04 BA05 BA12 CA02 CA08 5E049 AA04 AA07 AA09 AA10 AC00 AC05 BA12 BA16 DB12
Claims (14)
- 【請求項１】 基板上に、反強磁性層と、該反強磁性
層と接して形成され、前記反強磁性層との交換結合磁界
により磁化方向が固定される固定磁性層と、前記固定磁
性層に非磁性導電層を介して形成され、前記固定磁性層
の磁化方向と交差する方向へ磁化方向が揃えられたフリ
ー磁性層と、このフリー磁性層の前記非磁性導電層側に
対する逆側に接して形成された非磁性導電材料からなる
バックド層とを有し、前記バックド層がＲｕ、Ｐｔ、Ｉ
ｒ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｃｒの中から選択される１種ま
たは２種以上の金属または合金からなることを特徴とす
るスピンバルブ型薄膜磁気素子。 - 【請求項２】 基板上に、少なくともバックド層と、
フリー磁性層と、非磁性導電層と、固定磁性層と、反強
磁性層とが積層され、前記固定磁性層の磁化方向が前記
反強磁性層との交換結合磁界により固定され、前記フリ
ー磁性層の磁化方向が前記固定磁性層の磁化方向と交差
するように揃えられてなることを特徴とする請求項１記
載のスピンバルブ型薄膜磁気素子。 - 【請求項３】 基板上に、少なくとも反強磁性層と、
固定磁性層と、非磁性導電層と、フリー磁性層と、バッ
クド層とが積層され、前記固定磁性層の磁化方向が前記
反強磁性層との交換結合磁界により固定され、前記フリ
ー磁性層の磁化方向が前記固定磁性層の磁化方向と交差
するように揃えられてなることを特徴とする請求項１記
載のスピンバルブ型薄膜磁気素子。 - 【請求項４】 前記基板上にＴａの下地層を介してバ
ックド層が積層されてなることを特徴とする請求項２記
載のスピンバルブ型薄膜磁気素子。 - 【請求項５】 前記フリー磁性層の基板側と反対側
に、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｃｒの中か
ら選択される１種または２種以上の金属または合金から
なる保護層が積層されたことを特徴とする請求項３に記
載のスピンバルブ型薄膜磁気素子。 - 【請求項６】 前記フリー磁性層がＮｉＦｅからな
り、前記保護層が熱拡散防止機能を有することを特徴と
する請求項５に記載のスピンバルブ型薄膜磁気素子。 - 【請求項７】 前記反強磁性層と固定磁性層と非磁性
導電層とフリー磁性層とバックド層が少なくとも積層さ
れてなる積層体の両側に形成されて、前記フリー磁性層
の磁化方向を前記固定磁性層の磁化方向と交差する方向
へ揃えるためのバイアス層と、前記バイアス層上に形成
されて前記積層体に検出電流を与える電極層とを有して
なることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の
スピンバルブ型薄膜磁気素子。 - 【請求項８】 前記固定磁性層が、非磁性中間層と、
該非磁性中間層を挟む第１、第２固定磁性層とからな
り、該第１、第２固定磁性層の磁化方向が反平行方向と
され、かつこの第１、第２固定磁性層がフェリ磁性状態
とされていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか
に記載のスピンバルブ型薄膜磁気素子。 - 【請求項９】 前記フリー磁性層が、非磁性中間層
と、該非磁性中間層を挟む第１、第２フリー磁性層とか
らなり、該第１、第２フリー磁性層の磁化方向が反平行
方向とされ、かつこの第１、第２フリー磁性層がフェリ
磁性状態とされていることを特徴とする請求項１〜７の
いずれかに記載のスピンバルブ型薄膜磁気素子。 - 【請求項１０】 前記反強磁性層が、Ｘ−Ｍｎ合金，
Ｐｔ−Ｍｎ−Ｘ’合金（ただし前記組成式において、Ｘ
はＰｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ、Ｏｓのなかから選択
される１種を示し、Ｘ’はＰｄ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｉ
ｒ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒ
のなかから選択される１種または２種以上を示す）のい
ずれかからなることを特徴とする請求項１〜８のいずれ
かに記載のスピンバルブ型薄膜磁気素子。 - 【請求項１１】 前記反強磁性層が、Ｘ−Ｍｎ合金か
らなり、Ｘが３７〜６３原子％の範囲であることを特徴
とする請求項１０記載のスピンバルブ型薄膜磁気素子。 - 【請求項１２】 前記反強磁性層が、Ｘ’−Ｐｔ−Ｍ
ｎ合金からなり、Ｘ’＋Ｐｔが３７〜６３原子％の範囲
であることを特徴とする請求項１０記載のスピンバルブ
型薄膜磁気素子。 - 【請求項１３】 前記非磁性導電層の前記フリー磁性
層側と前記非磁性導電層の前記固定磁性層側の少なくと
も一方に、Ｃｏ層が配置されてなることを特徴とする請
求項１〜１０のいずれかに記載のスピンバルブ型薄膜磁
気素子。 - 【請求項１４】 請求項１〜１７のいずれかに記載の
スピンバルブ型薄膜磁気素子を備えたことを特徴とする
薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000160992A JP2001345495A (ja) | 2000-05-30 | 2000-05-30 | スピンバルブ型薄膜磁気素子およびこのスピンバルブ型薄膜磁気素子を備えた薄膜磁気ヘッド |
| US09/862,738 US6586121B2 (en) | 2000-05-30 | 2001-05-22 | Spin-valve thin-film magnetic element |
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|---|---|---|---|
| JP2000160992A JP2001345495A (ja) | 2000-05-30 | 2000-05-30 | スピンバルブ型薄膜磁気素子およびこのスピンバルブ型薄膜磁気素子を備えた薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001345495A true JP2001345495A (ja) | 2001-12-14 |
Family
ID=18665105
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|---|---|---|---|
| JP2000160992A Pending JP2001345495A (ja) | 2000-05-30 | 2000-05-30 | スピンバルブ型薄膜磁気素子およびこのスピンバルブ型薄膜磁気素子を備えた薄膜磁気ヘッド |
Country Status (2)
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| JP (1) | JP2001345495A (ja) |
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| JP3417403B2 (ja) | 2000-06-02 | 2003-06-16 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気抵抗効果センサ、該センサを備えた薄膜磁気ヘッド、該センサの製造方法及び該ヘッドの製造方法 |
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| JP2022114102A (ja) * | 2021-01-26 | 2022-08-05 | 株式会社東芝 | 磁気センサ及び検査装置 |
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-
2000
- 2000-05-30 JP JP2000160992A patent/JP2001345495A/ja active Pending
-
2001
- 2001-05-22 US US09/862,738 patent/US6586121B2/en not_active Expired - Lifetime
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