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KR100272079B1 - 액정표시소자 - Google Patents

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KR100272079B1
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신섭
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구본준
엘지.필립스엘시디주식회사
론 위라하디락사
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    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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Abstract

본 발명은 박막트랜지스터(TFT)를 이용한 액정표시소자(LCD)에 관한 것으로, 종래의 TFT-LCD는 제1도에서와 같이 게이트라인(1)과 소오스/드레인 라인(2)의 교차지점(CROSS OVER)과 TFT(드레인 전극;3및 반도체층;4)부분이 별개로 위치되는 구조이고 TFT채널이 단순히 “-”자형의 구성이므로 개구율 측면에서볼때 비효율적이고 TFT가 차지하는 면적이 커져서 게이트-소오스간 정전용량(Cgs)과 게이트-드레인간 정전용(cGD)값이 커지고 소오스/드레인 라인의 개방(Open)율도 증가되는 등외 문제점을 해결하기 위한 것이다.
본 발명은 게이트 라인과 소오스/드레인 라인의 교차지점에 박막 트랜지스터를 구성해주므로서 개구율 향상과 소오소/드레인 게방율의 감소를 기할수 있도록한 것으로, LCD에 적용한다.

Description

액정표시소자
제1도는 종래의 TFT-LCD 평면구성도.
제2(a),(b)도는 본 발명의 TFT-LCD 평면구성도.
제3도는 제2(a)도에서 A-A'선 단면도.
제4(a),(b)도는 본 발명의 TFT-LCD의 실시예 평면구성도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 게이트 라인 2 : 소오스/드레인 라인
3 : 드레인 전극 4 : 반도체층
본 발명은 박막트랜지스터(TFT)를 이용한 액정표시소자(LCD)에 관한 것으로, 특히 LCD의 소오스/드레인 라인과 게이트 라인이 교차하는 지점에 TFT를 구성한 LCD에 관한 것이다.
종래의 FT-LCD는 제1도에서와 같이 게이트라인(1)과 소오스/드레인 라인(2)의 교차지점(CROSS OVER)과 TFT(드레인 전극; 3및 반도체층;4)부분이 별개로 위치되는 구조이고 TFT채널이 단순히 “-”자형의 구성이므로 개구율 측면에서볼때 비효율적이고 TFT가 차지하는 면적이 커져서 게이트-소오스간 정전용량(Cgs)과 게이트-드레인간 정전용량(Cgd)값이 커지고 소오스/드레인 라인의 개방(Open)율도 증가되는 등의 문제점이 있다.
본 발명은 게이트 라인과 소오스/드레인 라인의 교차지점에 박막 트랜지스터를 구성해주므로서 개구율 향상과 소오소/드레인 개방율의 감소를 기할수 있도록한 TFF-LCD를 제공함을 목적으로하며, 제2도 내지 제4도를 참조하여 본 발명의 구성부터 설명하면 다음과 같다.
즉, 유리기판(5)위에 Al,Ta등의 금속재로 게이트 전극(1)을 증착하고 양극산화막(6)을 형성하며, SiNx,SiO2등으로 게이트 절연막(7)과 반도체층(4), 불순물 반도체층(9)을 연속 증착하고, 불순물반도체층(9), 반도체층(4)을 소정의 패턴으로 형성하고, 화소전극(8,ITO전극)을 형성하고, 게이트 패드, 절연막을 에칭하고 배리어 메탈(10), 소오스/드레인 전극(2)을 증착하고, 소정의 패턴을 형성하고, 보호막(13)을 증착한다.
여기서 3은 드레인 전극, 12는 Redundancy 드레인 전극이다.
이와같이 하여 형성되는 TFT는 제2(a),(b)도에서와 같이 게이트 버스라인(1)과 소오스/드레인 버스라인(2)의 교차지점에 형성한다.
또한 게이트 버스라인(1)과 소오스/드레인 버스라인(2)외 교차지점에 형성되는 TFT구조는 제2(a),(b)도 또는 제4(a),(b)도에서와 같이 게이트 버스라인(1)과 소오스/드레인 버스라인(2)을 따라 “ㄱ”자형,“ㄴ”자형,“ㄱ”자 형태로 형성한다.
따라서 게이트 라인과 소오스/드레인 라인간의 교차지점을 트랜지스터로 활용하므로 별도로 게이트 라인과 소오스/드레인 라인의 교차부분을 만들지 않게 되어 개구율이 향상된다.
또한 게이트 버스라인(1)과 소오스/드레인 버스라인(2)의 중첩량이 적어져서 Cgs값이 적어지고, 게이트 버스라인(1)과 소오스/드레인 버스라인(2)의 단락율, 소오스/드레인 개방율이 즐어든다. 한편, 트랜지스터를 “ㄱ”자형,“ㄴ”자형,“ㄱ”자 모양으로 구성하여 적은 면적에 트랜지스터 채널을 길게 형성할수 있어 개구율이 향상되고 소오스 단자가 드레인 단자보다 커지게 되므로 OFF-CURRENT값이 낮아져 TFT특성향상이 가능하게 된다.

Claims (3)

  1. 기판상에 형성된 게이트 라인과, 상기 게이트 라인과 교차하게 형성된 소오스/드레인 라인과, 상기 게이트 라인과 소오스/드레인 라인의 교차부의 상기 게이트 라인상에 꺽인 형태의 채널구조를 가지는 박막 트랜지스터를 구성한 액정표시소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 꺽인 형태의 채널구조는 “ㄱ”자 형태인 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 꺽인 형태의 채널구조는 “ㄱ” 자 형태인 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
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