KR100255906B1

KR100255906B1 - 전자부품과 그 제조방법

Info

Publication number: KR100255906B1
Application number: KR1019950035556A
Authority: KR
Inventors: 이와오 우에노; 야스오 와카하타
Original assignee: 모리시타 요이찌; 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤
Priority date: 1994-10-19
Filing date: 1995-10-16
Publication date: 2000-05-01
Anticipated expiration: 2015-10-16
Also published as: US5750264A; CA2160829C; CN1088903C; US5866196A; CN1129841A; CA2160829A1; KR960015789A; US6090435A; EP0708457A1

Abstract

본 발명은 전자기기나 전기기기에서 사용하는 내습성이 뛰어난 전자부품과 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 하는 것이며, 그 구성에 있어서, 배리스터소자(1) 표면에 적어도 1쌍의 전극을 형성하고, 이 전극형성부 이외의 배리스터소자(1) 표면전체에 금속피막층을 형성한 후, 산화분위기 속에서 열처리하고, 상기 금속피막층을 산화시킨 금속산화물로 이루어진 보호층(15)을 형성하고, 또, 상기 전극표면에 도금층(4)을 형성하는 것이다.

Description

전자부품과 그 제조방법

제1도는 본 발명의 제1, 제3실시예에 있어서의 배리스터의 단면도.

제2도는 본 발명의 제2실시예에 있어서의 배리스터의 단면도.

제3도는 본 발명의 제1실시예에 있어서의 배리스터의 제조공정도.

제4도는 본 발명의 제2실시예에 있어서의 배리스터의 제조공정도.

제5도는 본 발명의 제3실시예에 있어서의 배리스터의 제조공정도.

제6도는 본 발명의 제4, 제6실시예에 있어서의 배리스터의 단면도.

제7도는 본 발명의 제5실시예에 있어서의 배리스터의 단면도.

제8도는 본 발명의 제4실시예에 있어서의 배리스터의 제조공정도.

제9도는 본 발명의 제5실시예에 있어서의 배리스터의 제조공정도.

제10도는 본 발명의 제6실시예에 있어서의 배리스터의 제조공정도.

제11도는 본 발명의 제7, 제9실시예에 있어서의 배리스터의 단면도.

제12도는 본 발명의 제8실시예에 있어서의 배리스터의 단면도.

제13도는 본 발명의 제7실시예에 있어서의 배리스터의 제조공정도.

제14도는 본 발명의 제8실시예에 있어서의 배리스터의 제조공정도.

제15도는 본 발명의 제9실시예에 있어서의 배리스터의 제조공정도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 배리스터소자 2 : 내부전극

3 : 외부전극 4 : 도금층

5 : 보호층 6 : 피막층

21 : 유리층

본 발명은 전자부품과 그 제조방법에 관한 것이다.

종래부터 소자를 외부분위기로부터 보호하기 위하여 그 외주부에 보호막을 형성하는 것이 행해지고 있다.

종래의 보호막은 예를 들면 유리로 형성한 것은 충격이나 열에 의한 박리나 크랙으로부터의 침수, 또 수지로 형성한 것은 흡습성이 있기 때문에, 모두 내습특성에 대한 신뢰성이 낮다는 문제점을 가지고 있었다.

그래서 본 발명은, 상기 문제점을 해결하는 것으로서, 내습특성이 뛰어난 전자 부품과 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 하는 것이다.

이 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 소자표면에 적어도 1쌍의 전극을 형성하고, 이 전극 형성부 이외의 소자표면에 금속피막층을 형성하고, 그후 상기 소자를 산화 분위기 속에서 열처리하고, 상기 금속피막층을 산화시킨 금속산화물로 이루어진 보호층을 형성하고, 또, 상기 전극표면에 도금층을 형성하는 것이다.

본 발명에 의하면, 먼저 소자표면에 적어도 1쌍의 전극을 형성하고, 다음에, 표면의 전극형성부 이외에 금속피막층을 형성하고, 그후 소자를 산화분위기 속에서 열처리함으로써, 이 금속피막층은 산화되어 금속산화물이 되고 저항치가 높아진다.

따라서, 소자표면의 저항이 높고 치밀한 구조의 보호층을 형성할 수 있다.

이상의 구성이면, 소자의 구조가 다공성인 경우에도 표면에 형성된 치밀한 금속산화물로 이루어진 보호층에 의해, 주위의 환경, 예를 들면 습도나 가스 등의 영향을 받기 어렵게 된다. 또, 소자표면을 경질의 보호층으로 덮으므로, 소자표면의 기계적 강도가 향상하고, 제조공정 중에 가해지는 충격이나 전자부품을 실장할 때에 가해지는 충격에 의한 외상이나 비뚤어짐을 받기 어렵게 할 수 있다.

[실시예 1]

이하, 본 발명의 제1실시예에 대해서 제1도를 사용해서 설명한다.

제1도에 있어서, (1)은 배리스터소자이고, 그 내부에는 복수의 내부전극(2)이 형성되고, 그 양단부에는 외부전극(3)이 형성되어 있다. 배리스터소자(1)는, SrTiO₃을 주성분으로 하고, 부성분으로서 Nb₂O₅, Ta₂O₅, SiO₂, MnO₂등을 첨가해서 형성한 것이다. 또, 내부전극(2)은 Ni를 주성분으로 하고, 부성분으로서 Li₂CO₃등을 첨가해서 형성한 것이다. 또 외부전극(3)은 하층(3a)을 Ni를 주성분으로 하고, 부성분으로서 Li₂CO₃등을 첨가해서 형성하고, 상층(3b)을 Ag로 형성한 것이다. 이상의 구성에 있어서, 배리스터소자(1)의 상층(3b)의 전극형성부 이외의 소자표면에는, 보호층(5)이 부착 형성되어 있다. 또, 상층(3b)의 표면에 Ni 도금층(4a)과 땜납도금층(4b)에 형성되어 있다.

제3도는 제조공정을 표시하고, (7)에 표시한 바와 같이, 원료의 혼합, 분쇄, 슬러리화, 시트성형에 의해 세라믹시트(1a)를 제작했다.

세라믹시트(1a)와 내부전극(2)을 적층(8)하고, 그것을 절단(9), 탈탄(脫炭), 임시소성(10), 모떼기(11)했다.

다음에, 배리스터소자(1)의 단부면에, 하층(3a)이 되는 Ni 외부전극을 도포(12)하고, 1200~1300℃에서 환원소성(13)하고, 그후, 상층(3b)이 되는 Ag 외부전극을 도포(15)했다.

또, 도포한 상층(3b)의 표면에 풀이나 수지로 형성되는 레지스트막을 형성하고, 그후, 무전해 Ni 도금층을 부착(14)하고, 700~850℃에서 재산화를 위하여 가열(16)하고, 베이킹 Ag의 외부전극(3b)과, 무전해 Ni 도금으로 이루어진 금속산화물의 보호층(5)을 형성했다. 다음에, 가열(16)시에 탄화한 레지스트막을 제거한 후에, 상층(3b)의 위에 Ni 도금층(4a)과 땜납도금층(4b)을 부착(17)했다.

실시예 1에서 얻어진 배리스터소자(1)에서는, 배리스터소자(1)의 외부전극(3b) 형성부 이외의 표면전체에 치밀한 구조의 보호층(5)이 형성되어 있고, 또 상층(3b)의 표면에 Ni 도금층(4a)과 땜납도금층(4b)이 형성된 구조로 되어 있기 때문에, (Ⅰ) 배리스터소자(1)의 기밀성절연성이 매우 높고, 물, 가스, 산, 알칼리 등으로부터의 보호를 확실히 행할 수 있고, 내습성의 향상, 내약품성(예를 들면, 도금액에 의한 소자의 에칭의 방지)의 향상, 표면누출의 감소, 외부전극(3)의 마이그레이션의 방지 등의 효과가 발휘된다.

(Ⅱ) 배리스터소자(1)의 표면이 경질인 보호층(5)으로 덮여 있기 때문에, 기계적 강도가 향상하고, 또 충격에도 강하고, 갈라짐, 깨짐 등의 외상이나 변형의 발생을 방지할 수 있다.

(Ⅲ) 외부전극(3b) 표면이 도금층(4)으로 덮여 있기 때문에, 전자부품으로서 뛰어난 실장성을 발휘한다.

(Ⅳ) 금속산화물의 보호층(5)의 일부가 배리스터소자(1)의 표면에 확산하고 반응하고 있기 때문에 부착강도는 매우 높고, 충격이나 열에 의한 박리나 크랙이 발생하기 어렵다.

(Ⅴ) 보호층(6)을 형성할 때, 금속이 산화함으로서 체적이 커지므로, 보다 치밀한 보호막을 형성할 수 있다.

등의 특징을 가졌다.

[실시예 2]

이하, 본 발명의 제2실시예에 대해서 제4도를 사용해서 설명한다.

실시예 1과 마찬가지로 해서, 상층(3b)을 부여한 배리스터소자(1)를 재산화(16)한 후, Si(OR)₄(R은 알킬기), (화 4)로 표시되는 규소화합물, Ti(OR)₄(R은 알킬기), (화 5)로 표시되는 티탄화합물, Al(OR)₃(R은 알킬기), (화 6)으로 표시되는 알루미늄 화합물 중의 적어도 1종류 이상을 함유한 액체 속에 침지하고, 배리스터소자(1)의 표면에 유리형성용물질을 부착(18)하고, SiO₂, TiO₂, Al₂O₃, MgO, ZrO₂중의 적어도 1종류로 이루어진 반응억제제의 분말 내에 매설하고, 300~850℃에서 열처리(19)했다.

[화 4]

[화 5]

[화 6]

그후, 모떼기(20), Ni도금층(4a)과 땜납도금층(4b)을 부착(17)하고, 제2도에 표시한 바와 같이 보호층(5)의 표면에 유리층(21)을 가진 전자부품을 얻었다.

또한 실시예 2에 있어서, 유리형성용 물질의 부착(18) 및 열처리(19)를 1사이클 밖에 실시하고 있지 않으나, 복수회 실시한 편이 보다 균일한 유리층(21)을 형성할 수 있다.

그리고, 이 형성된 유리층(21)은, 보호층(5)의 외표면에 단지 부착하고 있는 것이 아니라, 일부가 보호층(5) 내에 확산하여 반응하고 있기 때문에 부착 강도는 매우 높다. 또, 이 유리형성용물질에 Bi₂O₃, Sb₂O₃의 적어도 한쪽이 함유되는 경우 더욱 현저하다.

이와 같이, 금속산화물로 이루어진 보호층(5)의 표면에, 새롭게 유리층(21)을 형성함으로써, 상기 (Ⅰ)~(Ⅴ) 등에 기재한 특징이 보다 한층 발휘된다. 특히, 환원성이 강한, 가스나 용액 속에 배리스터소자(1)를 투입해도, 유리층(21)이 형성되어 있기 때문에, 보호층(5)의 금속산화물이 환원되는 일이 없고 피해를 입는 일이 없었다.

또, 반응억제제의 작용은, 보호층(5)과 유리층(21)의 확산반응을 억제할 뿐만 아니라, 열처리(19) 시에서의 배리스터소자(1)끼리의 달라붙는 불량을 방지하는 작용도 있다.

또한, 상기 각종 액체 속에 Al₂O₃, TiO₂, ZnO, SiC, Si₃N₄, SiO₂, 탄소섬유, 유리섬유의 적어도 1종류 이상을 함유한 바늘형상의 결정선분을 분산시키면, 형성된 유리층(21)의 열적강도나 기계적 강도가 향상하고, 특히 열처리 등에서 발생하는 크랙이나 박리의 발생이나 퍼짐을 억제할 수 있었다. 또, 바늘형상의 결정성분의 앵커효과에 의해 보호층(5)과의 부착강도는 보다 강해졌다. 이 경우, 분산시키는 바늘형상의 결정성분의 입자직경은 가늘고 균일한 편이 보다 현저했다. 또, 상기 반응억제제의 분말에 분산시켜도 마찬가지의 효과를 확인했다.

또, 바늘형상의 결정성분에 Bi₂O₃, Sb₂O₃의 적어도 한쪽이 함유되는 경우 더욱 현저했다. 또, 보호층(5)의 표면에 실리콘계나 에폭시계의 수지를 형성해도 마찬가지의 효과가 얻어졌다.

[실시예 3]

이하, 본 발명의 제3실시예에 대해서 설명한다.

실시예 1 및 2와 마찬가지로 해서 제5도에 표시한 (7)~(13), (15)의 공정을 거친 후, SiO₂, TiO₂, Al₂O₃, MgO, ZrO₂중의 적어도 1종류 이상의 분말을 분산시킨 무전해 Ni 도금층을 부착(14)하고, 이하 (16)~(17)의 공정을 거침으로써, 제1도에 표시한 내환원성이 뛰어난 보호층(5)을 가진 배리스터소자(1)를 얻었다.

실시예 3에서 얻어진 보호층(5)은, 재산화(16)시에, Ni와 SiO₂, TiO₂, Al₂O₃, MgO, ZrO₂중의 적어도 1종류 이상의 분말이 분산하고, 내환원성이 뛰어나고, 또 고저항의 보호층(5)을 형성한다. 이 경우, 분산시키는 분말의 입자직경이 가늘고 균일하고, 또, 순도가 높은 쪽이 현저했다. 또, 상기 각종분말 이외에 유리분말에서도 마찬가지의 효과가 있었다.

이상, 이와 같은 상기 각 실시예 1~3에 의해 얻어진 배리스터소자(1)에서는, 배리스터소자(1)의 외부전극(36) 형성부 이외의 표면에 치밀한 구조의 보호층(5)이 형성되어 있기 때문에, 주위의 환경, 예를 들면, 습도, 가스, 산, 알칼리 등의 영향을 받기 어렵게 된다. 또, 표면을 경질의 보호층(5)으로 덮여 있으므로, 기계적강도가 향상하는 것이다.

또, 제조공정상 중요한 것은 (Ⅰ) 무전해Ni 도금층을 부착할 때나, 유리형성용 물질을 부착할 때에는, 배리스터소자(1)의 표면에 불순물의 부착이 없도록, 순수나 이온교환수에 의해서 충분히 세정해둔다.

(Ⅱ) 유리형성용 물질을 함유한 액체는, 가수분해하므로, 배리스터소자(1)를 침지할 때에는, 그 수분을 충분이 제거하고 나서 침지하는 편이 바람직하다.

(Ⅲ) 무전해Ni 도금액에 분말을 분산시키는 경우에는, 분산성을 좋게하기 위하여 충분히 교반하는 편이 바람직하다.

또, 배리스터소자(11) 표면에 형성된 보호층(5)은 Ni 도금층(4a)과 땜납도금층(4b)을 부착(17)하는 공정시에, 발생하는 수소가스의 영향에 의해서, 그 표면의 일부가 환원되고 저항치가 저하하는 경우가 있다. 따라서, 이 현상을 방지하기 위하여, (Ⅳ) 상기 실시예 2에서 표시한 바와 같이, 보호층(5)의 표면에, 유리층(21)을 형성하고, 수소가스의 영향을 방지하는 것이 바람직하다.

(Ⅴ) 상기 실시예 3에서 표시한 바와 같이, 내환원성의 보호층(5)을 형성하고, 수소가스의 영향을 방지하는 것이 바람직하다.

(Ⅵ) 도금공정(17)의 공정 후에, 과산화수소의 암모니아용액을 사용하고, 표면의 일부가 환원된 보호층(5)을 산화시키는 것이 바람직하다. 또, 이 경우, 배리스터소자(1)에 영향을 미치지 않는 알칼리용액이어도 상관없다. 또, 이 용액은, 세정작용이 있기 때문에, 도금공정(17)후의 세정액으로서 이용할 수 있는 것이다.

또, 상기 실시예 2에서 표시한 바와 같이, 유리층(21)실시하는 경우, 상층(3b) 표면에도 유리층(21)이 형성되는 경우가 있고, 도금공정(17)을 실시해도 도금층(4)이 부착하기 어려운 경우가 있다. 따라서, 그것을 해결하기 위하여, (Ⅶ) 상층(3b) 표면에, 미리 세탁풀이나 에틸셀룰로스 등의 다당류로 이루어진 풀이나 폴리비닐알콜, 비닐아세테이트 등으로 이루어진 레지스트막을 형성하고, 그후, 유리형성용 물질을 부착(18), 열처리(19)하고, 레지스트막을 탄화시키고, 초음파세정기 등에 의해서 제거하는 공정을 가진 것이 바람직하다. 그리고, 이 레지스트막을 형성할 때, 염료나 안료를 혼합하고, 착색함으로써, 레지스트막이 균일하게 형성할 수 있는지 어떤지를 확인할 수 있다. 또한, 상기 실시예 1~3에 있어서, 배리스터소자(1) 표면에 형성하는 금속산화물의 보호층(5)은, Ni에 대해서만 표시했으나, 이것 이외의 산화물로서 저항이 높고 내약품성이 있는 금속이면, 어떤 것이어도 상관없다. 그리고, 그 형성방법도, 무전해도금에 대해서만 표시했으나, 증착, 스퍼터링, 디프, 용사(溶射), 인쇄 등에 의해서 형성해도 마찬가지의 효과가 얻어진다.

[실시예 4]

제6도에 있어서, (1)은 배리스터소자이고, 그 내부에는 복수의 내부전극(2)이 형성되고, 그 양단부에는 외부전극(3)이 형성되어 있다. 배리스터소자(1)는, SrTiO₃을 주성분으로하고, 부성분으로서 Nb₂O₅, Ta₂O₅, SiO₂, MnO₂등을 첨가한 것이다. 또, 내부전극(2)은 Ni를 주성분으로 하고, 부성분으로서 Li₂CO₃등을 첨가해서 형성한 것이다. 또 외부전극(3)은, 하층(3a)을 Ni를 주성분으로 하고, 부성분으로서 Li₂CO₃등을 첨가해서 형성하고, 상층(3b)을 Ag로 형성한 것이다. 이상의 구성에 있어서, 배리스터소자(1)의 단부면을 제거한 표면전체에 고저항의, 보호층(5)이 부착 형성되어 있다. 또, 상층(3b)의 표면에 Ni 도금층(4a)과 땜납도금층(4b)이 형성되어있다.

제8도는 제조 공정을 표시하고, (7)에 표시한 바와 같이, 윈료의 혼합, 분쇄, 슬러리화, 시트 성형에 의해 세라믹시트(1a)를 제작했다.

세라믹시트(1a)와 내부 전극(2)을 적층(8)하고, 그것을 절단(9), 탈탄·임시소성(10), 모떼기(11)했다.

다음에, 배리스터소자(1)의 단부면에, 하층(3a)이 되는 Ni외부 전극을 도포(12)하고, 1200~1300℃에서 환원소성(13)하고, 그후, 외부전극(3a)의 표면에 레지스트막을 형성한 후, 무전해Ni 도금층을 부착(14)하고, 또 레지스트막을 제거한 후에 상층(3b)이 되는 Ag 외부전극을 도포(15)하고, 700~850℃에서 재산화를 위하여 가열(16)하고, 베이킹 Ag 외부전극(3b)과, 무전해Ni 도금으로 이루어진 금속산화물의 보호층(5)을 형성했다. 다음에, 상층(3b)의 위에 Ni 도금층(4a)과 땜납도금층(4b)을 부착(17)했다.

본 실시예에서 얻어진 배리스터소자(1)에서는, 배리스터소자(1)의 외부전극(3b) 형성부이외의 표면전체에 치밀한 구조의 보호층(5)이 형성되어 있고, 또 상층(3b)의 표면에 Ni 도금층(4a)과 땜납도금층(4b)이 형성된 구조로 되어 있기 때문에, (Ⅰ) 배리스터소자(1)의 기밀성절연성이 매우 높고, 물, 가스, 산, 알칼리 등으부터의 보호를 확실히 행할 수 있고, 내습성외 향상, 내약품성(예를 들면, 도금액에 의한 소자의 에칭의 방지)의 향상, 표면누출의 감소, 외부 전극(3)의 마이그레이션의 방지 등의 효과가 발휘된다.

(Ⅱ) 배리스터소자(1)의 표면이 경질인 보호층(5)으로 덮여 있기 때문에, 가계적강도가 향상하고, 또 충격에도 강하고, 갈라짐, 깨짐 등의 외상이나 변형의 발생을 방지할 수 있다.

(Ⅲ) 외부 전극(3b)표면이 도금층(4)으로 덮여있기 때문에, 전자부품으로서 뛰어난 실장성을 발휘한다.

(Ⅴ) 보호층(5)을 형성할 때, 금속이 산화함으로써 체적이 커지므로, 보다 치밀한 보호막을 형성할 수 있다.

등의 특징을 가졌다.

[실시예 5]

이하, 본 발명의 제5실시예에 대해서 제9도를 사용해서 설명한다.

실시예 3과 마찬가지로 해서, 상층(3b)을 부여한 배리스터소자(1)를 재산화(16)한 후, Si(OR)₄(R은 알킬기), (화 4)로 표시되는 규소 화합물, Ti(OR)₄(R은 알킬기), (화 5)로 표시되는 티탄화합물, Al(OR)₃(R은 알킬기), (화 6)으로 표시되는 알루미늄 화합물 중의 적어도 1종류 이상을 함유한 액체 속에 침지하고, 배리스터소자(1)의 표면에 유리형성용 물질을 부착(18)하고, SiO₂, TiO₂, Al₂O₃, MgO, ZrO₂중의 적어도 1종류로 이루어진 반응억제제의 분말내부에 매설하고, 유리형성 온도가 300∼850℃에서 열처리(19)했다.

그후, 모떼기(20), Ni도금층(4a)과 땜납도금층(4b)을 부착(17)하고, 제7도에 표시한 바와 같이 보호층(5)의 표면에 유리층(21)을 가진 배리스터소자(1)를 얻었다.

또한, 실시예 5에 있어서, 유리형성용 물질의 부착(18) 및 열처리(19)를 1사이클 밖에 실시하고 있지 않으나, 복수회 실시한 편이 보다 균일한 유리층(21)을 형성할 수 있다.

그리고, 이 형성된 유리층(21)은, 보호층(5)의 외표면에 단지 부착하고 있는 것이 아니라, 일부가 확산하여 반응하고 있기 때문에 부착강도는 매우 높다. 또, 이 유리형성용 물질에 Bi₂O₃, Sb₂O₃의 적어도 한쪽이 함유되는 경우 더욱 현저하다.

이와 같이, 금속산화물로 이루어진 보호층(5)의 표면에, 새롭게 유리층(21)을 형성함으로써, 상기 (Ⅰ)~(Ⅴ)등에 기재한 특징이 보다 한층 발휘된다. 특히, 환원성이 강한, 가스나 용액 속에 배리스터소자(1)를 투입해도, 유리층(21)이 형성되어있기 때문에, 보호층(5)의 금속산화물이 환원되는 일이 없고 피해를 입는 일이 없었다.

또, 반응억제제의 작용은, 보호층(5)과 유리층(21)의 확산반응을 억제할 뿐만 아니라, 열처리(19)시에서의 배리스터소자(1)끼리의 달라붙는 불량을 방지하는 작용도 있다.

또한, 상기 각종 액체 속에 Al₂O₂, TiO₂, ZnO, SiC, Si₃N₄, SiO₂, 탄소섬유, 유리섬유의 적어도 1종류 이상을 함유한 바늘형상의 결정성분을 분산시키면, 형성된 유리층(21)의 열적강도나 기계적강도, 특히 열처리 등에서 발생하는 크랙이나 박리의 발생이나 퍼짐을 억제할 수 있었다. 또, 바늘형상의 결정성분의 앵커효과에 의해 보호층(5)과의 부착강도는 보다 강해졌다. 이 경우, 분산시키는 바늘형상의 결정성분의 입자직경은 가늘고 균일한 편이 보다 현저했다. 또, 상기 반응억제제의 분말에 분산시켜도 마찬가지의 효과를 확인했다.

[실시예 6]

이하, 본 발명의 제6실시예에 대해서 설명한다.

실시예 4 및 5와 마찬가지로 해서 제10도에 표시한 (7)~(13)의 공정을 거친 후 , SiO₂, TiO₂, Al₂O₃, MgO, ZrO₂중의 적어도 1종류 이상의 분말을 분산시킨 무전해Ni 도금층을 부착(14)하고, 이하 (15)~(17)의 공정을 거침으로서, 제1도에 표시한 내환원성이 뛰어난 보호층(5)을 가진 배리스터소자(1)를 얻었다.

실시예 6에서 얻어진 보호층(5)은, 재산화(16)에, Ni와 SiO₂, TiO₂, Al₂O₃, MgO, ZrO₂중의 적어도 1종류 이상의 분말이 감산하고, 내환원성이 뛰어나고, 또 고저항의 보호층(5)을 형성한다. 이 경우, 분산시키는 분말의 입자직경이 가늘고 균일하고, 또, 순도가 높은 것이 현저했다. 또, 상기 각종 분말이외에 유리분말에서도 마찬가지의 효과가 있었다.

이상, 이와 같은 상기 각 실시예 4~6에 의해 얻어진 배리스터소자(1)에서는, 배리스터소자(1)의 외부전극(36)형성부분을 제외한 표면 전체에 치밀한 구조의 보호층(5)이 형성되어 있기 때문에, 주위의 환경, 예를 들면, 습도, 가스, 산, 알칼리 등의 영향을 받기 어렵게 된다. 또, 표면을 경질의 보호층(5)으로 덮고 있으므로, 기계적강도가 향상하는 것이다.

(Ⅱ) 유리형성용 물질을 함유한 액체는, 가수 분해하므로, 배리스터소자(1)를 침지할 때에는, 그 수분을 층분히 제거하고 나서 침지하는 편이 바람직하다.

또, 배리스터소자(11)표면에 형성된 보호층(5)은 Ni도금층(4a)과 땜납도금층(4b)을 부착(17)하는 공정시에, 발생하는 수소가스의 영향에 의해서, 그 표면의 일부가 환원되고 저항치가 저하하는 경우가 있다. 따라서, 이 현상을 방지하기 위하여, (Ⅳ) 상기 실시예 5에서 표시한 바와 같이, 보호층(5)의 표면에, 유리층(21)을 형성하고, 수소가스의 영향을 방지하는 것이 바람직하다.

(V) 상기 실시예 5에서 표시한 바와 같이, 내환원성의 보호층(5)을 형성하고, 수소가스의 영향을 방지하는 것이 바람직하다.

(ⅤI) 도금공정(17)의 공정 후에, 과산화수소의 암모니아용액을 사용하고, 표면의 일부가 환원된 보호층(5)을 산화시키는 것이 바람직하다. 또, 이 경우, 배리스터소자(1)에 영향을 미치지 않는 알칼리용액이어도 상관없다. 또, 이 용액은, 세정작용이 있기 때문에, 도금공정(17)후의 세정액으로서 이용할 수 있는 것이다.

또, 상기 실시예 5에서 표시한 바와 같이, 유리층(21)을 형성하는 경우, 상층(3b)표면에도 유리층(21)이 형성되는 경우가 있고, 도금공정(17)을 실시해도 도금층 부착하기 어려운 경우가 있다. 따라서, 그것을 해결하기 위하여, (ⅥI)외 부전극(3b)표면에, 미리 세탁풀이나 에틸셀룰로스 등의 다당류로 이루어진 풀이나 폴리비닐알콜, 비닐아세테이트 등으로 이루어진 레지스트막을 형성하고 그후, 유리형성용 물질을 부착(18), 열처리(19)하고, 레지스트막을 탄화시키고, 초음파세정기 등에 의해서 제거하는 공정을 가진 것이 바람직하다. 그리고, 이 레지스트막을 형성할 때, 염료나 안료를 혼합함으로써, 레지스트막이 균일하게 형성할 수 있는지 어떤지를 확인할 수 있다. 또한, 상기 실시예 4~6에 있어서, 배리스터소자(1)표면에 형성하는 금속산화물의 보호층(5)은, Ni에 대해서 표시했으나, 이것 이외의 산화물로서 저항이 높고, 내약품성이 있는 금속이면, 어떤 것이어도 상관없다. 그리고, 그 형성방법도, 무전해도금에 대해서만 표시했으나, 증착, 스퍼터링, 디프, 용사(溶射), 인쇄 등에 의해서 형성해도 마찬가지의 효과가 얻어진다.

또, 실시예 1∼3의 적층배리스터는, 배리스터소자(1)의 표면의 외부 전극(3b)의 형성부분 이외에 보호층(5)을 형성하고, 실시예 4~6의 적층배리스터는 배리스터소자(1)의 외부 전극(3a)의 형성부 이외의 표면전체에 보호층(5)을 형성했다.

그 때문에 실시예 4~6의 적층배리스터는 실시예 1~3의 적층배리스터와 비교하면 상층(3b)의 Ag 외부전극과 내부전극(2)과의 사이에서 마이그레이션이 일어나기 어렵다.

[실시예 7]

이하, 본 발명의 제7실시예에 대해서 제11도를 사용해서 설명한다.

제11도에 있어서, (1)은 배리스터소자이고, 그 내부에는 복수의 내부전극(2)이 형성되고, 그 양단부에는 외부전극(3)이 형성되어 있다. 배리스터소자(1)는, SrTiO₃을 주성분으로 하고, 부성분으로서 Nb₂O₃, Ta₂O₃, SiO₂, MnO₂등을 첨가해서 형성한 것이다. 또, 내부 전극(2)은 Ni를 주성분으로 하고, 부성분으로서 Li₂CO₃등을 첨가해서 형성한 것이다. 또, 외부전극(3)은, 하층(3a)을 Ni를 주성분으로 하고, 부성분으로서 Li₂CO₃등을 첨가해서 형성하고, 상층(3b)을 Ag로 형성한 것이다. 이상의 구성에 있어서, 배리스터소자(1)의 표면전체 및 그것에 접하는 하층(3a) 표면에는, 보호층(5)과 피막층(6)이 부착 형성되어 있다. 또, 상층(3b)의 표면에 Ni 도금층(4a)가 땜납도금층(4b)에 형성되어있다.

제13도는 제조 공정을 표시하고, (7)에 표시한 바와 같이, 윈료의 혼합, 분쇄, 슬러리화, 시트 성형에 의해 세라믹시트(1a)를 제작했다.

다음에, 배리스터소자(1)의 단부면에, 하층(3a)이 되는 Ni외부전극을 도포(12)하고, 1200∼1300℃에서 환원소성(13)하고, 그 후, 무전해Ni도금층을 부착(14)했다.

또, 상층(3b)이 되는 Ag외부전극을 도포(15)하고, 700~850℃에서 재산화를 위하여 가열(16)하고, 상층(3b)의 위에 Ni도금층(4a)과 땜납도금층(4b)을 부착(17)했다.

실시예 7에서 얻어진 배리스터소자(1)에서는, 배리스터소자(1) 표면전체와 하층(3a)의 표면에 치밀한 구조의 보호층(5)과 피막층(6)이 형성되어 있고, 또 상층(3b)의 표면에 Ni 도금층(4a)과 땜납도금층(4b)이 형성된 구조로 되어 있기 때문에, (Ⅰ) 배리스터소자(1)의 기밀성절연성이 매우 높고, 물, 가스, 산, 알칼리 등으부터의 보호를 확실히 행할 수 있고, 내습성의 향상, 내약품성(예를 들면, 도금액에 의한 소자의 에칭의 방지)의 향상, 표면누출의 감소, 외부전극(3)의 마이그레이션의 방지 등의 효과가 발휘된다.

(Ⅱ) 배리스터소자(1)의 표면이 경질인 보호층(5)으로 덮여 있기 때문에, 기계적강도가 향상하고, 또 충격에도 강하고, 갈라짐, 깨짐 등의 외상이나 변형의 발생을 방지할 수 있다.

(Ⅲ) 외부 전극(3b)표면이 도금층(4)으로 덮여 있기 때문에, 전자부품으로서 뛰어난 실장성을 발휘한다.

등의 특징을 가졌다.

[실시예 8]

이하, 본 발명의 제8실시예에 대해서 제14도를 사용해서 설명한다.

실시예 7과 마찬가지로 해서, 상층(3b)을 부여한 배리스터소자(1)를 재산화(16)한 후, Si(OR)₄(R은 알킬기), (화 4)로 표시되는 규소 화합물, Ti(OR)₄(R은 알킬기), (화 5)로 표시되는 티탄화합물, Al(OR)₃(R은 알킬기), (화 6)으로 표시되는 알루미늄 화합물 중의 적어도 1종류 이상을 함유한 액체 속에 침지하고, 배리스터소자(1)의 표면에 유리형성용 물질을 부착(18)하고, SiO₂, TiO₂, Al₂O₃, MgO, ZrO₂중의 적어도 1종류러 이루어진 반응 억제제의 분말내에 매설하고, 300~850℃에서 열처리(19)했다.

그후, 모떼기(20), Ni도금층(4a)과 땜납도금층(4b)을 부착(17)하고, 제12도에 표시한 바와 같이 보호층(5)의 표면에 유리층(21)을 가진 배리스터소자(1)를 얻었다.

또한, 실시예 8에 있어서, 유리형성용 물질의 부착(18) 및 열처리(19)를 1사이클 밖에 실시하고 있지 않으나, 복수회 실시한 편이 보다 균일한 스 유리층(21)을 형성할 수 있다.

그리고, 이 형성된 유리층(21)은, 보호층(5)의 외표면에 단지 부착하고 있는 것이 아니라, 일부가 보호층(5)내에 확산하여 반응하고 있기 때문에 부착 강도는 매우 높다. 또, 이 유리형성용물질에 Bi₂O₃, Sb₂O₃의 적어도 한쪽이 함유되는 경우 더욱 현저하다.

이와 같이, 금속산화물로 이루어진 보호층(5)의 표면에, 새롭게 유리층(21)을 형성함으로서, 상기 (Ⅰ)~(Ⅴ)등에 기재한 특징이 보다 한층 발휘된다. 특히, 환원성이 강한, 가스나 용액 속에 배리스터소자(1)를 투입해도, 유리층(21)이 형성되어있기 때문에, 보호층(5)의 금속산화물이 환원되는 일이 없고 피해를 입는 일이 없었다.

또, 반응 억제제의 작용은, 보호층(5)과 유리층(21)의 확산반응을 억제할 뿐만 아니라, 열처리(19) 시에서의 배리스터소자(1)끼리의 달라붙는 불량을 방지하는 작용도 있다.

또한, 상기 각종 액체 속에 Al₂O₂, TiO₂, ZnO, SiC, Si₃N₄, SiO₂, 탄소섬유, 유리섬유의 적어도 1종류 이상을 함유한 바늘 형상의 결정성분을 확산시키면, 형성된 유리층(21)의 열적강도나 기계적강도가 향상하고, 특히 열처리 등에서 발생하는 크랙이나 박리의 발생이나 퍼짐을 억제할 수 있었다. 또, 바능형상의 결정성분의 앵커효과에 의해 보호층(5)과의 부착강도는 보다 강해졌다. 이 경우, 분산시키는 바늘형상의 결정성분의 입자직경은 가늘고 균일한 편이 보다 현저했다. 또, 상기 반응억제제의 분말에 분산시켜도 마찬가지의 효과를 확인했다.

[실시예 9]

이하, 본 발명의 제9실시예에 대해서 설명한다.

실시예 7 및 8과 마찬가지로 해서 제15도에 표시한 (7)~(13)의 공정을 거친 후, SiO₂, TiO₂, Al₂O₃, MgO, ZrO₂중의 적어도 1종류 이상의 분말을 분산시킨 무전해Ni도금층을 부착(14)하고, 이하 (15)~(17)의 공정을 거침으로서, 제11도에 표시한 내환원성이 뛰어난 보호층(5)을 가진 배리스터소자(1)틀 얻었다.

실시예 5에서 얻어진 보호층(5)은, 재산화(16)에, NI와 SiO₂, TiO₂, Al₂O₃, MgO, ZrO₂중의 적어도 1종류 이상의 분말이 분산하고, 내환원성이 뛰어나고, 또 고저항의 보호층(5)을 형성한다. 이 경우, 분산시키는 분말의 입자직경이 가늘고 균일하고 또, 순도가 높은 쪽이 현저했다. 또, 상기 각종 분말이외에 유리분말에서도 마찬가지의 효과가 있었다.

이상, 이와 같은 상기 각 실시예 7~9에 의해 얻어진 배리스터소자(1)에서는, 배리스터소자(1)의 표면전체와 외부전극(3a)의 표면에 치밀한 구조의 보호층(5)과 피막층(5)이 형성되어 있기 때문에, 주위의 환경, 예를 들면, 습도, 가스, 산, 알칼리 등의 영향을 받기 어렵게 된다. 또, 표면을 경질의 보호층(5)으로 덮여 있으므로, 기계적강도가 향상하는 것이다.

또, 제조공정 상 중요한 것은 (Ⅰ) 무전해Ni 도금층을 부착할 때, 유리형성용물질을 부착할 때에는, 배리스터소자(1)의 표면에 불순물의 부착이 없도록, 순수나 이온교환수에 의해서 충분히 세정해둔다.

또, 배리스터소자(11)표면에 형성된 보호층(5)은 Ni도금층(4a)과 땜납도금층(4b)을 부착(17)하는 공정시에, 발생하는 수소가스의 영향에 의해서, 그 표면의 일부가 환원되고 저항치가 저하하는 경우가 있다. 띠라서, 이 현상을 방지하기 위하여, (Ⅳ) 상기 실시예 8에서 표시한 바와 같이, 보호층(5)의 표면에, 유리층(21)을 형성하고, 수소가스의 영향을 방지하는 것이 바람직하다.

(Ⅴ) 상기 실시예 9에서 표시한 바와 같이, 내환원성의 보호층(5)을 형성하고, 수소가스의 영향을 방지하는 것이 바람직하다.

또, 상기 실시예 8에서 표시한 바와 같이, 유리층(21)을 형성하는 경우, 상층(3b)표면에도 유리층(21)이 형성되는 경우가 있고, 도금공정(17)을 실시해도 도금층 부착하기 어려운 경우가 있다. 따라서, 그것을 해결하기 위하여, (Ⅶ) 상층(3b)표면에, 미리 세탁풀이나 에틸셀룰로스 등의 다당류로 이루어진 풀이나 폴리비닐알콜, 비닐아세테이트 등으로 이루어진 레지스트막을 형성하고 그후, 유리형성용 물질을 부착(18), 열처리(19)하고, 레지스트막을 탄화시키고, 초음파세정기 등에 의해서 제거하는 공정을 가진 것이 바람직하다. 그리고, 이 레지스트막을 형성할 때, 염료나 안료를 혼합함으로써, 레지스트막이 균일하게 형성할 수 있는지 어떤지를 확인할 수 있다.

또한, 상기 실시예에 있어서, 소자표면에 형성하는 금속피막층(6), 금속산화물의 보호층(5)은, Ni에 대해서 표시했으나, 이것 이외의 산화물로서 저항이 높고, 내약품성이 있는 금속이면, 어떤 것이어도 상관없다. 그리고, 그 형성방법도, 무전해도금에 대해서만 표시했으나, 증착, 스퍼터링, 디프, 용사(溶射), 인쇄 등에 의해서 형성해도 마찬가지의 효과가 얻어진다.

또, 실시예 7∼8의 적층배리스터는, 배리스터소자(1)의 표면에 보호층(5)과 피막층(6)을 형성하고 있기 때문에, Ag 외부전극(3b)을 내부전극(2)과의 사이에서 마이그레이션이 일어나기 어렵다.

그러나, 실시예 7~8의 적층배리스터는 외부전극(3)에 피막층(6)이 형성되는 구조가 되고, 그 피막층(6)은 물리적으로 접착하고 있고 화학적인 접착에 비해 그 접착강도는 약간 약해진다. 따라서, 실시예 1~6의 적층배리스터에 비해, 내서지특성, 내펄스특성이 약해지는 경우가 있다.

다음에, 실시예 1~9에서 얻어진 결과로부터 제조공정상 포인트가 되는 항목에 대해서 열거하면, (1) 유리층(21)의 두께에 관해서는 1~3μm의 범위가 적당했다. 1μm 미만에서는 두께의 균일성이 부족하고, 구멍뚫림이나 긁힘등이 발생했다. 반대로 3μm를 넘으면 균일성은 증가하나, 열충격에 의한 박리나 크랙 등의 발생이 일어나기 쉬운 경향이 있었다.

(2) 또, 유리형성용 물질의 부착(18)을 디프방식에 의해서 실시한 경우, 외부전극(3b) 근처에서 부착두께가 증가하고, 박리나 크랙발생의 원인이 되는 경우가 있다. 따라서, 이 경우, (Ⅰ) 디프 후에 원심분리기를 사용해서 여분의 용액을 제거하고, 다음 공정의 열처리(19)를 실시하면, 균일한 두께가 되고 박리나 크랙의 발생이 억제된다. 그리고, 이 경우, 1사이클보다 복수회 실시하는 편이 더욱 효과가 있었다.

(Ⅱ) 유리형성용물질에 바늘형상의 결정성분을 분산시키면, 크랙의 신전을 억제하거나, 또 앵커효과에 의해 보호층(5)과 보다 강고하게 접착하여 박리가 억제된다.

이상의 공정을 실시함으로써, 외부전극(3b) 근처에서의 부착두께도 균일하게 되고 박리나 크랙의 발생이 억제되는 것을 확인했다.

(3) 보호층(5)의 두께에 관해서는 1~6μm의 범위가 적당했다. 1μm 미만에서는 두께의 균일성이 부족하고, 구멍뚫림이 발생하고 내습성이 확보되지 않았다. 반대로, 6μm를 넘으면 Ni가 수축하여 배리스터소자(1)의 갈라짐이나 크랙이 발생하거나, 또, 재산화가 곤란해지는 경향이 있었다. 현실적으로는 3μm 정도가 가장 바람직한 두께였다.

(4) 무전해 Ni 도금액에 분말을 분산시키는 경우, 분말의 양은 도금액 100ml에 대해서 5g 정도가 적당하고, 조금씩 수시로 첨가해서 교반하면서 도금을 실시하는 것이 바람직하다.

(5) 또, 유리형성용물질의 부착(18)을 침지(디프)하는 방법을 표시했으나, 디프 이외에 용사, 인쇄 등의 방법에 의해서 부착해도 마찬가지의 효과가 얻어진다.

또, 실시예 1~9에 있어서, 적층배리스터를 예로 들었으나, 본 발명은 콘덴서, 더미스터, 세라미스터, 배리스터, 암전소자, 페라이트, 세라믹기판 등 세라믹자기를 사용하는 것이나 그렇지 않은 것, 또, 그 형상도 디스크형, 원통형, 적층형 등 무엇으로도 적용할 수 있는 것이다.

이상, 본 발명에 의하면, 먼저, 소자에 적어도 1쌍의 전극을 형성하고, 다음에 소자의 전극형성부 이외의 표면전체에 금속피막층을 부착하고, 그후, 산화분위기속에서 열처리하고, 금속산화물로 이루어진 보호층을 형성하고, 또, 전극표면에 도금층을 형성한다.

이 구성에 의해 소자표면에 저항이 높고, 치밀한 구조의 보호층을 형성할 수 있다.

이 때문에, 소자의 구조가 다공성일 경우에도 치밀한 보호층에 의해서 주위의 환경, 예를 들면 습기, 가스, 산 알칼리 등의 영향을 받기 어렵게 할 수 있다.

또, 소자의 표면저항이 낮은 경우에도, 그 표면에 저항이 높은 금속산화물로 이루어진 보호층에 의해서, 예를 들면 누출전류를 억제하거나, 도금흐름, 도금액에 의한 에칭 등을 억제할 수 잇다.

또, 이 보호층은 크랙이나 비뚤어짐이 생기기 어렵고, 치밀하고 균질이며 견고하므로, 소자표면의 기계적강도를 높이고, 제조공정 중이나 실장시에 받는 충격에 의한 외상이나 비뚤어짐의 발생을 방지할 수 있다.

이와 같이, 본 발명의 전자부품은 신뢰성이 뛰어난 것으로서 실용상의 효과도 매우 크다.

Claims

세라믹층과 내부전극을 교호로 적층한 적층체와, 이 적층체의 내부전극이 노출된 단면에 형성한 외부전극과, 상기 적층체의 상기 외부 전극의 비형성부분에 형성한 보호층과, 상기 외부 전극표면에 형성한 도금층을 구비하고, 상기 외부전극은 2층 구조이고, 하층은 상기 적층체의 단면에만 형성함과 동시에 상기 내부전극과 동일한 금속성분을 가지고, 상층은 하층을 피복함과 동시에 상기 적층체의 측면에 이르도록 형성한 것을 특징으로 하는 전자부품.
제1항에 있어서, 보호층의 표면에 유리층을 형성한 것을 특징으로 하는 전자부품.
제1항에 있어서, 보호층의 저항을 소자의 저항보다도 높게 한 것을 특징으로 하는 전자부품.
제1항에 있어서, 보호층은 내환원성을 가진 금속산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 전자부품.
제1항에 있어서, 보호층은 유리를 함유한 것을 특징으로 하는 전자부품.
제1항에 있어서, 소자와 전극과의 사이에 금속피막층을 형성하는 동시에, 보호층의 표면에 유리층을 형성한 것을 특징으로 하는 전자부품.
제6항에 있어서, 보호층과 금속피막층은 유리를 함유한 것을 특징으로 하는 전자부품.
세라믹시트와 내부전극을 교호로 적층한 적층체를 형성하는 제1공정과, 다음에 상기 적층체의 내부전극의 노출된 단면에만 하층외부전극을 형성하는 제2공정과, 다음에 상기 적층체를 소성 후 상기 하층외부전극을 덮고, 또한 상기 적층체 측면에 이르도록 상층외부전극을 형성하는 제4공정과, 그후 상기 적층체의 상기 상층외부전극비형성부분에 금속피막층을 형성하는 제5공정과, 다음에 상기 적층체를 산화분위기 속에서 열처리하고, 상기 금속피막층을 산화시키고, 금속산화물로 이루어진 보호층을 형성하는 제6공정과, 다음에 상기 상층외부전극표면에 도금층을 형성하는 제7공정을 구비한 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법.
제8항에 있어서, 상기 제7공정 후에 적층체를 과산화수소의 알칼리용액 속에 침지하고, 보호층을 산화시키는 제8공정을 가지는 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법.
제8항에 있어서, 상기 제5공정에 있어서 금속피막층은 무전해도금에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법.
제10항에 있어서, 무전해도금의 재료로서 Ni, Cu중 어느 한쪽을 주성분으로 하는 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법.
제8항에 있어서, 상기 제6공정 후 상기 제7공정 전에 적층체를 유리형성용 물질을 함유한 액체 속에 침지하고, 상기 적층체를 상기 액체 속에서 꺼낸 후 열처리하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법.
제12항에 있어서, 액체는, Si(OR)₄(R은 알킬기), (화 1)로 표시되는 규소화합물, Ti(OR)₄(R은 알킬기), (화 2)로 표시되는 티탄화합물, Al(OR)₃(R은 알킬기), (화 3)으로 표시되는 알루미늄화합물중의 적어도 1종류 이상과, 적어도 유리질형성제와, 유기바인더와, 유기용제를 함유한 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법.

(화 1) [R_nSi(OH)_4-n] 단, R=알킬기, n=0~4

(화 2) [R_nTi(OH)_4-n] 단, R=알킬기, n=0~4

(화 3) [R_nAl(OH)_4-n] 단, R=알킬기, n=0~4
제8항에 있어서, 상기 제6공정 후, 상기 제7공정 전에 있어서, 상층 외부 전극표면에 레지스트막을 형성하고, 다음에, 적층체를 유리형성용 물질을 함유한 액체 속에 침지하고, 다음에 상기 적층체를 상기 액체 속에서 꺼내어 열처리를 행하고 유리층을 형성하는 동시에 상기 레지스트막을 탄화시키고, 그후 상기 레지스트막을 세정 제거하는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법.
세라믹스시트와 내부전극을 교호로 적층한 적층체를 형성하는 제1공정과, 다음에 상기 적층체의 내부전극의 노출된 단면에만 하층외부전극을 형성하는 제2공정과, 다음에 상기 적층체를 소성 후 상기 적층체표면의 상기 하층외부전극의 비형성부에 전체에 금속피막층을 형성하는 제3공정과, 그후 상기 하층외부전극을 피복하고 또한 상기 적층체 측면에 이르도록 상층외부전극을 형성하는 제4공정과, 그후 상기 적층체를 산화분위기 속에서 열처리하고, 상기 금속피막층을 산화시켜서 금속산화물로 이루어진 보호층을 형성하는 제5공정과, 다음에 상기 상층외부전극표면에 도금층을 형성하는 제6공정을 구비한 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법.
제15항에 있어서, 상기 제6공정 후, 적층체를 과산화수소의 알칼리용액 속에 침지하고, 보호층을 산화시키는 제7공정을 가진 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법.
제8항에 있어서, 상기 제6공정 후 상기 제7공정 전에 있어서, 적층체를 수지성분을 포함하는 액체 속에 침지하고, 이어서 상기 적층체를 상기 액체속으로부터 꺼내어 열처리를 행하고 수지성분을 경화시키는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법.
제15항에 있어서, 상기 제3공정에 있어서 금속피막층은 무전해도금에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법.
제18항에 있어서, 무전해도금의 재료로써 Ni, Cu 중 어느 한쪽을 주성분으로 하는 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법.
제15항에 있어서, 상기 제5공정 후 상기 제6공정 전에 적층체를 유리형성용 물질을 포함하는 액체 속에 침지하고, 상기 적층체를 상기 액체 속으로부터 꺼낸 후 열처리하는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법.
제20항에 있어서, 액체는, Si(OR)₄(R은 알킬기), (화 4)로 표시되는 규소화합물, Ti(OR)₄(R은 알칼기), (화 5)로 표시되는 티탄화합물, Al(OR)₃(R은 알킬기), (화 6)으로 표시되는 알루미늄화합물 중 적어도 1종 이상과, 적어도 유리질형성제와, 유기바인더와, 유기용제를 함유한 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법.

(화 4) [R_nSi(OH)_4-n] 단, R=알킬기, n=0~4

(화 5) [R_nTi(OH)_4-n] 단, R=알킬기, n=0~4

(화 6) [R_nAl(OH)_4-n] 단, R=알킬기, n=0~4
제15항에 있어서, 상기 제5공정 후 상기 제6공정 전에 있어서, 상층외부전극표면에 레지스트막을 형성하고, 다음에 적층체를 유리형성용물질을 포함하는 액체 속에 침지하고, 다음에 상기 적층체를 상기 액체 속으로부터 꺼내어 열처리를 행하고 유리층을 형성함과 동시에 상기 레지스트막을 탄화시키고, 그후 상기 레지스트막을 세정 제거하는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법.
제15항에 있어서, 상기 제5공정 후 상기 제6공정 전에 있어서, 적층체를 수지성분을 포함하는 액체 속에 침지하고, 다음에 상기 적층체를 상기 액체 속으로부터 꺼내어 열처리를 행하고 수지성분을 경화시키는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법.
세라믹시트와 내부전극을 교호로 적층한 적층체를 형성하는 제1공정과, 다음에 상기 적층체의 내부전극의 노출된 단면에만 하층외부전극을 형성하는 제2공정과, 다음에 상기 적층체를 소성 후, 상기 적층체표면 및 상기 하층외부전극의 표면전체에 금속피막층을 형성하는 제3공정과, 그 후 상기 하층외부전극을 피복하고 또한 상기 적층체측면에 이르도록 상층외부전극을 형성하는 제4공정과, 그후, 상기 적층체를 산화분위기 중에서 열처리하고 상기 금속피막층의 상기 상층외부전극으로 덮여져 있지 않은 부분을 산화시키고, 금속산화물로 이루어진 보호층을 형성하는 제5공정과, 다음에 상기 상층외부전극표면에 도금층을 형성하는 제6공정을 구비한 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법.
제24항에 있어서, 상기 제6공정 후 적층체를 과산화수소의 알칼리용액 속에 침지하고, 보호층을 산화시키는 제7공정을 가진 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법.
제24항에 있어서, 상기 제3공정에 있어서, 금속피막층은 무전해도금에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법.
제26항에 있어서, 무전해도금의 재료로써 Ni, Cu 중 어느 한쪽을 주성분으로 하는 것을 사용하는 전자부품의 제조방법.
제24항에 있어서, 상기 제5공정 후 상기 제6공정의 전에, 적층체를 유리형성용물질을 포함하는 액체 속에 침지하고, 상기 적층체를 상기 액체 속으로부터 꺼낸 후, 열처리하는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법.
제28항에 있어서, 액체는, Si(OR)₄(R은 알킬기), (화 4)로 표시되는 규소화합물, Ti(OR)₄(R은 알칼기), (화 8)로 표시되는 티탄화합물, Al(OR)₃(R은 알킬기), (화 9)로 표시되는 알루미늄화합물 중 적어도 1종류 이상과, 적어도 유리질형성제와, 유기바인더와, 유기용제를 함유한 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법.

(화 7) [R_nSi(OH)_4-n] 단, R=알킬기, n=0~4

(화 8) [R_nTi(OH)_4-n] 단, R=알킬기, n=0~4

(화 9) [R_nAl(OH)_4-n] 단, R=알킬기, n=0~4
제24항에 있어서, 상기 제5공정 후 상기 제6공정의 전에 있어서, 상층외부전극표면에 레지스트막을 형성하고, 다음에 적층체를 유리형성용물질을 포함하는 액체 속에 침지하고, 다음에 상기 적층체를 상기 액체 속으로부터 꺼내어 열처리를 행하고 유리층을 형성함과 동시에 상기 레지스트막을 탄화시키고, 그후 상기 레비스트막을 세정 제거하는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법.
제24항에 있어서, 상기 제5공정 후 상기 제6공정 전에 있어서, 적층체를 수지성분을 포함하는 액체 속에 침지하고, 다음에 상기 적층체를 상기 액체 속으로부터 꺼내어 열처리를 행하고, 수지성분을 경화시키는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법.