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KR100252303B1 - 반도체칩 슬레이브 검사장치 - Google Patents

반도체칩 슬레이브 검사장치 Download PDF

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KR100252303B1 KR1019970037617A KR19970037617A KR100252303B1 KR 100252303 B1 KR100252303 B1 KR 100252303B1 KR 1019970037617 A KR1019970037617 A KR 1019970037617A KR 19970037617 A KR19970037617 A KR 19970037617A KR 100252303 B1 KR100252303 B1 KR 100252303B1
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Abstract

개시된 내용은 완성된 반도체칩이나 반도체칩모듈의 품질을 검사하는 반도체칩 슬레이브 검사장치에 관한 것이다. 본 발명의 검사장치는 장착된 반도체칩 또는 반도체칩모듈에 인가할 제어신호, 어드레스신호 및 데이타신호를 발생시키고 최종검사결과를 입력받는 중앙제어부와, 중앙제어부로부터 출력된 제어신호, 어드레스신호 및 데이타신호를 입력받아 고출력의 신호로 변환하여 출력하는 신호구동부, 및 내부의 반도체칩 및 반도체칩모듈의 출력값을 비교하여 양품과 불량을 판단하는 슬레이브 결정부로 구성된다. 따라서, 본 발명은 검사할 반도체칩 및 반도체칩모듈의 수에 따라 신호선이 증가되는 문제점을 해결하고 검사시간과 검사비용을 줄임으로써 생산성을 향상시키는 효과를 제공한다.

Description

반도체칩 슬레이브 검사장치
본 발명은 반도체칩 검사장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 양품과 검사할 반도체칩의 데이타신호를 각각 비교하여 불량여부를 판별하는 반도체칩 슬레이브 검사장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체칩 검사는 제품완성후 양품을 판별하는 최종적인 과정으로서, 다량의 제품을 효율적으로 검사할 수 있는 반도체칩 검사장치가 요청되고 있다.
도 1은 종래의 반도체칩 검사장치인 마스타 검사장치를 도시한 것이다.
도 1a는 한 개의 반도체칩(30)을 검사하는 블럭도이고, 도 1b는 반도체칩모듈(31)을 검사하는 블럭도이다.
도 1a 및 도 1b에 도시한 바와 같이, 종래의 마스터 검사장치는 각종 신호를 발생하는 중앙검사부(10)와, 반도체칩(30)이나 반도체칩모듈(31)을 장착하여 신호를 입출력하는 핸들러(20)로 구성된다.
중앙검사부(10)는 제어신호(C), 어드레스신호(A) 및 데이타신호(D)를 발생하고, 이 신호들은 해당 신호선을 통해 핸들러(20)에 인가된다.
제어신호(C)는 반도체칩(30)과 반도체칩모듈(31)을 동작시키는 신호이다. 어드레스신호(A)는 메모리칩 검사시 번지(address, 위치나 주소)를 지정하는 신호이다. 데이타신호(D)는 메모리칩의 경우 지정번지에 기록할 신호이거나 이미 기록된 내용을 출력한 신호이고, 비메모리칩의 경우 일정한 입력에 대한 결과출력신호이다. 단, 데이타신호(D)만큼은 메모리칩과 비메모리칩에서 전송 및 처리과정이 다르다. 즉, 검사할 반도체칩(30)이 메모리칩인 경우, 메모리칩에 기록(write)할 데이타신호(D)가 중앙검사부(10)로부터 출력되어 지정번지에 기록되고, 일정시간이 경과한 후 메모리에 기록(write)된 데이타가 읽혀져(read) 다시 중앙검사부(10)로 입력된다. 하지만 비메모리칩인 경우, 어드레스신호(A)에 의해 지정된 번지에 이미 기록(write)되어 있는 데이타가 읽혀져서(read) 중앙검사부(10)로 이동된다. 중앙검사부(10)에서는 이 데이타신호(D)를 양품의 반도체칩 신호와 비교하여 불량유무를 판별한다.
도 2는 종래 마스터 검사장치로 4M×64 DRAM 반도체칩 2개를 검사하는 실시예를 나타낸 것이다.
중앙검사부(10)는 제어신호(C), 어드레스신호(A), 데이타신호(D)를 출력하여 각 DRAM에 보낸다. 각 DRAM에 사용되는 신호선의 수를 살펴보면, 제어신호(C)는 14선, 어드레스신호(A)는 24선, 데이타신호(D)는 64선이 필요하다. 그러나 도 2의 예시와 같이, 2개의 DRAM(30a,30b)을 검사할 경우에는 신호전송선 및 중앙검사부의 신호보드(board)수가 2배로 증가하고, 또한 중앙검사부(10)의 신호처리용 기판상에서 차지하는 점유면적이 증가한다. 일예로 4개의 DRAM을 검사하려면 각 신호선이 4배씩 필요하고, 따라서 신호구동 보드수 및 점유면적이 그만큼 증가하게 된다.
하지만, 위와 같이 구성된 종래의 반도체칩 검사장치는 검사할 반도체칩의 수에 따라 검사용 보드수 및 점유면적이 증가할 뿐만아니라, 각종 신호를 전송하는 버스선의 수도 선형적으로 증가되는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은 각각의 슬레이브 검사단에서 양품과 검사할 반도체칩의 데이타신호를 비교하여 불량여부를 판별하므로 검사할 반도체칩의 수에 따라 선형적으로 신호선을 증가시킬 필요가 없으며, 검사시간을 단축하고 검사비용의 절감을 통해 검사공정의 효율을 높일 수 있는 반도체칩 슬레이브 검사장치를 제공함에 있다.
도 1은 반도체칩을 검사하는 종래 마스터 검사장치의 블럭도.
도 2는 종래 마스터 검사장치에 의해 4M×64 DRAM 2개를 검사하는 예시도.
도 3은 본 발명에 따른 반도체칩 슬레이브 검사장치 전체를 나타내는 블록도.
도 4는 본 발명에 따른 반도체칩 슬레이브 검사장치의 동작을 설명하기 위한 부분블럭도.
도 5는 16개의 4M×64 DRAM 메모리칩을 검사하는 예시도.
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 중앙검사부 20,20a,20b : 핸들러(handler)
30,30a,30b : 반도체칩 31 : 반도체칩모듈
40 : 중앙제어부 50 : 신호구동부
60 : 슬레이브(slave)검사부
601 : 슬레이브검사단 601a : 반도체칩 장착핸들러
601b : 데이타 비교처리단 601c : 전원공급장치
70a : 양품 반도체칩 70b : 검사용 반도체칩
D : 데이타 신호 A : 어드레스 신호
C : 제어신호 R : 검사결과신호
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 장착된 반도체칩 또는 반도체칩모듈에 인가할 제어신호(C), 어드레스신호(A) 및 데이타신호(D)를 발생시키고 최종결과를 입력받는 중앙제어부(40)와, 중앙제어부(40)에서 입력된 제어신호(C), 어드레스신호(A) 및 데이타신호(D)를 다수의 고출력신호로 바꾸어 출력하는 신호구동부와, 양품과 검사할 반도체칩의 데이터를 비교검사하여 불량여부를 판별하는 슬레이브 검사부가 있다. 슬레이브 검사부는 다수의 슬레이브 검사단으로 구성된다. 각 슬레이브 검사단은 반도체칩 및 반도체칩모듈을 장착하는 반도체칩 장착핸들러와, 반도체칩 또는 반도체칩모듈로부터 출력된 데이타값을 비교하여 양품과 불량을 판별하는 데이타 비교처리단으로 구성하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 기술하기로 한다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체칩 슬레이브 검사장치의 전체 블록도이고, 도 4는 슬레이브 검사부(60)중 한 단의 슬레이브 검사단(60)만을 표시하여 동작상황과 신호이동을 도시한 부분블럭도이다.
도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체칩 슬레이브 검사장치는 각종 신호를 발생하는 중앙제어부(40)와, 중앙제어부(40)로부터 입력된 신호를 다수의 고출력신호로 변환시키는 신호구동부(50) 및 반도체칩(10)을 검사하는 다수의 슬레이브 검사단(601)으로 이루어진 슬레이브 검사부(60)를 구비하고 있다.
상기 중앙제어부(40)에서는 제어신호(C), 어드레스신호(A) 및 데이타신호(D)를 발생하여 신호구동부(50)로 출력하며, 슬레이브 검사부(60)로부터 검사결과신호(R)를 입력받는다.
상기 신호구동부(50)는 중앙제어부(40)로부터 입력받은 각종 신호를 다수의 고출력의 신호로 변환한 후 슬레이브 검사부(60)로 출력하는데, 이는 다수의 슬레이브 검사단(601)에 동일신호를 공통적으로 인가시키기 위한 것이다.
전술한 바와 같이, 슬레이브 검사부(60)는 다수의 슬레이브 검사단(601)을 구비하고 있다. 각 슬레이브 검사단(601)은 반도체칩 장착핸들러(601a), 데이터 비교처리단(601b) 및 전원공급장치(601c)로 구분된다.
반도체칩 장착핸들러(601a)는 검사하고자 하는 반도체칩이나 반도체칩모듈을 장착하여 해당된 핀에 각종신호를 입출력한다. 그리고 반도체칩검사를 위한 데이타신호를 데이타 비교처리단(601b)으로 출력한다.
데이타 비교처리단(601b)은 반도체칩 장착핸들러(601a)에 장착된 양품과 검사할 반도체칩의 동일위치 핀에서 출력되는 데이타신호(D)를 병렬적으로 비교검사한다. 두 신호의 비교는 디지탈비교기(digital comparator)를 사용하며, 비교값이 일치하지 않은 경우, 데이타 비교처리단은 검사할 반도체칩을 불량으로 판정한다.
도 5는 본 발명의 반도체칩 슬레이브 검사장치에 의해 4M×64 DRAM반도체 16개를 검사하는 실시예를 도시한 것이다.
도 5에 도시한 바와 같이, 실시예에 의한 본 발명의 반도체칩 슬레이브 검사장치는 각종신호를 발생하는 중앙제어부(40)와, 고출력신호로 변환하는 신호구동부(50) 및 다수의 슬레이브 검사단(601)을 구비하는 슬레이브 검사부(60)로 구성된다.
중앙제어부(40)에서는 양품의 반도체칩과 검사할 반도체칩을 동작시키기 위한 제어신호(C)와 어드레스신호(A) 및 데이타신호(D)를 발생한다.
종래 마스타 검사장치와 같이, 본 발명에 따른 반도체칩 슬레이브 검사장치에서도 메모리칩과 비메모리칩의 데이타신호(D)의 발생 및 처리과정에 차이가 있다. 하지만 데이타신호(D)의 이동경로는 기존의 마스타 검사장치와 차이가 있다. 검사할 반도체칩이 메모리칩인 경우에, 처음에는 메모리칩에 기록(write)할 데이타가 중앙제어부(40)에서 출력되어 양품과 검사할 반도체칩의 지정번지에 기록(write)되고, 일정시간이 경과한 후 두 반도체칩에 기록된 데이타가 읽혀져(read) 데이타 비교처리단(601b)으로 입력된다. 그러나 비메모리칩인 경우에는 어드레스신호(A)에 의해 지정된 번지의 데이타가 읽혀져서(read) 데이타 비교처리단(601b)으로 이동된다. 이후 데이타 비교처리단(601b)에서는 이 두가지의 데이타신호(D)를 비교하여 불량유무를 판별한다.
신호구동부(50)는 중앙제어부(40)에서 입력된 신호를 다수의 동일한 신호로 복제하고, 고출력신호로 변환하여 출력한다.
각 슬레이브 검사부(601)는 반도체칩 장착핸들러(601a), 데이터 비교처리단(601b) 및 전원공급장치(601c)로 구성된다. 반도체칩 장착핸들러(601a)는 양품의 반도체칩과 검사해야 할 반도체칩이나 반도체칩모듈을 장착하여 각 핀에 해당신호를 입출력할 수 있도록 설계되어 있다. 데이타 비교처리단(601b)은 반도체칩 장착핸들러(601a)에 장착된 양품과 검사할 반도체칩의 동일위치 핀에서 출력된 데이타신호(D)를 병렬적으로 비교하여 양품과 불량을 판단한다. 두 신호의 비교는 디지탈비교기(digital comparator)를 사용하며, 비교값이 일치하지 않은 경우에 불량으로 판정한다. 양품과 불량이 판별되면 데이터 비교처리단(601b)에서는 결과를 중앙제어부(40)로 전송하고, 데이터 비교처리단(601b)자체에서 결과를 전시한다. 전원공급장치(601c)는 다수의 반도체칩이나 반도체칩모듈 검사시 각 슬레이브 검사단(601)에 쓰이는 전력을 공급하여 과부하로 인한 피해를 방지하기 위한 것이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체칩 슬레이브 검사장치의 상세구성도이다. 도시한 바와 같이, 슬레이브 검사부(60)는,
신호구동부(50)으로부터 제어신호(C), 어드레스신호(A), 데이타신호(D), 검사결과신호(R)를 입출력하는 다수의 슬레이브 검사단(601)으로 이루어진다. 따라서 검사할 반도체칩이 증가하더라도 신호구동부(50)와 슬레이브 검사단(601)은 신호선을 공유하므로써 신호선의 증가를 억제할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 하나의 신호를 다수의 동일한 신호로 복제하고, 복제된 신호를 고출력신호로 변환하여 반도체칩 검사에 이용한다. 또한, 양품과 검사할 반도체칩의 동일한 위치의 핀에서 출력된 데이터를 각각 비교하는 슬레이브 검사방법을 채택하여 검사시간과 검사비용을 줄임으로써, 저가의 비용으로도 다수의 반도체칩을 검사하여 생산성을 향상시키는 효과를 제공한다.

Claims (14)

  1. 반도체칩 검사장치에 있어서,
    다수의 반도체칩 및 반도체칩모듈에 대해 검사동작을 제어하기 위한 제어신호, 해당번지를 지정하기 위한 어드레스신호, 및 해당번지에 기록(WRITE)할 검사용 데이타신호를 발생시키고 검사결과를 입력받는 중앙제어부;
    상기 중앙제어부에서 입력된 제어신호, 어드레스신호 및 데이타신호를 고출력의 신호로 구동하여 출력하는 신호구동부; 및
    상기 신호구동부로부터 고출력의 신호를 입력하고 장착된 반도체칩 또는 반도체칩모듈을 검사하는 슬레이브 검사단이 다수 구비된 슬레이브 검사부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체칩 슬레이브 검사장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 검사장치는 각 슬레이브 검사단으로 신호전송시 신호전송선을 공유하는 것을 특징으로 하는 반도체칩 슬레이브 검사장치.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 검사장치는 메모리칩과 비메모리칩을 검사절차를 달리하는 것을 특징으로 하는 반도체칩 슬레이브 검사장치.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 반도체칩 검사장치는 메모리칩 검사시 메모리칩에 검사할 데이타신호를 쓴(WRITE)다음, 읽은(READ) 데이타신호를 비교하는 것을 특징으로 하는 반도체칩 슬레이브 검사장치.
  5. 제 3항에 있어서, 상기 반도체칩 검사장치는 비메모리칩 검사시 제어신호에 의해 비메모리칩에서 읽은(READ) 데이타만을 비교하는 것을 특징으로 하는 반도체칩 슬레이브 검사장치.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 중앙제어부는 반도체칩모듈 검사시, 검사할 반도체칩모듈에 탑재된 보조소자를 작동시키는 신호를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체칩 슬레이브 검사장치.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 중앙제어부의 검사결과는 슬레이브 검사부의 각 슬레이브 검사단에서 검사한 불량여부신호인 것을 특징으로 하는 반도체칩 슬레이브 검사장치.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 신호구동부는 입력된 신호를 2개 이상의 동일한 신호로 복제하는 것을 특징으로 하는 반도체칩 슬레이브 검사장치.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 신호구동부는 복제된 다수의 신호를 고출력신호로 변환하기 위해 능동소자를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체칩 슬레이브 검사장치.
  10. 제 1항에 있어서, 상기 슬레이브 검사부의 각 슬레이브 검사단은,
    다수의 반도체칩 및 반도체칩모듈을 장착하여 신호구동부에서 출력된 신호를 입력하고 데이타 비교처리단으로 데이타신호를 출력하는 반도체칩 장착핸들러;
    다수의 반도체칩 및 반도체칩모듈의 불량여부를 검사하는 데이타 비교처리단; 및
    슬레이브 검사단 자체 동작을 위한 전원공급장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체칩 슬레이브 검사장치.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 데이타 비교처리단은 반도체칩 검사결과를 저장하고 전시하는 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체칩 슬레이브 검사장치.
  12. 제 10항에 있어서, 상기 데이타 비교처리단은 반도체칩 검사시 양품 반도체칩의 데이타와 검사할 반도체칩의 데이타를 비교검사하는 것을 특징으로 하는 반도체칩 슬레이브 검사장치.
  13. 제 12항에 있어서, 상기 데이타 비교처리단은 반도체칩 및 반도체모듈의 각 핀으로부터 출력되는 데이타신호와 양품의 데이타신호를 병렬적으로 비교검사하는 것을 특징으로 하는 반도체칩 슬레이브 검사장치.
  14. 제 12항에 있어서, 상기 데이타 비교처리단은 데이타 비교검사시 양품 반도체칩의 데이타신호와 검사할 반도체칩의 데이터신호가 일치할 경우 양품을 판정하고, 불일치할 경우 불량을 판정하는 것을 특징으로 하는 반도체칩 슬레이브 검사장치.
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