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KR100211008B1 - 액정표시패널 - Google Patents

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KR100211008B1
KR100211008B1 KR1019950016316A KR19950016316A KR100211008B1 KR 100211008 B1 KR100211008 B1 KR 100211008B1 KR 1019950016316 A KR1019950016316 A KR 1019950016316A KR 19950016316 A KR19950016316 A KR 19950016316A KR 100211008 B1 KR100211008 B1 KR 100211008B1
Authority
KR
South Korea
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data signal
signal lines
active matrix
pixel electrode
matrix substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
KR1019950016316A
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English (en)
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KR960001821A (ko
Inventor
토시히로 야마시타
마스미 꾸보
Original Assignee
쓰지 하루오
샤프 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=26446836&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR100211008(B1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 쓰지 하루오, 샤프 가부시키가이샤 filed Critical 쓰지 하루오
Publication of KR960001821A publication Critical patent/KR960001821A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100211008B1 publication Critical patent/KR100211008B1/ko
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    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Abstract

본 발명의 액정표시패널은 액티브매트릭스 기판을 포함한다. 상기 액티브매트릭스 기판은, 기판; 상기 기판에 행 및 열로 배열되고 액정을 구동하기 위한 복수의 화소전극; 대응하는 열의 화소전극에 데이타신호를 공급하기 위한 복수의 데이타 신호선; 상기 대응하는 열의 화소전극에 각 데이타 신호선을 전기적으로 접속하기 위한 복수의 스위칭소자; 상기 스위칭소자를 도통되도록 제어하기 위한 복수의 주사신호선; 상기 화소전극에 접속된 스위칭소자들의 단자에 각각 접속된 복수의 축적 용량을 포함한다. 상기 각각의 화소전극은 제1 영역에서 절연막이 협지된 상태로 데이타 신호선들중 대응하는 하나와 중첩하고 제2 영역에서 절연막이 협지된 상태로 인접 열의 화소전극들에 접속된 데이타 신호선들중 인접한 하나와 중첩한다. 상기 제1 영역에 형성된 제1 결합 용량은 제2 영역에 형성된 제2 결합 용량과 실질적으로 동일하다. 상기 액티브매트릭스 기판은 극성들이 필드간 또는 프레임간에 반전되는 데이타신호를 수신하며, 상기 극성들은 데이타 신호선들의 대응하는 일방과 인접한 일방간에서 상이하게 된다.

Description

액정표시패널
제1도는 본 발명의 제1 실시예에 의한 액티브매트릭스 기판의 한 화소부를 보인 평면도.
제2도는 본 발명의 제2 실시예에 의한 액티브매트릭스 기판의 한 화소부를 보인 평면도.
제3도는 본 발명의 제3 실시예에 의한 액티브매트릭스 기판의 한 화소부를 보인 평면도.
제4도(a)는 본 발명의 제4 실시예에 의한 액티브매트릭스 기판의 한 화소부를 보인 평면도.
제4도(b)는 제4도(a)의 IVb-IVb선에 따른 제4도(a)의 액티브매트릭스 기판의 단면도.
제5도는 종래 액정표시패널에 있어서의 액티브매트릭스 기판의 한 화소부를 보인 평면도.
제6도는 종래 액정표시패널에 있어서의 다른 액티브매트릭스 기판의 한 화소부를 보인 평면도.
제7도는 상기 한 화소부분의 등가회로를 보인 개략 회로도.
제8도는 본 발명의 제5 실시예에 의한 액티브매트릭스 기판의 한 화소부를 보인 평면도.
제9도(a)는 본 발명의 제6 실시예에 의한 액티브매트릭스 기판의 한 화소부를 보인 평면도.
제9도(b)는 제9도(a)의 IXb-IXb선에 따른 구조를 보인 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 석영기판 3a,3b,3c,3d,3e : 콘택트홀
11a,11b,31a,31b : 데이타 신호선 11c : 데이타 신호선의 부가부분
12 : 주사신호선 13 : TFT
14,24,64 : 화소전극 18 : 금속막
19 : 드레인전극 23 : 축적 용량
34 : 화소용량 35,36 : 결합 용량
101,102,103,104,105,106 : 액티브매트릭스 기판
113 : 반도체층 123 : 공통전극층
본 발명은 액티브매트릭스 기판을 사용한 액정표시패널에 관한 것으로, 특히 액티브매트릭스 기판의 구조에 관한 것이다.
액정표시패널은 컴퓨터용 디스플레이를 중심으로 프로젝터와 같은 오디오 비쥬얼장치에서 게임기와 같은 어뮤즈먼트 기기에 이르기까지 폭넓게 이용되고 있다.
금후 다양한 매체의 요구사항에 대응하기 위한 액정표시패널의 고정세화가 요망되고 있다.
제5도는 종래 액정표시패널에 사용되는 액티브매트릭스 기판의 평면도이다. 제7도는 1 화소에 대한 회로구조를 보인 개략 회로도이다.
제5도를 참조하면, 액티브매트릭스 기판(201)은 액정표시패널을 구동하기 위한 복수의 액정구동전극(이후, 화소전극이라 함)(54)이 체커보드 패턴(checkerboard pattern)으로 배치되어 있는 석영기판(1)을 포함한다. 상기 화소전극(54)에 데이타를 공급하기 위한 데이타 신호선(11a)과 인접 화소전극에 데이타를 공급하기 위한 데이타 신호선(11b)이 석영기판(1) 상에 형성되어 있다. 상기 데이타의 공급은 박막트랜지스터(이하, TFT라 함)로 구성된 스위칭소자(13)에 의해 제어된다. 상기 석영기판(1)은 또한 상기 데이타 신호선(11a, 11b)과 직교하는 복수의 주사신호선(12)이 설치되어 있고, 이 주사신호선(12)의 일부가 상기 스위칭소자(13)의 게이트로 된다. 상기 스위칭소자(13)의 소스(13a)는 콘택트홀(3a)을 통해 데이타 신호선(11a)에 접속되고, 그 드레인(13b)은 콘택트홀(3b)을 통해 화소전극(54)에 접속된다.
축적 용량(Cs)(23)은 화소전극(54)과 대향기판전극(도시되지 않음)사이에 형성된 액정용량(CLC)과 함께 화소용량(CP)을 형성한다. 상기 화소전극(54)과 데이타 신호선(11a) 사이에는 결합 용량(CSD1)(35)이 형성되며; 마찬가지로 상기 화소전극(54)과 상기 인접한 화소전극에 접속된 데이타 신호선(11b)사이에는 결합 용량(CSD2)(36)이 형성된다.
TFT(13)의 소스, 드레인, 및 채널은 석영기판(1)상에 형성된 반도체층(113)의 일부로부터 형성되며, 반면에 주사신호선(12)과 상기 축적 용량(23)중 하나의 공통전극(123)은 예컨대, 그 사이에 층간절연막을 협지한 상태로 상기 반도체층(113)위에 형성된 인으로 도핑된 폴리실리콘층으로 형성된다. 상기 하나의 전극(123)과 대향하는 상기 반도체층(113)의 일부(13c)는 축적 용량의 타방 전극으로 기능한다. 상기 데이타 신호선(11a, 11b)은 그 사이에 층간절연막이 개재된 상태로 상기 공통전극층상에 퇴적된 알루미늄층으로 형성되며, 상기 화소전극(54)은 그 사이에 층간절연막이 개재된 상태로 상기 알루미늄층위에 형성된 인듐산화주석막(이하, ITO라 함)으로 형성된다.
이하, 동작을 설명한다.
TFT(13)가 주사신호선(12)에서 공급되는 주사신호에 의해 선택되어 도통상태로 되면, 상기 데이타 신호선(11a)에서 공급된 데이타신호가 TFT(13)를 통해 유입되고 화소용량(34)에 기입된다. 데이타는 1필드 또는 프레임의 화면이 완성될때 까지 이와 같이 각 주사신호선(12)에 접속된 화소용량(34)에 기입된다.
그러나, 제5도에 도시된 종래의 액티브매트릭스 기판(201)에 있어서는, 화소전극(54)상의 액정에 인가되는 전계의 방향이 데이타 신호선(11a, 11b) 및 주사신호선(12)으로 부터의 상이한 전위의 영향을 받아 산란된다. 그 결과, 액정의 배향이 흩트러져 디스클리네이션라인이 발생하거나, 노멀리화이트표시에서는 광누출이 생겨 콘트라스트가 저하한다. 통상적으로, 이 문제는 액정의 배향이 산란되는 부분을 대향기판상에 형성된 블랙매트릭스로 마스킹하여 화질의 저하를 방지하고 있다.
일본국 특허공고공보 제4-74714호와 특허공개공보 제63-301924호 및 특허공개 공보 제58-172685호에는 상기 액티브매트릭스 기판(201)에서의 문제를 해결하기 위해, 예컨대, 제6도에 보인 바와 같이 화소전극(64)의 일부를 층간절연막을 협지한 채로 데이타 신호선(11a)에 중첩함으로써 전계의 산란을 감소시키는 것이 제안되어 있다. 이 경우, 화소전극의 중첩 부분에서는 데이타 신호선의 전위에 의한 화소전극상에서의 전계의 방향이 화소전극과 수직한 방향으로 되어, 이에 따라 화소전극상의 액정의 배향산란이 억제된다.
상기 종래의 액티브매트릭스 기판(201)은 크로스토크의 문제가 있다. 즉, TFT(13)가 비도통상태로 되어 화소용량(34)에 기입된 데이타신호가 유지되어 있는 상태에서는, 화소전위가 상기 결합 용량(35, 36)을 통해 데이타신호의 영향을 받는다. 따라서, 통상 행해지는 데이타신호의 극성을 필드마다 또는 프레임마다 반전하는 구동법에서는, 상기 결합 용량(35, 36)의 어느 일방 또는 양방이 화소용량(34)에 비해 무시할 수 없는 크기인 경우, 수직방향으로 크로스토크가 발생하게 된다. 이 문제를 해결하기 위해, 데이타 신호선들간의 데이타 신호 극성을 반전시킴으로써 액정을 구동시키는 것이 공지되어 있다(일본 특허공보 제5-43118호 참조). 이 구동방법에 의하면, 하나의 데이타 신호선에 인가되는 데이타신호선의 극성이 다음 데이타 신호선에 인가되는 극성과 다르기 때문에, 데이타 신호선에 의한 화소전위의 변동이 상쇄되게 된다.
그러나, 제6도에 보인 구조의 액티브매트릭스 기판(202)에서는 화소전극(64)과 이에 대응하는 데이타 신호선(11a)간의 결합 용량(CSD1)이, 이 화소전극(64)과 그 인접 열의 화소전극에 접속된 데이타 신호선(11b)간의 결합 용량(CsD2)보다 크게 되어, 역극성의 신호가 인가되는 인접한 데이타 신호선으로부터 화소전극에 미치는 영향을 충분히 상쇄시킬 수 없다. 따라서, 상기 구동법을 사용해도 크로스토크를 충분히 제거할 수 없다. 이에 따라 종래 액티브매트릭스 기판에 있어서는, 고정세화 액정표시패널을 개발함에 있어서 액정의 배향산란과 크로스토크의 발생을 동시에 방지할 수 없다.
본 발명의 액정표시채널은 액티브매트릭스 기판을 포함한다. 상기 액티브매트릭스 기판은, 기판; 상기 기판에 행 및 열로 배열되고 액정을 구동하기 위한 복수의 화소전극; 대응하는 열의 화소전극에 데이타신호를 공급하기 위한 복수의 데이타 신호선; 상기 대응하는 열의 화소전극과 각 데이타 신호선을 전기적으로 접속하기 위한 복수의 스위칭소자; 상기 스위칭소자가 도통되도록 제어하기 위한 복수의 주사신호선; 상기 화소전극에 접속된 스위칭소자들의 단자에 각각 접속된 복수의 축적 용량을 포함한다. 상기 각각의 화소전극은 제1 영역에서 절연막이 협지된 상태로 데이타 신호선들중 대응하는 하나와 중첩하고 제2 영역에서 절연막이 협지된 상태로 인접 열의 화소전극들에 접속된 데이타 신호선들중 인접한 하나와 중첩하고, 상기 제1 영역에 형성된 제1 결합 용량은 제2 영역의 중첩부에 형성된 제2 결합 용량과 실직적으로 동일하다. 상기 액티브매트릭스 기판은 극성들이 필드간 또는 프레임간에 반전되는 데이타신호를 수신하고, 상기 극성들은 데이타 신호선들의 대응하는 일방과 인접한 일방간에서 상이하게 된다.
또는, 본 발명의 액정표시패널은 액티브매트릭스 기판을 포함하며, 상기 액티브매트릭스 기판은, 기판; 상기 기판에 행 및 열로 배열되고 액정을 구동하기 위한 복수의 화소전극; 상기 화소전극을 각각 전기적으로 접속하기 위한 복수의 도전막; 대응하는 열의 화소전극에 데이타신호를 공급하기 위한 복수의 데이타 신호선; 상기 대응하는 열의 화소전극과 각 데이타 신호선을 전기적으로 접속하기 위한 복수의 스위칭소자; 상기 스위칭 소자가 도통되도록 제어하기 위한 복수의 주사신호선; 및 상기 화소전극에 접속된 스위칭소자들의 단자에 각각 접속된 복수의 축적 용량을 포함한다. 상기 각각의 화소전극은 절연막이 협지된 상태로 데이타 신호선들의 인접한 2본중 일방과 중첩하고, 상기 도전막들중 대응하는 하나가 절연막이 협지된 상태로 데이타 신호선들의 인접한 2본중 타방과 중첩한다. 상기 각각의 화소전극과 상기 데이타 신호선들의 인접한 2본중 일방간에 형성된 제1 결합 용량은 상기 각각의 화소전극과 상기 데이타 신호선들의 인접한 2본중 타방간에 형성된 제2 결합 용량과 실질적으로 동일하다 상기 액티브매트릭스 기판은 극성들이 필드간 또는 프레임간에 반전되는 데이타신호를 수신하고, 상기 극성들은 데이타 신호선들의 인접한 2본사이에서 상이하게 된다.
본 발명의 한 실시예에 있어서, 상기 각 데이타 신호선은 상기 제1 결합 용량 및 제2 결합 용량중 적어도 하나를 조정하기 위한 용량조정부를 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 스위칭소자는 박막트렌지스터를 포함하고, 상기 각 도전막의 일부는 상기 박막트랜지스터들중 대응하는 하나의 채널부를 커버하는 차광부재로 기능한다.
본 발명의 또다른 실시예에 있어서, 상기 축적 용량은 상기 데이타 신호선하측에 형성된 연장부들을 갖는다.
본 발명의 액티브매트릭스 기판은, 기판; 상기 기판상에 형성되고, 극성들이 필드간 또는 프레임간에서 반전되는 데이타신호를 전송하는 복수의 데이타 신호선으로, 상기 데이타신호의 극성들이 상기 데이타 신호선들의 인접한 2본간에 상이한 복수의 데이타 신호선; 상기 데이타 신호선들과 거의 직교하도록 기판상에 헝성된 복수의 주사신호선; 상기 데이타 신호선과 주사신호선의 각 교점 부근에 배치된 화소전극; 및 상기 데이타 신호선중 대응하는 하나 및 상기 주사신호선중 대응하는 하나와 상기 화소전극을 전기적으로 접속하기 위한 스위칭소자를 포함한다. 상기 화소전극은 상기 데이타 신호선중 대응하는 일방을 커버하는 제1 부분과 상기 데이타 신호선중 대응하는 일방에 인접한 데이타 신호선들의 타방을 커버하는 제2 부분을 포함하고, 상기 화소전극은 절연막으로 상기 데이타 신호선의 대응하는 일방과 타방으로부터 절연된다. 상기 제1 부분과 상기 데이타 신호선들중 대응하는 일방간에 형성된 제1 결합 용량은 상기 제2 부분과 상기 데이타 신호선들의 타방간에 형성된 제2 결합 용량과 실질적으로 동일하다.
본 발명의 한 실시예에 있어서, 상기 스위칭소자에 접속된 축적 용량을 더 포함하고, 상기 축적 용량의 전극이 상기 데이타 신호선들중 타방을 따라 연장되도록 데이타 신호선들중 타방하측에 형성된다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 축적 용량의 전극들의 연장부가 차광부재로 기능한다.
본 발명의 또다른 실시예에 있어서, 상기 화소전극은 제1 에지와 제2 에지를 가지며, 상기 제1 에지는 상기 데이타 신호선들중 대응하는 일방에 부분적으로 위치되고, 상기 제2 에지는 상기 데이타 신호선들중 타방에 부분적으로 위치된다.
본 발명의 또다른 실시예에 있어서, 상기 각 데이타 신호선은 돌출부를 포함하며, 상기 화소전극의 제2 부분이 상기 데이타 신호선들중 타방의 돌출부를 커버한다.
또한, 상기 액티브매트릭스 기판은, 기판; 상기 기판상에 형성되고, 극성들이 필드간 또는 프레임간에서 반전되는 데이타신호를 전송하며, 상기 데이타신호의 극성들이 이 데이타 신호선들의 인접한 2본간에 상이한 복수의 데이타 신호선; 상기 데이타 신호선들과 거의 직교하도록 기판상에 형성된 복수의 주사신호선; 상기 데이타 신호선과 주사신호선의 각 교점 부근에 배치된 화소전극; 상기 데이타 신호선중 대응하는 하나 및 상기 주사신호선중 대응하는 하나와 상기 화소전극을 전기적으로 접속하기 위한 스위칭소자, 및 제1 절연막을 협지한 상태로 상기 전극 하측에 형성되고, 상기 제1 절연막에 형성된 콘택트홀을 통해 상기 화소전극에 전기적으로 접속된 도전막을 포함한다. 상기 도전막은 상기 제1 절연막에 형성된 콘택트홀을 통해 화소전극에 전기적으로 접속된다. 상기 화소전극은 상기 데이타 신호선중 대응하는 일방을 커버하는 중첩 부분을 포함한다. 상기 도전막은 상기 데이타 신호선들중 대응하는 일방에 인접한 데이타 신호선들중 타방을 커버하며, 상기 도전막은 제2 절연막에 의해 상기 데이타 신호선중 타방으로부터 절연되어 있다. 상기 화소전극과 상기 데이타 신호선의 대응하는 일방간에 형성된 제1 결합 용량은 상기 화소전극과 상기 데이타 신호선들중 타방간에 형성된 제2 결합 용량과 실질적으로 동일하다.
본 발명의 한 실시에에 있어서, 상기 각 데이타 신호선이 돌출부를 포함하며, 상기 도전막이 상기 데이타 신호선들중 타방의 돌출부를 커버한다.
본 발명에 의하면, 층간절연막을 협지한 채로 상기 화소전극이 데이타 신호선과 중첩하여 형성되기 때문에, 화소전극에 인접한 신호선으로부터의 상이한 전위의 영향으로 상기 화소전극상의 액정에 인가되는 전계의 방향이 산란되는 것이 방지될 수 있다. 특히, 화소전극이 층간절연막을 가로질러 데이타 신호선에 중첩하는 영역에 있어서, 데이타 신호선의 전위에의한 화소진극상의 전계의 방향이 화소전극에 대해 수직으로 되어, 화소전극상의 액정배향의 산란을 억제하도록 한다.
또한, 화소전극과 그의 대응 데이타 신호선간의 결합 용량이 화소전극과 인접한 화소전극에 대응하는 데이타 신호선간의 결합 용량과 거의 같게 되기 때문에, 인접한 데이타 신호선간의 데이타신호 극성을 반전시킴으로써 화소전극의 양측상에 데이타 신호선에 인가되는 데이타신호로 인한 화소전위의 변동이 상쇄되어, 화소전극과 데이타 신호선간의 결합 용량으로 인한 크로스토크의 발생이 제거된다.
따라서, 액정배향의 산란이 방지되고 미세한 화소를 포함하고 크로스토크가 없는 액정표시패널을 실현할 수 있다.
본 발명에 있어서는, 매트릭스상태로 각 행에 배열된 액정구동전극이 층간절연막을 협지한 상태로 상기 액정구동전극의 한 측상에 데이타 신호선과 중첩하는 방식으로 형성되는 한편, 상기 액정구동전극에 전기적으로 접속된 도전막은 층간절연막을 협지한 상태로 상기 액정구동전극의 타측상에 데이타 신호선과 중첩하는 방식으로 액정구동전극 하측에 형성된다. 따라서, 데이타 신호선의 한측상의 화소에서, 데이타 신호선과 화소의 액정구동전극간에 결합 용량이 형성되며, 데이타 신호선의 타측상의 화소에서, 데이타 신호선과 화소의 액정구동전극에 접속된 도전막간에 결합 용량이 형성된다. 이 구조는 액정배향의 산란과 크로스토크의 발생을 방지함은 물론, 화소사이즈가 축소되더라도 인접한 액정구동전극들간의 충분한 공간을 유지하면서 액정구동전극과 그의 타측상의 데이타 신호선간의 결합 용량을 액정구동전극과 그의 타측 데이타 신호선간의 결합 용량과 거의 같도록 할 수 있다.
본 발명에 있어서, 데이타 신호선의 하방으로 연장되도록 축적 용량이 형성된다. 상기 축적 용량의 한 전극으로 기능하는 공통전극이 예컨대, 폴리사이드층 또는 금속층으로 형성됨으로써 차광층으로 작용한다. 이 구조는 데이타 신호선 부근의 액정배향의 산란에 의해 야기된 콘트라스트저하를 억제하는 기능을 한다.
또한, 블랙매트릭스와 같이 통상적으로 사용하는 차광부재를 전극층으로 커버되는 부분에 제공할 필요가 없거나, 블랙매트릭스의 면적이 감소될 수 있다. 따라서, 화소에 대한 블랙매트릭스의 위치 정합 마진이 제거 또는 감소될 수 있어 개구율을 향상시킨다.
특히, 액티브매트릭스 기판에 대향하여 배치된 대향기판상에 통상적으로 블랙매트릭스가 형성되나, 이 경우 위치 정합을 위한 마진으로 대향기판과 액티브매트릭스 기판간의 접합 마진을 필요로 하여 실질적으로 개구율을 감소시킨다. 이 경우, 축적 용량의 공통전극층이 차광층으로 사용될 경우, 데이타 신호선영역에 대해 블랙매트릭스를 제공할 필요가 없거나 또는 블랙매트릭스가 형성되는 면적이 감소될 수 있어, 상기 접합 마진으로 인한 개구율의 저하를 효과적으로 방지할 수 있다.
이에 따라, 본 발명은 액정배향의 산란과 크로스토크의 발생을 동시에 방지할 수 있는 액정표시패널을 제공한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
[제1 실시예]
제1도는 본 발명에 의한 액티브매트릭스 기판의 제1 실시에의 평면도이다. 상기 기판의 복수의 동일한 화소부분중 하나를 여기에 도시했다. 제1도에서, 제5도에 사용된 것과 같은 도면부호들은 종래의 액티브매트릭스 기판(201)과 동일한 부분들을 나타낸다.
액티브매트릭스 기판(101)에서, 화소전극(14)이 데이타 신호선(11a, 11b)과 단락되는 것을 방지하기 위해, 층간절연막을 협지한 상태로 화소전극(14)의 일부가 그의 양측상에 데이타 신호선(11a, 11b)과 중첩되어 형성되어 있다. 상기 화소전극(14)을 형성할 경우, 상기 데이타 신호선(11a)과 중첩하는 부분의 면적 및 상기 데이타 신호선(11b)과 중첩하는 부분의 면적이 조정되어 제7도의 결합 용량(CSD1), 즉 화소전극(14)과 데이타 신호선(11b)간의 용량이 제7도에서의 결합 용량(CSD2), 즉 화소전극(14)과 데이타 신호선(11b)간의 용량과 거의 같게 된다.
본 실시예의 액정표시패널에서, 액정은 필드들간 또는 프레임들간에 반전되며 하나의 데이타 신호선에서 다음 데이타 신호선, 즉 데이타 신호선(11a)에서 데이타 신호선(11b)으로 반전되는 극성을 갖는 데이타 신호선에 의해 구동된다.
상기 구조의 효과와 특징을 이하에 기술한다. 액티브매트릭스 기판(101)에서, 그의 양측상에서 데이타 신호선(11a, 11b)과 중첩하고 그 사이에 층간절연막을 협지하여 화소전극(14)이 형성되기 때문에, 화소전극(14) 부근의 액정에 인가되는 전계의 방향이 그의 인접 데이타 신호선에 의해 산란되지 않게 된다.
또한, 화소전극(14)과 그의 양측상의 데이타 신호선(11a, 11b)간의 결합 용량(35,36)이 거의 같기 때문에, 상기 인접한 데이타신호선으로 부터 결합 용량을 통한 화소전위의 변동이 상쇄될 수 있다. 따라서, 필드간 또는 프레임간의 데이타신호극성의 반전을 수반하는 구동방법에서는, 상이한 극성의 데이타신호들이 데이타 신호선(11a) 및 데이타 신호선(11b)에 각각 인가될 수 있도록 함으로써 수직방향으로의 크로스토크의 발생이 제거될 수 있다.
따라서, 본 실시예는 화소전극의 양측상에서 데이타 신호선으로부터의 전계산란에 의해 야기된 액정배향의 산란을 방지함과 동시에 수직방향으로의 크로스토크의 발생을 제거한다.
그러나, 각 데이타 신호선을 가로지르는 인접 화소전극(14)이 그 폭방향을 따라 같은 데이타 신호선과 중첩하여 형성되기 때문에, 화소사이즈가 축소되고 개구율을 유지하기 위해 데이타 신호선의 폭도 축소되면 인접한 화소들(14)간에 충분한 스페이스를 확보할 수 없게 된다.
이하, 미세한 화소에 유효한 실시예를 제2 내지 제4 실시예로 기술한다.
[제2 실시예]
제2도는 본 발명에 의한 액티브매트릭스 기판의 제2 실시예의 평면도이다. 상기 기판의 복수의 동일한 화소부분중 하나를 여기에 도시했다.
본 실시예의 액티브매트릭스 기판(102)에서, 데이타 신호선에 평행한 화소전극(64)(제6도 참조)의 측변들에 대응하는, 화소전극(24)의 각 측변은 제2도에 도시된 바와 같이 인접한 데이타 신호선과 부분적으로 중첩하는 반면, 제6도에서는 화소전극(64)의 측변들중 하나만이 완전히 데이타 신호선(11a)상에 중첩한다.
더 구체적으로, 데이타 신호선(11a)에 인접한 화소전극(24)의 한 측변이 데이타 신호선(11a)과 중첩한다. 즉, 데이타 신호선과 평행한 화소전극(24)의 한쌍의 에지중 하나가 데이타 신호선(11a)상에 부분적으로 위치된다. 데이타 신호선(11b)에 인접한 화소전극(64)의 타측은 데이타 신호선(11b)과 중첩한다. 즉, 타측 에지가 데이타 신호선(11b)상에 부분적으로 위치된다. 화소전극(24)이 데이타 신호선(11a)과 중첩하는 영역(24a)의 면적과 화소전극(24)이 데이타 신호선(11b)과 중첩하는 영역(24b)의 면적은 화소전극(24)과 데이타 신호선(11a)간의 결합 용량(CsD1)이 화소전극(24)과 데이타 신호선(11b)간의 결합 용량(CSD2)과 거의 같도록 결정된다.
전계 산란의 영향을 감소시키기 위하여는 영역(24b)이 개구, 즉 트랜지스터와 신호선영역을 마스킹하는 블랙매트릭스의 개구부로 부터 가능한한 멀리 위치되고, 데이타 신호선에 평행한 화소전극(24)의 부분(본 실시예에서는 직선부분들)이 개구부내에 위치되는것이 바람직하다. 기타의 구성은 상기 제1 실시예와 동일하다.
본 실시예의 구조에 있어서, 화소전극(24)과 인접 데이타 신호선간의 중첩부(24b)는 마스킹된 부분(masked portion)으로 연장되어 형성되기 때문에, 제1 실시예와 달리 화소사이즈가 축소될 경우 인접한 화소전극들간의 스페이스를 충분히 확보할 수 있게 된다. 이에 따라, 본 실시예의 액티브매트릭스 기판은 화소의 피치가 예컨대 50㎛이하인 미세한 화소에 효과적이다.
[제3 실시예]
다음, 본 발명의 제3 실시예를 기술한다. 제3도는 본 발명에 의한 액티브매트릭스 기판의 제 3 실시예의 평면도이다. 상기 기판의 복수의 동일한 화소부분중 하나를 여기에 도시했다.
본 실시예의 액티브매트릭스 기판(103)은 화소전극(64)과 중첩된 돌출부(11c)가 각 데이타 신호선에 부가된 것을 제외하고, 제6도에 보인 종래 액티브매트릭스 기판(202)에 형성된 직선형 데이타 신호선(11a, 11b)과 같은 데이타 신호선(31a, 31b)을 포함한다. 이 구조에서, 화소전극(64)이 돌출부(11c)와 중첩하는 중첩 영역의 면적은 화소전극(64)과 데이타 신호선(31a)간의 결합 용량(CsD1)이 화소전극(64)과 데이타 신호선(31b)간의 결합 용량(CsD2)과 거의 같도록 조정된다. 이 실시예에서, 용량 조정을 위해 데이타 신호선에 부가된 돌출부(11c)는 개구율의 감소를 피하도록 블랙매트릭스로 마스킹된 부분 하측에 헝성된다. 기타의 구조는 제6도에 보인 종래 액티브매트릭스 기판과 같다.
본 실시예에서, 데이타 신호선은 화소전극에 의해 중첩되는 부가 돌출부(11c)를 갖도록 각각 형성된다. 따라서, 본 실시예의 액티브매트릭스 기판은 제2 실시예와 같이 미세한 화소에 효과적이다.
[제4 실시예]
이하, 본 발명의 제 4 실시예를 기술한다. 제4도(a)는 본 실시예에 의한 액티브매트릭스 기판(104)의 복수의 동일한 화소들중 하나를 보인 평면도이고, 제4도(b)는 제4(a)도의 IVb-IVb선 단면도이다.
액티브매트릭스 기판(104)에는 드레인전극(19)과 금속막(18)이 부가된다. 상기 드레인전극(19)은 데이타 신호선(11a, 11b)과 동시에 그와 같은 재료, 에컨대, 알루미늄을 사용하여 형성된다. 금속막(18)은 예컨대, TiW로 형성되며 각각 층간절연막(41b, 41c)을 개재시켜 드레인전극(19)과 화소진극(64) 사이에 위치된다. 상기 드레인전극(19)은 콘택트홀(3c)을 통해 TFT(13)의 드레인(13c)에 접속되며, 상기 금속막(18)은 콘택트홀(3d)을 통해 드레인전극(19)에 접속되며, 또한 콘택트홀(3e)을 통해 화소전극(64)에 접속된다. 상기 금속막(18)은 또한 제4도(a)에 보인 바와 같이 TFT(13)가 형성된 영역 및 화소전극(64)과 선(11b, 12)간의 영역들을 커버하기 위한 차광막으로 기능한다.
상기 액티브매트릭스 기판(104)에 있어서, 화소전극(64)은 제6도에 보인 액티브매트릭스 기판과 같이 데이타 신호선(11a)과 중첩한다. 화소전극(64)과 데이타 신호선(11a)간의 중첩영역의 면적 및 금속막(18)과 데이타 신호선(11b)간의 중첩영역의 면적은 화소전극(64)과 데이타 신호선(11a)간의 결합 용량(CSD1)이 화소전극(64)과 데이타 신호선(11b)간의 결합 용량(CSD2)과 거의 같도록 조정된다.
이 실시예에서, 상기 금속막(18)은 차광막으로 사용된다. 그러나, 금속막(18)이 반드시 TFT(13)를 커버하도록 형성될 필요는 없으며 금속막(18)의 형상도 제4도(a)에 보인 것에 한정되지 않는다.
제4도(b)에 보인 바와 같이, 하부 주사선(12)로 부터 데이타 신호선(11a, 11b)을 절연시키기 위해 절연막(41a)이 형성되고, 그위에 형성된 금속막(18)으로 부터 데이타 신호선(11a, 11b)을 절연시키기 위해 절연막(41b)이 헝성되며, 상기 하부 금속막(18)으로 부터, 화소전극(64)으로서의 ITO막을 절연시키기 위해 절연막(41c)이 형성된다.
상기 제4 실시예에서, 금속막(18)은 데이타 신호선(11b)과 중첩하도록 화소전극(64) 하측에 형성되며, 상기 화소전극(64)과 금속막(18)은 콘택트홀(3e)을 통해 서로 연결된다. 또한, 화소전극(64)이 데이타 신호선(11la)과 중첩하는 영역의 면적과 금속막(18)이 데이타 신호선(11b)과 중첩하는 영역의 면적은 화소전극(64)과 그의 양측상의 데이타 신호선(11a, 11b)간의 결합 용량(CSD1, CSD2)이 거의 같도록 조정된다. 따라서, 이 실시예의 액티브매트릭스 기판은 제2 실시예와 같이 미세한 화소에 유효하다.
본 실시예에 있어서, 화소전극(64)과 중첩된 데이타 신호선의 부가적 돌출부(11c)는 제3 실시예에서와 같이 결합 용량(CSD1, CSD2)을 조정하기 위한 목적으로 제공될 수도 있다. 이 경우, 콘택트홀(3e)을 통해 화소전극(64)에 접속된 금속막(18)이 돌출부(l1c)와 중첩하도록 형성된다.
본 실시예에 있어서, 600㎚ 내지 1㎛의 두께를 갖도록 알루미늄등으로 형성된 데이타 신호선(11b)의 에지가 제4도(b)에 보인 바와 같이 금속막(18)으로 커버된다. 예컨대, 50㎚ 내지 150㎚의 두께를 갖도록 금속막(18)을 형성함으로써, 블랙매트릭스의 개구부 근방의 기판(104)상의 단차를 감소시킬 수 있어, 액정배향의 산란 및 콘트라스트의 저하를 방지한다. 블랙매트릭스의 개구부 근방의 기판(104)상의 단차가 감소되도록 상기 금속막(18)의 두께가 설정되는 한, 데이타 신호선(11b)과 금속막(18)의 두께는 상술한 두께로 한정되지 않는다.
[제5 실시예]
제8도는 본 발명에 의한 제5 실시예의 액정표시패널의 액티브매트릭스 기판의 평면도이다. 상기 기판의 복수의 동일한 화소부분중 하나를 여기에 도시했다. 제8도에서, 제1도와 같은 부호들은 그와 동일부분들을 표시한다.
액티브매트릭스 기판(105)에 있어서, 축적 용량(23)은 데이타 신호선(11a, 11b) 하방에 형성된 연장부(23a)를 가지며, 이 때 그 폭은 데이타 신호선(11a, 11b)의 폭보다 다소 크다. 본 실시예의 액티브매트릭스 기판의 기타의 구조는 상기 제1 실시예와 같다.
상기 구조에 있어서, 축적 용량(23)의 공통전극층(123)은 데이타 신호선(11a, 11b)을 따라 연장되도록 상기 데이타 신호선(11a, 11b) 하방에 헝성되며, 상기 TFT(13)의 반도체층(113) 역시 데이타 신호선(11a, 11b)을 따라 연장되도록 상기 데이타 신호선(11a, 11b) 하방에 형성된다. 상기 공통전극층(123)의 연장부(123a)(데이타 신호선 하측 부분)와 반도체층(113)의 연장부(113a)(데이타 신호선 하측 부분)는 각각 데이타 신호선(11a, 11b) 하방의 연장부(23a)의 상부 및 하부전극으로 기능한다.
이 실시예에서, 상기 축적 용량(23)의 연장부(23a)가 상기 데이타 신호선(11a, 11b) 하방에 형성되기 때문에, 축적 용량(23)의 일부(23a)를 헝성하는 연장부(123a)는 차광막으로 사용될 수 있다. 이는 데이타 신호선 부근의 액정배향의 산란에 의해 야기된 콘트라스트 저하를 억제한다.
블랙매트릭스와 같이 대향기판상에 형성된 차광부재는 축적 용량(23)의 연장부(23a)가 전극(123a)에 의해 커버되는 부분에 제공될 필요가 없으며, 또는 차광부재가 형성되는 대향기판상의 면적이 감소될 수 있다. 따라서, 화소에 대한 블랙매트릭스등의 배향에러의 마진이 감소될 수 있어, 개구율을 개선시킨다. 그러나, 차광막으로 데이타 신호선(11a, 11b)만 사용되는 구조에 비하여 개구율이 감소한다. 그 이유는 폴리실리콘층(123)의 연장부(123a)가 데이타 신호선(11a, 11b)보다 넓기 때문이다.
본 실시예의 액티브매트릭스 기판(105)에서, 화소전극주위 근방의 데이타 신호선의 에지부에 인접한 부분에서의 액정배향의 산란은 물론, 데이타 신호선의 에지부의 단차로 인한 액정배향의 산란이 축적 용량(23)의 전극(123a, 113a)에 의해 마스킹될 수 있다. 따라서, 액정배향의 산란으로 인한 콘트라스트의 저하가 억제될 수 있다.
상기 데이타 신호선하방에 형성된 축적 용량의 공통전극을 차광부재로 사용함으로써, 개구율의 현저한 감소를 피하면서 데이타 신호선부근의 액정배향의 산란에 의한 콘트라스트의 저하가 억제될 수 있다.
[제6 실시예]
제9도(a)는 제6 실시예에 의한 액정표시패널의 액티브매트릭스 기판의 평면도이다. 제9도(a)에는, 상기 액티브매트릭스 기판의 복수의 동일한 화소부분중 하나를 도시했다. 제9도(b)는 제9도(a)의 IXb-IXb선에 따른 액티브매트릭스 기판(106)의 단면도이다. 제9도(a) 및 9도(b)에 있어서, 제4도(a) 및 제4도(b)와 같은 부재들은 같은 부호로 표시한다.
상기 액티브매트릭스 기판(106)에 있어서, 축적 용량(23)은 데이타 신호선하방에 형성된 연장부(23b)를 가지며, 이때 그 폭은 데이타 신호선과 금속막(18)이 형성된 영역의 폭보다 다소 넓다.
상기 구조에서, 축적 용량(23)의 한 전극으로 기능하는 공통전극층(123)은, 데이타 신호선(11a, 11b)과 금속막(18)을 따라 연장되는 연장부(123b)를 갖도록, 상기 데이타 신호선(11a, 11b) 및 금속막(18) 하방에 형성된다. 상기 TFT(13)의 반도체층(113) 역시 데이타 신호선(11a, 11b) 및 금속막(18)을 따라 연장되는 연장부(123b)를 갖도록, 상기 데이타 신호선(11a, 11b) 및 금속막(18) 하방에 형성된다. 상기 공통전극층(123)의 연장부(123b)(각 데이타 신호선 하측 부분)와 반도체층(113)의 연장부(113b)(각 데이타 신호선 하측 부분)는 축적 용량(23)의 연장부(23b)의 상부 및 하부전극으로 각각 기능한다.
제9도(b)에 보인 바와 같이, 절연막(41a1)은, 주사신호선(12) 및 연장부(123b)를 포함하는 공통전극층(123)으로 부터, 상기 연장부(113b)를 포함하고 기판(1)상에 직접 형성된 반도체층(113)을 절연하기 위해 형성된다. 상기 절연막(41a1) 상에는, 상기 공통전극층(123)을 커버하기 위해 절연막(41a2)이 형성되며, 이에 의해 폴리실리콘층(123)이 그위에 형성된 데이타 신호선(11a, 11b)으로 부터 절연된다. 상기 두 절연막(41a1, 41a2)은 제4도의 단일 절연막(41a)에 대응한다.
본 실시예의 기타의 액티브매트릭스 기판의 구조는 제4 실시예의 액티브매트릭스 기판과 동일하다.
상기 제6 실시예의 구조는 제4 실시예와 같은 효과를 가질뿐만 아니라, 데이타 신호선부근의 액정배향의 산란에 의한 콘트라스트저하를 방지하며, 동시에 개구율의 현저한 저하를 방지한다.
상기 실시예중 어느 것에 있어서도, 액티브매트릭스 기판은 체커보드 패턴(즉, 매트릭스형태)으로 배열된 복수의 화소를 갖는 것으로 기술되어 있으나, 화소배열은 상기 패턴에 한정되지 않는다. 다른 화소배치도 가능하며, 예컨대 홀수번째 행의 화소가 짝수번째행의 화소의 사이에 위치되는 델타 배열도 채용될 수 있다. 이 구성에서, 각 데이타 신호선은 각 열의 화소배열에 따라 절곡되나 상기 실시예와 동일한 효과가 얻어질 수 있다.
본 발명의 액티브매트릭스 기판을 사용함으로써, 액정배향의 산란을 방지하고 크로스토크가 없는 미세화소로 이루어지는 액정표시를 실현할 수 있다.
더 구체적으로, 본 발명에 따르면, 각 화소 전극은 그 사이에 절연막을 개재시키면서 인접 데이타 신호선과 중첩되도록 형성되기 때문에, 상기 화소 전극상의 액정에 인가된 전계의 방향이 데이타 신호선으로부터의 다른 전위의 영향에 의해 교란되는 것을 방지한다.
화소 전극과 그 대응 데이타 신호선사이의 결합 용량은 화소 전극과 인접 화소전극에 대응하는 데이타 신호선 사이의 결합 용량과 실질적으로 동일하다. 따라서, 데이타 신호의 극성이 인접 데이타 신호선 사이에서 반전되는 구동 방법을 사용할 때, 반전된 극성을 갖는 신호를 공급하는 데이타 신호선으로부터 화소 전극상의 영향은 충분히 상쇄되고, 그로 인해 크로스토크의 발생이 제거될 수 있다.
이는 고 해상도를 위해 화소의 크기가 작을지라도, 화소 전극과 데이타 신호선사이의 결합 용량으로 인한 크로스토크의 발생뿐만 아니라, 데이타 신호선으로부터의 전계 교란에 의해 유발되는 액정 배향의 산란으로 인한 콘트라스트 저하를 방지할 수 있다. 결과적으로, 하이 콘트라스트의 우수한 액정표시가 실현가능하다.
본 발명에 따르면, 축적 용량이 각 데이타선하부에 형성되므로, 축적 용량중 한 전극으로 기능하는 공통 전극은 데이타선근방의 액정 배향의 산란에 의해 유발된 콘트라스트 저하를 억제하는 데에 기여할 수 있는 차광 부재로서 사용될 수 있다. 이러한 경우, 대향 기판상에 통상 형성되는 블랙 매스릭스와 같은 차광 부재는 축적용량의 공통 전극에 의해 커버되는 부분에 대해 제공될 필요가 없다. 따라서, 화소에 대한 블랙 매트릭스의 위치 정합 마진이 제거 또는 감소되어, 개구율이 증가하게 된다.
본 발명의 범위 및 정신을 벗어나지 않으면서 다양한 변형이 용이하게 이루어질 수 있는 것은 당업자에게 명백할 것이다. 따라서, 이하의 특허 청구의 범위는 상술한 바에 의해 한정되지 않고, 넓게 해석되어야 한다.

Claims (16)

  1. 액티브매트릭스 기판을 갖는 액정표시패널에 있어서, 상기 액티브매트릭스 기판은, 기판 본체; 상기 기판 본체에 행 및 열로 배열되고, 액정을 구동하기 위한 복수의 화소전극; 대응하는 열의 화소전극에 데이타신호를 공급하기 위한 복수의 데이타 신호선; 상기 대응하는 열의 화소전극에 각 데이타 신호선을 전기적으로 접속하기 위한 복수의 스위칭소자; 상기 스위칭소자를 도통되도록 제어하기 위한 복수의 주사신호선; 및 상기 화소전극에 접속된 스위칭소자들의 단자에 각각 접속된 복수의 축적 용량을 포함하며, 상기 각각의 화소전극은 제1 영역에서 그 사이에 절연막이 협지된 상태로 데이타 신호선들중 대응하는 하나와 중첩하고 제2 영역에서 그 사이에 절연막이 협지된 상태로 인접 열의 화소전극들에 접속된 데이타 신호선들중 인접한 하나와 중첩하고, 상기 제1 영역에 형성된 제1 결합 용량은 제2 영역에 형성된 제2 결합 용량과 실질적으로 동일하며, 상기 액티브매트릭스 기판은 극성들이 필드간 또는 프레임간에 반전되는 데이타신호를 수신하고, 상기 극성들은 테이타 신호선들의 대응하는 하나와 인접합 하나간에서 상이하게 되는 것을 특징으로 하는 액정표시패널.
  2. 액티브매트릭스 기판을 갖는 액정표시패널에 있어서, 상기 액티브매트릭스 기판은, 기판 본체; 상기 기판본체에 행 및 열로 배열되고, 액정을 구동하기 위한 복수의 화소전극; 상기 화소전극을 각각 전기적으로 접속하기 위한 복수의 도전막; 대응하는 열의 화소전극에 데이타신호를 공급하기 위한 복수의 데이타 신호선; 상기 대응하는 열의 화소전극에 각 데이타 신호선을 전기적으로 접속하기 위한 복수의 스위칭소자; 도통되도록 상기 스위칭소자를 제어하기 위한 복수의 주사신호선; 및 상기 화소전극에 접속된 스위칭소자들의 단자에 각각 접속된 복수의 축적 용량을 포함하며, 상기 각각의 화소전극은 그 사이에 절연막이 협지된 상태로 데이타 신호선들의 인접한 2본중 일방과 중첩하고, 상기 도전막들중 대응하는 하나가 그 사이에 절연막이 협지된 상태로 데이타 신호선들의 인접한 2본중 타방과 중첩하며, 상기 각각의 화소전극과 상기 데이타 신호선들의 인접한 2본중 일방간에 형성된 제1 결합 용량이 상기 각각의 화소전극과 상기 데이타 신호선들의 인접한 2본중 타방간에 형성된 제 2 결합 용량과 실질적으로 동일하며, 상기 액티브매트릭스 기판은 극성들이 필드간 또는 프래임간에 반전되는 데이타신호를 수신하고, 상기 극성들은 데이타 신호선들의 인접한 2본간에서 상이한 것을 특징으로 하는 액정표시패널.
  3. 제1항에 있어서, 상기 각 데이타 신호선은 상기 제1 결합 용량 및 제2 결합 용량중 적어도 하나를 조정하기 위한 용량조정부를 포함하는 액정표시패널.
  4. 제2항에 있어서, 상기 각 데이타 신호선은 상기 제1 결합 용량 및 제2 결합 용량중 적어도 하나를 조정하기 위한 용량조정부를 포함하는 액정표시패널.
  5. 제2항에 있어서, 상기 스위칭소자는 박막트랜지스터를 포함하고, 상기 각 도전막의 일부는 상기 박막트랜지스터들중 대응하는 하나의 채널부를 커버하는 차광부재로 기능하는 액정표시패널.
  6. 제1항에 있어서, 상기 축적 용량은 상기 데이타 신호선 하측에 형성된 연장부들을 포함하는 액정표시패널.
  7. 제2항에 있어서, 상기 축적 용량은 상기 데이타 신호선 하측에 형성된 연장부들을 포함하는 액정표시패널.
  8. 액티브 매트릭스 기판으로, 기판 본체; 상기 기판 본체상에 형성되고, 극성들이 필드간 또는 프레임간에서 반전되는 데이타신호를 전송하는 복수의 데이타 신호선으로, 상기 데이타신호의 극성들이 상기 데이타 신호선들의 인접한 2본간에 상이한 복수의 데이타 신호선; 상기 데이타 신호선들과 거의 직교하도록 상기 기판상에 형성된 복수의 주사신호선; 상기 데이타 신호선과 주사신호선의 각 교점 부근에 배치된 화소전극; 및 상기 데이타 신호선중 대응하는 하나 및 상기 주사신호선중 대응하는 하나와 상기 화소전극을 전기적으로 접속하기 위한 스위칭소자를 포함하며, 상기 화소전극은 상기 데이타 신호선중 대응하는 하나를 커버하는 제1 부분과 상기 데이타 신호선중 대응하는 일방에 인접한 데이타 신호선들의 다른 하나를 커버하는 제2 부분을 포함하고, 상기 화소전극은 절연막으로 상기 데이타 신호선의 대응하는 하나와 다른 하나로부터 절연되며, 상기 제1 부분과 상기 데이타 신호선들중 대응하는 하나간에 형성된 제1 결합 용량이 상기 제2 부분과 상기 데이타 신호선들의 다른 하나간에 형성된 제2 결합 용량과 실질적으로 동일한 액티브매트릭스 기판.
  9. 제8항에 있어서, 상기 스위칭소자에 접속된 축적 용량을 더 포함하고, 상기 축적 용량의 전극이 상기 데이타 신호선들중 타방을 따라 연장되도록 데이타 신호선들중 타방하측에 형성되는 액티브매트릭스 기판.
  10. 제9항에 있어서, 상기 축적 용량의 전극들의 연장부가 차광부재로 기능하는 액티브매트릭스 기판.
  11. 제8항에 있어서, 상기 화소전극은 제1 에지와 제2 에지를 가지며, 상기 제1 에지는 상기 데이타 신호선들중 대응하는 일방에 부분적으로 위치되고, 상기 제2 에지는 상기 데이타 신호선들중 타방에 부분적으로 위치되는 액티브매트릭스 기판.
  12. 제8항에 있어서, 상기 각 데이타 신호선은 돌출부를 포함하며, 상기 화소전극의 제2 부분이 상기 데이타 신호선들중 타방의 돌출부를 커버하는 액티브매트릭스 기판.
  13. 액티브매트릭스 기판으로, 기관 본체; 상기 기판 본체상에 형성되고, 극성들이 필드간 또는 프레임간에서 반전되는 데이타신호를 전송하는 복수의 데이타 신호선으로, 상기 데이타신호의 극성들이 상기 데이타 신호선들의 인접한 2본간에 상이한 복수의 데이타 신호선; 상기 데이타 신호선들과 거의 직교하도록 기판상에 형성된 복수의 주사신호선; 상기 데이타 신호선과 주사신호선의 각 교점 부근에 배치된 화소전극; 상기 데이타 신호선중 대응하는 하나 및 상기 주사신호선중 대응하는 하나를 상기 화소전극과 전기적으로 접속하기 위한 스위칭소자, 및 그 사이에 제1 절연막을 협지한 상태로 상기 전극 하측에 형성되고, 상기 제1절연막에 형성된 콘택트홀을 통해 상기 화소전극에 전기적으로 접속된 도전막을 포함하며, 상기 화소전극은 상기 데이타 신호선중 대응하는 하나를 커버하는 중첩부분을 포함하고, 상기 도전막은 상기 데이타 신호선중 대응하는 하나에 인접한 상기 데이타 신호선들의 다른 하나를 커버하고, 상기 도전막은 제2 절연막에 의해 상기 데이타 신호선들의 다른 하나로 부터 절연되고, 상기 화소전극과 상기 데이타 신호선들의 대응하는 하나간에 형성된 제1 결합 용량이 상기 화소전극과 상기 데이타 신호선들의 다른 하나간에 형성된 제2 결합 용량과 실질적으로 동일한 액티브매트릭스 기판.
  14. 제13항에 있어서, 상기 스위칭소자에 접속된 축적 용량을 더 포함하고, 상기 축적 용량의 전극이 상기 데이타 신호선들중 다른 하나를 따라 연장되도록 데이타 신호선들중 다른 하나의 하측에 헝성되는 액티브매트릭스 기판.
  15. 제14항에 있어서, 상기 축적 용량의 전극들의 연장부가 차광부재로 기능하는 액티브매트릭스 기판.
  16. 제13항에 있어서, 상기 각 데이타 신호선이 돌출부를 포함하며, 상기 도전막이 상기 데이타 신호선들중 다른 하나의 돌출부를 커버하는 액티브매트릭스 기판.
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