KR100195639B1 - 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 투사형 화상 표시 장치로 사용되는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 변형부(230)의 조성중 납(Pb)이 지르코늄(Zr)이나 티타늄(Ti)보다 흡착 조밀도(Adsorption Site Density)가 낮아 하부 메탈층과 변형부의 계면에서 페로브스카이트(Perovskite) 구조로의 상변이가 불량한데 따른 변형부의 압전 특성 저하를 방지하기 위하여, 하부 메탈층의 상부에 소정 에너지 준위를 갖는 이온 빔을 소정 각도로 입사하여 인위적으로 표면 손상층을 형성하여 납(Pb)의 흡착 조밀도(Adsorption Site Density)를 높여줌으로써, 하부 메탈층과 변형부 사이의 계면에서 변형부의 페로프스카이트(Perovskite) 구조로의 상변이를 용이하게 하여 변형부의 압전 특성 저하를 방지할 수 있다.
Description
제1도는 일반적인 박막형 광로 조절 장치의 단위 픽셀을 도시한 단면도.
제2도는 일반적인 박막형 광로 조절 장치의 액츄에이터의 일부분을 도시한 단면도.
제3도의 (a) 내지 (b)는 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법을 순차적으로 도시한 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
100 : 구동 기판 200 : 액츄에이터
105 : 캔택트 메탈 205 : 플레그 메탈
210 : 멤브레인 220 : 하부 전극
222 : 하부 접착층 224 : 하부 메탈층
230 : 변형부 235 : 표면 손상층
240 : 상부 전극 242 : 하부 접착층
244 : 하부 메탈층 250 : 희생층
260 : 식각 보호층
본 발명은 투사형 화상 표시 장치에 사용되는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 하부 전극을 이루는 하부 메탈층의 상부에 표면 손상층을 형성하여 하부 메탈층과 변형부의 계면 특성을 향상하기 위한 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 화상 표시 장치로 사용되는 평판 디스플레이 장치(FPD : Flat Ppanel Display)는 무게, 부피, 및 전력 소모가 큰 음극선관(CRT : Cathode Ray Tube)을 대체하기 위한 평판 표시 장치로서, 투사형 디스플레이와 직시형 디스플레이로 구분되며 또한 이러한 디스플레이 장치에 사용되는 소자는 PDP(Plasma Display Panel), EL(Electro Luminescent), LED(Light Emission Diode), FED(Field Emission Display) 등과 같이 전계 작용에 의하여 방출되는 전자의 직접 또는 간접적인 가시광으로 화상을 나타내는 방출형 디스플레이 장치와 LCD(Liquid Crystal Display), ECD(Electro Chromic Display), DMD(Digital Micromirror Display), AMA(Actuated Mirror Array), GLV(Grating Light Value) 등과 같이 광밸브(Light Valve)로 작용하여 전자의 방출없이 반사광에 의하여 화상을 나타내는 비방출형 디스플레이 장치로 구분된다.
상기 비방출형 디스플레이 장치중 AMA(Actuated Mirror Array)는 전자-광학적 비선형 특성을 향상시키기 위하여 능동 소자가 능동 행렬 구동 방식(Active Matrix Addressing)으로 구성된 구동 기판 상에 복수개의 층이 순차적으로 적층된 미러 어레이를 소정 형상으로 패터닝시키므로써 형성되며, 상기 액츄에이터는 상기 복수개의 층들중 신호 전극 및 공통 전극으로 각각 작용하는 2개의 도전층사이에 압전 세라믹 조성물로 이루어진 절연층이 개재되어 있는 캔틸레버(Cantilever) 구조로 형성되어 있고 상기 2개의 도전층에 인가되는 전기적 신호에 의한 상기 압전 재료의 압전 변형에 의하여 광원으로부터 방사되는 백색광을 스크린상에 제어된 광로를 따라서 반사시켜서 화상을 나타낸다.
한편, 종래의 일반적인 박막형 광로 조절 장치는 제1도에 도시된 바와 같고, 동도에 도시된 바와 같이, 종래의 박막형 광로 조절 장치는 능동 소자(도시 생략된)가 매트릭스 형태로 형성된 실리콘 기판(110), 능동 소자가 외부로부터 물리적, 화학적 손상을 입는 것을 방지하기 위한 패시베이션층(120) 및 상기 패시베이션층(110)이 이후의 식각 공정에 의해 손상되는 것을 방지하기 위한 식각 스톱층(120)을 구비한 구동 기판(100)과, 멤브레인(210), 하부 전극(220), 변형부(230), 상부 전극(240)이 소정 형상으로 적층되어 상기 구동 기판(100)에 캔틸레버 구조를 이루며 형성되어 있는 액츄에이터(200)로 이루어져 있다.
또한, 제2도는 상기 종래의 일반적인 박막형 광로 조절 장치의 액츄에이터(200)의 일부를 도시한 단면도로서, 동도에 도시된 바와 같이, 상기 상부 전극(240) 및 하부 전극(220)은 그 하단부와의 접착 특성(Adhesion Property)을 높이기 위하여 접착층(Adhesion layer)을 먼저 형성한 후, 그 접착층의 상부에 메탈층(Metal Layer)을 형성하였다. 이때, 메탈층은 백금(Pt)이 사용되고, 접착층은 탄탈륨(Ta)이나 티타늄(Ti)이 사용된다.
그러나, 상기 하부 전극(220)의 하부 메탈층(224)을 형성한 후, 졸-겔 코팅(Sol-Gel Coation) 공정에 의해 Pb(Zr,Ti)O3, (Pb,La)(Zr,Ti)O3(이하, PZT라 칭함) 등의 압전 세라믹으로 변형부(230)를 형성함에 있어서, 상기 납(Pb)은 지르코늄(Zr)이나 티타늄(Ti)에 비해 백금(Pt)과의 흡착 조밀도(Adsorption Site Density)가 낮기 때문에 상기 하부 메탈층(224)과의 계면에서 상기 변형부(230)의 일부는 페로브스카이트(Perovskite) 구조를 형성하지 못하여, 상기 하부 메탈층(224)과 변형부(230)의 계면 사이에 누설 전류가 증가하는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 상기 하부 전극(220)의 하부 메탈층(224)을 형성한후, 인위적으로 상기 하부 메탈층(224)의 표면에 표면 손상층을 형성하여, 납(Pb)의 흡착 조밀도(Adsorption Site Density)를 높여줌으로써, 상기 변형부(230)가 하부 메탈층(224)과 변형부(230)의 계면에서도 양호한 페로브스카이트(Perovskite) 구조를 형성하도록 하여 변형부(230)의 압전 특성 저하를 방지할 수 있는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법을 제공하는데 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 투사형 화상 표시 장치에 사용되는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 구동 기판의 상부에 소정 두께의 절연물질을 적층하여 희생층을 형성하는 공정과, 상기 희생층을 소정 형상으로 패터닝하여 그 일부를 부분적으로 제거하는 공정과, 상기 희생층의 부분적 제거에 의해 노출된 구동 기판 및 희생층의 상부에 소정 두께의 절연 물질을 적층하여 멤브레인을 형성하는 공정과, 상기 멤브레인에 비아홀을 형성하여 컨택트 메탈을 노출시키는 공정과, 상기 비아홀에 도전성 물질로 이루어진 플러그 메탈을 형성시키는 공정과, 상기 플러그 메탈 및 멤브레인의 상부에 소정 두께의 하부 접착층을 형성하는 공정과, 상기 하부 접착층의 상부에 소정 두께의 하부 메탈층을 형성하는 공정과, 상기 하부 메탈층의 상부에 표면 손상층을 형성하는 공정과, 상기 표면 손상층의 상부에 소정 두께의 변형부를 형성하는 공정과, 상기 변형부의 상부에 상부 접착층을 형성하는 공정과, 상기 상부 접착층의 상부에 상부 메탈층을 형성하는 공정과, 상기 상부 메탈층, 상부 접착층, 변형부, 표면 손상층, 하부 메탈층, 하부 접착층, 멤브레인을 순차적으로 식각하여 픽셀 단위의 액츄에이터를 이루는 공정과, 상기 액츄에이터의 전면에 식각 보호층을 도포하는 공정과, 상기 희생층을 제거하여 상기 액츄에이터를 칸틸레버 구조로 형성시키는 공정과, 상기 식각 보호층을 제거하는 공정으로 이루어진 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법을 제공한다.
한편, 본 발명의 일실시예에서는, 상기 표면 손상층은 이온 빔을 소정 각도로 입사하여 형성하는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법을 제공한다.
한편, 본 발명의 일실시예에서는, 상기 이온은 수 KeV의 에너지를 갖고있는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법을 제공한다.
한편, 본 발명의 일실시예에서는, 상기 이온은 아르곤(Ar)인 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법을 제공한다.
한편, 본 발명의 일실시예에서는, 상기 표면 손상층은, 수십∼수백 Å 두께로 조절될 수 있는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법을 제공한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법을 상세히 설명하기로 하며, 혼란을 피하기 위해 종래와 동일한 구성 부재에는 동일한 도면 번호를 사용하기로 한다.
먼저, 제3도의 (a)를 참조하면, 반도체 집적 회로 제조 공정에 의하여 실리콘 기판(110)의 상부에 매트릭스 구조로 형성된 능동 소자(도시 생략된) 및 이 후 수행되는 증착 공정의 고온 분위기하에서 상기 복수개의 능동 소자가 외부로부터 화학적 또는 물리적 손상을 받는 것을 방지시키기 위한 패시베이션층(120)과 상기 패시베이션층(120)이 이후 공정에 의해서 수행되는 식각 공정의 식각 용액으로부터 화학적 손상을 받는 것을 방지하기 위해 내식성이 양호한 물질로 이루어진 식각 스톱층(130)을 구비한 구동 기판(100)을 준비한후, 상기 구동 기판(100)의 상부에 인이 함유된 실리콘 산화물(PSG) 또는 다결정 실리콘을 물리 기상 증착 공정(pvd) 또는 화학 기상 증착 공정 (CVD)에 의하여 소정 두께로 적층시킴으로서 희생층(Sacrificial Layer)(250)을 형성시킨다.
이후, 미세 패턴 형성 공정에 의하여 상기 희생층(250)을 제3도의 (b)에 도시된 바와 같이 소정 선폭 크기의 패턴을 구비한 소정 형상으로 형성시키며 그 결과 상기 희생층(250)의 패턴을 통하여 노출되는 상기 구동 기판(100)의 일부는 액츄에이터(200)의 지지부 및 브리지를 형성시키기 위한 장소로 제공한다.
이후, 상기된 구동 기판(100)상에 소정 패턴의 선폭 크기를 갖는 소정 형상의 희생층(250) 및 상기 희생층(250)의 패턴을 통하여 노출된 상기 구동 기판(100)상에 절연 특성이 양호할 뿐만 아니라 불산(HF) 용액과 같은 식각 용액에 대한 내성이 양호한 절연 물질을 화학 기상 증착 공정(CVD)에 의하여 제3도의 (c)에 도시된 바와 같이 소정 두께로 증착시켜서 멤브레인(210)을 형성시킨다.
한편, 상기 멤브레인(210)상에는 콘택홀 형성 공정에 의하여 상기 구동기판(100)에 내장된 능동 소자(도시 생략된)에 전기적으로 연결된 매탈 패드(105)를 노출시키기 위해 제3도의 (d)에 도시된 바와 같은 콘택홀을 형성하며, 이러한 멤브레인(210)을 구성하는 절연 물질은 캔틸레버 구조를 갖는 액츄에이터(200)의 구동부가 반복적으로 틸팅될 때 피로 응력에 의한 취성을 견딜 수 있도록 내성이 우수한 금속 또는 실리콘 질화물(sinx)로 이루어진다.
상기에서, 상기 희생층(250)의 패턴을 통하여 노출된 상기 구동 기판(100)상에 형성된 상기 멤브레인(210)의 일부는 상기된 바와 같이 캔틸레버 구조로 형성되는 액츄에이터(200)의 지지부 및 이러한 지지부를 연결시키기 위한 브리지를 형성하기 위한 기저부로 작용하는 반면에 상기 희생층(250)상에 형성된 상기 멤브레인(210)의 일부는 상기 액츄에이터(200)가 소정의 각도로 상하 변위를 나타내는 구동부를 형성하기 위한 기저부로 작용한다.
이후, 상기 멤브레인(210)에서부터 매탈 패드(105)까지 관통된 비아홀에 도전성 뿐만아니라 이후의 열공정에 의한 손상을 입지않는 백금(Pt), 티타늄(Ti), 또는 탄탈륨(Ta)과 갖은 금속을 리프트 오프(Lift-Off)등과 같은 공정으로 장착하여 이후 공정에 의해 형성될 하부 전극(220)과 전기적으로 도통될 수 있도록 제도면 제3도의 (e)에 도시된 바와 같이 플러그 메탈(205)을 형성한다.
또한, 상기 멤브레인(210)상에 제3도의 (f)에 도시된 바와 같이 하부 전극(220)을 형성시키며, 상기 하부 전극(22)의 하부 메탈층(224)의 멤브레인(210)에 대한 접착 특성(Adhesion Property)을 높이기 위한 하부 접착층(222)을 형성한다. 이때, 상기 하부 접착층(222)은 멤브레인과 접착성이 양호하고 열특성이 좋은 금속인 티타늄(Ti)이나 탄탈륨(Ta)을 스퍼터링 공정에 의해 증착하여 형성된다.
이후, 상기 하부 접착층(222)에 백금(Pt)과 같이 양호한 도전 특성을 나타내는 도전성 금속을 스퍼터링 증착 공정과 같은 진공 증착 공정에 의하여 소정 두께로 적층시킴으로써, 하부 전극(220)의 형성을 완성시키며 이러한 하부 전극(220)은 상기된 바와 같이 멤브레인(210)으로부터 상기 구동 기판(100)의 매탈 패드(105)까지 연결된 플러그 메탈(205)에 의하여 구동 기판(100) 내부에 내장된 복수개의 능동 소자(도시 생략된)와 전기적으로 연결되어 있으며 이 후에 액츄에이터를 구동시키기 위한 신호 전극으로 작동된다.
이때, 상기 하부 전극(220)의 일부 특히 소정 형상으로 형성되는 액츄에이터(200)의 브리지(도시 생략된)를 구성하는 상기 하부 전극(220)의 일부를 반응성 이온 식각 공정(R.I.E.)과 같이 이방성 에칭 특성이 양호한 건식 식각 공정에 의하여 제거하여서 상기 복수개의 능동 소자를 통하여 하부 전극(220)에 유입되는 전기적 신호를 화소 단위로 분리시키기 위한 이소 컷팅부(Iso-Cutting)를 형성시킨다.
이후, 상기 이소 컷팅부(도시 생략된)를 통하여 노출되는 상기 멤브레인(210)의 일부 및 상기 하부 전극(220)의 상부에 압전 특성을 나타내는 세라믹 재료를 증착 공정에 의하여 소정 두께로 적층시켜서 변형부(230)를 형성시키며 이러한 변형부(230)를 구성하는 세라믹 재료는 BaTiO3, Pb(Zr,Ti)O3, (Pb,La)(Zr,Ti)O3조성의 압전 세라믹 또는 Pb(Mg,Nb)O3조성의 전왜 세라믹으로 이루어져 있고 상기 증착 공정은 스퍼터링 증착 공정 또는 화학 기상 증착 공정 또는 졸-겔 공정에 의하여 형성된다.
상기된 바와 같이, 소정 두께로 적층되어 형성된 상기 변형부(230)는 고온 열처리 공정 특히 급가열 공정(Rapid Thermal Annealing System)에 의하여 열처리되며, 그 결과 상기 변형부(230)를 구성하고 있는 세라믹 조성물의 결정 구조를 페로브스카이트(Perovskite) 결정 구조로 형성시킴으로써 상기 변형부(230)는 압전 특성을 양호하게 나타낸다. 한편, 상기와 같은 열공정에서 하부 메탈층(224)의 표면에서 납(Pb)의 낮은 접착 조밀도에 의해 하부 메탈층(224)과 변형부(230) 사이의 계면에서 상기 PZT가 페로브스카이트(Perovskite)구조로 형성되기 어려우므로, 상기 하부 메탈층(224)의 상부 표면에 표면 손상층을 인위적으로 형성한다. 상기에서, 상기 표면 손상층(235)을 형성하는 공정은, 수 KeV의 에너지를 가진 아르곤(Ar) 이온의 이온 빔을 소정의 각도를 가진 상태에서 상기 하부 메탈층(224)의 표면에 입사하여 표면의 모폴러지(Morpholgy)가 거칠어지도록 표면 손상을 입힌다.
이때, 표면의 모폴러지(Morphology)가 거칠어지면 표면의 에너지가 증가하여 다른 이온을 받아들여 평평한 포면을 유지함으로써, 표면 에너지를 낮추고자 하는 경향이 증가하므로, 납(Pb)의 흡착을 촉진하게 된다. 한편, 상기에서 아르곤(Ar) 이온의 에너지는 자유롭게 조절할 수 있으므로 최적의 흡착 조건에 따라 아르곤(Ar) 이온의 에너지를 변화시켜 표면 손상층(235)의 두께는 자유로이 조절할 수 있다.
이후, 상기 변형부(230)의 상부에 제3도의 (f)에 도시된 바와 같이 상부 전극(240)을 형성시키며, 상기 상부 전극(240)의 상부 메탈층(244)의 변형부(230)에 대한 접착 특성(Adhesion Property)을 높이기 위해서 스퍼터링(Sputtering) 공정에 의해 티타늄(Ti)이나 탄탈륨(Ta)으로 상부 접착층(242)을 형성한다.
이후, 상기 상부 접착층(242)에 백금(Pt)과 같이 양호한 도전 특성 및 반사 특성을 나타내는 도전성 금속을 스퍼터링 증착 공정과 같은 진공 증착 공정에 의하여 소정 두께로 적층시킴으로써, 상부 전극(24)을 형성시키며, 상기 상부 전극(24)은 액츄에이터(200)를 구동시키기 위한 공통 전극으로 작용함과 동시에 상기 액츄에이터(200)의 미러면으로 작용한다. 이후, 제3도의 (g)에 도시된 바와 같이, 상기 구동 기판(100)의 상부에 복수개의 층으로 형성된 액츄에이터(200)를 픽셀 단위로 형성하기 위하여, 상기 액츄에이터(200)를 이루는 상부 전극(240), 변형부(230), 하부 전극(240), 멤브레인(210)의 일부를 반응성 이온 식각(RIE) 공정에 의해 제거되며, 그 결과 상기 희생층(250)의 일부가 노출된다.
한편, 상기와 같은 반응성 이온 식각(RIE) 공정은 산소 플라즈마하에서 CF4또는 CHF3으로 구성된 에천트(Etchant)의 에칭 작용에 의해 수행된다.
이후, 제3도의 (h)를 참조하면, 상기 픽셀 단위의 액츄에이터(200)를 캔틸레버 구조로 형성시키기 위하여 상기 구동 기판(100)의 상부에 소정 형상으로 잔존하는 상기 희생층(250)을 식각 공정에 의하여 제거할 때 상기 액츄에이터(200)의 측면이 상기 식각 용액에 노출되어서 액츄에이터(200)를 구성하는 복수개의 층들이 박리되는 것을 방지시키기 위하여 상기 액츄에이터(200)의 외부 표면상에 식각 보호막(260)을 형성시킨다.
이때, 상기 식각 보호막(260)은 상기 멤브레인(210)상에 형성된 노출 부위를 완전히 외부로부터 차단시킬 수 있도록 상기 액츄에이터(200)의 외부 표면상에 절연 물질을 소정 두께로 도포시킴으로써 형성되며, 이러한 식각 보호막(260)을 구성하는 절연 물질은 식각 공정에 사용되는 식각액 특히 불산(HF) 용액에 대한 내식성이 양호한 폴리머(Polymer)로 이루어진다.
한편, 상기 액츄에이터(200)의 패턴을 통하여 노출된 상기 희생층(250)은 제3도의 (i)에 도시된 바와 같이 등방성 식각 특성이 양호하게 나타나는 식각 공정에 의하여 제거되지만 상기 구동 기판(100) 내의 식각 스톱층(도시 생략된)은 손상받지 않은 상태로 유지되어 있으므로 상기 패시베이션층(도시 생략된)은 상기 능동 소자를 양호하게 보호하게 되며, 상기 식각 공정에 사용되는 식각 용액은 상기 희생층(250)을 구성하는 인이 함유된 실리콘 산화물(psg)에 대한 식각 특성이 양호한 불산(HF) 용액으로 이루어져 있다.
이 후에, 이온 밀링(ion milling) 공정과 같은 건식 식각 공정에 의하여 제4도의 (j)에 도시된 바와 같이 상기 액츄에이터(200)의 상부 전극(240)상에 소정 두께로 잔존하는 상기 식각 보호막(260)을 부분적으로 제거하여서 상기 상부 전극(240)을 노출시켜 액츄에이터(200)의 반사면으로 작동할 수 있게 된다.
따라서, 외부의 제어 시스템으로부터 구동 기판(100)에 내장되어 있는 능동소자를 통하여 상기 액츄에이터(200)의 상부 전극(240)에 전기적 신호가 인가되면 상기 하부 전극(220)과 상기 상부 전극(240)사이에 소정 크기의 전위차가 발생되고 이러한 전위차 발생에 의해 상기 변형부(230)는 압전 변형을 나타내며 이에 의하여 복수개의 엑츄에이터(200)가 개별적으로 구동하게 된다.
즉, 반사면으로 작용하는 상기 상부 전극(240)의 표면으로 입사된 광원의 백색광은 상기 액츄에이터(200)의 구동에 의하여 변경된 광로를 따라 반사되어서 도시되어 있지 않은 스크린상에 화상을 표시하게 된다.
따라서, 본 발명에 따라 상기 하부 메탈층(224)의 상부에 플라즈마 손상층이나 이온 손상층(235)과 같은 표면 손상층(235)을 형성하여, 변형부(230)를 이루는 PZT중 납(Pb)의 흡착 조밀도를 높여 줌으로써, 변형부(230)를 이루는 PZT를 양호하게 페로브스카이트(Perovskit)구조로 상변이 할 수 있어 변형부(230)의 압전 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
이상, 상기 내용은 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일실시예를 단지 예시한 것으로 본 발명의 당업자는 청구 범위에 기재된 본 발명의 요지를 변경시킴이 없이 본 발명에 대한 수정 및 변경을 가할 수 있다.
Claims (5)
- 화상 표시 장치에 사용되는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 구동 기판의 상부에 소정 두께의 절연물질을 적층하여 희생층을 형성하는 공정과, 상기 희생층을 소정 형상으로 패터닝하여 그 일부를 부분적으로 제거하는 공정과, 상기 희생층의 부분적 제거에 의해 노출된 구동 기판 및 희생층의 상부에 소정 두께의 절연 물질을 적층하여 멤브레인을 형성하는 공정과, 상기 멤브레인에 비아홀을 형성하여 컨택트 메탈을 노출시키는 공정과, 상기 비아홀에 도전성 물질로 이루어진 플러그 메탈을 형성시키는 공정과, 상기 플러그 메탈 및 멤브레인의 상부에 소정 두께의 하부 접착층을 형성하는 공정과, 상기 하부 접착층의 상부에 소정 두께의 하부 메탈층을 형성하는 공정과, 상기 하부 메탈층의 상부에 표면 손상층을 형성시키는 공정과, 상기 표면 손상층의 변형부를 형성하는 공정과, 상기 변형부를 열공정으로 상변이 시키는 공정과, 상기 변형부의 상부에 상부 접착층을 형성하는 공정과, 상기 상부 접착층의 상부에 상부 메탈층을 형성하는 공정과, 상기 상부 메탈층, 상부 접착층, 변형부, 하부 메탈층, 하부 접착층, 멤브레인을 순차적으로 식각하여 픽셀 단위의 액츄에이터를 이루는 공정과, 상기 액츄에이터의 전면에 식각 보호층을 도포하는 공정과, 상기 희생층을 제거하여 상기 액츄에이터를 캔틸레버 구조로 형성시키는 공정과, 상기 식각 보호층을 제거하는 공정으로 이루어진 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 표면 손상층은, 이온 빔을 소정 각도로 입사하여 형성하는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 이온 빔은, 수 KeV의 에너지를 가지는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 이온 빔은, 아르곤(Ar) 이온을 사용하는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
- 제1항 내지 4항에 있어서, 상기 표면 손상층은, 수십∼수백Å 두께로 조절될 수 있는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
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