KR0186012B1 - Memory address and data bus test method - Google Patents
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Abstract
메모리 장치로서 램을 사용하는 시스템에 있어서 데이타의 액세스를 위한 메모리의 어드레스 및 데이타 버스의 단선 또는 단락 상태를 정확하게 테스트하는 방법에 관한 것이다.In a system using a RAM as a memory device, a method for accurately testing the address of a memory for accessing data and a disconnection or short circuit condition of a data bus is provided.
메모리의 모든 어드레스의 데이타를 클리어 시켜 제1초기값으로 셋팅하고 최상위 어드레스의 데이타를 제2초기값으로 셋팅한 후, 최하위 어드레스의 데이타부터 순차적으로 상기 메모리의 저장 데이타를 리드하며 리드한 데이타가 상기 제1초기값일시 설정 어드레스까지 증가시켜 반복하고 반복 완료되면 최상위 어드레스의 데이타가 상기 제2초기값 인가를 검사하여 상기 최상위 어드레스의 데이타가 상기 제2초기값일시 어드레스 및 데이타 버스가 정상임을 디스플레이하며, 최상위 어드레스의 데이타가 상기 제2초기값이 아닐시 어드레스 버스 정상과 함께 데이타 버스 에러를 디스플레이 한다. 또한 상기 리드한 데이타가 상기 제1초기값이 아닐시 상기 제2초기 값인가를 검사하여 상기 제2초기값이 아닐시 어드레스 및 데이타 버스 에러를 디스플레이 하며, 상기 제2초기값일시 데이타 버스 정상과 함께 어드레스 버스 에러를 디스플레이 함으로써 메모리의 데이타 및 어드레스 버스의 단선 또는 단락을 정확하고 신속하게 찾아낼 수 있다.After clearing the data of all addresses in the memory to the first initial value and setting the data of the highest address to the second initial value, the stored data of the memory is sequentially read from the data of the lowest address, and the data read is Incrementing to the first initial value temporary setting address and repeating, and when the repetition is completed, the data of the highest address is checked whether the second initial value is applied and displaying that the data of the highest address is normal to the second initial value temporary address and the data bus. When the data of the most significant address is not the second initial value, a data bus error is displayed together with the address bus normal. Also, if the read data is not the first initial value, it is checked whether the second initial value is displayed, and if it is not the second initial value, an address and a data bus error are displayed. Together, the display of address bus errors enables accurate and rapid detection of disconnection or short circuits in data and address buses in memory.
Description
제1도는 본 발명을 수행하기 위한 블럭 구성도.1 is a block diagram for carrying out the present invention.
제2도는 종래의 흐름도.2 is a conventional flow chart.
제3도는 본 발명에 따른 흐름도.3 is a flow chart according to the present invention.
제4도는 본 발명의 메모리 맵도.4 is a memory map diagram of the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
10 : 중앙처리장치 20 : 메모리10: central processing unit 20: memory
30 : 디스플레이부30: display unit
본 발명은 메모리의 어드레스 및 데이타 버스 테스트 방법에 관한 것으로, 특히 메모리 소자인 램을 사용하는 시스템에 있어서 데이타의 액세스를 위한 램의 어드레스 및 데이타 버스의 단선(open) 또는 단락(short) 상태를 정확하게 테스트하는 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for testing the address and data bus of a memory. In particular, in a system using a RAM as a memory device, an address of a RAM for accessing data and an open or short state of the data bus can be accurately determined. It is about how to test.
일반적으로 램을 메모리 장치로 사용하는 시스템은 제1도와 같이 중앙처리장치(10)와 램을 메모리 장치로 사용한 메모리(20)와 디스플레이(display)부(30)를 구비하여 전원이 온될시 중앙처리장치(10)가 메모리(20)의 상태를 테스트하여 그 결과를 디스플레이부(30)에 표시함으로써 사용자 또는 검사자가 조치를 취하도록 되어 있다. 여기서, 디스플레이부(30)는 통상적으로 LCD(Liquid Crystal Display) 판넬이 사용된다.In general, a system using RAM as a memory device includes a central processing unit 10, a memory 20 using a RAM as a memory device, and a display unit 30 as shown in FIG. The device 10 is configured to test the state of the memory 20 and display the result on the display 30 so that the user or inspector can take action. In this case, the display unit 30 typically uses an LCD (Liquid Crystal Display) panel.
이때 상기 중앙처리장치(10)가 메모리(20)의 상태를 테스트하는 것은 제2도의 흐름도와 같이 이루어지는데, 상기 제1도 및 제2도를 참조하여 종래의 메모리 테스트 방법을 설명하면 다음과 같다.In this case, the CPU 10 tests the state of the memory 20 as shown in the flowchart of FIG. 2. Referring to FIGS. 1 and 2, the conventional memory test method will be described below. .
지금 전원이 온 되면 제1도의 중앙처리장치(10)는 제2도의 (2a)단계에서 메모리(20)의 모든 어드레스의 데이타를 1로 셋팅한다. 이때 하나의 어드레스의 지정 저장영역에 1바이트의 데이타가 저장된다면 1바이트의 데이타를 FFH(16진수값)로 라이트한다. 그리고 (2b)단계에서 상기 메모리(20)의 모든 어드레스의 데이타를 리드하여 (2c)단계에서 상기 라이트한 데이타와 같은지를 검사한다. 이때 두 데이타가 같으면 (2d)단계에서 디스플레이부(30)에 메모리 상태 양호 표시를 하며, 두 데이타가 다르면 (2e)단계에서 표시부(30)에 메모리 상태 불량표시를 한 후 끝낸다. 이에 따라 검사자 또는 사용자가 상기 디스플레이부(30)의 표시 상태에 따라 조치를 취하게 된다.When the power is turned on now, the central processing unit 10 of FIG. 1 sets the data of all addresses of the memory 20 to 1 in step (2a) of FIG. At this time, if one byte of data is stored in the designated storage area of one address, the one byte of data is written in FFH (hexadecimal value). In step (2b), data of all addresses of the memory 20 is read, and it is checked whether or not it is the same as the data written in step (2c). At this time, if the two data are the same, the memory state good indication is displayed on the display unit 30 in step 2d. If the two data are different, the memory state bad indication is displayed on the display unit 30 in step 2e. Accordingly, the inspector or the user takes action according to the display state of the display unit 30.
상기한 바와 같은 종래의 메모리 장치 테스트 방법은 정확한 데이타가 라이트 되었는가 하는 정도만 검사할 수 있으며 어드레스 버스의 단선시에는 이를 검사할 수 없게 되어 있으므로 단선된 단자가 많으면 할당된 데이타 저장영역중 일부분 밖에 쓸 수 없었다. 또한 양산시 어드레스 버스가 단선된 제품일지라도 양품 처리되어 출하 할 수 있는 소지가 있는 문제점이 있었다. 또한 어드레스 버스의 단락 또는 데이타 버스의 단선 및 단락 상태를 메인 시스템의 오동작에 의해 판단함으로써 정확한 단락 위치를 찾을 수 없어 생산성 저하의 요인이 되는 문제점이 있었다.The conventional memory device test method as described above can only check whether or not the correct data has been written. When the address bus is disconnected, it cannot be checked. Therefore, when there are many disconnected terminals, only a part of the allocated data storage area can be written. There was no. In addition, even in the case of mass production, even if the address bus is disconnected, there is a problem that can be shipped with good quality. In addition, since the short circuit of the address bus or the disconnection and short circuit of the data bus is judged by the malfunction of the main system, an accurate short circuit position cannot be found and there is a problem of a decrease in productivity.
따라서 본 발명의 목적은 메모리 장치로서 램을 사용하는 시스템에 있어서, 메모리의 어드레스 및 데이타 버스의 단선 또는 단락 상태를 간단하고 정확하게 테스트 할 수 있는 방법을 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for easily and accurately testing a disconnection or short circuit condition of an address and a data bus of a memory in a system using a RAM as a memory device.
이하 본 발명을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명을 수행하기 위한 블럭 구성도는 전술한 제1도와 같으며 참조부호도 동일하다.The block diagram for carrying out the present invention is the same as the first drawing described above and the same reference numerals.
제3도는 본 발명에 따른 흐름도로서, 메모리(20)의 모든 어드레스 A(O)-A(N) (여기서 N은 0이 아닌 자연수)의 데이타를 클리어 시켜 제1초기값 OOH로 셋팅하고 최상위 어드레스 A(N)의 데이타를 제2초기값 FFH로 셋팅한 후 어드레스 지정값 j를 0으로 설정하는 초기 설정과, 상기 어드레스 지정값 j를 증가시키면서 최하위 어드레스 A(O)의 데이타부터 순차로 리드하며 리드한 데이타가 제1초기값 OOH일시 상기 어드레스 지정값 j가 설정값이 될 때까지 반복하는 제1검색과정과, 상기 제1검색 과정에서 상기 어드레스 지정값 j가 설정값이 될시 최상위 어드레스 A(N)의 데이타를 리드하여 제2초기값 FFH인가를 검사하는 제2검색과정과, 상기 제2검색 과정에서 최상위 어드레스 A(N)의 데이타가 제2초기값 FFH일시 어드레스 및 데이타 버스가 정상임을 디스플레이를 하는 정상 검출과정과, 상기 제2검색 과정에서 최상위 어드레스 A(N)의 데이타가 제2초기값 FFH가 아닐시 최상위 어드레스 A(N)의 데이타를 디스플레이하여 데이타 버스 에러를 나타내는 제1에러 검출 과정과, 상기 제1검색 과정에서 리드한 데이타가 제1초기값 OOH가 아닐시 제2초기값 FFH인가를 검사하는 제3검색과정과, 상기 제3검색과정의 리드한 데이타가 제2초기값 FFH가 아닐시 해당 어드레스 A(j) 및 최상위 어드레스 A(N)와 해당 어드레스 A(j)의 데이타를 디스플레이 하여 어드레스 및 데이타 버스 에러를 나타내는 제2에러 검출과정과, 상기 제3검색 과정의 리드한 데이타가 제2초기값 FFH일시 데이타 버스 정상 함께 해당 어드레스 A(j) 및 최상위 어드레스 A(N)을 디스플레이하여 어드레스 버스 에러를 나타내는 제3에러 검출 과정으로 이루어진다.3 is a flow chart according to the present invention, which clears data of all addresses A (O) -A (N) (where N is a non-zero natural number) of the memory 20, sets it to the first initial value OOH, and sets the highest address. An initial setting of setting the data of A (N) to the second initial value FFH and then setting the addressing value j to 0, and sequentially reading from the data of the lowest address A (O) while increasing the addressing value j. A first search step of repeating the read data until the address designation value j becomes a set value at a first initial value OOH; and the highest address A when the address designation value j becomes a set value in the first search process. A second search step of reading data of (N) to check whether the second initial value FFH is applied; and in the second search step, the data of the highest address A (N) is the second initial value FFH temporary address and the data bus are normal; Normal display A first error detection process indicating a data bus error by displaying data of the highest address A (N) when the data of the highest address A (N) is not the second initial value FFH in the detection process and the second search process; A third search step of checking whether the data read in the first search process is not the first initial value OOH, and whether the data read in the third search process is not the second initial value FFH. The second error detection process indicating the address and data bus error by displaying the data of the corresponding address A (j) and the highest address A (N) and the corresponding address A (j), and the read data of the third search process. The second initial value FFH temporary data bus is normally displayed together with the corresponding address A (j) and the highest address A (N) to indicate a third error detection process indicating an address bus error.
상기 제3도의 흐름도는 제1도의 중앙처리장치(10)의 메모리 테스트 기능 흐름도이며, 메모리(20)의 데이타 저장영역이 어드레스 A(O)부터 A(N)까지 할당되며 각 어드레스 마다 1바이트의 데이타 저장영역을 지정할 경우의 예를 들것이다.3 is a flowchart of a memory test function of the central processing unit 10 of FIG. 1, wherein a data storage area of the memory 20 is allocated from addresses A (O) to A (N), and 1 byte of each address is used. An example would be when specifying data storage.
제4도는 본 발명의 메모리 맵도로서, 제4도(A)는 메모리(20)의 최상위 어드레스 A(N)의 데이타(D0-D7)를 제2초기값 FFH로 셋팅하며 나머지 어드레스 A(0)-A(N-1)의 데이타(D0-D7)를 제1초기값 00H로 셋팅한 것을 나타낸 것이며, 제4도(B)는 메모리(20)의 j번째 어드레스 A(j)에서 어드레스 버스 에러가 검출 되었을시 해당 어드레스 A(j)의 데이타 버스는 양호한 상태인 경우 A(j)의 데이타(D0-D7)가 제2초기값 FFH로 되어 있게 됨을 나타낸 것이다.FIG. 4 is a memory map diagram of the present invention. FIG. 4A sets data D0-D7 of the highest address A (N) of the memory 20 to the second initial value FFH and the remaining address A (0). Shows that data (D0-D7) of -A (N-1) is set to the first initial value 00H, and FIG. 4 (B) shows the address bus at the jth address A (j) of the memory 20. When an error is detected, the data bus of the address A (j) is in a good state, indicating that the data D0-D7 of the A (j) is set to the second initial value FFH.
이하 본 발명의 일실시예의 동작을 첨부한 제1도의 블럭 구성도와 제3도의 흐름도 및 제4도의 메모리 맵도를 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, an operation of an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the block diagram of FIG. 1, the flowchart of FIG. 3, and the memory map of FIG. 4.
우선 메모리에서 에러가 발생될 수 있는 경우는 다음의 4가지 경우가 있을 수 있다.First, there are four cases in which an error may occur in memory.
ⅰ) 어드레스 및 데이타 버스가 모두 정상일 경우I) If both the address and data bus are normal
ⅱ) 어드레스 버스만 에러일 경우Ii) Only the address bus is an error
ⅲ) 데이타 버스만 에러일 경우I) only data bus error
ⅳ) 어드레스 및 데이타 버스가 모두 에러일 경우I) If both the address and data bus are errors
그러므로 메모리를 테스트 할 경우 상기 4가지 경우를 모두 검출해야 함은 물론 에러 발생시 에러 단자 까지 확인하여야 정확하고 신속한 조치를 취할 수 있다.Therefore, when testing the memory, it is necessary to detect all four cases as well as check the error terminal when an error occurs so that accurate and rapid action can be taken.
이에 따라 제1도의 중앙처리장치(10)는 전원이 온 되면 메모리(20)의 모든 어드레스의 데이타를 제1초기값 00H로 클리어 시킨 후 최상위 어드레스 A(N)에 제2초기값 FFH를 라이트하고 이를 최하위 어드레스 A(0)부터 (N-1)번째 어드레스 A(N-1)까지 리드한다. 이 과정에서 제1초기값 00H가 아닌 값이 얻어지는 j번째 어드레스 A(j)가 있으면 최상위 어드레스 A(N)과 비교하여 틀린 비트만 검사하면 바로 그 위치가 단선 또는 단락된 어드레스 단자이다.Accordingly, when the power supply is turned on, the central processing unit 10 of FIG. 1 clears the data of all addresses in the memory 20 to the first initial value 00H, and then writes the second initial value FFH to the highest address A (N). This is read from the lowest address A (0) to the (N-1) th address A (N-1). In this process, if there is a j-th address A (j) where a value other than the first initial value 00H is obtained, the position is disconnected or short-circuited if only the wrong bit is checked compared to the highest address A (N).
또 이때의 데이타값을 읽어서 0인 비트만 검사하면 바로 그 위치가 단선 또는 단락된 데이타 단자이다.If the data value at this time is read and only the bit that is 0 is checked, the position is a disconnected or shorted data terminal.
만일 상기 과정에서 모두 제1초기값 00H가 얻어지면, 어드레스 버스는 이상이 없으면 최상위 어드레스 A(N)의 데이타값을 읽어보고 0인 비트만 검사하면 단선 또는 단락된 단자를 검출할 수 있다. 상기 방법은 C-MOS 메모리의 단선된 입력은 0으로 리드된다는 공지의 사실을 기초로 한다.If the first initial value 00H is obtained in the above process, if there is no error, the address bus can detect the disconnected or shorted terminal by reading the data value of the highest address A (N) and checking only the bit that is zero. The method is based on the known fact that a disconnected input of a C-MOS memory is read as zero.
상기와 같은 바를 제3도의 흐름도를 참조하여 설명하면 다음과 같다.The above will be described with reference to the flowchart of FIG. 3.
지금 전원이 온되면 제1도의 중앙처리장치(10)는 제3도의 (3a)단계에서 메모리(20)의 A(0)부터 A(N)까지의 모든 어드레스의 데이타를 클리어 시켜 제1초기값 00H로 셋팅한 후, (3b)단계에서 최상위 어드레스 A(N)의 데이타를 제2초기값 FFH로 라이트하여 셋팅한다. 이에 따라 상기 메모리(20)의 메모리 맵은 제4도 (a)와 같이 된다.When the power is turned on now, the central processing unit 10 of FIG. 1 clears data of all addresses from A (0) to A (N) of the memory 20 in step (3a) of FIG. After setting to 00H, in step 3b, the data of the highest address A (N) is written to the second initial value FFH and set. Accordingly, the memory map of the memory 20 is as shown in FIG. 4 (a).
그리고 (3c)단계에서 상기 메모리(20)의 데이타를 최하위 어드레스 A(0)부터 어드레스를 순차적으로 증가시키면서 리드하기 위하여 어드레스 지정값 j를 초기값 0으로 설정한다. 이는 어드레스 단자가 다수개의 에러가 있을시 최하위 어드레스 A(0)부터 리드하지 않으면 모든 에러단자를 검출할 수 없기 때문이다.In step (3c), the address designation value j is set to an initial value 0 in order to read the data of the memory 20 while sequentially increasing the address from the lowest address A (0). This is because all error terminals cannot be detected unless the address terminal reads from the lowest address A (0) when there are a plurality of errors.
다음에 (3d)-(3e)단계에서 어드레스 지정값 j가 0인 최하위 어드레스 A(0)의 데이타를 메모리(20)로 부터 리드하여 상기 (3a)단계에서 클리어 시킨 제1초기값 00H인가를 검사한다.Next, in step (3d)-(3e), the data of the lowest address A (0) whose address designation value j is 0 is read from the memory 20, and is cleared in step (3a). Check it.
이때 제1초기값 00H이면 이상이 없는 것이므로 (3f)단계로 진행하여 어드레스 지정값 j가 (N-1)이 되었는가 검사하여 되지 않았으면 (3g)단계로 진행하여 어드레스 지정값 j를 1증가 시킨후 상기 (3e)단계로 루핑하여 전술한 과정을 반복한다.If the first initial value is 00H, there is no problem. Therefore, go to step (3f) to check whether the address designation value j is (N-1). If not, proceed to step (3g) to increase the address designation value j by one. After that, the above-described process is repeated by looping to step (3e).
즉, 어드레스 지정값 j의 증가에 의해 어드레스를 최하위 어드레스 A(0)부터 (N-1)번째 어드레스 A(N-1)까지 순차적으로 증가시키면서 데이타를 리드하여 상기 제1초기값 00H로 되어 있는가를 검사하는 것이다.That is, as the address designation value j increases, the address is read sequentially while the address is sequentially increased from the lowest address A (0) to the (N-1) th address A (N-1) to determine whether the first initial value is 00H. To check.
상기 (3f)단계에서 (N-1)번째 어드레스 A(N-1)까지의 데이타가 모두 제1초기값 00H이면 어드레스 버스는 정상이라고 판단하고 데이타 버스의 검사를 위해 (3h)단계로 진행한다. 상기 (3h)단계에서는 상기 (3b)단계에서 라이트 하였던 최상위 어드레스 A(N)의 데이타를 리드하여 (3i)단계에서 제2초기값 FFH인가를 검사한다. 여기서 제2초기값 FFH이면 (3j)단계에서 어드레스 및 데이타 버스가 모두 정상임을 디스플레이부(30)에 디스플레이 하며, 제2초기값 FFH가 아니면 (3k)단계에서 최상위 어드레스 A(N)의 데이타를 디스플레이부(30)에 디스플레이 하여 데이타 버스 에러를 나타낸다. 상기 (3k)단계에서 디스플레이 되는 최상위 어드레스 A(N)의 데이타에서 1이 아닌 비트에 해당하는 단자가 데이타 버스 에러 발생단자가 된다.If all data up to the (N-1) th address A (N-1) in step (3f) are the first initial value 00H, it is determined that the address bus is normal, and the process proceeds to (3h) to check the data bus. . In step (3h), data of the most significant address A (N) written in step (3b) is read, and it is checked in step (3i) whether it is the second initial value FFH. If the second initial value FFH is displayed on the display unit 30 that both the address and the data bus are normal in step (3j), and if the second initial value FFH is not, the data of the highest address A (N) is displayed in step (3k). The display unit 30 displays the data bus error. A terminal corresponding to a bit other than 1 in the data of the highest address A (N) displayed in step (3k) becomes a data bus error occurrence terminal.
한편 상기 (3d)-(3e)단계에서 j번째 어드레스 A(j)의 데이타가 제1초기값 00H가 아닌 값이 리드되면 어드레스 버스가 에러인 상태이다.On the other hand, if the data of the j-th address A (j) is read other than the first initial value 00H in steps (3d) to (3e), the address bus is in an error state.
이때 데이타 버스도 검사해야 하므로 (3l)단계로 진행하여 상기 해당 어드레스 A(j)의 데이타가 제2초기값 FFH인가를 검사한다.In this case, the data bus must also be checked, so the process proceeds to step 3l to check whether the data of the address A (j) is the second initial value FFH.
상기 (3l)단계에서 제2초기값 FFH이면 데이타 버스도 에러이므로 (3m)단계에서 해당 어드레스 A(j) 및 최상위 어드레스 A(N)와 해당 어드레스 A(j)의 데이타를 디스플레이부(30)에 동시에 디스플레이 하여 어드레스 및 데이타 버스가 모두 에러임을 나타낸다.If the second initial value FFH in step (3l) is also an error in the data bus, in step (3m) the data of the corresponding address A (j) and the highest address A (N) and the corresponding address A (j) is displayed. Display at the same time, indicating that both the address and data bus are errors.
상기 (3m)단계에서 디스플레이 되는 해당 어드레스 A(j)와 최상위 어드레스 A(N)를 비교하여 서로 다른 비트에 해당하는 단자가 어드레스 버스 에러 발생단자이며 데이타 버스 에러 발생단자는 상기 (3k)단계에서와 같이 찾을 수 있다.Comparing the corresponding address A (j) and the highest address A (N) displayed in the step (3m), the terminals corresponding to different bits are the address bus error occurrence terminal and the data bus error occurrence terminal is the (3k) step You can find it like this:
상기 (3l)단계에서 해당 어드레스 A(j)의 데이타가 제2초기값 FFH이면 메모리(20)의 메모리 맵은 제4도 (b)와 같은 상태로서 데이타 버스는 정상이므로 (3n)단계에서 데이타 장상과 함께 해당 어드레스 A(j) 및 최상위 어드레스 A(N)을 디스플레이하여 어드레스 버스 에러임을 나타낸다. 이때 어드레스 버스 에러 발생단자도 상기 (3m)단계에서와 같이 찾을 수 있다.If the data of the corresponding address A (j) is the second initial value FFH in step (3l), the memory map of the memory 20 is as shown in FIG. 4 (b). The address A (j) and the highest address A (N) are displayed together with the fault, indicating an address bus error. At this time, the address bus error occurrence terminal may be found as in step (3m).
전술한 바와 같은 과정의 수행에 의해 어드레스 및 데이타 버스의 에러 발생단자를 모두 검사할 수 있게 된다.By performing the above process, both the error occurrence terminal of the address and the data bus can be inspected.
상술한 바와 같이 본 발명은 메모리 장치로서 램을 사용하는 시스템에 있어서, 종래 기술의 가장 큰 문제점인 메모리의 어드레스 버스의 단선시 발생하는 메모리 효율의 저하를 막을 수 있으며 어드레스 버스 및 데이타 버스의 단선 또는 단락된 부위를 정확히 찾아냄으로써 생산 및 사용시 수리시간을 단축할 수 있는 잇점이 있다.As described above, the present invention can prevent a decrease in memory efficiency caused by disconnection of an address bus of a memory, which is the biggest problem of the prior art, in a system using a RAM as a memory device. Accurately identifying shorted areas can reduce repair time during production and use.
Claims (5)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019910008347A KR0186012B1 (en) | 1991-05-23 | 1991-05-23 | Memory address and data bus test method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019910008347A KR0186012B1 (en) | 1991-05-23 | 1991-05-23 | Memory address and data bus test method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR920022313A KR920022313A (en) | 1992-12-19 |
KR0186012B1 true KR0186012B1 (en) | 1999-04-15 |
Family
ID=19314782
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019910008347A KR0186012B1 (en) | 1991-05-23 | 1991-05-23 | Memory address and data bus test method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR0186012B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100766970B1 (en) * | 2001-05-11 | 2007-10-15 | 삼성전자주식회사 | Initial setting system of display device and its control method |
-
1991
- 1991-05-23 KR KR1019910008347A patent/KR0186012B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100766970B1 (en) * | 2001-05-11 | 2007-10-15 | 삼성전자주식회사 | Initial setting system of display device and its control method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR920022313A (en) | 1992-12-19 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 19910523 |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 19960522 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 19910523 Comment text: Patent Application |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 19981127 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
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|
PR1002 | Payment of registration fee |
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