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KR0177279B1 - 웨이퍼의 평활도를 유지하면서 웨이퍼기판의 금속오염물을 세척하는 방법 - Google Patents

웨이퍼의 평활도를 유지하면서 웨이퍼기판의 금속오염물을 세척하는 방법 Download PDF

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KR0177279B1
KR0177279B1 KR1019950014782A KR19950014782A KR0177279B1 KR 0177279 B1 KR0177279 B1 KR 0177279B1 KR 1019950014782 A KR1019950014782 A KR 1019950014782A KR 19950014782 A KR19950014782 A KR 19950014782A KR 0177279 B1 KR0177279 B1 KR 0177279B1
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KR
South Korea
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amphoteric surfactant
ammonium hydroxide
substrate
alkyl
wafer
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KR1019950014782A
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KR960002614A (ko
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엠. 일라디 조셉
슈바르콥프 죠오지
Original Assignee
안토니 피에르지오바니 제이알
말린크로드 베이커 인크
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by 안토니 피에르지오바니 제이알, 말린크로드 베이커 인크 filed Critical 안토니 피에르지오바니 제이알
Publication of KR960002614A publication Critical patent/KR960002614A/ko
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Abstract

본 발명은 수성, 금속 이온 없는 기재와 양쪽성 계면활성제 그리고 임의로 금속 착화제 및 프로필렌 글리콜 에테르 유기 용매로 구성되는 세척 조성물로 웨이퍼 기판을 접촉시키는 것에 의해 웨이퍼의 평활도를 유지하면서 웨이퍼 기판의 금속 오염물을 세척하는 방법에 관한 것이다.

Description

웨이퍼의 평활도를 유지하면서 웨이퍼 기판의 금속오염물을 세척하는 방법
본 발명은 웨이퍼의 표면평활도를 유지하면서, 집적회로기판 특히 웨이퍼 및바이어스의 금속오염물을 세척하기위해 마이크로일렉트로닉스 산업에 사용되는 과산화수소가 없는 세제에 관한 것이다.
실리콘 웨이퍼와 같은 집적회로(IC)기판을 금속이 없는 알칼리 용액으로 세척하여 유기 및 금속오염을 제거하는것은 널리 이용되어 왔었다. 이러한 형태의 알칼리 용액으로 사용되어 온 일반적인 것으로 수산화 암모늄, 과산화수소, 및 물(1:1:5비율의 30% H2O2, 28% NH4OH 및 H2O)로 구성된 SC-1 또는 RCA-1 으로 알려진 것이 있다. SC-1으로는 여러 가지 세척 작업이 수행되는데 예를들어 제작직후 실리콘 웨이퍼의 세척, 게이트의 산화물 성장 직전 실리콘 웨이퍼의 세척, IC 가공순서중에서 산화물 에칭 잔류물의 제거, 및 선택적인 에칭과 저항성 미립자 제거에 사용된다.
웨이퍼 표면을 뜨고운 SC-1 또는 RCA-1 용액으로 처리한후 일반적으로 SC-1 또는 RCA-1에 의해 미처리된 금속을 제거하기 위해 SC-2 또는 RCA-2로 알려진 뜨거운 산 용액으로 처리한다. 이 산용액 SC-2는 과산화수소, 염산 및 물(1:1:5의 30% H2O2, 37% HCI 및 H2O)로 구성된다.
SC-1 및 SC-2는 모두 과산화수소를 포함한다. 과산화 수소는 실리콘 금속을 강산 또는 강염기로부터 보호하기 위해 실리콘 표면의 에칭 또는 조악화를 막는 보호 산화물층을 연속적으로 형성하는 역할을 한다.
그러나, 산화물 표면이 필요하지 않는 다른 가공에 적합한, 산화물 없는 웨이퍼 표면이 필요하다. 대개, 세척 용액중의 과산화수소에 의해 형성된 보호산화물층을 제거할 필요가 있다. 그러한 보호 산화물층을 제거하기 위해 예를들어 HF를 사용한다.
그러나, SC-1 조성물중의 과산화수소의 존재는 이용액의 고유한 불안정성을 부여한다. 그러한 용액은 일반적으로 70℃에서 1시간 이하의 과산화물 반감기를 나타낸다. SC-1 용액중에 금속, 특히 구리 및 철이 존재하는 경우 과산화수소는 불안정하게되며 빠른 발열반응으로 분해되어 상당히 위험한 상태로 이르게 된다. 과산화수소는 금속 오염에 낮은 내성을 갖고 있다. 또한, 분해된 과산화수소는 과산화수소의 농도를 떨어뜨리게 되고 IC 제조에 허용되지 않는 실리콘 에칭이 생긴 웨이퍼를 만들게 될 가능성이 있다. 따라서, 분해된 과산화수소는 보충해야할 필요가 있으며 이것은 용액의 조성을 변화시키고 그에 따른 세척성을 변화시키게 된다. 또한, 과산화수소 용액의 높은 pH는 안정성과 환경적인 문제에 있어 바람직하지 않다.
SC-1 또는 RCA-1 용액이래 웨이퍼 표면을 세척하기 위한 기초물질로 수산화 암모늄이 아닌 다른 물질을 사용하는 용액이 제안되어져 왔었다. 예를들어, 테트라메틸 암모늄 히드록사이드(TMAH) 또는 트리메틸 -2- 히드록시에틸 암모늄 히드록사이드(클로린)와 같은 4차 암모늄의 수산화물을 사용하는 것이 일본국 특허공보 제3-93229호, 미합중국 특허 제 4,239,661호에 기재되어 있다.
미합중국 특허 제4,964,919호에 기재된 웨이퍼의 조도는 고밀도 집적회로 제조에 부적합하였다.미합중국 특허 제5,207,866호에는 또한 과산화수소가 없는 4차아민을 사용하여 웨이퍼의 실리콘 100표면을 비등방적으로 에칭하는 것이 기재되어 있다.
과산화수소를 사용하지 않는경우 상기의 알칼리성 또는 4차 암모늄의 수산화물을 기재로하는 세제는 모두 본 발명에 의해 얻을수 있는, 그리고 고밀도의 집적회로제조에 필요한 조도를 얻을수 없었다.
본 발명의 목적은 보호 산화물층을 제공하기 위한 과산화수소를 사용하지 않고 표면조도의 증가없이 웨이퍼 기판의 금속오염물을 세척하기 위한 세척용액을 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 표면 조도의 미세한 증가 없이 그리고 산화물 표면이 필요치 않은 다음의 가공에 적합한 표면을 만드는 산화물-없는 웨이퍼 표면을 남기며 웨이퍼 표면의 금속오여물을 세척하기 위한 세제조성물을 제공하는 것이다. 본 발명의 또다른 목적은 산처리 단계 또는 산화물 표면을 제거하기 위한 HF와 같은 물질의 사용없이 웨이퍼 표며의 금속오염물을 제거하는 것이다. 본 발명은 또한 단 하나의 세척 용액을 사용하여 표면 조도의 미세한 증가없이 웨이퍼 표면의 금속 오염물을 세척하는 방법을 제공한다.
본 발명의 또 다른 목적은 수성 알칼리성 용액 특히 과산화수소 또는 다른 산화제가 없는 수성 4차 암모늄의 수산화물 용액을 사용해 웨이퍼 표면의 미세조도의 미세한 증가없이 금속 오염물을 세척하는 방법 및 조성물을 제공하는 것이다.본 발명의 또 다른 목적은 웨이퍼의 피크높이와 골 사이의 Z 방향에서 평균거리로 25A° 이하의 조도를 나타내는 웨이퍼를 세척하는 방법 및 조성물을 제공하는 것이다.
수성 알칼리성 금속이온이 없는 기재 및 양쪽성 계면활성재로 구성된 과산화수소가 없는 세척용액을 사용해, 표면 조도의 증가없이 금속오염물을 제거하기 위한 마이크로일렉트로닉스 웨이퍼 표면의 세척방법은, 웨이퍼 표면을 세척용액으로 웨이퍼 표면을 세척하기에 충분한 온도와 시간으로 접촉시키는 것으로 구성된다. 세척용액은 선택적으로 금속착화제 및/또는 유기용매를 포함할수 있다. 그러한 과산화수소가 없는 수성 알칼리성 세척 조성물은 바람직하지 않은 웨이퍼 조도를 나타내지 않고 금속 오염물에 대한 효과적인 세척작용을 하였다. 하기실시예에서 알수 있듯이 알칼리성 기재만을 포함한 세제 조성물은 효과적인 세척 작용 및 바람직한 표면조도 즉, Z 범위 조도로 25A°이하를 나타낼수 없었다.
본 발명에 사용되는 수성 알칼리성 세척 조성물은 전체 세제 조성물을 기준으로 25중량% 이하, 일반적으로 0.05내지 10중량%의 알칼리성 성분, 및 10중량% 이하,일반적으로 0.001 내지 10중량% 바람직하게는 0.01 내지 5중량%의 양쪽성 계면활면제로 구성된다. 나머지는 물, 바람직하게는 탈이온수로 채워진다. 선택적으로 본 발명의 알칼리성 세척 조성물은 2중량% 이하의 금속착화제 및 5중량% 이하의 유기 용매를 포함할 수 있다.
본 발명의 세제 조성물에는 어떤 적당한 알칼리 성분도 사용될 수 있다.바람직하게는 테트라알킬(알킬 또는 알콕시 그룹에 1내지 4탄소원소를 갖는 히드록시-및 알콕시-함유 알킬 그룹 포함)암모늄 히드록사이드와 같은 4차 아모늄의 수산화물을 사용하며 가장 바람직하게는 테트라메틸 암모늄 히드록사이드 및 트리메틸 -2- 히드록시에틸 암모늄 히드록사이드(클로린)를 사용한다. 다른 사용가능한 4차암모늄의 수산화물로는 트리메틸 -3- 히드록시프로필 암모늄 히드록사이드, 트리메틸 -3- 히드록시부틸 암모늄 히드록사이드, 트리메틸 -4- 히드록시부틸 암모늄 히드록사이드, 트리에틸 -2- 히드록시에틸 암모늄 히드록사이드, 트리프로필 -2- 히드록시에틸 암모늄 히드록사이드, 트리부틸 -2- 히드록시에틸 암모늄 히드록사이드, 디메틸에틸 -2- 히드록시에틸 암모늄 히드록사이드, 디메틸디(2-히드록시에틸)암모늄 히드록사이드, 모노메틸트리(2-히드록시에틸)암모늄 히드록사이드, 테트라에틸 암모늄 히드록사이드, 테트라프로필 암모늄 히드록사이드, 테트라부틸 암모늄 히드록사이드, 모노메틸 트리에틸 암모늄 히드록사이드, 모노메틸 트리프로필 암모늄 히드록사이드, 모노에틸트리메틸 암모늄 히드록사이드, 모노에틸트리부틸 암모늄 히드록사이드, 모노에틸트리부틸 암모늄 히드록사이드, 디메틸디에틸 암모늄 히드록사이드, 디메틸디부틸 암모늄 히드록사이드 등과 이들의 혼합물이 있다.
다른 사용가능한 알칼리 성분으로는 예를들어 수산화암모늄, 유기아민 특히 2-아미노에탄올, 1-아미노-2-프로판올, 1-아미노-3-프로판올, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 2-(2-아미노에틸-아미노)에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)에탈아민등과 같은 알칸올아민, 및 구아니딘과 같은 다른 강한 유기염기들이 있다. 나트륨 또는 칼륨을 포함하는 알칼리 용액도 사용가능하다. 이들 알칼리 성분의 혼합물 특히, 수산화 암모늄과 상기의 테트라알킬 암모늄 히드록사이드와의 혼합물도 사용가능하다.
본 발명의 수성 알칼리성 세제 조성물은 또한 적당한 양쪽성 계면활성제를 포함한다. 본 발명의 세제조성물에 유용한 양쪽성 계면활성제로는 예를들어, 알킬 베타인, 아미도알킬 베타인, 알킬 슬포베타인 및 아미도알킬 슬로베타인과 같은 베타인류 슬포베타인류 암포 글리시네이트, 암포프로피오네이트, 암포디글리시네이트 및 암포디프로피오네이트와 같은 아미노카르복실시산 유도체류 ; 알콕시 알킬 아미노 이가산과 같은 이미노이가산류 ; 알킬 아민 옥사이드 및 알킬아미도 알킬 아민 옥사이드와 같은 아민 옥사이드류 ; 플로오로알킬 슬포네이트 및 불소화된 알킬 양쪽성 물질 ; 및 이들의 혼합물이 있다.
본 발명의 세제 조성물에 이용되는 양쪽성 계면활성제로는 예를들어 하기식의 화합물이 있다.
R이 아킬 또는이고, Z가 COO­또는 SO3­,R1이 알킬 또는 히드로 알킬,R2가 20탄소원자 이하의 알킬, 바람직하게는 12 내지 15 탄소원자의 알킬이며,R3가 알킬인 하기식의 베타인 및 슬포베타인
R가 20탄소원자 이하, 바람직하게는 6내지 15탄소원자의 알킬, R5,R6및R7이 각각 알킬, Y가 0또는 COO이고 X는 R8이 알킬인 O-R8-COOH 또는 COOH인 하기식의 암포글리시네이트 및 암포프로피오네이트 ;
R9이 20탄소원자이하, 바람직하게는 10 내지 15탄소원자의 알킬이고, R10,R11및 R12가 각각 알킬인 하기식의 이미노이가산 ;
R13이 알킬 또는 R14가 20 탄소원자이하, 바람직하게는 12 내지 15탄소원자의 알킬이고 R15가 알킬인이며,R16및 R17이 각각 알킬인 하기식의 아민 옥사이드 ;
및 플루오로알킬슬포네이트와 불소화된 알킬 양쪽성 물질.
상기 양쪽성 화합물 알킬에서 별 다른 언급이 없는한 알킬은 일반적으로 1내지 4탄소원자의 저급알킬이다.
본 발명에 유용한 양쪽성 계면활성제의 구체적인 예로는, 코코아미도프로필 베타인,코코아미도프로필 디메틸 베타인, 코코아미도프로필 히드럭시 술타인, 카프릴로암포디프로피오네이트, 코코아미도디프로피오네이트, 코코암포프로피오네이트, 코코암포히드록시에틸 프로피오네이트, 이소데실옥시 프로필이미노 디프로피온산, 라우릴 이미노디프로피오네이트, 코코아미도프로필아민 옥사이드 및 코코아민 옥사이드 그리고 3M Specialty Chemicals사의 플루오라드 FC-100과 같은 불소화된 알킬 양쪽성물질이 있다.
본 발명의 세척용액은 그대로 사용하거나 용액속에 금속을 유지시키는 성능을 증가시키기 위해 금속 킬레이트제와 같은 적당한 부가 성분을 포함시켜 사용할 수도 있다.이러한 목적을 위한 킬레이트제로는 예를들어 하기의 유기산과 그들의 염이 있다. 에틸렌디아민테트라아세트산(EDAT), 부틸렌디아민 테트라아세트산, 시클로헥산 -1,2-디아민테트라-아세트산, 디에틸렌트리아민 펜타아세트산, 에틸렌디아민테트라 프로피온산,(히드록시에틸)에틸렌디아민트리아세트산(HEDTA), 니트롤로트리아세트산(NTA), 시트르산, 타르타르산, 글루코산, 사카르산, 글리세르산, 옥살산, 프탈산, 말레산, 만델산, 말론산, 락트산, 살리실산, 카테콜, 8-히드록시퀴놀린, N,N,N`,N`-에틸렌 디아민테트라(메틸렌포스폰)산 등.
또한, 프로필렌 글리콜 에테르 유기용매, 특히 프로필렌 글리콜 모노알킬 에테르 예를들어 n-부록시프로판올을 부가하는것도 세척력을 증가시키고 세제 조성물의 금속 포착능을 증가시키므로 바람직하다.바람직한 것은 프로필렌 글리콜 모노알킬 에테르 유기용매와 금속 킬레이트제, 바람직하게는 에틸렌 디아민테트라아세트산과 n-부록시프로판올을 모두 포함하는 것이다.
본 발명의 세제 조성물은 25중량%이하, 일반적으로 0.05내지 10중량%, 바람직하게는 0.1 내지 5중량%의 알칼리 성분을 포함한다.양쪽성 계면활성제는 10중량%이하, 일반적으로 0.001내지 10중량%, 바람직하게는 0.01내지 5중량%보다 바람직하게는 0.1 내지 1중량%의 양으로 포함된다.
금속 킬레이트제가 세제 조성물에 포함된다면 그양을 5중량%이하, 일반적으로 0.05내지 5중량%, 바람직하게는 0.5내지 2중량%이다. 마찬가지로, 프로필렌 글리콜 에테르 유기용매가 본발명의 세제 조성물에 사용된다면, 그양은 5중량%이하, 일반적으로 0.05내지 5중량%, 바람직하게는 0.5내지 2중량%이다. 세제 조성물의 나머지는 물, 바람직하게는 탈이온수로 채워진다.
본 발명의 바람직한 세제 조성물은 예를들어 0.08중량%의 테트라메틸 암모늄 히드록사이드(TMAH), 0.2중량%의 수산화암모늄, 0.08%중량의 코코암포히드록시에틸프로피오네이트(0.2% 레보테릭 AM KSF-40) 계면활성제(Sherex Chemical Company사 제품), 1.9중량%의 n-부록시판올 및 0.1중량%의 에틸렌디아민테트라아세트산(EDTA)의 수용액이다.
하기 실시예는 본 본 발명을 설명하기 위한 것이며, 제한하는 것은 아니다.실시예에서 %는 특별한 언급이 없는한 중량% 이다. 실시예는 본 발명의 세제조성물이 웨이퍼 표면을 세척하는데 있어 과산화수소와 같은 산화제없이 미세한 긁힘을 방지하고 산러리단계 없이 낮은 금속레벨을 얻는데 놀라운 효과를 나타낸다는 것을 보여준다.
실시예에서, 세제조성물은 모두 폴리에틸렌 또는 폴리테트라플루오로에틸렌 용기에서 제조되었다. 신규의 3양면이 연마된 실리콘 웨이퍼(9도우핑된,100결정판)를 언급된 온도에서 10분간 세제용액에 담근후, 웨이퍼를 제거하여 탈이온수로 행군후 분석하였다. 처리 후 Rz(피크높이와 골사이의 Z방향의 평균거리로 정의됨)를 각 세제조성물에 대해 측정하였다. 금속 레벨을 증기상 침척 / 플리즈마-질량분석의 결합에 의한 측정으로 기재하였다. 조도측정을 Tencor Alpha Ttep 100과 같은 원자력현미경 또는 프로필로니터를 사용하여 행했다.
실시예중의 양쪽성 계면활성제의 농도는 하기 표에 나타낸 상용 계면활성제 중량%이다.
실시예에 사용된 양쪽성 계면활성제는 다음과 같다.
[실시예 1]
양쪽성 계면활성제를 포함하는 그리고 포함하지 않는 테트라메틸암모늄 히드록사이드 (TM모)수용액을 각각 제조하였다. 웨이퍼를 50℃에서 이 용액에 10분 담근후 제거하고 탈이온수로 헹군후 건조시켜 Rz조도를 측정하였다. 표1에 나타낸 결과는 양쪽성 계면활성제가 알칼리 용액에 노출된 실리콘 표면이 거칠어지는것을 방지 또는 완화시킨다는 것은 명확하게 보여준다. 하기 세척용액의 pH는 모두 12이상이었다.
[실시예 2]
세척 온도가 70℃인것을 제외하고는 실시예1과 같은 방법으로 처리하였다.표2에 나타낸 결과는 양쪽성 계면활성제가 알칼리 용액에 노출된 실리콘 표면이 거칠어지는것을 방지 또는 완화시킨다는 것은 명확하게 보여준다. 하기 세척용액의 pH는 모두 12이상이었다.
[실시예 3]
세척온도가 90℃인것을 제외하고는 실시예 1과 같은 방법으로 처리하였다.표3에 나타낸 결과는 양쪽성 계면활성제가 알칼리 용액에 노출된 실리콘 표면이 거칠어지는 것을 방지 또는 완화시킨다는 것은 명확하게 보여준다.하기 세척용액의 pH는 모두 12이상이었다.
[실시예 4]
테트라메틸암모늄 히드록사이드(TMAH), 테트라암모늄히드록사이드(TEAH), 클로린(2-히드록시에틸트리메틸암모늄 히드록사이드) 및 수산화암모늄(NHOH)으로 알칼리성 세척성분을 바꾸어가면서 실시예1과 같은 방법으로 웨이퍼를 처리하였다. 알칼리성 성분과 계면활성제의 농도는 각각 0.5중량% 및 0.1중량%였고 50℃에서 10분간 처리하여 결과는 표4에 나타났다. 양쪽성 계면활성제가 없는 경우 각 알칼리성 물질은 실리콘을 에칭하였고 양쪽성 계면활성제가 존재하는 경우에는 에칭표시가 나타나지 않았다.
[실시예 5]
이 실시예의 결과는 1부의 30% 과산화수소, 1부의 28% 수신화암모늄 및 5부의 물을 함유하는 종래의 SC-1에 비해 본 발명의 세제조성물의 금속을 제거하는 성능이 탁월하다는 것을 보여준다. 상기 부는 부피부이다. 본 발명의 세제조성물(조성물A)은 97.4중량%의 물, 0.1중량의 에틸렌디아민 테트리아세트산, 0.2중량%의 수산화암모늄 및 0.1중량%의 레보테릭 AM KSF-40 양쪽성 계면활성제로 구성되었다.
웨이퍼를 70℃에서 10분간 세척하였다. 표5는 불소산증기상침적법과 플라즈마와 결합된 질량분석기에 의해 측정된 웨이퍼상의 잔류 금속 오염물이며, 상기 처리의 효과를 보여준다. 표5에는 또한 다량의 Fe(100pp) Al(1000ppb) 및 Cu(1000ppb)로 의도적으로 오염시킨 세제에 대한 데이타도 포함되어 있다. 표의 데이타는 금속에 의해 다량으로 오염된 경우에서 조차 조성물 A의 금속포착능이 탁월함을 명확히 보여준다.
[실시예 6]
실시예 5의 세제조성물A를 사용해 미사용 웨이퍼(100결정면, 양면 모두 연마됨, P 도우핑 됨)를70℃에서 10분간 세척하였다. 세척단계 전후의 조도를 원자력 현미경으로 측정하였다.표6의 결과는 연마된 웨이퍼상의 미세한 긁힘을 감소시키는 조성물A의 효과를 보여준다. 비교를 위해 두 개의 다른 조도 Rz 및 평균조도(Ra)를 측정하였다. Ra는 중심면에 대한 표면의 평균값으로 정의되며 하기식을 사용하여 계산한다.
상기식에서 +(x,y)는 중심면에 대한 표면이고 Lx 및 Ly는 2차원에서 표면의 차원들이다.
[실시예 7]
유기물 오염을 피하기 위해 밀봉된 석영 페트리 접시에 보관된 불꽃가열된 57mm석영 웨이퍼를 사용하였다. 이 웨이퍼를 실시예4에 기재된 대로 세척하여 질량분석기와 연결된 플리즈마 크로마티그로피(PC/MS)를 사용해 유기 오염물을 분석하였다. 이 기술은 어떤 부착 유기물들을 가열하여 증기화 시키는 것을 포함한다. 증기화된 분자가 이온화되어 기계를 통과하는것에 의해 퍼텐션기울기를 통해 규명이 가능한 분절로 나누어 진다. 고감도의 PC/MC는 10 부의 매트릭스에서 1부의 유기물질을 검출할 수 있다.
비처리된웨이퍼는 단순히 실온에서 10분간 탈이온수로 헹군것이었다.PC/MC스펙트럼에서, 비처리된 웨이퍼는 두개의 이온질량피크(293 및 337 질량단위)를 가졌는데 이것은 실험실에서 일반적으로 가소제로 사용되는 프탈레이트 에스테르에 의한 것이었다. SC-1을 사용해 실시예 4에서와 같이 세척된 웨이퍼는 PC/MC 스펙트럼 6개의 새로운 이온질량피크 (300, 335, 371, 411, 436, 533 질량단위)를 가졌는데 이것은 비처리된 대조부에 비해 많은 유기오염을 나타내는 것이다. 조성물 A를 사용해 실시예 4에서와 같이 세척한 유기오염을 나타내는 것이다. 조성물 A를 사용해 실시예 4에서와 같이 세척한 웨이퍼는 PC/MC 스펙트럼에서 세개의 이온질량피크 (300,335 및 374 질량단위)를 가졌는데, 이것은 SC-1에 의해 처리된것에 비해 적은 유기오염물을 나타내는 것이다.
따라서, 조성물 A 세척방법은 표준SC-1 처리보다 웨이퍼 상에 잔류하는 증발가능한 유기오염물을 감소시킨다. 이 시험은 조성물 A로 처리했을 경우 조성물 A의 유기성분에 의해 무시할수있을 정도의 잔류물이 남았고 더 이상의 IC 가공에 아무런 지장이 없음을 보여준다.
본 발명의 설명에 의해 당업자는 본 발명의 사상에서 벗어나지 않는 변형을 할 수 있으며, 따라서 본 발명의 범위는 특정의 설명되고 기술된 실시예에 제한되는 것은 아니다.

Claims (15)

  1. 수성, 금속 이온 없는 기재 및 양쪽성 계면활성제로 구성된 알칼리성 세척 조성물로 웨이퍼 표면을 세척하기에 충분한 온도와 시간으로 웨이퍼 표면을 접촉시키는 것으로 구성되는, 웨이퍼의 평활도를 유지하면서 금속 오염물을 제거하기 위 마이크로일렉트로닉스 웨이퍼 표면을 세척하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 알칼리성 세척용액은 0.05내지 10중량%의 금속이온없는 기재와 0.001 내지 10중량%의 양쪽성 계면활성제로 구성되는 것을 특징으로하는 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 금속 이온 없는 기재는 수산화 암모늄 또는 알킬 그룹이 비치환되거나 히드록시 또는 알콜시라디칼로 치환된 알킬그룹인 테트라알킬 암모늄의 수산화물 및 이들의 혼합물로 구성된 그룹에서 선택된 것임을 특징으로 하는 방법.
  4. 제3항에 있어서,금속 이온 없는 기재는 테트라메틸 암모늄 히드록사이드 테트라에틸암모늄 히드록사이드, 트리메틸 -2- 히드록시에틸 암모늄 히드록사이드, 수산화암모늄 및 이들의 혼합물로 구성된 그룹에서 선택된 것임을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 금속 이온 없는 기재는 알칸올아민 또는 구아니딘 인 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 양쪽성 계면활성제는 베타인, 슬포베타인, 아미노카르복실산유도체, 이미노이가산, 아민옥사이드, 플루오로알킬 슬포네이트 및 불소화된 알킬 양쪽성물질, 및 이들의 혼합물로 구성된 그룹에서 선택된 것임을 특징으로 하는 방법.
  7. 제 6항에 있어서, 양쪽성 계면활성제는 알킬 베타인, 아미도알킬 베타인, 알킬 술포베타인, 암포글리시네이트, 암포디글리시네이트, 암포디프로피오네이트 알콕시 알킬 이미노이가산, 알킬 아민옥사이드, 알킬아미도 알킬아민 옥사이드 및 불소화된 알킬 양쪽성 물질로 구성된 그룹에서 선택된 것임을 특징으로 하는 방법.
  8. 제7항에 있어서, 양쪽성 계면활성제는 코코아미도 프로필 베타인, 코코아미도프로필 디메틸 베타인, 코코아미도프로필 히드록시 술타인, 카프릴로암포디프로피오네이트, 코코아미도 디프로피오네이트, 코코암포프로피오네이트, 코코암포히드록시에틸 디프로피오네이트 코코아미도프로필아민 옥사이드 및 코코아민 옥사이드 및 불소화된 알킬 양쪽성 물질로 구성된 그룹에서 선택된 것임을 특징으로 하는 방법.
  9. 제 8항에 있어서, 양쪽성 계면활성제는 카프릴로암포디프로피오네이트 및 코코암포히드록시에틸프로피오네이트로 구성된 그룹에서 선택된 것임을 특징으로 하는 방법.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서, 알칼리성 세척 용액은 5중량% 이하의 금속킬레이트제 및 5중량% 이하의 프로필렌 글리콜 에테르 유기용매로 더 구성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제10항에 있어서, 금속 이온 없는 기재는 수산화암모늄 및 테트라알킬암모늄의 수산화물로 구성되고, 양쪽성 계면활성제는 코코암포히드록시에틸 프로네이트로 구성되고 금속킬레이트제는 에틸렌디아민테트라아세트산으로 구성되며 프로필렌 글리콜 에테르 유기용매는 n-부록시 프로판올로 구성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 0.05내지 25 중량%의 수성, 금속 이온 없는 기재, 0.001내지 10중량%의 양쪽성 계면활성제, 0.05내지 5중량%의 금속킬레이트제 및 0.05내지 5중량%의 프로필렌 글리콜 에테르 뮤기용매로 구성되는 웨이퍼의 평활도를 유지하면서 마이크로일렉트로닉스 웨이퍼 표면을 세척하기 위한 과산화수소가 없는 알칼리성 세척용액.
  13. 제12항에 있어서, 금속이온없는 기재는 수산화 암모늄 또는 알킬 그룹이 비치환되거나 히드록시 또는 알콕시라디칼로 치환된 알킬그룹인 테트라알킬 암모늄의 수산화물 및 이들의 혼합물로 구성된 그룹에서 선택된 것이고 양쪽성 계면활성제는 베타인, 슬포베타인, 아미노 카르복실산 유도체,이미노이가산,아민옥사이드,플루오로알킬 슬포네이트 및 불소화된 알킬 양쪽성물질, 및 이들의 혼합물로 구성된 그룹에서 선택돤 것임을 특징으로 하는 방법.
  14. 제13항에 있어서, 금속 이온 없는 기재는 테트라메틸 암모늄 히드록사이드 테트라에틸암모늄 히드록사이드, 트리메틸 -2- 히드록시에틸 암모늄 히드록사이드, 수산화암모늄 및 이들의 혼합물로 구성된 그룹에서 선택된 것이고 양쪽성 계면활성제는 코코아미도 프로필 베타인,코코아미도프로필 디메틸 베타인,코코아미도프로필 히드록시 술타인,카프릴로암포디프로피오네이트,코코아미도 디프로피오네이트,코코암포프로피오네이트,코코암포히드록시에틸 디프로피오네이트 코코아미도프롤필아민 옥사이드 및 코코아민 옥사이드 및 불소화된 알킬 양쪽성 물질로 구성된 그룹에서 선택된 것임을 특징으로 하는 방법.
  15. 제13항에 있어서, 금속 이온 없는 기재는 수산화암모늄 및 테트라알킬암모늄의 수산화물로 구성되고,양쪽성 계면활성제는 코코암포히드록시에틸 프로피오네이트로 구성되고 금속킬레이트제는 에틸렌디아민테트라아세트산으로 구성되며 프로필렌 글리콜 에테르 유기용매는 n-부톡시 프로판올로 구성되는 것을 특징으로 하는 방법.
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