KR0158641B1 - Matrix display with repairable repair structure in units of pixels - Google Patents
Matrix display with repairable repair structure in units of pixels Download PDFInfo
- Publication number
- KR0158641B1 KR0158641B1 KR1019950039530A KR19950039530A KR0158641B1 KR 0158641 B1 KR0158641 B1 KR 0158641B1 KR 1019950039530 A KR1019950039530 A KR 1019950039530A KR 19950039530 A KR19950039530 A KR 19950039530A KR 0158641 B1 KR0158641 B1 KR 0158641B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- line
- gate line
- auxiliary
- gate
- electrode
- Prior art date
Links
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims abstract description 119
- 230000008439 repair process Effects 0.000 title description 62
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 104
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 80
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 43
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 43
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 33
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 27
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 60
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 8
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 description 1
- 241000677635 Tuxedo Species 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136259—Repairing; Defects
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
본 발명의 수리 구조를 가지고 있는 행렬형 표시 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 화소의 단위로 수리할 수 있는 행렬형 표시 장치에 관한 것이다. 본 발명에서는 주사 신호선, 표시 신호선, 보조 신호선 등의 신호선과 화소 전극 중에서 둘 이상을 절연층을 매개로 중첩시켜 형성함으로써, 표시 신호선 및 주사 신호선의 단선, 화소 전극과 신호선의 단락, 개폐 소자의 전극의 유실로 인한 결함이 발생한 경우 중첩된 부분을 단락시키거나, 트랜지스터의 전극들을 단락시키고 필요한 부분들을 단선시켜 결함을 수리할 수 있다. 이 때, 보조 게이트선 및 이중 게이트선의 구조를 함께 변형할 수도 있다.The present invention relates to a matrix display device having a mathematical structure of the present invention, and more particularly, to a matrix display device that can be repaired in units of pixels. In the present invention, two or more signal lines such as scan signal lines, display signal lines, and auxiliary signal lines and pixel electrodes are formed by overlapping an insulating layer, thereby disconnecting display signal lines and scan signal lines, short circuiting of pixel electrodes and signal lines, and electrodes of switching elements. If a defect is caused by the loss of the circuit, the overlapped part may be shorted, or the electrodes of the transistor may be shorted and necessary parts may be repaired. At this time, the structures of the auxiliary gate line and the double gate line may be modified together.
Description
제1도는 종래의 행렬형 표시 장치를 배선을 중심으로 도시한 평면도이고,FIG. 1 is a plan view showing a conventional matrix display device centered on a wiring line,
제2도는 종래의 액정 표시 장치의 화소 부분을 도시한 등가회로도이고,2 is an equivalent circuit diagram showing a pixel portion of a conventional liquid crystal display device,
제3도는 종래의 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 배치도이고,3 is a layout view of a thin film transistor substrate for a conventional liquid crystal display device,
제4도는 제3도의 A-A선의 단면도이고,4 is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG.
제5도는 화면의 둘레에 폐곡선의 행태로 수리선이 형성되어 있는 종래의 행렬형 표시 장치를 배선을 중심으로 도시한 평면도이고,5 is a plan view showing a conventional matrix display device with a repair line formed in a closed curve around a screen, mainly with a wiring,
제6도 a내지 c는 본 발명의 기본 개념에 따른 첫번째 수리를 수단을 도시한 개략도이고,6a to c are schematic diagrams showing the means for the first repair according to the basic concept of the present invention,
제7도는 제6도의 구조에서 단선된 데이터선을 수리하는 방법을 나타낸 개략도이고,FIG. 7 is a schematic diagram showing a method of repairing a disconnected data line in the structure of FIG.
제8도는 본 발명의 기본 개념에 따른 두번째 수리 수단을 도시한 개략도이고,8 is a schematic diagram showing a second repair means according to the basic concept of the present invention,
제9도 a 및 b는 제8도의 구조에서 단선된 데이터선을 수리하는 방법을 나타낸 개략도이고,9 a and b are schematic diagrams showing a method of repairing a disconnected data line in the structure of FIG. 8;
제10도 a 내지 c는 본 발명의 기본 개념에 따른 세번째 수리 수단을 도시한 개략도이고,10 a to c are schematic views showing a third repair means according to the basic concept of the present invention,
제11도는 제10도의 구조에서 단선된 데이터선을 수리하는 방법을 나타낸 개략도이고,11 is a schematic diagram showing a method of repairing a disconnected data line in the structure of FIG.
제12도 a 및 b는 본 발명의 기본 개념에 따른 네번째 수리수단을 도시한 개략도이고,12 a and b are schematic views showing a fourth repair means according to the basic concept of the present invention,
제13도는 제12도의 구조에서 단선된 데이터선을 수리하는 방법을 나타낸 개략도이고,FIG. 13 is a schematic diagram showing a method of repairing a disconnected data line in the structure of FIG.
제14도 a 내지 d는 본 발명의 기본 개념에 따른 다섯번째 수리 수단을 도시한 개략도이고,14 a to d are schematic views showing a fifth repair means according to the basic concept of the present invention,
제15도는 제14도의 구조에서 단선된 데이터선을 수리하는 방법을 나타낸 개략도이고,FIG. 15 is a schematic diagram showing a method of repairing a disconnected data line in the structure of FIG.
제16도는 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 배치도이고,FIG. 16 is a layout view of a thin film transistor substrate for a liquid crystal display according to a first embodiment of the present invention.
제17도 a 및 b는 본 발명의 제1 실시예에서 결함을 수리하는 방법을 나타낸 도면이고,17 is a view showing a method for repairing a defect in the first embodiment of the present invention,
제18도는 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 배치도이고,18 is a layout view of a thin film transistor substrate for a liquid crystal display according to a second exemplary embodiment of the present invention.
제19도 a 내지 c는 본 발명의 제2 실시예에서 결함을 수리하는 방법을 나타낸 도면이고,19 a to c are views showing a method for repairing a defect in a second embodiment of the present invention,
제20도는 본 발명의제3 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 배치도이고,20 is a layout view of a thin film transistor substrate for a liquid crystal display according to a third exemplary embodiment of the present invention.
제21도 a및 b는 본 발명의 제3 실시예에서 결함을 수리하는 방법을 나타낸 도면이고,21 a and b are views showing a method for repairing a defect in a third embodiment of the present invention,
제22도는 본 발명의 제4 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 배치도이고,FIG. 22 is a layout view of a thin film transistor substrate for a liquid crystal display according to a fourth embodiment of the present invention.
제23도 a 및 b는 본 발명의 제4 실시예에서 결함을 수리하는 방법을 나타낸 도면이고,23 a and b are views showing a method for repairing a defect in a fourth embodiment of the present invention,
제24도는 본 발명의 제5 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 배치도이고,24 is a layout view of a thin film transistor substrate for a liquid crystal display according to a fifth exemplary embodiment of the present invention.
제25도 a 내지 c는 본 발명의 제5 실시예에서 결함을 수리하는 방법을 나타낸 도면이고,25 a to c are views showing a method for repairing a defect in a fifth embodiment of the present invention,
제26도는 본 발명의 제6 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 배치도이며,FIG. 26 is a layout view of a thin film transistor substrate for a liquid crystal display according to a sixth embodiment of the present invention.
제27도 a 내지 d는 본 발명의 제6 실시예에서 결함을 수리하는 방법을 나타낸 도면이다.27A to 27D illustrate a method for repairing a defect in a sixth embodiment of the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
1, 1a, 1b : 보조 게이트선 2 : 게이트 전극1, 1a, 1b: auxiliary gate line 2: gate electrode
3: 게이트 산화막 4 : 게이트 절연층3: gate oxide film 4: gate insulating layer
5 : 반도체층 6 : 접촉층5 semiconductor layer 6 contact layer
7 : 소스 전극 8 : 드레인 전극7 source electrode 8 drain electrode
9 : 보호막 10 : 화소 전극9: protective film 10: pixel electrode
11, 12, 21, 31, 41, 43, 51, 52, 61, 62 : 연결부11, 12, 21, 31, 41, 43, 51, 52, 61, 62: connection
본 발명의 수리 구조를 가지고 있는 행렬형(matrix type) 표시 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 화소(pixel)의 단위로 수리할 수 있는 행렬형 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a matrix type display device having a mathematical structure of the present invention, and more particularly, to a matrix type display device that can be repaired in units of pixels.
인간과 컴퓨터(computer)의 매개를 담당하는 표시 장치로 종래의 음극선관(CRT : cathode ray tube)을 대신하는 액정 표시 장치(LCD : liquid crystal display), 플라즈마 표시 장치(PDP : plasma display panel), EL(electroluminescenec), FED(field emission display) 따위의 각종 평판 표시 장치(FPD : flat panel display)가 있다. 이러한 평판 표시 장치들에는 가로와 세로로 서로 직교하도록 형성되어 있는 행렬형 배선 구조가 사용된다. 이를 도면을 참고로 하여 상세히 설명한다.As a display device for human and computer media, a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), which replaces a conventional cathode ray tube (CRT), There are various flat panel displays (FPD) such as EL (electroluminescenec) and FED (field emission display). Such flat panel displays employ a matrix wiring structure that is formed to be orthogonal to each other horizontally and vertically. This will be described in detail with reference to the drawings.
제1도는 행렬형 표시 장치의 구조를 나타낸 평면도이다.1 is a plan view showing the structure of a matrix display device.
제1도에 도시한 바와 같이, 일반적인 행렬 표시 장치에는, 가로로 다수의 주사 신호선(G1, G2, ……, Gm)이 평행하게 형성되어 있고, 이와 절연층을 매개로 교차하는 다수의 표시 신호선(D1, D2, D3, D4, ……, D2n-1, D2n)이 세로로 형성되어 있다.As shown in FIG. 1, in a general matrix display device, a plurality of scan signal lines G 1 , G 2 ,..., G m are formed in parallel to each other, and a plurality of lines intersecting with each other via an insulating layer. The display signal lines D 1 , D 2 , D 3 , D 4 ,..., D 2n-1 and D 2n are formed vertically.
각 표시 신호선(D1, D2, D3, D4, ……, D2n-1, D2n) 및 주사 신호선(G1, G2, ……, Gm)의 한쪽 끝에는 신호가 입력되는 입력 패드(input pad)(DP1, DP2, DP3, DP4, ……, DP2n-1, DP2n; GP1, GP2, ……, GPm)가 형성되어 있으며, 표시 신호선(D1, D2, D3, D4, ……, D2n-1, D2n)에는 입력 패드가 상부에 형성되어 있는 것(D1, D3, ……, D2n-1)과 하부에 형성되어 있는 것(D2, D4, ……, D2n)이 있다.At one end of each of the display signal lines D 1 , D 2 , D 3 , D 4 ,..., D 2n-1 , D 2n and the scan signal lines G 1 , G 2 , ……, G m , a signal is inputted. Input pads DP 1 , DP 2 , DP 3 , DP 4 ,..., DP 2n-1 , DP 2n ; GP 1 , GP 2 ,..., GP m are formed and display signal lines ( D 1 , D 2 , D 3 , D 4 ,..., D 2n-1 , D 2n ), the input pad is formed on the upper side (D 1 , D 3 , ……, D 2n-1 ) and the bottom There are (D 2 , D 4 ,..., D 2n ) formed in the.
한편, 주사 신호선(G1, G2, ……, Gm) 및 표시 신호선(D1, D2, D3, D4, ……, D2n-1, D2n)이 만나 이루는 공간에는 화소(PX)가 형성되어 행렬의 형태로 배열되어 있으며, 이 화소의 구조는 표시 장치의 종류에 따라 달라질 수 있다.On the other hand, in the space where the scan signal lines G 1 , G 2 ,..., G m and the display signal lines D 1 , D 2 , D 3 , D 4 ,..., D 2n-1 , D 2n meet each other, a pixel is formed. (PX) is formed and arranged in the form of a matrix, the structure of this pixel may vary depending on the type of display device.
액정 표시 장치는 최근 들어 가장 각광을 받고 있는 평판 표시 장치중 하나로서 액정 물질의 전기 광학적(electro-optical) 효과를 이용한 표시 장치이며, 그 구동 방식은 크게 단순 행렬형(simple matrix type)과 능동 행렬형(active matrix type)으로 나누어진다.The liquid crystal display is one of the most popular flat panel display devices in recent years, and is a display device using an electro-optical effect of a liquid crystal material, and its driving method is largely a simple matrix type and an active matrix. It is divided into active matrix types.
능동 행렬형 액정 표시 장치는 행렬의 형태로 배열된 각 화소에 비선형 특성을 가진 개폐(switching) 소자를 부가하여 각 화소의 동작을 제어하는 것이다. 즉, 개폐 소자로는 3단자형인 박막 트랜지스터(TFT : thin film transistor)가 일반적으로 사용되며, 2단자형인 MIM(metal insulator metal) 따위의 박막 다이오드(TFD : thin film diode)가 사용되기도 한다.In an active matrix liquid crystal display, an operation of each pixel is controlled by adding a switching element having a nonlinear characteristic to each pixel arranged in a matrix form. That is, a three-terminal thin film transistor (TFT) is generally used as the switching element, and a thin film diode (TFD) such as a two-terminal metal insulator metal (MIM) is also used.
특히 박막 트랜지스터를 개폐 소자로 사용하는 액정 표시 장치는 박막 트랜지스터 및 화소 전극(pixel electrode), 화소들에 주사 신호 또는 개폐 신호를 공급하는 주사 신호선 또는 게이트선(gate line) 및 표시 신호 또는 화상 신호를 공급하는 표시 신호선 또는 데이터선(data line)이 형성되어 있는 박막 트랜지스터 기판, 공통 전극(common electrode)이 형성되어 있는 대향 기판, 그리고 그 사이에 봉입되어 있는 액정 물질로 이루어져 있다.In particular, a liquid crystal display using a thin film transistor as a switching element includes a thin film transistor and a pixel electrode, a scan signal line or a gate line supplying a scan signal or a gate signal to pixels, and a display signal or an image signal. A thin film transistor substrate on which display signal lines or data lines to be supplied are formed, an opposing substrate on which a common electrode is formed, and a liquid crystal material enclosed therebetween.
그러면 이러한 박막 트랜지스터 액정 표시 장치의 화소의 구조를 제2도를 참고로 하여 설명한다.Next, the structure of the pixel of the thin film transistor liquid crystal display will be described with reference to FIG. 2.
제2도는 액정 표시 장치의 화소의 구조 및 등가 회로를 나타낸 도면으로서, 각 화소(PX)는 하부 기판(박막 트랜지스터 기판)에 형성되어 있는 박막 트랜지스터(TFT), 하부 기판의 화소 전극(pixel electrode)(10)과 대향 기판인 상부 기판의 공통 전극(common electrode)(CE) 및 그 사이의 액정 물질로 이루어지는 액정 축전기(Clc), 그리고 하부 기판에 형성되어 있는 유지 축전기(Cst) 따위를 포함하고 있다. 여기에서 유지 축전기(Cst)는 화소(PX)에 인가된 신호를 일정 시간동안 유지하는 역할을 한다. 한편, 화소(PX)는 박막 트랜지스터(TFT)을 통하여 데이터선 및 게이트선과 연결되어 있다.2 is a diagram illustrating a structure and an equivalent circuit of a pixel of a liquid crystal display, wherein each pixel PX includes a thin film transistor TFT formed on a lower substrate (a thin film transistor substrate) and a pixel electrode of a lower substrate. And a liquid crystal capacitor C lc composed of a common electrode CE of the upper substrate, which is the opposite substrate, and a liquid crystal material therebetween, and a storage capacitor C st formed on the lower substrate. Doing. Here, the storage capacitor C st serves to hold the signal applied to the pixel PX for a predetermined time. The pixel PX is connected to the data line and the gate line through the thin film transistor TFT.
예를 들면, 박막 트랜지스터(TFT)의 한 단자는 데이터선에, 다른 한 단자는 게이트선에, 마지막 한 단자는 화소 전극(10)에 연결되어 있다.For example, one terminal of the thin film transistor TFT is connected to the data line, the other terminal is connected to the gate line, and the last terminal is connected to the pixel electrode 10.
단, 제2도에서는 해당하는 화소(PX)를 개폐하는 박막 트랜지스터는 그 화소의 외부에 존재하는 구조로 되어 있어, 즉, 제2도에 도시한 박막 트랜지스터(TFT)의 한 단자는 이웃하는 화소의 화소 전극과 연결되어 있어 이웃하는 화소를 구동한다. 그러나, 이와는 달리 어떤 화소를 구동하는 박막 트랜지스터가 그 화소 안에 형성되어 있는 경우도 많이 있다.However, in FIG. 2, the thin film transistor that opens and closes the corresponding pixel PX has a structure existing outside the pixel. That is, one terminal of the thin film transistor TFT shown in FIG. 2 is a neighboring pixel. It is connected to the pixel electrode of the driving the adjacent pixels. However, there are many cases where a thin film transistor for driving a pixel is formed in the pixel.
이러한 액정 표시 장치에서 화소를 구동하여 표시 동작을 할 때에는, 공통 전극(CE)에 일정 전압 또는 주기적인 전압을 인가하고, 박막 트랜지스터(TFT)를 통하여 화소 전극(10)에 전압을 인가하면, 액정 축전기(Clc)의 액정 물질의 전기 광학 효과에 의하여 표시 동작이 이루어진다.In the liquid crystal display, when a pixel is driven and a display operation is performed, a predetermined voltage or a periodic voltage is applied to the common electrode CE, and a voltage is applied to the pixel electrode 10 through the thin film transistor TFT. The display operation is performed by the electro-optic effect of the liquid crystal material of the capacitor C lc .
그러면, 제1도 및 제2도와 같은 구조를 가지는 액정 표시 장치에서 하부 기판에 해당하는 박막 트랜지스터 기판의 평면 구조(layout) 및 수직 구조를 제3도 및 제4도를 참고로 하여 살펴본다.Next, in the liquid crystal display having the structures illustrated in FIGS. 1 and 2, the planar layout and the vertical structure of the thin film transistor substrate corresponding to the lower substrate will be described with reference to FIGS. 3 and 4.
제3도는 제2도에서 하부 기판에 해당하는 박막 트랜지스터 기판의 배치(layout)를 도시한 평면도로서 게이트선의 구조가 화소 전극을 둘러싸는 폐곡선형으로 되어 있으며, 제4도는 제3도의 A-A선을 따라 절단한 단면도이다. 단, 여기에서 직사각형 모양의 영역을 나타내는 PXi(i=1, 2, 3, 4)는 한 화소의 하부에 해당하는 영역이지만 혼동할 우려가 없는 한 편의상 게이트선 및 데이터선까지를 포함하여 화소 또는 화소 영역이라고 하기로 하고, 가로선 상에 형성되어 있는 화소들의 집합을 화소행, 세로선 상에 형성되어 있는 화소들의 집합을 화소열로 부르기로 한다.FIG. 3 is a plan view illustrating a layout of the thin film transistor substrate corresponding to the lower substrate in FIG. 2, and the gate line structure is a closed curve surrounding the pixel electrode. FIG. 4 is along the AA line of FIG. 3. It is a cut section. Here, PXi (i = 1, 2, 3, 4), which represents a rectangular region, is a region corresponding to the lower part of one pixel, but for convenience, it may include pixels including gate lines and data lines for convenience. The pixel area is referred to as a pixel region, and a set of pixels formed on a horizontal line is referred to as a pixel row.
제3도 및 제4도에 도시한 바와 같이, 투명한 절연 기판(100) 위에 하나의 화소행에 대하여 아래 위 양쪽으로 상부 및 하부 게이트선(Gup, Gdown)이 형성되어 있다. 하부 게이트선(Gdown)은 가로로 곧바르게 벋어있고, 상부 게이트선(Gup)은 대부분의 길이를 차지하고 있는 제1 가로부(Gh1), 제1 가로부(Gh1)에서 아래로 향하는 제1 세로부(Gv1), 제1 세로부(Gv1)에서 다시 가로로 진행하는 제2 가로부(Gh1), 제2 가로부(Gh2)에서 위로 올라가는 제2 세로부(Gv2)를 하나의 반복 단위로 하여 형성되어 있다. 이렇게 이중으로 된 게이트선의 구조를 일반적으로 이중 게이트선 구조라 한다.As shown in FIGS. 3 and 4, upper and lower gate lines G up and G down are formed on both sides of the pixel row on the transparent insulating substrate 100. The lower gate line (G down) may beoteo soon properly horizontally, directed down from the upper gate line (G up) has a first horizontal portion (G h1), the first lateral portion (G h1), which account for most of the length The second vertical portion G v1 rising upward from the first vertical portion G v1 , the second horizontal portion G h1 , and the second horizontal portion G h2 , which progress horizontally again from the first vertical portion G v1 . ) Is formed as one repeating unit. The double gate line structure is generally referred to as a double gate line structure.
상부 게이트선 (Gup)의 제1 가로부(Gh1)와 하부 게이트선(Gdown)은 왼쪽 보조 게이트선(1a)으로 연결되어 있고, 상부 게이트선(Gup)의 제2 세로부(Gv2)는 아래로 연장되어 하부 게이트선(Gdown)과 만나는 오른쪽 보조 게이트선(1b)을 이룬다.A second vertical portion of the upper gate line a first horizontal portion (G h1) and the lower gate line (G down) is connected to the left auxiliary gate line (1a), an upper gate line (G up) of (G up) ( G v2 ) extends downward to form a right auxiliary gate line 1b that meets the lower gate line G down .
각 화소열의 사이에는 세로로 데이터선(D)이 형성되어 있고 게이트 절연층(제4도의 도면 부호 4)을 매개로 상부 게이트선 (Gup)의 제1 가로부(Gh1) 및 하부 게이트선(Gdown)과 교차한다.The data line D is vertically formed between the pixel columns, and the first horizontal portion G h1 and the lower gate line of the upper gate line G up are formed through the gate insulating layer (4 in FIG. 4). Intersect with (G down ).
상부 및 하부 게이트선(Gup, Gdown)과 왼쪽 및 오른쪽으로 이루어지는 한 쌍의 보조 게이트선(1a, 1b)은 폐곡선을 이루어 차광층(black matrix)으로서의 역할을 하며, 이 폐곡선으로 한정되는 닫힌 영역에는 뒤에서 설명할 게이트 절연층(제4도의 도면 부호 4) 및 보호막(제4도의 도면 부호 9) 따위를 사이에 두고 게이트선(Gup, Gdown) 및 보조 게이트선(1a, 1b)과 중첩되도록 화소 전극(10)이 형성되어 있고, 중첩된 부분은 유지 축전기(제2도의 도면 부호 Cst)로서의 역할을 한다. 이 유지 축전기는 폐곡선으로 이루어져 있기 때문에 고리형 축전기(ring capacitor)라고도 하며, 이 고리형 축전기를 이루는 상부 및 하부 게이트선(Gup, Gdown)과 한 쌍의 보조 게이트선(1a, 1b)만을 약하여 고리형 축전기로 부르기도 한다. 여기에서는 고리형 축전기를 후자의 의미로 사용한다.The upper and lower gate lines G up and G down and the pair of auxiliary gate lines 1a and 1b formed to the left and the right form a closed curve, which serves as a black matrix, and is closed by the closed curve. The region includes gate lines G up and G down and auxiliary gate lines 1a and 1b with a gate insulating layer (described in FIG. 4) and a protective film (symbol 9 in FIG. 4) described later. The pixel electrodes 10 are formed so as to overlap each other, and the overlapped portions serve as sustain capacitors (C st in FIG. 2). This holding capacitor is also called a ring capacitor because it consists of a closed curve, and only the upper and lower gate lines G up and G down and the pair of auxiliary gate lines 1a and 1b constituting the ring capacitor are used. It is weak and is also called a ring capacitor. Here, the ring capacitor is used in the latter sense.
이처럼 게이트선(Gup, Gdown) 및 보조 게이트선(1a, 1b)이 폐곡선의 행태로 화소 전극(10)을 싸고 있는 구조를 취하는 경우, 게이트선(Gup, Gdown) 및 보조 게이트선(1a, 1b)의 어떤 한 부분이 단선되더라도 신호가 끊어지는 일은 없기 때문에 이러한 구조를 채택하는 것이 유리하다.As described above, when the gate lines G up and G down and the auxiliary gate lines 1a and 1b have the structure surrounding the pixel electrode 10 in the form of a closed curve, the gate lines G up and G down and the auxiliary gate lines are taken. It is advantageous to adopt such a structure because no signal is cut off if any part of (1a, 1b) is disconnected.
한편, 상부 게이트선(Gup)의 제2 세로부(Gv2)에는 박막 트랜지스터가 형성되어 있는데 이를 다시 제3도 및 제4도를 참고로 하여 더욱 상세히 설명한다.Meanwhile, a thin film transistor is formed in the second vertical portion G v2 of the upper gate line G up , which will be described in more detail with reference to FIGS. 3 and 4.
먼저, 제2 세로부(Gv2)의 일부는 박막 트랜지스터의 게이트 전극(gate electrode)(2)이 된다. 게이트선(Gup, Gdown)을 이루는 물질이 알루미늄 따위의 양극산화될 수 있는 물질인 경우에는 게이트선(Gup, Gdown)과 외부를 전기적으로 연결하는 게이트 패드(도시 하지 않음)를 제외한 나머지 부분은 양극산화를 하는 것이 일반적이다. 따라서 게이트 전극(2) 위에도 양극산화된 게이트 산화막(3)이 존재한다.First, part of the second vertical portion G v2 becomes a gate electrode 2 of the thin film transistor. If the material forming the gate lines G up and G down is an anodizable material such as aluminum, except for a gate pad (not shown) that electrically connects the gate lines G up and G down to the outside. The remainder is usually anodized. Therefore, the anodized gate oxide film 3 also exists on the gate electrode 2.
게이트 산화막(3) 위에는 게이트 패드를 전면에 게이트 절연층(4)이 형성되어 있다.On the gate oxide film 3, a gate insulating layer 4 is formed over the gate pad.
게이트 절연층(4)을 사이에 두고 게이트 전극(2)을 덮도록 반도체층(5)이 형성되어 있다. 반도체층(5)은 게이트 전극(2)을 덮는 이외에도 게이트선(Gup, Gdown) 위에도 형성되어 게이트선(Gup, Gdown)과 데이터선(D)의 단락을 방지하는 역할을 한다. 반도체층(5)을 이루는 물질은 일반적으로 비정질 규소 또는 다경질 규소이다.The semiconductor layer 5 is formed to cover the gate electrode 2 with the gate insulating layer 4 interposed therebetween. A semiconductor layer 5, in addition to covering the gate electrodes 2 are formed also on the gate lines (G up, G down) and serves to prevent short-circuiting of the gate line (G up, G down) and the data line (D). The material constituting the semiconductor layer 5 is generally amorphous silicon or polyhard silicon.
반도체층(5) 위에는 반도체와 금속의 음성 접촉(ohmic contact)을 양호하게 하기 위한 접촉층(contact layer)(6)이 형성되어 있는데, 이는 주로 고농도로 도핑(doping)되어 있는 n+비정질 규소로 이루어져 있다. 제3도에서 접촉층(6)의 패턴은 반도체층(5)과 소스 전극(7) 및 드레인 전극(8)이 겹치는 부분이 된다.A contact layer 6 is formed on the semiconductor layer 5 for good ohmic contact between the semiconductor and the metal, which is mainly composed of n + amorphous silicon, which is heavily doped. consist of. In FIG. 3, the pattern of the contact layer 6 becomes a portion where the semiconductor layer 5 and the source electrode 7 and the drain electrode 8 overlap each other.
접촉층(6) 위에는 데이터선(D)의 분지(分枝)인 소스 전극(7) 및 이와 분리되어 있는 드레인 전극(8)이 형성되어 있다. 소스 전극(7)은 상부 게이트선(Gup)과 데이터선(D)의 교차점 부근에 위치하기 때문에 제3도에서처럼 상부 게이트선(Gup)의 제1 가로부(Gv2)와 중첩되어 있을 수도 있다. 드레인 전극(8)의 한 쪽 끝은 게이트 전극(2)을 사이에 두고 소스 전극(7)과 마주 보고 있고 다른 쪽 끝은 동일 화소열의 상부 화소의 화소 전극(10)과 연결되어 있으며 하부 게이트선(Gdown)과 중첩되어 있다. 예를 들면, 제3도에서, 화소(PX2)의 드레인 전극(8)은 동일 화소열의 상부 화소인 화소(PX1)의 화소 전극(10)과 연결되어 있고 화소(PX1)의 화소 전극(10) 아래에 위치하는 하부 게이트선(Gdown)과 중첩되어 있다.On the contact layer 6, the source electrode 7 which is the branch of the data line D, and the drain electrode 8 separated from this are formed. Since the source electrode 7 is positioned near the intersection of the upper gate line G up and the data line D, the source electrode 7 may overlap the first horizontal portion G v2 of the upper gate line G up as shown in FIG. 3. It may be. One end of the drain electrode 8 faces the source electrode 7 with the gate electrode 2 interposed therebetween, and the other end is connected to the pixel electrode 10 of the upper pixel of the same pixel column and has a lower gate line. Overlaid with (G down ). For example, in FIG. 3, the drain electrode 8 of the pixel PX2 is connected to the pixel electrode 10 of the pixel PX1, which is the upper pixel of the same pixel column, and the pixel electrode 10 of the pixel PX1. It overlaps with the lower gate line G down positioned below.
드레인 전극(8)과 화소 전극(10)의 접촉부 및 패드(도시하지 않음)를 제외한 부분 위에는 전면적으로 보호막(9)이 덮여 있고, 보호막(9) 위에는 투명한 도전 물질로 된 화소 전극(10)이 형성되어 있다.A protective film 9 is entirely covered on the drain electrode 8 and the pixel electrode 10 except for contact portions and pads (not shown), and the pixel electrode 10 made of a transparent conductive material is disposed on the protective film 9. Formed.
제3도에 도시한 바와 같은 화소 구조에서는, 어떤 화소 영역 안에 형성되어 있는 박막 트랜지스터(게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극 포함)는 그 화소를 구동하지 않지만, 본 명세서 전체에서 설명의 편의를 위하여 그 화소의 박막 트랜지스터(게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극)로 부르기로 한다.In the pixel structure as shown in FIG. 3, a thin film transistor (including a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode) formed in a certain pixel region does not drive the pixel, but for convenience of explanation throughout the present specification, This is called a thin film transistor (gate electrode, source electrode, drain electrode) of the pixel.
이러한 평판 표시 장치, 특히 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판에는 앞에서 설명한 바와 같이 화소에 신호를 공급하는 게이트선 및 데이터선 따위의 배선이 형성되어 있는데, 이러한 배선들은 그 배선이 통과하는 지역의 지형학적인 특성이나, 후속하는 열처리 공정 및 식각 공정 등 제작 과정에서 끊어지거나 단락이 되기 쉽다. 배선이 끊어지면 화소에 필요한 신호를 적절하게 인가할 수 없으므로 표시 장치로서의 역할을 제대로 수행할 수 없다.As described above, a thin film transistor substrate for a flat panel display device, particularly a liquid crystal display device, has wirings such as gate lines and data lines for supplying signals to the pixels. However, it is easy to break or short-circuit in the manufacturing process such as the subsequent heat treatment process and etching process. If the wiring is broken, a signal necessary for the pixel cannot be applied properly, and thus, the display device cannot function properly.
한편, 제3도와 같은 게이트선(Gup, Gdown, 1a, 1b) 구조를 가진 액정 표시 장치의 경우에는 게이트선(Gup, Gdown, 1a, 1b)의 단선은 쉽게 치유될 수 있으나, 데이터선(D)이 단선되는 경우에는 단선된 지점 이하의 화소에는 화상 신호를 전달할 수 없고, 화소 전극(10)과 게이트선(Gup, Gdown, 1a, 1b)이 단락되는 경우 및 게이트 전극(2)이 유실되거나 손상되는 경우에 수리가 불가능하다는 문제점이 있다.On the other hand, the third help of disconnection of the gate line (G up, G down, 1a , 1b) for the liquid crystal display device having a structure, a gate line (G up, G down, 1a , 1b) is, but can be easily cured, When the data line D is disconnected, an image signal cannot be transmitted to the pixels below the disconnected point, and the pixel electrode 10 and the gate lines G up , G down , 1a and 1b are short-circuited and the gate electrode If (2) is lost or damaged, there is a problem that repair is impossible.
이러한 문제점을 해결하기 위하여 여러 가지 시도가 있었으나, 그 중에서도 화소들이 형성되어 있는 화면의 둘레에 폐곡선의 형태로 수리선(repair line)을 형성하여 게이트 절연층을 사이에 두고 게이트선 및 데이터선과 교차하도록 한 다음, 특정 배선에 단선이 발생하면, 이 수리선으로 단선된 배선을 대신하도록 하는 방법을 채택하는 경우도 있다.Various attempts have been made to solve this problem. Among them, a repair line is formed around the screen where pixels are formed in the form of a closed curve so as to cross the gate line and the data line with the gate insulating layer interposed therebetween. Then, if disconnection occurs in a specific wiring, a method may be adopted in which the wiring disconnected by the repair wire is replaced.
그러면, 제5도를 참고로 하여 화면의 둘레에 폐곡선의 형태로 수리선이 형성되어 있는 종래의 행렬형 표시 장치에 대하여 상세히 설명한다.Next, referring to FIG. 5, a conventional matrix display device in which a repair line is formed around a screen in the form of a closed curve will be described in detail.
제5도에 도시한 바와 같이, 이러한 행렬형 표시 장치에는, 가로로 서로 평행하게 형성되어 있는 다수의 선형 주사 신호선(G1, G2, ……, Gm)과, 이와 수직으로 교차하는 평행한 다수의 선형 표시 신호선(D1, D2, D3, D4, ……, D2n-1, D2n)이 만나 이루는 화소(PX)들이 모여 있는 영역의 둘레에 폐곡선의 형태로 도전 물질로 된 수리선(RL)이 형성되어 있으며, 수리선(RL)은 각 주사 신호선(G1, G2, ……, Gm)과는 한 번씩 교차하고, 각 표시 신호선(D1, D2, D3, D4, ……, D2n-1, D2n)과는 아래위에서 각각 두번씩 교차하며, 수리선(RL)과 주사 신호선(G1, G2, ……, Gm) 및 표시 신호선(D1, D2, D3, D4, ……, D2n-1, D2n)은 절연층을 매개로 형성되어 있어 교차부는 축전기의 역할을 한다.First as shown in Figure 5, such a matrix type display device, a plurality of linear scanning signal lines that are parallel to each other forming a horizontal (G 1, G 2, ...... , G m) and, parallel to this perpendicular crossing Conductive material in the form of a closed curve around an area where pixels PX formed by a plurality of linear display signal lines D 1 , D 2 , D 3 , D 4 ,..., D 2n-1 , D 2n meet The repair line RL is formed, and the repair line RL intersects each scan signal line G 1 , G 2 ,..., G m once, and each display signal line D 1 , D 2. , D 3 , D 4 , ……, D 2n-1 , D 2n ) intersect with each other twice from the top and bottom, the repair line (RL) and the scan signal lines (G 1 , G 2 , ……, G m ) and The display signal lines D 1 , D 2 , D 3 , D 4 ,..., D 2n-1 , D 2n are formed through an insulating layer, and the intersection portion serves as a capacitor.
그러면, 이러한 행렬형 표시 장치의 작용을 상세히 설명한다.Next, the operation of the matrix display device will be described in detail.
가로로 형성되어 있는 다수의 주사 신호선(G1, G2, ……, Gm)을 통하여 화소(10)로 차례로 개폐 신호가 인가되고, 이에 맞추어 표시 신호선(D1, D2, D3, D4, ……, D2n-1, D2n)을 통하여 해당하는 화소(10)의 화상 신호가 인가되어 표시를 한다.Opening and closing signals are sequentially applied to the pixel 10 through a plurality of horizontally formed scan signal lines G 1 , G 2 ,..., G m , and accordingly, display signal lines D 1 , D 2 , D 3 , The image signals of the corresponding pixels 10 are applied through D 4 ,..., D 2n-1 , D 2n to display.
그런데, 제5도에 도시한 것처럼, 표시 신호선(D3)이 단선되었다고 하자. 단선된 지점은로 표시된 지점이다. 이 경우 표시 신호선(D3)을 통하여 인가되는 화상 신호는 단선된 지점까지만 도달하고 그 이후의 지점에는 도달하지 아니하므로 단선점() 이하의 표시 신호선(D3)에 연결된 화소에는 화상 신호가 인가되지 못한다.By the way, as shown in FIG. 5, it is assumed that the display signal line D 3 is disconnected. The disconnected point is The point marked with. In this case, since the image signal applied through the display signal line D 3 reaches only the disconnected point and does not reach the subsequent point, the disconnection point ( ) The image signal is not applied to the pixel connected to the display signal line D 3 or below.
이제 이를 수리선(RL)을 이용하여 수리를 하여 단선점() 이하의 표시 신호선(D3)에 신호로 이르도록 해 보자. 그러기 위해서는 △로 표시되어 있는 표시 신호선(D3)과 수리선(RL)의 상하 교차 부분을 레이저(laser)를 이용하여 단락한다. 단선점() 이하의 표시 신호선(D3)과 연결되어 있는 화소가 열려 있는 경우에는, 입력 패드(DP3)로부터의 신호는 단락된 상부 교차 부분을 지나고, 그 교차 부분에서 표시 신호선(D3)과 연결된 수리선(RL)을 따라 표시 신호선(D3)의 왼쪽 경로, 즉 경로 P1을 따라 이동하거나, 오른쪽 경로, 즉 경로 P2로 이동한다. 그러나, 경로 P2는 경로 P1에 비하여 길고, 많은 수의 표시 신호선과 교차하기 때문에 경로 P1을 통하여 신호를 흘리는 것보다 비효율적이다. 따라서 경로 P1만을 통하여 신호를 흐르게 하고 경로 P2를 따라 흐르는 신호는 막을 필요가 있다. 그러기 위해서 단락점(△)으로부터 경로 P2로 이르는 지점, 즉 ×로 표시한 부분을 절단한다.Now repair it using repair line (RL) Let the signal reach the display signal line D 3 below. To do this, the upper and lower intersections of the display signal line D 3 and the repair line RL, denoted by Δ, are short-circuited using a laser. Open point ( When the pixel connected to the display signal line D 3 or below is open, the signal from the input pad DP 3 passes through the shorted upper intersection portion, and is connected to the display signal line D 3 at the intersection portion. It moves along the repair line RL along the left path of the display signal line D 3 , that is, the path P 1 , or on the right path, that is, the path P 2 . However, the path P 2 is less efficient than passing the signal through the paths P 1 because they intersect the long, the number of display signal lines than the number of paths P 1. Therefore, it is necessary to allow the signal to flow through only the path P 1 and to block the signal flowing along the path P 2 . For this purpose, the point from the short circuit point (DELTA) to the path P 2 , that is, the portion indicated by x is cut.
이렇게 하면, 수리선(RL)의 경로 경로 P1을 통하여 단선점() 이후의 표시 신호선(D3)에 신호를 인가할 수 있다.In this case, the disconnection point (through the path path P 1 of the repair line RL) A signal can be applied to the display signal line D 3 afterward.
한편, 경로 P1을 통하여 인가되는 신호는 표시 신호선(D1, D2)과 수리선(RL)의 교차 부분(a, a')을 지나야 한다. 그런데, 앞에서 언급한 것처럼 교차 부분(a, a')은 축전기로서의 역할을 하고 이 축전기는 수리선(RL)을 통하여 이동하는 화상 신호를 왜곡한다. 특히, 화면의 크기가 커지고 이에 따라 표시 신호선 및 주사 신호선의 수가 많아짐에 따라, 신호가 이동하는 경로 상에 있는 교차 부분이 많아져 축전기의 수가 늘어나고 전체 정전 용량도 증가한다. 수리선(RL)의 길이 또한 증가하므로 저항 역시 커진다. 이와 같은 이유로 수리선(RL)을 통하여 이동하는 신호가 RC 시간 지연(time delay) 따위에 의하여 더욱 왜곡될 가능성이 커진다는 문제점이 있다.On the other hand, the signal applied through the path P 1 must pass through the intersections a and a 'of the display signal lines D 1 and D 2 and the repair line RL. By the way, as mentioned above, the intersections a and a 'serve as capacitors, which distort the image signal traveling through the repair line RL. In particular, as the size of the screen increases and thus the number of display signal lines and scanning signal lines increases, the number of intersections on the path along which the signal travels increases, so that the number of capacitors increases and the overall capacitance also increases. As the length of the repair line RL increases, the resistance also increases. For this reason, there is a problem in that a signal moving through the repair line RL is more likely to be distorted due to an RC time delay.
또, 이러한 수리선(RL)으로 수리할 수 있는 표시 신호선(D1, D2, D3, D4, ……, D2n-1, D2n)의 수는 공간의 제약 때문에 한정된다는 문제점이 있다.In addition, the number of display signal lines D 1 , D 2 , D 3 , D 4 ,..., D 2n-1 , D 2n that can be repaired by the repair line RL is limited due to space limitation. have.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 공정 수를 증가하거나, 개구율을 감소시키지 않고도, RC 시간 지연 따위를 방지하면서 효율적으로 거의 모든 신호선의 단선을 수리하고 화소 전극과 신호선의 단락 및 개폐 소자의 전극의 유실로 인한 결함을 수리하는 데에 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a problem, and it is possible to efficiently repair almost all signal lines and prevent short circuits and switching elements of pixel electrodes and signal lines while preventing RC time delays without increasing the number of processes or reducing the aperture ratio. The purpose is to repair defects due to the loss of the electrode.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 기본 개념은 제3도의 종래 기술에 기초하여 표시 신호선 및 주사 신호선의 단선, 화소 전극과 신호선의 단락, 개폐 소자의 전극의 유실로 인한 결함을 이중 주사 신호선, 보조 신호선, 화소 전극 및 개폐 소자 중 하나 또는 둘 이상을 이용하여 수리하는 것이다.The basic concept of the present invention for achieving the above object is based on the prior art of FIG. 3 is a double scan signal line, auxiliary to the defects caused by disconnection of the display signal line and scan signal line, short circuit of the pixel electrode and signal line, loss of the electrode of the switching element Repairing is performed using one or more of the signal line, the pixel electrode, and the switching element.
이 때, 보조 게이트선 및 이중 게이트선의 구조를 변형하는 방법도 고려할 수 있다.In this case, a method of modifying the structures of the auxiliary gate line and the double gate line may also be considered.
이러한 본 발명에 따른 표시 장치는 다수의 화소 영역이 행렬의 형태로 형성되어 있는 행렬형 표시 장치로서, 상기 각 화소 영역의 상·하 경계를 각각 이루며 가로로 형성되어 있는 상부 및 하부 제1 신호선, 상기 각 화소 영역의 사이에 세로로 형성되어 있으며 상기 상부 및 하부 제1 신호선과 절연되어 교차하는 제2 신호선, 상기 화소 영역 안에 형성되어 있으며 투명 도전 물질로 이루어진 화소 전극, 상기 상부 제1 신호선과 연결되어 있는 제1 단자와 상기 제2 신호선과 연결되어 있는 제2 단자 및 상기 화소 전극과 연결되어 있는 제3 단자를 갖춘 개폐 소자, 그리고 제1 절연체를 매개로 상기 상부 및 하부 제1 신호선 중 하나와 상기 제2 신호선을 연결하는 제1 연결 수단을 포함한다.The display device according to the present invention is a matrix type display device in which a plurality of pixel areas are formed in a matrix form, and includes upper and lower first signal lines formed horizontally while forming upper and lower boundaries of each pixel area, A second signal line formed vertically between the pixel areas and insulated from and intersecting the upper and lower first signal lines, a pixel electrode formed in the pixel area and made of a transparent conductive material, and connected to the upper first signal line An opening and closing element having a first terminal connected to the second signal line, a second terminal connected to the second signal line, and a third terminal connected to the pixel electrode, and one of the upper and lower first signal lines via a first insulator; And first connection means for connecting the second signal line.
이때, 각 화소 영역의 경계를 이루는 보조 신호선을 더 포함할 수 있으며, 이 보조 신호선은 상기 상부 및 하부 제1 신호선을 서로 연결하는 것이 바람직하다.In this case, an auxiliary signal line forming a boundary of each pixel area may be further included, and the auxiliary signal line may connect the upper and lower first signal lines to each other.
또, 제1 신호선과 화소 전극, 또는 보조 신호선과 화소 전극, 또는 제2 신호선과 화소 전극을 절연체를 매개로 연결하는 제2 연결 수단을 더 포함할 수도 있다.The apparatus may further include second connection means for connecting the first signal line and the pixel electrode, the auxiliary signal line and the pixel electrode, or the second signal line and the pixel electrode through an insulator.
이러한 본 발명에 따른 또다른 표시 장치는 다수의 화소 영역이 행렬의 형태로 형성되어 있는 행렬형 표시 장치로서, 상기 각 화소 영역의 경계를 이루며 가로로 형성되어 있는 상부 제1 상기 각 화소 영역의 좌·우 경계를 각각 이루며 상기 상부 제1 신호선과 연결되어 있는 왼쪽 및 오른쪽 보조 신호선, 상기 각 화소 영역의 사이에 세로로 형성되어 있으며 상기 상부 제1 신호선과 절연되어 교차하는 제2 신호선, 상기 제2 신호선 양 쪽의 상기 보조 신호선을 서로 연결하는 하부 제1 신호선, 상기 화소 영역 안에 형성되어 있으며 투명 도전 물질로 이루어진 화소 전극, 상기 상부 제1 신호선과 연결되어 있는 제1 단자와 상기 제2 신호선과 연결되어 있는 제2 단자 및 상기 화소 전극과 연결되어 있는 제3 단자를 갖춘 개폐 소자, 그리고 제1 절연체를 매개로 상기 상부 및 하부 제1 신호선 중 하나와 상기 제2 신호선을 연결하는 제1 연결 수단을 포함한다. 하는 행렬형 표시 장치.Another display device according to the present invention is a matrix type display device in which a plurality of pixel areas are formed in a matrix form, the upper left of each of the upper first pixel areas forming a boundary of the pixel areas. A left and right auxiliary signal line each having a right boundary and connected to the upper first signal line, a second signal line formed vertically between the pixel areas, and insulated from and intersecting the upper first signal line, the second signal line; A lower first signal line connecting the auxiliary signal lines on both sides of the signal line to each other, a pixel electrode formed in the pixel area and made of a transparent conductive material, and a first terminal connected to the upper first signal line and the second signal line An opening and closing element having a second terminal connected thereto and a third terminal connected to the pixel electrode, and a first insulator A first connection means for connecting the upper and lower group One of the first signal line and the second signal line. Matrix display.
여기에서, 보조 신호선과 화소 전극, 또는 제1 신호선과 화소 전극, 제2 신호선과 화소 전극을 절연체를 매개로 연결하는 제2 연결 수단을 더 포함할 수도 있다.Here, the display device may further include second connection means for connecting the auxiliary signal line and the pixel electrode, or the first signal line and the pixel electrode, and the second signal line and the pixel electrode through an insulator.
이러한 본 발명에 따른 또다른 표시 장치는 다수의 화소 영역이 행렬의 형태로 형성되어 있는 행렬형 표시 장치로서, 상기 각 화소 영역의 상·하 경계를 각각 이루며 가로로 형성되어 있는 하부 제1 신호선, 상기 각 화소 영역의 좌·우 경계를 각각 이루며 상기 상부 및 하부 제1 신호선을 서로 연결하는 왼쪽 및 오른쪽 보조 신호선, 상기 각 화소 영역의 사이에 세로로 형성되어 있으며 상기 상부 및 하부 제1 신호선과 절연되어 교차하는 제2 신호선, 상기 화소 영역 안에 형성되어 있으며 투명 도전 물질로 이루어진 화소 전극, 상기 상부 제1 신호선과 연결되어 있는 제1 단자와 상기 제2 신호선과 연결되어 있는 제2 단자 및 상기 화소 전극과 연결되어 있는 제3 단자를 갖춘 개폐 소자, 그리고 제1 절연체를 매개로 상기 왼쪽 및 오른쪽 보조 신호선 중 하나와 상기 제2 신호선을 연결하는 제1 연결 수단을 포함한다.Another display device according to the present invention is a matrix type display device in which a plurality of pixel areas are formed in a matrix form, the lower first signal line forming a horizontal upper and lower boundary of each pixel area, Left and right auxiliary signal lines that form the left and right boundaries of the pixel areas, respectively, and connect the upper and lower first signal lines to each other, and are vertically formed between the pixel areas, and are insulated from the upper and lower first signal lines. A second signal line intersecting the second signal line, a pixel electrode formed in the pixel area and made of a transparent conductive material, a first terminal connected to the upper first signal line, a second terminal connected to the second signal line, and the pixel electrode And a switching element having a third terminal connected to and connected to one of the left and right auxiliary signal lines via a first insulator. And first connecting means for connecting the second signal line.
여기에서, 보조 신호선과 화소 전극, 또는 제1 신호선과 화소 전극, 제2 신호선과 화소 전극을 절연체를 매개로 연결하는 제2 연결 수단을 더 포함할 수도 있다.Here, the display device may further include second connection means for connecting the auxiliary signal line and the pixel electrode, or the first signal line and the pixel electrode, and the second signal line and the pixel electrode through an insulator.
본 발명에 따른 또다른 표시 장치는 다수의 화소 영역이 행렬의 형태로 형성되어 있는 행렬형 표시 장치로서, 상기 각 화소 영역의 상·하 경계를 각각 이루며 가로로 형성되어 있는 상부 및 하부 제1 신호선, 상기 각 화소 영역의 사이에 세로로 형성되어 있으며 상기 상부 및 하부 제1 신호선과 절연되어 교차하는 제2 신호선, 상기 화소 영역 안에 형성되어 있으며 투명 도전 물질로 이루어진 화소 전극, 상기 상부 제1 신호선과 연결되어 있는 제1 단자와 상기 제2 신호선과 연결되어 있는 제2 단자 및 상기 화소 전극과 연결되어 있는 제3 단자를 갖춘 개폐 소자, 그리고 절연체를 매개로 상기 화소 전극과 상기 제2 신호선을 연결하는 연결 수단을 포함한다.Another display device according to the present invention is a matrix type display device in which a plurality of pixel areas are formed in a matrix form, and upper and lower first signal lines formed horizontally while forming upper and lower boundaries of each pixel area, respectively. A second signal line formed vertically between the pixel areas and insulated from and intersecting the upper and lower first signal lines, a pixel electrode formed in the pixel area and made of a transparent conductive material, and the upper first signal line An opening and closing element having a first terminal connected to the second signal line and a second terminal connected to the second signal line, and a third terminal connected to the pixel electrode, and connecting the pixel electrode and the second signal line through an insulator. Connection means.
상기 각 화소 영역의 경계를 이루는 보조 신호선을 더 포함할 수 있으며 상기 보조 신호선은 상기 상부 및 하부 제1 신호선을 서로 연결하는 것이 바람직하다.The auxiliary signal line may further include an auxiliary signal line forming a boundary of each pixel area, and the auxiliary signal line may connect the upper and lower first signal lines to each other.
본 발명에 따른 또다른 표시 장치는 다수의 화소 영역이 행렬의 형태로 형성되어 있는 행렬형 표시 장치로서, 상기 각 화소 영역의 경계를 이루며 가로로 형성되어 있는 상부 제1 신호선, 상기 각 화소 영역의 좌우 경계를 각각 이루며 상기 상부 제1 신호선과 연결되어 있는 왼쪽 및 오른쪽 보조 신호선, 상기 각 화소 영역의 사이에 세로로 형성되어 있으며 상기 제1 신호선과 절연되어 교차하는 제2 신호선, 상기 제2 신호선 양쪽의 상기 보조 신호선을 서로 연결하는 하부 제1 신호선, 상기 화소 영역 안에 형성되어 있으며 투명 도전 물질로 이루어진 화소 전극, 상기 상부 제1 신호선과 연결되어 있는 제1 단자와 상기 제2 신호선과 연결되어 있는 제2 단자 및 상기 화소 전극과 연결되어 있는 제3 단자를 갖춘 개폐 소자, 그리고 절연체를 매개로 상기 화소 전극과 상기 제2 신호선을 연결하는 연결 수단을 포함한다.Another display device according to the present invention is a matrix type display device in which a plurality of pixel regions are formed in a matrix form, wherein the upper first signal line formed horizontally and forming a boundary of each pixel region, Left and right auxiliary signal lines respectively forming a left and right boundary and connected to the upper first signal line, vertically formed between each pixel area, and insulated from and intersecting the first signal line, both of the second signal line A lower first signal line connecting the auxiliary signal lines of the second signal line, a pixel electrode formed in the pixel region, and a first electrode connected to the upper first signal line and a first terminal connected to the upper first signal line; An opening and closing element having a second terminal and a third terminal connected to the pixel electrode, and the pixel via an insulator It includes a pole and connecting means for connecting the second signal line.
본 발명에 따른 또다른 표시 장치는 다수의 화소 영역이 행렬의 형태로 형성되어 있는 행렬형 표시 장치로서, 상기 각 화소 영역의 상·하 경계를 각각 이루며 가로로 형성되어 있는 상부 및 하부 제1 신호선, 상기 각 화소 영역의 좌·우 경계 중 하나를 이루며 상기 상부 및 하부 제1 신호선 중 하나와는 분리되어 있고 다른 하나와는 연결되어 있는 제1 보조 신호선, 상기 화소 영역의 사이에 세로로 형성되어 있으며 상기 상부 및 하부 제1 신호선과 절연되어 교차하는 제2 신호선, 상기 화소 영역 안에 형성되어 있으며 투명 도전 물질로 이루어진 화소 전극, 상기 상부 제1 신호선과 연결되어 있는 제1 단자와 상기 제2 신호선과 연결되어 있는 제2 단자 및 상기 화소 전극과 연결되어 있는 제3 단자를 갖춘 개폐 소자, 그리고 절연체를 매개로 상기 제1 보조 신호선과 상기 제2 신호선을 연결하는 연결 수단을 포함한다.Another display device according to the present invention is a matrix type display device in which a plurality of pixel areas are formed in a matrix form, and upper and lower first signal lines formed horizontally while forming upper and lower boundaries of each pixel area, respectively. A first auxiliary signal line which forms one of the left and right boundaries of each pixel area and is separated from one of the upper and lower first signal lines and connected to the other, and is vertically formed between the pixel areas A second signal line which is insulated from and intersects the upper and lower first signal lines, a pixel electrode formed in the pixel area and made of a transparent conductive material, a first terminal connected to the upper first signal line, and the second signal line; An opening and closing element having a second terminal connected to the third electrode and a third terminal connected to the pixel electrode, and the first auxiliary device via an insulator It comprises a line connection means for connecting the second signal line.
상기 제1 보조 신호선과 더불어 상기 각 화소 영역의 좌우 경계를 이루는 제2 보조 신호선을 더 포함할 수 있으며 상기 제2 보조 신호선은 상기 상부 및 하부 제1 신호선을 서로 연결하는 것이 바람직하다.In addition to the first auxiliary signal line, the second auxiliary signal line may further include a left and right boundary of each pixel area, and the second auxiliary signal line may connect the upper and lower first signal lines to each other.
본 발명에 따른 또다른 표시 장치는 다수의 화소 영역이 행렬의 형태로 형성되어 있는 행렬형 표시 장치로서, 상기 각 화소 영역의 경계를 이루며 가로로 형성되어 있는 상부 제1 신호선, 상기 각 화소 영역의 좌·우 경계 중 하나를 이루며 상기 상부 제1 신호선과 분리되어 있는 제1 보조 신호선, 상기 제1 보조 신호선과 더불어 상기 각 화소 영역의 좌·우 경계를 이루며 상기 상부 제1 신호선과 연결되어 있는 제2 보조 신호선, 상기 각 화소 영역의 사이에 세로로 형성되어 있으며 상기 상부 제1 신호선과 절연되어 교차하는 제2 신호선, 상기 제2 신호선 양 쪽의 상기 보조 신호선을 서로 연결하는 하부 제1 신호선, 상기 화소 영역 안에 형성되어 있으며 투명 도전 물질로 이루어진 화소 전극, 상기 상부 제1 신호선과 연결되어 있는 제1 단자와 상기 제2 신호선과 연결되어 있는 제2 단자 및 상기 화소 전극과 연결되어 있는 제3 단자를 갖춘 개폐 소자, 그리고 절연체를 매개로 상기 제2 보조 신호선과 상기 제2 신호선을 연결하는 연결 수단을 포함한다.Another display device according to the present invention is a matrix type display device in which a plurality of pixel regions are formed in a matrix form, wherein the upper first signal line formed horizontally and forming a boundary of each pixel region, A first auxiliary signal line which forms one of a left and right boundaries and is separated from the upper first signal line, and a first auxiliary signal line which is connected to the upper first signal line and forms a left and right boundary of each pixel area together with the first auxiliary signal line A second auxiliary signal line, a second signal line formed vertically between the pixel areas, insulated from and intersecting the upper first signal line, and a lower first signal line connecting the auxiliary signal lines on both sides of the second signal line; A pixel electrode formed in the pixel region and made of a transparent conductive material, a first terminal connected to the upper first signal line, and the second signal And an opening and closing element having a second terminal connected to a line and a third terminal connected to the pixel electrode, and connecting means for connecting the second auxiliary signal line and the second signal line through an insulator.
본 발명에 따른 또다른 표시 장치는 다수의 화소 영역이 행렬의 형태로 형성되어 있는 행렬형 표시 장치로서, 상기 각 화소 영역의 상·하 경계를 각각 이루며 가로로 형성되어 있는 상부 및 하부 제1 신호선, 상기 각 화소 영역의 좌·우 경계 중 하나를 이루며 상기 상부 및 하부 제1 신호선 중 하나와는 분리되어 있고 다른 하나와는 연결되어 있는 제1 보조 신호선, 상기 화소 영역의 사이에 세로로 형성되어 있으며 상기 상부 및 하부 제1 신호선과 절연되어 교차하는 제2 신호선, 상기 화소 영역 안에 형성되어 있으며 투명 도전 물질로 이루어진 화소 전극, 상기 상부 제1 신호선과 연결되어 있는 제1 단자와 상기 제2 신호선과 연결되어 있는 제2 단자 및 상기 화소 전극과 연결되어 있는 제3 단자를 갖춘 개폐 소자, 절연체를 매개로 상기 제1 보조 신호선의 한쪽 끝과 상기 제2 신호선을 연결하는 제1 연결 수단, 그리고 절연체를 매개로 상기 제1 보조 신호선의 다른 쪽 끝과 상기 제2 신호선을 연결하는 제2 연결 수단을 포함한다.Another display device according to the present invention is a matrix type display device in which a plurality of pixel areas are formed in a matrix form, and upper and lower first signal lines formed horizontally while forming upper and lower boundaries of each pixel area, respectively. A first auxiliary signal line which forms one of the left and right boundaries of each pixel area and is separated from one of the upper and lower first signal lines and connected to the other, and is vertically formed between the pixel areas A second signal line which is insulated from and intersects the upper and lower first signal lines, a pixel electrode formed in the pixel area and made of a transparent conductive material, a first terminal connected to the upper first signal line, and the second signal line; An opening / closing element having a second terminal connected to the third electrode and a third terminal connected to the pixel electrode, and the first auxiliary signal line of the first auxiliary signal line First connecting means for connecting one end to the second signal line, and second connecting means for connecting the other end of the first auxiliary signal line and the second signal line through an insulator.
상기 각 화소 영역의 좌·우 경계 중 다른 하나를 이루는 제2 보조 신호선을 더 포함할 수 있으며, 상기 제2 보조 신호선은 상기 상부 제1 신호선과 연결되어 있는 것이 바람직하다.The display device may further include a second auxiliary signal line which forms another one of the left and right boundaries of each pixel area, and the second auxiliary signal line is connected to the upper first signal line.
상기 각 화소 영역의 하부 경계를 이루며 가로로 형성되어 있는 하부 제1 신호선을 더 포함할 수 있으며, 이 때 상기 제2 보조 신호선은 상기 하부 제1 신호선과 연결되어 있는 것이 바람직하다.The display apparatus may further include a lower first signal line that forms a lower boundary of each pixel area and is formed horizontally, wherein the second auxiliary signal line is connected to the lower first signal line.
이 때, 상·하의 제2 보조 신호선을 절연체를 매개로 연결하는 제3 연결 수단을 더 포함할 수 있다.At this time, it may further include a third connection means for connecting the upper and lower second auxiliary signal line via an insulator.
이러한 본 발명에 따른 본 발명에 따른 행렬형 액정 표시 장치용 기판은 다수의 화소 영역이 행렬의 형태로 형성되어 있는 행렬형 액정 표시 장치용 기판으로서, 가로를 따라 형성되어 있는 상부 게이트선, 상기 상부 게이트선과 간격을 두고 가로를 따라 형성되어 있는 하부 게이트선, 상기 상부 게이트선과 하부 게이트선을 연결하며 쌍을 이루는 보조 게이트선, 상기 상부 게이트선의 일부 또는 분지인 게이트 전극, 상기 상부 및 하부 게이트선과 상기 보조 게이트선, 상기 게이트 전극을 덮도록 전면에 형성되어 있는 제1 절연층, 상기 게이트 전극을 덮도록 상기 제1 절연층 위에 형성되어 있는 반도체층, 상기 제1 절연층 위에 상기 이웃하는 보조 게이트선 쌍 사이에 세로를 따라 형성되어 있는 데이터선, 상기 데이터선의 일부 또는 분지로서 상기 반도체층과 연결되어 있는 소스 전극, 상기 반도체층과 연결되어 있으며 상기 소스 전극과 분리되어 있는 데이터 전극, 상기 데이터선, 상기 소스 전극 및 드레인 전극, 상기 제1 연결부를 덮도록 전면에 형성되어 있는 제2 절연층, 그리고 상기 제2 절연층 위에 상기 상부 및 하부 게이트선과 상기 보조 게이트선으로 이루어지는 닫힌 영역 내에 형성되어 있는 투명한 화소 전극을 포함하며, 여기에서 드레인 전극은 게이트 전극 위쪽의 화소 전극과 연결되어 상부 게이트선과 데이터선은 일부가 중첩되어 있다.The substrate for a matrix type liquid crystal display according to the present invention according to the present invention is a substrate for a matrix type liquid crystal display in which a plurality of pixel regions are formed in a matrix form, the upper gate line being formed along a horizontal line, and the upper portion A lower gate line which is formed along a horizontal line at a distance from the gate line, an auxiliary gate line which connects the upper gate line and the lower gate line to form a pair, a gate electrode which is a part or a branch of the upper gate line, the upper and lower gate lines and the An auxiliary gate line, a first insulating layer formed on the entire surface to cover the gate electrode, a semiconductor layer formed on the first insulating layer to cover the gate electrode, and the neighboring auxiliary gate line on the first insulating layer A data line formed longitudinally between pairs, said half as part or branch of said data line A source electrode connected to the body layer, a data electrode connected to the semiconductor layer and separated from the source electrode, a second electrode formed on the front surface of the substrate to cover the data line, the source electrode and the drain electrode, and the first connection part; An insulating layer, and a transparent pixel electrode formed in a closed region of the upper and lower gate lines and the auxiliary gate line on the second insulating layer, wherein the drain electrode is connected to the pixel electrode above the gate electrode and is upper The gate line and the data line partially overlap each other.
이 때, 상부 게이트선과 데이터선의 중첩은 데이터선의 분지인 제1 연결부에 의하여 이루어질 수 있다. 이 때 상부 게이트선과 데이터선이 중첩되는 지점은 닫힌 영역을 이루지 않는 상부 게이트선에 위치하고, 제1 연결부가 분기되는 지점은 상부 게이트선과의 교차점과 하부 게이트선과의 교차점 사이의 데이터선에 위치하는 것이 바람직하다.In this case, the upper gate line and the data line may overlap each other by a first connection part which is a branch of the data line. At this time, the point where the upper gate line and the data line overlap is located in the upper gate line which does not form a closed area, and the point in which the first connection part is branched is located in the data line between the intersection point of the upper gate line and the lower gate line. desirable.
또, 게이트 전극은 제1 연결부와 상부 게이트선의 교차점으로부터 상부 게이트선과 데이터선과의 교차점 사이에 위치할 수 있으며, 상부 게이트선은 데이터선과 평행한 평행부를 가지며 보조 게이트선 중 하나는 평행부의 아래 부분과 연결되어 있고 게이트 전극은 평행부에 위치할 수 있다.In addition, the gate electrode may be positioned between the intersection of the upper gate line and the data line from the intersection of the first connection portion and the upper gate line, wherein the upper gate line has a parallel portion parallel to the data line, and one of the auxiliary gate lines is connected to the lower portion of the parallel portion. Connected and the gate electrode may be located in parallel.
한편, 화소 전극의 분지로서 상부 및 하부 게이트선과 보조 게이트선이 이루는 영역 밖으로 튀어나온 돌출부와 상부 게이트선의 분지이며 화소 전극의 돌출부와 중첩되는 제2 연결부를 더 포함할 수 있으며, 이 때 제2 연결부가 상부 게이트선으로부터 분기되는 지점은 상부 게이트선과 보조 게이트선의 연결점으로부터 게이트 전극 사이인 것이 좋다.On the other hand, as a branch of the pixel electrode may further include a protrusion protruding out of the region formed by the upper and lower gate lines and the auxiliary gate line, and a second connection portion which is a branch of the upper gate line and overlaps with the protrusion of the pixel electrode. The point at which is branched from the upper gate line is preferably between the gate electrode from the connection point of the upper gate line and the auxiliary gate line.
이와는 달리 화소 전극의 분지로서 상부 및 하부 게이트선과 보조 게이트선이 이루는 영역 밖으로 튀어나온 제2 연결부를 더 포함하며, 제2 연결부는 닫힌 영역을 이루지 않는 상부 게이트선과 중첩되어 있는 경우도 있다.Alternatively, a second connection portion protruding out of the region formed by the upper and lower gate lines and the auxiliary gate line as a branch of the pixel electrode may be overlapped with the upper gate line which does not form a closed region.
그리고, 화소 전극은 상부 및 하부 게이트선, 보조 게이트선과 중첩되어 있는 것이 바람직하다.The pixel electrode preferably overlaps the upper and lower gate lines and the auxiliary gate line.
이와는 달리 상부 게이트선과 데이터선의 중첩은 상부 게이트선의 분지인 제3 연결부에 의하여 이루어질 수도 있다.Alternatively, the overlapping of the upper gate line and the data line may be made by a third connection part which is a branch of the upper gate line.
본 발명에 따른 다른 행렬형 액정 표시 장치용 기판은 다수의 화소 영역이 행렬의 형태로 형성되어 있는 행렬형 액정 표시 장치용 기판으로서, 가로를 따라 형성되어 있는 상부 게이트선, 상기 상부 게이트선과 간격을 두고 가로를 따라 형성되어 있는 하부 게이트선, 상기 상부 게이트선과 하부 게이트선을 연결하며 쌍을 이루는 보조 게이트선, 상기 상부 게이트선의 일부 또는 분지인 게이트 전극, 상기 상부 및 하부 게이트선과 상기 보조 게이트선, 상기 게이트 전극을 덮도록 전면에 형성되어 있는 제1 절연층, 상기 게이트 전극을 덮도록 상기 제1 절연층 위에 형성되어 있는 반도체층, 상기 제1 절연층 위에 상기 이웃하는 보조 게이트선 쌍 사이에 세로를 따라 형성되어 있는 데이터선, 상기 데이터선의 일부 또는 분지로서 상기 반도체층과 연결되어 있는 소스 전극, 상기 반도체층과 연결되어 있으며 상기 소스 전극과 분리되어 있는 데이터 전극, 상기 데이터선, 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 덮도록 전면에 형성되어 있는 제2 절연층, 상기 제2 절연층 위에 상기 상부 및 하부 게이트선과 상기 보조 게이트선으로 이루어지는 닫힌 영역 내에 형성되어 있는 투명한 화소 전극을 포함하며, 여기에서 상기 드레인 전극은 상기 게이트 전극 위쪽의 상기 화소 전극과 연결되어 있으며, 상기 보조 게이트선 중 하나와 상기 데이터선은 일부가 중첩되어 있다.Another matrix for a liquid crystal display device according to the present invention is a substrate for a matrix liquid crystal display device in which a plurality of pixel regions are formed in the form of a matrix, and has a gap between an upper gate line and an upper gate line formed along a horizontal line. A lower gate line formed along a horizontal line, the auxiliary gate line connecting the upper gate line and the lower gate line to form a pair, a gate electrode which is a part or branch of the upper gate line, the upper and lower gate lines and the auxiliary gate line, A first insulating layer formed on an entire surface of the first insulating layer to cover the gate electrode, a semiconductor layer formed on the first insulating layer to cover the gate electrode, and a length between the pair of adjacent auxiliary gate lines on the first insulating layer A data line formed along a portion of the data line and connected to the semiconductor layer as a part or a branch of the data line A second insulating layer formed on the front surface of the source electrode, the data electrode connected to the semiconductor layer and separated from the source electrode, and covering the data line, the source electrode, and the drain electrode. And a transparent pixel electrode formed in a closed area formed of the upper and lower gate lines and the auxiliary gate line, wherein the drain electrode is connected to the pixel electrode above the gate electrode and is one of the auxiliary gate lines. And the data line partially overlap.
이 때, 보조 게이트선과 데이터선의 중첩은 데이터선의 분지인 제1 연결부에 의하여 이루어질 수 있으며, 제1 연결부는 화소 전극과도 중첩되어 있을 수도 있다.In this case, the auxiliary gate line and the data line may overlap each other by a first connection part which is a branch of the data line, and the first connection part may also overlap the pixel electrode.
화소 전극은 상부 및 하부 게이트선, 그리고 보조 게이트선과 중첩되어 있는 것이 바람직하며, 게이트 전극은 닫힌 영역을 이루지 않는 상부 게이트선에 위치하고, 특히 제1 연결부와의 중첩되어 있는 보조 게이트선과 상부 게이트선의 연결점으로부터 상부 게이트선과 데이터선의 교차점 사이의 상부 게이트선에 위치하는 것이 바람직하다.Preferably, the pixel electrode overlaps the upper and lower gate lines and the auxiliary gate line, and the gate electrode is positioned on the upper gate line which does not form a closed region, and in particular, a connection point of the auxiliary gate line and the upper gate line that overlaps the first connection part. Is preferably located at the upper gate line between the intersection of the upper gate line and the data line.
한편, 게이트선은 데이터선과 평행한 평행부를 가지며 제1 연결부와 중첩되어 있는 보조 게이트선은 평행부의 아래 부분과 연결되어 있을 수 있으며, 이 때 게이트 전극은 평행부에 위치하는 것이 좋다.On the other hand, the gate line may have a parallel portion parallel to the data line and the auxiliary gate line overlapping the first connection portion may be connected to the lower portion of the parallel portion, and the gate electrode may be positioned at the parallel portion.
드레인 전극은 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극의 바로 밑에 위치하는 하부 게이트선과 중첩되어 있다.The drain electrode overlaps the lower gate line positioned directly under the pixel electrode connected to the drain electrode.
이와는 달리, 보조 게이트선과 데이터선의 중첩은 보조 게이트선의 분지인 제1 연결부에 의하여 이루어질 수 있다.Alternatively, the overlapping of the auxiliary gate line and the data line may be made by a first connection part which is a branch of the auxiliary gate line.
본 발명에 따른 다른 행렬형 액정 표시 장치용 기판은 다수의 화소 영역이 행렬의 형태로 형성되어 있는 행렬형 액정 표시 장치용 기판으로서,Another substrate for a matrix type liquid crystal display device according to the present invention is a substrate for a matrix type liquid crystal display device in which a plurality of pixel regions are formed in a matrix form.
가로를 따라 형성되어 있는 상부 게이트선,An upper gate line formed along the horizontal line,
상기 상부 게이트선과 간격을 두고 가로를 따라 형성되어 있는 하부 게이트선,A lower gate line which is formed along a horizontal line with an interval with the upper gate line,
상기 상부 게이트선과 하부 게이트선을 연결하는 제1 보조 게이트선,A first auxiliary gate line connecting the upper gate line and the lower gate line;
한 끝은 상기 상부 및 하부 게이트선 중 하나와 연결되어 있고, 다른 한 끝은 개방되어 있으며, 상기 제1 보조 게이트선과 쌍을 이루어 상기 상부 게이트선 및 하부 게이트선으로 한정되는 일부 개방 영역을 이루는 제2 보조 게이트선,One end is connected to one of the upper and lower gate lines, and the other end is open, and is paired with the first auxiliary gate line to form a part of an open area defined by the upper gate line and the lower gate line. 2 auxiliary gate lines,
상기 상부 게이트선의 일부 또는 분지인 게이트 전극,A gate electrode which is part or branch of the upper gate line,
상기 상부 및 하부 게이트선과 상기 보조 게이트선, 상기 게이트 전극을 덮도록 전면에 형성되어 있는 제1 절연층,A first insulating layer formed on a front surface of the upper and lower gate lines, the auxiliary gate line, and the gate electrode;
상기 게이트 전극을 덮도록 상기 제1 절연층 위에 형성되어 있는 반도체층,A semiconductor layer formed on the first insulating layer to cover the gate electrode;
상기 제1 절연층 위에 상기 이웃하는 보조 게이트선 쌍 사이에 세로를 따라 형성되어 있는 데이터선,A data line formed vertically between the pair of neighboring auxiliary gate lines on the first insulating layer;
상기 데이터선의 일부 또는 분지로서 상기 반도체층과 연결되어 있는 소스 전극,A source electrode connected to the semiconductor layer as part or branch of the data line,
상기 반도체층과 연결되어 있으며 상기 소스 전극과 분리되어 있는 데이터 전극,A data electrode connected to the semiconductor layer and separated from the source electrode,
상기 데이터선, 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 덮도록 전면에 형성되어 있는 제2 절연층,A second insulating layer formed on a front surface of the data line, the source electrode, and the drain electrode to cover the data line;
상기 제2 절연층 위에 상기 일부 개방 영역 내에 형성되어 있는 투명한 화소 전극을 포함하며,A transparent pixel electrode on the second insulating layer, the transparent pixel electrode being formed in the open area;
이 때, 드레인 전극은 게이트 전극 위쪽의 화소 전극과 연결되어 있으며, 제1 보조 게이트선과 데이터선은 일부가 중첩되어 있다.In this case, the drain electrode is connected to the pixel electrode above the gate electrode, and a part of the first auxiliary gate line and the data line overlap each other.
제1 보조 게이트선과 데이터선의 중첩은 제1 보조 게이트선의 분지인 제1 연결부에 의하여 이루어질 수 있으며, 게이트 전극은 데이터선에 대하여 제1 보조 게이트선의 건너편에, 그리고 닫힌 영역을 이루지 않는 상부 게이트선에 위치한다.The overlap of the first auxiliary gate line and the data line may be made by a first connection part which is a branch of the first auxiliary gate line, and the gate electrode is disposed across the first auxiliary gate line with respect to the data line and on the upper gate line not forming a closed region. Located.
제1 연결부와 데이터선의 중첩점은 상부 게이트선과의 교차점에서 소스 전극의 분기점 사이의 데이터선에 위치하는 것이 좋다.The overlapping point of the first connection portion and the data line may be positioned at the data line between the branch point of the source electrode at the intersection point of the upper gate line.
화소 전극은 상부 및 하부 게이트선, 그리고 보조 게이트선과 중첩되어 있을 수 있으며, 이 때 화소 전극은 제1 연결부의 분지점에서 상부 게이트선과의 교차점 사이의 보조 게이트선과는 중첩되어 있지 않은 것이 바람직하다.The pixel electrode may overlap the upper and lower gate lines and the auxiliary gate line, and the pixel electrode may not overlap the auxiliary gate line between the intersection point with the upper gate line at the branch point of the first connector.
드레인 전극은 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극의 바로 밑에 위치하는 하부 게이트선과 중첩되어 있으며, 제2 보조 게이트선의 개방된 한 쪽 끝은 화소 전극과 드레인 전극의 연결점에 위치한다.The drain electrode overlaps the lower gate line positioned directly below the pixel electrode connected to the drain electrode, and one open end of the second auxiliary gate line is positioned at a connection point between the pixel electrode and the drain electrode.
본 발명에 따른 다른 행렬형 액정 표시 장치용 기판은 다수의 화소 영역이 행렬의 형태로 형성되어 있는 행렬형 액정 표시 장치용 기판으로서, 가로를 따라 형성되어 있는 상부 게이트선, 상기 상부 게이트선과 간격을 두고 가로를 따라 형성되어 있는 하부 게이트선, 상기 상부 게이트선과 하부 게이트선을 연결하는 제1 보조 게이트선, 한 끝은 상기 상부 및 하부 게이트선 중 하나와 연결되어 있고, 다른 한 끝은 개방되어 있으며, 상기 제1 보조 게이트선선과 쌍을 이루어 상기 상부 게이트선 및 하부 게이트선으로 한정되는 일부 개방 영역을 이루는 제2 보조 게이트선, 상기 보조 게이트선의 일부 또는 분지인 게이트 전극, 상기 상부 및 하부 게이트선과 상기 보조 게이트선, 상기 게이트 전극을 덮도록 전면에 형성되어 있는 제1 절연층, 상기 게이트 전극을 덮도록 상기 제1 절연층 위에 형성되어 있는 반도체층, 상기 제1 절연층 위에 상기 이웃하는 보조 게이트선 쌍 사이에 세로를 따라 형성되어 있는 데이타선, 상기 데이터선의 일부 또는 분지로서 상기 반도체층과 연결되어 있는 소스 전극, 상기 반도체층과 연결되어 있으며 상기 소스 전극과 분리되어 있는 데이터 전극, 상기 데이터선, 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 덮도록 전면에 형성되어 있는 제2 절연층, 상기 제2 절연층 위에 상기 일부 개방 영역 내에 형성되어 있는 투명한 화소 전극을 포함하며, 드레인 전극은 게이트 전극 위쪽의 화소 전극과 연결되어 있으며, 제2 보조 게이트선의 개방된 끝은 데이터선과 중첩되어 있다.Another matrix for a liquid crystal display device according to the present invention is a substrate for a matrix liquid crystal display device in which a plurality of pixel regions are formed in the form of a matrix, and has a gap between an upper gate line and an upper gate line formed along a horizontal line. A lower gate line formed along a horizontal line, a first auxiliary gate line connecting the upper gate line and the lower gate line, one end of which is connected to one of the upper and lower gate lines, and the other end of which is open A second auxiliary gate line paired with the first auxiliary gate line to form a part of an open area defined by the upper gate line and the lower gate line, a gate electrode which is a part or a branch of the auxiliary gate line, and the upper and lower gate lines A first insulating layer formed on a front surface of the auxiliary gate line to cover the gate electrode; A semiconductor layer formed on the first insulating layer so as to cover the pole; a data line formed vertically between the pair of adjacent auxiliary gate lines on the first insulating layer; and the semiconductor layer as a part or branch of the data line. A second insulating layer formed on a front surface of the source electrode connected to the source electrode, the data electrode connected to the semiconductor layer and separated from the source electrode, the data line, the source electrode, and the drain electrode; A transparent pixel electrode is formed on the insulating layer in the open area. The drain electrode is connected to the pixel electrode above the gate electrode, and the open end of the second auxiliary gate line overlaps the data line.
여기에서, 제2 보조 게이트선과 데이터선의 중첩은 제2 보조 게이트선의 개방된 끝의 분지인 제1 연결부에 의하여 이루어질 수 있다.Here, the overlapping of the second auxiliary gate line and the data line may be made by a first connection part which is a branch of an open end of the second auxiliary gate line.
이 경우, 화소 전극은 제2 보조 게이트선과 데이터선의 중첩되어 있되, 제2 보조 게이트선의 양 끝과는 중첩되어 있지 않은 것이 바람직하다. 또, 화소 전극은 상부 및 하부 게이트선, 제1 보조 게이트선과 중첩되어 있을 수 있다.In this case, the pixel electrode overlaps the second auxiliary gate line and the data line, but preferably does not overlap both ends of the second auxiliary gate line. In addition, the pixel electrode may overlap the upper and lower gate lines and the first auxiliary gate line.
한편, 절연층 위에 형성되어 있으며, 제2 보조 게이트선과 연결된 게이트선과의 교차점에서 제1 연결부와의 중첩점 사이의 데이터선을 덮도록 형성되어 있는 제2 연결부를 더 포함할 수 있다.The display device may further include a second connection part formed on the insulating layer and formed to cover the data line between the overlapping point with the first connection part at an intersection point of the second auxiliary gate line and the gate line connected to the second auxiliary gate line.
이 경우, 제2 보조 게이트선과 게이트선과의 연결점은 제2 보조 게이트선과 연결된 게이트선과 데이터선의 교차점과 동일한 위치인 것이 바람직하다.In this case, it is preferable that the connection point between the second auxiliary gate line and the gate line is the same position as the intersection of the gate line and the data line connected with the second auxiliary gate line.
본 발명에 따른 다른 행렬형 액정 표시 장치용 기판은 다수의 화소 영역이 행렬의 형태로 형성되어 있는 행렬형 액정 표시 장치용 기판으로서, 가로를 따라 형성되어 있는 상부 게이트선, 상기 상부 게이트선과 간격을 두고 가로를 따라 형성되어 있는 하부 게이트선, 상기 상부 게이트선과 하부 게이트선을 연결하는 제1 보조 게이트선, 양 끝이 개방되어 있으며, 상기 제1 보조 게이트선과 쌍을 이루어 상기 상부 게이트선 및 하부 게이트선으로 한정되는 일부 개방 영역을 이루는 제2 보조 게이트선, 상기 상부 게이트선의 일부 또는 분지인 게이트 전극, 상기 상부 및 하부 게이트선과 상기 보조 게이트선, 상기 게이트 전극을 덮도록 전면에 형성되어 있는 제1 절연층, 상기 게이트 전극을 덮도록 상기 제1 절연층 위에 형성되어 있는 반도체층, 상기 제1 절연층 위에 상기 이웃하는 보조 게이트선 쌍 사이에 세로를 따라 형성되어 있는 데이터선, 상기 데이터선의 일부 또는 분지로서 상기 반도체층과 연결되어 있는 소스 전극, 상기 반도체층과 연결되어 있으며 상기 소스 전극과 분리되어 있는 데이터 전극, 상기 데이터선, 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 덮도록 전면에 영성되어 있는 제2 절연층, 상기 제2 절연층 위에 상기 일부 개방 영역 내에 형성되어 있는 투명한 화소 전극을 포함하며, 여기에서 드레인 전극은 게이트 전극 위쪽의 화소 전극과 연결되어 있으며, 제2 보조 게이트선의 개방된 양 끝은 데이터선과 각각 중첩되어 있다.Another matrix for a liquid crystal display device according to the present invention is a substrate for a matrix liquid crystal display device in which a plurality of pixel regions are formed in the form of a matrix, and has a gap between an upper gate line and an upper gate line formed along a horizontal line. And a lower gate line formed along a horizontal line, a first auxiliary gate line connecting the upper gate line and the lower gate line, and both ends of the lower gate line are open, and are paired with the first auxiliary gate line to form the upper gate line and the lower gate. A second auxiliary gate line forming a part of an open area defined by a line, a gate electrode which is a part or a branch of the upper gate line, and a first first surface formed to cover the upper and lower gate lines and the auxiliary gate line, and the gate electrode An insulating layer, a semiconductor layer formed on the first insulating layer to cover the gate electrode, the first A data line formed vertically between the pair of neighboring auxiliary gate lines on a soft layer, a source electrode connected to the semiconductor layer as a part or branch of the data line, and connected to the semiconductor layer and separated from the source electrode Wherein a second insulating layer is formed on the front surface to cover the data electrode, the data line, the source electrode, and the drain electrode, and a transparent pixel electrode formed in the open area on the second insulating layer. The drain electrode is connected to the pixel electrode above the gate electrode, and both open ends of the second auxiliary gate line overlap each other with the data line.
여기에서, 제2 보조 게이트선과 데이터선의 중첩은 제2 보조 게이트선의 개방된 양 끝의 분지인 제1 연결부 및 제2 연결부에 의하여 이루어질 수 있다.Here, the overlapping of the second auxiliary gate line and the data line may be made by the first connection part and the second connection part which are branches of both open ends of the second auxiliary gate line.
이 경우, 서로 이웃하는 제2 보조 게이트선과 양 끝이 중첩되어 있는 제3 연결부를 더 포함하는 것이 바람직하며, 제3 연결부는 제1 절연층 위에 형성되어 있으며, 금속층과 ITO층의 이중층으로 이루어져 있을 수도 있고, 제2 절연층 위에 형성되어 있다.In this case, the second auxiliary gate line adjacent to each other preferably further includes a third connecting portion overlapping both ends, and the third connecting portion is formed on the first insulating layer, and may be formed of a double layer of a metal layer and an ITO layer. It may be formed on the second insulating layer.
여기에서 화소 전극은 제2 보조 게이트선의 양 끝을 제외한 부분에서 제2 보조 게이트선과 중첩되어 있는 것이 바람직하며, 상부 및 하부 게이트선, 제1 보조 게이트선과도 중첩되어 있을 수 있다.The pixel electrode preferably overlaps the second auxiliary gate line at portions except both ends of the second auxiliary gate line, and may also overlap the upper and lower gate lines and the first auxiliary gate line.
이와는 달리 제2 보조 게이트선의 개방된 양 끝과 데이터선의 중첩은 데이터선의 두 분지인 제1 연결부 및 제2 연결부에 의하여 이루어지거나, 데이터선의 한 분지인 제1 연결부가 제2 보조 게이트선의 개방된 한 끝과 중첩되고 제2 보조 게이트선의 개방된 다른 한 끝의 분지인 제2 연결부가 데이터선과 중첩되어 이루어질 수 있다.On the other hand, the overlap between the open ends of the second auxiliary gate line and the data line is formed by the first connection part and the second connection part which are two branches of the data line, or as long as the first connection part which is one branch of the data line is open of the second auxiliary gate line. A second connection part which overlaps an end and is a branch of another open end of the second auxiliary gate line may be overlapped with the data line.
본 발명에 따른 다른 행렬형 액정 표시 장치용 기판은 다수의 화소 행렬의 형태로 형성되어 있는 행렬형 액정 표시 장치용 기판으로서, 가로를 따라 형성되어 있는 상부 게이트선, 상기 상부 게이트선과 간격을 두고 가로를 따라 형성되어 있는 하부 게이트선, 상기 하부 게이트선과 두 곳에서 연결되어 있으며 상기 하부 게이트선과 함께 닫힌 영역을 이루는 보조 게이트선, 상기 상부 게이트선과 상기 상부 게이트선을 연결하는 다리, 상기 상부 게이트선의 일부 또는 분지인 게이트 전극, 상기 상부 및 하부 게이트선과 상기 보조 게이트선, 상기 다리, 상기 게이트 전극을 덮도록 전면에 형성되어 있는 제1 절연층, 상기 게이트 전극을 덮도록 상기 제1 절연층 위에 형성되어 있는 반도체층, 상기 제1 절연층 위에 상기 이웃하는 보조 게이트선 쌍 사이에 세로를 따라 형성되어 있는 데이터선, 상기 데이터선의 일부 또는 분지로서 상기 반도체층과 연결되어 있는 소스 전극, 상기 반도체층과 연결되어 있으며 상기 소스 전극과 분리되어 있는 데이터 전극, 상기 데이터선, 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 덮도록 전면에 형성되어 있는 제2 절연층, 제2 절연층 위에 하부 게이트선과 보조 게이트선으로 이루어지는 닫힌 영역 내에 형성되어 있는 투명한 화소 전극을 포함하며, 여기에서, 드레인 전극은 게이트 전극 위쪽의 화소 전극과 연결되어 있으며, 보조 게이트선과 데이터선은 일부가 중첩되어 있다.Another substrate for a matrix type liquid crystal display device according to the present invention is a substrate for a matrix type liquid crystal display device formed in the form of a plurality of pixel matrices, and is horizontally spaced apart from an upper gate line and an upper gate line formed along a horizontal line. A lower gate line formed along the lower gate line; an auxiliary gate line connected to the lower gate line at two places and forming a closed region together with the lower gate line; a bridge connecting the upper gate line and the upper gate line; a part of the upper gate line Or a branched gate electrode, a first insulating layer formed on the front surface to cover the upper and lower gate lines, the auxiliary gate line, the legs, and the gate electrode, and formed on the first insulating layer to cover the gate electrode. A semiconductor layer, between the pair of neighboring auxiliary gate lines over the first insulating layer A data line formed along a furnace, a source electrode connected to the semiconductor layer as part or branch of the data line, a data electrode connected to the semiconductor layer and separated from the source electrode, the data line, and the source electrode And a transparent pixel electrode formed in a closed region formed on the entire surface of the second insulating layer so as to cover the drain electrode, the lower gate line and the auxiliary gate line formed on the second insulating layer, wherein the drain electrode is a gate electrode. The auxiliary gate line and the data line are partially overlapped with each other.
여기에서, 보조 게이트선과 데이터선의 중첩은 보조 게이트선의 분지인 제1 연결부에 의하여 이루어질 수 있다.Here, the overlapping of the auxiliary gate line and the data line may be made by a first connection part which is a branch of the auxiliary gate line.
이 경우, 제1 절연층 또는 제2 절연층 위에 형성되어 있으며, 하부 게이트선 및 하부 게이트선의 아래에 위치하는 다리 또는 보조 게이트선과 각각 중첩되어 있는 제2 연결부를 더 포함할 수 있다.In this case, the display device may further include a second connection part formed on the first insulating layer or the second insulating layer and overlapping the bridge or auxiliary gate line disposed under the lower gate line and the lower gate line.
이 때, 화소 전극은 보조 게이트선 및 하부 게이트선과 중첩되도록 형성되어 있을 수 있다.In this case, the pixel electrode may be formed to overlap the auxiliary gate line and the lower gate line.
이와는 달리, 보조 게이트선과 데이터선의 중첩은 데이터선의 분지인 제1 연결부에 의하여 이루어질 수 있다.Alternatively, the overlapping of the auxiliary gate line and the data line may be made by the first connection part which is a branch of the data line.
그러면, 제6도 내지 제15도를 참고로 하여 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 기본 개념과 작용을 설명한다. 단, 본 발명은 제2 신호선 또는 데이터선의 수리를 주된 목적으로 하므로, 종래 기술로 제시한 이중 게이트선(또는 제1 신호선) 구조와 고리형 축전기 구조를 모두 그대로 채용할 수도 있지만 필요에 따라 이 중 한 구조만을 채택할 수도 있고, 이를 변형하여 채택하기도 한다는 점을 유의하여야 한다. 다음에서 그 예를 몇 가지 제시한다.Next, the basic concept and operation of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings with reference to FIGS. 6 to 15. However, since the present invention mainly repairs the second signal line or the data line, both the double gate line (or first signal line) structure and the ring capacitor structure presented in the prior art may be employed as they are. It should be noted that only one structure may be adopted, or it may be modified. Here are some examples.
첫째 유형은 이중 게이트선 구조와 고리형 축전기 구조를 모두 채용한 경우이다.The first type is the case where both the double gate line structure and the ring capacitor structure are adopted.
둘째 유형은 이중 게이트선 구조만을 채택한 경우로서, 제3도에서 보조 게이트선(1a, 1b)을 생략한 것이다.The second type is a case where only the double gate line structure is adopted, and the auxiliary gate lines 1a and 1b are omitted in FIG.
셋째 유형은 고리형 축전기 구조만을 채택한 경우로서, 제3도의 구조에서 고리형 축전기를 이루지 않는 하부 게이트선(Gdown)이 생략된 구조이다. 이 때에는 보조 게이트선(1a, 1b)과 남아 있는 하부 게이트선(Gdown)을 구볍할 실익이 없다.The third type is a case in which only the ring capacitor structure is adopted, and the lower gate line G down which does not form the ring capacitor is omitted in the structure of FIG. At this time, there is no practical advantage to prepare the auxiliary gate lines 1a and 1b and the remaining lower gate line G down .
넷째 유형은 제3도의 구조에서 고리형 축전기를 이루는 하부 게이트선(Gdown)만이 생략된 구조이다. 여기에서도 물론 보조 게이트선(1a, 1b)과 남아 있는 하부 게이트선(Gdown)을 구별할 실익이 별로 없으나, 남아 있는 하부 게이트선(Gdown)은 유지 축전기의 전극 및 차광층으로서의 역할을 하지 않는다는 점에서 구별된다.The fourth type is a structure in which only the lower gate line G down constituting the annular capacitor is omitted in the structure of FIG. Here, of course, there is little profit to distinguish the auxiliary gate lines 1a and 1b from the remaining lower gate line G down , but the remaining lower gate line G down serves as an electrode and a light shielding layer of the storage capacitor. In that it does not.
다섯째 유형은 제3도의 구조에서 하부 게이트선(Gdown)이 모두 생략된 경우가 있을 수 있다. 이 경우에는 게이트선(Gup, Gdown)의 단선을 그 자체로 치유하는 것이 불가능하며 이 때 보조 게이트선은 축전기 또는 차광층의 역할을 하는 것으로 볼 수 있다.In the fifth type, the lower gate line G down may be omitted in the structure of FIG. 3. In this case, it is impossible to cure the disconnection of the gate lines G up and G down by themselves, and the auxiliary gate line may be regarded as a capacitor or a light shielding layer.
여섯째 유형은 제3도의 구조에서 보조 게이트선(1a, 1b) 중 하나를 생략하거나, 보조 게이트선(1a, 1b) 중 하나 또는 둘 다가 상부 게이트선(Gup) 및 하부 게이트선(Gdown) 중 하나 또는 둘 다와 격리되어 있을 수 있다. 보조 게이트선(1a, 1b)이 상부 또는 하부 게이트선(Gup, Gdown) 중 어느 하나와 연결되어 있는 경우에는 차광층의 역할 외에도 축전기의 전극으로서의 역할을 하지만, 두 게이트선(Gup, Gdown) 모두와 분리되어 있으면 차광층으로서의 역할만을 수행한다. 이 유형은 앞의 다섯 가지 유형과 병존할 수 있다.The sixth type omits one of the auxiliary gate lines 1a and 1b in the structure of FIG. 3, or one or both of the auxiliary gate lines 1a and 1b are connected to the upper gate line G up and the lower gate line G down . It may be isolated from either or both. Auxiliary gate line (1a, 1b) a top or bottom gate lines (G up, G down) if it is in connection with any one has an electrode serving as the addition to the role of the light-shielding layer capacitors, however, the two gate lines (G up, G down ) serves as a light shielding layer when separated from both. This type can coexist with the previous five types.
먼저, 제6도 a 내지 c와 같이 제2 신호선(D)과 상부 제1 신호선(Gup)을 축전기(CR)로 연결한 경우를 생각하자. 여기에서 제6도 a는 이중 게이트선 구조와 고리형 툭전기 구조를 모두 채택한 첫째 유형이고, 제6도 b는 보조 신호선(1a, 1b)을 생략한 둘째 유형이며(여기에서 보조 신호선 중 하나만을 생략할 수도 있으며 이 경우는 여섯째 유형이 된다), 제6도 c는 고리형 축전기를 이루는 하부 제1 신호선(Gdown)만 생략된 넷째 유형으로서 제1 신호선의 신호 전달을 위해서는 두 보조 신호선(1a, 1b)이 모두 필요하다.First, a case in which the second signal line D and the upper first signal line G up are connected to each other by a capacitor C R as shown in FIGS. FIG. 6 is a first type employing both a double gate line structure and a ring-shaped tuxedo structure, and FIG. 6 is a second type omitting the auxiliary signal lines 1a and 1b (here, only one of the auxiliary signal lines is shown. 6 may be omitted. In this case, FIG. 6C is a fourth type in which only the lower first signal line G down constituting the annular capacitor is omitted, and two auxiliary signal lines 1a are used for signal transmission of the first signal line. , 1b) are all required.
그러면, 제6도 c의 경우에 수리 방법을 고려하자.Then consider the repair method in the case of FIG.
제7도에서와 같이 상부 제1 신호선(Gup)과 제2 신호선(D)의 교차점(b)과 축전기(CR)와 제2 신호선(D)의 연결점(e) 사이의 제2 신호선(D)이 단선(a)된 경우, 제2 신호선(D)과 상부 제1 신호선(Gup)을 단락(b)시키고 축전기(CR)의 양 단자를 단락(d)시킨 다음, 상부 제1 신호선(Gup)과 축전기(CR)의 연결점(c)과 단락점(b) 양쪽의 상부 제1 신호선(Gup)을 단선(f, g)시키면, 제2 신호선(D)을 따라 흐르던 신호는 단선점(a)을 우회하여 상부 제1 신호선(Gup) 및 단락된 축전기(CR)를 통하여 다시 제2 신호선(D)으로 진행한다.As shown in FIG. 7, the second signal line between the intersection point b of the upper first signal line G up and the second signal line D and the connection point e of the capacitor C R and the second signal line D When D) is disconnected (a), the second signal line D and the upper first signal line G up are shorted (b), and both terminals of the capacitor C R are shorted (d), and then the upper first When the upper first signal line G up at both the connection point c and the short circuit point b of the signal line G up and the capacitor C R is disconnected (f, g), it flows along the second signal line D. The signal bypasses the disconnection point a and proceeds to the second signal line D again through the upper first signal line G up and the shorted capacitor C R.
단, 이 경우에는 상부 제1 신호선(Gup)과 제2 신호선(D)의 교차점(b)과 축전기(CR)와 제2 신호선(D)의 연결점(e) 사이의 제2 신호선(D)이 단선(a)된 경우에만 수리 가능하다.In this case, however, the second signal line D between the intersection point b of the upper first signal line G up and the second signal line D and the connection point e of the capacitor C R and the second signal line D. Repair is possible only if) is disconnected (a).
제6도 a 및 c의 경우에도 동일한 방법으로 수리 가능하나, 제6도 c의 경우 제1 신호선(Gup, Gdown)의 신호 전달을 위해서는 두 보조 신호선(1a, 1b)이 모두 필요하다.6 a and c can be repaired in the same manner, but in FIG. 6 c, both auxiliary signal lines 1a and 1b are required for signal transmission of the first signal lines G up and G down .
한편, 제2 신호선(D)과 하부 제1 신호선(Gdown)을 축전기로 연결한 경우도 이와 유사하다.The second signal line D and the lower first signal line G down may be similarly connected to each other by a capacitor.
다음, 제8도와 같이 제2 신호선(D)과 보조 신호선(1 b)을 축전기(CR)로 연결한 경우을 생각하자. 여기에서 제2 신호선(D)과 축전기(CR)로 연결되어 있지 않은 보조 신호선(1a)은 생략할 수 있다.Next, consider the case where the second signal line D and the auxiliary signal line 1 b are connected by the capacitor C R as shown in FIG. Here, the auxiliary signal line 1a that is not connected to the second signal line D and the capacitor C R may be omitted.
그러면, 수리 방법을 고려해 보자.Then consider how to repair it.
제9도 a에서와 같이 상부 제1 신호선(Gup)과 제2 신호선(D)의 교차점(b)에서 축전기(CR)와 제2 신호선(D)의 연결점(f) 사이의 제2 신호선(D)이 단선(a)된 경우, 제2 신호선(D)과 상부 제1 신호선(Gup)을 단락(b)시키고 축전기(CR)의 양 단자를 단락(e)시킨 다음, 상부 제1 신호선(Gup)과 보조 신호선(1b)의 연결점(c)과 단락점(b) 양쪽의 상부 제1 신호선(Gup)을 단선(g, h)시키고 보조 신호선(1b)과 축전기(CR)의 연결점(d) 아래의 보조 신호선(1b)을 잘라 내면, 제2 신호선(D)을 따라 흐르던 신호는 단선점(a)을 피하여 상부 제1 신호선(Gup) 및 보조 신호선(1b)과 단락된 축전기(CR)를 통하여 다시 제2 신호선(D)으로 진행한다.9, the second signal line between the connection point f of the capacitor C R and the second signal line D at the intersection point b of the upper first signal line G up and the second signal line D as shown in FIG. When (D) is disconnected (a), the second signal line (D) and the upper first signal line (G up ) are shorted (b), and both terminals of the capacitor (C R ) are shorted (e), and then the upper a first signal line (g up) and a connection point (c) and short-circuit point (b) an upper first signal line (g up) of both ends of the auxiliary signal line (1b) disconnection (g, h) and the auxiliary signal line (1b) and a capacitor (c When the auxiliary signal line 1b below the connection point d of R ) is cut out, the signal flowing along the second signal line D is avoided from the disconnection point a and thus the upper first signal line G up and the auxiliary signal line 1b. The capacitor C R is shorted to proceed to the second signal line D again.
다음, 제9도 b에서와 같이 축전기(CR)와 제2 신호선(D)의 연결점(b)에서 하부 제1 신호선(Gdown)과 제2 신호선(D)의 교차점(b) 사이의 제2 신호선(D)이 단선(a)된 경우, 축전기(CR)의 양 단자를 단락(c)시키고 제2 신호선(D)과 하부 제1 신호선(Gdown)을 단락(f)시킨 다음, 보조 신호선(1b)과 축전기(CR)의 연결점(d) 위의 보조 신호선(1b)을 잘라 내고 하부 제1 신호선(Gdown)과 보조 신호선(1b)의 연결점(e)과 단락점(f) 양쪽의 하부 제1 신호선(Gdown)을 단선(h, i)시키면, 제2 신호선(D)을 따라 흐르던 신호는 단선점(a)을 피하여 단락된 축전기(CR)와 보조 신호선(1b) 및 상부 제1 신호선(Gup)을 통하여 다시 제2 신호선(D)으로 진행한다.Next, as shown in FIG. 9B, the second point between the intersection of the lower first signal line G down and the second signal line D at the connection point b of the capacitor C R and the second signal line D is shown in FIG. 2 If the signal line (D) is disconnected (a), short-circuit (c) both terminals of the capacitor (C R ), short-circuit (f) the second signal line (D) and the lower first signal line (G down ), and The auxiliary signal line 1b on the connection point d of the auxiliary signal line 1b and the capacitor C R is cut out, and the connection point e and the short point f of the lower first signal line G down and the auxiliary signal line 1b are cut out. When both lower first signal lines G down are disconnected (h, i), signals flowing along the second signal line D are short-circuited to avoid the disconnection point a and the capacitor CR and the auxiliary signal lines 1b. ) And the upper first signal line G up to the second signal line D again.
이 경우에는 상부 제1 신호선과의 교차점에서부터 하부 제1 신호선과의 교차점 사이의 제2 신호선의 모든 단선을 수리할 수 있다.In this case, all disconnections of the second signal line between the intersection with the upper first signal line and the intersection with the lower first signal line can be repaired.
한편, 제2 신호선(D)과 축전기(CR)로 연결되어 있지 않은 보조 신호선(1a)이 없어도 제1 신호선(Gup, Gdown)의 신호는 전달될 수 있으므로 생략할 수 있다.On the other hand, even if there is no auxiliary signal line (1a) that is not connected to the second signal line (D) and the capacitor (C R ), the signal of the first signal line (G up , G down ) can be transmitted and can be omitted.
다음, 제10도 a 및 b와 같이 제2 신호선(D)과 화소 전극(10)을 축전기(CR)로 연결한 경우를 생각하자. 앞에서 설명하였듯이, 화소 전극(10)은 개폐 소자(S)의 한 단자와 연결되어 있고, 개폐 소자(S)의 나머지 두 단자는 각각 상부 제1 신호선(Gup) 및 제2 신호선(D)에 연결되어 있다. 여기에서 이중 게이트선 구조와 고리형 축전기 구조 모두를 채택하고 있는 첫째 유형인 제10도 a와, 둘째 유형인 이중 게이트선 구조만을 택한 제10도 b[여기에서 보조 신호선(1a, 1b) 중 하나만을 생략할 수도 있으며 이 경우는 여섯째 유형에 해당한다], 그리고 고리형 축전기를 이루는 하부 제1 신호선이 생략된 제10도 c의 세 가지 경우가 있을 수 있다.Next, consider the case where the second signal line D and the pixel electrode 10 are connected by a capacitor C R as shown in FIGS. As described above, the pixel electrode 10 is connected to one terminal of the switching element S, and the other two terminals of the switching element S are connected to the upper first signal line G up and the second signal line D, respectively. It is connected. Here, FIG. 10A, the first type employing both the double gate line structure and the annular capacitor structure, and FIG. 10B, in which only the second type double gate line structure is adopted, wherein only one of the auxiliary signal lines 1a and 1b is used. May be omitted, which is the sixth type], and there may be three cases of FIG. 10C in which the lower first signal line constituting the annular capacitor is omitted.
그러면, 제10도 a의 경우에 수리 방법을 살펴보자.Then, look at the repair method in the case of FIG.
제11도에서와 같이 제2 신호선(D)과 축전기(CR)의 연결점(b)에서 제2 신호선(D)과 개폐 소자(S)의 한 단자의 연결점(h) 사이의 제2 신호선(D)이 단선(a)된 경우, 축전기(CR)의 양 단자를 단락(c)시키고 개폐 소자(S)의 세 단자를 단락(f)시킨 다음, 개폐 소자(S)와 상부 제1 신호선(Gup)과의 연결점(g) 양쪽의 상부 제1 신호선(Gup)을 단선(i, j)시키면, 제2 신호선(D)을 따라 흐르던 신호는 단선점(a)을 피하여 단락된 축전기(CR)와 화소 전극(10), 단락된 개폐 소자(S)을 통하여 다시 제2 신호선(D)으로 진행된다.As shown in FIG. 11, the second signal line between the second signal line D and the connection point h of one terminal of the switching element S at the connection point b of the second signal line D and the capacitor C R ( When D) is disconnected (a), short-circuits (c) both terminals of the capacitor (C R ), short-circuits (f) the three terminals of the switching element (S), and then the switching element (S) and the upper first signal line. (g up) and a connection point (g) an upper first signal line of each side (g up) disconnection (i, j) when the second signal line (D) flowing signals, avoiding short-circuit the capacitor only parked (a) along the The signal flows back to the second signal line D through the C R , the pixel electrode 10, and the short-circuit opening / closing element S.
단, 이 경우에는 제2 신호선(D)과 축전기(CR)의 연결점(b)에서 제2 신호선(D)과 개폐 소자(S)의 한 단자의 연결점(h) 사이의 제2 신호선(D)이 단선(a)된 경우에만 수리할 수 있다.In this case, however, the second signal line D between the second signal line D and the connection point h of one terminal of the switching element S at the connection point b of the second signal line D and the capacitor C R. Repair is only possible if) is disconnected (a).
제10도 b 및 c의 경우에도 동일하게 수리할 수 있다.In the case of FIG. 10, b and c can be repaired in the same manner.
다음의 예들은 보조 신호선의 구조를 변경한 여섯째 유형의 예이다.The following examples show the sixth type of modification of the structure of the auxiliary signal line.
먼저, 제12도 a 및 b와 같이 보조 신호선(1a)의 한 끝을 상부 제1 신호선(Gup)으로부터 분리하고 제2 신호선(D)과 축전기(CR)로 연결한 생각하자. 여기에서, 제12도 a는 첫째 유형, 제12도 b는 넷째 유형과 결합된 것이며, 제12도 a와 b에서 분리되지 않은 나머지 보조 신호선(1b)은 생략할 수 있다.First, as shown in FIGS. 12A and 12B, one end of the auxiliary signal line 1a is separated from the upper first signal line G up and connected to the second signal line D and the capacitor C R. Here, FIG. 12A is combined with the first type, FIG. 12B is the fourth type, and the remaining auxiliary signal lines 1b not separated from FIGS. 12A and 12 may be omitted.
그러면, 제12도 a의 경우에 수리 방법을 고려해 보자.Then, consider the repair method in the case of FIG.
제13도에서와 같이 제2 신호선(D)과 축전기(CR)와 연결점(b)에서 제2 신호선(D)과 하부 제1 신호선(Gdown)과 교차점(e) 사이의 제2 신호선(D)이 단선(a)된 경우, 축전기(CR)의 양 단자를 단락(c)시키고 제2 신호선(D)과 하부 제1 신호선(Gdown)을 단락(e)시킨 다음, 하부 신호선(Gdown)과 축전기(CR)의 연결점(d)와 단락점(e) 양쪽의 하부 제1 신호선(Gdown)을 단선(f, g)시키면, 제2 신호선(D)을 따라 흐르던 신호는 단선점(a)을 피하여 단락된 축전기(CR)와 하부 제1 신호선(Gdown)을 통하여 다시 제2 신호선(D)으로 진행한다.As shown in FIG. 13, the second signal line D between the second signal line D, the lower first signal line G down , and the intersection point e at the connection point b with the second signal line D and the capacitor C R. When D) is disconnected (a), the both terminals of the capacitor C R are shorted (c), the second signal line D and the lower first signal line G down are shorted (e), and then the lower signal line ( When the lower first signal line G down at both the connection point d and the short point e of the G down ) and the capacitor C R is disconnected (f, g), the signal flowing along the second signal line D is In order to avoid the disconnection point (a), the circuit proceeds to the second signal line D again through the shorted capacitor C R and the lower first signal line G down .
단, 이 경우에는 제2 신호선(D)과 축전기(CR)의 연결점(b)에서 제2 신호선(D)과 하부 제1 신호선(Gdown)과의 교차점(e) 사이의 제2 신호선(D)이 단선(a)된 경우에만 수리할 수 있다.In this case, however, the second signal line between the second signal line D and the intersection point e between the second signal line D and the lower first signal line G down at the connection point b of the second signal line D and the capacitor C R ( Repairs can only be made if D) is broken (a).
제12도 b 내지 d의 경우도 수리 방법은 동일하다.The repair method is the same also in the case of FIG.
한편, 보조 신호선(1a)의 한 끝을 하부 제1 신호선(Gdown)으로부터 분리하고 제2 신호선(D)과 축전기로 연결한 경우도 이와 유사하다.Similarly, when one end of the auxiliary signal line 1a is separated from the lower first signal line G down and connected to the second signal line D by a capacitor.
다음, 제14도 a 내지 d와 같이 보조 신호선(1a)의 양 끝을 각각 제2 신호선(D)과 축전기(CR1, CR2)로 연결한 경우를 생각하자. 이 경우에는 하나의 보조 신호선(1a)만으로 수리가 가능하기 때문에 다양한 변화가 가능한데, 그 예로는 제14도 a 내지 d에 이르는 기본적인 변형에서는 보조 신호선(1a)이 상부 및 하부 제1 신호선(Gup, Gdown)과 분리된 채로 첫째 유형, 셋째 유형, 넷째 유형, 다섯째 유형과 결합한 것을 들 수 있다.Next, as shown in Figs. 14A to D, consider the case where both ends of the auxiliary signal line 1a are connected to the second signal line D and the capacitors C R1 and C R2 , respectively. In this case, since only one auxiliary signal line 1a can be repaired, various changes are possible. For example, in the basic modification of FIGS. 14A to 14D, the auxiliary signal line 1a is the upper and lower first signal lines G up. , G down ), combined with the first, third, fourth, and fifth types.
이외에도 마지막 보조 신호선(1b)을 생략하거나 상부 또는 하부 제1 신호선(Gup, Gdown) 중 하나를 생략한 구조, 제14도 a 내지 d에서 보조 신호선(1a)을 상부 제1 신호선(Gup, Gdown) 및/또는 하부 신호선(Gdown)과 연결한 구조 따위의 무수히 많은 변형을 생각할 수 있다.In addition, the structure in which the last auxiliary signal line 1b is omitted or one of the upper or lower first signal lines G up and G down is omitted, and in FIG. 14, the auxiliary signal line 1a is replaced by the upper first signal line G up. , G down ) and / or a myriad of variations, such as structures connected to the lower signal line G down .
이러한 변형의 경우에 다른 방법으로 수리가 가능한 경우도 있지만, 그 전형인 제14도 a의 경우에만, 수리 방법을 설명한다.In the case of such a modification, repair may be possible by other methods, but the repair method will be described only in the case of the typical example of FIG.
제15도에서와 같이 제2 신호선(D)과 축전기(CR1)의 연결점(b)에서 제2 신호선(D)과 축전기(CR)의 연결점(e) 사이의 제2 신호선(D)이 단선(a)된 경우, 두 축전기(CR1, CR2)의 양 단자를 단락(c, d)시키면, 제2 신호선(D)을 따라 흐르던 신호는 단선점(a)을 피하여 단락된 축전기(CR1, CR2)를 통하여 다시 제2 신호선(D)으로 진행한다.A second signal line (D) between the connection point (e) a second signal line, as in the 15 degree (D) and the capacitor (C R1) in the connection point (b) second signal line (D) and the capacitor (C R) in the In the case of disconnection (a), if both terminals C R1 and C R2 are shorted (c, d), the signal flowing along the second signal line (D) is shorted to avoid the disconnection point (a). The process proceeds to the second signal line D again through C R1 and C R2 .
단, 이 경우에는 제2 신호선(D)과 축전기(CR1)의 연결점(b)에서 제2 신호선(D)과 축전기(CR2)의 연결점(e) 사이의 제2 신호선(D)이 단선(a)된 경우에만 수리할 수 있다.In this case, however, a second signal line (D) and the capacitor a second signal line (D) is broken between the (C R1) in the connection point (b) in the second signal line (D) and a connection point (e) of the capacitor (C R2) Repairs may only be made in (a).
제14도 b 내지 d의 경우에도 동일하다.The same applies to FIG. 14 in the case of b to d.
이상과 같은 기본적인 구조를 결합하여 다양한 수리 구조를 만들 수 있으며, 아래의 실시예들은 이러한 구조들은 결합하거나 변형, 또는 다른 구조를 추가하여 각각 제2 신호선의 모든 단선을 수리할 수 있도록 만들어진 구조이다. 여기에서, 추가될 수 있는 구조로는 간단히 제2 신호선의 두 지점, 또는 연결하고자 하는 두 지점을 축전기로 연결하는 구조를 생각할 수 있다.Various repair structures can be made by combining the basic structures as described above, and the following embodiments are structures that can be repaired to remove all disconnections of the second signal lines by combining, modifying, or adding other structures. Here, as a structure to be added, a structure in which two points of the second signal line, or two points to be connected are connected by a capacitor may be considered.
그러면, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명에 따른 행렬형 표시 장치의 실시예를 아래에서 상세히 설명한다.Next, embodiments of the matrix display device according to the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily implement the present invention.
먼저, 본 발명의 제1 실시예는 제6도 및 제10도에 도시한 기본 구조를 바탕으로 한 것으로서, 데이터선과 상부 게이트선을 연결하는 수단과 게이트선과 화소 전극을 연결하는 수단을 갖추어, 데이터선의 결함을 치유하는 것이다. 데이터선과 상부 게이트선을 절연체를 매개로 연결하기 위해서는 데이터선의 분지가 상부 게이트선 쪽으로 뻗게 하거나 상부 게이트선의 분지가 데이터선 쪽으로 뻗게 하는 것이 가능하나, 상부 게이트선의 분지를 데이터선 쪽으로 뻗을 경우 데이터선의 건너편에 있는 다른 게이트선과 단락될 우려가 있으므로, 데이터선의 분지를 내는 것이 바람직하다. 또, 게이트선과 화소 전극을 절연체를 매개로 연결하려면 화소 전극을 게이트선과 중첩되도록 형성하거나, 이와 더불어 또는 이와는 달리, 화소 전극이 게이트선으로 이루어지는 닫힌 영역 밖으로 돌출되도록 형성한 다음 그 돌출된 부분이 닫힌 영역을 이루지 않는 상부 게이트선과 중첩되도록 하거나 상부 게이트선의 분지를 내어 돌출된 부분과 중첩되도록 할 수 있다. 후자의 경우에는 돌출된 부분이 형성될 수 있는 충분한 공간을 두는 것이 필요하다.First, the first embodiment of the present invention is based on the basic structures shown in FIGS. 6 and 10, and includes a means for connecting a data line and an upper gate line and a means for connecting a gate line and a pixel electrode. It is to heal the defect of goodness. In order to connect the data line and the upper gate line through the insulator, it is possible to have the branch of the data line extend toward the upper gate line or the branch of the upper gate line extend toward the data line, but when the branch of the upper gate line extends toward the data line, It is preferable to branch the data line because it may be shorted to other gate lines in the circuit. In addition, in order to connect the gate line and the pixel electrode through an insulator, the pixel electrode is formed to overlap the gate line, or in addition or alternatively, the pixel electrode is formed to protrude out of the closed area formed of the gate line, and then the protruding portion is closed. It may be overlapped with the upper gate line which does not form an area, or the branch of the upper gate line may be overlapped with the protruding portion. In the latter case, it is necessary to leave enough space for the protrusions to form.
그러면, 이를 제16도 및 제17도 a 내지 제17도 b를 참고로 하여 상세히 설명한다.This will be described in detail with reference to FIGS. 16 and 17 a to 17 b.
제16도는 본 발명의 제1 실시예에 따른 행렬형 액정 표시 장치용 기판의 화소의 구조를 도시한 평면도이고, 제17도 a 및 b는 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 기판에서 데이터선이 단선된 경우 수리 방법을 나타낸 도면이다.FIG. 16 is a plan view illustrating a pixel structure of a matrix liquid crystal display substrate according to a first embodiment of the present invention, and FIGS. 17A and 17B illustrate data lines of a substrate for a liquid crystal display device according to a first embodiment. This is a diagram showing a repair method when disconnected.
제16도에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 행렬형 액정 표시 장치용 기판에서는, 데이터선(D)의 분지인 제1 연결부(11)가 상부 게이트선(Gup)의 제2 세로부(Gv2) 쪽으로 뻗어 제2 세로부(Gv2)와 중첩되어 있고, 화소 전극(10)의 일부가 상부 및 하부 게이트선(Gup, Gdown)과 왼쪽 및 그 오른쪽 보조 게이트선(1a, 1b)으로 이루어지는 닫힌 영역을 벗어나, 상부 게이트선의 제1 세로부(Gv1), 제2 세로부(Gv2) 및 제2 세로부(Gv2)로 형성되는 오목부로 돌출해 있고, 제2 세로부(Gv2)로부터의 분지인 제2 연결부(12)가 화소 전극(10)의 돌출부 쪽으로 뻗어 화소 전극(10)과 겹쳐 있다. 여기에서 제1 연결부(11)와 제2 세로부(Gv2)의 중첩점은 게이트 전극(2)의 하부에 위치하며, 제1 연결부(11)와 제2 세로부(Gv2)는 제4도에 도시한 게이트 산화막(3) 및 게이트 절연층(4)을 사이에 두고 있고, 제2 연결부(12)와 화소 전극(10)은 제4도에 도시한 게이트 산화막(3), 게이트 절연층(4) 및 보호막(9)을 사이에 두고 있다. 또한 소스 전극(7)과 게이트 전극(2), 게이트 전극(2)과 드레인 전극(8)도 각각 중첩되도록 형성되어 있다. 다른 부분은 제3도 및 제4도의 구조와 유사하다.As shown in FIG. 16, in the matrix liquid crystal display substrate according to the first embodiment of the present invention, the first connection portion 11, which is a branch of the data line D, is formed of the upper gate line G up . a second vertical portion (G v2) towards the extended second longitudinal section (G v2) and superimposed, and some of the upper and lower gate lines of the pixel electrode (10) (G up, G down) on the left and the right auxiliary gate Out of the closed area consisting of the lines 1a and 1b, it protrudes into a recess formed by the first vertical portion G v1 , the second vertical portion G v2 and the second vertical portion G v2 of the upper gate line. The second connection part 12, which is a branch from the second vertical part G v2 , extends toward the protrusion of the pixel electrode 10 and overlaps the pixel electrode 10. Here, the overlapping point of the first connecting portion 11 and the second vertical portion G v2 is located under the gate electrode 2, and the first connecting portion 11 and the second vertical portion G v2 are each disposed in the fourth portion. The gate oxide film 3 and the gate insulating layer 4 shown in the figure are sandwiched between the second connection portion 12 and the pixel electrode 10. The gate oxide film 3 and the gate insulating layer shown in FIG. (4) and the protective film 9 are interposed. In addition, the source electrode 7 and the gate electrode 2, the gate electrode 2 and the drain electrode 8 are also formed to overlap each other. The other part is similar to the structure of FIG. 3 and FIG.
그러면 본 실시예와 같은 액정 표시 장치에서 데이터선이 불량이 되는 경우, 단선된 위치에 따라 수리 방법을 나누어 살펴보자.In the case where the data line becomes defective in the liquid crystal display device according to the present exemplary embodiment, the repair method will be divided according to the disconnected position.
먼저, 제17도 a에서와 같이 데이터선(D)의 중간 부분이 단선되는 경우, 즉, 어떤 화소(PX1)의 제1 연결부(11)의 분기점(分岐點) 아래에서부터 그 아래 화소(PX2)의 소스 전극(7)의 분기점 사이의 데이터선(6)이 단선(a)되어 그 아래 부분에 데이터 신호가 전달되지 못하는 경우를 고려하자. 도면에서 화살표는 신호의 흐름을 나타낸다.First, as shown in FIG. 17A, when the middle portion of the data line D is disconnected, that is, from below the branch point of the first connection part 11 of a certain pixel PX1, the pixel PX2 below it. Consider a case in which the data line 6 between the branch points of the source electrode 7 is broken (a) so that the data signal cannot be transmitted to the lower portion thereof. Arrows in the figure indicate the flow of signals.
이 경우 단선된 화소(PX1)의 화소 전극(10)을 단선된 데이터선의 대용으로 사용한다.In this case, the pixel electrode 10 of the disconnected pixel PX1 is used as a substitute for the disconnected data line.
일단, 데이터선(D)의 단선점(a)의 위 부분에 위치하고 있는 제1 연결부(11)와 제2 세로부(Gv2)와의 교차점(b)을 레이저를 이용하여 단락시키면, 데이터선(D)을 따라 흐르는 데이터 신호는 단선점(a)으로 향하지 않고 제1 연결부(11)를 통하여 제2 세로부(Gv2)로 흐른다.Once the intersection point b between the first connection portion 11 and the second vertical portion G v2 , which is located above the disconnection point a of the data line D, is short-circuited using a laser, the data line ( The data signal flowing along D) flows to the second vertical portion G v2 through the first connecting portion 11 without facing the disconnection point a.
이어, 제2 연결부(12)와 화소 전극(10)의 교차점(c)을 레이저로 단락시키고, 제2 연결부(12) 아래위의 제2 세로부(Gv2)를 단선(f, g)시킨다. 그러면, 제2 세로부(Gv2)로 흘러든 데이터 신호는 제2 연결부(12)를 통하여 화소 전극(10)으로 흐르고, 다시 이 화소 전극(10)과 연결되어 있는 아래 화소(PX2)의 드레인 전극(8)으로 향한다.Subsequently, the intersection c of the second connection part 12 and the pixel electrode 10 is short-circuited with a laser, and the second vertical part G v2 below the second connection part 12 is disconnected (f, g). Then, the data signal flowing into the second vertical portion G v2 flows to the pixel electrode 10 through the second connection portion 12 and again drains the lower pixel PX2 connected to the pixel electrode 10. To the electrode 8.
이어, 아래 화소(PX2)의 드레인 전극(8)과 게이트 전극(2), 게이트 전극(2)과 소스 전극(7)을 각각 단락(d, e)시키고, 아래 화소(PX2)의 게이트 전극(2) 아래위의 상부 게이트선(Gup)을 꿇는다(h, i). 그러면, 데이터 신호는 아래 화소(PX2)의 드레인 전극(8), 게이트 전극(2), 소스 전극(7)을 통하여 데이터선(D)으로 이동한다.Next, the drain electrode 8 and the gate electrode 2, the gate electrode 2 and the source electrode 7 of the lower pixel PX2 are short-circuited d and e, respectively, and the gate electrode of the lower pixel PX2 ( 2) Kneel down the upper gate line (G up ) (h, i). The data signal then moves to the data line D through the drain electrode 8, the gate electrode 2, and the source electrode 7 of the lower pixel PX2.
결국 데이터 신호는 단선된 화소(PX1)의 제1 연결부(11), 제2 세로부(Gv2), 제2 연결부(12), 화소 전극(10)을 통하여 흐르고, 아래 화소(PX2)의 드레인 전극(8), 게이트 전극(2), 소스 전극(7)을 거쳐 데이터선(D)으로 복귀한다.As a result, the data signal flows through the first connection part 11, the second vertical part G v2 , the second connection part 12, and the pixel electrode 10 of the disconnected pixel PX1, and drains the lower pixel PX2. It returns to the data line D via the electrode 8, the gate electrode 2, and the source electrode 7.
이 경우, 단선된 화소(PX1) 및 아래 화소(PX2)의 오른쪽 화소(PX3, PX4)에 인가되는 게이트 신호는 하부 게이트선(Gdown)만을 통하여 오른쪽 화소에 전달되며, 단선된 화소(PX1)의 게이트 전극(2)은 그 오른쪽 화소(PX3)의 상부 게이트선(Gup)으로부터 게이트 신호를 인가받고, 아래 화소(PX2)의 게이트 전극(2)에는 게이트 신호가 인가되지 않는다.In this case, the gate signals applied to the right-side pixels PX3 and PX4 of the disconnected pixel PX1 and the lower pixel PX2 are transmitted to the right pixel only through the lower gate line G down , and the disconnected pixel PX1. The gate electrode 2 is applied with the gate signal from the upper gate line G up of the right pixel PX3, and the gate signal is not applied to the gate electrode 2 of the lower pixel PX2.
여기에서, 단선된 화소(PX1)는 결함으로 되나, 계속하여 데이터 신호가 인가되므로 눈에 잘 띄지 않는다.Here, the disconnected pixel PX1 becomes a defect, but is hardly noticeable since the data signal is continuously applied.
다음, 제17도 b에서와 같이, 어떤 화소(PX2)의 소스 전극(7)의 분기점에서부터 제1 연결부(11)의 분기점 사이의 데이터선(D)이 단선(a)되어 그 아래 부분에 신호를 전달하지 못하는 경우를 고려하자. 도면에서 이 화살표는 신호의 흐름을 나타낸다.Next, as shown in FIG. 17B, the data line D between the branch point of the source electrode 7 of the certain pixel PX2 and the branch point of the first connection portion 11 is disconnected (a) so that a signal is placed thereunder. Consider the case of not passing. This arrow in the figure shows the flow of the signal.
이 경우는 앞에서와는 달리 박막 트랜지스터, 제2 세로부(Gv2), 제1 연결부(11)만을 이용하여 결함을 수리한다.In this case, unlike the foregoing, only the thin film transistor, the second vertical portion G v2 , and the first connection portion 11 are used to repair the defect.
일단 데이터선(D)의 단선점(a)의 위 부분에 위치하고 있는 소스 전극(7)과 게이트 전극(2)을 레이저를 이용하여 단락(b)시킨다. 그러면, 데이터선(6)을 따라 흐르는 데이터 신호는 단선점(a)으로 향하지 않고 소스 전극(7)을 통하여 게이트 전극(2)으로 흐른다. 이 데이터 신호가 오른 쪽 화소(PX4)의 게이트선으로 흐르지 않도록 게이트 전극(2) 위의 상부 게이트선(Gup)을 절단(e)한다.The source electrode 7 and the gate electrode 2, which are located above the disconnection point a of the data line D, are short-circuited b by using a laser. The data signal flowing along the data line 6 then flows through the source electrode 7 to the gate electrode 2 without going to the disconnection point a. The upper gate line G up on the gate electrode 2 is cut (e) so that this data signal does not flow to the gate line of the right pixel PX4.
이어, 제2 세로부(Gv2)와 제1 연결부(11)를 단락(c)시키고, 단락점(c) 아래의 상부 게이트선(Gup)의 제2 세로부(Gv2)를 절단하면, 데이터 신호는 제2 세로부(Gv2)를 통하여 데이터선(D)으로 흐는다.Subsequently, when the second vertical portion G v2 and the first connection portion 11 are shorted (c) and the second vertical portion G v2 of the upper gate line G up below the shorted point c is cut off. , The data signal flows to the data line D through the second vertical portion G v2 .
결국 데이터 신호는 데이터선(D)에서, 단선된 화소(PX2)의 소스 전극(7), 게이트 전극(2), 제2 세로부(Gv2), 제1 연결부(11)를 경유하여 다시 데이터선(D)으로 흐를 수 있다.As a result, the data signal is again transmitted from the data line D via the source electrode 7, the gate electrode 2, the second vertical portion G v2 , and the first connection portion 11 of the disconnected pixel PX2. Can flow to line (D).
여기에서 단선된 화소(PX2)의 위쪽 화소(PX1)는 신호가 인가되지 않으므로 결함으로 되나, 단선된 화소(PX2)의 게이트 전극(2)과 드레인 전극(8)을 단락시키면 위쪽 화소(PX1)의 화소 전극(10)에는 항상 데이터 신호가 인가되므로 눈에 잘 띄지 않는다.The upper pixel PX1 of the disconnected pixel PX2 becomes a defect because no signal is applied thereto. However, when the gate electrode 2 and the drain electrode 8 of the disconnected pixel PX2 are shorted, the upper pixel PX1 is shorted. The data signal is always applied to the pixel electrode 10 of the pixel electrode 10, so that the pixel electrode 10 is not easily seen.
본 발명의 제2 실시예는 제8도 및 제10도에 도시한 기본 구조를 바탕으로 한 것으로서, 데이터선과 보조 게이트선, 데이터선과 화소 전극을 연결하는 연결 수단을 갖추어 데이터선의 결함을 수리하는 것이다. 여기에서 데이터선과 보조 게이트선을 절연층을 매개로 연결하기 위해서는 데이터선의 분지가 보조 게이트선 쪽으로 뻗게 하거나 보조 게이트선의 분지가 데이터선 쪽으로 뻗게 하는 것이 가능하며, 본 실시예에서는 전자의 경우를 택한다. 또, 데이터선과 화소 전극을 절연체를 매개로 연결하려면, 게이트선으로 이루어지는 닫힌 영역 밖으로 화소 전극의 분지를 내어 데이터선과 중첩되도록 하거나, 데이터선의 분지를 내어 화소 전극과 중첩되도록 할 수 있다. 그러나, 화소 전극은 데이터선에 비하여 저항이 크므로 데이터선의 분지를 내는 것이 바람직하다. 그런데, 이 경우 데이터선의 분지가 화소 전극과 중첩되게 하기 위해서는 화소 전극을 한정하는 게이트선과 중첩될 수밖에 없으므로 하나의 데이터선 분지를 이용하여 보조 게이트선 및 화소 전극과 모두 중첩되도록 하는 것이 바람직하다.The second embodiment of the present invention is based on the basic structures shown in FIGS. 8 and 10, and is provided with a fixing means for connecting the data line and the auxiliary gate line, and the data line and the pixel electrode to repair the defect of the data line. . In this case, in order to connect the data line and the auxiliary gate line through the insulating layer, the branch of the data line may extend toward the auxiliary gate line or the branch of the auxiliary gate line may extend toward the data line. In this embodiment, the former case is selected. . In addition, in order to connect the data line and the pixel electrode through an insulator, a branch of the pixel electrode may be extended out of the closed region formed of the gate line to overlap the data line, or the branch of the data line may be overlapped with the pixel electrode. However, since the pixel electrode has a higher resistance than the data line, it is preferable to branch the data line. In this case, in order for the branching of the data line to overlap the pixel electrode, the branching line of the data line must overlap with the gate line defining the pixel electrode. Therefore, it is preferable to overlap the auxiliary gate line and the pixel electrode by using one data line branching.
그러면, 이를 제18도 및 제19도 a 내지 제19도 c를 참고로 하여 상세히 설명한다.This will be described in detail with reference to FIGS. 18 and 19 a to 19 c.
제18도는 본 발명의 제2 실시예에 따른 행렬형 액정 표시 장치용 기판의 화소 구조를 도시한 평면도이고, 제19도 a는 내지 제19도 c는 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치용 기판에서 데이터선이 단선된 경우 수리 방법을 나타낸 도면이다.18 is a plan view illustrating a pixel structure of a matrix liquid crystal display substrate according to a second embodiment of the present invention, and FIGS. 19A to 19C are substrates for a liquid crystal display device according to the second embodiment. Is a diagram illustrating a repair method when the data line is disconnected.
제18도에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 행렬형 액정 표시 장치용 기판에서는, 데이터선(D)의 분지인 연결부(21)가 화소 전극(10) 쪽으로 뻗어 오른쪽 보조 게이트선(1b) 및 화소 전극(10)과 중첩되어 있다. 이 때, 연결부(21)와 화소 전극(10)만이 중첩되는 부분이 생기도록 연결부(21)는 화소 전극(10) 쪽으로 충분히 뻗어 있어야 하며, 화소 전극(10)이 오른쪽 보조 게이트선(1b) 과 중첩되어 있기 때문에 연결부(21)와 오른쪽 보조 게이트선(1b)의 교차점은 화소 전극(10)과도 중첩되는 점이다. 여기에서 연결부(21)와 오른쪽 보조 게이트선(1b)은 제4도의 게이트 산화막(3) 및 게이트 절연층(4)을 사이에 두고 있고, 연결부(21)와 화소 전극(10)은 제4도의 보호막(9)을 사이에 두고 있다. 다른 부분은 제3도 및 제4도의 구조와 유사하다.As shown in FIG. 18, in the matrix liquid crystal display substrate according to the second embodiment of the present invention, the connecting portion 21, which is a branch of the data line D, extends toward the pixel electrode 10, and thus the right auxiliary gate. It overlaps with the line 1b and the pixel electrode 10. In this case, the connecting portion 21 must extend sufficiently toward the pixel electrode 10 so that only the connecting portion 21 and the pixel electrode 10 overlap each other, and the pixel electrode 10 is connected to the right auxiliary gate line 1b. Since they overlap, the intersection of the connecting portion 21 and the right auxiliary gate line 1b overlaps the pixel electrode 10. Here, the connecting portion 21 and the right auxiliary gate line 1b are interposed between the gate oxide film 3 and the gate insulating layer 4 of FIG. 4, and the connecting portion 21 and the pixel electrode 10 of FIG. The protective film 9 is interposed. The other part is similar to the structure of FIG. 3 and FIG.
그러면 본 실시예와 같은 행렬형 액정 표시 장치용 기판에서 데이터선이 불량이 되는 경우, 단선된 위치에 따라 수리 방법을 나누어 살펴보자.Then, when the data line is defective in the matrix type liquid crystal display substrate as in the present embodiment, the repair method will be divided according to the disconnected position.
먼저, 제19도 a 및 b에서와 같이, 데이터선(D)에서 위의 화소(PX1)의 연결부(21)가 갈라지는 지점에서 아래 화소(PX2)의 소스 전극(7)이 갈라지는 지점 사이의 부분이 단선(a)되어 그 아래 부분에 데이터 신호가 전달되지 못하는 경우를 고려하자. 도면에서 화살표는 신호의 흐름을 나타낸다.First, as shown in Figs. 19A and B, the portion between the point where the connection portion 21 of the upper pixel PX1 splits in the data line D and the point where the source electrode 7 of the lower pixel PX2 splits. Consider the case where this disconnection (a) prevents data signals from being transmitted below it. Arrows in the figure indicate the flow of signals.
이 경우는 위의 화소(PX1)의 오른쪽 보조 게이트선(1b)을 이용하여 수리할 수도 있고 화소 전극(10)을 이용하여 수리할 수도 있다.In this case, it may be repaired using the right auxiliary gate line 1b of the above pixel PX1 or may be repaired using the pixel electrode 10.
먼저, 위의 화소(PX1)의 오른쪽 보조 게이트선(1b)을 이용하여 수리하는 방법을 제19a도를 참고로 하여 살펴본다.First, a repairing method using the right auxiliary gate line 1b of the pixel PX1 will be described with reference to FIG. 19A.
데이터선(D)의 단선점(a)의 위 부분에 위치하고 있는 연결부(21)와 오른쪽 보조 게이트선(1b) 및 화소 전극(10)과의 교차점(b)을 레이저를 이용하여 단락시키고 단락점(b) 위의 오른쪽 보조 게이트선(1b)을 잘라낸다(f). 그런데 이 때, 단락점(b)에서 화소 전극(10), 오른쪽 보조 게이트선(1b) 및 연결부(21)가 동시에 단락되어, 게이트선 및 데이터선 결함이 발생할 우려가 있으나, 실제로는 오른쪽 보조 게이트선(1b)과 화소 전극(10)과의 배터리 효과(battery effect)에 의하여 단락점(b)의 오른쪽 보조 게이트선(1b)이 산화되어 오른쪽 보조 게이트선(1b)과 화소 전극(10)은 저절로 절연될 뿐 아니라, 또 화소 전극(10)을 이루는 물질인 ITO의 접촉 저항이 오른쪽 보조 게이트선(1b) 및 데이터선(D)보다 크므로 데이터 신호가 화소 전극(10)으로 전달되지 않는다. 그리고 어차피 이 화소(PX)는 결함으로 되므로 데이터 신호가 계속 인가된다 하더라도 눈에 잘 띄지 않는다.An intersection point (b) between the connection portion 21, which is located above the disconnection point a of the data line D, the right auxiliary gate line 1b, and the pixel electrode 10 is short-circuited using a laser and a short circuit point (b) The upper right auxiliary gate line 1b is cut out (f). At this time, the pixel electrode 10, the right auxiliary gate line 1b, and the connecting portion 21 are simultaneously shorted at the short point b, so that there is a possibility that gate line and data line defects may occur, but in fact, the right auxiliary gate Due to the battery effect between the line 1b and the pixel electrode 10, the right auxiliary gate line 1b of the shorting point b is oxidized, so that the right auxiliary gate line 1b and the pixel electrode 10 are oxidized. In addition to being insulated by itself, since the contact resistance of ITO, which is a material forming the pixel electrode 10, is greater than that of the right auxiliary gate line 1b and the data line D, the data signal is not transmitted to the pixel electrode 10. Since the pixel PX becomes a defect anyway, even if the data signal is continuously applied, the pixel PX is not easily seen.
따라서, 데이터선(D)을 따라 흐르는 데이터 신호는 단선점(a)으로 향하지 않고 연결부(21)를 통하여 위의 화소(PX1)의 오른쪽 보조 게이트선(1b)으로 향하고 오른쪽 보조 게이트선(1b)과 연결되어 있는 하부 게이트선(Gdown)을 따라 흐른다.Therefore, the data signal flowing along the data line D is directed to the right auxiliary gate line 1b of the pixel PX1 above through the connecting portion 21 and not to the disconnection point a, and to the right auxiliary gate line 1b. It flows along the lower gate line (G down ) connected to.
이어, 위의 화소(PX1)의 하부 게이트선(Gdown) 및 화소 전극(10), 아래 화소(PX2)의 드레인 전극(8)의 교차점(c)을 게이저로 단락시키고 교차점(c) 왼쪽의 하부 게이트선(Gdown)과, 하부 게이트선(Gdown) 및 오른쪽 보조 게이트선(1b)이 만나는 지점 오른쪽의 하부 게이트선(Gdown)을 단선(g, h)시킨다. 그런데 이 경우, 단락점(b)에서와 유사한 문제가 발생할 수 있으나, 앞에서 설명한 바와 같은 이유로 큰 문제는 없다. 결국, 위 화소(PX1)의 하부 게이트선(Gdown)으로 흐르던 신호는 아래 화소(PX2)의 드레인 전극(8)을 따라 흐른다.Subsequently, an intersection c of the lower gate line G down of the upper pixel PX1 and the pixel electrode 10 and the drain electrode 8 of the lower pixel PX2 is shorted to a gamer and left to the left of the intersection c. The lower gate line G down and the lower gate line G down on the right of the point where the lower gate line G down and the right auxiliary gate line 1b meet are disconnected (g, h). In this case, however, a similar problem may occur as in the short-circuit point b, but there is no big problem for the reason as described above. As a result, the signal flowing to the lower gate line G down of the upper pixel PX1 flows along the drain electrode 8 of the lower pixel PX2.
다시, 아래 화소(PX2)의 드레인 전극(8)과 게이트 전극(2), 게이트 전극(2)과 소스 전극(7)을 단락(d, e)시키고, 게이트 전극(2) 아래위의 상부 게이트선(Gup)을 단선(i, j)시키면, 데이터 신호는 다시 데이터선(D)으로 돌아온다.Again, the drain electrode 8 and the gate electrode 2, the gate electrode 2 and the source electrode 7 of the lower pixel PX2 are short-circuited d and e, and the upper gate line above and below the gate electrode 2 is formed. When (G up ) is disconnected (i, j), the data signal returns to the data line D again.
결국 데이터 신호는 위 화소(PX1)의 연결부(21), 오른쪽 보조 게이트선(1b), 하부 게이트선(Gdown)을 경유하여, 아래 화소(PX2)의 드레인 전극(8), 게이트 전극(2), 소스 전극(7)을 거쳐 데이터선(D)으로 다시 흐른다.As a result, the data signal passes through the connection portion 21 of the upper pixel PX1, the right auxiliary gate line 1b, and the lower gate line G down , and the drain electrode 8 and the gate electrode 2 of the lower pixel PX2. ) And flows back to the data line D via the source electrode 7.
이 경우, 단선된 화소(PX1)의 오른쪽 화소(PX3)에 인가되는 게이트 신호는 상부 게이트선(Gup)만을 통하여 오른쪽 화소(PX3)에 전달되며, 단선된 화소(PX1) 아래 화소(PX2)의 오른쪽 화소(PX4)에 인가되는 게이트 신호는 하부 게이트선(Gdown)만을 통하여 오른쪽 화소에 전달되며, 아래 화소(PX2)의 게이트 전극(2)에는 게이트 신호가 인가되지 않는다.In this case, the gate signal applied to the right pixel PX3 of the disconnected pixel PX1 is transmitted to the right pixel PX3 only through the upper gate line G up , and the pixel PX2 below the disconnected pixel PX1. The gate signal applied to the right pixel PX4 of is transferred to the right pixel only through the lower gate line G down , and no gate signal is applied to the gate electrode 2 of the lower pixel PX2.
다음, 제19도 b에서와 같이, 제19도 a의 경우와 동일하게, 데이터선(D)에서 위의 화소(PX1)의 연결부(21)가 갈라지는 지점에서 아래 화소(PX2)의 소스 전극(7)이 갈라지는 지점 사이의 부분이 단선(a)되어 그 아래 부분에 데이터 신호가 전달되지 못하는 경우에, 화소 전극(10)을 사용하여 결함을 수리하는 방법을 고려하자. 도면에서 화살표는 신호의 흐름을 나타낸다.Next, as shown in FIG. 19B, as in the case of FIG. 19A, the source electrode of the lower pixel PX2 at the point where the connection part 21 of the upper pixel PX1 splits in the data line D is formed. Consider a method of repairing a defect using the pixel electrode 10 when the part between the points where 7) splits is disconnected (a) so that the data signal cannot be transmitted to the part below it. Arrows in the figure indicate the flow of signals.
데이터선(D)의 단선점(a)의 위 부분에 위치하고 있는 연결부(21)와 화소 전극(10)과의 교차점(b)을 레이저를 이용하여 단락시키면, 데이터선(D)을 따라 흐르는 데이터 신호는 단선점(a)으로 향하지 않고 연결부(21)를 통하여 화소 PX1의 화소 전극(10)으로 향하고, 이 화소 전극(10)과 연결된 아래 화소(PX2)의 드레인 전극(8)으로 흐는다.When the intersection point b between the connecting portion 21 and the pixel electrode 10 positioned above the disconnection point a of the data line D is shorted by using a laser, data flowing along the data line D is generated. The signal flows to the pixel electrode 10 of the pixel PX1 through the connecting portion 21 without going to the disconnection point a, and flows to the drain electrode 8 of the lower pixel PX2 connected to the pixel electrode 10.
아래 화소(PX2)의 드레인 전극(8)과 게이트 전극(2), 게이트 전극(2)과 소스 전극(7)을 단락(c, d)시키고, 게이트 전극(2) 아래위의 상부 게이트선(Gup)을 단선(e, f)시키면, 데이터 신호는 다시 데이터선(D)으로 돌아온다.The drain electrode 8, the gate electrode 2, the gate electrode 2, and the source electrode 7 of the lower pixel PX2 are shorted (c, d), and the upper gate line G above and below the gate electrode 2 is applied. When up ) is disconnected (e, f), the data signal returns to the data line D again.
결국 데이터 신호는 위 화소(PX1)의 연결부(21), 화소 전극(10)을 경유하여, 아래 화소(PX2)의 드레인 전극(8), 게이트 전극(2), 소스 전극(7)을 거쳐 데이터선(D)으로 다시 흐른다.As a result, the data signal passes through the connection part 21 and the pixel electrode 10 of the upper pixel PX1 and passes through the drain electrode 8, the gate electrode 2, and the source electrode 7 of the lower pixel PX2. Flow back to line (D).
이 경우, 아래 화소(PX2)의 오른쪽 화소(PX4)에 인가되는 게이트 신호는 하부 게이트선(Gdown)만을 통하여 오른쪽 화소에 전달되며, 아래 화소(PX2)의 게이트 전극(2)에는 게이트 신호가 인가되지 않는다.In this case, the gate signal applied to the right pixel PX4 of the lower pixel PX2 is transmitted to the right pixel only through the lower gate line G down , and the gate signal is provided to the gate electrode 2 of the lower pixel PX2. Not authorized
여기에서, 위 화소(PX1)는 결함으로 되나, 화소 전극(10)에 항상 데이터 신호가 인가되므로 눈에 잘 띄지 않는다.Here, the pixel PX1 becomes a defect, but the data signal is always applied to the pixel electrode 10 so that the pixel PX1 is not easily seen.
마지막으로, 제19도 c에서와 같이, 데이터선(D)에서 화소(PX2)의 소스 전극(7)이 갈라지는 지점에서 연결부(21)가 갈라지는 지점 사이의 부분이 단선(a)되어 그 아래 부분에 데이터 신호가 전달되지 못하는 경우를 고려하자. 도면에서 화살표는 신호의 흐름을 나타낸다.Finally, as shown in FIG. 19C, the portion between the point where the connection portion 21 splits at the point where the source electrode 7 of the pixel PX2 splits in the data line D is disconnected a so that the portion below it is separated. Consider the case where a data signal is not transmitted to the receiver. Arrows in the figure indicate the flow of signals.
데이터선(D)의 단선점(a)의 위 부분에 위치하고 있는 데이터선(D)과 상부 게이트선(Gup)의 교차점(b)을 단락시키거나 소스 전극(7)과 게이트 전극(2)을 단락(b')시키고, 교차점(b) 오른쪽의 상부 게이트선(Gup)과 제2 가로부(Gh1)를 잘라 낸다(d, e). 그러면, 데이터 신호는 제2 세로부(Gv2) 아래에서 오는쪽 보조 게이트선(1b)으로 향한다.The intersection point (b) of the data line (D) and the upper gate line (G up ), which is located above the disconnection point (a) of the data line (D), is shorted or the source electrode (7) and the gate electrode (2) are shorted. (B '), and cuts the upper gate line G up and the second horizontal portion G h1 to the right of the intersection point b (d, e). Then, the data signal is directed toward the auxiliary gate line 1b coming from under the second vertical portion G v2 .
다음, 연결부(21)와 화소 전극(10)과의 교차점(c)을 레이저를 이용하여 단락시키고, 그 아래의 오른쪽 보조 게이트선(1b)을 잘라 내면, 오른쪽 보조 게이트선(1b)을 따라 흐르는 데이터 신호는 데이터선(D)으로 다시 들어간다. 그런데 이 경우, 앞에서와 유사하게, 단락점(c)에서 화소 전극(10), 하부 게이트선(Gdown) 및 드레인 전극(8)이 동시에 단락되어, 게이트선 및 데이터선 결함이 발생할 우려가 있으나, 앞에서와 동일한 이유로 큰 문제가 되지 않는다.Next, the intersection c between the connecting portion 21 and the pixel electrode 10 is short-circuited using a laser, and the right auxiliary gate line 1b under the cutout is cut off, and flows along the right auxiliary gate line 1b. The data signal enters the data line D again. In this case, however, similarly to the above, the pixel electrode 10, the lower gate line G down , and the drain electrode 8 are simultaneously short-circuited at the short-circuit point c, so that gate line and data line defects may occur. This is not a big problem for the same reasons as before.
결국 데이터 신호는 게이트 전극(2), 제2 세로부(Gv2), 오른쪽 보조 게이트선(1b)을 경유하여, 연결부(21)를 통하여 다시 데이터선(D)으로 흐른다.As a result, the data signal flows back through the connection portion 21 to the data line D via the gate electrode 2, the second vertical portion G v2 , and the right auxiliary gate line 1b.
이 경우, 단선된 화소(PX2)의 오른쪽 화소(PX4)에 인가되는 게이트 신호는 하부 게이트선(Gdown)만을 통하여 오른쪽 화소(PX4)에 전달되며, 단선된 화소(PX2)의 게이트 전극(2)에는 게이트 신호가 인가되지 않는다.In this case, the gate signal applied to the right pixel PX4 of the disconnected pixel PX2 is transmitted to the right pixel PX4 only through the lower gate line G down , and the gate electrode 2 of the disconnected pixel PX2 is provided. ), No gate signal is applied.
여기에서 단선된 화소(PX2)의 위쪽 화소(PX1)는 신호가 인가되지 않으므로 결함으로 되나, 단선된 화소(PX2)의 게이트 전극(2)과 드레인 전극(8)을 단락시키면 위쪽 화소(PX1)의 화소 전극(10)에는 항상 데이터 신호가 인가되므로 눈에 잘 띄지 않는다.The upper pixel PX1 of the disconnected pixel PX2 becomes a defect because no signal is applied thereto. However, when the gate electrode 2 and the drain electrode 8 of the disconnected pixel PX2 are shorted, the upper pixel PX1 is shorted. The data signal is always applied to the pixel electrode 10 of the pixel electrode 10, so that the pixel electrode 10 is not easily seen.
본 발명의 제3 실시예는 제8도의 구조에 바탕을 둔 것으로서, 보조 게이트선과 데이터선을 연결하는 연결 수단과 드레인 전극과 하부 게이트선을 연결하는 수단을 갖추어 데이터선의 결함을 수리하는 것이다. 여기에서 데이터선과 보조 게이트선을 절연층을 매개로 연결하기 위해서는 데이터선의 분지가 보조 게이트선 쪽으로 뻗게 하거나 보조 게이트선의 분지가 데이터선 쪽으로 뻗게 하는 것이 가능하며 본 실시예에서는 후자를 택한다. 또, 드레인 전극은 하부 게이트선과 중첩되어 있으므로 다른 구조를 만들 필요는 없다.The third embodiment of the present invention is based on the structure of FIG. 8, and has a connecting means for connecting the auxiliary gate line and the data line and a means for connecting the drain electrode and the lower gate line to repair the defect of the data line. In this case, in order to connect the data line and the auxiliary gate line through the insulating layer, it is possible to cause the branch of the data line to extend toward the auxiliary gate line or the branch of the auxiliary gate line to extend toward the data line. In addition, since the drain electrode overlaps the lower gate line, it is not necessary to create another structure.
그러면, 이를 제20도와 제21도 a 및 b도를 참고로 하여 상세히 설명한다.This will be described in detail with reference to FIGS. 20 and 21 a and b.
제20도는 본 발명의 제3 실시예에 따른 행렬형 액정 표시 장치용 기판의 화소 구조를 도시한 평면도이고, 제21도 a 및 b는 제3 실시예에 따른 액정 표시 장치용 기판에서 데이터선이 단선된 경우 수리방법을 나타낸 도면이다.FIG. 20 is a plan view illustrating a pixel structure of a matrix liquid crystal display substrate according to a third exemplary embodiment of the present invention, and FIGS. 21A and 21B show data lines of the liquid crystal display substrate according to the third exemplary embodiment. In the case of disconnection, it is a view showing a repair method.
제20도에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제3 실시예에 따른 행렬형 액정 표시 장치용 기판에서는, 왼쪽 보조 게이트선(1a)의 분지인 연결부(31)가 왼쪽의 데이터선(D)쪽으로 뻗어 소스 전극(7)의 분기점과 중첩되어 있다. 이 때, 중요한 점은 데이터선(D)의 모든 단선을 수리하기 위해서는 특히 연결부(31)가 소스 전극(7)의 분기점 또는 그 위 지점에서 중첩되어 있어야 한다는 것이다. 또, 화소 전극(10)은 왼쪽 보조 게이트선(1a)과 중첩되어 있는데, 상부 게이트선(Gup)과의 연결점에서 연결부(31)의 분기점까지의 왼쪽 보조 게이트선(1a)과는 중첩되어 있지 않으며, 이는 그 부분을 단선시킬 때 화소 전극(10)이 손상을 입지 않도록 하기 위함이다. 한편, 데이터선(D)과 연결부(31)는 제4도의 게이트 산화막(3) 및 게이트 절연층(4)을 사이에 두고 있다. 또, 오른쪽 보조 게이트선(1b)은 하부 게이트선(Gdown)과 연결되어 있지 않고, 드레인 전극(8)과 화소 전극(10)이 연결되는 지점 쪽으로 구부러져 중첩되어 있다. 기타 다른 부분은 제3도 및 제4도의 구조와 유사하다.As shown in FIG. 20, in the matrix liquid crystal display substrate according to the third embodiment of the present invention, the connecting portion 31, which is a branch of the left auxiliary gate line 1a, is directed toward the left data line D. As shown in FIG. It extends and overlaps with the branch point of the source electrode 7. At this time, an important point is that in order to repair all the disconnection of the data line D, the connection part 31 must overlap especially at the branching point of the source electrode 7 or above. The pixel electrode 10 overlaps the left auxiliary gate line 1a, but overlaps the left auxiliary gate line 1a from the connection point with the upper gate line G up to the branch point of the connection part 31. This is to prevent the pixel electrode 10 from being damaged when the part is disconnected. On the other hand, the data line D and the connection part 31 sandwich the gate oxide film 3 and the gate insulating layer 4 of FIG. In addition, the right auxiliary gate line 1b is not connected to the lower gate line G down , but is bent and overlapped to the point where the drain electrode 8 and the pixel electrode 10 are connected. The other parts are similar to the structures of FIGS. 3 and 4.
그러면 본 실시예와 같은 액정 표시 장치용 기판에서 데이터선이 불량이 되는 경우, 단선된 위치에 따라 수리 방법을 나누어 살펴보자.Then, when the data line is defective in the liquid crystal display substrate as in the present embodiment, the repair method will be divided according to the disconnected position.
먼저, 제21a도에서와 같이, 연결부(31)와의 중첩점(b) 또는 소스 전극(7)의 분기점(b)에서부터 하부 게이트선(Gdown)과의 교차점(c) 사이의 데이터선(D)이 단선(a)되어 그 아래 부분에 데이터 신호가 전달되지 못하는 경우를 고려하자. 도면에서 화살표는 신호의 흐름을 나타낸다.First, as shown in FIG. 21A, the data line D between an overlapping point b with the connecting portion 31 or a branching point b of the source electrode 7 and an intersection point c with the lower gate line G down . Consider a case where) is disconnected (a) so that a data signal cannot be transmitted below. Arrows in the figure indicate the flow of signals.
데이터선(D)의 단선점(a)의 위 부분에 위치하고 있는 데이터선(D)과 연결부(21)의 교차점(b)을 레이저를 이용하여 단락시키면 오른쪽 화소(PX3)의 왼쪽 보조 게이트선(1a)으로 데이터 신호가 들어간다. 다시, 왼쪽 보조 게이트선(1a)에서 연결부(31)가 갈라진 지점 위 부분은 잘라 내면(d), 데이터 신호는 왼쪽 보조 게이트선(1a)을 따라 하부 게이트선(Gdown)으로 흐른다.When the intersection point b of the data line D and the connecting portion 21, which is located above the disconnection point a of the data line D, is shorted by using a laser, the left auxiliary gate line of the right pixel PX3 ( The data signal enters 1a). Again, when the portion above the point where the connection portion 31 splits from the left auxiliary gate line 1a is cut off (d), the data signal flows along the left auxiliary gate line 1a to the lower gate line G down .
이어, 하부 게이트선(Gdown) 및 단선된 화소(PX1)의 데이터선(D)의 교차점(c)을 레이저로 단락시키고, 단락점(c) 왼쪽의 하부 게이트선(Gdown)과, 오른쪽 화소(PX3)의 왼쪽 보조 게이트선(1b)과의 연결점 오른쪽의 하부 게이트선(Gdown)을 단선(e, f)시킨다. 그러면, 데이터 신호는 단락점(c)을 통하여 다시 데이터선(D)으로 들어간다.Subsequently, the intersection c of the lower gate line G down and the data line D of the disconnected pixel PX1 is short-circuited with a laser, and the lower gate line G down to the left of the short circuit point c and the right side The lower gate line G down on the right side of the connection point with the left auxiliary gate line 1b of the pixel PX3 is disconnected (e, f). Then, the data signal enters the data line D again through the short point c.
결국 데이터 신호는 오른쪽 화소(PX3)의 연결부(31) 및 왼쪽 보조 게이트선(1a), 하부 게이트선(Gdown)을 경유하여 데이터선(D)으로 다시 흐른다.As a result, the data signal flows back to the data line D via the connection part 31 of the right pixel PX3, the left auxiliary gate line 1a, and the lower gate line G down .
다음, 제21도 b에서와 같이, 하부 게이트선(Gdown)의 교차점에서 그 아래의 소스 전극(7)의 분기점 사이의 부분이 단선(a)되어 그 아래 부분에 데이터 신호가 전달되지 못하는 경우에 결함을 수리하는 방법을 고려하자. 도면에서 화살표는 신호의 흐름을 나타낸다.Next, as shown in FIG. 21B, when the portion between the branch points of the source electrode 7 below it at the intersection of the lower gate line G down is disconnected a and a data signal cannot be transmitted to the portion below it. Let's consider how to repair the defect. Arrows in the figure indicate the flow of signals.
데이터선(D)의 단선점(a)의 위 부분에 위치하고 있는 데이터선(D)과 하부 게이트선(Gdown)의 교차점(b)을 레이저를 이용하여 단락시키고, 단락점(b) 오른쪽의 하부 게이트선(Gdown)을 잘라 내면(f), 데이터선(D)을 따라 흐르는 데이터 신호는 단선점(a)으로 향하지 않고 단락점(b)을 통하여 하부 게이트선(Gdown)을 따라 왼쪽으로 흐른다.An intersection (b) of the data line (D) and the lower gate line (G down ), which is located above the disconnection point (a) of the data line (D), is short-circuited using a laser, and the right side of the short-circuit point (b) When the lower gate line G down is cut out (f), the data signal flowing along the data line D does not go to the disconnection point a but is left along the lower gate line G down through the short point b. Flows into.
이어 위 화소(PX1)의 화소 전극(10)과 연결되어 있는 아래 화소(PX2)의 드레인 전극(8)과 하부 게이트선(Gdown)의 교차점(c)을 단락시키고 그 왼쪽의 하부 게이트선(Gdown)과 보조 게이트선(1a)을 단선(g, j)시키면, 데이터 신호는 단락점(c)을 통하여 드레인 전극(8)을 따라 흐른다. 그런데 이 경우, 단락점(c)에서 화소 전극(10), 하부 게이트선(Gdown) 및 드레인 전극(8)이 동시에 단락되어, 게이트선 및 데이터선 결함이 발생할 우려가 있으나, 제2 실시예에서 설명한 바와 같은 이유로 별 문제가 되지 않는다.Subsequently, an intersection c between the drain electrode 8 of the lower pixel PX2 and the lower gate line G down connected to the pixel electrode 10 of the upper pixel PX1 is shorted, and the lower gate line (left) When G down ) and the auxiliary gate line 1a are disconnected (g, j), the data signal flows along the drain electrode 8 through the short point c. In this case, however, the pixel electrode 10, the lower gate line G down , and the drain electrode 8 may be simultaneously shorted at the short point c to cause gate line and data line defects. This is not a problem for the reasons described in.
다음, 아래 화소(PX2)의 드레인 전극(8)과 게이트 전극(2), 게이트 전극(2)과 소스 전극(7)을 각각 단락시키고 트랜지스터 양쪽의 상부 게이트선(Gup)을 절단하면, 데이터 신호는 드레인 전극(8)에서 게이트 전극(2)과 소스 전극(7)을 거쳐 다시 데이터선(D)으로 흐른다.Next, when the drain electrode 8 and the gate electrode 2, the gate electrode 2 and the source electrode 7 of the lower pixel PX2 are shorted, and the upper gate line G up of both transistors is cut off, the data The signal flows from the drain electrode 8 to the data line D via the gate electrode 2 and the source electrode 7.
결국 데이터 신호는 위 화소(PX1)의 하부 게이트선(Gdown), 아래 화소(PX2)의 드레인 전극(8), 게이트 전극(2), 소스 전극(7)을 거쳐 다시 데이터선(D)을 따라 흐른다.As a result, the data signal passes through the lower gate line G down of the upper pixel PX1, the drain electrode 8 of the lower pixel PX2, the gate electrode 2, and the source electrode 7. Flows along.
이 경우, 아래 화소(PX2)의 오른쪽 화소(PX4)에 인가되는 게이트 신호는 하부 게이트선(Gdown)만을 통하여 오른쪽 화소에 전달되며, 아래 화소(PX2)의 게이트 전극(2)에는 게이트 신호가 인가되지 않는다.In this case, the gate signal applied to the right pixel PX4 of the lower pixel PX2 is transmitted to the right pixel only through the lower gate line G down , and the gate signal is provided to the gate electrode 2 of the lower pixel PX2. Not authorized
본 발명의 제4 실시예는 제14도의 기본 구조를 바탕으로 하는 것으로서, 한 보조 게이트선을 상부 및 하부 게이트선과 분리하고, 분리된 보조 게이트선의 위 끝과 아래 끝을 각각 데이터선에 연결하는 수단과, 위 화소의 왼쪽 보조 게이트선과 아래 화소의 왼쪽 보조 게이트선을 연결하는 연결 수단을 갖추어 데이터선의 결함을 수리하는 것이다. 앞에서 언급한 바와 같이, 여기에서 데이터선과 보조 게이트선의 양끝응 절연층을 매개로 연결하기 위해서는 데이터선의 분지가 보조 게이트선 쪽으로 뻗게 하거나 보조 게이트선의 양 끝이 데이터선 쪽으로 뻗게 하는 것이 가능하며 본 실시예에서는 후자를 택한다. 또, 보조 게이트선을 절연층을 매개로 연결하기 위해서 데이터선 또는 화소 전극과 동일한 물질로 패턴을 마련한다.A fourth embodiment of the present invention is based on the basic structure of FIG. 14, which comprises means for separating one auxiliary gate line from the upper and lower gate lines, and connecting the upper and lower ends of the separated auxiliary gate lines to the data lines, respectively. And connection means for connecting the left auxiliary gate line of the upper pixel and the left auxiliary gate line of the lower pixel to repair the defect of the data line. As mentioned above, in this case, in order to connect the insulating layers of both ends of the data line and the auxiliary gate line, it is possible to have the branch of the data line extend toward the auxiliary gate line or both ends of the auxiliary gate line toward the data line. Chooses the latter. In addition, in order to connect the auxiliary gate line through the insulating layer, a pattern is formed of the same material as that of the data line or the pixel electrode.
그러면, 이를 제22도와 제23도 a 및 b를 참고로 하여 상세히 설명한다.This will be described in detail with reference to FIGS. 22 and 23 a and b.
제22도는 본 발명의 제4 실시예에 따른 행렬형 액정 표시 장치용 기판의 화소 구조를 도시한 평면도이고, 제23도 a 및 b는 제4 실시예에 따른 액정 표시 장치용 기판에서 데이터선이 단선된 경우 수리 방법을 나타낸 도면이다.FIG. 22 is a plan view illustrating a pixel structure of a matrix liquid crystal display substrate according to a fourth exemplary embodiment of the present invention, and FIGS. 23A and 23B illustrate data lines of a liquid crystal display substrate according to the fourth exemplary embodiment. In the case of disconnection, it is a view showing a repair method.
제23도에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제4 실시예에 따른 행렬형 액정 표시 장치용 기판에서는, 종래의 구조에서 왼쪽 보조 게이트선(1a)에 해당하는 부분이 상부 및 하부 게이트선(Gup, Gdown)과 분리되어 있고, 왼쪽 보조 게이트선(1a)의 위 끝과 아래 끝이 각각 왼쪽으로 꺾어져 이루어진 상부 및 하부 제1 연결부(41, 42)가 왼쪽 화소의 데이터선(D)에 중첩되도록 형성되어 있으며, 위 화소(PX1 또는 PX3)의 왼쪽 보조 게이트선(1a) 및 아래 화소(PX2 또는 PX4)의 왼쪽 보조 게이트선(1a)과 중첩되어 있는 제2 연결부(42)가 위 화소(PX1 또는 PX4)의 하부 게이트선(Gdown) 및 아래 화소(PX2 또는 PX4)의 상부 게이트선(Gup)과 교차하며 형성되어 있다. 또, 제2 연결부(43)와 왼쪽 보조 게이트선(1a)이 중첩되는 부분에서는 화소 전극(10)의 패턴이 안 쪽으로 들어가 있어, 제2 연결부(43)와 왼쪽 보조 게이트선(1a)이 단락될 때, 화소 전극(10)이 함께 단락되지 않도록 하고 있다. 여기에서 데이터선(D)과 제1 연결부(41, 42)는 제4도의 게이트 산화막(3) 및 게이트 절연층(4)을 사이에 두고있으며, 제2 연결부(43)는 데이터선(D) 또는 화소 전극(10)과 동일한 물질로 형성되거나 두 물질이 함께 패터닝된 이중층으로 되어 있으므로, 왼쪽 보조 게이트선(1a), 상부 및 하부 게이트선(Gup, Gdown)과의 사이에 게이트 산화막(3) 및 게이트 절연층(4), 또는 보호막(9)이 끼어 있다. 기타 다른 부분은 제3도 및 제4도의 구조와 유사하다.As shown in FIG. 23, in the matrix liquid crystal display substrate according to the fourth embodiment of the present invention, the portion corresponding to the left auxiliary gate line 1a in the conventional structure is the upper and lower gate lines G. As shown in FIG. The upper and lower first connectors 41 and 42, which are separated from up and G down , and each of the upper and lower ends of the left auxiliary gate line 1a are bent to the left, respectively, the data line D of the left pixel. And a second connection portion 42 formed to overlap the second auxiliary portion 42 overlapping the left auxiliary gate line 1a of the upper pixel PX1 or PX3 and the left auxiliary gate line 1a of the lower pixel PX2 or PX4. The lower gate line G down of the pixel PX1 or PX4 and the upper gate line G up of the lower pixel PX2 or PX4 are formed to intersect. In addition, at the portion where the second connector 43 and the left auxiliary gate line 1a overlap, the pattern of the pixel electrode 10 enters inward, so that the second connector 43 and the left auxiliary gate line 1a are short-circuited. In this case, the pixel electrodes 10 are not shorted together. Here, the data line D and the first connectors 41 and 42 are interposed between the gate oxide film 3 and the gate insulating layer 4 of FIG. 4, and the second connector 43 is connected to the data line D. Alternatively, since a double layer is formed of the same material as the pixel electrode 10 or the two materials are patterned together, the gate oxide layer (a) may be interposed between the left auxiliary gate line 1a, the upper and lower gate lines G up and G down . 3) and the gate insulating layer 4 or the protective film 9 are sandwiched. The other parts are similar to the structures of FIGS. 3 and 4.
그러면 본 실시예와 같이 액정 표시 장치용 기판에서 데이터선이 불량이 되는 경우, 단선된 위치에 따라 수리 방법을 나누어 살펴보자.Then, when the data line is defective in the liquid crystal display substrate as in the present embodiment, the repair method will be divided according to the disconnected position.
먼저, 제23도 a에서와 같이, 상부 제1 연결부(41)와의 교차점(b)에서부터 하부 제1 연결부(42)와의 교차점(c) 사이의 데이터선(D)이 단선(a)되어 그 아래 부분에 데이터 신호가 전달되지 못하는 경우를 고려하자. 도면에서 화살표는 신호의 흐름을 나타낸다.First, as shown in FIG. 23A, the data line D between the intersection point b of the upper first connector 41 and the intersection point c of the lower first connector 42 is disconnected a and is below it. Consider the case where no data signal is delivered to the part. Arrows in the figure indicate the flow of signals.
데이터선(D)의 단선점(a)의 위 부분에 위치하고 있는 데이터선(D)과 상부 제1 연결부(41)의 교차점(b)을 레이저를 이용하여 단락시키면 오른쪽 화소(PX3)의 왼쪽 보조 게이트(1a)으로 데이터 신호가 들어가 아래쪽으로 흐른다. 다시, 왼쪽 보조 게이트선(1a)과 하부 제1 연결부(42)의 교차점(c)을 단락시키면, 데이터 신호는 다시 데이터선(D)으로 들어간다.When the intersection point (b) of the data line (D) located above the disconnection point (a) of the data line (D) and the upper first connection portion 41 is shorted with a laser, the left auxiliary of the right pixel PX3 is The data signal enters the gate 1a and flows downward. If the intersection c of the left auxiliary gate line 1a and the lower first connection portion 42 is shorted again, the data signal enters the data line D again.
결국 데이터 신호는 오른쪽 화소(PX3)의 상부 제1 연결부(41), 왼쪽 보조 게이트선(1a) 및 하부 제1 연결부(42)를 경유하여 데이터선(D)으로 다시 흐른다.As a result, the data signal flows back to the data line D via the upper first connector 41, the left auxiliary gate line 1a, and the lower first connector 42 of the right pixel PX3.
다음, 제23도 a에서와 같이, 하부 제1 연결부(42)와의 교차점(b)에서부터 그 아래의 상부 제1 연결부(41)와의 교차점(e) 사이의 데이터선(D)이 단선(a)되어 그 아래 부분에 데이터 신호가 전달되지 못하는 경우를 고려하자. 도면에서 화살표는 신호의 흐름을 나타낸다.Next, as shown in FIG. 23A, the data line D between the intersection point b with the lower first connector 42 and the intersection point e with the upper first connector 41 below is disconnected (a). Consider the case where the data signal is not transmitted below. Arrows in the figure indicate the flow of signals.
데이터선(D)의 단선점(a)의 위 부분에 위치하고 있는 데이터선(D)과 하부 제1 연결부(42)의 교차점(b)을 레이저를 이용하여 단락시키면, 데이터선(D)을 따라 흐르는 데이터 신호는 단선점(a)으로 향하지 않고 단락점(b)을 통하여 하부 제1 연결부(42)로 흐른다.When the intersection point b of the data line D and the lower first connection portion 42, which is located above the disconnection point a of the data line D, is short-circuited by using a laser, it is along the data line D. The flowing data signal flows to the lower first connection part 42 through the short point b without being directed to the disconnection point a.
오른쪽 화소(PX3)의 왼쪽 보조 보조 게이트선(1a)과 제2 연결부(43)를 단락시키고, 제2 연결부(43)와 오른쪽 아래 화소(PX4)의 왼쪽 보조 게이트선(1a)과의 교차점(d)을 단락시킨 다음, 다시 화소 화소 PX4의 왼쪽 보조 게이트선(1a)과 상부 제2 연결부(41)를 단락시킨다. 그러면, 데이터 신호는 단락점(c)에서 제2 연결부(43)로, 제2 연결부(43)에서 단락점(d)을 거쳐 화소 PX4의 상부 제2 연결부(41)로, 이어 단락점(e)을 통과하여 데이터선(D)으로 복귀한다.The left auxiliary auxiliary gate line 1a of the right pixel PX3 and the second connecting unit 43 are short-circuited, and the intersection point between the second connecting unit 43 and the left auxiliary gate line 1a of the lower right pixel PX4 ( After shorting d), the left auxiliary gate line 1a and the upper second connection portion 41 of the pixel pixel PX4 are shorted again. Then, the data signal passes from the shorting point c to the second connection part 43, from the second connecting part 43 to the upper second connection part 41 of the pixel PX4 via the shorting point d, and then to the shorting point e. Return to the data line D after passing through).
결국 데이터 신호는 오른쪽 화소(PX3)의 하부 제2 연결부(43), 제1 연결부(41), 오른쪽 아래 화소(PX4)의 상부 제1 연결부(42)를 경유하여 다시 데이터선(D)으로 흐른다.As a result, the data signal flows back to the data line D via the lower second connector 43 of the right pixel PX3, the first connector 41, and the upper first connector 42 of the lower right pixel PX4. .
본 발명의 제5 실시예는 제12도 또는 제14도의 기본 구조를 바탕을 위해 한 것으로서, 한 보조 게이트선의 상부를 상부 게이트선과 분리하고, 분리된 보조 게이트선의 상부와 데이터선을 연결하는 수단을 갖추고, 위 화소의 데이터선과 아래 화소의 데이터선을 연결하는 연결 수단을 갖추어 데이터선의 단선, 게이트 전극의 유실 따위의 결함을 수리하는 것이다. 앞에서 언급한 바와 같이, 여기에서 데이터선과 보조 게이트선의 양 끝을 절연층을 매개로 연결하기 위해서는 데이터선의 분지가 보조 게이트선 쪽으로 뻗게 하거나 보조 게이트선의 양 끝이 데이터선 쪽으로 뻗게 하는 것이 가능하며 본 실시예에서는 후자를 택한다. 또, 데이터선을 절연층을 매개로 연결하기 위해서 화소 전극과 동일한 물질로 패턴을 마련한다.The fifth embodiment of the present invention is based on the basic structure of FIG. 12 or 14, and means for separating the upper portion of one auxiliary gate line from the upper gate line, and connecting the upper portion of the separated auxiliary gate line to the data line. In addition, a connection means for connecting the data line of the upper pixel and the data line of the lower pixel is provided to repair defects such as disconnection of the data line and loss of the gate electrode. As mentioned above, in order to connect both ends of the data line and the auxiliary gate line through the insulating layer, it is possible to have the branch of the data line extend toward the auxiliary gate line or both ends of the auxiliary gate line toward the data line. In the example, we choose the latter. In addition, a pattern is formed of the same material as that of the pixel electrode in order to connect the data line through the insulating layer.
그러면, 이를 제24도 및 제25a도 내지 제25c도를 참고로 하여 상세히 설명한다.This will be described in detail with reference to FIGS. 24 and 25a to 25c.
제24도는 본 발명의 제5 실시예에 따른 행렬형 액정 표시 장치용 기판의 화소 구조를 도시한 평면도이고, 제25a도 및 제25b도는 제5 실시예에 따른 액정 표시 장치용 기판에서 데이터선이 단선된 경우의 수리 방법을 나타낸 도면이고, 제25c도는 게이트 전극이 유실된 경우의 수리 방법을 나타낸 도면이다.24 is a plan view illustrating a pixel structure of a substrate for a matrix type liquid crystal display according to a fifth exemplary embodiment of the present invention, and FIGS. 25A and 25B illustrate data lines of a substrate for a liquid crystal display according to the fifth exemplary embodiment. FIG. 25C shows a repair method in the case of disconnection, and FIG. 25C shows a repair method in the case where the gate electrode is lost.
제24도에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제5 실시예에 따른 행렬형 액정 표시 장치용 기판에서는, 왼쪽 보조 게이트선(1a)이 상부 게이트선(Gup)과 분리되어 있고, 위 끝이 왼쪽으로 꺾어져 이루어진 제1 연결부(51)가 왼쪽 화소의 데이터선(D)에 중첩되어 있으며, 아래끝은 왼쪽으로 휘어져 데이터선(D)과 중첩되도록 하부 게이트선(Gdown)과 연결되어 있다. 또, 하부 게이트선(Gdown)과 왼쪽 보조 게이트선(1a) 및 데이터선(D)의 교차점에서 아래 화소열의 데이터선(D)과 제1 연결부(51)의 중첩점 사이의 데이터선(D)을 제2 연결부(52)가 덮고 있다. 화소 전극(10)은 왼쪽 보조 게이트선(1a)과 중첩되어 있으나 양 끝부분에서는 안쪽으로 약간 들어가 있어 중첩되지 않는다. 여기에서 데이터선(D)과 제1 연결부(51)는 제4도의 게이트 산화막(3) 및 게이트 절연층(4)을 사이에 두고 있으며, 제2 연결부(52)는 화소 전극(10)을 이루는 투명 도전 물질로 형성되어 있어 데이터선(D)과는 제4도의 보호막(9)을 사이에 두고 있다. 기타 다른 부분은 제3도 및 제4도의 구조와 유사하다.As shown in FIG. 24, in the matrix liquid crystal display substrate according to the fifth embodiment of the present invention, the left auxiliary gate line 1a is separated from the upper gate line G up , and the upper end thereof is The first connector 51, which is bent to the left, overlaps the data line D of the left pixel, and the lower end thereof is bent to the left and connected to the lower gate line G down to overlap the data line D. . Further, at the intersection of the lower gate line G down , the left auxiliary gate line 1a, and the data line D, the data line D between the data line D of the lower pixel column and the overlapping point of the first connection part 51. ) Is covered by the second connecting portion 52. The pixel electrode 10 overlaps the left auxiliary gate line 1a, but is slightly inward from both ends thereof, and thus does not overlap. Here, the data line D and the first connection part 51 sandwich the gate oxide film 3 and the gate insulating layer 4 of FIG. 4, and the second connection part 52 forms the pixel electrode 10. It is formed of a transparent conductive material and has the protective film 9 of FIG. 4 interposed with the data line D. FIG. The other parts are similar to the structures of FIGS. 3 and 4.
그러면 본 실시예와 같은 액정 표시 장치에서 데이터선이 불량이 되는 경우, 단선된 위치에 따라 수리 방법을 나누어 살펴보자.In the case where the data line becomes defective in the liquid crystal display device according to the present exemplary embodiment, the repair method will be divided according to the disconnected position.
먼저, 제25도 a에서와 같이, 제1 연결부(51)와의 교차점(b)에서부터 하부 게이트선(Gdown) 및 오는쪽 화소(PX3)의 왼쪽 보조 게이트선(1a)과의 교차점(c) 사이의 데이터선(D)이 단선(a)되어 그 아래 부분에 데이터 신호가 전달되지 못하는 경우를 고려하자. 도면에서 화살표는 신호의 흐름을 나타낸다.First, as shown in FIG. 25A, the intersection point c of the lower gate line G down and the left auxiliary gate line 1a of the coming pixel PX3 from the intersection point b with the first connector 51 is shown. Consider a case where the data line D between them is disconnected and a data signal cannot be transmitted to the lower portion thereof. Arrows in the figure indicate the flow of signals.
단선점(a)의 위 부분에 위치하고 있는 데이터선(D)과 제1 연결부(51)의 교차점(b)을 레이저를 이용하여 단락시키면 화소 PX3의 왼쪽 보조 게이트선(1a)으로 데이터 신호가 들어가 아래쪽으로 흐른다. 다시, 왼쪽 보조 게이트선(1a)과 하부 게이트선(Gdown)의 연결부 및 데이터선(D)과의 교차점(c)을 단락시키고, 단락점(c) 좌우의 하부 게이트선(Gdown)을 단선시키면, 데이터 신호는 다시 데이터선(D)으로 들어간다.When the intersection point (b) of the data line (D) located above the disconnection point (a) and the first connection part (51) is short-circuited using a laser, the data signal enters the left auxiliary gate line (1a) of the pixel PX3. Flows downward. Again, the intersection point c of the left auxiliary gate line 1a and the connection portion of the lower gate line G down and the data line D is short-circuited, and the lower gate line G down to the left and right of the short circuit point c is shortened . When disconnected, the data signal enters the data line D again.
결국 데이터 신호는 오른쪽 화소(PX3)의 제1 연결부(51), 왼쪽 보조 게이트선(1a)을 경유하는 데이터선(D)으로 다시 흐른다.As a result, the data signal flows back to the data line D via the first connector 51 and the left auxiliary gate line 1a of the right pixel PX3.
이 경우, 오른쪽 화소(PX3)에 인가되는 게이트 신호는 상부 게이트선(Gup)만을 통하여 전달된다.In this case, the gate signal applied to the right pixel PX3 is transmitted only through the upper gate line G up .
다음, 제25도 b에서와 같이, 오른쪽 화소(PX3)의 왼쪽 보조 게이트선(1a)과 하부 게이트선(Gdown)과의 교차점에서부터 그 아래의 제1 연결부(51)와의 교차점 사이의 데이터선(D)이 단선(a)되어 그 아래 부분에 데이터 신호가 전달되지 못하는 경우를 고려하자. 도면에서 화살표는 신호의 흐름을 나타낸다.Next, as shown in FIG. 25B, the data line between the intersection of the left auxiliary gate line 1a and the lower gate line G down of the right pixel PX3 from the intersection of the first connection part 51 below it. Consider the case where (D) is disconnected (a) so that a data signal cannot be transmitted below it. Arrows in the figure indicate the flow of signals.
하부 게이트선(Gdown) 및 오른쪽 화소(PX3)의 왼쪽 보조 게이트선(1a)과의 교차점에서부터 단선점(a) 사이의 데이터선(D)과 제2 연결부(52)를 레이저를 이용하여 단락(b)시키고, 단선점(a) 아래의 데이터선(D)과 제2 연결부(52)를 단락(c)시키면, 데이터선(D)을 따라 흐르는 데이터 신호는 단선점(a)으로 향하지 않고 단락점(b)을 통하여 제2 연결부(52)로 흐르다 단락점(c)에서 다시 데이터선(D)으로 들어간다.The data line D and the second connection portion 52 between the lower gate line G down and the left auxiliary gate line 1a of the right pixel PX3 from the disconnection point a are short-circuited using a laser. (b) and the data line D below the disconnection point a and the second connection portion 52 are shorted (c), the data signal flowing along the data line D does not point to the disconnection point a. It flows to the 2nd connection part 52 through the short point b, and enters the data line D again from the short point c.
결국 데이터 신호는 데이터선(D)으로부터 제2 연결부(52)를 거쳐 다시 데이터선(D)으로 들어간다.As a result, the data signal enters the data line D from the data line D via the second connection part 52 again.
본 실시예의 마지막 수리 방법으로 게이트 전극이 유실되거나 손상을 입어 제 구실을 못하는 경우의 수리 방법을 살펴보자. 예를 들면, 제25도 c에서와 같이 오른쪽 아래 화소(PX4)의 게이트 전극(2)이 유실된(a)된 경우를 고려하자.As a final repair method of the present embodiment, a repair method in a case in which the gate electrode is lost or damaged and fails to serve as a repair chamber will be described. For example, consider the case where the gate electrode 2 of the lower right pixel PX4 is lost (a) as shown in FIG. 25C.
게이트 전극(2)이 유실(a)되면 그 드레인 전극(8)과 연결되어 있는 위 화소(PX3)의 화소 전극(10)에 데이터 신호가 인가되지 못하므로, 그 화소 전극(10)에 데이터선(D)을 연결하여 항상 데이터 신호가 인가되도록 해야 한다. 이를 위하여 데이터선(D)과 하부 게이트선(Gdown)의 교차점이자 데이터선(D)과 오른쪽 화소(PX3)의 왼쪽 보조 게이트선(1a)의 교차점(b)을 레이저로 단락시킨다. 단락점(b) 좌·우의 하부 게이트선(Gdown)을 절단(d, e)한 다음, 왼쪽 보조 게이트선(1a)과 화소 전극(10)을 단락시키면, 데이터 신호는 왼쪽 보조 게이트선(1a)을 통하여 화소 전극(10)으로 들어간다.When the gate electrode 2 is lost, a data signal is not applied to the pixel electrode 10 of the upper pixel PX3 connected to the drain electrode 8, so that the data line is connected to the pixel electrode 10. (D) should be connected so that data signal is always applied. To do this, the intersection of the data line D and the lower gate line G down and the intersection b of the data line D and the left auxiliary gate line 1a of the right pixel PX3 are short-circuited with a laser. When the lower gate line G down at the short-circuit point b is cut off (d, e), and the left auxiliary gate line 1a and the pixel electrode 10 are short-circuited, the data signal is left-side auxiliary gate line ( It enters the pixel electrode 10 through 1a.
이 경우, 오른쪽 화소(PX3)에 인가되는 게이트 신호는 상부 게이트선(Gup)만을 통하여 전달된다.In this case, the gate signal applied to the right pixel PX3 is transmitted only through the upper gate line G up .
본 발명의 제6 실시예는 제8도의 기본 구조를 바탕으로 한 것으로서, 두 보조 게이트선을 상부 게이트선과 분리하고, 분리된 두 보조 게이트선을 연결하여 하부 게이트선과 함께 닫혀진 영역을 이루도록 한 다음, 다시 연결된 보조 게이트선과 상부 게이트선을 연결하는 다리와 보조 게이트선과 데이터선을 연결하는 수단을 갖추고, 아래 화소의 보조 게이트선과 상부 게이트선의 연결 수단과 위 화소의 하부 게이트선을 연결하는 수단을 갖추어 데이터선의 단선, 보조 게이트선 또는 하부 게이트선과 화소 전극의 단락, 게이트 전극의 유실 따위의 결함을 수리하는 것이다. 이를 제26도 a 내지 제27도 d를 참고로 하여 상세히 설명한다.The sixth embodiment of the present invention is based on the basic structure of FIG. 8, and the two auxiliary gate lines are separated from the upper gate line, and the two auxiliary gate lines are connected to form a closed region together with the lower gate line. It has a bridge connecting the auxiliary gate line and the upper gate line which are connected again, and a means for connecting the auxiliary gate line and the data line, and a means for connecting the auxiliary gate line and the upper gate line of the lower pixel and the lower gate line of the upper pixel. The defects such as disconnection of the line, short circuit of the auxiliary gate line or the lower gate line and the pixel electrode, and loss of the gate electrode are repaired. This will be described in detail with reference to FIGS. 26A to 27D.
제26도는 본 발명의 제6 실시예에 따른 행렬형 액정 표시 장치용 기판의 화소 구조를 도시한 평면도이고, 제26도 a 내지 d는 제6 실시예에 따른 액정 표시 장치용 기판에서 결함이 발생한 단선된 경우 수리 방법을 나타낸 도면이다.FIG. 26 is a plan view illustrating a pixel structure of a matrix liquid crystal display substrate according to a sixth embodiment of the present invention, and FIGS. 26A to 26D illustrate defects occurring in the substrate for a liquid crystal display device according to the sixth embodiment. In the case of disconnection, it is a view showing a repair method.
제26도에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제6 실시예에 따른 행렬형 액정 표시 장치용 기판에서는, 상부 게이트선(Gup)이 가로를 따라 직선으로 뻗어 있어 굴곡을 가지는 종래의 상부 게이트선(Gup)과는 다른 구조를 보이고 있고 박막 트랜지스터의 구조 또한 종래와 다르다. 그리고 종래의 왼쪽 보조 게이트선과 오른쪽 보조 게이트선이 연결되어 하나의 보조 게이트선(1)을 이루고 있고 상부 제1 게이트선(Gup)과는 다리(63)로 연결되며, 왼쪽 연결점(64) 및 오른쪽 연결점(65)에서 하부 게이트선(Gdown)과 연결되어 함께 닫혀진 영역을 이룬다. 보조 게이트선(1)의 분지인 제1 연결부(61)가 데이터선(D) 쪽으로 뻗어 데이터선(D)과 중첩되어 있고, 하부 게이트선(Gdown) 및 다리(63)와 각각 중첩되어 있는 [다리(63) 대신 보조 게이트선(1)과 중첩되어 있을 수도 있다] 제2 연결부(62)가 하부 게이트선(Gdown) 아래의 상부 게이트선(Gup)과 교차하면서 형성되어 있다. 여기에서 데이터선(D)과 제1 연결부(61)는 제4도의 게이트 산화막(3) 및 게이트 절연층(4)을 사이에 두고 있으며, 제2 연결부(62)는 데이터선(D) 또는 화소 전극(10)을 이루는 물질로 형성되어 있어 상부 및 하부 게이트선(Gup, Gdown)과 다리(63)와는 제4도의 게이트 산화막(3) 및 게이트 절연층(4), 또는 이에 더하여 보호막(9)을 사이에 두고 있다. 기타 다른 부분은 제3도 및 제4도의 구조와 유사하다.As shown in FIG. 26, in the substrate for a matrix type liquid crystal display device according to the sixth embodiment of the present invention, the upper gate line G up extends in a straight line along the horizontal direction and has a conventional upper gate line having curvature. It shows a different structure from (G up ) and the structure of the thin film transistor is also different from the conventional one. In addition, the conventional left auxiliary gate line and the right auxiliary gate line are connected to form one auxiliary gate line 1, and are connected to the upper first gate line G up by the bridge 63, and the left connection point 64 and The right connection point 65 is connected to the lower gate line G down to form a closed area together. The first connection portion 61, which is a branch of the auxiliary gate line 1, extends toward the data line D to overlap the data line D, and overlaps the lower gate line G down and the bridge 63, respectively. (It may overlap with the auxiliary gate line 1 instead of the bridge 63.) The second connection portion 62 is formed while crossing the upper gate line G up below the lower gate line G down . Here, the data line D and the first connection portion 61 sandwich the gate oxide film 3 and the gate insulating layer 4 of FIG. 4, and the second connection portion 62 includes the data line D or the pixel. The upper and lower gate lines G up and G down and the legs 63 are formed of a material constituting the electrode 10 so that the gate oxide film 3 and the gate insulating layer 4 of FIG. 9) in between. The other parts are similar to the structures of FIGS. 3 and 4.
그러면 본 실시예와 같은 행렬형 액정 표시 장치용 기판에서 데이터선이 불량이 되는 경우, 단선된 위치에 따라 수리 방법을 나누어 살펴보자.Then, when the data line is defective in the matrix type liquid crystal display substrate as in the present embodiment, the repair method will be divided according to the disconnected position.
먼저, 제27도 a에서와 같이, 제1 연결부(61)와의 교차점(b)에서부터 하부 게이트선(Gdown)과의 교차점(c) 사이의 데이터선(D)이 단선(a)되어 그 아래 부분에 데이터 신호가 전달되지 못하는 경우를 고려하자. 도면에서 화살표는 신호의 흐름을 나타낸다.First, as shown in FIG. 27A, the data line D between the intersection point b with the first connection portion 61 and the intersection point c with the lower gate line G down is disconnected a and is below it. Consider the case where no data signal is delivered to the part. Arrows in the figure indicate the flow of signals.
단선점(a)의 위 부분에 위치하고 있는 데이터선(D)과 제1 연결부(61)의 교차점(b)을 레이저를 이용하여 단락(b)시키면 보조 게이트선(1)으로 데이터 신호가 들어가 아래쪽 또는 왼쪽으로 흐른다. 다시, 데이터선(D)가 하부 게이트선(Gdown)을 단락(c)시키고, 다리(63), 왼쪽 연결부(64) 왼쪽의 하부 게이트선(Gdown)과 단락점(c) 오른쪽의 하부 게이트선(Gdown)을 절단(d, e, f)하면, 데이터 신호는 보조 게이트선(1)을 거쳐 다시 데이터선(D)으로 들어간다.When the intersection (b) of the data line (D) located at the upper part of the disconnection point (a) and the first connection portion (61) is short-circuited (b) by using a laser, the data signal enters the auxiliary gate line (1). Or flow to the left. Again, the data line (D) the lower gate line (G down) the paragraph (c) and legs (63), the left connecting portion 64, the lower gate line of the left (G down) and short-circuit point (c) the lower portion of the right side When the gate line G down is cut off (d, e, f), the data signal enters the data line D again through the auxiliary gate line 1.
결국 데이터 신호는 제1 연결부(61), 보조 게이트선(1), 하부 게이트선(Gdown)을 경유하여 데이터선(D)으로 다시 흐른다.As a result, the data signal flows back to the data line D via the first connector 61, the auxiliary gate line 1, and the lower gate line G down .
이 경우, 위 화소(PX1)의 게이트 신호는 상부 게이트선(Gup)만을 통하여 오른쪽 화소에 전달된다.In this case, the gate signal of the upper pixel PX1 is transferred to the right pixel only through the upper gate line G up .
다음, 제27도 b에서와 같이, 하부 게이트선(Gdown)과의 교차점에서부터 그 아래의 제1 연결부(51)와의 교차점 사이의 데이터선(D)이 단선(a)되어 그 아래 부분에 데이터 신호가 전달되지 못하는 경우를 고려하자. 도면에서 화살표는 신호의 흐름을 나타낸다.Next, as shown in FIG. 27B, the data line D between the intersection with the lower gate line G down and the intersection with the first connection portion 51 below is disconnected a and data is stored thereunder. Consider the case where no signal is delivered. Arrows in the figure indicate the flow of signals.
단선점(a) 위의 데이터선(D)과 하부 게이트선(Gdown)을 단락(b)시키면, 데이터선(D)을 흐르던 신호는 단선점(a)을 피하여 보조 게이트선(1)을 따라 흐른다. 단락점(b) 오른쪽 하부 게이트선(Gdown) 및 다리(63)를 단선(g, h)시키고, 제2 연결부(62)와 하부 게이트선(Gdown)을 단락(c)시키고 단락점(c) 왼쪽의 하부 게이트선(Gdown)을 절단(f)하면, 데이터 신호는 제2 연결부(62)로 흐른다. 다시 제2 연결부(62)와 아래 화소(PX2)의 다리(63)를 레이저를 이용하여 단락(d)시키면 데이터 신호는 보조 게이트선(1)을 따라 진행한다. 아래 화소(PX2)의 보조 게이트선(1)과의 왼쪽 연결부(64)의 왼쪽 및 오른쪽 연결부(65)의 오는쪽 하부 게이트선(Gdown)을 절단(j, k)하고, 제1 연결부(61)와 데이터선(D)을 단락시키면, 데이터 신호는 다시 데이터선(D)을 복귀한다.When the data line D and the lower gate line G down on the disconnection point a are shorted (b), the signal flowing through the data line D avoids the disconnection point a and the auxiliary gate line 1 is disconnected. Flows along. Short-circuit point (b) disconnects the right lower gate line (G down ) and the leg (63) (g, h), short-circuit (c) the second connection portion 62 and the lower gate line (G down ) and the short-circuit point ( c) If the lower gate line G down on the left is cut (f), the data signal flows to the second connection portion 62. When the second connection part 62 and the leg 63 of the lower pixel PX2 are short-circuited d using a laser, the data signal travels along the auxiliary gate line 1. The lower and lower gate lines G down of the left and right connectors 65 of the left connector 64 and the auxiliary gate line 1 of the lower pixel PX2 are cut (j, k), and the first connector ( When 61 and the data line D are short-circuited, the data signal returns to the data line D again.
결국 데이터 신호는 위 화소(PX1)의 하부 게이트선(Gdown), 제2 연결부(62), 아래 화소(PX2)의 보조 게이트선(1)을 경우하여 데이터선(D)으로 다시 흐른다.As a result, the data signal flows back to the data line D through the lower gate line G down of the upper pixel PX1, the second connection part 62, and the auxiliary gate line 1 of the lower pixel PX2.
이 경우, 위 화소(PX1)의 게이트 신호는 상부 게이트선(Gdown)만을 통하여 오른쪽 화소에 전달되며, 아래 화소(PX2)의 게이트 신호 역시 상부 게이트선(Gdown)만을 통하여 오른쪽 화소에 전달된다.In this case, the gate signal of the upper pixel PX1 is transmitted to the right pixel only through the upper gate line G down , and the gate signal of the lower pixel PX2 is also transmitted to the right pixel only through the upper gate line G down . .
본 실시예에서는 또한 화소 전극(10)과 보조 게이트선(1)이 단락되는 경우 및 트랜지스터의 게이트 전극(2)이 손상되거나 유실되는 경우에도 수리할 수 있다.In this embodiment, the pixel electrode 10 and the auxiliary gate line 1 are short-circuited and the gate electrode 2 of the transistor can be repaired or damaged.
제27도 c에 도시한 바와 같이, 보조 게이트선(1)이 화소 전극(10)과 단락(a)된 경우에는, 보조 게이트선(1)과 상부 게이트선(Gup)을 연결하는 다리(63)와, 왼쪽 연결점(64)의 왼쪽 및 오른쪽 연결점(65)의 오른쪽 하부 게이트선(Gdown)을 절단(c, d)하여 보조 게이트선(1) 및 이와 연결되어 있는 하부 게이트선(Gdown)을 주위와 분리시킨다. 이렇게 하면, 게이트 신호는 상부 게이트선(Gup)만을 통하여 이동한다.As shown in FIG. 27C, when the auxiliary gate line 1 is short-circuited with the pixel electrode 10, a leg connecting the auxiliary gate line 1 and the upper gate line G up ( 63 and the lower right gate line G down of the left and right connection points 65 of the left connection point 64, and c and d to cut the auxiliary gate line 1 and the lower gate line G connected thereto. down ) from the surroundings. In this way, the gate signal moves only through the upper gate line G up .
마지막으로, 제27도 d에 도시한 바와 같이, 게이트 전극(2)이 손상을 입거나 유실(a)된 경우에는, 데이터선(D)과 제1 연결부(61)를 레이저를 이용하여 단락(b)시키고 보조 게이트선(1)과 화소 전극(10)을 단락(c)시켜 데이터 신호가 화소 전극(10)으로 그대로 유입되게 한 후, 다리(63), 왼쪽 연결점(64) 왼쪽의 하부 게이트선(Gdown)과 단락점(c) 오른쪽의 하부 게이트선(Gdown)을 절단(d, e, f)하여 데이터 신호가 데이터 신호와 섞이지 않도록 한다.Lastly, as shown in FIG. 27D, when the gate electrode 2 is damaged or lost (a), the data line D and the first connection portion 61 are short-circuited using a laser. b), the auxiliary gate line 1 and the pixel electrode 10 are short-circuited (c) so that the data signal flows directly into the pixel electrode 10, and then the lower gate to the left of the bridge 63 and the left connection point 64. The lower gate line G down to the right of the line G down and the short point c is cut (d, e, f) so that the data signal does not mix with the data signal.
이와 같이, 본 실시예에서는 공정 수를 증가하거나, 개구율을 감소시키지 않고도, RC 시간 지연 따위를 방지하면서, 효율적으로 거의 모든 신호선의 단선을 수리하고 화소 전극과 신호선의 단락 및 개폐 소자의 전극의 유실로 인한 결함을 화소의 단위로 수리할 수 있다.As described above, in this embodiment, almost all signal lines are disconnected and short-circuits between the pixel electrodes and the signal lines and loss of the electrodes of the switching element are prevented without increasing the number of steps or reducing the aperture ratio. Can be repaired in units of pixels.
Claims (81)
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950039530A KR0158641B1 (en) | 1995-11-01 | 1995-11-01 | Matrix display with repairable repair structure in units of pixels |
TW085113284A TW317629B (en) | 1995-11-01 | 1996-10-30 | |
DE69636380T DE69636380T2 (en) | 1995-11-01 | 1996-10-31 | Display device in active matrix design |
EP96307898A EP0772183B1 (en) | 1995-11-01 | 1996-10-31 | Matrix-type display capable of being repaired by pixel unit and a repair method therefor |
US08/742,969 US6100948A (en) | 1995-11-01 | 1996-11-01 | Matrix-type display capable of being repaired by pixel unit and a repair method therefor |
JP30724296A JP4070834B2 (en) | 1995-11-01 | 1996-11-01 | Matrix type display device, data line disconnection repair method, and liquid crystal display device pixel defect repair method |
US10/436,975 US6888589B2 (en) | 1995-11-01 | 2003-07-28 | Matrix-type display capable of being repaired by pixel unit and a repair method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950039530A KR0158641B1 (en) | 1995-11-01 | 1995-11-01 | Matrix display with repairable repair structure in units of pixels |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970028986A KR970028986A (en) | 1997-06-26 |
KR0158641B1 true KR0158641B1 (en) | 1998-12-15 |
Family
ID=19432844
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950039530A KR0158641B1 (en) | 1995-11-01 | 1995-11-01 | Matrix display with repairable repair structure in units of pixels |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR0158641B1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6441401B1 (en) | 1999-03-19 | 2002-08-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel for liquid crystal display and method for repairing the same |
KR101348375B1 (en) * | 2005-09-07 | 2014-01-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | Thin film transistor array panel and display device including the same, and repairing method of display device |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100318537B1 (en) * | 1999-03-19 | 2001-12-22 | 윤종용 | thin film transistor substrates for liquid crystal displays and repairing methods thereof |
KR100750921B1 (en) * | 2001-04-03 | 2007-08-22 | 삼성전자주식회사 | Thin-film transistor substrate for liquid crystal display device with repair structure, manufacturing method and repair method |
KR100963414B1 (en) * | 2003-06-16 | 2010-06-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | LCD and its manufacturing method |
KR102059943B1 (en) | 2013-10-16 | 2019-12-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display |
-
1995
- 1995-11-01 KR KR1019950039530A patent/KR0158641B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6441401B1 (en) | 1999-03-19 | 2002-08-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel for liquid crystal display and method for repairing the same |
US7291860B2 (en) | 1999-03-19 | 2007-11-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel |
KR101348375B1 (en) * | 2005-09-07 | 2014-01-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | Thin film transistor array panel and display device including the same, and repairing method of display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR970028986A (en) | 1997-06-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7209193B2 (en) | Matrix-type display device capable of being repaired in pixel unit | |
US6100948A (en) | Matrix-type display capable of being repaired by pixel unit and a repair method therefor | |
US7986289B2 (en) | Liquid crystal display device | |
KR100962793B1 (en) | Active matrix substrate and liquid crystal display | |
KR100719423B1 (en) | Active matrix substrate and display device | |
KR101634635B1 (en) | Display | |
KR100405236B1 (en) | Matrix array substrate | |
KR100779013B1 (en) | Gate line open repair method of LCD | |
JPH10232412A (en) | Active matrix liquid crystal display device and pixel fault correction method | |
KR0158641B1 (en) | Matrix display with repairable repair structure in units of pixels | |
KR100686235B1 (en) | Substrate for Liquid Crystal Display | |
KR0151269B1 (en) | Lcd device | |
KR100200359B1 (en) | Method for repairing pixel defect of lcd device | |
KR100529572B1 (en) | Thin film transistor liquid crystal display | |
KR100315924B1 (en) | Thin Film Transistor Board for Liquid Crystal Display | |
KR0182051B1 (en) | Matrix display with repairable structure in pixels | |
JP3418684B2 (en) | Active matrix type liquid crystal display | |
KR100471391B1 (en) | Liquid crystal display element | |
KR100309063B1 (en) | Liquid Crystal Display Device | |
KR19990026583A (en) | Liquid Crystal Display and Data Line Repair Method | |
KR950004218B1 (en) | Matrix address display unit and manufacturing method therefor | |
JP3418683B2 (en) | Active matrix type liquid crystal display | |
KR100333982B1 (en) | Thin film transistor substrate for liquid crystal display |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 19951101 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
PG1501 | Laying open of application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 19980721 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 19980805 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 19980805 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20010706 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20020708 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20030707 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20040709 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20050705 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20060727 Start annual number: 9 End annual number: 9 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20070724 Start annual number: 10 End annual number: 10 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20080729 Start annual number: 11 End annual number: 11 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20090713 Start annual number: 12 End annual number: 12 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20100714 Start annual number: 13 End annual number: 13 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20110719 Start annual number: 14 End annual number: 14 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120713 Year of fee payment: 15 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20120713 Start annual number: 15 End annual number: 15 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130731 Year of fee payment: 16 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20130731 Start annual number: 16 End annual number: 16 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20140731 Start annual number: 17 End annual number: 17 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20150731 Start annual number: 18 End annual number: 18 |
|
EXPY | Expiration of term | ||
PC1801 | Expiration of term |