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KR0152369B1 - 박막 형성 장치 및 방법 - Google Patents

박막 형성 장치 및 방법 Download PDF

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KR0152369B1
KR0152369B1 KR1019950022799A KR19950022799A KR0152369B1 KR 0152369 B1 KR0152369 B1 KR 0152369B1 KR 1019950022799 A KR1019950022799 A KR 1019950022799A KR 19950022799 A KR19950022799 A KR 19950022799A KR 0152369 B1 KR0152369 B1 KR 0152369B1
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KR
South Korea
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thin film
substrate
intensity
light
reflected light
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KR1019950022799A
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KR960005856A (ko
Inventor
가즈미 수가이
아끼고 고바야시
순지 기시다
Original Assignee
가네꼬 히사시
닛본덴기 가부시끼가이샤
니시히라 순지
아네루바 가부시끼가이샤
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Publication date
Application filed by 가네꼬 히사시, 닛본덴기 가부시끼가이샤, 니시히라 순지, 아네루바 가부시끼가이샤 filed Critical 가네꼬 히사시
Publication of KR960005856A publication Critical patent/KR960005856A/ko
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Abstract

본 발명은 막 형성에 관여하는 기판(21)에 선정된 세기의 광을 조사하는 광조사 광학계(13), 기판(21)의 표면으로부터 반사 광의 세기를 검출하는 광 검출 광학계(14), 및 반사 광의 세기가 최대값에 도달할 때 도입 시스템(11)을 제어함으로써 막의 형성을 중지하는 박막 형성 콘트롤러(15)를 갖고 있는 박막 형성 장치이다. 장치는 반사 광의 세기가 최대값에 도달할 때 박막 형성 동작이 중지될 수 있도록 배열됨으로써, 가장 평탄한 박막을 제공할 수 있다.

Description

박막 형성 장치 및 방법
제1도는 본 발명의 제1실시예의 박막 형성 장치를 도시하는 개략도.
제2a도-제2e도는 기판의 단면도로서, 본 발명의 제1실시예의 장치가 실리콘 직접 회로의 알루미늄 박막의 형성에 사용될 때, 알루미늄 박막이 기판 상에 형성되는 프로세스를 도시하는 도면.
제3도는 제2a도-제2e도에서의 박막 형성시 증착 시간에 대한 반사광의 세기의 변화를 도시하는 그래프.
제4도는 기판상에 형성된 핵(nuclei) 및 기판 상에 증착된 막 상에 형성된 핵의 크기가 조사광을 산란시키기에 충분하고, 기판의 반사 펙터 RSUB및 기판 상에 형성될 박막의 반사 펙터 RFILM가 RSUBRFILM의 관계를 만족시키는 경우에 있어서의 증착 시간에 대한 반사 광의 세기의 변화를 도시하는 그래프.
제5도는 기판 상에 형성된 핵의 크기가 조사 광을 산란시키기에 충분하고, RSUBRFILM의 관계가 만족되는 경우에 있어서의 증착 시간에 대한 반사 광의 세기의 변화를 도시하는 그래프.
제6도는 기판 상에 형성된 핵의 크기가 조사 광을 산란시키기에 충분하고, RSUBRFILM의 관계가 만족되는 경우에 있어서의 증착 시간에 대한 반사 광의 세기의 변화를 도시하는 그래프.
제7도는 본 발명의 제2실시예의 박막 형성 장치를 도시하는 개략도.
제8도는 본 발명의 제2실시예의 장치가 실리콘 집적 회로의 알루미늄 박막의 형성에 사용될 때 증착 시간에 대한 반사 광의 세기 변화를 도시하는 그래프.
제9a도-제9c도는 기판의 단면도로서, 본 발명의 제2실시예의 장치가 실리콘 집적 회로의 알루미늄 박막의 형성에 사용될 때, 알루미늄 박막이 기판 상에 형성되는 프로세스를 도시하는 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : 물질 도입 시스템 12 : 증착 챔버
13 : 광 조사 광학계 14 : 광 검출 광학계
15 : 박막 형성 콘트롤러 16 : 기판 홀더
17a, 17b : 광 전달 윈도우 21 : 기판
25 : 조사 광 26 : 반사 광
본 발명은 박막 형성 장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 기판 상에 평탄한 표면의 박막을 형성하는 박막 형성 장치 및 방법에 관한 것이다.
기판 상에 박막을 형성하는 다양한 장치가 공지되어 있다. 예를 들면, 스텝 커버리지(high step-coverage)가 높은 막을 형성하기 위해, 화학적 진공 증착(CVD)로 박막을 형성하는 장치가 사용된다. 이들 장치는 필요한 막의 특성에 따라 적절하게 사용된다.
그러나, 평탄한 (smooth) 박막이 종래의 장치에 의해 정확하게 제공되기 위해서는 가장 평탄한 박막이 형성될 수 있도록 조건을 미리 선정할 필요가 있다. 이것은 많은 막이 다양한 조건에서 검사될 필요가 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 표면이 가장 평탄하면서도 재현성이 우수한 박막을 쉽게 얻을 수 있는 박막 형성 장치를 제공하는 것이다.
또, 본 발명의 다른 목적은 비교적 두꺼운 평탄한 박막을 쉽게 얻을 수 있는 박막 형성 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 기판의 요철 부분을 따라 양호하게 형성된 평탄한 박막을 쉽게 얻을 수 있는 박막 형성 장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 박막 형성 장치는
기판 상에 박막을 형성하는 수단;
광을 기판의 표면에 조사하는 수단;
광이 기판의 표면 상에서 반사될 때 발생하는 반사 광의 세기를 검출하는 수단; 및
반사 광 검출 수단이 반사 광의 세기의 최대값을 검출할 때 박막 형성 수단으로 박막의 형성을 중지하는 수단
을 포함한다.
즉, 상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 박막 형성 장치는 반사 광의 세기가 박막의 표면 조건에 따르는 조건하에서 최대값에 도달할 때 박막 형성 동작이 중지될 수 있도록 배치된다.
또, 본 발명에 따르면, 박막 형성 장치는
기판 상에 제1박막을 형성하는 수단;
기판 상에 제1박막을 형성하는 물질과 다른 물질로 구성되는 제2박막을 형성하는 수단;
광을 기판의 표면에 조사하는 수단;
광이 기판의 표면 상에서 반사될 때 발생하는 반사 광의 세기를 검출하는 검출 수단; 및
반사 광 검출 수단이 반사 광의 세기의 최대값을 검출할 때 제1박막 형성 수단에 의해 제1박막의 형성을 중지한 다음, 선정된 시간동안 제1박막 형성 수단에 의해 제2박막을 형성한 후, 제1박막 형성 수단에 의해 다시 제1박막을 형성하는 제어수단
을 포함한다.
즉, 상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 박막 형성 장치는 제1박막의 표면조건은 박막 형성 시간에 대한 반사 광의 세기의 변화에 기초하여 모니터될 수 있고, 다른 물질로 제조된 제2박막은 제1박막을 형성하도록 계속적으로 모니터함으로써 제1박막이 구조적으로 평탄한 막으로서 결정될 때 제1박막 위에 형성될 수 있도록 배치된다. 제2박막 형성 수단에 의해 형성된 제2박막은 항상 연속막은 아니다.
제2박막의 형성 후 다시 제1박막이 형성된 박막의 표면은 제2박막의 형성에 의해 재형성된다. 재형성의 결과로서, 재형성된 박막 상에 성장된 핵의 밀도는 재형성없이 박막이 연속적으로 형성될 때 얻어진 핵의 밀도보다 높게 될 수 있다. 그러므로, 박막의 표면은 더 평탄해질 수 있다.
상술한 발명에서는 (제1)박막 형성 장치에 의해 형성된 (제1)박막은 막 형성시간에 대한 반사 광의 세기의 변화가 중요하므로 다결정막이 바람직하다. 게다가, 박막이 요철 부분을 갖고 있는 기판 상에 형성될 때는 화학적 진공 증착(CVD)법이 사용되는 것이 바람직하다. CVD 법은 기판에 대해 가로 세로 비가 높은 상호 접속 라인용으로 접촉 홀 또는 그루브가 존재하는 비교적 큰 공극(void) 이 박막에서 발생하는 것을 방지할 수 있다.
상술한 발명의 후자에 따르면, 제1박막은 주로 알루미늄을 포함하는 물질로 제조되고, 제2박막이 주로 티타늄을 포함하는 물질로 제조될 때, 가장 평탄한 박막을 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 박막 형성 방법은,
기판 상에 박막을 형성하는 단계;
광을 기판의 표면에 조사하는 단계;
기판의 표면에서 광이 반사될 때 발생되는 반사된 광의 세기를 검출하는 단계; 및
반사된 광의 세기가 최대값에 도달할 때 박막 형성을 중지하는 단계
를 포함한다.
또 다른 본 발명에 따른 박막 형성 방법은,
기판 상에 제1박막을 형성하는 단계;
광을 기판의 표면에 조사하는 단계;
기판의 표면에서 광이 반사될 때 발생되는 반사된 광의 세기를 검출하는 단계;
반사된 광의 세기가 최대값에 도달할 때 상기 제1박막의 형성을 중지하는 단계;
상기 제1박막 상에 제1박막 형성 물질과 다른 물질로 이루어지는 제2박막형성을 형성하는 단계; 및
소정의 시간 동안 제2박막을 형성한 후에 제2박막 상에 다시 제1박막을 형성하는 단계
를 포함한다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하고자 한다.
제1도는 본 발명의 제1실시예의 박막 형성 장치를 개략적으로 도시한 것이다. 화학적 진공 증착(CVD) 법을 사용하여 알루미늄 박막을 형성하는데 사용된 장치는 물질 도입 시스템(11), 증착 챔버(12), 광 조사 광학계(13), 광 검출 광학계(14) 및 박막 형성 콘트롤러(15)를 포함한다.
물질 도입 시스템(11)은 알루미늄을 증착 챔버(12)에 공급한다. 박막 형성 콘트롤러(15)로부터 제어 신호에 따라 증착 챔버(12)로 알루미늄 주입의 on/off를 제어한다. 이 실시예에 있어서, 디메틸알루미늄하이드라이드(dimethylaluminumhydride)는 알루미늄 물질로서 사용된다. 디메틸알루미늄하이드라이드는 물질 도입 시스템(11)에서 300 sccm의 유속으로 수소 가스로 함께 버블된 후, 증착 챔버(12)로 공급된다.
물질이 주입된 후, 증착 챔버(12)내의 압력은 배출되어(도시되지 않음) 약 1Torr로 감소된다. 그 다음, 증착 챔버(12) 내로 공급된 디메틸알루미늄하이드라이드는 약 170℃의 온도로 기판 홀더(16)에 의해 가열된 기판(21)상에 증착된다.
광 조사 광학계(13) 및 광 검출 광학계(14)는 증착시 기판(21)의 표면 조건을 모니터하는 시스템이다. 광 조사 광학계(13)은 일정 세기로 광을 조사하고, 광 검출 광학계(14)는 검출된 광의 세기에 따라 전기 신호를 출력한다. 이들 광학계는 광 조사 광학계(13)에서 증착 챔버(12)로 조사된 광이 기판(21)의 표면에 도달하도록 광 전달 윈도우(17a)를 통해 전송되고, 기판(21)의 표면 상에 규칙적으로 반사된 광은 광 검출 광학계(14)에 의해 검출되는 광 전달 윈도우(17b)를 통해 전송되도록 배치된다. 이 실시예에 있어서 광 조사 광학계(13)은 6328 Å의 광을 출력하는 He- Ne레이저를 사용하고, 광 조사 광학계(13)의 온 및 오프는 박막 형성 콘트롤러(15)에 의해 제어될 수 있다.
박막 형성 콘트롤러(15)는 CPU를 사용하는 콘트롤러로, 기판(21)상에 평탄화고 평탄한 박막을 형성하기 위해 후술하는 프로세스로 장치의 다른 구성을 제어할 수 있다.
박막을 형성하는 명령이 제공될 때, 먼저 박막 형성 콘트롤러(15)는 광 검출 광학계(14)에 의해 모니터링을 개시할 뿐만 아니라 광을 기판(21)에 조사하도록 광조사 광학계(13)을 제어한다. 광 조사 광학계(13) 및 광 검출 광학계(14)가 규칙적으로 동작되는 것을 확인한 후에는 증착 챔버(12)로 물질의 주입을 개시할 수 있도록 물질 도입 시스템(11)을 제어한다.
그 후, 검출 광학계(14)로부터 출력된 신호에 기초하여 반사 광의 세기를 계속 모니터할 수 있다. 반사 광의 세기가 최대값에 도달할 때, 물질도입 시스템(11)에 의한 물질의 공급은 중지될 수 있다.
제2a도-제2e도 및 제3도를 참조하면 제1실시예의 박막 형성 장치의 동작은 더 설명될 수 있다. 제2a도-제2e도는 장치가 실리콘 집적 회로의 알루미늄 박막의 형성에 사용될 때 알루미늄 박막이 기판 상에 형성될 수 있는 절차를 개략적으로 도시한 것이다. 제3도는 박막 형성 절차에서 증착 시간에 대한 반사 광의 세기(광 검출 광학계의 출력)의 변화를 도시하는 그래프이다.
실리콘 집적 회로에 응용하기 위해, 알루미늄막이 증착되는 기판은 실리콘 이 산화막(23) 및 티타늄 질화막(24)가 제2a도에 도시된 바와 같이 형성되는 실리콘 기판(22)를 사용할 수 있다. 티타늄 질화막(24)의 표면이 일반적으로 충분히 평탄하기 때문에, 티타늄 질화막(24)의 표면 상(예를 들면, 기판의 표면상)의 산란은 제2a도에 도시된 바와 같이 알루미늄막의 형성 개시에서 발생할 수 없다. 그러므로, 티타늄막(24)의 반사 펙터에 따라 변하는 반사 광(26)은 광 검출 광학계(14)에 의해 검출된다.
그 후, 알루미늄막의 형성이 진행될 때, 알루미늄의 핵(27)은 제2b도에 도시된 바와 같이 티타늄 질화막(12)의 표면 상에 성장된다. 각각의 알루미늄 핵(27)의 크기가 조사 광(25)의 파장의 절반보다 더 크기 때문에, 조사 광(25)는 기판의 표면 상에 산란될 수 있다. 그러므로, 시간이 경과됨에 따라, 티타늄 질화물의 반사 펙터에 의해 결정되는 초기값인 반사 광의 세기는 제3도의 주기 1에 도시된 바와 같이 감소될 수 있다. 알루미늄의 형성이 더 진행될 때, 알루미늄 핵(27)의 결합은 기판상에 알루미늄이 사용된 비율이 증가되면서 발생하고, 알루미늄막의 표면은 제2c도에 도시된 바와 같이 비교적 평탄하게 된다. 그 후, 제2d도에 도시된 바와 같이, 기판의 전체 표면이 알루미늄의 다결정막(28)로 피복될 때, 표면은 가장 평탄하게 된다.
일반적으로, 제2c도 및 제2d도의 프로세스에서, 산란은 감소되고, 기판 표면에 대해 티타늄 질화물보다 반사 펙터가 더 큰 알루미늄의 비가 증가한다. 따라서, 반사 광의 세기는 제3도의 주기 2에 도시한 바와 같이 증가하는 경향이 있다.
알루미늄막의 형성이 더 진행될 때, 제2알루미늄 핵(29)은 제2e도에 도시된 바와 같이 다결정 알루미늄막(28) 상에 형성되고, 반사 광의 세기는 제3도의 주기 3에 도시된 바와 같이 다시 감소된다. 그러나, 본 실시예의 박막 형성 장치에서, 반사 광의 세기가 최대값에 도달할 때, 물질의 공급은 중지된다. 그러므로, 제2d도에 도시된 바와 같은 평탄한 표면막은 확실히 얻어진다.
한편, 제2e도에 도시된 바와 같은 단계에서 알루미늄 핵(29) 는 먼저 티타늄 질화막 상에 형성된 알루미늄 핵(27)보다 아직 더 크고, 그 후 박막의 성장은 티타늄 질화막 상의 박막 성장과 다른 메카니즘으로 처리된다. 그러므로, 이들 상에 형성된 박막의 표면은 평탄해질 수 없다.
한편, 본 발명의 장치로 알루미늄 박막을 형성하는데 사용되는 알루미늄 물질는 디메틸알루미늄하이드라이드에 한정되지 않고, 트리이소부틸알루미늄(triisobutylaluminum), 트리메틸아민알랜(trimethylaminealane) 등을 포함할 수 있다.
조사 광 광학계는 He-Ne 레이저 또는 램프, 레이저 광을 사용하지 않는 광원인 LED등외에 다양한 레이저를 사용할 수 있다. 또, 광원으로부터 조사된 광의 세기를 모니터하는 모니터링 시스템은 제공될 수 있다. 모니터된 값의 비율과 광검출 광학계에 의해 결정된 값이 반사 광의 세기로서 사용될 수 있기 때문에, 조사광의 세기가 변경될 수 있는 광원에서도 사용될 수 있다.
본 실시예의 박막 형성 장치는 알루미늄외에 금, 은 또는 티타늄의 금속막, 티타늄 질화물, 알루미늄-구리 합금 또는 반도체막의 금속 합금막과 같은 물질의 박막을 형성하는데 적용될 수 있다. 기판은 실리콘 기판에 한정되지 않는다.
본 발명의 장치가 상술한 바와 같은 다른 물질용으로 사용되는 경우에 있어서, 기판 상에 형성된 핵 및 증착된 막 상에 형성된 핵의 크기가 조사 광을 산란시키기에 충분한 경우, 예를 들면 조사 광 파장의 절반보다 더 크고, 기판의 반사 펙터 RSUB및 기판 상에 형성되는 박막의 반사 펙터 RFILM이 RSUBRFILM의 관계를 만족하는 경우에, 반사광의 증착 시간 특성에 대한 세기 및 변화(제3도 참조)는 알루미늄막과 유사할 수 있다. 그러므로, 표면이 평탄한 박막은 반사 광의 세기가 최대값을 가질 때 막 형성을 증지함으로써 제공될 수 있다.
다음에, 기판 상에 형성된 핵 및 증착된 핵의 크기가 조사 광을 산란하기에 충분하고, 기판의 반사 펙터 RSUB및 기판 상에 형성되는 박막의 반사 펙터 RFILM이RSUBRFILM의 관계를 만족하는 경우에, 제4도에 도시된 바와 같이 최대한으로 반사 광의 세기는 반사 광의 초기 세기보다 낮지만, 반사 광의 세기는 최대값을 가짐에 이어 최소값을 갖는 유사한 특성이 얻어진다.
상술한 바와 같이, 기판 상에 형성된 핵 및 증착된 막 상에 형성된 핵의 크기가 조사 광을 산란시키기에 충분한 경우, 반사 광의 세기는 기판의 반사 펙터와 박막의 반사 펙터와의 관계에도 불구하고 최대값을 갖는다. 그러므로, 표면이 평탄한 박막은 본 실시예에서 박막 형성 장치에 의해 제공될 수 있다.
기판 상에 형성된 핵의 크기가 조사 광을 산란시키기에 충분하고, RSUBRFILM의 관계가 성립될 경우, 제5도에 도시된 바와 같은 반사광의 세기는 박막의 형성시 최대값을 가질 수 없다. 따라서, 본 실시예의 박막 형성 장치는 표면이 평탄한 박막이 얻어지는 단계에서 막 형성을 중지하는 것은 불가능하다.
그러나, RSUBRFILM의 관계가 성립될 때, 제6도에 도시된 바와 같은 반사 광의 세기는 기판 상에 형성된 핵의 크기가 조사광을 산란시키기에 충분하지 않을지라도 최대값을 갖는다. 그러므로, 표면이 평탄한 박막은 본 실시예의 박막 형성장치에 의해 제공될 수 있다.
[실시예]
제7도는 본 발명의 제2실시예의 박막 형성 장치를 개략적으로 도시한 것이다. 제2실시예의 장치는 제1실시예의 박막 형성 장치에 의해 얻어진 것보다 더 두꺼운 막을 형성할 수 있고, 제7도에 도시된 바와 같이 2개의 물질 도입 시스템(11a, 11b)로 제공된다. 물질 도입 시스템(11a)는 제1실시예 장치인 물질 도입 시스템(11)에 상당하고, 양호하게 디메틸알루미늄하이드라이드를 포함한다. 물질 도입 시스템(11b)는 테트라키스디메틸아미노티타늄(tetrakisdimethylaminotitanium)을 포함한다.
실시예의 박막 형성 장치는 다음의 박막 형성 콘트롤러(15)에 의해 동작된다.
박막을 형성하는 지령이 제공될 때, 박막 형성 콘트롤러(15)는 먼저 광 검출 광학계(14)에 의해 모니터링을 개시할 뿐만 아니라 광을 기판(21)에 조사하는 광 조사 광학계(13)을 제어한다. 광 조사 광학계(13) 및 광 검출 광학계(14)가 규칙적으로 동작되는 것을 확인 후에는 증착 챔버(12)내로 물질의 주입을 개시하여 물질 도입 시스템(11a)를 제어할 수 있다.
그 후, 광 검출 광학계(14)로부터 출력된 신호에 기초하여, 반사 광의 세기를 계속 모니터할 수 있다. 반사 광의 세기가 최대값에 도달할 때, 물질 도입 시스템(11a)의 물질의 공급은 중지될 수 있다. 그 다음 물질 도입 시스템(11b)는 증착챔버(12)로 테트라키스디메틸아미노티타늄의 주입을 제어함으로써, 기판을 노출시켜 알루미늄막이 테트라키스디메틸아미노티타늄 분위기에서 형성된다.
테트라키스디메틸아미노티타늄 분위기에서 노출하는 선정된 시간 후, 박막 형성 콘트롤러(15)는 물질 도입 시스템(11b)로부터 물질의 공급을 중지하고, 물질 도입 시스템(11b)로부터 물질의 공급을 다시 개시한다. 제2실시예의 박막 형성 장치에서, 이러한 일련의 프로세스는 층화된 박막을 형성하기 위해 선정된 시간 반복된다.
제8도 및 제9a도-제9c도를 참조하면, 제2실시예의 박막 형성 장치가 표면이 평탄한 박막을 제공할 수 있는 원인을 후술하겠다. 제8도는 장치가 실리콘 집적 회로의 알루미늄 박막의 형성용으로 사용될 때의 증착 시간에 대한 반사 광의 세기(광 검출 광학계의 출력) 변화를 도시하는 그래프이다. 제9a도-제9c도는 알루미늄 박막이 기판 상에 형성될 수 있는 절차를 개략적으로 도시한 것이다.
제8도에 도시된 바와 같이, 티타늄 질화막의 반사 팩터에 기초하여 초기값을 갖고 있는 반사 광의 세기는 최대값(주기 1 및 2에서)에 도달한 후 최소값에 도달한다. 제1실시예의 박막 형성 장치는 반사 광의 세기가 최대값에 도달할 때 막 형성을 중지하도록 제어되고, 제2실시예의 박막 형성 장치는 반사된 세기가 최대값에 도달할 때, 예를 들면 평탄한 표면막(28)이 제9a도에 도시된 바와 같이 먼저 얻어질 때 테트라키스디메틸아미노티타늄의 분위기로 기판의 노출을 시작한다. 그러므로, 막 형성은 재형성된 표면 조건에서 알루미늄 다결정막(28)상에 처리된다.
발명자에 의한 실험 결과로부터, 테트라키스디메틸아미노티타늄의 분위기에서 노출하는 경우에 있어서, 알루미늄 다결정막(28) 상에 형성된 다수의 핵(30)은 더 크고, 이것의 크기는 테트라키스디메틸아미노티타늄의 분위기에서 노출없는 프로세스와 비교해서 더 작다.
그러므로, 다결정막 상의 알루미늄막의 성장은 티타늄 질화막 상의 알루미늄막의 성장의 메카니즘과 유사한 방식으로 처리된다. 제9c도에 도시된 바와 같이 다결정막(28) 상의 알루미늄막(31)은 기판의 전체 표면이 피복될 때 표면이 가장 평탄하게 된다. 제8도에 도시된 바와 같이 반사 광의 세기는 알루미늄막이 티타늄 질화막 상에 성장될 때 (제8도, 주기1', 및 2'에 관련)얻어진 것과 유사한 증착 시간에 대한 변화를 반복한다.
상술한 바와 같이, 제2실시예의 박막 형성 장치에서, 알루미늄 박막의 형성은 기판 상의 박막의 형성과 유사한 메카니즘으로 반복되므로, 제1실시예의 박막 형성장치에 의해 얻어진 것보다 재현성이 우수한 더 두껍고 평탄한 박막을 쉽게 얻을 수 있다.
발명의 상세한 설명의 항에서 없는 구체적인 실시 상태 또는 실시예는 어디까지나 본 발명의 기술 내용을 명백하게 하는 것으로, 그와 같은 구체 예에서만 한정하여 협의로 해석되어야 하는 것은 아니고, 본 발명의 정신과 다음에 기재하는 특허 청구 사항의 범위 내에서 여러 가지로 변경하여 실시할 수 있는 것이다.

Claims (18)

  1. 기판 상에 박막을 형성하는 수단; 광을 상기 기판의 표면에 조사하는 수단; 상기 광이 상기 기판의 상기 표면 상에서 반사될 때 발생하는 반사 광의 세기를 검출하는 수단; 및 상기 반사 광 검출 수단이 상기 반사 광의 상기 세기의 최대값을 검출할 때 상기 박막 형성 수단에 의한 상기 박막의 형성을 중지시키는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 박막 형성 수단에 의해 형성된 상기 박막은 다결정막인 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 박막 형성 수단은 화학적 진공 증착법에 의해 박막 형성을 행하는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 박막 형성 수단에 의해 형성된 상기 박막은 주로 알루미늄을 포함하는 물질로 제조되는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  5. 기판 상에 제1박막을 형성하는 수단; 상기 기판 상에 상기 제1박막을 형성하는 물질과는 다른 물질로 제조된 제2박막을 형성하는 수단; 광을 상기 기판의 표면에 조사하는 수단; 상기 광이 상기 기판의 상기 표면 상에서 반사될 때 발생하는 반사 광의 세기를 검출하는 수단; 및 상기 반사 광 검출 수단이 상기 반사 광의 상기 세기의 최대값을 검출할 때 상기 제1박막 형성 수단에 의한 상기 제1박막의 형성을 중지시킨 다음, 선정된 시간 동안 상기 제2박막 형성 수단에 의해 상기 제2박막을 형성한 후, 다시 상기 제1박막 형성 수단에 의한 상기 제1박막 형성을 개시하는 제어 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1박막 형성 수단에 의해 형성된 상기 제1박막은 다결정막인 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 제1박막 형성 수단은 화학적 진공 증착법에 의해 제1박막형성을 행하는 것을 특징으로 하는 박막 형성장치.
  8. 제5항에 있어서, 상기 제1 박막 형성 수단과 형성된 상기 제1 박막은 주로 알루미늄을 포함하는 물질로 제조되는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  9. 제5항에 있어서, 상기 제1박막은 주로 알루미늄을 포함하는 물질로 제조되고, 상기 제2박막은 주로 티타늄을 포함하는 물질로 제조되는 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치.
  10. 기판 상에 박막을 형성하는 단계; 광을 상기 기판의 표면에 조사하는 단계; 상기 기판의 상기 표면에서 상기 광이 반사될 때 발생되는 반사된 광의 세기를 검출하는 단계; 및 상기 반사된 광의 세기가 최대값에 도달할 때 상기 박막의 형성을 중지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하느 박막 형성 방법,
  11. 제10항에 있어서, 상기 박막은 다결정막으로서 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 박막은 화학적 진공 증착법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법.
  13. 제10항에 있어서, 상기 박막은 주로 알루미늄을 포함하는 물질로 제조되는 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법.
  14. 기판 상에 제1박막을 형성하는 단계; 광을 상기 기판의 표면에 조사하는 단계; 상기 기판의 표면에서 상기 광이 반사될 때 발생되는 반사광의 세기를 검출하는 단계; 상기 반사된 광의 상기 세기가 최대값에 도달할 때 상기 제1박막의 형성을 중지하는 단계; 상기 제1박막 상에 제1박막의 형성 물질과 다른 물질로 제조된 제2박막을 형성하는 단계; 및 소정의 시간 동안 상기 제2박막을 형성한 후에 상기 제2박막 상에 다시 상기 제1박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 제1박막은 다결정막으로서 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법.
  16. 제14항에 있어서, 상기 제1박막은 화학적 진공 증착법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법.
  17. 제14항에 있어서, 상기 제1박막은 주로 알루미늄을 포함하는 물질로 제조되는 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법.
  18. 제14항에 있어서, 상기 제1박막은 주로 알루미늄을 포함하는 물질로 제조되고, 상기 제2박막은 주로 티타늄을 포함하는 물질로 제조되는 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법.
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