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KR0141177B1 - 집적회로의 전원전압감지회로 - Google Patents

집적회로의 전원전압감지회로

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KR0141177B1
KR0141177B1 KR1019940035079A KR19940035079A KR0141177B1 KR 0141177 B1 KR0141177 B1 KR 0141177B1 KR 1019940035079 A KR1019940035079 A KR 1019940035079A KR 19940035079 A KR19940035079 A KR 19940035079A KR 0141177 B1 KR0141177 B1 KR 0141177B1
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최광주
장계언
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김광호
삼성전자 주식회사
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Publication date
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    • G11—INFORMATION STORAGE
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    • G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/147—Voltage reference generators, voltage or current regulators; Internally lowered supply levels; Compensation for voltage drops

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Abstract

본 발명은 집적회로의 전원전압 감지회로에 관한 것으로서, 특히 기준전압을 발생하기 위한 디플리션모드 엔모스트랜지스터 부하를 가지는 기준전압 발생부 : 전원전압을 소정의 저항비로 분압하여 검출전압을 발생하는 전압검출부 : 공정변화에 따른 상기 기준전압의 변동분을 보상하도록 상기 전압검출부의 저항비를 조정하기 위한 저항비 조정수단 : 기준전압보다 검출전압이 작은 경우에는 전원 전압의 로우상태를 감지한 감지신호를 발생하는 차동증폭기를 구비한 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명은 공정변화에 의한 기준전압의 변동에 따른 검출전압레벨을 웨이퍼 테스트시에 조정함으로써 항상 일정한 검출전압을 유지할 수 있다.

Description

집적회로의 전원전압감지회로
제 1도는 본 발명에 의한 집적회로의 전원전압감지회로의 회로도.
제 2도는 본 발명에 의한 집적회로의 전원전압감지회로의 특성그래프.
본 발명은 집적회로의 전원전압감지회로에 관한 것으로서, 특히 공정변화에 관계없이 일정한 감지레벨을 유지할 수 있는 전원전압감지회로에 관한 것이다.
최근에 집적회로의 전원전압의 레벨이 로우레벨화되고 배터리를 전원전압으로 사용하는 분야가 확대되어감에 따라 전원전압의 로우레벨을 감지하기 위한 전원전압 감지회로를 내장한 집적회로가 요구되고 있다.
종래의 전원전압 감지회로는 기준전압과 전원전압을 저항비로 분압한 감지전압을 차동증폭기로 비교하여 전원전압의 변동을 검출하고 있다. 이러한 집적회로의 전원전압감지회로에서 사용되는 기준전압은 디플리션모드 엔모스트랜지스터를 사용하는바, 디플리션모드 엔모스트랜지스터는 집적회로의 제조공정시에 공정변수의 변화에 의해 그의 특성이 변화되게 되고 이에 기준전압 특성이 변동되기 때문에 감지전압레벨도 변동되게 된다.
이러한 공정변화에 의한 감지레벨의 변동은 설계된 감지레벨을 유지하지 못하게 되므로 집적회로의 특성을 저하시키게 된다.
본 발명의 목적은 이와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 공정변수에 관계없이 일정한 감지레벨을 유지할 수 있는 집적회로의 전원전압 감지회로를 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 전원전압 감지회로는 기준전압을 발생하기 위한 디플리션모드 엔모스트랜지스터 부하를 가지는 기준전압 발생부 : 전원전압을 소정의 저항비로 분압하여 검출전압을 발생하는 전압검출부 : 공정변화에 따른 상기 기준전압의 변동분을 보상하도록 상기 전압검출부의 저항비를 조정하기 위한 저항비 조정수단 : 기준전압보다 검출전압이 작은 경우에는 전원전압의 로우상태를 감지한 감지신호를 발생하는 차동증폭기를 구비한다.
기준전압 발생부는 제 1전원전압단자와 기준전압 출력노드 사이에 소오스가 제 1전원전압단자에 연결되고 드레인이 게이트에 연결된 피모스트랜지스터와, 상기 기준전압 출력노드와 제 2전원전압단자의 사이에 드레인과 게이트가 연결되고 소오스가 제 2전원전압단자에 연결된 디플리션모드 엔모스트랜지스터로 구성된다.
전압검출부는 제 1전원전압단자와 제 2전원전압단자의 사이에 직렬로 연결된 N개의 저항들고, 상기 복수의 저항들의 접속노드와 검출전압 출력노드의 사이에 각각 연결된 N­1개의 스위칭소자들로 구성된다.
저항비 조정수단은 집적회로의 웨이퍼 테스트시에 공정변화에 따른 저항값 보정을 설정하기 위한 설정수단과, 상기 설정된 값을 디코딩하여 상기 N­1개의 스위칭소자들을 스위칭제어하는 디코딩수단으로 구성된다. 설정수단은 제 1전원전압단자와 설정신호 출력단자의 사이에 연결된 풀업 트랜지스터와, 상기 설정신호 출력단자와 제 2전원전압단자의 사이에 연결된 퓨즈소자로 구성된다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하고자 한다.
제 1도는 본 발명에 의한 집적회로의 전원전압 감지회로의 바람직한 일실시에의 회로도이다.(pwell을 사용한 공정한 예로한 회로임) 전원전압감지회로는 크게 기준전압 발생부(10)와 전압검출부(20)와 저항비 조정부(30)와 차동증폭기(40)로 구성된다.
기준전압 발생부(10)는 제 1전원전압단자(50)와 기준전압 출력노드(12) 사이에 소오스와 제 1전원전압이 연결되고 드레인이 게이트에 연결된 피모스트랜지스터(14)와, 상기 기준전압 출력노드(12)와 제 2전원전압단자(60)의 사이에 드레인과 게이트가 연결되고 소오스가 제 2전원전압에 연결된 디플리션모드 엔모스트랜지스터(16)로 구성된다.
전압검출부(20)는 제 1전원전압단자(50)와 제 2전원전압단자(60)의 사이에 직렬로 연결된 5개의 저항들(21­25)과, 저항들(21­25)의 각 접속노드와 검출전압 출력노드(18)의 사이에 각각 연결된 4개의 스위칭소자들(26­29)로 구성된다. 각 스위칭수단들은 피모스와 엔모스로 구성된 전송게이트로 구성된다.
저항비 조정수단(30)은 집적회로의 웨이퍼 테스트시에 공정변화에 따른 저항값 보정을 설정하기 위한 설정수단(30A)과, 설정된 값을 디코딩하여 상기 4개의 스위칭소자들(26­29)을 스위칭제어하는 디코딩수단(30B)으로 구성된다. 설정수단(30A)은 제 1전원전압단자(50)와 설정신호 출력단자(31, 32)의 사이에 연결된 풀업 트랜지스터(31A, 32A)와, 설정신호 출력단자(31, 32)와 제 2전원전압단자(60)의 사이에 연결된 퓨즈소자(31B, 32B)로 구성된다. 설정신호 출력노드(31, 32)와 퓨즈(31B, 32B)사이에는 인에이블신호(EN)가 게이트에 인가되는 엔모스트랜지스터(31C, 32C)가 연결된다. 풀업 트랜지스터(31A, 32A)는 채널길이가 채널폭보다 긴 피모스트랜지스터이고 엔모스트랜지스터(31C, 32C)는 채널길이보다 채널폭이 넓은 트랜지스터이므로 두 트랜지스터가 모두 턴온된 상태에서 퓨즈가 용단되지 않은 상태에서는 설정신호는 로우상태이고 용단된 상태에서는 하이상태를 유지하게 된다. 디코딩수단(30B)는 설정신호를 인버팅하는 2개의 인버터들과, 설정신호와 인버팅된 설정신호를 노아링하는 4개의 노아게이트들과 노아게이트의 출력을 인버팅하는 4개의 인버터들로 구성된다.
차동증폭기(40)는 기준전압과 검출전압을 입력하여 기준전압이 검출전압보다 크면 감지신호 출력단자(70)에 제 2전원전압레벨의 감지신호를 발생한다. 반대로 기준전압이 검출전압보다 작으면 제 1전원전압레벨의 감지신호를 발생한다. 그러므로, 전원전압의 레벨이 소정치 이하로 감소되면 이를 검출한 로우레벨의 감지신호가 발생되는 것이다.
본 발명의 작용효과는 다음과 같다.
제 2도에 도시한 바와 같이 기준전압(Vref)의 특성은 전원전압이 증가되면 지수함수적으로 증가하다가 일정한 레벨로 유지되지만 검출전압은 전원전압의 증가에 비례하여 선형적으로 증가된다. 그러므로, 공정변수에 따라 기준전압의 특성이 바뀌게 되면 저항비로 고정되어 있을 경우에는 검출전압도 따라서 변동되게 된다. 따라서 본 발명에서는 기준전압의 특성이 변동되었으면 이에 따라 저항비를 달리 조정하여 줌으로서 검출전압이 일정하게 유지되도록 하고자 하는 것이다. 설정수단의 설정에 따른 저항비 조정은 다음 표 1과 같다.
표 1
따라서, 집적회로의 웨이퍼 제조공정이 완료된 후에 웨이퍼 테스트단게에서 기준전압을 측정하고 측정된 기준전압이 설계치보다 높아진 경우에는 검출전압이 설계치로 일정하게 유지되는 스위칭수단이 턴온되도록 퓨즈를 선택적으로 용단처리함으로써 공정변화에 따른 집적회로의 특성변화를 조정할 수 있다.

Claims (5)

  1. 기준전압을 발생하기 위한 디플리션모드 엔모스트랜지스터 부하를 가지는 기준전압 발생부 :
    전원전압을 소정의 저항비로 분압하여 검출전압을 발생하는 전압검출부 :
    공정변화에 따른 상기 기준전압의 변동분을 보상하도록 상기 전압검출부의 저항비를 조정하기 위한 저항비 조정수단 :
    상기 기준전압보다 검출전압이 작은 경우에는 전원전압의 로우상태를 감지한 감지신호를 발생하는 차동증폭기를 구비한 것을 특징으로 하는 집적회로의 전원전압 감지회로.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 기준전압 발생부는 제 1전원전압단자와 기준전압 출력노드 사이에 소오스와 제 1전원전압이 연결되고 드레인이 게이트에 연결된 피모스트랜지스터와, 상기 기준전압 출력노드와 제 2전원전압단자의 사이에 드레인과 게이트가 연결되고 소오스가 제 2전원전압에 연결된 디플리션모드 엔모스트랜지스터로 구성된 것을 특징으로 하는 집적회로의 전원전압 감지회로.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 전압검출부는 제 1전원전압단자와 제 2전원전압단자의 사이에 직렬로 연결된 N개의 저항들과, 상기 복수의 저항들의 접속노드와 검출전압 출력노드의 사이에 각각 연결된 N­1개의 스위칭소자들로 구성된 것을 특징으로 하는 집적회로의 전원전압 감지회로.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 저항비 조정수단은 집적회로의 웨이퍼 테스트시에 공정변화에 따른 저항값 보정을 설정하기 위한 설정수단과, 상기 설정된 값을 디코딩하여 상기 N­1개의 스위칭소자들을 스위칭제어하는 디코딩수단을 구비한 것을 특징으로 하는 집적회로의 전원전압 감지회로.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 설정수단은 제 1전원전압단자와 설정신호 출력단자의 사이에 연결된 풀업 트랜지스터와, 상기 설정신호 출력단자와 제 2전원전압단자의 사이에 연결된 퓨즈소자로 구성된 것을 특징으로 하는 집적회로의 전원전압 감지회로.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100401496B1 (ko) * 2000-12-29 2003-10-17 주식회사 하이닉스반도체 파워업 신호 발생 회로
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100500947B1 (ko) * 1998-10-28 2005-10-24 매그나칩 반도체 유한회사 전압 감지 장치

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