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KR0140699B1 - 입체형상형성방법 및 장치 - Google Patents

입체형상형성방법 및 장치

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Publication number
KR0140699B1
KR0140699B1 KR1019900003323A KR900003323A KR0140699B1 KR 0140699 B1 KR0140699 B1 KR 0140699B1 KR 1019900003323 A KR1019900003323 A KR 1019900003323A KR 900003323 A KR900003323 A KR 900003323A KR 0140699 B1 KR0140699 B1 KR 0140699B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
scanning
dimensional shape
resin layer
cured resin
scan
Prior art date
Application number
KR1019900003323A
Other languages
English (en)
Other versions
KR900014112A (ko
Inventor
마사노부 야마모또
가즈미네 이또
Original Assignee
오가 노리오
소니 가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=13170637&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR0140699(B1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 오가 노리오, 소니 가부시기가이샤 filed Critical 오가 노리오
Publication of KR900014112A publication Critical patent/KR900014112A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0140699B1 publication Critical patent/KR0140699B1/ko

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Abstract

내용 없음.

Description

입체형상형성방법 및 장치
제1도는 종래의 입체형성방법을 실시하기 위한 입체형상형성장치의 일예를 도시한 개략단면도.
제2도는 종래의 입체형상형성방법에 있어서의 문제점을 설명하기 위한 개략평면도.
제3도 내지 제5도는 본원 발명의 입체형상형성방법을 실시하기 위한 입체형상형성장치의 일예를 나타내는 것으로서, 제3도는 입체형상형성장치의 일부를 절결하여 도시한 전체 사시도. 제4도는 작업부를 일부 절단하여 도시한 정면도. 제5도는 제어부의 블록회로도.
제6A도 내지 제6D도는 입체형상의 형성과정의 일부를 순서에 따라 도시한 사시도.
제7A도 내지 제7D도는 입체형성의 형성과정의 일부를 순서에 따라 도시한 단면도.
제8도는 형성된 입체형상을 일부 경화수지층마다 분리하여 도시한 개념도.
제9도는 빔스캔방식의 전환추이를 도시한 타임차트도.
본원 발명은 액상(液狀) 광경화형(光硬化型) 수지재에 노광빔을 조사하여 임의로 설계된 입체상(立像) 이미지에 의거하여 입체형상을 형성하는 입체형상형성방법 및 장치에 관한 것이다. 상세하게는 본원 발명은 액상 광경화형 수지재의 액면(液面)을 입체상 이미지의 하나의 방향으로 분해된 분해평면의 형상에 따라 노광함으로써 경화수지층을 형성하는 동시에, 이와 같은 경화수지층을 순차로 적층해 감으로써 입체형상을 형성하는 입체형상형성방법 및 장치에 관한 것이며, 액상 광경화형 수지재의 액면에 대한 빔의 주사를 2종류의 주사방식으로 그리고 이것을 전환하면서 행하도록 하고, 그로인해 표면이 평활한 입체형상을 얻을 수 있는 동시에, 입체형상의 형성을 고속으로 행할 수 있도록 한 신규의 입체형상형성방법 및 장치를 제공하려고 하는 것이다.
액상 광경화형 수지재에 소정의 노광빔을 조사함으로써 원하는 형상의 물품을 형성하는 방법이 제안되어 있으며, 예를들면 미합중국 특허 제4,041,476호 및 일본국 특원소 63-267945호에 그와 같은 형성 방법이 기재되어 있다.
제1도는 상기한 형성방법을 실시하기 위한 입체형상형성장치의 일예(a)를 도시한 것이다.
이 도면에 있어서, (b)는 소정의 노광빔, 예를들면 자외광(UV)을 조사함으로써 경화되는 액상 광경화형 수지재(c)가 저류된 수지 저류조, (d)는 수평의 판형상을 이룬 스테이지(e)를 가지며, 도시하지 않은 이동수단에 의해서 상하방향으로 이동되는 엘리베이터, (f)는 수지저류조(b)의 위쪽에 배치되어 노광빔(g)을 액상 광경화형 수지재 (c)의 액면(h)에 대해 집광 조사하는 빔스캐너, (i)는 조형콘트롤러이며, 빔스캐너(f)에 의한 노광빔(g)의 액면(h)에 대한 주사나 엘리베이터(d)의 이동은 상기 조형콘트롤러(i)에 의해서 제어된다.
그리고, 소정의 입체형상을 형성하기 위해서는 먼저 엘리베이터(d)를 제1도에 실선으로 표시한 바와 같이 그 스테이지(e)위에 액상 광경화형 수지재(c)가 소정의 두께(이 두께에 대해서는 후술함)로 위치하는 조기위치로 이동시킨다.
다음에, 노광빔(g)에 의한 액면(h)에 대한 주사를 행한다. 이 주사는 임의로 설계된 입체상이미지(j)의 하나의 방향에서 다수로 분해된 각 평면(이하, 분해평면이라 함)의 각각에 따른 패턴으로 래스터스캔이 행하여진다.
이와같은 빔(g)을 주사하게 되면 빔의 조사된 액상 광경화형 수지재(c)의 부분이 경화되고, 액면(h)중 당해 분해평면의 형상과 같은 형상을 한 시트형으로 경화되어, 하나의 경화수지층이 형성된다. 또 엘리베이터(d)는 이와 같이 하나의 시트형 경화수지층의 형성이 완료할 때마다 입체상이미지(j)를 하나의 방향에서 다수의 분해평면으로 분해했을 때의 분해피치에 따른 피치(초기의 상태에 있어서의 스테이지(e)위의 액상 광경화형 수지재(c)의 두께도 이것과 같게 된다)로 아래쪽으로 이동되며, 그로인해 경화수지층 위에 액상 광경화형 수지재가 1피치분의 두께로 유입되도록 공급되고, 다음 순위의 분해평면에 대한 빔의 주사가 행하여져서 다른 경화수지층이 형성된다. 그리고, 이때 당해 경화 수지층은 앞의 경화수지층과 접착된다.
그리하여, 형성된 경화수지층 위에 새로운 경화수지층(k)이 순차 적층되어 가며, 적층된 다수의 경화수지층에 의해 원하는 입체형상이 형성된다.
이와 같은 입체형상형성방법에 의하면, 임의로 설계된 입체상이미지에 의거하여 입체형상을 형성할 수 있으므로, 종래의 금형에 의한 입체형상형성방법에 비하여 입체형상의 시험제작을 즉석에서 행할 수 있고, 설계에서 양산 단계까지의 개발작업을 신속하게 그리고 저코스트로 행할 수 있다.
그런데, 이와 같은 입체형상형성방법에 있어서, 노광빔의 주사를 래스터스캔방식에 의해 행하면, 형성된 입체형상의 표면이 거칠어진다고 하는 문제가 발생한다.
제2도는 어떤 분해평면에 대한 노광빔의 주사궤적의 일부를 개념적으로 나타내는 평면도이며, k, k, .....는 노광빔(g)의 메인주사라인 즉 빔스폿 ℓ,ℓ, .....의 이동라인, m은 당해 분해평면의 외형선이다.
제2도에서 명백한 바와 같이, 형성된 경화수지층의 외형중 빔의 메인주사방향과 직교하는 방향으로 뻗는 부분은 빔의 메인주사라인 k, k, .....의 단부빔스폿 ℓ,ℓ,.....의 형상의 일부가 드러나게 되고, 요철의 외형선으로 되어 있으며, 이와 같은 외형의 집합으로 이루어지는 입체상의 표면은 미소한 요철을 가진 표면이 되고 만다는 문제가 있다.
그리고, 빔을 주사시키는 방식에는 상기한 래스터스캔 외에 이른바 벡터스캔 즉 일의적으로 직선형인 메인주사방향을 갖지 않고 주사방향을 벡터데이터에 따르는 방향으로 수시 바꾸면서 주사하는 방식이 있으며, 예를들면 폴리곤형(회전다면경)과 이동묘화테이블 또는 이른바 X-Y 포토플로터를 사용한 묘화시스템에 의하여 잘 사용되고 있다.
그리고, 이 종류의 입체형상형성방법에 있어서의 노광빔(g)의 주사를 벡터스캔방식으로 행하도록 하면, 분해평면의 외형을 그 외형선이 뻗는 방향에 따라 이동하는 빔스폿의 연속으로 이루어지는 선, 즉 2차원에서의 방향성을 가진 선으로 구획할 수 있으므로, 요철이 없는 평활한 표면의 입체형상을 얻을 수 있다.
그러나, 이 종류의 입체형상형성방법에 있어서의 노광빔의 주사를 벡터스캔방식에 의해 행하면, 벡터스캔이 2차원에서의 방향성을 갖기 때문에, 분해평면의 외형선이 직선이 아닌 한, 때에 따라 여러방향으로 빔스폿의 방향을 변경하지 않으면 안 되며, 동일 면적의 평면을 주사하는데 상기 래스터스캔에 비교하여 시간이 지나치게 걸린다고 하는 문제가 있었다.
그러므로, 본원 발명의 목적은 종래 기술의 문제점을 해소할 수 있는 개량된 입체형상형성방법 및 장치를 제공하는데 있다.
상세하게는, 본원 발명의 목적은 표면이 평활한 입체형상을 얻을 수 있는 입체형상형성방법 및 장치를 제공하는데 있다.
본원 발명의 다른 목적은 입체형상을 고속을 형성할 수 있는 입체형상형성방법 및 장치를 제공하는데 있다.
본원 발명의 제1특징에 의하면, 액상 광경화형 수지재의 액면에 빔조사를 행하여 임의로 설계된 입체상이미지의 하나의 방향으로 분해된 분해평면이 형상에 대응한 패턴의 경화수지층을 형성하고, 이어서 이 경화수지층 위에 액상 광경화형 수지재를 위치시키고, 다시 액상 광경화형 수지재의 액면을 빔조사하여 이미 경화된 수지층에 경화 수지층을 차례로 적층하여, 임의의 입체형상을 형성하는 입체형상형성방법에 있어서, 빔조사를 벡터스캔방식에 의한 상기 분해평면의 외형선을 주사하는 외형주사단계와, 래스터스캔방식에 의한 상기 분해평면의 전체면을 주사하는 면주사단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 입체형상형성방법을 제공한다.
본원 발명의 제2특징에 의하면, 액상 광경화형 수지재의 액면에 빔조사를 행하여 임의로 설계된 입체상이미지의 방향으로 분해된 분해평면의 형상에 대응한 패턴의 경화수지층을 형성하고, 이어서 이 경화수지층 위에 액상 광경화형 수지재를 위치시키고, 다시 액상 광경화형 수지층의 액면을 빔조사하여, 이미 경화된 수지층에 경화수지층을 차례로 적층하여, 임의의 입체형상을 형성하는 입체형상형성장치에 있어서, 빔조사를 벡터스캔방식에 의한 상기 분해평면의 외형선을 주사하는 외형주사수단과, 래스터스캔방식에 의한 상기 분해평면의 전체면을 주사하는 면주사를 행하는 빔주사수단으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 입체형상형성장치를 제공한다.
다음에, 본원 발명의 실시예에 대하여 도면에 따라서 상세히 설명한다.
먼저, 본원 발명의 입체형상형성방법을 실시하기 위한 입체형상형성장치 일예를 설명하고, 그 후 입체형상형성장치를 사용한 입체형상형성방법을 설명한다.
제3도 내지 제5도에 있어서, (1)은 입체형상형성장치이며, 액상 광경화형 수지재를 저류한 수지저류조나 엘리베이터 등을 가진 작업부와 노광빔을 액상 광경화형 수지재의 액면에 대하여 주사시키는 빔주사부와 이들 작업부 및 빔주사부의 움직임을 제어하는 제어부 등으로 이루어 진다.
제3도 및 제4도에 있어서, (2)는 작업부이고, (3)은 수지저류조이며 그 내부에 액상 광경화형 수지제(4)가 저류되어 있다.
이 액상 광경화형 수지재(4)는 소정의 노광빔이 조사됨으로써 경화되는 액상을 이루며, 또한 이미 경화된 부분의 표면상에서 경화될 때 상기 표면에 고착하는 접착성을 갖는 것이 필요하며, 또 점도는 될 수 있는 한 낮은 것이 바람직하다. 그리고, 이와 같은 특성을 가진 액상 광경화형 수지재(4)로서는 예를들면 자외광경화형의 변성 아크릴 레이트가 있다.
(5)는 엘리배아터(제3도 및 제4도에 도시함)이며, 그 하단부에 위치한 수평의 판형상을 한 스테이지(6)를 가진 동시에 상단부(7)에 너트(8)가 고정되어 있으며, 이 너트(8)가 스테핑모터(9)에 의해 회전되는 이송나사(10)와 나사식을 맞추어지고, 이 이송나사를(10)를 따라 축방향으로 이동되며, 그것에 의해 엘리베이터(5)가 상하방향으로 이동된다.
또한, 이와 같은 엘리베이터(5)는 그 스테이지(6)가 상기 수지저류조(3)에 저류되어 있는 액상 광경화형 수지재(4) 안에 위치되며, 또 소정의 피치로 스텝 이동된다.
제3도 및 제4도에 있어서, (11)은 빔주사부이다.
제3도 및 제4도에 있어서, (12)는 후술하는 레이저빔발진기로부터 발진된 노광빔을 액상 광경화형 수지재(4)의 액면(4a)에 대해 제4도에 있어서의 좌우방향(이하, 이 방향을 제1의 주사방향이라 함)으로 편향시키는 갈바노스캐너, (13)은 상기 제1의 주사방향과 직교하는 방향(이하, 제2의 주사방향이라 함)으로 노광빔을 편향시키는 갈바노스캐너이며, 이들 갈바노스캐너(12),(13)은 축회전방향으로 고속으로 회전되는 회전축(14),(14')을 가진 구동부(15),(15')와 회전축(14),(14')에 고정된 갈바노미러(16),(16')를 구비하고 있다.
그리고, 이들 2개의 갈바노스캐너(12),(13)의 한쪽(12)(이하, 제1의 갈바노스캐너라고 함)은 그 회전축(14)의 축방향이 상기 제2의 주사방향과 평행인 방향으로 뻗는 동시에 갈바노미러(16)가 상기 엘리베이터(5)의 스테이지(6)의 대략 바로 위에 위치되어 있으며, 또 다른쪽의 갈바노스캐너(13)(이하, 제2의 갈바노스캐너라 함)는 그 회전축(14')의 축방향이 상하방향을 따라 뻗는 동시에 그 갈바노미러(16')의 반사면(16'a)이 제1의 갈바노스캐너(12)의 갈바노미러(16)의 반사면(16a)에 옆쪽에서 대향하도록 배치되어 있다.
제3도 및 제4도에 있어서, (17)은 소정의 노광빔(18) 예를 들면 파장이 360㎚(나노미터)의 아르곤이온레이저 또는 파장이 325㎚의 헬륨카드뮴레이저를 발진하는 레이저발진기, (19),(20)은 이 레이저빔발전기(17)로부터 발진된 노광빔(18)을 소정의 방향을 향해서 순차 전반사하여 상기 제2의 갈바노스캐너(13)의 갈바노미러(16')에 입사시키기 위한 전반사미러, (21)은 이들 2개의 전반사미러(19)와 (20) 사이에 배치된 A/O 모듈레이터(음향광학변조기), (22)는 한쪽의 전반사미러(20)와 제2의 갈바노스캐너(13)사이에 배치된 포커싱렌즈(23)를 가진 포커스제어기이다.
따라서, 레이저빔발진기(17)로부터 발진된 노광빔(18)은 전반사미러(19)에 의해서 A/O 모듈 레이터(21)을 향해서 반사되고, 이 A/O 모듈레이터(21)에 있어서의 스위칭작용에 의해서 그곳으로부터 앞으로의 광로(光路)에의 진행을 온오프제어하며, A/O 모듈레이터(21)의 스위칭이 온일 때는 전반사미러(20)에 입사하고, 또한 여기서 포커싱렌즈(23)를 투과할 때 광속이 교측되고, 2개의 갈바노미러(16'),(16)에 의해 순차 반사되어서 액상 광경화형 수지재(4)에 위쪽에서 조사된다. 그리고, 이와같은 노광빔(18)은 포커싱렌즈(23)에 의해서 광속이 교축됨으로써 액상 광경화형 수지재(4)의 액면(4a)에 항상 소정의 직경의 빔스폿(24)으로 집광 조사되며, 또 제1의 갈바노스캐너(12)의 회전축(14)이 회전하여 그 갈바노미러(16)가 요동되었을 EO, 액상 광경화형 수지재(4)의 액면(4a)이 상기 제1의 주사방향으로 주사되고, 제2의 갈바노스캐너(13)의 회전축(14')이 회전하여 그 갈바노미러(16')가 요동되었을 때, 액상 광경화형 수지재(4)의 액면(4a)이 상기 제2의 주사방향으로 주사된다.
따라서, 제1의 갈바노미러(16)만을 요동시킴으로써 이루어지는 제1의 주사방향에서의 라인주사(이하 제1의 라인 주사라 함)가 하나 종료될 때마다 제2의 갈바노미러(16')만을 요동시켜서 제1의 라인주사의 제2의 주사방향에 있어서의 위치를 바꾸면서 노광빔을 조사하든가 또는 제2의 갈바노미러(16')만을 요동시키므로써 이루어지는 제2의 주사방향에서의 라인주사(이하 제2의 라인주사라 함)가 하나 종료될 때마다 제1의 갈바노미러(16)를 요동시켜서 제2의 라인주사의 제1의 주사방향에 있어서의 위치를 바꾸면서 노광빔(18)을 조사함으로써, 래스터스캔에 의한 조사가 행하여진다. 또, 제1의 갈바노미러(16)와 제2의 갈바노미러(16')의 양쪽을 동시에 요동시킴으로써 노광빔(18)이 2차원의 방향성을 가지고 주사되는 벡터스캔에 의한 조사가 행하여지게 되는 것이다.
제3도 내지 제5도에 있어서, (25)는 제어부이고, (26)은 상기 이송나사(10) 및 평행으로 배치된 엘리베이터위치검출센서, (27)은 엘리베이터제어기이며, 상기 센서(26)에 의해 검출된 엘리베이터(5)의 위치를 나타내는 신호가 입력되며, 이 신호에 따라 상기 스테핑모터(9)의 회전을 제어하고, 이것에 의해서 엘리베이터(5)의 위치가 제어된다.
(28)은 상기 A/O 모듈레이터(21)의 스위칭동작을 제어하는 A/O 모듈레이터제어기,(29)는갈바노콘트롤러이며,A/O모듈레이터제어기(28),갈바노스캐너(12),(13) 및 포커스제어기(22)의 동작은 상기 갈바노콘트롤러(29)로부터의 지령에 의해서 제어된다.
제5도에 있어서, (30)은 이와 같은 제어부(25)의 회로이다.
(31)은도시하지않은입체형상프로그래밍장치,예를들면이른바CAD(computer-aided design)와 접속된 메모리이며, 입체형상프로그램장치에 의해 임의로 설계된 입체상이미지의 상기 분해평면의 X방향 및 Y방향에서 분해된 화소신호가 입력되어서 일시적으로 기억된다.
(32)는 상기 메모리(31)에 접속된 변조회로이며, 메모리(31)에 일시 기억된 분해평면의 개개의 화소신호는 이 변조회로(32)에 있어서, 래스터 즉 노광빔(18)의 액상 광경화형 수지재(4)의 액면(4a)의 주사영역에 대한 위치를 표시하는 좌표신호로 변환된다.
(33)은 이들 메모리(31) 및 변조회로(32)를 포함하는 빔포지션 제어회로이다.
(34a),(35b)는 상기 D/A변환회로(34a),(34b)와 각각 따로 접속되고, 또한 제1의 갈바노스캐너(12), 제2의 갈바노스캐너(13)에 각각 따로 접속된 게이트이며, 변조회로(32)에서 변환된 좌표신호중 X방향 즉 제1의 주사방향에 있어서의 신호는 D/A 변환회로(34a)에 있어서 아날로그신호로 변환된 후 게이트(35a)를 거쳐 제1의 갈바노스캐너(12)의 구동부(15)에 출력되고, 또 Y방향 즉 제2의 주사방향에 있어서의좌표신호는D/A변환회로(34b)에있어서아날로그신호로변환된후게이트(35b)를 거쳐 제2의 갈바노스캐너(13)의 구동부(15')에 출력되도록 되어 있으며, 구동부(15),(15')는 각각의 신호가 입력되고 있는 동안 갈바노미러(16),(16')를 각각 요동시킨다.
(36)은 스캔방식전환회로, 즉 노광빔(18)의 빔스폿(24)의 주사방식을 상기 래스터스캔이나 벡터스캔의 어느 하나로 전환, 또 래스터스캔방식의 경우는 다시 메인주사방향 즉 라인주사의 방향을 제1의 주사방향으로서의 래스터스캔(이하, 제1의 래스터스캔이라 함)이나 메인주사방향을 제2의 주사방향으로서의 래스터스캔(이하, 제2의래스터스캔이라함)의어느하나로전환하기위한회로이며,게이트(35a),(35b) 및 변조회로(32)와 접속되어 있다. 그리고, 스캔방식은 벡터스캔방식과 래스터스캔방식으로 교대로 전환되며, 래스터스캔방식은 다시 제1의 래스터스캔과 제2의 래스터스캔으로 전환되도록 되어 있다.
또한, 노광빔(18)의 벡터스캔에 의한 조사는 당해 분해평면의 외형선의 화소신호에 대해서만 행하여지며, 따라서 이 경우는 메모리(31)에 입력된 화소신호중 외형선을 이루는 데이터만이 변조회로(32)에 출력된다.
그리고, 게이트(35a),(35b)는 상기 스캔방식전환회로(36)로부터의 지령에 의해 개폐되며, 이 경우 스캔방식이 벡터스캔방식일 때는 2개의 게이트(35a) 및/또는 (35b)가 수시로 개방되며, 또 스캔방식이 제1의 래스터스캔일 때는 게이트(35b)는 제1의 주사방향에 있어서의 하나의 주사라인의 주사가 종료될 때마다 순간적으로 개방되고, 이것에 의해 제2의 갈바노스캐너(13)의 갈바노미러(16')를 약간 회전하여 노광빔(18)의 라인주사의 라인위치를 제2의 주사방향에 있어서의 이웃 라인상에 이동시키고, 다시 스캔방식이 제2의 래스터스캔일 때는 게이트(35a)가 제2의 주사방향에 있어서의 하나의 주사라인의 주사가 종료될 때마다 순간적으로 개방되며, 이것에 의해서 제1의 갈바노스캐너(12)의 갈바노미러(16)를 약간 회전하여 노광빔(18)의 라인주사의 라인위치를 제1의 주사방향에 있어서의 이웃 라인상에 이동시킨다.
(37)은 빔포지션제어회로(33)와 접속된 A/O 모듈레이터구동회로이며, 평면데이터중 X방향에 있어서의 하나의 라인상 또는 Y방향에 있어서의 하나의 라인상의 신호의 유무에 따른 제어신호를 A/O 모듈레이터(21)에 출력하여, 레이저빔발전기(17)로부터 발진된 노광빔(18)의 A/O 모듈레이터(21)에서 앞서의 광로를 온오프한다.
(38)은 포커스제어회로이며, 노광빔(18)이 액상 광경화형 수지재(4)의 액면(4a)에 대해서, 항상 소정의 직경의 스폿으로 집광하도록 포커싱렌즈(23)의 포커싱방향에 있어서의 위치를 제어한다.
(39)는 모터구동회로이며, 상기 스테핑모터(9)는 이 모터구동회로(39)로부터의 지령에 의해서 구동되며, 이 구동은 입체형상의 형성 동작이 개시될 때는 엘리베이터(5)를 그 스테이지(6)가 액상 광경화형 수지재(4)의 액면(4a)보다 1계층 피치 즉 입체상이미지를 다수의 분해평면으로 분해했을 때의 분해피치분 아래쪽에 있는 위치(이하, 초기위치라 함)로 이동되도록 제어되고, 또 상기 형성동작이 개시된 후에는 하나의 분해평면에 대한 빔의 주사가 종료될 때마다 엘리베이터(5)를 1계층 피치분 아래쪽으로 이동시키도록 제어된다.
그리고, 상기 계층피치는 액상 광경화형 수지재(4)를 노광빔(18)의 조사에 의해 경화시켜 층두께의 절반 이하의 크기로 설정된다.
예를들면 노광빔(18)이 액상 광경화형 수지재(4)의 액면(4a)에 조사되면 액상 광경화형 수지재(4)의 이 액면(4a)에서 대략 0.5 내지 0.7㎜의 두께로 경화되는 경우, 계층피치는 0.2 내지 0.3㎜ 정도로 설정된다.
그런데, 이와 같은 입체형상형성장치(1)를 사용한 입체형상의 형성은 다음과 같이 행하여진다.
또한, 설계된 입체형상이미지(47)(제3도 참조)는 두꺼운 원통형의 형상으로 한다.
형성동작이 개시되면, 먼저 엘리베이터(5)가 초기위치로 이동되며, 엘리베이터(5)의 스테이지(6)의 상면에는 액상 광경화형 수지재(4)가 1계층피치분의 두께로 위치한다.
그리고, 이 상태에서 노광빔(18)의 액상 광경화형 수지재(4)의 액면(4a)의 스테이지(6)에 대응한 영역에 대한 주사가 행하여진다. 이 주사는 당해 입체형상의 각 분해평면의 전역 또는 일부에 대응하여 행해지며, 그 순서는 다수의 분해평면중 분해방향에 있어서의 양단의 2개의 분해평면의 어느 한쪽의 것부터 순차 행하여진다. 또, 하나의 분해에 대한 주사는 당해 분해평면의 외형선에 따른 패턴으로의 벡터스캔(이하, 외형주사라 함)과 당해 분해평면의 전역에 따른 패턴의 래스터스캔(이하, 면주사라 함)의 어느 하나로 행하여지며, 또한 이들의 외형주사의 면주사가 1계층마다 교대로 전환되어 행하여진다. 또, 면주사는 상기 제1의 래스터스캔과 제2의 래스터스캔으로 교대로 전환되어 행하여진다.
그리고, 제9도에 이와 같은 스캔방식의 전환의 추이를 도시한다.
엘리베이터(5)가 초기위치에 온상태에서 먼저 제1번째의 분해평면에 대한 외형주사가 행하여지고, 노광빔(18)은 제1번째의 분해평면의 외형선에 따른 패턴 즉 외주라인과 내주라인에 따른 패턴으로 벡터스캔된다. 이로써, 제6도(A) 및 제7도(A)에 대한 도시한 바와 같이, 스테이지(6)상에 제1번째의 분해평면의 외주를 구획하는 환상(環狀)의 경화스트라이프(411) 및 내주를 구획하는 환상의 경화스트라이프(421)가 형성되는 동시에, 경화스트라이프(411)와 (421) 사이의 액상 광경화형 수지재(4)는 미경화인 채로 남는다.
다음에, 외형주사가 종료되면, 엘리베이터(5)가 1계층피치분 아래쪽으로 이동되고, 상기 경화스트라이프(411),(421) 및 미경화 부분 위에 액상 광경화형 수지재(4)가 1계층 피치분의 두께로 흘러 들어간다.
그리고, 이 상태에서 제2번째의 분해평면에 대한 노광빔(18)이 제1의 래스터스캔에 의해 면주사된다. 이 제1의 래스터스캔은 제1의 갈바노스캐너(12)의 갈바노미러(16)를 요동함으로써 라인주사를 행하고, 하나의 라인주사가 종료될 때마다 제2의 갈바노스 스캐너(13)의 갈바노미러(16')를 1라인피치에 상당하는 각도분 회전시켜서 라인주사의 위치를 제2의 주사방향으로 순차 이동시켜서, 당해 분해평면을 면적(面的)으로 구획하도록 노광빔(18)을 조사하여 이루어진다. 또, 이때 노광빔(18) 대한 경화작용은 제1번째의 분해평면에 대해 노광빔(18)의 조사가 행하여지지 않고 액상 광경화형 수지재(4)가 미경화인 채로 된 영역, 즉 환상의 경화스트라이프(411)와 (421)사이의 영역에 있는 액상 광경화형 수지재(4)에도 미치므로, 이 영역에 있는 액상 광경화형 수지재(4)도 동시에 경화된다. 이로 인해, 제6도(B) 및 제7도(B)에 도시한 바와 같이, 2계층피치분의 두께를 가진 대략 시트형을 한 경화수지층(431)이 형성된다.
또한, 경화스트라이프(411),(421)는 상기 경화수지층(431)이 형성될 때에 이것과 접착되어서 일체화 되고, 제1번째에 형성될 분해평면의 형상 및 제2번째에 형성될 분해평면의 형상과 대략 같은 형상을 가진 복합경화수지층(441)이 형성된다.
또한, 제6도 및 제7도에 도시한 봉형상의 것(45),(45),..... 또는 (46),(46),.....(제8도에 있어서는 각 경화수지층(43),(43),.....에 일부 선으로 기입되어 있음)은 1회의 라인주사에 의해 형성되는 경화스트라이프를 나타낸다.
또, 다음에 엘리베이터(5)가 1계층피치분 아래쪽으로 이동되면, 경화수지층(431) 위에 액상 광경화형 수지재(4)가 1계층피치분의 두께로 유입되고, 제3번째의 분해평면에 대한 노광빔(18)의 조사가 행하여진다. 이 조사는 당해 분해평면의 외형선에 대해서만 외형주사에 의해 행하여지며, 그로인해 제6도(C) 및 제7도(C)에 도시한 바와 같이 이미 형성이 끝난 경화수지층(431) 위에 환상의 2개의 경화스트라이프(412)와 422)와 (422)가 형성된다. 또한, 경화스트라이프(412) 및 (422)도 복합경화수지층(441)에 접착되어서 일체화 된다.
그리고, 이 상태에서 엘리베이터(5)가 1계층피치분 아래쪽으로 이동되고, 제4번째의 분해평면에 대한 노광빔(18)의 조사가 이번에는 제2의 래스터스캔에 의한 면주사로 행하여진다. 이 제2의 래스터스캔은 제2의 갈바노미러(16')를 요동시킴으로써 라인주사를 행하고, 하나의 라인주사가 종료될 때마다 제1의 갈바노미러(16)를 1라인피치에 상당하는 각도분 회전시켜서 라인주사의 위치를 제1의 주사방향으로 순차 이동시켜서, 당해 분해평면을 면적으로 구획하도록 노광빔(18)을 조사하여 행하여진다. 또, 이때 제3번째의 분해평면애 대해 노광빔(18)의 조사가 행하여지지 않고 액상 광경화형 수지재(4)가 미경화인 채로 남은 영역, 즉 경화스트라이프(412)와 (422)사이의 영역도 동시에 경화된다. 이로써, 제6도(D) 및 제7도(D)에 도시한 바와 같이, 2계층피치분의 두께를 가진 경화수지층(432)이 형성된다. 또한, 상기 경화스트라이프(412),(422)는 상기 경화수지층(432)이 형성될 때 이것과 접착되어서 일체화되며, 제3번째에 형성될 분해평면의 형상 및 제4번째에 형성될 분해평면의 형상과 대략 같은 형상을 가진 복합경화수지층(442)이 형성된다.
이리하여, 이와 같은 동작이 반복되어 행하여짐으로써, 다수의 경화수지층(431),(432),.....(43n)이 이들 사이에 경화스트라이프(411) 및 (421), (412) 및 (422),.....( 41n) 및 (42n)을 사이에 두고 스테이지(6) 위에서 적층되며, 그로인해 입체상이미지(46)의 3차원 형상과 같은 3차원 형상을 가진 입체형상(47)이 형성된다.
이리하여, 이와 같이 형성된 입체형상(47)은 그 표면이 매우 평활한 것이 된다. 즉 입체형상(47)의 외주면 및 내주면은 1계층피치 간격으로 벡터스캔된 경화스트라이프의 외측면으로 이루어지므로, 전체로서 보면 요철이 적은 매우 평활한 표면으로 완성된다.
또한, 이 실시예에 있어서는 1계층피치간격으로 행하여지는 래스터스캔의 라인주사의 방향을 교대로 변경하도록 하였으므로, 각 경화스트라이프(45),(45),.....의(46),(46),....이 경화될 때의 수축작용에 의해 휘어지는 방향이 일정하지 않으며, 따라서 왜곡이 있는 입체형상을 얻을 수 있다.
또, 라인주사방향이 경화수지를 하나건너 다르므로, 이 라인주사의 개시점 및 종료점이 입체형상의 하나의 측면체만 나타나는 일이 없으며, 따라서 어느 측면도 평활한 표면의 입체형상을 얻을 수 있다.
이상 기술한 바로부터 명백한 바와 같이, 본원 발명의 입체형상 형성방법은 액상 광경화형 수지재의 액면에 빔조사를 행하여 임의로 설계된 입체상이미지의 하나의 방향으로 분해된 분해평면의 형상에 대응한 패턴의 경화수지층을 형성하고, 이어서 이 경화수지층 위에 액상 광경화형 수지재를 위치시키고, 다시 액상 광경화형 수지재의 액면을 빔조사하여 이미 경화된 수지층에 경화수지층을 차례로 적층하여, 임의의 입체형상을 형성하는 입체형상형성방법으로서, 이 방법의 뚜렷한 특징중의 하나는 아래와 같다.
상기 빔조사를 빔발진기와 음향광학변조기와 분해평면상의 하나의 직선방향으로 빔을 편향시키는 제1의 갈바노미러와 상기 직선방향과 직교하는 방향으로 빔을 편향시키는 제2의 갈바노미러를 구비한 빔주사부에 의해 행하며, 또 빔조사를 벡터스캔방식애 의한 상기 분해평면의 외형선을 주사하는 외형주사와, 래스터스캔방식에 의한 상기 분해평면의 전면을 주사하는 면주사와의 2종류의 주사로 행하고, 외형주사는 1 내지 복수 개의 면주사에 의한 경화수지층을 형성할 때마다 행하도록 한 것을 특징으로 한다.
따라서, 본원 발명의 입체형상형성방법에 의하면, 적층된 경화수지층중 1 내지 복수 개 건너 경화수지층에 벡터스캔에 의한 외형주사로 외형형상만 경화된 층이 형성되기 때문에, 그 층의 외형형상을 평활하게 형성할 수 있고, 완성된 입체형상을 전체로서 보았을 때 그 표면을 매우 평활한 것으로 할 수 있다.
또, 빔의 주사에 필요한 빔스위칭제어는 그 제어동작이 전기적 속도로 이루어지는 음향광학변조기에 의해서 행하여지기 때문에, 벡터스캔과 래스터스캔과의 전환 및 빔의 주사를 고속으로 행할 수 있고, 따라서 입체형상의 형성을 고속으로 행할 수 있다.
또한, 상기 실시예에 있어서는 외형주사를 경화수지층을 하나건너 행하도록 하였으나, 경우에 따라서는 면주사에 의해 형성되는 2 이상의 어느 정도의 수의 경화수지층을 건너 외형주사를 행하도록 해도 된다.
그리고, 본원 발명의 입체형상형성방법은 상기 실시예에 도시한 구조를 가진 입체형상형성장치에 의해 실시되는 방법에 특정되지 않으며, 실시예에 도시한 입체형상형성장치는 어디까지나 본원 발명의 입체형상형성방법을 실시하기 위한 장치의 일예를나타낸 것이며, 액상 광경화형 수지재의 종류나 노광빔의 종류 또는 입체형상의 형상 등이 실시예에 나타난 것에 한정되는 것이 아니다.
첨부된 도면을 참조하여 본원 발명의 실시예를 설명하였지만, 본원 발명은 상세한 실시예에 국한되는 것이 아니고, 다음의 특허청구의 범위에서 정의한 바와 같이 본원 발명의 기술적 사상 및 범위에서 일탈하지 않는 한 이 기술분야에 숙련된 자가 변경이나 변형을 가할 수 있다는 것을 이해하여야 한다.

Claims (8)

  1. 액상 광경화형 수지재의 액면에 빔조사를 행하여 임의로 설계된 입체상이미지의 하나의 방향으로 분해된 분해평면의 형상에 대응한 패턴의 경화수지층을 형성하고, 이어서 이 경화수지층을 위해 액상 광경화형 수지재를 위치시키고, 다시 액상 광경화형 수지재의 액면을 빔조사하여 이미 경화된 수지층에 경화수지층을 차례로 적층하여, 임의의 입체형상을 형성하는 입체형상형성방법에 있어서, 빔조사를 벡터스캔방식에 의한 상기 분해평면의 외형선을 주사하는 외형주사단계와, 래스터스캔방식에 의한 상기 분해평면의 전체면을 주사하는 면주사단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 입체형상형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 외형주사는 1 내지 복수회의 면주사에 의한 경화수지층을 형성할 때마다 행해지는 것을 특징으로 하는 입체형상형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 래스터스캔은 그 주사방향이 각 분해평면에 대해 변화하도록 행해지는 것을 특징으로 하는 입체형상형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 래스터스캔은 선행 면주사의 래스터스캔 방향과 다음 면주사의 래스터스캔방향이 스캔방향으로 서로 상이하게 행해지는 것을 특징으로 하는 입체형상형성방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 래스터스캔은 상기 분해평면에 대한 주사방향이 서로 대략 90°상이하도록 행해지는 것을 특징으로 하는 입체형상형성방법.
  6. 액상 광경화형 수지재의 액면에 빔조사를 행하여 임의로 설계된 입체상이미지의 방향으로 분해된 분해평면의 형상에 대응한 패턴의 경화수지층을 형성하고, 이어서 이 경화수지층 위에 액상 광경화형 수지재를 위치시키고, 다시 액상 광경화형 수지재의 액면에 빔조사하여, 이미 경화된 수지층에 경화수지층을 차례로 적층하여, 임의의 입체형상을 형성하는 형성장치에 있어서, 빔조사를 벡터스캔방식에 의한 상기 분해평면의 외형선을 주사하는 외형주사수단과, 래스터스캔방식에 의한 상기 분해평면의 전체면을 주사하는 면주사를 행하는 빔주사수단으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 입체형상형성장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 빔주사수단은 상기 분해평면상에서 하나의 직선방향으로 빔을 편향시키는 제1의 갈바노미러와, 상기 직선방향과 직교하는 방향으로 빔을 편향시키는 제2의 갈바노미러로 이루어지는 것을 특징으로 하는 입체형상형성장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 빔주사수단은 빔발진기와, 이 빔발진기로부터의 빔을 온 및/또는 오프시키는 음향광학변조기로 이루어지는 것을 특징으로 하는 입체형상형성장치.
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