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KR0121146Y1 - 반도체 제조장치의 가스 공급장치 - Google Patents

반도체 제조장치의 가스 공급장치 Download PDF

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KR0121146Y1
KR0121146Y1 KR2019950001848U KR19950001848U KR0121146Y1 KR 0121146 Y1 KR0121146 Y1 KR 0121146Y1 KR 2019950001848 U KR2019950001848 U KR 2019950001848U KR 19950001848 U KR19950001848 U KR 19950001848U KR 0121146 Y1 KR0121146 Y1 KR 0121146Y1
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KR2019950001848U
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이중재
Original Assignee
문정환
엘지반도체주식회사
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Abstract

본 고안은 각기 다른 복수개의 가스저장부가 형성되어, 선택적으로 원하는 가스를 공급하는 반도체 제조장치의 가스 공급장치로써, 공급관에 복수개의 가스저장부를 병렬로 연결하는 복수개의 가스저장부 연결라인과, 가스공급관에 형성되는 가스공급관 개폐밸브와, 가스공급관 개폐밸브 및 가스저장부연결라인 개폐밸브에 연결되어, 각 가스저장부연결라인 개폐밸브의 개폐시에 가스공급관 개폐밸브를 개폐하는 제어부를 포함하여 이루어진다.

Description

반도체 제조장치의 가스 공급장치
제 1도는 종래의 반도체 제조장치의 가스 공급장치를 도시한 도면.
제 2도는 본 고안의 반도체 제조장치의 가스 공급장치를 도시한 도면.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11, 21 : 가스공급관 22 : 제어부
13a, 13b, 13c, 23a, 23b, 23c : 가스 저장부
14a, 14b, 14c, 24a, 24b, 24c : 가스저장부 연결라인
25 : 바이패스관
15a, 15b, 15c, 25a, 25b, 25c : 바이패스 라인
본 고안은 반도체 제조장치의 가스 공급장치로써, 특히 반도체 제조공정중 이온주입공정에서 소스가스를 공급하는 반도체 제조장치의 가스 공급장치에 관한 것이다.
반도체 제조공정 중 이온주입공정에서 이온소스 생성을 위해 공급가스 예로서 BF3, PH3, AsH3등의 독가스(Toxic gas) 저장부를 공급관에 병렬로 설치하고, 선택적으로 원하는 가스를 공급하는 반도체 제조장치의 가스 공급장치가 사용되고 있다.
제 1도는 종래의 반도체 제조장치의 가스 공급장치를 도시한 도면으로, 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
종래의 장치는, 가스공급관(11)에 복수개의 가스저장부(13a, 13b, 13c)가 연결라인(14a, 14b, 14c)을 통해 병렬로 연결되어 있고, 각 가스저장부 연결라인(14a, 14b, 14c)에는 에어밸브(14'a, 14'b, 14'c)가 형성되어 있다. 따라서 각 에어밸브(14'a, 14'b, 14'c)는 독립적으로 개폐되어 필요한 가스를 공급하게끔 되어 있다.
또한, 각 가스저장부연결라인(14a, 14b, 14c)의 저장부(13a, 13b, 13c)와 가스저장부연결라인에 형성된 에어밸브(14'a, 14'b, 14'c)사이에, 바이패스라인(15a, 15b, 15c)이 형성되어 가스 공급관(11)으로 연결된다. 여기에서, 각 바이패스라인(15a, 15b, 15c)에는 개폐밸브(15'a, 15'b, 15'c)가 형성되어 바이패스라인(15a, 15b, 15c)으로 공급가스가 흐르지 않도록 차단되어 있으며, 저장부 교환 등의 필요시에 열려 라인에 잔류하는 가스를 제거하게 된다.
그런데 종래의 반도체 제조장치의 가스 공급장치는, 가스의 공급 및 차단을 단지 저장부 연결라인(14a, 14b, 14c)에 설치된 에어밸브(14'a, 14'b, 14'c)로만 조작하게 되므로 종종 가스의 리크(leak)가 발생하게 되며, 원하지 않는 가스의 리크발생으로 공정 대형사고를 유발하고 있다.
이에 본 고안은 상술한 종래의 장치의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 가스 공급관에, 각 연결라인에 형성된 개폐밸브와 연동적으로 작동되는 개폐밸브를 설치하여 원치 않는 가스의 리크를 방지하여 만에 하나 발생할 수 있는 공정 대형사고를 예방할 수 있는 반도체 제조장치의 가스 공급장치를 제공하고자 한다.
본 고안의 반도체 제조장치의 가스 공급장치는, 공급관에 복수개의 가스저장부를 병렬로 연결하는 복수개의 가스저장부 연결라인과, 가스공급관에 형성되는 가스공급관 개폐밸브와, 각 가스저장부 연결라인에 형성되는 가스저장부연결라인 개폐밸브와, 가스공급관 개폐밸브 및 가스저장부연결라인 개폐밸브에 연결되어, 각 가스저장부연결라인 개폐밸브의 개폐시 가스공급관 개폐밸브를 개폐하는 제어부를 포함하여 이루어진다.
여기에서, 가스공급관 개폐밸브 및 각 저장부연결아닌 개폐밸브는 에어밸브로 형성하며, 각 가스저장부연결라인 저장부와 가스저장부연결라인 개폐밸브 사이에, 개폐밸브가 형성된 바이패스 라인이 형성되어 가스 공급관으로 연결된다.
제 2도는 본 고안의 반도체 제조장치의 가스 공급장치를 도시한 도면으로, 도면을 참조하여 본 고안을 상세히 설명하면 다음과 같다.
제 2도에 도시한 바와 같이 본 고안은, 가스공급관(21)에 이온소스 생성을 위한 공급가스 예로서 BF3, PH3, AsH3등이 저장된 복수개의 가스저장부(23a, 23b, 23c)가 병렬로 연결라인(24a, 24b, 24c)에 의해 연결되어 있고, 각 가스저장부 연결라인(24a, 24b, 24c)에는 에어밸브(24'a, 24'b, 24'c)가 형성되어 있다.
그리고 본 고안에서는 가스공급관(21)에도 에어밸브(21')를 설치하고 가스공급관 에어밸브(21') 및 저장부연결라인 에어밸브(24'a, 24'b, 24'c)에 연결되는 제어부(22)를 형성하여, 저장부 연결라인 에어밸브(24'a, 24'b, 24'c) 중 어느 하나를 개폐할 시에 가스공급관 에어밸브(21')가 개폐되도록 제어하게 된다. 즉, 예로 도면 부호 (23a)의 저장부에 저장된 다스의 공급이 필요한 시에 도면 부호(24a')의 에어밸브를 개폐하면, 그와 동시에 가스공급관에 형성된 에어밸브(21')가 개폐되고, 다른 가스저장부 연결라인의 에어밸브(24'a, 24'b, 24'c)들은 작동을 하지 않고 가스의 흐름을 차단하게 된다.
또한, 각 가스저장부연결라인(24a, 24b, 24c)의 저장부(23a, 23b ,23c)와 가스저장부연결라인 에어밸브(24'a, 24'b, 24'c) 사이에, 바이패스 라인(25a, 25b ,25c)기 형성되는 데, 각 바이패스 라인(25a, 25b, 25c)은 바이패스관(25)에 병렬로 연결되고 바이패스관(25)은 가스 공급관(21)으로 연결된다. 여기에서 각 바이패스 라인에 개폐밸브(25'a, 25'b, 25'c)가 형성되어 공정중에 바이패스 라인(25a, 25b ,25c)으로 공급가스가 흐르지 않도록 차단되며, 저장부(23a, 23b ,23c) 교환 등의 필요시에 열려 라인에 잔류하는 가스를 제거하게 된다.
본 고안의 반도체 제조장치의 가스 공급장치의 작동은, 각 저장부 연결라인(24a, 24b, 24c)에 형성된 에어밸브(24'a, 24'b, 24'c) 중의 하나를 독립적으로 계페 시키면, 연동적으로 가스공급관(21)에 형성된 에어밸브(21')가 계폐되어 필요한 가스가 공급되게 되며, 바이패스 라인(25a, 25b, 25c)은 흐름이 차단되어 있다. 또한 저장부(23a, 23b, 23c) 교환등의 필요시에는 바이패스 라인(25a, 25b, 25c)을 열고, 바이패스관(25)과, 가스 공급관(21)에 형성된 매뉴얼밸브(26)를 개방하고 라인에 잔류하는 가스를 제거한 후 교환 등의 작업을 수행하게 된다.
본 고안의 실시에 따른 개선효과를 다음과 같다.
가스의 공급 및 차단을 단지 각 연결라인에 설치된 개폐밸브만으로 조작하는 종래의 장치와는 달리, 가스 공급관에 각 연결라인의 개폐밸브와 연동적으로 작동되는 개폐밸브를 설치하여 원하지 않는 가스의 리크를 방지하여 만에 하나 발생할 수 있는 공정 대형사고를 예방할 수 있는 효과가 있다.

Claims (3)

  1. 각기 다른 복수개의 가스저장부가 형성되어, 선택적으로 원하는 가스를 공급하는 반도체 제조장치의 가스 공급장치로써, 가스공급관(21)에 복수개의 가스저장부(23a, 23b, 23c)를 병렬로 연결하는 복수개의 가스 저장부 연결라인(24a, 24b, 24c)과, 상기 가스공급관(21)에 형성되는 가스공급관 개폐밸브(21')와, 상기 각 가스저장부 연결라인(24a, 24b ,24c)에 형성되는 가스저장부연결라인 개폐밸브(24'a, 24'b, 24'c)와, 상기 가스공급관 개폐밸브(21') 및 가스저장부 개폐밸브(24'a, 24'b, 24'c)에 연결되어, 상기 각 가스저장부연결라인 개폐밸브(24'a, 24'b, 24'c)의 개폐시에 가스공급관 개폐밸브(21')를 개폐하는 제어부(22)를 포함하여 이루어진 반도체 제조장치의 반응가스 공급장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 가스공급관 개폐밸브(21') 및 각 저장부연결라인의 개폐밸브(24'a, 24'b, 24'c)는 에어밸브인 것이 특징인 반도체 제조장치의 가스 공급장치.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 가스저장부연결라인(24a, 24b, 24c)의, 저장부(23a, 23b, 23c)와 가스저장부연결라인 개폐밸브(24'a, 24'b, 24'c) 사이에, 개폐밸브(25'a, 25'b, 25'c)가 형성된 바이패스 라인(25a, 25b, 25c)이 형성되어 상기 가스 공급관(21)으로 연결된 것이 특징인 반도체 제조장치의 가스 공급장치.
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