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JPS6396907A - 半導体ウエ−ハの保護膜の自動打抜き装置 - Google Patents

半導体ウエ−ハの保護膜の自動打抜き装置

Info

Publication number
JPS6396907A
JPS6396907A JP61242744A JP24274486A JPS6396907A JP S6396907 A JPS6396907 A JP S6396907A JP 61242744 A JP61242744 A JP 61242744A JP 24274486 A JP24274486 A JP 24274486A JP S6396907 A JPS6396907 A JP S6396907A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
protective film
wafer
cylinder
moving plate
semiconductor wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP61242744A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0116012B2 (ja
Inventor
Ryoji Wakabayashi
若林 良治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to JP61242744A priority Critical patent/JPS6396907A/ja
Publication of JPS6396907A publication Critical patent/JPS6396907A/ja
Publication of JPH0116012B2 publication Critical patent/JPH0116012B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Dicing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 童呈上曳肌里分■ 本発明は半導体ウェーへの保護膜の自動打抜き装置に係
るものである。
l米夏挾青 半導体ウェーハ(0,2〜0.25n+m厚)はそのま
までは脆いので取扱いの際に損壊しないよう半導体ウェ
ーハの底面に台紙、頂面にビニール等の保護膜を付着さ
せる。通常半導体ウェーハよりも大きな保護膜を半導体
ウェーハの頂面に置いて半導体ウェーハの周縁に沿って
保護膜を切り抜いて半導体ウェーハに保護膜を付着させ
ている。従来この半導体ウェーハの周縁に沿っての保護
膜の切り抜きはナイフ等を使用して手作業により行なわ
れていた。手作業によったのは半導体ウェーへの保護膜
を切出し位置に精確に設定することの困難さと、切出し
工具による半導体ウェーハへの衝撃が半導体ウェーへの
破壊を招くからである。
日が勺しようとする間 占 本発明の目的は、半導体ウェーハの保護膜を切出し位置
に精確に設定することの困難を回避し、同時に切出し工
具による半導体ウェーハへの衝撃を回避して半導体ウェ
ーハの保護膜を自動的に打抜き、効率よく半導体ウェー
ハに保護膜を被せる装置を提供することにある。
い 占を”2するための  と 上記の目的は本発明に従って、保護膜を付着させる半導
体ウェーハの輪郭と同形でウェーハより大きめの空間を
限定する突出刃を有する移動板を用意する。この移動板
の空間にウェーハを収容しウェーハの上面を突出刃から
僅かに高いレベルに設定する。この状態で保護膜を被せ
ると、保護膜はウェーハの上面に容易に付着する0次に
ウェーハの上面を突出刃から僅かに低いレベルに設定す
ると保護膜はウェーハの周縁から突出刃へと持上がる。
この状態で平らな面を使用して上から保護膜を押圧する
と、突出刃よりも低い位置にあるウェーハには衝撃を与
えることなく保護膜をウェーハの輪郭に沿って切抜くこ
とができる。
この目的を達成するため本発明に従って半導体ウェーハ
の保護膜の自動打抜き装置は、保護膜を付着させる半導
体ウェーハの輪郭と同形でウェーハより大きめの空間を
限定する突出刃を有する移動板;半導体ウェーハの上面
を前記の突出刃よりも僅かに低い位置と僅かに高い位置
との間で上下させるウェーハ昇降手段;前記の移動板を
基台面上で間欠的に移動させる移動板駆動装置;前記の
基台面上の移動板の上方に帯状の保護膜を駆動する保護
膜駆動装置; 前記の移動板が一時停止した位置で帯状保護膜を前記の
移動板の突出刃に押しつける押圧装置;及び 帯状保護膜の送りと移動板の間欠移動とを同期させ、移
動板の停止と帯状薄膜の突出刃への押圧とウェーハの下
降とを同期させるよう前記の移動板駆動装置と保護膜駆
動装置と押圧装置とウェーハ昇降手段とを制御する制御
装置を備えている。
本発明の実施例を以下に添付図面を参照して詳細に説明
する。
ス」1殊 第1ないし第3図を参照して第1の実施例を説明する。
第1図において、土は移動板、2は突出刃、3はこの突
出刃が限定する半導体ウェーハの輪郭と同形で、ウェー
ハより大きめの空間である。第2図は第1図の移動板の
断面を示し、Wは突出刃2の限定空間に収容した半導体
ウェーハ、17はシリンダ、18はピストンでウェハの
昇降手段を構成する。16は帯状保護膜を示す。突出刃
2の先端が両方から刃をつけているのは、保護膜を反覆
して打抜いていると片刃の場合は間もな(刃が内側へ曲
がってきて保護膜の打抜きや、ウェーハの出し入れに支
障をきたすことになるからである。
第3図を参照する。iは昇降台、6は基台、7は移動板
上を基台面上で間欠的に移動させる移動板駆動装置であ
って、シリンダとこのシリンダからのび移動板上の縁面
へ固定されたピストンロッードとから成る。8はシリン
ダであり、9はそのシリンダからのびるピストンであっ
て移動板が一時停止した位置で帯状保護膜16を移動板
の突出刃2に押しつける押圧装置を構成している。10
.11は帯状保護膜を巻いているローラで、ローラ10
は保護膜を送り出す供給ロールであり、ローラ15は打
抜いた後の保護膜を取込む回収ローラである。12.1
3はウェーハ保護膜16を圧着するガイドローラである
0回収ローラ11はピニオン15を有しこのピニオンは
昇降台5の上昇位置でラック14と係合し、このラック
14は移動板駆動袋W7の動作と同期して回収ローラを
回動させて帯状保護膜16の打抜き部分を回収しガイド
ローラ12.13の間に新しい保護膜を配置する。
動作を説明する。第3図の移動板上の実線の位置で半導
体ウェーハを移動板の突出刃2の限定空間に落ち込む、
このとき半導体ウェーハWの上面は突出刃2よりも僅か
に低(なっている。次に上昇位置にある昇降金工のガイ
ドロール12.13の直下に移動板1を移動させるよう
シリンダ7に空気を送ってそのロンドをシリンダ7に引
込む。
このとき移動板1はウェーハ昇降手段17.18の直上
にある。シリンダ17に空気を送ってピストン18によ
りウェーハWを突出刃よりも僅かに高く押し上げる。昇
降台上を下降させて保護膜16を突出刃2とその中のウ
ェーハWの上からかぶせる(第2A図)。
次にシリンダ17に空気を送り、ピストン18を下降さ
せ、ウェーハWの上面が突出刃2よりも僅かに低いレベ
ルヘウエーハWを下降させる(第2B図)。
シリンダ8に空気を送り、ピストンを下降させて保護膜
16を突出刃2に押し付けてウェーハの周囲に沿って保
護膜を切断し、昇降台上を上昇させる。この状態でラッ
ク14とピニオン15とは係合する。シリンダ7に空気
を送ってロンドをシリンダ7から繰り出して移動板上を
前方の休止端まで押出す。これと同時にラック14もシ
リンダ7のロンドとは逆方向に動いて回収ロール11を
時計方向に回転させ、打抜いた膜部分を回収ローラ11
へ巻取る。保護膜を付着したウェーハを取除き、次に保
護膜を付着しようとするウェーハを突出刃の中へ落し込
む。以後は上述のプロセスを繰返す。
第4図は第2の実施例を示す。第1の実施例と共通の構
成要素には同じ参照番号と付し、その説明は省略する。
第1の実施例との相違は、第1の実施例は半導体ウェー
ハを1個づ\被膜していくのに対して第2の実施例は半
導体ウェーハを連続的に被膜していくことにある。この
ため連続処理しようとする数の半導体ウェーハと同数の
移動板上を一直線上につき合わせて配置するだけの長さ
の基台6を備え、この基台6の一端にシリンダ7とピス
トンとを配置し、ピストンの衝程を移動板の長さに等し
くしている。−線上に列んだ移動板はピストンの往復動
に応じて保護膜を打抜き付着させたウェーハを運ぶ移動
板をガイドローラ13の外へ押し出し、ピストン9の直
下に保護膜をかぶせた移動板を設定する。
第4図で7b、8b、17bはそれぞれシリンダ7.8
.17への空気供給を制御する電磁弁であり、19はこ
れらの電磁弁の切替動作を制御するカム機構である。動
作を説明する。加圧空気は電磁弁7bの下側ポートから
シリンダ7へ送られ、このシリンダのピストンはシリン
ダ7から操り出されて移動板1をその長さに相当する距
離だけ送り出す、移動板1はピストン9の直下、ピスト
ン18の直上まで進み、停止する。次に加圧空気は電磁
弁17bの下側ボートからシリンダ17に送られてピス
トン18を繰出してウェーハWの上面と保護膜16とを
接着させる(第2A図)。次にカム19は電磁弁17b
を付勢して流路を切替え、加圧空気は電磁弁17の上側
ポートからシリンダ17へ加えられてピストン18を繰
込み、ウェーハWの上面を突出刃2よりも僅かに下げる
(第2B図)0次に、加圧空気は電磁弁8bの下側ボー
トからシリンダ8に空気を送りピストン9を繰り出して
、突出刃2の周りで保護膜を打抜く。カム19は電磁弁
8bのスイッチを閉じて通路を切替え、加圧空気は電磁
弁8bの上側ポートからシリンダ8へ送られ、ピストン
9を移動板1から離す。
カム19は電磁弁7bのスイッチを閉じ、流路を切替え
て上側ボートから加圧空気をシリンダ7へ送り、ピスト
ンを繰込む。その後に生じた空間へ次の移動板上を設定
する。以後このプロセスを繰返す。
ウェーハ昇降手段としてはシリンダとピストンを使用し
たが、移動板の底を閉じて中央に小さい空気の噴出口を
設け、下から加圧空気を送ってウェーハWを突出刃2内
の空間で上下動させるようにしてもよい。
発明の効果 本発明によりウェーハに保護膜を付着する際のウェーハ
の位置決めは極めて容易となり、自動打抜き装置を現実
的価格で実現することができ、効率よくウェーハに保護
膜を接着することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は移動板の斜視図である。 第2図は移動板とウェーハ昇降手段との作動関係を示す
図で、第2A図はウェーハを高いレベルに移して保護膜
を付着させている状態を示し、第2B図はウェーハを低
いレベルに移して保護膜を打抜く用意ができた状態を示
す。 第3図は本発明の第1の実施例を示す略図である。 第4図は本発明の第2の実施例を示す略図である。 図中: 1・・・移動板 2・・・突出刃 3・・・突出刃が限定する空間 5・・・昇降台 6・・・基台 7.8.17・・・シリンダ 9.18・・・ピストン 10・・・供給ローラ 11・・・回収ローラ 12.13・・・ガイドローラ 14・・・ラック 15・・・ピニオン 16・・・保護膜 19・・・カム

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 保護膜を付着させる半導体ウェーハの輪郭と同形でウェ
    ーハより大きめの空間を限定する突出刃を有する移動板
    ; 半導体ウェーハの上面を前記の突出刃よりも僅かに低い
    位置と僅かに高い位置との間で上下させるウェーハ昇降
    手段; 前記の移動板を基台面上で間欠的に移動させる移動板駆
    動装置; 前記の基台面上の移動板の上方に帯状の保護膜を駆動す
    る保護膜駆動装置; 前記の移動板が一時停止した位置で帯状保護膜を前記の
    移動板の突出刃に押しつける押圧装置;及び 帯状保護膜の送りと移動板の間欠移動とを同期させ、移
    動板の停止と帯状薄膜の突出刃への押圧とウェーハの下
    降とを同期させるよう前記の移動板駆動装置と保護膜駆
    動装置と押圧装置とウェーハ昇降手段とを制御する制御
    装置 を備えたことを特徴とする半導体ウェーハの保護膜の自
    動打抜き装置。
JP61242744A 1986-10-13 1986-10-13 半導体ウエ−ハの保護膜の自動打抜き装置 Granted JPS6396907A (ja)

Priority Applications (1)

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JP61242744A JPS6396907A (ja) 1986-10-13 1986-10-13 半導体ウエ−ハの保護膜の自動打抜き装置

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JP61242744A JPS6396907A (ja) 1986-10-13 1986-10-13 半導体ウエ−ハの保護膜の自動打抜き装置

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JPS6396907A true JPS6396907A (ja) 1988-04-27
JPH0116012B2 JPH0116012B2 (ja) 1989-03-22

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US6852241B2 (en) 2001-08-14 2005-02-08 Lexmark International, Inc. Method for making ink jet printheads
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JP2009212173A (ja) * 2008-03-03 2009-09-17 Csun Mfg Ltd ウエハフィルム裁断装置
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CN102189736A (zh) * 2010-02-03 2011-09-21 志圣工业股份有限公司 晶圆压膜机切膜机构
CN107200301A (zh) * 2017-05-23 2017-09-26 中国科学院微电子研究所 一种mems晶片的贴膜对准装置

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