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JPS6381937A - Bonding device - Google Patents

Bonding device

Info

Publication number
JPS6381937A
JPS6381937A JP61226050A JP22605086A JPS6381937A JP S6381937 A JPS6381937 A JP S6381937A JP 61226050 A JP61226050 A JP 61226050A JP 22605086 A JP22605086 A JP 22605086A JP S6381937 A JPS6381937 A JP S6381937A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
semiconductor pellet
bonded
stage
bonding stage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61226050A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Minoru Sakamoto
稔 坂本
Toshikazu Oshino
押野 利和
Michio Okamoto
道夫 岡本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP61226050A priority Critical patent/JPS6381937A/en
Publication of JPS6381937A publication Critical patent/JPS6381937A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

PURPOSE:To avoid the inclination of a first article to be bonded resulting from the interposition of a foreign matter, and to obtain the result of uniform bonding by notching a groove to the surface of a bonding stage being in contact with the first article to be bonded and capturing the foreign matter to the notched groove. CONSTITUTION:Latticed grooves 2b and grooves 3b are each notched to the upper surfaces of bonding stages 2 and 3, foreign matters, etc., interposed among the bonding stages 2 and 3 and a semiconductor pellet 6 placed on the bonding stages 2 and 3 are captured into these grooves 2b, 3b, and foreign matters, etc., are not projected to the upper surfaces of the bonding stages 2 and 3, thus keeping an article to be bonded from both sides at all times by the attitude of the semiconductor pellet 6 placed on the bonding stages 2 and 3 without being affected by the interposition, etc. of foreign matters, etc., then precisely positioning the article to be bonded to the bonding stages 2 or 3.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ボンディング技術、特に、半導体装置の製造
における組立工程において、半導体ペレットに設けられ
た複数のバンプとテープキャリヤに保持された複数のイ
ンナリードとを一括して接続するインナリードボンディ
ングに適用して有効な技術に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to bonding technology, particularly in the assembly process in the manufacture of semiconductor devices, in which a plurality of bumps provided on a semiconductor pellet and a plurality of bumps held on a tape carrier are bonded. The present invention relates to a technology that is effective when applied to inner lead bonding that connects inner leads together.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

半導体装置の製造における組立工程で実施されるインナ
リードボンディングについては、株式会社工業腿査会、
昭和60年11月lO日発行、「電子材料J 1985
年11月号別冊、P145〜P149に記載されている
Regarding inner lead bonding performed in the assembly process in the manufacture of semiconductor devices,
Published November 1985, “Electronic Materials J 1985
It is described on pages 145 to 149 of the November issue, special edition.

その概要は、平坦なボンディングステージの上に、真空
吸着などによって、バンプが突設された面を上にして半
導体ベレットを固定し、このバンプの上にテープキャリ
ヤに保持された複数のインナリードをそれぞれ重ね合わ
せた後、ボンディングステージの直上に設けられたボン
ディング工具を降下させて押圧することにより、半導体
ベレフトの複数のバンプと複数のインナリードとが一括
してボンディングされるようにしたものである。
The outline of the process is to fix a semiconductor pellet on a flat bonding stage using vacuum suction or the like with the bumped side facing up, and then place multiple inner leads held on a tape carrier on top of the bumps. After overlapping each other, a bonding tool provided directly above the bonding stage is lowered and pressed, thereby bonding the plurality of bumps on the semiconductor bottom and the plurality of inner leads all at once. .

この場合、ボンディングステージに載置される半導体ベ
レットとボンディング工具との平行度を維持することが
、ボンディング工具に対する片当たりなどを防止し、半
導体ベレットに形成された複数のバンプに複数のインナ
リードを過不足なく押圧して均一なボンディング結果を
得るなどの観点から重要となる。
In this case, maintaining parallelism between the semiconductor pellet placed on the bonding stage and the bonding tool prevents uneven contact with the bonding tool, and allows multiple inner leads to be attached to multiple bumps formed on the semiconductor pellet. This is important from the viewpoint of obtaining uniform bonding results by pressing just the right amount.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

ところが、上記のように、半導体ベレットが載置される
ボンディングステージが平坦である場合には、半導体ベ
レットとボンディングステージとの間に異物などが介在
する際に、半導体ベレットがボンディング工具に対して
傾斜した状態となることが避けられず、半導体ベレット
に設けられた複数のバンプと複数のインナリードとの間
にボンディング工具から作用される押圧力に過不足を生
じる結果、一部のバンプとインナリードとの間のボンデ
ィング不良が発生したり過大な押圧力の作用によって半
導体ベレットが損傷されるなどの問題があることを本発
明者は見い出した。
However, as mentioned above, if the bonding stage on which the semiconductor pellet is placed is flat, the semiconductor pellet may be tilted with respect to the bonding tool when a foreign object is present between the semiconductor pellet and the bonding stage. As a result, the pressing force applied from the bonding tool between the plurality of bumps provided on the semiconductor pellet and the plurality of inner leads is too large or too small, resulting in some of the bumps and inner leads The inventors of the present invention have discovered that there are problems such as defective bonding between the semiconductor pellets and damage to the semiconductor pellets due to excessive pressing force.

本発明の目的は、第1の被ボンディング物と第2の被ボ
ンディング物との間で均一なボンディング結果を得るこ
とが可能なボンディング技術を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a bonding technique that can obtain uniform bonding results between a first object to be bonded and a second object to be bonded.

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すfjわち、ボンディングステージに載置された第1の
被ボンディング物に第2の被ボンディング物を重ね合わ
せ、ボンディングステージとこのボンディングステージ
に対向して配設されたボンディング工具とによって挟圧
することによりボンディングを行うボンディング装置で
、第1の被ボンディング物に接するボンディングステー
ジの表面に溝を刻設したものである。
That is, a second object to be bonded is superimposed on a first object to be bonded placed on a bonding stage, and the second object to be bonded is placed under pressure by the bonding stage and a bonding tool disposed opposite to the bonding stage. This is a bonding device that performs bonding using a bonding method, and grooves are carved on the surface of the bonding stage that contacts the first object to be bonded.

〔作用〕[Effect]

上記した手段によれば、たとえば第1の被ボンディング
物とボンディングステージとの間に介在する異物が、ボ
ンディングステージの表面に刻設された溝に捕捉されて
外部に突出しないので、ボンディングステージとの間に
異物が介在することなどに起因して第1の被ボンディン
グ物が傾斜することが回避され、第1の被ボンディング
物の各部と第2の被ボンディング物とがボンディングス
テージとボンディング工具との間で過不足なく挟圧され
る結果、均一なボンディング結果を得ることができる。
According to the above-mentioned means, foreign matter interposed between the first object to be bonded and the bonding stage, for example, is caught in the groove carved on the surface of the bonding stage and does not protrude to the outside. The first object to be bonded is prevented from being tilted due to the presence of foreign matter between them, and each part of the first object to be bonded and the second object to be bonded are connected to the bonding stage and the bonding tool. A uniform bonding result can be obtained as a result of being pressed just the right amount between them.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は、本発明の一実施例であるボンディング装置の
要部を示す断面図であり、第2図はその平面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing the main parts of a bonding apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view thereof.

水平面内において回転自在な回転テーブル1の上には、
該回転テーブル1の回転中心を介して対向する位置に、
ボンディングステージ2およびボンディングステージ3
が配設されている。
On the rotary table 1, which is rotatable in a horizontal plane,
At a position facing the rotation center of the rotary table 1,
Bonding stage 2 and bonding stage 3
is installed.

そして、回転テーブル1が1/2回転する毎に、ボンデ
ィングステージ2および3が、位置決め位tAからボン
ディング位iBに逐次移動されるように構成されている
The bonding stages 2 and 3 are configured to be sequentially moved from the positioning position tA to the bonding position iB every time the rotary table 1 rotates by 1/2.

位置決め位置Aには、水平方向に対向して設けられた一
対の補正爪4および補正爪5が配設されており、回転テ
ーブル1の位置決め位置Aに停止されるボンディングス
テージ2または3の中央部に、図示しない供給アームな
どによって、外部から個々に供給される半導体ベレット
6 (第10被ボンディング物)を両側から挟持するこ
とにより、ボンディングステージ2または3に対する精
密な位置決めが行われるものである。
At the positioning position A, a pair of correction claws 4 and 5 which are provided facing each other in the horizontal direction are arranged, and the center part of the bonding stage 2 or 3 stopped at the positioning position A of the rotary table 1. Precise positioning with respect to the bonding stage 2 or 3 is performed by holding the semiconductor pellets 6 (tenth bonding object) individually supplied from the outside from both sides by a supply arm (not shown) or the like.

さらに、ボンディングステージ2および3の中央部には
、所定の真空源に連通された真空吸着孔2aおよび真空
吸着孔3aがそれぞれ設けられており、位置決め位置へ
においてボンディングステージ2または3の上に位置決
めされた半導体ペレット6の位置が真空吸着によって安
定に維持されるように構成されている。
Furthermore, vacuum suction holes 2a and vacuum suction holes 3a, which are connected to a predetermined vacuum source, are provided in the central parts of the bonding stages 2 and 3, respectively, so that the bonding stages 2 or 3 can be positioned on top of the bonding stages 2 or 3 to the positioning position. The structure is such that the position of the semiconductor pellet 6 is stably maintained by vacuum suction.

また、位置決め位置Aにおいては、半導体ペレット6は
、該半導体ペレット6の内部に形成されている図示しな
い半導体集積回路と外部との電気的な接続などを行うべ
く周辺部に突設された複数のバンプ6aを上にした姿勢
でボンディングステージ2または3の上に供給されてい
る。
In addition, at the positioning position A, the semiconductor pellet 6 has a plurality of protruding holes provided on its periphery to electrically connect the semiconductor integrated circuit (not shown) formed inside the semiconductor pellet 6 with the outside. It is supplied onto the bonding stage 2 or 3 with the bump 6a facing upward.

一方、ボンディング位置已におけるボンディングステー
ジ2または3の直上部には、先端部がボンディングステ
ージ2または3に対して平行に対向されるボンディング
工具7が昇降自在に設けられている。
On the other hand, directly above the bonding stage 2 or 3 at the bonding position, a bonding tool 7 whose tip part faces parallel to the bonding stage 2 or 3 is provided so as to be movable up and down.

さらに、ポンディング位置已においてボンディング工具
7とボンディングステージ2または3との間には、たと
えばポリイミド樹脂などからなるテープキャリヤ8が通
過されるようになっている。
Further, a tape carrier 8 made of, for example, polyimide resin is passed between the bonding tool 7 and the bonding stage 2 or 3 at the bonding position.

このテープキャリヤ8の中央には長さ方向に所定のピッ
チで開口部8aが形成されており、この開口部8aの内
部には、該テープキャリヤ8にフォトリングラフィなど
によって所定のパターンに形成されて保持される複数の
インナリード9 (第2の被ボンディング物)が所定の
間隔で水平に突設されている。
Openings 8a are formed in the center of the tape carrier 8 at a predetermined pitch in the length direction, and inside the openings 8a, a predetermined pattern is formed on the tape carrier 8 by photolithography or the like. A plurality of inner leads 9 (second bonding target) held by the inner leads 9 are horizontally protruded at predetermined intervals.

テープキャリヤ80両側端の長さ方向には、所定のピッ
チでパーフォレーション8bが形成されており、図示し
ない送り爪などに嵌合されることによって、ボンディン
グ位置已におけるボンディングステージ2または3の上
に保持された半導体ペレット6に対してテープキャリヤ
8の開口部8aが一致するように逐次送り動作が行われ
、この開口部8aの内部に水平に突出された複数のイン
ナリード9の端部が半導体ペレット60周辺部に突設さ
れた複数のバンプ6aにそれぞれ重なるように位置決め
動作が行われるものである。
Perforations 8b are formed at a predetermined pitch in the longitudinal direction of both ends of the tape carrier 80, and are held on the bonding stage 2 or 3 at the bonding position by being fitted with a feeding claw (not shown) or the like. The semiconductor pellet 6 is sequentially fed so that the opening 8a of the tape carrier 8 is aligned with the semiconductor pellet 6, and the ends of the plurality of inner leads 9 that protrude horizontally into the opening 8a are aligned with the semiconductor pellet 6. The positioning operation is performed so as to overlap each of the plurality of bumps 6a protruding from the periphery of the bumps 60.

そして、ボンディングステージ3または2に対してボン
ディング工具7を降下させ、半導体ペレット6の複数の
バンプ6aと該複数のバンプ6aにそれぞれ重なり合う
ように位置決めされた複数のインナリード9とを挟圧す
るとともに、ボンディング工具7に通電して所定の温度
に加熱することにより、複数のインナリード9に対して
半導体ペレット6の複数のバンプ6aがそれぞれ一括し
てボンディングされるものである。
Then, the bonding tool 7 is lowered with respect to the bonding stage 3 or 2, and the plurality of bumps 6a of the semiconductor pellet 6 and the plurality of inner leads 9 positioned so as to overlap the plurality of bumps 6a are pressed together, By applying electricity to the bonding tool 7 and heating it to a predetermined temperature, the plurality of bumps 6a of the semiconductor pellet 6 are individually bonded to the plurality of inner leads 9 at once.

ボンディング工具7の周囲には、テープキャリヤ押さえ
7aが配設されており、ボンディング工具7よりも先に
降下することにより、該ボンディング工具7による押圧
動作に先立って、半導体ペレット6の複数のバンプ6a
に対するテープキャリヤ8の複数のインナリード90重
ね合わせ状態が安定化される構造とされている。
A tape carrier presser 7a is disposed around the bonding tool 7, and by descending before the bonding tool 7, the plurality of bumps 6a of the semiconductor pellet 6 are removed before the pressing operation by the bonding tool 7.
The structure is such that the overlapping state of the plurality of inner leads 90 of the tape carrier 8 against the tape carrier 8 is stabilized.

この場合、ボンディングステージ2およびボンディング
ステージ3において、半導体ペレット6に接する上面に
は、中央部に設けられた真空吸着孔2aおよび真空吸着
孔3aに干渉しないように格子状に溝2bおよび溝3b
がそれぞれ刻設されている。
In this case, in the bonding stage 2 and the bonding stage 3, grooves 2b and 3b are formed in a lattice pattern on the upper surface in contact with the semiconductor pellet 6 so as not to interfere with the vacuum suction holes 2a and 3a provided in the center.
are engraved on each.

そして、たとえば半導体ペレット6に付着するなどして
ボンディングステージ2およびボンディングステージ3
の上面に持ち込まれ、該ボンディングステージ2または
3と半導体ペレット6との間に介在する異物などを前記
の溝2bおよび溝3bの中に捕捉することにより、異物
なとが介在することに起因してボンディングステージ2
または3に載置される半導体ペレット6がボンディング
工具などに対して傾斜した状態となることが回避され、
ボンディングステージ2またはボンディングステージ3
とボンディング工具7とによって行われる半導体ペレッ
ト6の複数のバンプ6aと複数のインナリード9との挟
圧動作が各部において均一に行われるものである。
Then, for example, by adhering to the semiconductor pellet 6, the bonding stage 2 and the bonding stage 3
Foreign matter brought to the upper surface and interposed between the bonding stage 2 or 3 and the semiconductor pellet 6 is captured in the grooves 2b and 3b, thereby eliminating the presence of foreign matter. bonding stage 2
Alternatively, the semiconductor pellet 6 placed on the substrate 3 is prevented from being tilted with respect to the bonding tool, etc.
Bonding stage 2 or bonding stage 3
The pinching operation between the plurality of bumps 6a of the semiconductor pellet 6 and the plurality of inner leads 9 performed by the bonding tool 7 and the bonding tool 7 is uniformly performed at each portion.

以下、本実施例の作用について説明する。The operation of this embodiment will be explained below.

まず、第1図のように、回転テーブル1が1/2回転す
ることによって、該回転テーブル1の位置決め位iAに
はボンディングステージ2が位置され、ボンディング位
2Bにはボンディングステージ3が位置される。
First, as shown in FIG. 1, by rotating the rotary table 1 by 1/2, the bonding stage 2 is positioned at the positioning position iA of the rotary table 1, and the bonding stage 3 is positioned at the bonding position 2B. .

なお、ボンディングステージ2およびボンディングステ
ージ3においては回転テーブル1の回転によって交互に
同じ作業が行われるので、便宜上、ボンディングステー
ジ2の動作に着目して全体の動作を説明する。
Incidentally, since the same work is performed alternately on the bonding stage 2 and the bonding stage 3 by rotating the rotary table 1, for convenience, the overall operation will be explained focusing on the operation of the bonding stage 2.

位置決め位置Aに停止されたボンディングステージ2の
上には、図示しない供給アームなどを介して外部から供
給される半導体ベレット6が複数のバンプ6aを上にし
た姿勢で中央の所定の位Iに載置され、真空吸着孔2a
によって保持される。
On the bonding stage 2 stopped at the positioning position A, a semiconductor pellet 6 supplied from the outside via a supply arm (not shown) is placed at a predetermined central position I with the plurality of bumps 6a facing upward. vacuum suction hole 2a
held by.

その後、ボンディングステージ2に載置された半導体ベ
レット6は、両側から一対の補正型4および5に挟持さ
れて水平方向に微動されることにより該ボンディングス
テージ2に対してさらに精確に位置決めされる。
Thereafter, the semiconductor pellet 6 placed on the bonding stage 2 is held between the pair of correction molds 4 and 5 from both sides and moved slightly in the horizontal direction, thereby positioning the semiconductor pellet 6 more precisely with respect to the bonding stage 2.

この時、たとえば半導体ベレット6が補正型4および5
によって挟持される際などに発生され、該半導体ベレッ
ト6とボンディングステージ2との間に介在される異物
などは、半導体ベレット6が水平方向に微動される際な
どにボンディングステージ2の表面に刻設された溝2b
に捕捉され、該ボンディングステージ2との間に異物な
どが介在することに起因して半導体ベレット6が水平な
姿勢から傾斜することが防止される。
At this time, for example, the semiconductor pellet 6 is connected to the correction molds 4 and 5.
Foreign matter that is generated when the semiconductor pellet 6 is held between the semiconductor pellets 6 and the bonding stage 2 and is interposed between the semiconductor pellet 6 and the bonding stage 2 is engraved on the surface of the bonding stage 2 when the semiconductor pellet 6 is slightly moved in the horizontal direction. Groove 2b
This prevents the semiconductor pellet 6 from tilting from a horizontal position due to the presence of foreign matter or the like between the semiconductor pellet 6 and the bonding stage 2.

次に、回転テーブル1は1/2回転され、異物などの影
響を受けることなく水平な姿勢で半導体ベレット6が載
置されたボンデインクステージ2はボンディング位置已
に移動して停止され、同時にボンディングステージ3は
位置決め位置Aに停止される。
Next, the rotary table 1 is rotated 1/2, and the bonding stage 2 on which the semiconductor pellet 6 is placed in a horizontal position without being affected by foreign objects is moved to the bonding position and stopped, and at the same time the bonding stage 2 is moved to the bonding position and stopped. Stage 3 is stopped at positioning position A.

この時、ボンディング位置已においては、テープキャリ
ヤ8が所定のピッチだけ前進し、開口部8aがボンディ
ングステージ2に水平に載置された半導体ベレット6の
位置に一致して停止され、半導体ベレット6の複数のバ
ンプ6aに対して、テープキャリヤ8の開口部8aに突
設された複数のインナリード9の端部がそれぞれ重なり
合うように位置決めされる。
At this time, beyond the bonding position, the tape carrier 8 moves forward by a predetermined pitch, stops when the opening 8a coincides with the position of the semiconductor pellet 6 placed horizontally on the bonding stage 2, and The ends of the plurality of inner leads 9 protruding from the openings 8a of the tape carrier 8 are positioned so as to overlap with the plurality of bumps 6a.

そして、テープキャリヤ押さえ7aが降下して前記の複
数のバンプ6aに対する複数のインナリード9の重なり
状態が安定にされた後、ボンディング工具7が降下し、
複数のバンプ6aに対して複数のインナリード9をそれ
ぞれ過不足なく押圧すると同時に、通電によってボンデ
ィング工具7が所定の温度に加熱され、半導体ベレット
6の複数のバンプ6aとテープキャリヤ8に保持された
複数のインナリード9とが、それぞれ均一な押圧力で一
括してボンディングされる。
Then, after the tape carrier presser 7a is lowered and the overlapping state of the plurality of inner leads 9 with respect to the plurality of bumps 6a is stabilized, the bonding tool 7 is lowered,
At the same time as pressing the plurality of inner leads 9 against the plurality of bumps 6a, the bonding tool 7 is heated to a predetermined temperature by energization, and is held by the plurality of bumps 6a of the semiconductor pellet 6 and the tape carrier 8. The plurality of inner leads 9 are bonded together with uniform pressing force.

次に、ボンディング工具7およびテープキャリヤ押さえ
7aが上昇し、ボンディング工具7による押圧状態が解
除された後、テープキャリヤ8および該テープキャリヤ
8に保持された複数のインナリード9に複数のバンプ6
aを介してボンディングされた半導体ベレット6は所定
のピッチだけ前進してボンディング部Bの外部に移動さ
れる。
Next, the bonding tool 7 and the tape carrier presser 7a are raised, and after the pressing state by the bonding tool 7 is released, a plurality of bumps 6 are formed on the tape carrier 8 and the plurality of inner leads 9 held by the tape carrier 8.
The semiconductor pellet 6 bonded via a is advanced by a predetermined pitch and moved to the outside of the bonding part B.

同時に、回転テーブル1は1/2回転され、載置された
半導体ベレット6のボンディングを完了したボンディン
グステージ2は位置決め位置Aに移動されるとともに、
位置決め位RAにおいて半導体ベレット6が載置された
ボンディングステージ3はボンディング位置Bに移動さ
れる。
At the same time, the rotary table 1 is rotated 1/2, and the bonding stage 2, which has completed bonding of the mounted semiconductor pellet 6, is moved to the positioning position A.
The bonding stage 3 on which the semiconductor pellet 6 is placed at the positioning position RA is moved to the bonding position B.

上記の一連の操作を逐次繰り返すことにより、テープキ
ャリヤ8に保持された複数組のインナリード9に対する
複数の半導体ベレット6のボンディングが連続的に行わ
れる。
By sequentially repeating the series of operations described above, bonding of a plurality of semiconductor pellets 6 to a plurality of sets of inner leads 9 held on a tape carrier 8 is performed continuously.

このように、本実施例においては、ボンディングステー
ジ2および3の上面に格子上の溝2bおよび溝3bがそ
れぞれ刻設されており、該ボンディングステージ2およ
び3に載置される半導体ベレット6との間に介在する異
物な2がこれろの溝2b、3b内に捕捉され、x物など
がボンディングステージ2および3の上面に突出しない
ように構成されているため、異物などの介在などに影響
されることなく、ボンデインクステージ2および3に載
置される半導体ベレット6の姿勢が常にボンディング工
具7に対して平行となる結果、ボンディング工具7とボ
ンディングステージ2または3とによって半導体ペレッ
ト6の複数のバンプ6al数のインナリード9とを挟圧
する際に、ボンディング工具7による個々のバンプ6a
に対する個々のインナリード9の押圧力に偏りなどを生
じることなく、均一なボンディング結果を得ることがで
きる。
As described above, in this embodiment, the grooves 2b and 3b on the lattice are carved on the upper surfaces of the bonding stages 2 and 3, respectively, and the semiconductor pellets 6 placed on the bonding stages 2 and 3 are connected to each other. Foreign objects 2 interposed between the bonding stages 2 and 3 are captured in these grooves 2b and 3b, and the structure is configured so that objects such as x do not protrude onto the upper surfaces of the bonding stages 2 and 3, so that the bonding stages 2 and 3 are not affected by the presence of foreign objects. As a result, the posture of the semiconductor pellet 6 placed on the bonding stages 2 and 3 is always parallel to the bonding tool 7, so that the semiconductor pellet 6 is When pressing the inner leads 9 with the number of bumps 6al, each bump 6a is pressed by the bonding tool 7.
Uniform bonding results can be obtained without unevenness in the pressing force of the individual inner leads 9 against each other.

なお、上記の説明では、ボンディングステージ2および
3の上面に格子状の溝2bおよび溝3bを刻設した場合
について説明したが、それに限らず、第3図に示される
ように、同心円状に溝2Cおよび溝3Cを刻設してもよ
く、さらに第4図に示されるように螺旋状に溝2dおよ
び溝3dを刻設してもよいものである。
In the above description, the case where the grooves 2b and 3b in a lattice shape are carved on the upper surfaces of the bonding stages 2 and 3 is explained, but the present invention is not limited to this, and as shown in FIG. The grooves 2C and 3C may be carved, or the grooves 2d and 3d may be formed spirally as shown in FIG.

このように、本実施例においては以下の効果を得ること
ができる。
In this way, the following effects can be obtained in this embodiment.

(1)、半導体ペレット6に接するボンディングステー
ジ2および3の表面に格子状の溝2bおよび溝3bがそ
れぞれが刻設されているため、載置される半導体ペレッ
ト6との間に介在する異物などが溝2bおよび溝3bに
捕捉され、ボンディングステージ2および3の上面に突
出しないので、異物などの介在などに影響されることな
く、ボンディングステージ2および3に載置される半導
体ペレット6の姿勢がボンディング工具7に対して常に
平行となる結果、ボンディング工具7とボンディングス
テージ2または3とによって半導体ペレット6の複数の
バンプ6aと複数のインナリード9とを挟圧する際に、
ボンディング工具7による個々のバンプ6aに対する個
々のインナリード9の押圧力に偏りなどを生じることな
く、均一なボンディング結果を得ることができる。
(1) Since lattice-shaped grooves 2b and 3b are respectively carved on the surfaces of bonding stages 2 and 3 that are in contact with semiconductor pellet 6, foreign matter intervening between the semiconductor pellet 6 and the semiconductor pellet 6 to be placed, etc. The semiconductor pellet 6 is captured in the grooves 2b and 3b and does not protrude from the top surface of the bonding stages 2 and 3, so the posture of the semiconductor pellet 6 placed on the bonding stages 2 and 3 is maintained without being affected by intervening foreign objects. As a result of being always parallel to the bonding tool 7, when the plurality of bumps 6a of the semiconductor pellet 6 and the plurality of inner leads 9 are pinched by the bonding tool 7 and the bonding stage 2 or 3,
Uniform bonding results can be obtained without biasing the pressing force of the individual inner leads 9 against the individual bumps 6a by the bonding tool 7.

(2)、前記(1)の結果、半導体ペレット6の複数の
バンプ6aと複数のインナリード9とのボンディングの
信頼性が向上され、半導体装置の組立工程における歩留
りが向上される。
(2) As a result of (1) above, the reliability of bonding between the plurality of bumps 6a of the semiconductor pellet 6 and the plurality of inner leads 9 is improved, and the yield in the semiconductor device assembly process is improved.

(3)、前記(1)の結果、ボンディング時のボンディ
ング工具7の片当たりなどに起因して半導体ペレット6
が損傷されることが防止され、半導体装置の組立工程に
おける歩留りが向上される。
(3) As a result of (1) above, the semiconductor pellet 6 may be damaged due to uneven contact of the bonding tool 7 during bonding.
This prevents the semiconductor device from being damaged and improves the yield in the semiconductor device assembly process.

(4)、前記(1)の結果、異物などが介在することに
起因してボンディングステージ2および3に対する半導
体ペレット6の密着状態が低下することに起因して真空
吸着による保持力が低下することが防止され、ボンディ
ングステージ2および3に対する半導体ペレット6の位
置決め精度が向上される。
(4) As a result of (1) above, the adhesion state of the semiconductor pellet 6 to the bonding stages 2 and 3 is reduced due to the presence of foreign matter, and the holding force due to vacuum suction is reduced. is prevented, and the positioning accuracy of the semiconductor pellet 6 with respect to the bonding stages 2 and 3 is improved.

(5)、前記(1)〜(4)の結果、半導体装置の製造
における生産性が向上される。
(5) As a result of (1) to (4) above, productivity in manufacturing semiconductor devices is improved.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Nor.

たとえば、回転テーブルに設けられるボンディングステ
ージの数は、1tたは3以上でもよい。
For example, the number of bonding stages provided on the rotary table may be 1t or 3 or more.

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装置の組立に
おけるインナリードボンディングに適用した場合につい
て説明したが、これに限定されるものではなく、ボンデ
ィングステージに載置される被ボンディング物のボンデ
ィング工具に対する平行度が重要となるボンディング技
術などに広く適用できる。
In the above explanation, the invention made by the present inventor was mainly applied to inner lead bonding in the assembly of semiconductor devices, which is the background field of application. It can be widely applied to bonding techniques where the parallelism of the bonding object placed on the bonding tool to the bonding tool is important.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、ボンディングステージに載置された第1の被
ボンディング物に第2の被ボンディング物を重ね合わせ
、前記ボンディングステージと該ボンディングステージ
に対向して配設されたボンディング工具とによって挟圧
することによりボンディングを行うボンディング装置で
あって、前記第1の被ボンディング物に接する前記ボン
ディングステージの表面に溝が刻設されているため、た
とえば第1の被ボンディング物とボンディングステージ
との間に介在する異物が、ボンディングステージの表面
に刻設された溝に捕捉されて外記に突出しないので、ボ
ンディングステージとの間に異物が介在することなどに
起因して第1の被ボンディング物が傾斜することが回避
され、第1の被ボンディング物の各部と第2の被ボンデ
ィング物とがボンディングステージとボンディング工具
との間で過不足なく挟圧される結果、均一なボンディン
グ結果を得ることができる。
That is, bonding is performed by superimposing a second object to be bonded on a first object to be bonded placed on a bonding stage and compressing the object between the bonding stage and a bonding tool disposed opposite to the bonding stage. In this bonding apparatus, a groove is carved on the surface of the bonding stage that is in contact with the first object to be bonded, so that, for example, foreign matter interposed between the first object to be bonded and the bonding stage is Since it is captured by the groove carved on the surface of the bonding stage and does not protrude outward, the first object to be bonded is prevented from tilting due to foreign matter interposed between it and the bonding stage. As a result, each part of the first object to be bonded and the second object to be bonded are pressed between the bonding stage and the bonding tool in just the right amount, so that a uniform bonding result can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例であるボンディング装置の要
部を示す断面図、 第2図はその平面図、 第3図はボンディングステージに刻設される溝の形状の
他の例を示す平面図、 第4図は同じく溝の形状のさらに他の例を示す平面図で
ある。 1・・・回転テーブル、2・・・ボンディングステージ
、2a・・・真空吸着孔、2b・・・格子状の溝、2C
・・・同心円状の溝、2d・・・螺旋状の溝、3・・・
ボンディングステージ、3a・・・真空吸着孔、3b・
・・格子状の溝、3C・・・同心円状の溝、3d・・・
螺旋状の溝、4.5・・・補正型、6・・・半導体ペレ
ット(第1の被ボンディング物)、6a・・・バンプ、
7・・・ボンディング工具、8・・・テープキャリヤ、
8a・・・開口部、9・・・インナリード、A・・・位
置決め位置、B・・・ボンディング位置。 第  1  図 C−イ躊r年′へ゛し・ソト 第 2 勾
FIG. 1 is a cross-sectional view showing the main parts of a bonding device that is an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view thereof, and FIG. 3 is a diagram showing another example of the shape of the groove carved in the bonding stage. Plan view FIG. 4 is a plan view showing still another example of the shape of the groove. 1... Rotary table, 2... Bonding stage, 2a... Vacuum suction hole, 2b... Grid-shaped groove, 2C
... Concentric groove, 2d... Spiral groove, 3...
Bonding stage, 3a...vacuum suction hole, 3b...
...Lattice groove, 3C...Concentric groove, 3d...
Spiral groove, 4.5... Correction type, 6... Semiconductor pellet (first object to be bonded), 6a... Bump,
7... Bonding tool, 8... Tape carrier,
8a... Opening, 9... Inner lead, A... Positioning position, B... Bonding position. Figure 1 - Year 2 - Year 2

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、ボンディングステージに載置された第1の被ボンデ
ィング物に第2の被ボンディング物を重ね合わせ、前記
ボンディングステージと該ボンディングステージに対向
して配設されたボンディング工具とによって挟圧するこ
とによりボンディングを行うボンディング装置であって
、前記第1の被ボンディング物に接する前記ボンディン
グステージの表面に溝が刻設されていることを特徴とす
るボンディング装置。 2、前記溝が格子状に刻設されていることを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載のボンディング装置。 3、前記溝が同心円状に刻設されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載のボンディング装置。 4、前記溝が螺旋状に刻設されていることを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載のボンディング装置。 5、前記第1および第2の被ボンディング物が、それぞ
れ半導体ペレットおよびテープキャリヤに保持された複
数のインナリードであり、該複数のインナリードと前記
半導体ペレットに突設される複数のバンプとを一括して
接続するインナリードボンダであることを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載のボンディング装置。
[Claims] 1. A second object to be bonded is superimposed on a first object to be bonded placed on a bonding stage, and the bonding stage and a bonding tool disposed opposite to the bonding stage are connected to each other. 1. A bonding apparatus that performs bonding by applying pressure by pressing, said bonding apparatus characterized in that a groove is carved in a surface of said bonding stage that is in contact with said first object to be bonded. 2. The bonding device according to claim 1, wherein the grooves are carved in a grid pattern. 3. The bonding device according to claim 1, wherein the grooves are carved concentrically. 4. The bonding device according to claim 1, wherein the groove is carved in a spiral shape. 5. The first and second objects to be bonded are a plurality of inner leads held by a semiconductor pellet and a tape carrier, respectively, and the plurality of inner leads and a plurality of bumps protruding from the semiconductor pellet are connected to each other. 2. The bonding apparatus according to claim 1, wherein the bonding apparatus is an inner lead bonder that connects all at once.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5765277A (en) * 1995-09-30 1998-06-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Die bonding apparatus with a revolving pick-up tool

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5765277A (en) * 1995-09-30 1998-06-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Die bonding apparatus with a revolving pick-up tool

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