JPS6352696B2

JPS6352696B2 -

Info

Publication number: JPS6352696B2
Application number: JP55156576A
Authority: JP
Inventors: Shoichi Tanimoto; Kazunori Imamura
Original assignee: Nippon Kogaku KK
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1980-11-07
Filing date: 1980-11-07
Publication date: 1988-10-19
Also published as: JPS5780546A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は微小なゴミ等の異物を自動的に検査す
る装置に関し、特に、LSI用フオトマスク、レテ
イクル、又はウエハ等の表面、あるいはマスクや
レチクルと平行に張設された薄膜表面に付着した
異物の自動検出の装置に関するものである。

LSI用フオトマスクやウエハを製造する過程に
おいて、レテイクル、ウエハ、マスク等に異物が
付着することがあり、これらの異物は製造された
マスク、ウエハの回路パターンの欠陥原因とな
る。特に縮小投影型のパターン焼付け装置におい
ては、この欠陥は各マスク、ウエハの全チツプに
共通の欠陥として現われるため製造開始前に厳重
に検査する必要がある。このために目視による検
査を行なえば、通常何時間にもおよび作業者の疲
労をさそい、検査能率の低下をきたす。そこで、
回路パターンのない被検査物の場合は平行収束し
た光ビーム、例えばレーザ光を比較的上方より被
検査物に照射して、異物による乱反射光を集光し
て異物検出を行なう方法が知られている。又、回
路パターンを有する被検査物の場合、前記の方法
と同様にレーザ光を照射して乱反射光を様々な方
向から集光し、異物検査を行なうことも提案され
ている。（例えば、特開昭54―128682記載の異物
自動検出装置）。しかし、いづれの場合でも以下
のように多くの欠点が存在する。

まず、被検査物の表面（以下、被検査物と称す
る）の全面を調べるのに、レーザ光を被検査面上
で走査して検出する、いわゆるレーザ光走査式を
用いたものでは、往復運動や回転運動を伴うこと
が多く必然的に精密機械のもつとも嫌う振動が避
けがたくなり、又耐久性に関しても問題があつ
た。さらに、複雑なレーザ光路が必要になり装置
が複雑、大型になり、又走査部品を使わねばなら
ないのでコストが高くなつていた。さらに、レー
ザ光の被検査面上での走査位置を定めることがむ
ずかしく、これも装置の複雑化やコストアツプに
つながつていた。又、回路パターンを有する被検
査物の場合、レーザ光を被検査面にほぼ垂直に照
射して、被検査面上を小区域（スポツト領域）ず
つ走査することから、検査時間が必然的に長くな
つてしまうという欠点があつた。

そこで本発明の目的は、以上の欠点を解決し
た、被検査物上に存在する異物の位置を確実に速
くしかも簡単に検出する装置を提供することにあ
る。

この目的を達成するにあたり、本発明において
は以下のように構成した。

被検査物の表面に、ほぼ平行な光ビーム、例え
ばレーザ光源や水銀ランプ等を用いて細く絞つた
光束を、その表面となす角がほぼ零（入射角とし
て90゜）になるように、すなわちほぼ水平に照射
して、表面に帯状の照射部を形成する照射手段を
設け、この帯状照射部の像を光学手段すなわち結
像レンズによつて光電効出手段としての一次元フ
オトアレイの受光面に結像させる。

この光電検出手段は、その受光面に複数の光電
変換素子を配列して、各光電変換素子が、帯状照
射部の像を帯状方向に小分割したとき各々の分割
領域における異物からの反射光を受光可能に配置
する。そして、異物からの反射光を光電検出手段
の光電変換素子で光電変換することによつて、異
物の存在を検出するようにした。

そして本件第１発明においては、少なくとも帯
状照射部の帯状方向の光強度分布を考慮して、光
電検出手段としての一次元フオトアレイの各光電
素子からの出力信号と所定の検知レベルとの相対
的な感度を、フオトアレイの光電素子の配列方向
に補正して比較する比較検査手段を設け、帯状照
射部内の異物の位置による散乱光強度の変化に対
応するように構成した。

さらに本件第２発明においては、帯状照射部を
空間的に異なる少なくとも２ケ所から見込むよう
に配置された、２つの一次元フオトアレイを設
け、この２つのフオトアレイの互いに対応する光
電素子からの出力信号を順次比較する判定回路を
設けることによつて、帯状照射部内のパターン等
による影響をさけて異物のみを高い確立で検出で
きるように構成した。尚、このフオトアレイは２
ケ所以上、例えば空間的に異なる３ケ所に配置
し、３ケ所のフオトアレイの各光電素子（３つ）
同志の出力信号を比較するような構成にしても全
く同じである。

本発明の実施例を説明する前に、レーザ光によ
つて照射された異物からどのような反射光が生じ
るかを、第１図によつて説明する。

第１図はｘ―ｙ平面に広がつている被検査物の
被検査面１上にレーザ光２をほぼ平行に（入射角
をほぼ90゜にして）入射させたときの異物３から
の乱反射光４の様子を示したものである。ａ図は
その様子を−ｙ方向（横側）から見たもので、ｂ
図は＋ｚ方向（上側）から見たものである。一般
に異物の形状は千差万別で、その表面も凹凸が大
きいので、図の如く異物３にあたつたレーザ光２
は異物３を中心に各方向に乱反射されて、異物３
からはほぼ等方向に進する反射光４が生じる。
尚、この光ビームはレーザ光に限るものではな
く、水銀ランプ等の輝度の高い光束でもよい。

次に本発明の第１の実施例を第２図により説明
する。第２図は、被検査面１（以下単に表面１と
する）上に回路パターン等が無い滑らかな被検査
物の異物検査を行なう場合の実施例である。レー
ザ光２はシリンドリカルレンズ７、ミラー８によ
つてｘ―ｙ平面に広がる表面１に導かれる。この
時レーザ光２は表面１にほぼ水平に入射して（入
射角がほぼ90゜）、表面１のｘ方向に帯状の照射部
９〜１１を形成する。さらに、この帯状照射部９
〜１１を、表面１に対して小さな角度θで見込む
位置に結像レンズ１２が配置され、さらにその後
方すなわち結像レンズ１２の結像面に、複数の光
電変換素子が一列に位置するようなフオトアレイ
１３が配置されている。フオトアレイ１３の複数
の光電変換素子はフオトダイオード、CCD等に
より構成され、各素子は帯状照射部９〜１１を帯
状方向で小区域に分割して、それぞれの小区域か
らの光だけを受光することになる。また、フオト
アレイ１３は不図示の検出回路に接続され、受光
した素子からの光電信号によつて、帯状照射部９
〜１１のどの区域からの光を受けたかを検出し
て、その区域に反射物が存在することを検知す
る。

尚、結像レンズ１２は結像された帯状照射部９
〜１１の像は、フオトアレイ１３の両端付近に位
置する素子上に両端の照射部９及び１１が結像す
るようになつている。従つて、この場合、レンズ
１２の光軸は中央の照射部１０を通る。また、被
検査物は、その表面１がｘ―ｙ平面上でかつ帯状
照射部９〜１１の帯状方向と直交する矢印１５の
方向に動くように、不図示の駆動手段によつて移
動される。このような構成で、帯状照射部９〜１
１内に異物３があると、異物３からの一部の乱反
射光４′はレンズ１２を通過して、その異物３が
存在する区域に相当するフオトアレイ１３上の光
電変換素子１４に達する。また、異物３が存在し
ない区域からの光は、その他の素子にほとんど達
しない。すると光電変換素子１４は他の素子より
も十分に大きな光電信号を出力するので、例えば
全ての光電素子の出力を電気的に不図示の検出回
路で走査することによつて、異物の位置を検出で
きる。尚、このように、レンズ１２とフオトアレ
イ１３を表面１に対して小さな角度θで見込むよ
うに配置したのは、フオトアレイ１３の光電信号
のＳ／Ｎ比（受光した異物３からの乱反射光と他
の光の比）を良くするためである。すなわち、実
際には表面１にわずかな凹凸が存在し、レーザ光
はその凹凸によつても乱反射される。その乱反射
光は表面１の上側へ分布する傾向があるので、直
接この凹凸からの乱反射光を受光しないような位
置にフオトアレイ１３を配置すればよい。

第３図は第２図を＋Ｚ方向から見たものであ
り、その時のフオトアレイ１３ほ光電信号等の様
子を示したものである。前述のように、異物３か
らの乱反射光４′はフオトアレイ１３の光電素子
１４によつて受光され、光電素子１４は十分に大
きな光電信号１８を出力する。この図の下方のグ
ラフは、横軸に光電素子の位置、縦軸に出力レベ
ルを取つてある。また、表面１が滑らかならば、
他の光電素子からは光電信号がほとんど出力され
ない。従つて、光電信号を、適当な基準レベルと
比較するコンパレータ等に入力して、光電信号が
基準レベルを越えたか否かで異物が存在するか否
かを検出すればよい。そして、この動作を各光電
素子について行なうことによつて、異物の存在位
置が決定できる。つまり、従来のレーザ光走査に
変えて、フオトアレイの光電信号（又はコンパレ
ータ等の出力信号）を走査（例えば自己走査型フ
オトダイオードアレイ）していることになる。

ところで、先に述べた基準レベルは、各光電素
子について異なる値に設定する必要がある。この
ことについて、さらに第４図を用いて説明する。
レーザ光２は、一般に中心部分の光強度が高く、
周辺になるにつれて強度も低下する。このような
レーザ光２を表面１に斜入射（ほぼ水平入射でも
同様）した場合、第４図に示すように、照射され
た表面１には光強度１９のような分布が生じる。
また、第２図、第３図で示したような結像レンズ
による集光効率も、レンズの特性によつては、被
検査物上の被写体（異物）の位置によつて変わ
る。そこで、第４図に示した光強度１９とほぼ相
似した基準レベル１７（第３図）を設定する。こ
のような基準レベル１７を設定することによつ
て、各光電信号の、異物３の帯状照射部内の位置
による影響を補正できる。例えば第３図で異物３
が中央の照射部１０付近に存在した場合、光強度
も十分に高いので乱反射光も強くなり、異物３の
乱反射光を受ける光電素子の光電信号は最も大き
くなる。一方、異物３が照射部９又は１１付近に
存在した場合、光強度も低下しているので異物３
からの乱反射光も小さくなり、フオトアレイの両
端側に位置する光電素子の光電信号は中央部の光
電素子のそれよりも小さくなる。従つて、各光電
素子の光電信号を、異物の位置にかかわらず、検
出するためには、第３図に示したように基準レベ
ル１７を定めればよい。

ここで、検査面全面を検査するには、単にｙ方
向に１回、被検査物を前述の駆動手段によつて移
動するだけで全面上の異物検出が自動的におこな
われる。尚、この場合異物の位置は被検査物のｙ
軸の位置を検出する不図示の位置センサーと、フ
オトアレイ上の各光電素子の光電信号に基づい
て、ただちに決定される。さらに、レーザ光が被
検査面上方より照射されていないので、適当な顕
微鏡を用いてレーザ光により異物が輝くのを目視
で確認することもできる。また、検査時間はレー
ザ光の被検査面上でのスポツトのｙ方向の長さ
（帯状照射部の幅）と、フオトアレイの走査周期
によりきまる。

さて、以上の実施例によれば、回路パターンを
有さない表面の被検査物に対して、現在のLSI製
造で問題になる程度の大きさの異物は十分検出で
き、一方、回路パターンを有する被検査物でも、
大量に生産されているLSI、すなわち比較的パタ
ーン幅が広いLSIに対しては、問題になる程度の
大きさの異物の自動検出が短時間に行なえる。

次に、本発明の第２の実施例を第５図に示す。
まず、第１の実施例と同様、レーザ光２はシリン
ドリカルレンズ７、ミラー８を経て、ｘ―ｙ平面
にひろがるレチクル、マスク等の表面１に、平行
又はほぼ平行に＋ｘ方向から入射される。表面１
に入射したレーザ光２は表面１のｘ方向に帯状照
射部９〜１１を形成する。また、結像レンズ１
２、フオトアレイ１３も第２図と同様に配置され
ている。さて、この第２の実施例では、帯状照射
部９〜１１の像が投影される、さらに２つのフオ
トアレイ２２及び２３を設けてある。もちろん、
フオトアレイ２２，２３の受光面に結像するため
の結像レンズ２０及び２１も配置されている。こ
の３つのフオトアレイ１３，２２，２３は、第５
図のように帯状照射部９〜１１の帯状方向とほぼ
平行に、かつそれぞれ異なる方向から帯状照射部
９〜１１を見込むように配置されている。さら
に、これら結像レンズ１２，２０，２１の光軸は
すべてｙ軸に平行で、帯状照射部９〜１１の範囲
すべてが、フオトアレイ１３，２２，２３の受光
面で、各々合焦するように設置されている。又、
結像レンズ１２，２０，２１とフオトアレイ１
３，２２，２３は、ｘ―ｙ平面と互いに小さな角
度をなす平面に設置されている。尚、結像レンズ
２０，２１の光軸は、フオトアレイ２２，２３の
中心に対してそれぞれ結像レンズ１２の方へシフ
トしていて、最適な合焦状態が得られるようにな
つている。

以上のように、フオトアレイを複数設置するこ
とによつて、レチクル、マスク等の回路パターン
からの反射光と異物からの乱反射光とを区別可能
になる。以下、その動作を第６図により説明す
る。

第６図は、第５図に示した第２の実施例を＋Ｚ
方向から見たものであり、各フオトアレイは信号
処理系に接続されている。この信号処理系は、各
フオトアレイ１３，２２，２３が自己走査型フオ
トアレイに適するように構成されている。そこ
で、不図示の同期回路によつて、フオトアレイ１
３，２２，２３は、それぞれの光電素子が同期走
査されて、時系列的な光電信号２４，２５，２６
を出力するものとする。また、光電信号２４，２
５，２６を入力するコンパレーター２７，２８，
２９は、第１の実施例と同様な基準レベル１７
（第６図では示していない）によつて、各フオト
アレイの光電信号をデジタル化する。ところが、
フオトアレイからの光電信号は時系列的なアナロ
グ信号であるので、第４図に示した基準レベル１
７も、光電素子の走査に同期して、各段階の値を
時系列的な信号とする必要がある。このことは第
１の実施例においても同様に適用され得る。コン
パレータ２７，２８，２９はこのような時系列的
な光電信号と時系列的な基準レベル信号を比較
し、前述のように、帯状照射部９〜１１のどの領
域から反射光が生じたかを検出する。そして、コ
ンパレータ２７，２８，２９の検出信号３２，３
３，３４（デジタル信号）は、AND回路３０に
よつて、論理積演算されて、例えば３つの検出信
号３２，３３，３４がある時刻に全て“Ｈ”レベ
ルならば、AND回路３９は判定信号３１を出力
する。

次に、レチクル、フオトマスク、又はウエハ上
の回路パターンと異物とを判別して、異物の位置
だけを検出する様子を第６図と共に第７図、第８
図によつて説明する。

第６図のように、表面１の帯状照射部９〜１１
内に異物３と回路パターン５が存在した場合、異
物３からの乱反射光４′は前述の如く指向性が弱
いので、３つのフオトアレイ１３，２２，２３
の、異物３が存在する領域からの光を受光する光
電素子は全て大きな光電信号を出力する。また、
回路パターン５にレーザ光が照射された場合、パ
ターンエツジの方向に応じた指向性の強い反射光
が生じる。

そこで、第６図のように回路パターン５が存在
して、その反射光５′はｙ軸方向に強く分布する
ものとする（例えば、エツジの傾斜による）。従
つて、帯状照射部９〜１１のほぼ中央に存在した
回路パターン５からの反射光５′によつて、フオ
トアレイ１３の中央部の光電素子からの光電信号
が最も強く、フオトアレイ２２，２３の中央部の
光電素子からは、光電信号がほとんど出力されな
い。この様子を第７図に示す。第７図は、それぞ
れ、フオトアレイ２２，１３，２３が出力する時
系列的な光電信号２４，２５，２６の様子を表わ
し、縦軸には光電信号２４，２５，２６の大きさ
を、横軸には走査する光電素子の順序（すなわち
時間）を取つてある。尚、光電素子の数は、説明
のため、第６図のように６つにしてある。

また光電素子は、第６図中、フオトアレイの左
端から右端へ走査するものとする。

第７図に示すように、異物３からの乱反射光
４′は、各フオトアレイの左から５番目の光電素
子それぞれによつて検出される。一方、回路パタ
ーン５からの反射光５′は、フオトアレイ１３の
中央部すなわち３番目、４番目の光電素子によつ
て最も強く検出され、フオトアレイ２２，２３の
３番目、４番目の光電素子はわずかしか検出して
いない。

そして、光電信号２４，２５，２６はコンパレ
ータ２７，２８，２９によつて前述のようにデジ
タル化されて、第８図のように検出信号３２，３
３，３４が得られる。この検出信号３２，３３，
３４も時系列的な信号すなわち直列デジタル信号
である。さらにこの３つの検出信号３２，３３，
３４はAND回路３０に入力されるので、結局、
判定信号３１として、フオトアレイの左端から５
番目の光電素子が異物３からの乱反射光４′をと
らえていることになる。尚、判定信号３１は、先
の同期回路が出力する同期信号等と組み合わせ
て、帯状照射部９〜１１内に存在する異物３の位
置を検出することができる。

このように、第２の実施例のように構成するこ
とによつて、回路パターンからの反射光による影
響なしに異物のみを検出し、その存在位置が簡単
に決定できる。

尚、第２の実施例においては、３つのフオトア
レイで説明したが、２つのフオトアレイ例えば中
央のフオトアレイ１３を除いたものだけを用いて
も回路パターンの影響をなくした装置を構成でき
る。この場合経済的には有利であるが、異物から
の散乱光に少し指向性が出た場合には異物を見逃
がす確率が高くなる。

尚、第６図で、結像レンズ２０，２１は、フオ
トアレイ２２，２３に対して、光軸が結像レンズ
１２側へシフトしているが、中央の結像レンズ以
外のレンズは、フオトアレイに対して一般的にア
オリを加えて配置する方がよい。これは、フオト
アレイの全ての光電素子上に、帯状照射部の像を
合焦させるためである。また、フオトアレイの光
電信号は、時系列的なアナログ信号として扱つた
が、フオトアレイの光電素子数が少なくてもよい
場合は、各光電素子の光電信号を直接コンパレー
タ等によつて、基準レベルと比較することもでき
る。いわゆる並列比較型の比較回路等を用いれば
よい。この場合、各コンパレータには前述のよう
な基準レベルを、各光電素子に対して各々独立に
入力する必要がある。

また、第１、第２の実施例において、レーザ光
は表面にほぼ水平に入射させているが、レーザ光
の表面と成す角は、レーザ光の光束の太さ、及び
必要とする帯状照射部の長さによつては、単に鋭
角にすることで十分、使用可能である。

そこで、比較的大きな異物を検出する場合、そ
の異物の大きさに合わせてレーザ光束を太くする
ようにすれば、さらに検査時間を短縮ることがで
きる。尚、従来のように、レーザ光束を表面にほ
ぼ垂直に照射して、スポツト光で表面を走査する
場合でも、フオトアレイを用いた異物検出ができ
る。この場合、スポツト光の走査とフオトアレイ
の走査を同期させるようにすれば異物の位置は容
易に検出できる。

このように、スポツト光で走査する場合は、異
物を照射する光強度が高くなるので、光電信号の
Ｓ／Ｎ比が上がると共に、コンパレータで比較す
る基準レベルも、各光電素子全てに対して同一の
値にすることができるという利点がある。

以上のように、本発明によれば、被検査物上の
異物を自動的に検出するにあたり、従来のレーザ
光走査に変えて光電変換素子の光電信号を走査す
るので、機械系による高速の往復運動や回転運動
が不要になり、従つて防振する必要がなくなる。
又、耐久性にも富み、さらに非常にコンパクトに
なるという利点があるのみならず、レーザ光走査
系特有のレーザスポツトの位置決めが不要になり
装置が簡便で、コストが低くなり経済的である。

さらに、本発明による第２の実施例によれば、
回路パターンを有する被検査物も検査でき、その
検査時間も従来のレーザ光走査式よりも大巾に短
縮され、又異物の位置決めも100μm程度の精度で
決定でき、レテイクル、マスク、ウエハ等のLSI
製造工程中における欠陥発生率の低減に貢献でき
る。

又、被検査面にレーザ光が平行入射しているの
で、例えば被検査面上方に観察光学系を配置し
て、レーザ光照射のまま目視によつて異物の確認
ができ、異物の発見を確実にすることも可能であ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は、被検査物の表面にレーザ光を照射し
たときに、異物によつて乱反射される様子を示し
た説明図、第２図は本発明の第１の実施例を示す
斜視図、第３図は第２図における異物検出の様子
を示した動作説明図、第４図は、斜入射光の光強
度分布を示す図、第５図は本発明の第２の実施例
を示す斜視図、第６図は第５図における異物検出
の様子を示す、信号処理系のブロツク図、第７図
は、フオトアレイの光電信号の出力の様子を示す
図、第８図は、その光電信号からの異物の位置の
判定信号を出力する様子を示す図である。主要部分の符号の説明、１…被検査物の表面、
７，８…照射手段、９，１０，１１…帯状照射
部、１２，２０，２１…光学手段、１４…光電検
出手段、１３，２２，２３…フオトアレイ。

Claims

【特許請求の範囲】１被検査物の表面にほぼ平行な光ビームを、該
表面との成す角度がほぼ零もしくは鋭角になる如
く照射して、該表面に一方向に伸びた帯状の照射
部を形成する照射手段と、該帯状照射部に存在す
る異物からの散乱光を検出する検出系とを備えた
装置において、前記帯状照射部を見込み、前記被検査物表面の
法線に対して光軸を傾けて配置した結像光学系
と；該結像光学系の結像面に形成される前記帯状
照射部の像を受光する位置に配置されるととも
に、該帯状照射部の像の帯状方向に沿つて一次元
に配列され、前記帯状照射部を帯状方向に小分割
したとき、各分割領域に対応した複数の光電素子
を有する一次元フオトアレイと；前記異物からの散乱光に応じて予め定められた
所定の検知レベルと、前記一次元フオトアレイの
各光電素子からの出力信号の大きさとを比較する
際少なくとも前記帯状照射部の帯状方向の光強度
分布に基づいて、前記複数の光電素子からの各出
力信号の大きさと前記検知レベルとの相対的な大
小関係を前記複数の光電素子の配列位置に応じて
補正して比較する比較検査手段と；前記被検査物
を前記帯状方向と交差する方向に移動させる駆動
手段と；該被検査物の移動位置を検出する位置セ
ンサーとを備え、前記比較検査手段により特定された前記異物の
帯状方向の位置と前記位置センサーにより検出さ
れた位置とに基づいて、前記異物の二次元的な位
置を検知することを特徴とする異物検査装置。２前記照射手段は、検出すべき異物の大きさに
応じて前記光ビームの太さを変化させる手段を有
することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の異物検査装置。３前記結像光学系の光軸は、前記帯状照射部の
帯状方向のほぼ中央を通るとともに、前記被検査
表面と成す角度が鋭角になる如く設定され、前記
結像光学系は前記光ビムの進行方向に対して側方
に生じる散乱光を前記一次元フオトアレイに集光
することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の異物検査装置。４被検査物の表面にほぼ平行な光ビームを、該
表面との成す角度がほぼ零もしくは鋭角になる如
く照射して、該表面に一方向に伸びた帯状の照射
部を形成する照射手段と、該帯状照射部に存在す
る異物からの散乱光を検出する検出系とを備えた
装置において、前記帯状照射部を見込み、前記被検査物表面の
法線に対して光軸を傾けて配置した第１結像光学
系と；前記帯状照射部を見込み、前記被検査物表
面の法線に対して光軸を傾けて配置されるととも
に、前記第１結像光学系に対して前記帯状照射部
の帯状方向に離して配置された第２結像光学系
と；前記第１結像光学系の結像面に形成される前
記帯状照射部の像を受光する位置に配置され、該
帯状照射部の像の帯状方向に一次元に複数の光電
素子が配列された第１フオトアレイと；前記第２
結像光学系の結像面に形成される前記帯状照射部
の像を受光する位置に配置され、該帯状照射部の
像の帯状方向に一次元に複数の光電素子が前記第
１フオトアレイの各光電素子に対応して配列され
た第２フオトアレイと；前記第１フオトアレイの
各光電素子からの出力信号と、前記第２フオトア
レイの対応する光電素子からの出力信号とを順次
比較し、該対応する２つの光電素子がともに所定
の大きさ以上の出力信号を生じたときは、該対応
する２つの光電素子が共通に見込む前記帯状照射
部内の対応する位置に前記異物が存在するものと
判定する判定回路とを備えたことを特徴とする異
物検査装置。５前記第１結像光学系と第２結像光学系の両光
軸は、前記被検査表面と成す角度が鋭角になる如
く設定され、前記第１結像光学系と第２結像光学
系は前記光ビームの進行方向に対して側方に生じ
る散乱光を、それぞれ前記第１フオトアレイと第
２フオトアレイに集光することを特徴とする特許
請求の範囲第４項記載の異物検査装置。