JPS6351546B2 - - Google Patents
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- JPS6351546B2 JPS6351546B2 JP57173461A JP17346182A JPS6351546B2 JP S6351546 B2 JPS6351546 B2 JP S6351546B2 JP 57173461 A JP57173461 A JP 57173461A JP 17346182 A JP17346182 A JP 17346182A JP S6351546 B2 JPS6351546 B2 JP S6351546B2
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- infrared
- semiconductor substrate
- main surface
- side electrode
- imaging device
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/157—CCD or CID infrared image sensors
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はシヨツトキー接合からなる赤外線光
電変換部（以下「シヨツトキー形赤外線検出部」
と呼ぶ）で構成された赤外線固体撮像素子に係
り、特にシヨツトキー形赤外線検出部の改良に関
するものである。
電変換部（以下「シヨツトキー形赤外線検出部」
と呼ぶ）で構成された赤外線固体撮像素子に係
り、特にシヨツトキー形赤外線検出部の改良に関
するものである。
第１図は赤外線固体撮像素子の一例の基本的構
成を模式的に示す図である。
成を模式的に示す図である。
図において、１００は水平方向の複数行および
垂直方向の複数列に互いの間に間隔をおいて複数
個配置され照射赤外線量に対応した電荷を蓄積す
るシヨツトキー形の赤外線検出部、２００は垂直
方向の各列に配置された複数個の赤外線検出部１
００に共通に接して形成されこれらの赤外線検出
部１００の蓄積電荷を後述の垂直レジスタへ移送
するトランスフアMOSトランジスタ、３００は
トランスフアMOSトランジスタ２００に並列に
接して形成されトランスフアMOSトランジスタ
２００が移送する各赤外線検出部１００の蓄積電
荷を出力端へ順次転送するように電荷結合素子
（Charge Coupled Device：CCD）で構成された
垂直レジスタ、４００は各垂直レジスタ３００の
出力端に共通に接して形成されこれらの垂直レジ
スタ３００が転送する電荷を出力端へ順次転送す
るようにCCDで構成された水平レジスタ、５０
０は水平レジスタ４００の出力端に接続され水平
レジスタ４００が転送する電荷を例えば電圧にし
て外部へ出力する出力部である。トランスフア
MOSトランジスタ２００、垂直レジスタ３００、
水平レジスタ４００および出力部５００は二次元
に配置された複数個の赤外線検出部１００の蓄積
電荷を順次読み出し電気信号として出力する読み
出し機構を構成する。
垂直方向の複数列に互いの間に間隔をおいて複数
個配置され照射赤外線量に対応した電荷を蓄積す
るシヨツトキー形の赤外線検出部、２００は垂直
方向の各列に配置された複数個の赤外線検出部１
００に共通に接して形成されこれらの赤外線検出
部１００の蓄積電荷を後述の垂直レジスタへ移送
するトランスフアMOSトランジスタ、３００は
トランスフアMOSトランジスタ２００に並列に
接して形成されトランスフアMOSトランジスタ
２００が移送する各赤外線検出部１００の蓄積電
荷を出力端へ順次転送するように電荷結合素子
（Charge Coupled Device：CCD）で構成された
垂直レジスタ、４００は各垂直レジスタ３００の
出力端に共通に接して形成されこれらの垂直レジ
スタ３００が転送する電荷を出力端へ順次転送す
るようにCCDで構成された水平レジスタ、５０
０は水平レジスタ４００の出力端に接続され水平
レジスタ４００が転送する電荷を例えば電圧にし
て外部へ出力する出力部である。トランスフア
MOSトランジスタ２００、垂直レジスタ３００、
水平レジスタ４００および出力部５００は二次元
に配置された複数個の赤外線検出部１００の蓄積
電荷を順次読み出し電気信号として出力する読み
出し機構を構成する。
第２図は従来の赤外線固体撮像素子の一例の第
１図に示した−線に対応する線での断面図で
ある。
１図に示した−線に対応する線での断面図で
ある。
図において、１は不純物濃度が1014〜1015原
子／cm3であるｐ形シリコン基板、２はｐ形シリコ
ン基板１の主面のシヨツトキー接合を形成すべき
部分以外の部分に形成された酸化シリコン膜、３
は金（Au）、パラジウム（Pd）などの金属また
は白金シリサイド（Pt・Si）、パラジウムシリサ
イド（Pd・Si）、イリジウムサイド（Ir・Si）な
どの金属シリサイドの蒸着層からなりｐ型シリコ
ン基板１の主面の酸化シリコン膜２によつて分離
された部分に接着されて形成されたシヨツトキー
接合の金属側電極、４はｐ型シリコン基板１の主
面部の金属側電極３の周縁部と接する部分に形成
されｎ形領域であるガードリング、５はアルミニ
ウム層からなり金属側電極３の表面周縁部に接続
された電極リードである。ｐ形シリコン基板１、
金属側電極３、ガードリング４および電極リード
５は第１図に示した赤外線検出部１００を構成す
る。６はｐ形シリコン基板１の主面部のガードリ
ング４の外周に近接する部分に形成され表面の一
部に電極リード５が酸化シリコン膜２を貫通して
接続されたn+形領域、７は酸化シリコン膜２内
のn+形領域６から後述のｎ形埋め込みチヤネル
領域にわたる部分に対応する部分内にｐ形シリコ
ン基板１の主面と平行になるように埋設され第１
図に示したトランスフアMOSトランジスタ２０
０のゲート電極（以下「トランスフアゲート電
極」と呼ぶ）、８はｐ形シリコン基板１の主面部
のトランスアゲート電極７のn+形領域６側とは
反対側の端部の下方の部分を含んでその外側の部
分に形成されたｎ形埋め込みチヤネル領域、９は
酸化シリコン膜２内にトランスフアゲート電極７
の赤外線検出部１００側とは反対側の端部の上方
の部分から伸びてｎ形埋め込みチヤネル領域８の
表面と平行になるように埋設されたゲート電極、
３０１はｎ形埋め込みチヤネル領域８とゲート電
極９とからなり第１図に示した垂直レジスタ３０
０を構成するCCD、１０は赤外線検出部１００
および酸化シリコン膜２の全上面上に形成された
素子保護用の窒化シリコン膜である。
子／cm3であるｐ形シリコン基板、２はｐ形シリコ
ン基板１の主面のシヨツトキー接合を形成すべき
部分以外の部分に形成された酸化シリコン膜、３
は金（Au）、パラジウム（Pd）などの金属また
は白金シリサイド（Pt・Si）、パラジウムシリサ
イド（Pd・Si）、イリジウムサイド（Ir・Si）な
どの金属シリサイドの蒸着層からなりｐ型シリコ
ン基板１の主面の酸化シリコン膜２によつて分離
された部分に接着されて形成されたシヨツトキー
接合の金属側電極、４はｐ型シリコン基板１の主
面部の金属側電極３の周縁部と接する部分に形成
されｎ形領域であるガードリング、５はアルミニ
ウム層からなり金属側電極３の表面周縁部に接続
された電極リードである。ｐ形シリコン基板１、
金属側電極３、ガードリング４および電極リード
５は第１図に示した赤外線検出部１００を構成す
る。６はｐ形シリコン基板１の主面部のガードリ
ング４の外周に近接する部分に形成され表面の一
部に電極リード５が酸化シリコン膜２を貫通して
接続されたn+形領域、７は酸化シリコン膜２内
のn+形領域６から後述のｎ形埋め込みチヤネル
領域にわたる部分に対応する部分内にｐ形シリコ
ン基板１の主面と平行になるように埋設され第１
図に示したトランスフアMOSトランジスタ２０
０のゲート電極（以下「トランスフアゲート電
極」と呼ぶ）、８はｐ形シリコン基板１の主面部
のトランスアゲート電極７のn+形領域６側とは
反対側の端部の下方の部分を含んでその外側の部
分に形成されたｎ形埋め込みチヤネル領域、９は
酸化シリコン膜２内にトランスフアゲート電極７
の赤外線検出部１００側とは反対側の端部の上方
の部分から伸びてｎ形埋め込みチヤネル領域８の
表面と平行になるように埋設されたゲート電極、
３０１はｎ形埋め込みチヤネル領域８とゲート電
極９とからなり第１図に示した垂直レジスタ３０
０を構成するCCD、１０は赤外線検出部１００
および酸化シリコン膜２の全上面上に形成された
素子保護用の窒化シリコン膜である。
次に、この従来例の素子の動作について説明す
る。
る。
通常、この素子は、液体窒素の温度（77〓）に
おいて、赤外線検出部１００のシヨツトキー接合
に逆方向のバイアス電圧を印加して使用される。
このような状態で、ｐ形シリコン基板１側または
金属側電極３側のいずれかの側へ赤外領域の光が
照射されると、金属側電極３中に電子と正孔との
対が正成する。この生成した正孔のうちのシヨツ
トキー障壁を越える運動エネルギーをもつものは
ｐ形シリコン基板１に注入され、金属側電極３に
光の照射量に対応する電荷が蓄積される。この金
属側電極３の蓄積電荷は、電極リード５を通り
n+形領域６から、トランスフアゲート電極７に
よつて、ｐ形シリコン基板１の主面部のn+形領
域６およびｎ形埋め込みチヤネル領域８間の部分
を通つて垂直レジスタ３００を構成するCCD３
０１のｎ形埋め込みチヤネル領域８に注入され
る。このｎ形埋め込みチヤネル領域８に注入され
た電荷は、第１図に示したように、垂直レジスタ
３００および水平レジスタ４００を通り出力部５
００から電気信号として取り出される。このよう
にして、二次元に配置された複数個の赤外線検出
部１００のそれぞれの照射光量に対応する蓄積電
荷を、トランスフアMOSトランジスタ２００、
垂直レジスタ３００、水平レジスタ４００および
出力部５００で構成された読み出し機構によつ
て、順次読み出すことができる。
おいて、赤外線検出部１００のシヨツトキー接合
に逆方向のバイアス電圧を印加して使用される。
このような状態で、ｐ形シリコン基板１側または
金属側電極３側のいずれかの側へ赤外領域の光が
照射されると、金属側電極３中に電子と正孔との
対が正成する。この生成した正孔のうちのシヨツ
トキー障壁を越える運動エネルギーをもつものは
ｐ形シリコン基板１に注入され、金属側電極３に
光の照射量に対応する電荷が蓄積される。この金
属側電極３の蓄積電荷は、電極リード５を通り
n+形領域６から、トランスフアゲート電極７に
よつて、ｐ形シリコン基板１の主面部のn+形領
域６およびｎ形埋め込みチヤネル領域８間の部分
を通つて垂直レジスタ３００を構成するCCD３
０１のｎ形埋め込みチヤネル領域８に注入され
る。このｎ形埋め込みチヤネル領域８に注入され
た電荷は、第１図に示したように、垂直レジスタ
３００および水平レジスタ４００を通り出力部５
００から電気信号として取り出される。このよう
にして、二次元に配置された複数個の赤外線検出
部１００のそれぞれの照射光量に対応する蓄積電
荷を、トランスフアMOSトランジスタ２００、
垂直レジスタ３００、水平レジスタ４００および
出力部５００で構成された読み出し機構によつ
て、順次読み出すことができる。
ところで、この従来例のシヨツトキー形の赤外
線検出部１００では、通常、1014〜1015原子／cm3
程度の低不純物濃度のｐ形シリコン基板１を用
い、Pt・Siの蒸着層からなる金属側電極３が用い
られている。この場合には、ｐ形シリコン基板１
とPt・Siからなる金属側電極３との間のシヨツト
キー障壁の高さBは0.27eVであるので、この障
壁の高さ0.27eVから量子的に決まる検出可能な
光の最大波長は4.60μｍになる。
線検出部１００では、通常、1014〜1015原子／cm3
程度の低不純物濃度のｐ形シリコン基板１を用
い、Pt・Siの蒸着層からなる金属側電極３が用い
られている。この場合には、ｐ形シリコン基板１
とPt・Siからなる金属側電極３との間のシヨツト
キー障壁の高さBは0.27eVであるので、この障
壁の高さ0.27eVから量子的に決まる検出可能な
光の最大波長は4.60μｍになる。
一般に、シヨツトキー形の光検出器の量子効率
Ｙは、 Ｙ＝C1・（hν−B）2／hν（電子／フオトン） で表わされる。ここで、ｈはプランク常数、νは
照射光の振動数、C1は量子効率係数である。
Ｙは、 Ｙ＝C1・（hν−B）2／hν（電子／フオトン） で表わされる。ここで、ｈはプランク常数、νは
照射光の振動数、C1は量子効率係数である。
上記式から判るように、シヨツトキー形の光の
検出器では、大気の窓と呼ばれる３〜5μｍの光
の波長域で高検出感度を得るには、シヨツトキー
障壁の高さBを低くすればよい。この障壁の高
さBを低くするためには、ｐ形シリコン基板１
の不純物濃度を高くすれば、シヨツトキー効果に
よつてシヨツトキー障壁の高さBは実効的に低
くなる。しかし、CCD３０１のｎ形埋め込みチ
ヤネル領域８では、液体窒素の温度（77〓）にお
いて電荷の転送効率を高くするには、この転送効
率を下げるトラツプとして働くドナーの密度をな
るべく低くしなければならない。このドナーの密
度を低くするためには、ｐ形シリコン基板１の不
純物濃度は1014〜1015原子／cm3程度の低いものに
しなければならない。
検出器では、大気の窓と呼ばれる３〜5μｍの光
の波長域で高検出感度を得るには、シヨツトキー
障壁の高さBを低くすればよい。この障壁の高
さBを低くするためには、ｐ形シリコン基板１
の不純物濃度を高くすれば、シヨツトキー効果に
よつてシヨツトキー障壁の高さBは実効的に低
くなる。しかし、CCD３０１のｎ形埋め込みチ
ヤネル領域８では、液体窒素の温度（77〓）にお
いて電荷の転送効率を高くするには、この転送効
率を下げるトラツプとして働くドナーの密度をな
るべく低くしなければならない。このドナーの密
度を低くするためには、ｐ形シリコン基板１の不
純物濃度は1014〜1015原子／cm3程度の低いものに
しなければならない。
このように従来例の素子では、赤外線検出部１
００の３〜5μｍの光の波長域における検出感度
の向上を図ることと、CCD３０１の転送効率の
向上を図ることとが、互いに矛盾するという問題
があつた。
００の３〜5μｍの光の波長域における検出感度
の向上を図ることと、CCD３０１の転送効率の
向上を図ることとが、互いに矛盾するという問題
があつた。
この発明は、上述の問題点に鑑みてなされたも
ので、半導体基板の主面部のシヨツトキー接合を
形成すべき領域に半導体基板と同一伝導形の不純
物を導入して半導体基板の主面部のシヨツトキー
接合形成領域の不純物濃度をその他の領域の不純
物濃度より高くすることによつて、低不純物濃度
の半導体基板を用いながら、赤外線検出部のシヨ
ツトキー障壁の高さBを実効的に下げて検出可
能な照射光の最大波長を長波長側に伸ばし、３〜
5μｍの光の波長域での検出感度を向上させた赤
外線固体撮像素子を提供することを目的とする。
ので、半導体基板の主面部のシヨツトキー接合を
形成すべき領域に半導体基板と同一伝導形の不純
物を導入して半導体基板の主面部のシヨツトキー
接合形成領域の不純物濃度をその他の領域の不純
物濃度より高くすることによつて、低不純物濃度
の半導体基板を用いながら、赤外線検出部のシヨ
ツトキー障壁の高さBを実効的に下げて検出可
能な照射光の最大波長を長波長側に伸ばし、３〜
5μｍの光の波長域での検出感度を向上させた赤
外線固体撮像素子を提供することを目的とする。
第３図はこの発明の一実施例の赤外線固体撮像
素子の赤外線検出部を示す断面図である。
素子の赤外線検出部を示す断面図である。
図において、第２図に示した従来例の符号と同
一符号は同等部分を示す。１１はｐ形シリコン基
板１の主面部のガードリング５によつて囲まれた
部分にホウ素、ガリウムなどのｐ形不純物をイオ
ン注入または拡散して形成されｐ形シリコン基板
１の不純物濃度より高不純物濃度のp+形領域で
ある。このp+形領域１１と金属側電極３との間
にシヨツトキー接合が形成される。１００ａは
p+形領域１１、金属側電極３、ガードリング４
および電極リード５で構成されたこの実施例の赤
外線検出部である。
一符号は同等部分を示す。１１はｐ形シリコン基
板１の主面部のガードリング５によつて囲まれた
部分にホウ素、ガリウムなどのｐ形不純物をイオ
ン注入または拡散して形成されｐ形シリコン基板
１の不純物濃度より高不純物濃度のp+形領域で
ある。このp+形領域１１と金属側電極３との間
にシヨツトキー接合が形成される。１００ａは
p+形領域１１、金属側電極３、ガードリング４
および電極リード５で構成されたこの実施例の赤
外線検出部である。
この実施例の赤外線固体撮像素子の構成は、赤
外線検出部１００ａ以外は第２図に示した従来例
の構成と同様である。
外線検出部１００ａ以外は第２図に示した従来例
の構成と同様である。
一般に、シヨツトキー障壁の高さBは、シヨ
ツトキー効果によつて△φだけ実効的に低下する
ことが知られている。ここで、△φはシヨツトキ
ー接合の界面電界による障壁低下エネルギーであ
る。この△φの大きさは、シヨツトキー接合の界
面電界の強さＥが強いほど大きい。従つて、この
実施例の赤外線検出部１００ａでは、高不純物濃
度のp+形領域１１をシヨツトキー接合の界面部
に形成することによつて、この接合の界面電界の
強さＥを強くして実効的にシヨツトキー障壁の高
さBを低下させる上記△φを大きくすることが
可能となつて、p+形領域１１の不純物濃度によ
つてシヨツトキー障壁の高さBを制御すること
ができる。例えば、この実施例の赤外線検出部１
００ａにおいて、金属側電極３にPt・Si蒸着層を
用い、1014〜1015原子／cm3程度の低不純物濃度の
ｐ形シリコン基板１の主面部に形成されるp+形
領域１１の不純物濃度を1016原子／cm3程度にし、
5V程度の逆方向バイアス電圧をシヨツトキー接
合に印加して液体窒素の温度（77〓）で使用した
場合には、シヨツトキー障壁の高さBは0.23eV
に低下し、検出可能な光の最大波長は5.4μｍにな
る。また、p+形領域１１の不純物濃度を1017原
子／cm3程度にした場合には、シヨツトキー障壁の
高さBは更に0.20eVに低下し、検出可能な光の
最大波長は6.2μｍになる。これによつて、この実
施例の赤外線検出部１００ａの検出可能な光の最
大波長が、第２図に示した従来例の赤外線検出部
１００の検出可能な光の最大波長が4.6μｍである
のに比べて、長波長側に伸びることが判る。
ツトキー効果によつて△φだけ実効的に低下する
ことが知られている。ここで、△φはシヨツトキ
ー接合の界面電界による障壁低下エネルギーであ
る。この△φの大きさは、シヨツトキー接合の界
面電界の強さＥが強いほど大きい。従つて、この
実施例の赤外線検出部１００ａでは、高不純物濃
度のp+形領域１１をシヨツトキー接合の界面部
に形成することによつて、この接合の界面電界の
強さＥを強くして実効的にシヨツトキー障壁の高
さBを低下させる上記△φを大きくすることが
可能となつて、p+形領域１１の不純物濃度によ
つてシヨツトキー障壁の高さBを制御すること
ができる。例えば、この実施例の赤外線検出部１
００ａにおいて、金属側電極３にPt・Si蒸着層を
用い、1014〜1015原子／cm3程度の低不純物濃度の
ｐ形シリコン基板１の主面部に形成されるp+形
領域１１の不純物濃度を1016原子／cm3程度にし、
5V程度の逆方向バイアス電圧をシヨツトキー接
合に印加して液体窒素の温度（77〓）で使用した
場合には、シヨツトキー障壁の高さBは0.23eV
に低下し、検出可能な光の最大波長は5.4μｍにな
る。また、p+形領域１１の不純物濃度を1017原
子／cm3程度にした場合には、シヨツトキー障壁の
高さBは更に0.20eVに低下し、検出可能な光の
最大波長は6.2μｍになる。これによつて、この実
施例の赤外線検出部１００ａの検出可能な光の最
大波長が、第２図に示した従来例の赤外線検出部
１００の検出可能な光の最大波長が4.6μｍである
のに比べて、長波長側に伸びることが判る。
このように、この実施例の素子では、低不純物
濃度のｐ形シリコン基板１を用いて第２図に示し
CCD３０１の転送効率の向上を図りながら、赤
外線検出部１００ａのシヨツトキー障壁の高さ
Bを低下させて検出可能な照射光の最大波長を
長波側に伸ばし、３〜5μｍの光の波長域での検
出感度の向上を図ることができる。
濃度のｐ形シリコン基板１を用いて第２図に示し
CCD３０１の転送効率の向上を図りながら、赤
外線検出部１００ａのシヨツトキー障壁の高さ
Bを低下させて検出可能な照射光の最大波長を
長波側に伸ばし、３〜5μｍの光の波長域での検
出感度の向上を図ることができる。
この実施例では、金属側電極３にPt・Siを用い
る場合について述べたが、これに限らず、Au、
pd、Irなどの金属またはPd・Si、Ir・Si、Pt・Si
などの金属シリサイドを用いても、この実施例と
同様の効果がある。また、ｐ形シリコン基板１を
用いる場合について述べたが、ｎ形シリコン基板
を用いてもよい。この場合には、p+形領域１１
をn+形領域にすれば、この実施例と同様の効果
がある。
る場合について述べたが、これに限らず、Au、
pd、Irなどの金属またはPd・Si、Ir・Si、Pt・Si
などの金属シリサイドを用いても、この実施例と
同様の効果がある。また、ｐ形シリコン基板１を
用いる場合について述べたが、ｎ形シリコン基板
を用いてもよい。この場合には、p+形領域１１
をn+形領域にすれば、この実施例と同様の効果
がある。
なお、これまで、CCDを構成要素とする読み
出し機構の場合を例にとり述べたが、この発明は
これに限らず、接合容量の増大を抑制するために
低不純物濃度の半導体基板を必要とするMOSト
ランジスタなどのその他の半導体素子を構成要素
とする読み出し機構の場合にも適用することがで
きる。また、これまで、赤外線検出部が二次元に
配置された場合を例にとり述べたが、この発明は
赤外線検出部が一次元に配置された場合にも適用
することができる。
出し機構の場合を例にとり述べたが、この発明は
これに限らず、接合容量の増大を抑制するために
低不純物濃度の半導体基板を必要とするMOSト
ランジスタなどのその他の半導体素子を構成要素
とする読み出し機構の場合にも適用することがで
きる。また、これまで、赤外線検出部が二次元に
配置された場合を例にとり述べたが、この発明は
赤外線検出部が一次元に配置された場合にも適用
することができる。
以上、説明したように、この発明の赤外線固体
撮像素子では、半導体基板の主面部のシヨツトキ
ー接合を形成すべき部分に半導体基板と同一伝導
形の不純物を導入して半導体基板の主面部のシヨ
ツトキー接合形成領域の不純物濃度を半導体基板
のその他の領域の不純物濃度より高くしたので、
低不純物濃度の半導体基板を用いながら、赤外線
検出部のシヨツトキー障壁の高さBを実効的に
下げて検出可能な照射光の最大波長を長波側に伸
ばし、３〜5μｍの光の波長域での検出感度を向
上させることができる。
撮像素子では、半導体基板の主面部のシヨツトキ
ー接合を形成すべき部分に半導体基板と同一伝導
形の不純物を導入して半導体基板の主面部のシヨ
ツトキー接合形成領域の不純物濃度を半導体基板
のその他の領域の不純物濃度より高くしたので、
低不純物濃度の半導体基板を用いながら、赤外線
検出部のシヨツトキー障壁の高さBを実効的に
下げて検出可能な照射光の最大波長を長波側に伸
ばし、３〜5μｍの光の波長域での検出感度を向
上させることができる。
第１図は赤外線固体撮像素子の一例の基本的構
成を模式的に示す図、第２図は従来の赤外線固体
撮像素子の一例の第１図に示した−線に対応
する線での断面図、第３図はこの発明の一実施例
の赤外線固体撮像素子の赤外線検出部を示す断面
図である。 図において、１はｐ形シリコン基板（半導体基
板）、３は金属側電極、１１はp+形領域（不純物
濃度が高い領域）、１００ａは赤外線検出部（赤
外線光電変換部）、２００，３００，４００およ
び５００はそれぞれ読み出し機構を構成するトラ
ンスフアMOSトランジスタ、垂直レジスタ、水
平レジスタおよび出力部である。なお、図中同一
符号はそれぞれ同一または相当部分を示す。
成を模式的に示す図、第２図は従来の赤外線固体
撮像素子の一例の第１図に示した−線に対応
する線での断面図、第３図はこの発明の一実施例
の赤外線固体撮像素子の赤外線検出部を示す断面
図である。 図において、１はｐ形シリコン基板（半導体基
板）、３は金属側電極、１１はp+形領域（不純物
濃度が高い領域）、１００ａは赤外線検出部（赤
外線光電変換部）、２００，３００，４００およ
び５００はそれぞれ読み出し機構を構成するトラ
ンスフアMOSトランジスタ、垂直レジスタ、水
平レジスタおよび出力部である。なお、図中同一
符号はそれぞれ同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体基板と、金属または金属シリサイドか
らなり上記半導体基板の主面の所要部分に接着さ
れてシヨツトキー接合を形成する金属側電極を有
し上記半導体基板の主面部に互いの間に間隔をお
いて一次元または二次元に配置され照射赤外線量
に対応した電荷を上記金属側電極に蓄積する複数
個の赤外線光電変換部と、上記半導体基板の主面
部の上記赤外線光電変換部形成領域以外の部分に
形成され上記各赤外線光電変換部の上記蓄積電荷
を順次読み出す読み出し機構とを備えたものにお
いて、上記半導体基板の主面部の上記シヨツトキ
ー接合形成領域に上記半導体基板と同一伝導形の
不純物を導入して上記半導体基板のその他の領域
の不純物濃度より不純物濃度が高い領域を設けた
ことを特徴とする赤外線固体撮像素子。 ２ 読み出し機構のレジスタに電荷結合素子を用
いたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の赤外線固体撮像素子。 ３ 読み出し機構にスイツチングMOSトランジ
スタを用いたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の赤外線固体撮像素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57173461A JPS5961959A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 赤外線固体撮像素子 |
| DE19833335117 DE3335117A1 (de) | 1982-09-30 | 1983-09-28 | Infrarot-festkoerper-bildsensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57173461A JPS5961959A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 赤外線固体撮像素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5961959A JPS5961959A (ja) | 1984-04-09 |
| JPS6351546B2 true JPS6351546B2 (ja) | 1988-10-14 |
Family
ID=15960899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57173461A Granted JPS5961959A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 赤外線固体撮像素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5961959A (ja) |
| DE (1) | DE3335117A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0167756A1 (en) * | 1984-06-08 | 1986-01-15 | Texas Instruments Incorporated | Virtual phase buried channel CCD |
| DE10147102C2 (de) * | 2001-09-25 | 2003-09-18 | Siemens Ag | Vorrichtung und Verfahren für Vibrationsmessungen |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5117035A (en) * | 1974-08-02 | 1976-02-10 | Juichi Shimizu | Sekyusutoobuno jidoshokasochi |
| JPS55157374U (ja) * | 1980-05-08 | 1980-11-12 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4028719A (en) * | 1976-03-11 | 1977-06-07 | Northrop Corporation | Array type charge extraction device for infra-red detection |
| DE3145840A1 (de) * | 1980-11-25 | 1982-06-24 | Mitsubishi Denki K.K., Tokyo | Optisches detektorelement vom schottky-typ |
| JPS5789249A (en) * | 1980-11-25 | 1982-06-03 | Mitsubishi Electric Corp | Infrared ray image sensor |
| GB2100511B (en) * | 1981-05-15 | 1985-02-27 | Rockwell International Corp | Detector for responding to light at a predetermined wavelength and method of making the detector |
-
1982
- 1982-09-30 JP JP57173461A patent/JPS5961959A/ja active Granted
-
1983
- 1983-09-28 DE DE19833335117 patent/DE3335117A1/de active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5117035A (en) * | 1974-08-02 | 1976-02-10 | Juichi Shimizu | Sekyusutoobuno jidoshokasochi |
| JPS55157374U (ja) * | 1980-05-08 | 1980-11-12 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5961959A (ja) | 1984-04-09 |
| DE3335117A1 (de) | 1984-04-26 |
| DE3335117C2 (ja) | 1991-12-19 |
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