JPS6350769B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6350769B2 JPS6350769B2 JP9971287A JP9971287A JPS6350769B2 JP S6350769 B2 JPS6350769 B2 JP S6350769B2 JP 9971287 A JP9971287 A JP 9971287A JP 9971287 A JP9971287 A JP 9971287A JP S6350769 B2 JPS6350769 B2 JP S6350769B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetoresistive element
- bias
- head
- shield
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/465—Arrangements for demagnetisation of heads
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、磁気抵抗効果（以下MRと略す）型
磁気ヘツドを再生ヘツドとして用いる磁気記憶装
置において、MRヘツドを構成するシールド膜が
磁化されることによる信号損失を防止するのに好
適な再生方式を提供するものである。
磁気ヘツドを再生ヘツドとして用いる磁気記憶装
置において、MRヘツドを構成するシールド膜が
磁化されることによる信号損失を防止するのに好
適な再生方式を提供するものである。
磁気抵抗効果を利用して、磁気記録の再生動作
を行なわせる方法は、従来の電磁誘導を使つた磁
気ヘツドに比し出力電圧が媒体速度に依存しない
こと、出力電圧の絶対値が高くとれることの利点
により、最近とみに注目されている。特に媒体速
度が遅い磁気テープを媒体とした如き磁気ヘツド
においては、出力が媒体速度に依存しないことか
ら特に好適である。このようなMR型磁気ヘツド
において高分解能を得るために、特開昭50―
59023に例示の如く磁気抵抗素子の両側に磁気シ
ールドを近接して配置することが公知である。さ
らに該磁気抵抗素子を高感度でかつ高調波歪を低
減して利用するためにバイアスを印加することが
公知である。ところで従来これらのシールド付き
MRヘツドにおいて、バイアス磁界の作用などに
より磁気シールドが磁化されて、シールドの効果
を減じ、高分解能を得ることができなくなつた
り、残留磁気により媒体を部分消去してしまい信
号損失を生ずるという問題があつた。
を行なわせる方法は、従来の電磁誘導を使つた磁
気ヘツドに比し出力電圧が媒体速度に依存しない
こと、出力電圧の絶対値が高くとれることの利点
により、最近とみに注目されている。特に媒体速
度が遅い磁気テープを媒体とした如き磁気ヘツド
においては、出力が媒体速度に依存しないことか
ら特に好適である。このようなMR型磁気ヘツド
において高分解能を得るために、特開昭50―
59023に例示の如く磁気抵抗素子の両側に磁気シ
ールドを近接して配置することが公知である。さ
らに該磁気抵抗素子を高感度でかつ高調波歪を低
減して利用するためにバイアスを印加することが
公知である。ところで従来これらのシールド付き
MRヘツドにおいて、バイアス磁界の作用などに
より磁気シールドが磁化されて、シールドの効果
を減じ、高分解能を得ることができなくなつた
り、残留磁気により媒体を部分消去してしまい信
号損失を生ずるという問題があつた。
本発明の目的は磁気シールドが、磁気抵抗素子
バイアス用磁界などによつて磁化されることによ
る、シールド効果の減少と分解能の低下が起こり
にくく、又、媒体消去による信号損失が起こりに
くいMRヘツドを得ることにある。
バイアス用磁界などによつて磁化されることによ
る、シールド効果の減少と分解能の低下が起こり
にくく、又、媒体消去による信号損失が起こりに
くいMRヘツドを得ることにある。
本発明は、磁気シールドが磁気抵抗素子バイア
ス磁界などにより磁化されても、これを、バイア
ス用導体あるいは、磁気抵抗素子あるいは磁気シ
ールドに消磁用の交流電流を流すことにより発生
する磁界で、磁気シールドを消磁するものであ
る。
ス磁界などにより磁化されても、これを、バイア
ス用導体あるいは、磁気抵抗素子あるいは磁気シ
ールドに消磁用の交流電流を流すことにより発生
する磁界で、磁気シールドを消磁するものであ
る。
本発明を以下の図に従いさらに詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例を示す。例えば81％
Ni―Fe組成の磁気抵抗効果素子１の一方に、
SiO2，Al2O3等の絶縁膜を介して、Al，Cu，Au
等のバイアス導体２を形成する。さらにSiO2，
Al2O3等の絶縁膜を介して、磁気シールド３を形
成する。こうして形成されたMRヘツドを高感度
の磁気ヘツドとして利用する場合に第２図ａに示
す様な一定の最適バイアス電流IBをバイアス導体
２に流し、磁気抵抗効果素子１を最適動作点で動
作させる。バイアス電流IBが再生ヘツドとしての
動作に必要な時間ｔだけ流れているものとする。
この間に第１図の磁気シールド３が磁化される
と、シールドの効果が減少したりさらには媒体の
磁化に悪影響を与える。そこで、本発明では時間
ｔでバイアス電流IBを切つた後に第２図ｂに示す
様な消磁用交流電流IACを時間t′の間で、バイアス
導体２、あるいは磁気抵抗効果素子１に、例えば
商用周波数の如き任意の周波数で徐々に振幅を大
きくし少なくともシールド膜の飽和磁界レベルよ
りも大きな磁界が得られる電流まで増大させたと
ころで徐々に振幅を小さくしていく様に消磁用交
流電流IACを流すことにより、磁化された磁気シ
ールド３を初期の消磁状態に戻すことができる。
Ni―Fe組成の磁気抵抗効果素子１の一方に、
SiO2，Al2O3等の絶縁膜を介して、Al，Cu，Au
等のバイアス導体２を形成する。さらにSiO2，
Al2O3等の絶縁膜を介して、磁気シールド３を形
成する。こうして形成されたMRヘツドを高感度
の磁気ヘツドとして利用する場合に第２図ａに示
す様な一定の最適バイアス電流IBをバイアス導体
２に流し、磁気抵抗効果素子１を最適動作点で動
作させる。バイアス電流IBが再生ヘツドとしての
動作に必要な時間ｔだけ流れているものとする。
この間に第１図の磁気シールド３が磁化される
と、シールドの効果が減少したりさらには媒体の
磁化に悪影響を与える。そこで、本発明では時間
ｔでバイアス電流IBを切つた後に第２図ｂに示す
様な消磁用交流電流IACを時間t′の間で、バイアス
導体２、あるいは磁気抵抗効果素子１に、例えば
商用周波数の如き任意の周波数で徐々に振幅を大
きくし少なくともシールド膜の飽和磁界レベルよ
りも大きな磁界が得られる電流まで増大させたと
ころで徐々に振幅を小さくしていく様に消磁用交
流電流IACを流すことにより、磁化された磁気シ
ールド３を初期の消磁状態に戻すことができる。
尚t′は短かすぎなければ任意の時間を選ぶこと
ができ、例えば１秒で消磁可能である。この原理
は次の様な構造のMRヘツドにも応用できること
はいうまでもない。すなわち第３図に示す様な磁
気抵抗効果素子４と、境界面で反応しない様なバ
イアス導体５を直接接触形成し、SiO2，Al2O3等
の絶縁膜を介して磁気シールド６を形成したMR
ヘツド。
ができ、例えば１秒で消磁可能である。この原理
は次の様な構造のMRヘツドにも応用できること
はいうまでもない。すなわち第３図に示す様な磁
気抵抗効果素子４と、境界面で反応しない様なバ
イアス導体５を直接接触形成し、SiO2，Al2O3等
の絶縁膜を介して磁気シールド６を形成したMR
ヘツド。
あるいは、第４図に示す様な磁気抵抗効果素子
７を形成し、SiO2，Al2O3等の絶縁膜を介して磁
気シールド８を形成して、磁気シールド８の中に
バイアス導体９を押入して形成する様なMRヘツ
ドにも適用可能であり、更にはシールド膜自体の
一方又は両方に消磁用交流電流を流しても同様の
効果を得ることができる。
７を形成し、SiO2，Al2O3等の絶縁膜を介して磁
気シールド８を形成して、磁気シールド８の中に
バイアス導体９を押入して形成する様なMRヘツ
ドにも適用可能であり、更にはシールド膜自体の
一方又は両方に消磁用交流電流を流しても同様の
効果を得ることができる。
ここで消磁用交流電流は再生動作終了の都度動
作させればよいが、或いは再生を一定の間隔で中
断させて、本発明の消磁電流を流すことにより再
生情報品質を一層向上でき、また、再生時に不正
情報が発生の都度本発明の電流を作動させれば情
報の回復を計ることができる。尚第２図ｂのよう
な電流波形は共振回路を利用する方法や、増幅器
の利得をt′間変化させながら、交流信号を増幅す
る法等種々の方式が可能である。
作させればよいが、或いは再生を一定の間隔で中
断させて、本発明の消磁電流を流すことにより再
生情報品質を一層向上でき、また、再生時に不正
情報が発生の都度本発明の電流を作動させれば情
報の回復を計ることができる。尚第２図ｂのよう
な電流波形は共振回路を利用する方法や、増幅器
の利得をt′間変化させながら、交流信号を増幅す
る法等種々の方式が可能である。
本発明によれば、分解能の低下あるいは、媒体
減磁による出力低下が起こらないような良好な
MRヘツドを提供することができる。また、従来
のMR形成プロセスを変えることなく、磁気シー
ルドが磁化されるという問題を解決できる。ま
た、実施例以外の任意の構造のシールド付きMR
ヘツドにおいて広く適用可能である。
減磁による出力低下が起こらないような良好な
MRヘツドを提供することができる。また、従来
のMR形成プロセスを変えることなく、磁気シー
ルドが磁化されるという問題を解決できる。ま
た、実施例以外の任意の構造のシールド付きMR
ヘツドにおいて広く適用可能である。
第１図は本発明の一実施例を示すMRヘツドの
断面図、第２図は本発明の動作原理を説明するた
めの電流波形図、第３，４図は本発明の他の実施
例を示すMRヘツドの断面図である。 １，４，７…磁気抵抗効果素子、２，５，９…
バイアス導体、３，６，８…磁気シールド。
断面図、第２図は本発明の動作原理を説明するた
めの電流波形図、第３，４図は本発明の他の実施
例を示すMRヘツドの断面図である。 １，４，７…磁気抵抗効果素子、２，５，９…
バイアス導体、３，６，８…磁気シールド。
Claims (1)
- １ 磁気抵抗効果素子に近接して配設された当該
磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を与えるバイア
ス導体膜と、該磁気抵抗効果素子およびバイアス
導体膜を挾むように対向して配設された前記磁気
抵抗効果素子の磁気シールド膜とを具備する磁気
抵抗効果型ヘツドを有する磁気記憶装置におい
て、前記磁気抵抗効果素子あるいはバイアス導体
膜あるいは磁気シールド膜に交流電流を通電し前
記磁気シールド膜の残留磁気を消磁する手段を具
備することを特徴とする磁気記憶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9971287A JPS62270016A (ja) | 1987-04-24 | 1987-04-24 | 磁気記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9971287A JPS62270016A (ja) | 1987-04-24 | 1987-04-24 | 磁気記憶装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62270016A JPS62270016A (ja) | 1987-11-24 |
| JPS6350769B2 true JPS6350769B2 (ja) | 1988-10-11 |
Family
ID=14254687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9971287A Granted JPS62270016A (ja) | 1987-04-24 | 1987-04-24 | 磁気記憶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62270016A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2853856B2 (ja) * | 1988-06-27 | 1999-02-03 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜磁気ヘッド |
-
1987
- 1987-04-24 JP JP9971287A patent/JPS62270016A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62270016A (ja) | 1987-11-24 |
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