JPS6342368A - スパツタリング装置 - Google Patents
スパツタリング装置Info
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- JPS6342368A JPS6342368A JP18740486A JP18740486A JPS6342368A JP S6342368 A JPS6342368 A JP S6342368A JP 18740486 A JP18740486 A JP 18740486A JP 18740486 A JP18740486 A JP 18740486A JP S6342368 A JPS6342368 A JP S6342368A
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- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 13
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 abstract description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 210000004709 eyebrow Anatomy 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要］
回転する筒体上に回転方向に沿って並んで配設された複
数のスパッタターゲットから、該複数のスパッタターゲ
ットが順次対向する被処理基板上にそれぞれのターゲッ
ト材料を順次スパッタさせるスパッタリング装置で、各
層間の密着強度が高く各層の膜品質が均一化された良質
の積層被膜が容易に且つ効率良く形成される。
数のスパッタターゲットから、該複数のスパッタターゲ
ットが順次対向する被処理基板上にそれぞれのターゲッ
ト材料を順次スパッタさせるスパッタリング装置で、各
層間の密着強度が高く各層の膜品質が均一化された良質
の積層被膜が容易に且つ効率良く形成される。
本発明はスパッタリング装置に係り、特に多層膜の形成
に有利なターゲット回転送り方式のスパッタリング装置
に関する。
に有利なターゲット回転送り方式のスパッタリング装置
に関する。
ＬＳＩ等高集積化される半導体ｒｃにおいて、配線幅は
極度に縮小されて来ており、また不純物導入領域も極め
て浅く形成されるようになって来ている。
極度に縮小されて来ており、また不純物導入領域も極め
て浅く形成されるようになって来ている。
かかる状況において配線強度を高めるために、例えばア
ルミニウム（ＡＩ）−シリコン（Ｓｉ）合金（ＡＩ−１
％Ｓｉ）膜とチタン（Ｔｉ）膜とへ１−１％Ｓｉ膜との
多層膜構造を有する配線パターンや、不純物導入領域と
のコンタクト部におけるＡＩ内へのＳｉの溶解を阻止し
て不純物導入領域の接合破壊を防止するためにバリア層
として窒化チタン（ＴｉＮ）膜を含んだ下層からＴｉ−
ＴｉＮ−Ａｌ構成を有する多層膜構造の配線パターン等
が用いられる。
ルミニウム（ＡＩ）−シリコン（Ｓｉ）合金（ＡＩ−１
％Ｓｉ）膜とチタン（Ｔｉ）膜とへ１−１％Ｓｉ膜との
多層膜構造を有する配線パターンや、不純物導入領域と
のコンタクト部におけるＡＩ内へのＳｉの溶解を阻止し
て不純物導入領域の接合破壊を防止するためにバリア層
として窒化チタン（ＴｉＮ）膜を含んだ下層からＴｉ−
ＴｉＮ−Ａｌ構成を有する多層膜構造の配線パターン等
が用いられる。
上記多層膜の形成は工程が複雑になり、また膜品質の変
動も生じ易いので、これ等の改善が要望されている。
動も生じ易いので、これ等の改善が要望されている。
従来、上記多層膜の形成には通常単層膜の形成に用いら
れる単一ターゲット材料のマグネトロンスパッタ装置が
用いられていた。
れる単一ターゲット材料のマグネトロンスパッタ装置が
用いられていた。
第２図はマグネトロンスパッタ装置の要部を示す模式側
断面図で、図中、５１は陽極となる真空容器、５２はガ
ス導入口、５３は真空排気口、５４は陰極となるバンキ
ングプレート、５５はスパッタターゲット、５６はプラ
ズマ閉じ込め用磁場を形成する磁石、５７は回動する磁
石支持体、５日は絶縁体パツキン、５９は基板保持治具
、６０は被処理基板、６１は堆積膜、Ｅは直流電源、Ｇ
ＮＤは接地、Ｎ、Ｓは磁極を表している。
断面図で、図中、５１は陽極となる真空容器、５２はガ
ス導入口、５３は真空排気口、５４は陰極となるバンキ
ングプレート、５５はスパッタターゲット、５６はプラ
ズマ閉じ込め用磁場を形成する磁石、５７は回動する磁
石支持体、５日は絶縁体パツキン、５９は基板保持治具
、６０は被処理基板、６１は堆積膜、Ｅは直流電源、Ｇ
ＮＤは接地、Ｎ、Ｓは磁極を表している。
なお、雰囲気ガスとしてはアルゴン（Ａｒ）等の不純活
性ガスが用いられ、スパッタに際しての真空容器内のガ
ス圧（真空度）は５ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒｆ１度にす
る。
性ガスが用いられ、スパッタに際しての真空容器内のガ
ス圧（真空度）は５ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒｆ１度にす
る。
このような単一ターゲット構成の通常のマグネトロンス
パッタ装置を用いて、前述した多層膜構造の配線層を短
手番で形成する際には、膜の府故に対応する数のスパッ
タ装置（スパッタターゲットが配設された真空容器）が
使われるので、それぞれの装置の雰囲気条件を厳密に等
しく保つことが困難なために各層被膜毎に膜の品質が変
動して所要の配線性能が得られなかったり、装置間搬送
時の酸化や汚染によって各層の被膜間の密着度の低下や
配線抵抗の増大等の問題を生じていた。
パッタ装置を用いて、前述した多層膜構造の配線層を短
手番で形成する際には、膜の府故に対応する数のスパッ
タ装置（スパッタターゲットが配設された真空容器）が
使われるので、それぞれの装置の雰囲気条件を厳密に等
しく保つことが困難なために各層被膜毎に膜の品質が変
動して所要の配線性能が得られなかったり、装置間搬送
時の酸化や汚染によって各層の被膜間の密着度の低下や
配線抵抗の増大等の問題を生じていた。
本発明が解決しようとする点は、多層膜構造の配線層を
形成する際に、従来のスパッタリング装置を複数台用い
た場合生じていた、各層毎の膜品質の変動、及び装置間
搬送時の酸化、汚染に起因する各開被膜間の密着度の低
下や配線抵抗の増大の問題と、更には使用装置台数の増
大に伴う作業手番や装置専有面積の増大等の問題である
。
形成する際に、従来のスパッタリング装置を複数台用い
た場合生じていた、各層毎の膜品質の変動、及び装置間
搬送時の酸化、汚染に起因する各開被膜間の密着度の低
下や配線抵抗の増大の問題と、更には使用装置台数の増
大に伴う作業手番や装置専有面積の増大等の問題である
。
真空容器（１）内に配設され軸（５）を中心にして回転
する筒体）４）上に、その回転方向に沿って並んで配設
された複数個のスバソタターゲッ） （７Ａ）〜（７１
１）を有し、該真空容器（１）内の該回転する筒体（４
）上の複数のスパッタターゲット（７Ａ）〜（７Ｈ）の
各々が順次正対する位置に被処理基板（８）が配置され
、該被処理基板上（８）に、該被処理基板（８）に順次
対向する複数のスパッタターゲット（７八）〜（７Ｈ）
から、それぞれのターゲット材料を順次スパッタさせる
本発明によるスパッタリング装置によって解決される。
する筒体）４）上に、その回転方向に沿って並んで配設
された複数個のスバソタターゲッ） （７Ａ）〜（７１
１）を有し、該真空容器（１）内の該回転する筒体（４
）上の複数のスパッタターゲット（７Ａ）〜（７Ｈ）の
各々が順次正対する位置に被処理基板（８）が配置され
、該被処理基板上（８）に、該被処理基板（８）に順次
対向する複数のスパッタターゲット（７八）〜（７Ｈ）
から、それぞれのターゲット材料を順次スパッタさせる
本発明によるスパッタリング装置によって解決される。
即ち本発明のスパッタリング装置は、真空容器内で回転
する筒体上に回転方向に沿って並んで配設された複数の
スパッタターゲットから、該複数のスパッタターゲット
が順次対向する被処理基板上にそれぞれのターゲット材
料を順次スパックさせることによって、被処理基板上に
複数のターゲット材料が、それぞれのターゲットが被処
理基板に対向する順序に順次積層された多層膜を被着さ
せる機能を有し、各スパッタターゲットが同一の真空容
器内に配設されることから各ターゲット材料のスパッタ
雰囲気が同−且つ良好に保たれ、且つ下層膜の形成を開
始してから多層膜が完成するまで被処理基板の装置外搬
送がなされないので、各層の膜品質が良好且つ均一化さ
れることによる配線層性能の向上、各層液膜表面の酸化
、汚染がないことによる各層被膜の眉間密着強度の増大
及び配線抵抗の減少等が図れる。
する筒体上に回転方向に沿って並んで配設された複数の
スパッタターゲットから、該複数のスパッタターゲット
が順次対向する被処理基板上にそれぞれのターゲット材
料を順次スパックさせることによって、被処理基板上に
複数のターゲット材料が、それぞれのターゲットが被処
理基板に対向する順序に順次積層された多層膜を被着さ
せる機能を有し、各スパッタターゲットが同一の真空容
器内に配設されることから各ターゲット材料のスパッタ
雰囲気が同−且つ良好に保たれ、且つ下層膜の形成を開
始してから多層膜が完成するまで被処理基板の装置外搬
送がなされないので、各層の膜品質が良好且つ均一化さ
れることによる配線層性能の向上、各層液膜表面の酸化
、汚染がないことによる各層被膜の眉間密着強度の増大
及び配線抵抗の減少等が図れる。
以下本発明を、第１図に模式的に示す本発明に係るスパ
ッタリング装置の一実施例の内部平面図（ａ）、内部側
面図（ｂｌ及び電源回路図（Ｃ１を参照して具体的に説
明する。
ッタリング装置の一実施例の内部平面図（ａ）、内部側
面図（ｂｌ及び電源回路図（Ｃ１を参照して具体的に説
明する。
第１図において、１はステンレス等の導体で形成された
真空容器、２はガス導入口、３は真空排気口、イ絶縁体
によって形成さた正８角筒体、５は筒体の回転軸、６Ａ
、 ６Ｂ、６Ｃ，６Ｄ、６Ｅ、 ６Ｆ、 ６Ｇ。
真空容器、２はガス導入口、３は真空排気口、イ絶縁体
によって形成さた正８角筒体、５は筒体の回転軸、６Ａ
、 ６Ｂ、６Ｃ，６Ｄ、６Ｅ、 ６Ｆ、 ６Ｇ。
６１（は銅等により形成され内部に図示しない冷却手段
を有するそれぞれ独立したバッキングプレート、７Ａ、
７Ｂ、 ７Ｃ，７Ｄ、 ７Ｅ、 ７Ｆ、 ７Ｇ、 ７
Ｍはスパッタリングターゲット、８はスパッタターゲッ
トが順次対向する容器面に図示しない固定手段により容
器と同電位に支持された被処理基板、９は電源配線、１
ｏは模式的に示す電源配線とバッキングプレートとの接
触端子、１１は筒体の回転軸に連動し且つ接地された回
転摺動スイッチ、１２Ａ 、 １２Ｂ 、 １２Ｃ１１
２０，１２Ｅ 、１２Ｆ 、１２Ｇ 、１２Ｈは各電源
への接続端子、Ｃ６、Ｅｌｌ、Ｅｃ、εｏ−、Ｅｔ、Ｅ
ｒ１ Ｅｏ、ＥＨはそれぞれ異なる電圧を有する直流電
源、ＧＮＤは接地を示す。
を有するそれぞれ独立したバッキングプレート、７Ａ、
７Ｂ、 ７Ｃ，７Ｄ、 ７Ｅ、 ７Ｆ、 ７Ｇ、 ７
Ｍはスパッタリングターゲット、８はスパッタターゲッ
トが順次対向する容器面に図示しない固定手段により容
器と同電位に支持された被処理基板、９は電源配線、１
ｏは模式的に示す電源配線とバッキングプレートとの接
触端子、１１は筒体の回転軸に連動し且つ接地された回
転摺動スイッチ、１２Ａ 、 １２Ｂ 、 １２Ｃ１１
２０，１２Ｅ 、１２Ｆ 、１２Ｇ 、１２Ｈは各電源
への接続端子、Ｃ６、Ｅｌｌ、Ｅｃ、εｏ−、Ｅｔ、Ｅ
ｒ１ Ｅｏ、ＥＨはそれぞれ異なる電圧を有する直流電
源、ＧＮＤは接地を示す。
なお、スパッタの方式はマグネトロンスパッタ方式で、
バッキングプレートの裏面側には例えば従来例同様の構
造を有する図示しない磁石が配設される。
バッキングプレートの裏面側には例えば従来例同様の構
造を有する図示しない磁石が配設される。
スパッタに際しては、例えばターゲット７Ａ〜７Ｈに異
なるターゲ７）材料を用い、ガス導入口２から不活性ガ
ス例えばＡｒを流入し、真空排気口３がら排気を行って
真空容器１内を５×１０−’程度の真空度に保った状態
で、先ず被処理基板８に対向するターゲット７Ａからそ
のターゲット材料を被処理基板８上にスパッタさせる。
なるターゲ７）材料を用い、ガス導入口２から不活性ガ
ス例えばＡｒを流入し、真空排気口３がら排気を行って
真空容器１内を５×１０−’程度の真空度に保った状態
で、先ず被処理基板８に対向するターゲット７Ａからそ
のターゲット材料を被処理基板８上にスパッタさせる。
この際ターゲット７Ａには筒体４の回転軸５に連動する
回転摺動端子１１を介し更にバンキングプレート６Ａを
介して電源Ｅ１から独立の直流電力が印加される。通常
スパッタ電圧は１００〜５００Ｖ、電力は１〜１０ Ｋ
Ｗ程度である。
回転摺動端子１１を介し更にバンキングプレート６Ａを
介して電源Ｅ１から独立の直流電力が印加される。通常
スパッタ電圧は１００〜５００Ｖ、電力は１〜１０ Ｋ
Ｗ程度である。
所定の時間ターゲット７八材料のスパッタを行った後、
真空容器１内の雰囲気をその侭に維持した状態において
、筒体４を次のターゲット７Ｂが被処理基板８と対向す
る位置まで回転し、この際筒体４の回転軸５に連動する
摺動端子１１を介し且つバッキングプレート６Ｂを介し
て電源Ｅ、から独立に供給される直流電力により所定の
時間ターゲット７Ｂのスパッタを行い、前記被処理基板
８の既に被着されているターゲット材料７Ａのスパッタ
膜上にターゲット材料７Ｂのスパッタ膜を被着する。
真空容器１内の雰囲気をその侭に維持した状態において
、筒体４を次のターゲット７Ｂが被処理基板８と対向す
る位置まで回転し、この際筒体４の回転軸５に連動する
摺動端子１１を介し且つバッキングプレート６Ｂを介し
て電源Ｅ、から独立に供給される直流電力により所定の
時間ターゲット７Ｂのスパッタを行い、前記被処理基板
８の既に被着されているターゲット材料７Ａのスパッタ
膜上にターゲット材料７Ｂのスパッタ膜を被着する。
以下同様に、筒体４を次のターゲットが被処理基板８と
対向する位置まで順次回転させ、ターゲット７Ｃ〜７Ｈ
に、対応する電源ＥＣ−ＥＨからそれぞれ独立の直流電
力を印加してスパッタが行われ、それぞれのターゲット
材料のスパッタ膜が被処理基板８上に順次積層被着され
る。
対向する位置まで順次回転させ、ターゲット７Ｃ〜７Ｈ
に、対応する電源ＥＣ−ＥＨからそれぞれ独立の直流電
力を印加してスパッタが行われ、それぞれのターゲット
材料のスパッタ膜が被処理基板８上に順次積層被着され
る。
このように本発明のスパッタリング装置においては、真
空容器１内が一定の良好な真空雰囲気に保たれた状態に
おいて、同一被処理基板８上に複数のターゲット材料の
スパッタ膜が続けて積層被着される。従って各々のター
ゲット材料のスパッタ膜の膜品質は均一に保たれ、更に
各スパッタ膜の表面が酸化されたり汚染されたりするこ
とが無いので積層されるスパッタ膜間の密着は良好且つ
強固に保たれる。
空容器１内が一定の良好な真空雰囲気に保たれた状態に
おいて、同一被処理基板８上に複数のターゲット材料の
スパッタ膜が続けて積層被着される。従って各々のター
ゲット材料のスパッタ膜の膜品質は均一に保たれ、更に
各スパッタ膜の表面が酸化されたり汚染されたりするこ
とが無いので積層されるスパッタ膜間の密着は良好且つ
強固に保たれる。
なお、各々のターゲ・７トのスパッタ時間即ちターゲッ
トと被処理基板を対向させて置く時間は、良好な膜質が
得られるスパッタレートと所要のスパッタ膜厚によって
決定されるが、条件が許されるならば各々のターゲット
のスパッタ時間は一定にした方が操作が簡単になる。
トと被処理基板を対向させて置く時間は、良好な膜質が
得られるスパッタレートと所要のスパッタ膜厚によって
決定されるが、条件が許されるならば各々のターゲット
のスパッタ時間は一定にした方が操作が簡単になる。
上記実施例においては、ターゲット７Ａ〜７１１の材料
が総て異なる例を説明したが、複数のターゲットを同一
材料にして使用することもできる。
が総て異なる例を説明したが、複数のターゲットを同一
材料にして使用することもできる。
例えばターゲット７Ａ、７Ｂ、７ＣにＡｌ−１％Ｓｉ合
金を用い、７Ｄ、 ７ＥにＴｉを用い、７Ｆ、７Ｇ、７
１１にＡｌ−１％Ｓｉ合金を用いて、ターゲット７Ａ、
７Ｂ、７Ｃ１７Ｆ、７Ｇ、７Ｈをそれぞれ１７００人／
ｍｉｎでスパッタさせ、ターゲット７Ｄ、７Ｅを５００
人／ｍｉｎでスパッタさせることにより、各ターゲット
のスパッタ時間を一定の１分間に保って、５１００人：
１０００人： ５１００人の膜厚比率を有する前述の
Ａｌ−１％Ｓｉ合金−Ｔｉ −ＡＩ−１％Ｓｉ合金の配
線層を形成することができる。
金を用い、７Ｄ、 ７ＥにＴｉを用い、７Ｆ、７Ｇ、７
１１にＡｌ−１％Ｓｉ合金を用いて、ターゲット７Ａ、
７Ｂ、７Ｃ１７Ｆ、７Ｇ、７Ｈをそれぞれ１７００人／
ｍｉｎでスパッタさせ、ターゲット７Ｄ、７Ｅを５００
人／ｍｉｎでスパッタさせることにより、各ターゲット
のスパッタ時間を一定の１分間に保って、５１００人：
１０００人： ５１００人の膜厚比率を有する前述の
Ａｌ−１％Ｓｉ合金−Ｔｉ −ＡＩ−１％Ｓｉ合金の配
線層を形成することができる。
なおまた、上記実施例においては被処理基板を１枚とし
たが、これは１枚に限られるものではなく、上記１枚の
被処理基板の他に、他のターゲットに対向する位置に別
の被処理基板を配置することによって、複数枚に被処理
基板に対して同一バッチで同種の積層スパッタ膜を形成
することができる。
たが、これは１枚に限られるものではなく、上記１枚の
被処理基板の他に、他のターゲットに対向する位置に別
の被処理基板を配置することによって、複数枚に被処理
基板に対して同一バッチで同種の積層スパッタ膜を形成
することができる。
更にまた、同一筒体上にターゲット列を複数列配設すれ
ば、更に製造能力の大きい装置が形成される。
ば、更に製造能力の大きい装置が形成される。
なお上記実施例においては筒体を正８角形に形成し、該
筒体表面にその回転方向に沿って８個のターゲットが並
べて配設されたが、筒体の形状は上記８角形に限られる
ものではなく、従って回転方向に沿って並べられるクー
ゲット数も上記８個に限られるものではない。また筒体
は円筒形でもよい。
筒体表面にその回転方向に沿って８個のターゲットが並
べて配設されたが、筒体の形状は上記８角形に限られる
ものではなく、従って回転方向に沿って並べられるクー
ゲット数も上記８個に限られるものではない。また筒体
は円筒形でもよい。
以上説明のように本発明のスパッタリング装置によれば
、被処理基板上に積層被膜を形成する際に、被処理基板
の装置間搬送を伴わずに、同一真空容器内において同一
の良好な真空雰囲気中で連続して積層形成することがで
きる。
、被処理基板上に積層被膜を形成する際に、被処理基板
の装置間搬送を伴わずに、同一真空容器内において同一
の良好な真空雰囲気中で連続して積層形成することがで
きる。
従って積層される各々の膜品質は均一になる。
そして更に、各層の被膜間に酸化被膜や汚染物質が介在
することがなくなるので、各層液膜間の密着強度は増大
し、積層配線層等の場合電気抵抗の減少、パターンニン
グ性の向上環が図れる。
することがなくなるので、各層液膜間の密着強度は増大
し、積層配線層等の場合電気抵抗の減少、パターンニン
グ性の向上環が図れる。
第１図は本発明の一実施例を模式的に示す内部平面図（
ａ）、内部側面図（ｂｌ及び電源回路図ｆｃｌ、第２図
は従来用いられていたマグネトロンスパッタ装置の模式
側断面図である。 図において、 １は真空容器、 ２はガス導入口、 ３は真空排気口、 ４筒体、 ５は筒体の回転軸、 ６＾、６Ｂ、 ６Ｃ，６０，６Ｅ、 ６Ｆ、 ６Ｇ、
６８４！バツキングプレート、 ７八、 ７８、７Ｃ１７Ｄ、 ７Ｅ、 ７Ｆ、 ７Ｇ、
７１１はスパッタターゲット、 ８は被処理基板、 ９は電源配線、 １０は接触端子、 １１は回転摺動スイッチ、 １２Ａ 、 １２Ｂ 、 １２Ｃ、１２０、１２Ｅ 、
１２Ｆ 。 １２Ｇ 、１２＋１は接続端子、 ＥＡ、、Ｅ６、Ｅｃ、 ＥＤｌＥＥ、、ＥＦｌＥＧ、
Ｅｌ＋は直流電源 ＧＮＤは接地 を示す。
ａ）、内部側面図（ｂｌ及び電源回路図ｆｃｌ、第２図
は従来用いられていたマグネトロンスパッタ装置の模式
側断面図である。 図において、 １は真空容器、 ２はガス導入口、 ３は真空排気口、 ４筒体、 ５は筒体の回転軸、 ６＾、６Ｂ、 ６Ｃ，６０，６Ｅ、 ６Ｆ、 ６Ｇ、
６８４！バツキングプレート、 ７八、 ７８、７Ｃ１７Ｄ、 ７Ｅ、 ７Ｆ、 ７Ｇ、
７１１はスパッタターゲット、 ８は被処理基板、 ９は電源配線、 １０は接触端子、 １１は回転摺動スイッチ、 １２Ａ 、 １２Ｂ 、 １２Ｃ、１２０、１２Ｅ 、
１２Ｆ 。 １２Ｇ 、１２＋１は接続端子、 ＥＡ、、Ｅ６、Ｅｃ、 ＥＤｌＥＥ、、ＥＦｌＥＧ、
Ｅｌ＋は直流電源 ＧＮＤは接地 を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 真空容器（１）内に配設され軸（５）を中心にして回転
する筒体（４）上に、その回転方向に沿って並んで配設
された複数個のスパッタターゲット（７Ａ）〜（７Ｈ）
を有し、 該真空容器（１）内の該回転する筒体（４）上の複数の
スパッタターゲット（７Ａ）〜（７Ｈ）の各々が順次正
対する位置に被処理基板（８）が配置され、該被処理基
板上（８）に、該被処理基板（８）に順次対向する複数
のスパッタターゲット（７Ａ）〜（７Ｈ）から、それぞ
れのターゲット材料を順次スパッタさせることを特徴と
するスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18740486A JPS6342368A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18740486A JPS6342368A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | スパツタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6342368A true JPS6342368A (ja) | 1988-02-23 |
Family
ID=16205435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18740486A Pending JPS6342368A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | スパツタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6342368A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0492114A1 (de) | 1990-12-20 | 1992-07-01 | Leybold Aktiengesellschaft | Zerstäubungsanlage |
| US5292419A (en) * | 1990-12-20 | 1994-03-08 | Leybold Aktiengesellschaft | Sputtering unit |
| WO2010047235A1 (ja) * | 2008-10-22 | 2010-04-29 | 国立大学法人東北大学 | マグネトロンスパッタ装置 |
-
1986
- 1986-08-08 JP JP18740486A patent/JPS6342368A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0492114A1 (de) | 1990-12-20 | 1992-07-01 | Leybold Aktiengesellschaft | Zerstäubungsanlage |
| US5292419A (en) * | 1990-12-20 | 1994-03-08 | Leybold Aktiengesellschaft | Sputtering unit |
| WO2010047235A1 (ja) * | 2008-10-22 | 2010-04-29 | 国立大学法人東北大学 | マグネトロンスパッタ装置 |
| JP2010100880A (ja) * | 2008-10-22 | 2010-05-06 | Tohoku Univ | マグネトロンスパッタ装置 |
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