JPS6342142A - Wafer handling arm - Google Patents
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- JPS6342142A JPS6342142A JP62102139A JP10213987A JPS6342142A JP S6342142 A JPS6342142 A JP S6342142A JP 62102139 A JP62102139 A JP 62102139A JP 10213987 A JP10213987 A JP 10213987A JP S6342142 A JPS6342142 A JP S6342142A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Abstract] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、モジューラ半導体ウェーハ処理装置に使用す
るのに適切なロボットアームに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a robot arm suitable for use in modular semiconductor wafer processing equipment.
従来技術で、ウェーハを取扱うだめのロボットアームは
、互いに滑動し或いは互いに噛合する部品を有し、その
ため、ちりを生じていた。In the prior art, robot arms intended to handle wafers had parts that slid or interlocked with each other, thus creating dust.
本発明の目的は、互いに滑動する部品を排除する真空中
でウェーハを取扱うためのロボットアームを提供するこ
とである。It is an object of the present invention to provide a robot arm for handling wafers in a vacuum that eliminates parts sliding relative to each other.
本発明の他の目的は、アームの保持端がアームのかなり
の部分のストロークにわたってほぼ直線の経路ヲ通るロ
ボットアームを提供することである。Another object of the invention is to provide a robotic arm in which the holding end of the arm follows a substantially straight path over a significant portion of the stroke of the arm.
ツーピースロボットアームが、特別の形状のカムを使用
する。そのカム上で、アームが動くとき駆動ケーブルは
、巻かれたり解かれたシし、それによって、滑動するベ
ルト及びギアを除去するものである。A two-piece robot arm uses a specially shaped cam. As the arm moves on its cam, the drive cable is unwound and unwound, thereby removing the sliding belt and gears.
ロボットアームは、第1アーム及びその第1アームに回
転可能に取り付けられた第2アームを含む。第2アーム
の保持端は、第1アームが固定カムのまわシで回転する
とき、そのストロークのかなりの部分にわたってほぼ直
線経路を通る。The robot arm includes a first arm and a second arm rotatably attached to the first arm. The holding end of the second arm follows a generally straight path for a significant portion of its stroke as the first arm rotates on the fixed cam.
本発明のこれらの及び他の構成上及び作用上の特徴は、
制限的ではない例によって一好適実増例及び変形例を図
示する図面を参照して以下の好適実施例の説明からより
明らかになるであろう。These and other structural and operational features of the invention include:
It will become clearer from the following description of a preferred embodiment with reference to the drawing, which illustrates, by way of non-limiting example, one preferred embodiment and variant.
図面を参照すれば、参照符号が1種々の図を通じて部品
を示すだめに用いられている。第1図では1本発明のモ
ジューラ半導体ウェーハ輸送及び処理装置1の一実施例
の部分略平面図全示す。Referring to the drawings, reference numerals are used to designate parts throughout the various views. FIG. 1 shows a partial schematic plan view of one embodiment of a modular semiconductor wafer transport and processing apparatus 1 according to the present invention.
モジューラウエーハ処理装置 1tri、ウェーハハン
ドラ及ヒロードロックモジュール400、ケートパルプ
モジュール100a−f、移送モジュール200a及び
200b、処理モジ:x−−/l/ 300a−300
d並びに移送モジュール200aと200b との間で
接続した通過モジュール500を含む。Modular wafer processing device 1tri, wafer handler and hero lock module 400, Kate pulp module 100a-f, transfer modules 200a and 200b, processing module: x--/l/ 300a-300
d as well as a transit module 500 connected between transfer modules 200a and 200b.
ウェーハハンドラ及ヒロードロックモジュール400は
平面図でほぼ長方形であり、ロードロックチェンバ40
6の外部でモジュール400の範囲内の領域407が大
気圧にある。制御された低い微粒子大気環境が、装置の
この部分でもたらされる。動作上、処理されるべき選択
されたウェーハが、ウェーハハンドラ405によってウ
ェーハハンドラ及びロードロックモジュール400で準
標準又は等価のウェーハカセット402−403の選択
したものから取り出される。ウェーハハンドラ405は
1選択したウェーハをそのカセットからウエーノ・アラ
イナ及び平坦なファインダ408へと、さらにウェーハ
アライナ408からロードロックチェンバ406へと輸
送する。ウェーハはまた、カセット404から取り出さ
れてもよい。カセット404は、処理検定ウェーハのた
めに取っておかれる。カセット401は、ウェーハが処
理後他方のカセットの一方又は薄膜モニタ409で配置
される前に冷却されるのを可能にする貯蔵カセットであ
る。ウエーハカセット401−404が水平に対して小
さい角度1例えば7度傾けられ、そのためカセット40
1−404内のウェーハの平坦面はこの同じ小さい角度
だけ垂直かラスれ、ウエートはこれらのカセット内に配
置されるときカセット内のウェーハ保持スロットに対し
て既知の方向にあるように傾けられる。そのカセットか
らロードロックチェンバ406に選択したウェーハを移
送する間に、ウェーハは、最初にウェーハハンドラ40
5によってウェーハアライナ408へ移動されるが、ウ
エーノ・の表面を垂直配向で維持する。次に1選択した
ウェーハは回転して。The wafer handler and load lock module 400 is approximately rectangular in plan view, and the load lock chamber 40 is approximately rectangular in plan view.
6 and within the module 400 is at atmospheric pressure. A controlled low particulate atmospheric environment is provided in this part of the device. In operation, selected wafers to be processed are removed by wafer handler 405 from a selection of substandard or equivalent wafer cassettes 402-403 in wafer handler and load lock module 400. Wafer handler 405 transports a selected wafer from its cassette to wafer aligner and flat finder 408 and from wafer aligner 408 to load lock chamber 406 . Wafers may also be removed from cassette 404. Cassette 404 is reserved for processing qualification wafers. Cassette 401 is a storage cassette that allows wafers to be cooled after processing before being placed in one of the other cassettes or thin film monitor 409. The wafer cassettes 401-404 are tilted at a small angle 1, e.g.
The flat surfaces of the wafers in 1-404 are oriented vertically by this same small angle so that the weights, when placed in these cassettes, are tilted in a known orientation relative to the wafer holding slots in the cassettes. During the transfer of selected wafers from their cassettes to load-lock chamber 406, the wafers are first transferred to wafer handler 406.
5 to the wafer aligner 408, keeping the surface of the wafer in a vertical orientation. Next, rotate the selected wafer.
ウェーハの平坦な表面は水平となり、ロードロック40
6内に配置される。次に、ロードロック406は、大気
に開放される。次に、ウエーノ・の平坦面は、移送アー
ム201aによってゲートバルブモジュ−/l/ 10
0a ヲ通って移送モジュール200a’ヘウエーハを
輸送する間水平のままである。移送アーム201aば、
移送モジュール200a及びゲートパルプモジュール1
00aの入口/出口ポート210 ’!z通ってのび、
ロードロックチェンバ406内にウェーハを引き入れる
。The flat surface of the wafer is level and the load lock 40
6. Load lock 406 is then opened to the atmosphere. Next, the flat surface of the gate valve module /l/10 is transferred by the transfer arm 201a.
0a remains horizontal while transporting the wafer through transfer module 200a'. Transfer arm 201a,
Transfer module 200a and gate pulp module 1
00a inlet/outlet port 210'! Stretch through z,
The wafer is pulled into the load lock chamber 406.
移送モジュール200aは、4つのポート210゜21
1.212及び213を有する。ポート210.211
及び212は、それぞれゲートパルプモジュール100
a、 100b及び100Cによって制(財)される
。The transfer module 200a has four ports 210, 21
1.212 and 213. port 210.211
and 212 are gate pulp modules 100, respectively.
Controlled by a, 100b and 100C.
ポート211及びその対応するゲートパルプモジュール
100bは、移送モジュール200aのチェンバ215
ヲ処理モジユール300aのチェンバ301a (!:
接続する。同様に、ポート212及び対応するゲートバ
ルブモジュール100c H,移送モジュール200a
のチェンバ215を処理モジュール300bのチェンバ
301bと接続する。移送モジュール200aの内部チ
ェンバ215ば、在来のボンピング機構(第1図で図示
せず)による大気圧よシ小さい選択された圧力で維持さ
れる。チェンバ215が排気される速度を大きくするた
めに、チェンバ215は、アーム201aに対してチェ
ンバ215の容量を最小にするように寸法づけられる。Port 211 and its corresponding gate pulp module 100b are connected to chamber 215 of transfer module 200a.
Chamber 301a of processing module 300a (!:
Connecting. Similarly, port 212 and corresponding gate valve module 100c H, transfer module 200a
The chamber 215 of the processing module 300b is connected to the chamber 301b of the processing module 300b. The internal chamber 215 of the transfer module 200a is maintained at a selected pressure less than atmospheric pressure by a conventional pumping mechanism (not shown in FIG. 1). To increase the rate at which chamber 215 is evacuated, chamber 215 is sized to minimize the volume of chamber 215 relative to arm 201a.
ウェーハをロードロックチェンバ406から抜き取った
後、移送アーム201aは移送ナンバ215内に引込み
、ゲートパルプ100aは閉じる。次に、移送アーム2
01aは、ウェーハを選択された処理ポート211又は
212、或いは移送ポート213へもたらすために選択
された角度だけ回転する。選択されたウェーハが処理ボ
ート(例えばポート21工)にもたらされるとき、対応
するゲートバルブモジュール(例えばモジュール100
b)は、ロードロック406カラ移送モジユール200
aのチェンバ215 内への移送中に閉じ、制御装置(
図示せず)によって開かれる。次に、アーム201aは
、処理ボート(例えばポートzu)及び対応するゲート
バルブモジュール(例えばモジュール100b )を通
って対応する処理チェンバ(例えば対応する処理モジュ
ール(例えば300a )のチェンバ301a )へと
のびる。次に、ウェーハは、第1図では図示しない手段
によって抜き取られる。After removing the wafer from load lock chamber 406, transfer arm 201a retracts into transfer number 215 and gate pulp 100a closes. Next, transfer arm 2
01a is rotated by a selected angle to bring the wafer to the selected processing port 211 or 212 or transfer port 213. When the selected wafers are brought to the processing boat (e.g. port 21), the corresponding gate valve module (e.g. module 100)
b) Load lock 406 Kara transfer module 200
a is closed during transfer into the chamber 215, and the control device (
(not shown). Arm 201a then extends through a processing boat (eg, port zu) and a corresponding gate valve module (eg, module 100b) to a corresponding processing chamber (eg, chamber 301a of a corresponding processing module (eg, 300a)). The wafer is then extracted by means not shown in FIG.
処理モジュール301a及び301bは同一であって、
そのため同一の動作がそこで行なわれてもよく。The processing modules 301a and 301b are the same,
Therefore, the same operation may be performed there.
或いはこれらのモジュールはそこで行なわれるべき異な
る動作とは異なっていてもよい。いずれかの場合に、移
送モジュール2Of)a fウェーハハンドラ及びロー
ドロック400に接続する入ロ/出ロポ〜ト210及び
バルブ100aとともに、それぞれポート211及び2
12並びにゲートバルブモジュール100b及び100
cを介して移送モジュール200aに接続される2つの
処理モジュール300a及び300bを提供することに
よシ、連続的処理装置に比較して太きな処理量及びウェ
ーハの連続的でない処理が可能になる。ウェーハをウェ
ーハカセットから移送し且つ選択された処理モジュール
内のウェーハを抜き取るのに必要とされる時間は1代表
的に処理モジュール内のウェーハの処理のために必要と
される時間よシかなシ短い。従って、第1のウェーハが
入力カセットから処理モジュール300a及び300b
の選択されたものに処理チェンバ300aでの処理の最
初の期間の間に移送されるとき、第2のウェーハが、ロ
ードロックチェンバ406から処理モジュール300b
に輸送されてもよい。次に。Alternatively, these modules may be different with different operations to be performed therein. In either case, ports 211 and 2, respectively, with input/output port 210 and valve 100a connecting to transfer module 2Of) a wafer handler and load lock 400.
12 and gate valve modules 100b and 100
By providing two processing modules 300a and 300b connected to the transfer module 200a via c, higher throughput and non-continuous processing of wafers is possible compared to continuous processing equipment. . The time required to transfer a wafer from a wafer cassette and extract the wafer in a selected processing module is typically shorter than the time required for processing a wafer in a processing module. . Therefore, the first wafer is transferred from the input cassette to processing modules 300a and 300b.
A second wafer is transferred from load lock chamber 406 to a selected one of processing modules 300b during an initial period of processing in processing chamber 300a.
may be transported to. next.
移送アーム201aが、ポート211へ逆回転して処理
モジュール300aでウェーハの処理の完成を待っても
よい。従って、かなりの部分の時間の間に、処理が、処
理モジュール300a及び300bで同時に起こってい
る。所望ならば、処理モジュール300b は、主な処
理ステーションがスパッタ蒸着のために使用されるとき
、スパッタリング以外の処理1例えば化学蒸着によって
金属薄膜を蒸着するため、或いはスパッタエッチクリー
ニングを行うための前処理モジュールであってもよい。Transfer arm 201a may rotate back to port 211 to await completion of processing of the wafer in processing module 300a. Therefore, for a significant portion of the time, processing is occurring simultaneously in processing modules 300a and 300b. If desired, the processing module 300b can perform pre-treatments other than sputtering, such as for depositing metal thin films by chemical vapor deposition, or for performing sputter etch cleaning, when the main processing station is used for sputter deposition. It may also be a module.
次に、ウェーハは、装置1で残る処理チェンバで処理さ
れうる。The wafer can then be processed in the remaining processing chambers of the apparatus 1.
移送モジュール200a内に第2の入口/出ロボ−)
213をもたらすことによシ、他の処理モジュール30
0c及び300dへの接続が可能になる。移送モジュー
ル200aが1通過モジュール500を介して等しい移
送モジュール200b(対応する部品は同一の符号を有
する)に接続される。通過モジュール500は、移送モ
ジュール200aの入口/出口ボート213を移送モジ
ュール200bの入口/出口ポート210と接続し、こ
れにより単一の真空チェンバを形成する。アーム201
a によって保持されるウェーハを処理チェンバ300
c及び300d の一方に移送することが所望されると
き、ウエーノ・ば1通過モジュール500内の平坦なア
ライナ501に抜き取られる。次に、ウェーハは、移送
モジュール200bのアーム201bに載せられ、処理
モジュール300cから300eにアーム201bによ
って対応するゲートバルブモジュール100dから10
of を介して移送される。ウェーハが完全に処理され
たとき、ウェーハは処理モジュールから選択されたカセ
ット(401−404)へ移送アーム201aを介して
、或いは移送アーム201b、通過チェンバ501及び
移送アーム201aを介して戻される。処理モジュール
では、ウェーハは、口〜ドロックチェンバ406にある
。処理モジュール300eは、破線で描かれ。A second entrance/exit robot within the transfer module 200a)
213, other processing modules 30
Connection to 0c and 300d becomes possible. Transfer module 200a is connected via one-pass module 500 to an equal transfer module 200b (corresponding parts have the same reference numbers). Pass-through module 500 connects the inlet/outlet boat 213 of transfer module 200a with the inlet/outlet port 210 of transfer module 200b, thereby forming a single vacuum chamber. Arm 201
A wafer held by a processing chamber 300
c and 300d, it is extracted into a flat aligner 501 in a Ueno-B1 pass module 500. The wafer is then placed on the arm 201b of the transfer module 200b and transferred to the corresponding gate valve modules 100d to 100 by arm 201b from the processing modules 300c to 300e.
Transported via of. When the wafer is completely processed, the wafer is returned from the processing module to the selected cassette (401-404) via transfer arm 201a, or via transfer arm 201b, pass chamber 501 and transfer arm 201a. In the processing module, the wafer is in a dock-lock chamber 406. Processing module 300e is depicted with a dashed line.
それが任意であることを示し、自由にモジュールを加え
ることができることを示す。Indicates that it is optional and that modules can be added freely.
第1図で示す装置は1通過モジュール500に等しい通
過モジュールによってゲートバルブ100f及び処理モ
ジュー300e を置き換えることによって直線的に
拡張され、移送モジュール200bを移送モジュール2
00bに等しい移送モジュール(図示せず)と接続して
もよい。移送モジュール200bばまた、対応する複数
の処理チェンバに接続される。第1図で示す装置はまた
、通過モジュール501に等しい通過モジュールによっ
て処理モジュール300dを置き換えることによって直
線的でない方法で拡張され、移送モジュール200bを
移送モジュール200bに等しい移送モジュール(図示
せず)と接続してもよい。移送モジュール200bは、
対応する複数の処理チェンバに接続される。The apparatus shown in FIG. 1 is linearly expanded by replacing gate valve 100f and processing module 300e by pass modules equal to one pass module 500, replacing transfer module 200b with transfer module 2.
It may also be connected to a transfer module (not shown) equal to 00b. Transfer module 200b is also connected to a plurality of corresponding processing chambers. The apparatus shown in FIG. 1 can also be extended in a non-linear manner by replacing the processing module 300d by a transit module equal to transit module 501 and connecting the transfer module 200b with a transfer module (not shown) equal to transfer module 200b. You may. The transfer module 200b is
connected to a plurality of corresponding processing chambers.
所望ならば、任意の処理モジュール300eはまた。If desired, optional processing module 300e also.
ウェーハハンドラ及ヒロードロックモジュール400に
等しい第2のウエーノ・/・ンドラ及ヒロードロックモ
ジュールによって置き換えられてもよい。The wafer handler and hero lock module 400 may be replaced by a second wafer handler and hero lock module.
第1図で示す処理装置の形状は、連続的でない処理を可
能にする。すなわち、すべてのウェーハを入れるロード
ロック406が他の如何なる処理チェンバをも通過せず
に選択された処理チェンバへ移送されることができ、す
べてのウェーハが如何なる中間の処理チェンバ金も通過
せずに選択されり処理チェンバカラロードロックチェン
バ406へ、或いは他のすべての選択された処理チェン
バへ移送されうる。装置1内の移送アーム、ゲートバル
ブ、平坦なアライナ及びロードロックチェンバの動作は
、主要制御回路(図示せず)によって制御される。主要
制御回路は、代表者に、ゲートバルブが連続的であるよ
うに動作され、そのため特定的でない処理チェンバが他
の処理チェンバと直接連通している。このため、装置は
、完全な動的隔離をもたらす。The shape of the processing device shown in FIG. 1 allows for non-continuous processing. That is, the load lock 406 containing all wafers can be transferred to the selected processing chamber without passing through any other processing chambers, and all wafers can be transferred to the selected processing chamber without passing through any intermediate processing chambers. The selected processing chamber may be transferred to the color load lock chamber 406 or to all other selected processing chambers. The operation of the transfer arm, gate valve, flat aligner and load lock chamber within the device 1 is controlled by a main control circuit (not shown). The main control circuit typically operates such that the gate valves are continuous, so that non-specific processing chambers are in direct communication with other processing chambers. The device thus provides complete dynamic isolation.
装R1によってもたらされる連続的でない処理は、特定
の処理モジュールが動作していないとき残りの処理モジ
ュールの連続的動作を可能にする。The non-continuous processing provided by equipment R1 allows continuous operation of the remaining processing modules when a particular processing module is not operating.
連続的でない処理fiまた、装置の残シが動作し続ける
間、置き替え処理モジュールの、或いはすべての指定し
た処理モジュールの性能がチエツクされるのを可能にす
る。例えば、モジュール300cの性能をチエツクする
ことが所望されるならば、カセット404で収容される
モニタウェーハが、処理チェンバ300cに移送され、
処理されて、カセット404に戻されてもよい。チェン
バ300c内での処理中に、装置1の残りは、ウェーハ
製品を処理し続ける。Non-continuous processing also allows the performance of a replacement processing module, or of all specified processing modules, to be checked while the remainder of the system continues to operate. For example, if it is desired to check the performance of module 300c, a monitor wafer contained in cassette 404 is transferred to processing chamber 300c and
It may be processed and returned to cassette 404. During processing in chamber 300c, the remainder of the apparatus 1 continues to process wafer products.
第2図は、第1図で示す半導体ウェーハ輸送及び処理装
置の部分斜視図を示す。特に、移送モジュール200a
のハウジングは、はぼ円筒形状であり、円形上部298
、円形底部296及び最上部298と底部296とをつ
なぐ円筒壁297を含む。ハウジングは、如何なる適切
な真空適合材料(例えば、ステンレス鋼)から成っても
よい。FIG. 2 shows a partial perspective view of the semiconductor wafer transport and processing apparatus shown in FIG. In particular, transfer module 200a
The housing has a cylindrical shape with a circular upper part 298
, including a circular bottom portion 296 and a cylindrical wall 297 connecting the top portion 298 and the bottom portion 296 . The housing may be made of any suitable vacuum compatible material (eg, stainless steel).
各移送チェンバのボートは、ハウジングの延長部によっ
て画成される。ハウジングの延長部は、内部チェンバ2
15からハウジングの外部にのびる水平のスロットを形
成する。例えば、ポート210(第1図)が、第2図で
示すハウジング延長部299aによって画成される。Each transfer chamber boat is defined by an extension of the housing. The extension of the housing has an inner chamber 2
A horizontal slot is formed extending from 15 to the exterior of the housing. For example, port 210 (FIG. 1) is defined by housing extension 299a shown in FIG.
第3図は、本発明のウェーハ輸送及び処理装置の第2実
施例の部分略平面図を示す。ウェーハ輸送及び処理装置
2が、入口ウェーハハンドラ及びロードロックモジュー
ル40a、出口ウェーハハンドラ及びロードロックモジ
ュール40b 、移送モジュール20a及ヒ20b1ケ
ートバルブモジユール10a −10h 、 Mびに処
理チェンバ3Qb 、 30c 53Of及び30g
を含む。ウェーハハンドラ及びロードロックモジュール
40aは、第1図で示すウニーハハンドラ及ヒロードロ
ックモジュール4ooト同一である。移送モジュール2
oalは、移送モジュール20aの内部23aをモジュ
ール20aの外部と連通ずるためのボー) 21a −
21dを有する真空チェンバを含む。ボート21a −
21dは、ゲートパルプモジュール10a −10dに
よって開いたり閉じたりする。移送モジュール20aは
、平坦なアライナ50aを介して等しい移送モジュール
20bに接続され、このため単一の真空チェンバを形成
する。そのチェンバは、第3図では図示しない在来のポ
ンピング手段によって排気でれる。平坦なアライナ50
aば、所望される回転配向でウェーハを位置づけるため
の如何なる適切な手段によって置き換えられてよい。移
送モジュール23bは4つのポート21e−21hを有
し、それらはゲートパルプモジュール10e −10h
によってそれぞ′i1.開いたシ閉じたりする。反応性
イオンエッチモジュール30cの内部31cは、移送モ
ジュール20aの内部チェンバ23a及び移送モジュー
ル20bの内部チェンバ23bにボー ) 21c及び
21hを介してそれぞれ接続される。FIG. 3 shows a partial schematic plan view of a second embodiment of the wafer transport and processing apparatus of the present invention. The wafer transport and processing apparatus 2 includes an inlet wafer handler and load lock module 40a, an outlet wafer handler and load lock module 40b, transfer modules 20a and 20b, gate valve modules 10a-10h, M and processing chambers 3Qb, 30c, 53Of and 30g.
including. The wafer handler and load lock module 40a is the same as the wafer handler and load lock module 4oo shown in FIG. Transfer module 2
oal is a bow for communicating the inside 23a of the transfer module 20a with the outside of the module 20a) 21a -
21d. Boat 21a -
21d is opened and closed by gate pulp modules 10a-10d. Transfer module 20a is connected to an equal transfer module 20b via a flat aligner 50a, thus forming a single vacuum chamber. The chamber is evacuated by conventional pumping means not shown in FIG. flat aligner 50
a may be replaced by any suitable means for positioning the wafer in the desired rotational orientation. Transfer module 23b has four ports 21e-21h, which are connected to gate pulp modules 10e-10h.
respectively 'i1. Open and close. The interior 31c of the reactive ion etch module 30c is connected to the interior chamber 23a of the transfer module 20a and the interior chamber 23b of the transfer module 20b via bows 21c and 21h, respectively.
ポート21c及び21hは、ゲートパルプモジュール]
、Oc及び10hによってそれぞれ制御される。同様に
、スパッタモジュール30bの内部チェンバ31bは、
移送モジュール20a及び20bの内部チェンバ23a
及び23bとポート21b及び21eを介してそれぞれ
連通し、それらはゲートパルプモジュール10b及び1
0eによってそれぞれ制御される。ゲートパルプモジュ
ール10gによって制御されるボー)21gH1移送モ
ジール20bの内部チェンバ23bを化学蒸着モジュー
ル30gの内部チェンバ31gと接続する。ゲートパル
プモジュール10fによって制御されるボー) 21f
は、移送モジュ〜# 20b tD内部チェンバ23b
を高速焼きなましモジュール30fの内部チェンバ31
fと連通させる。Ports 21c and 21h are gate pulp modules]
, Oc and 10h, respectively. Similarly, the internal chamber 31b of the sputter module 30b is
Internal chamber 23a of transfer modules 20a and 20b
and 23b through ports 21b and 21e, respectively, which connect gate pulp modules 10b and 1
0e respectively. Connect internal chamber 23b of H1 transfer module 20b with internal chamber 31g of chemical vapor deposition module 30g. Baud controlled by gate pulp module 10f) 21f
is transfer module~#20b tD internal chamber 23b
The internal chamber 31 of the high-speed annealing module 30f
Connect with f.
主要制御装置60が、各処理チェンバ制御装置Pと、並
びに入口モジュール40a及び出口モジュール40b及
びオペレータ制御パネルと標準連通バス61を介して連
通ずる。A main controller 60 communicates with each process chamber controller P, as well as with the inlet module 40a and outlet module 40b and the operator control panel via a standard communication bus 61.
動作上1選択されたウェーハが、ウェーハハンドラ(第
3図で図示せず)によって入口モジュール40a内の選
択されたウェーハカセット(第3図では図示せず)から
平坦なファインダ50bへ、そこからロードロックチェ
ンバ46aへと輸送される。In operation, a selected wafer is loaded by a wafer handler (not shown in FIG. 3) from a selected wafer cassette (not shown in FIG. 3) in inlet module 40a to flat finder 50b. It is transported to the lock chamber 46a.
ロードロックチェンバ46aは、第1図で示すロードロ
ックチェンバ40bと同一である。移送モジュール20
aの移送アーム201cはロードロックチェンバ46a
内にボー) 21dを介してのび、ポート21dはゲ
ートパルプモジュール10dによって開いたシ閉じだり
する。次に1選択されたウェーハは輸送アーム201c
に載せられ、輸送アーム201cは次に移送モジュール
20aの内部チェンバ23a内に引込む。Load lock chamber 46a is identical to load lock chamber 40b shown in FIG. Transfer module 20
The transfer arm 201c of a is connected to the load lock chamber 46a.
The port 21d is closed by the gate pulp module 10d. Next, one selected wafer is transferred to the transport arm 201c.
The transfer arm 201c then retracts into the internal chamber 23a of the transfer module 20a.
次に、アーム201cは1選択された角度だけ回転し。Arm 201c then rotates by one selected angle.
選択されたウェーハをボー)21c51は21bへ、或
いは平坦なファインダ50aへもたらす。平坦なファイ
ンダ50aに移送されるウェーハが、輸送アーム201
d又は輸送アーム201cのいずれかに載せられてもよ
い。次に、平坦なファインダ50aから輸送アーム20
1dに載せられたウェーハは、輸送アーム201dによ
ってチェンバ23b内に引込められ、適切な角度だけ回
転され、選択されたボート21g又は21fへもたらさ
れる。次に、選択されたボートを制御するゲートパルプ
モジュールはボー)ヲ開き、輸送アーム201d は
選択された処理モジュールの内部チェンバ内にのび、そ
こでウェーハは第3図で図示しない手段によって抜き取
られる。平坦な配向がウェーハ又は円形対称の基板のた
めに必要とされないとき、ウェーハ又は基板は、輸送ア
ーム201cから処理チェンバ31c又は処理チェンバ
3ib内にゲートパルプ10c及びJobを介してそれ
ぞれ移送され、さらにそこからゲートバルブ10h及び
10eを介してそれぞれ、平坦なファインダ50aを迂
回する輸送アーム201dに直接移送され得る。The selected wafer is brought to the wafer 21b or to the flat finder 50a. The wafer to be transferred to the flat finder 50a is transferred to the transfer arm 201.
d or transport arm 201c. Next, from the flat finder 50a, the transport arm 20
The wafers loaded on 1d are retracted into chamber 23b by transport arm 201d, rotated through the appropriate angle, and brought to the selected boat 21g or 21f. The gate pulp module controlling the selected boat then opens and the transport arm 201d extends into the internal chamber of the selected processing module where the wafers are extracted by means not shown in FIG. When a flat orientation is not required for a wafer or a circularly symmetrical substrate, the wafer or substrate is transferred from the transport arm 201c into the processing chamber 31c or processing chamber 3ib, respectively, via the gate pulp 10c and Job and further therein. via gate valves 10h and 10e, respectively, directly to transport arm 201d, bypassing flat finder 50a.
ウェーハが完全に処理されたとき、ウェーハは、処理モ
ジュールを補助する輸送アヘムヘ載せられる。処理モジ
ュールで、ウェーハは、設置され。When the wafer is fully processed, it is loaded onto a transport ahem that assists the processing module. In the processing module, the wafer is installed.
さらに出口ポート21aへ逆に移送される。処理モジュ
ール30b又は30c内のウェーハの場合、これは、輸
送アーム201cの処理チェンバからの引込みを通じて
行なわれ、続いて輸送アーム201cの適切な回転が行
なわれる。次に、輸送アーム201cはボh 21a
ヲ通ってロードロックチェンバ46b内へのびる。ボー
ト21aは、ゲートバルブモジュール10aによって制
御される。処理モジュール30g又は30f内のウェー
ハの場合、ウェーハは、最初に輸送アーム201dへ移
送され、さらにアーム201dからアーム201cへ平
坦なファインダ50aを介して移送される。Further, it is transferred back to the outlet port 21a. For wafers in processing modules 30b or 30c, this is accomplished through retraction of transport arm 201c from the processing chamber, followed by appropriate rotation of transport arm 201c. Next, the transport arm 201c is moved to the bottom 21a.
and extends into the load lock chamber 46b. Boat 21a is controlled by gate valve module 10a. For wafers in processing module 30g or 30f, the wafer is first transferred to transport arm 201d and then from arm 201d to arm 201c via flat finder 50a.
半円形の弧25が、第3図で示す装置は移送モジュール
20bに類似の第3の移送モジュールを半円形の弧25
で設置された平坦なファインダに結びつけることによっ
て拡張されてもよいことを示す。The apparatus shown in FIG. 3 has a third transfer module similar to transfer module 20b.
Indicates that it may be extended by tying it to a flat finder installed in the
第3図の実施例で示すモジュールは、取シ替えることが
でき、装置が所望され得るあらゆる組合せのモジュール
とともに構成されるのを可能にする。The modules shown in the embodiment of FIG. 3 are interchangeable, allowing the device to be configured with any combination of modules that may be desired.
第3図で示す装置は、第1図で示す装置と同一の連続的
でない処理の利点を有する。第3図で示す装置は、輸送
アーム201dが4つの処理ボートに役立ち、移送アー
ム201cが2つの処理ポート並びに入口及び出口モジ
ュールの両方に役立つという点で幾分より適応性がある
。望むならば、入口モジュール41aは入口及び出口モ
ジュールの両方に使え、出口モジュール41bは処理モ
ジュールによって置き替えられてもよい。同様に、望む
ならば、如何なる処理モジュールが、出口モジュールに
よって又は入口モジュールによって置き替えられてもよ
い。The apparatus shown in FIG. 3 has the same non-continuous processing advantages as the apparatus shown in FIG. The apparatus shown in FIG. 3 is somewhat more flexible in that transfer arm 201d serves four processing boats and transfer arm 201c serves two processing ports and both inlet and outlet modules. If desired, inlet module 41a may serve as both an inlet and an outlet module, and outlet module 41b may be replaced by a processing module. Similarly, any processing module may be replaced by an outlet module or by an inlet module, if desired.
第4図及び第5図は、ゲートパルプモジュール100の
一実施例の、それぞれ部分略断面図及び部分切欠断面図
を示す。ゲートパルプモジュール100は、ポートPI
とポートP、との間の通路を制御する。ポートPIは
、第1チエンバのハウジングの延長部299xによって
画成される。第1チエンバは処理チェンバ、移送チェン
バ又はロードロックチェンバのいずれかであり、その延
長部はほぼ長方形のスロットを形成する。そのスロット
は、第6図で示すウェーハ輸送アーム201のそこを通
る延長部に一致するように寸法づけられている。移送モ
ジュール200aのハウジングのそのような延長部(2
99a)を、第2図で斜視図で示す。ポートP2は、第
2チエンバ(第4図で図示せず)の7・ウジングの延長
部299yによって同様に画成される。4 and 5 show a partial schematic cross-sectional view and a partial cut-away cross-sectional view, respectively, of one embodiment of the gate pulp module 100. FIG. The gate pulp module 100 has a port PI
and port P. Port PI is defined by the first chamber housing extension 299x. The first chamber is either a processing chamber, a transfer chamber or a load lock chamber, and its extension defines a generally rectangular slot. The slot is sized to match the extension therethrough of the wafer transport arm 201 shown in FIG. Such an extension (2) of the housing of the transfer module 200a
99a) is shown in perspective view in FIG. Port P2 is similarly defined by an extension 299y of the second chamber (not shown in FIG. 4).
ポートP +及びP2を画成するハウジング延長部29
9x及び299y は、7ランジ295及び296を通
じてそれぞれ駆動される第1の複数のネジSI及び第2
の複数のネジS2によってパルプ本体102に取り付け
られている。パルプ本体102は、ステンレス鋼又は他
の適切な材料から成ってよい。フランジ295及び29
6のそれぞれと本体102との間のエラストマー0リン
グ103及び105i、真空気密をもたらす。パルプ本
体102は、水平スロット160を有する。スロツ)
160は、パルプゲート125が第4図で破線によって
示す位置まで下げられるとき、ポートP1からポートP
2へのびる。スロット160は、第5図の側面図で示さ
れ、ポートP+からポートP2への第6図で示すウェー
ハ輸送アーム201の延長部に一致するように寸法づけ
られる。第5A図の破線Aは、スロット160の中央平
面を示す。パルプゲート125がその十分に引込んだ位
置にあるとき、それはスロット160内にはのびない。Housing extension 29 defining ports P+ and P2
9x and 299y are the first plurality of screws SI and the second plurality driven through 7 langes 295 and 296, respectively.
It is attached to the pulp body 102 by a plurality of screws S2. Pulp body 102 may be made of stainless steel or other suitable material. flanges 295 and 29
6 and the body 102, providing a vacuum seal. Pulp body 102 has horizontal slots 160. slots)
160 is connected from port P1 to port P when pulp gate 125 is lowered to the position shown by the dashed line in FIG.
Extends to 2. Slot 160 is shown in side view in FIG. 5 and is sized to match the extension of wafer transport arm 201 shown in FIG. 6 from port P+ to port P2. Dashed line A in FIG. 5A indicates the midplane of slot 160. When pulp gate 125 is in its fully retracted position, it does not extend into slot 160.
この位置は、第4図で破線によって示される。ゲート1
25がその十分にのびだ位置にあるとき、エラストマー
0リング104は、ノツチ104a内に設置され、ポー
トPIとポートP2との間に真空気密を形成する。ノツ
チ106a及び107a内にそれぞれ設置されたニジス
トマーストリップ106及び107は、真空気密機能を
行なわない。反対に、パルプゲート125がその十分に
のびだ位置にあるとき、ストリップ106及び107は
本体102とゲート125との間に接触をもたらして1
回転モーメントがゲート125で生じる。そのモーメン
トは、エラストマーOリング1041本体102及びバ
ルブゲ−) 125の間の接触によって生じたゲート1
25に対する回転モーメントと反対である。断面図で。This position is indicated by the dashed line in FIG. gate 1
When 25 is in its fully extended position, elastomeric O-ring 104 is seated within notch 104a and forms a vacuum seal between ports PI and P2. Nystomer strips 106 and 107 placed within notches 106a and 107a, respectively, perform no vacuum sealing function. Conversely, when pulp gate 125 is in its fully extended position, strips 106 and 107 provide contact between body 102 and gate 125 and 1
A rotational moment is created at gate 125. The moment is caused by the contact between the elastomer O-ring 1041, the main body 102, and the valve gate 125.
The rotational moment for 25 is opposite. In cross section.
パルプゲート125は、2つの台形125a及び125
bの結合体である。台形125aのエツジB+は1点1
09から点108までのび、水平とほぼ45の鋭角アル
ファを形成する。パルプゲート125が十分にのびると
き1本体102と気密的に係合することはエラストマー
0リング104には困難であるので、かなり大きな角度
は望ましくない。台形125bのエッジE2は、水平と
角ベータを形成する。第4図で示す実施例で、角アルフ
ァは角ベータに等しいが。The pulp gate 125 has two trapezoids 125a and 125
It is a conjugate of b. Edge B+ of trapezoid 125a is 1 point 1
09 to point 108, forming an acute angle alpha of approximately 45 with the horizontal. Significantly large angles are undesirable since it is difficult for the elastomeric O-ring 104 to engage the body 102 in an airtight manner when the pulp gate 125 is fully extended. Edge E2 of trapezoid 125b forms an angle beta with the horizontal. In the embodiment shown in FIG. 4, angle alpha is equal to angle beta.
とi′Lは重要ではない。and i′L are not important.
ゲートパルプモジュール100の新規な特徴は、パルプ
ゲートの断面の非対称性である。Oリング104のみが
真空気密機能をもたらすので1台形125bは、台形1
25aよりかなシ狭く作られる。すなわち、線分126
の長さは、線分127の長さよシ短い。一実施例で、線
分126と線分127との間の長さの差は、はぼ1イン
チ(2,54cm )である。このため、ポートP +
とポートPtとの間の距離は、従来技術のパルプモジ
ュールに比較してかなシ縮められる。従来技術のパルプ
モジュールは、2つのOリングを使用し、台形125b
は台形125aと合同である。A novel feature of the gated pulp module 100 is the asymmetry of the pulp gate cross section. Since only the O-ring 104 provides the vacuum sealing function, the trapezoid 125b is the same as the trapezoid 1.
It is made narrower than 25a. That is, line segment 126
The length of line segment 127 is shorter than that of line segment 127. In one example, the difference in length between line segment 126 and line segment 127 is approximately 1 inch (2.54 cm). For this reason, port P+
and port Pt is significantly reduced compared to prior art pulp modules. Prior art pulp modules use two O-rings and are trapezoidal 125b
is congruent with trapezoid 125a.
ベアリング110及び111は、パルプゲート125が
本体102のスロット144内で垂直に並進運動すると
き、パルプゲート125を案内するのに役立つ。Bearings 110 and 111 serve to guide pulp gate 125 as it vertically translates within slot 144 of body 102.
パルプゲート125はシャフト132に取シ付けられて
おり、シャフト132はシャフト132のネジの延長部
133によってパルプゲート125に螺合される。The pulp gate 125 is attached to a shaft 132 which is threaded onto the pulp gate 125 by a threaded extension 133 of the shaft 132.
パルプ本体102は、ネジ(図示せず)によってハウジ
ング138に取シ付けられている。金属ベローズ130
が、ネジ55によって本体102にフランジ134によ
り取り付けられる。ステンレス鋼シャフト140が、ス
テンレス鋼シャフト132より大きな直径を有する。フ
ランジ134とパルプゲート本体102との間のエラヌ
トマーOリング134aは、ポートPt及びP2に接続
したチェンバ(図示せず)とパルプモジュール100の
外部の大気との開に真 。Pulp body 102 is attached to housing 138 by screws (not shown). metal bellows 130
is attached to the main body 102 by the flange 134 by screws 55. Stainless steel shaft 140 has a larger diameter than stainless steel shaft 132. An elanuttomer O-ring 134a between the flange 134 and the pulp gate body 102 is connected to the atmosphere outside the pulp module 100 and a chamber (not shown) connected to ports Pt and P2.
空気密をもたらす。シャフト132は、シャフト140
と同軸であり、シャン) 140に剛に取り付けられて
いる。シャフト140は、ハウジング138によって形
成される円筒空胴141内で垂直に並進運動し、そのた
めパルプゲート125にスロット144内で垂直に並進
運動せしめる。第5図で示すように、シャフト132は
、シャフト132の縦軸128が長さLを有するパルプ
ゲート125の縦の中間点で設置されるように位置づけ
られる。シャフト132はまだ。Provides airtightness. The shaft 132 is the shaft 140
It is coaxial with the shank and is rigidly attached to the shank) 140. Shaft 140 translates vertically within the cylindrical cavity 141 formed by housing 138 and thus causes pulp gate 125 to translate vertically within slot 144 . As shown in FIG. 5, shaft 132 is positioned such that longitudinal axis 128 of shaft 132 is located at the longitudinal midpoint of pulp gate 125 having length L. As shown in FIG. Shaft 132 is still available.
第4図で示す断面に垂直な軸並びにパルプ本体恋の下方
面及び通過軸128のまわりのモーメントの合計がゼロ
となるように位置づけられる。これらのモーメントは、
パルプ本体102が十分にのびるとき、0リング104
及びエラストマーストリップ106及び107に作用す
る力によって生じる。ハウジング138は、ネジ56に
よって空気シリンダ150に取り付けられる。シャフト
140は、在来の空気駆動ピストン機構150によって
垂直に並進運動する。It is positioned so that the sum of the moments about the axis perpendicular to the cross section shown in FIG. 4, the lower surface of the pulp body, and the passing axis 128 is zero. These moments are
When the pulp body 102 is fully extended, the O-ring 104
and by the forces acting on the elastomer strips 106 and 107. Housing 138 is attached to air cylinder 150 by screws 56. Shaft 140 is vertically translated by a conventional air-driven piston mechanism 150.
第6図はウェーハ輸送アーム機構201の平面図を示し
、第7図は部分切欠側面図を示す。アーム機構201は
、第1図の移送モジュール200aで使用される移送ア
ーム201aの、或いは第3図のモジュール20のアー
ム201の一実施例である。アーム機構201は、カム
24ζ 第1剛体アーム252、プユーリ254、第2
剛体アーム256及びウェーハホルダ280を含む。FIG. 6 shows a plan view of the wafer transport arm mechanism 201, and FIG. 7 shows a partially cutaway side view. Arm mechanism 201 is one embodiment of transfer arm 201a used in transfer module 200a of FIG. 1 or arm 201 of module 20 of FIG. 3. The arm mechanism 201 includes a cam 24ζ, a first rigid arm 252, a pulley 254, a second
Includes rigid arm 256 and wafer holder 280.
第6図で略示するウェーハホルダ280は、アーム25
6の一端に固定して取シ付けられる。アーム256の他
端は、シャフト272によってアーム252の一端に回
転可能に取り付けられている。シャフト272は、アー
ム252の一端(252b)を通過するものであり、ア
ーム256に固着された一端及びプユ−IJ 254の
中心に固着された他端を有する。シャフト272i、第
7図で示すように、ベアリング275に抗して軸273
のまわシで回転する。このため。The wafer holder 280 schematically illustrated in FIG.
It is fixedly attached to one end of 6. The other end of arm 256 is rotatably attached to one end of arm 252 by shaft 272 . Shaft 272 passes through one end (252b) of arm 252 and has one end secured to arm 256 and the other end secured to the center of Puyu-IJ 254. Shaft 272i, as shown in FIG.
It rotates with nomawashi. For this reason.
アーム256は、プユーリ254とともに回転する。Arm 256 rotates together with pulley 254 .
アーム252の他端(252a) Fiシャフト232
に固定して取シ付けられており、シャフト232はデュ
アルシャフト同軸フィードスルー224(第7図)の内
方軸である。真空フィードスルー224は1例えばフェ
ロフルイブイック・フィードスルー(ferroflu
idicfeed through)であり、ウェーハ
アーム機構201のハウジング220の内部とハウジン
グ220の外部との間に真空気密をもたらす。真空フィ
ードスルー224は、フランジ222によってハウジン
グ220に取り付けられる。そのようなフェロフルイブ
イック・フィードスルーは当業者間で周知であり、例え
ば、フェロフルイブイック・インコーホレイテッドによ
って製造されたフェロフルイブイック・フィードスルー
が明細書中で記載した。駆動機構を実行するために使用
されてもよい。フェロフルイブイック・フィードスルー
224の外部シャフト238が、カム242に固着され
る。内部シャフト232及び外部シャフト238の双方
が、1対のモータ230及び231(図示せず)によっ
てシャフト232及び7ヤフト238の縦軸250のま
わりで独立して回転可能である。軸250は、アーム2
01を含む真空チェンバ215の床部に垂直であり、真
空チェンバ215の中心を通過する。Other end of arm 252 (252a) Fi shaft 232
The shaft 232 is the inner shaft of the dual shaft coaxial feedthrough 224 (FIG. 7). The vacuum feedthrough 224 may be one such as a ferrofluid feedthrough.
idicfeed through) to provide vacuum sealing between the interior of the housing 220 of the wafer arm mechanism 201 and the exterior of the housing 220. Vacuum feedthrough 224 is attached to housing 220 by flange 222. Such ferrofluidic feedthroughs are well known to those skilled in the art and, for example, the ferrofluidic feedthrough manufactured by Ferrofluidic, Inc. was described herein. It may be used to implement the drive mechanism. The outer shaft 238 of the ferrofluidic feedthrough 224 is secured to the cam 242. Both inner shaft 232 and outer shaft 238 are independently rotatable about a longitudinal axis 250 of shaft 232 and shaft 238 by a pair of motors 230 and 231 (not shown). The shaft 250 is the arm 2
01 and passes through the center of the vacuum chamber 215.
ベルト243は、カム242の周囲の一部及びプユ−I
J 254の周囲の一部と接触している。ベルト243
は、カム242にカム242の周囲上の点242fで固
定され、プユーリ254にプユーリの周囲上の点254
fで固定されている。ベルト243は、例えばステンレ
ス鋼非歯形ベルト又は金属ケーブルであってもよい。The belt 243 is attached to a part of the periphery of the cam 242 and
It is in contact with part of the surrounding area of J254. belt 243
is fixed to the cam 242 at a point 242f on the circumference of the cam 242, and fixed to the pulley 254 at a point 254f on the circumference of the pulley.
It is fixed at f. Belt 243 may be, for example, a stainless steel non-toothed belt or a metal cable.
第6図は、ボートPLを通って十分にのびた輸送アーム
機構201を示す。この実施例で、アーム201がボー
トPLを通って十分にのびているとき。FIG. 6 shows the transport arm mechanism 201 fully extended through the boat PL. In this example, when arm 201 extends fully through boat PL.
軸M、すなわち、軸250及び軸273を通過するアー
ム252の中間線と、軸250を通過するボートP+の
中間線Aとの間の角θば、はぼ30である。他の実施例
で、他の角は、30の位置で選択されてもよい。動作上
、アーム201は、カム242を固定したままで軸25
0のまわりでアーム252を反時計回りに回転させるこ
とによってポー)P+ を通って引込められる。これは
、外部シャフト238が固定したままのときフェロフル
イブイック・フィードスルーの内部シャフト232を回
転させることによって行なわれる。カム242はアーム
252が反時計回シ方向で回転するように形状づけられ
、ステンレス鋼ケーブル243はカム242のまわりで
巻かれたり解かれたりして、プユ=IJ 254を回転
させ。The angle θ between the axis M, that is, the midline of the arm 252 passing through the shafts 250 and 273, and the midline A of the boat P+ passing through the shaft 250 is approximately 30. In other embodiments, other corners may be selected at 30 positions. In operation, the arm 201 is attached to the shaft 25 while keeping the cam 242 fixed.
is retracted through P+ by rotating arm 252 counterclockwise around P+. This is done by rotating the inner shaft 232 of the ferrofluidic feedthrough while the outer shaft 238 remains stationary. Cam 242 is configured such that arm 252 rotates in a counterclockwise direction, and stainless steel cable 243 is wound and unwound around cam 242 to rotate Puyu-IJ 254.
このため、ウェーハホルダ280 i中間線Aに沿って
ほぼ直線経路でその十分にのびた位置から真空チェンバ
215内の引込み位置へ破線位置280′によって示す
ように移動する。To this end, wafer holder 280i moves in a generally straight path along midline A from its fully extended position to a retracted position within vacuum chamber 215, as indicated by dashed line position 280'.
一部ウエーハ移送アーム201 カチェンパ215 内
に引込められると、アーム252とカム242の両方が
同一の選択された角度だけ、それぞれ内部シャフト23
2及び外部シャフト238の両方を回転させることによ
って選択された角度だけ回転し、このため、アーム機構
201は第2の選択されたボートを通ってのびるように
適切に位置づけられる。第6図で示すボートPI−P4
は90離れており。When partially retracted into the wafer transfer arm 201 and the capacitor 215, both the arm 252 and the cam 242 are rotated by the same selected angle, respectively, into the internal shaft 23.
2 and the external shaft 238 by the selected angle so that the arm mechanism 201 is properly positioned to extend through the second selected boat. Boat PI-P4 shown in Figure 6
is 90 minutes away.
このためこの実施例の場合、シャフト232及び238
は90の倍数だけ回転して他のボートを通ってのびるよ
うにウェーハ輸送アーム201を位置づける。Therefore, in this embodiment, shafts 232 and 238
positions the wafer transport arm 201 so that it rotates by a multiple of 90 and extends past the other boats.
その延長部は、カム242に関して時計回り方向にシャ
フト232の軸のまわりでアーム252を回転させるこ
とによって行なわれる。The extension is performed by rotating arm 252 about the axis of shaft 232 in a clockwise direction with respect to cam 242.
重要なのは、ウェーハ輸送アーム201が選択されたボ
ートを通してのばされ或いは引込められるときステンレ
ス鋼ケーブル243はカム242を巻いたりそこから解
かれたりするので、カム242とケーブル243との間
にはすべり又は回転摩擦がないということである。この
ため、この設計は、真空チェンバ215内で清潔な環境
を維持するのに特に適切である。Importantly, as the stainless steel cable 243 wraps around and unwraps from the cam 242 as the wafer transport arm 201 is extended or retracted through the selected boat, there is no slippage between the cam 242 and the cable 243. Or, there is no rotational friction. This design is therefore particularly suitable for maintaining a clean environment within the vacuum chamber 215.
カム242は、ウェーハホルダ280が軸Aに沿ってほ
ぼ直線の方法で引込む(また、のびる)ことを保証する
ように特に形状づけられなければならない。動作が直線
的であるならば、単一の平面幾何が、ポート軸Aと軸M
との間の角θ並びにウェーハホルダ280の中心と第6
図の平面の通過軸273とをつなぐアーム軸Nと軸Mと
の間の角ファイは。Cam 242 must be specifically shaped to ensure that wafer holder 280 retracts (and extends) along axis A in a generally linear manner. If the motion is linear, a single plane geometry defines the port axis A and the axis M
and the angle θ between the center of the wafer holder 280 and the sixth
The angle phi between the arm axis N and the axis M that connect the passing axis 273 in the plane of the figure is:
以下の式によって関係づけられることをもたらす。yields that it is related by the following equation.
ファイ=90−θ+cos ((d/f)sin
θ〕但し、dは軸250から軸273までのアーム2
52の長さであり、fは軸273からウェーハホルダ2
80の中心までの軸Nの長さである。Phi=90-θ+cos ((d/f)sin
θ] However, d is arm 2 from axis 250 to axis 273
52, and f is the length from the axis 273 to the wafer holder 2.
is the length of axis N to the center of 80.
表工は、θ、ファイ、3の角θでの一定の増分について
の角度ファイでの差(減分)デルタファイ、θでの対応
する増分によって分けられだファイでの減分の比、軸2
73のx、y座標、並びにストローク(d=10インチ
(25,4cm )でf=14インチ(35,56cm
)の場合、ウェーハハンドラ280の中心のX座標)
のプリントアウトを示す。The surface work is the difference (decrement) in the angle phi for a constant increment in the angle θ of θ, phi, 3. Delta phi, the ratio of the decrement in the phi divided by the corresponding increment in θ, the axis 2
73 x, y coordinates and stroke (d = 10 inches (25,4 cm) and f = 14 inches (35,56 cm)
), the X coordinate of the center of the wafer handler 280)
The printout is shown below.
カム2421″i、 2段階で設計される。最初に、角
θでの対応する増分デルタθによって分けられた角ファ
イでの減分デルタファイの間の比は、各θについて計算
される。次にこれらの比は、理論的カム外形を設計する
ために用いられる。rがプユ−IJ 254の半径を表
わすならば、各色θ(但し、0くθ<180)について
、(デルタファイ/デルタθ)rの長さを有する線分が
原点で一端とともに配置され、線分は原点からθ−90
の角でのびる。これらの線分(半径)の端部を通過する
なめらかな曲線が、理論的カム外形の一部を画成する。Cam 2421″i, designed in two steps. First, the ratio between the decrement delta phi at angle phi divided by the corresponding incremental delta θ at angle θ is calculated for each θ. These ratios are used to design the theoretical cam profile. If r represents the radius of Puyu-IJ 254, then for each color θ (where 0 and θ<180), (Delta Phi/Delta A line segment with length θ)r is placed with one end at the origin, and the line segment is θ−90 from the origin.
Stretch out at the corner of. A smooth curve passing through the ends of these line segments (radii) defines a portion of the theoretical cam profile.
理論的カム外形(180<θ<360)の残る部分は。The remaining part of the theoretical cam outline (180<θ<360) is.
ケーブル242が固定した長さからなり、ケーブル24
2が他方の側から解けるときカム242の一方の側で巻
きつかなければならないので、カム外形は原点に関して
対称であることを必要とすることによって画成される。The cable 242 consists of a fixed length, and the cable 24
The cam profile is defined by the need to be symmetrical about the origin since it must wrap around on one side of the cam 242 as it unwinds from the other side.
次に、カム242はプユーリ242に巻きついたりそこ
から解かれるなめらかなステンレスベルトによってプユ
ーリ254を駆動するので、前記外形への変形は、この
物理的駆動装置をもたらすべぐ行なわれなければならな
い。反復フィードフォワード変形処理が、第7A図でフ
ローチャートによって記載されるように使用される。発
見的手法で。The cam 242 then drives the pulley 254 by means of a smooth stainless steel belt that wraps around and unwraps around the pulley 242, so the transformation to the profile must be done to provide this physical drive. An iterative feedforward deformation process is used as described by the flowchart in FIG. 7A. With heuristics.
プログラムは選択された角θ。及び対応する理論的カム
半径R6で開始し1次に最初の半径R0と、選択された
正の整数N、及び選択されたデルタθについての角θ。The program selects the angle θ. and the corresponding theoretical cam radius R6 starting with the first radius R0, the selected positive integer N, and the angle θ for the selected delta θ.
+デルタθ、θo+2デルタθ。+delta θ, θo+2 delta θ.
11.、θo十N(デルタθ)に対応する引続く理論的
半径R1、R,、、、、RNとの間の「干渉」のために
チエツクする。「干渉」は、フローチャートであられれ
る不均衡によって定義される。干渉が見つかるたびに、
理論的半径はo、ooizけ縮められ、最初の半径が「
干渉」しないように縮められるまで処理は繰り返される
。次に、この縮小した値R6は、実際のカムの最初の半
径(角θ。のための)である。次に、処理全体は1次の
理論的半径R+等のために繰り返される。縮小した半径
Ro、R,,,,,は、これらの半径の端部の点を通し
てなめらかな曲線を通過させることによって実際のカム
外形の対応する部分を画成する。11. , θo+N (delta θ) with subsequent theoretical radii R1, R, . . . , RN. "Interference" is defined by the imbalance that occurs in the flowchart. Each time an interference is found,
The theoretical radius is reduced by o, ooiz, so that the initial radius is
The process is repeated until it is shortened to avoid "interference." This reduced value R6 is then the actual cam's initial radius (for the angle θ.). The whole process is then repeated for the first order theoretical radius R+ and so on. The reduced radii Ro, R, . . . define the corresponding portions of the actual cam profile by passing smooth curves through the end points of these radii.
半径がそれだけ縮められる定数0.001並びに第7A
図のフローチャートでのテストの不公平での0.002
及び最大許容誤差は求められる確度の程度に依存する他
の小さい定数によって置き換えられもよい。第7B図は
、カム外形242(但し、N=7で、デルタθ=3)の
有効部分を画成するために前記処理を用いて、 r=
1 、 d=10 、 f =14の場合について経
路Pに沿ってウェーハホルダの中心部での点の動作並び
に実際のカム外形を示す。Constant 0.001 and 7th A by which the radius is shortened by that amount
0.002 in the unfairness of the test in the flow chart of the figure
and the maximum allowed error may be replaced by other small constants depending on the degree of accuracy desired. FIG. 7B shows that using the above process to define the effective portion of the cam profile 242 (where N=7 and delta θ=3), r=
1 shows the movement of a point at the center of the wafer holder along the path P for the case d=10, f=14 as well as the actual cam profile.
その図で、カム外形の実際の部分は、25から125の
θの値について生じる。カム外形の有効部分は、ステン
レス鋼ベルト243が巻きついたり解いたシする外形の
一部である。有効カムはまた、原点のまわりでの対称性
によって画成されるが。In that figure, the actual portion of the cam profile occurs for values of θ from 25 to 125. The effective portion of the cam profile is the portion of the profile that the stainless steel belt 243 wraps and unwraps. Although the effective cam is also defined by symmetry around the origin.
左半分平面で巻きついたり解いたシするのは明快さのた
め図示しない。カムの有効でない部分は、例えば、一定
の率で縮尺して描かれる第7B図で図示するとおり、カ
ム342の有効な外形と干渉しないすべての方法で画成
されてもよい。固定点242fば、ベルトが接触するカ
ム外形の有効でない部分での如何なる点として選択され
てもよい。固定点254fは、プユーリ254の引き起
こされた回転がベルト243上の固定点254fをプユ
ーリ254からはずれて回転させないように選択される
。望むならば。The winding and unwrapping in the left half plane is not shown for clarity. The ineffective portion of the cam may be defined in any manner that does not interfere with the effective contour of the cam 342, for example, as illustrated in FIG. 7B, which is drawn to scale. The fixed point 242f may be selected as any point on the inactive portion of the cam profile that the belt contacts. Fixed point 254f is selected such that induced rotation of pulley 254 does not cause fixed point 254f on belt 243 to rotate away from pulley 254. If you wish.
ベルトは、カム242の外形の有効でない領域での第1
の固定点から、プユーリ254のまわシで、カム242
の外形の有効でない領域での第2の固定点へと逆にのば
されてもよい。The belt is connected to the first
From the fixed point of the cam 242 by turning the pulley 254,
may be extended back to a second fixed point in an inactive region of the contour.
前述の実施例では、プユーリ254は円形である。In the embodiment described above, pulley 254 is circular.
しかしながら、直線運動をもたらすべくカム242の外
形を画成するための同様の処理が、非円形カム(プユー
リ)によって取り替えられるべき円形プユーリ254と
ともに使用されてもよい。However, a similar process for defining the contour of cam 242 to provide linear motion may be used with circular pulley 254 to be replaced by a non-circular cam (pullery).
特に好適なウェーハハンドラ及びロードロックモジュー
ル400(第1図)の他の実施例で、ウェーハの3又は
それ以上のカセットが、高速処理及びウェーハのガス放
出を容易にするために分離ロードロックで真空内に供給
される。第8図で示すように、カセット402.404
及び406が、それぞれロードロックチェンバ408.
410及び412内で図示される。カセットは、ドア4
14.416及び418を通して清潔な室から供給され
る。これらのロードロックチェンバは、適切なポンピン
グ手段(図示せず)によって下方から排気される。適切
なレベルの真空が達成されるとき、パルプ420,42
2又は424(略示でのみ示す)はカセットからウェー
ハロードロック取扱いチェンバ内へのウェーハの移動を
可能にするべく開かれうる。チェンバ426内で、取扱
いアーム駆動機構428は、トラック430上に取り付
けられる。取扱いアーム駆動機構428は、トラック4
30に沿って移動されて、ロードロックチェンバ408
.410.412の各々と整合してもよい。ツーピース
アーム432が、上方に取り付けられて、取り扱いアー
ム駆動機構428によって、駆動される。アーム432
は、パルプ420.422 。In another embodiment of a particularly preferred wafer handler and load lock module 400 (FIG. 1), three or more cassettes of wafers are vacuumed in separate load locks to facilitate high speed processing and outgassing of the wafers. supplied within. As shown in FIG.
and 406 are respectively load lock chambers 408.
Illustrated within 410 and 412. The cassette is at door 4
14. Supplied from the clean room through 416 and 418. These load lock chambers are evacuated from below by suitable pumping means (not shown). When the appropriate level of vacuum is achieved, the pulp 420, 42
2 or 424 (shown only schematically) may be opened to allow movement of the wafer from the cassette into the wafer load lock handling chamber. Within chamber 426, handling arm drive mechanism 428 is mounted on track 430. The handling arm drive mechanism 428
30 to the load lock chamber 408
.. 410.412. A two-piece arm 432 is mounted above and driven by handling arm drive mechanism 428 . arm 432
is pulp 420.422.
422の何れか一つを通ってのびてカセットからつ・エ
ーハ金持ち上げ、或いはカセットヘラニー・・を戻すた
めに用いられる。カセットが配置されるテーブルより下
方のエレベータ(図示せず)が、カセットを上昇させ、
或いは下降させて、アームが各カセット内の異なるウェ
ーハに達するのを可能にするために用いられる。アーム
432は、ウェーハを配置テーブル434へ移動させる
ために用いることができ、テーブル434からアームは
装置の他のウェーハ取扱い装置によって持ち上げられる
。422 and is used to lift the cassette, remove the cassette, or return the cassette. An elevator (not shown) below the table on which the cassette is placed raises the cassette;
Alternatively, it can be lowered to allow the arm to reach different wafers within each cassette. Arm 432 can be used to move the wafer to a placement table 434 from which it is lifted by other wafer handling equipment of the apparatus.
アーム432によって持ち上げられる熱いウェーハは、
カセット436又は438に収容するために移動されて
、ウェーハをカセットへと戻して移動する前にウェーハ
を冷却するのを可能にする。The hot wafer lifted by arm 432 is
The wafer is moved to be placed in a cassette 436 or 438 to allow the wafer to cool before being transferred back to the cassette.
本発明の重要な特徴が、取扱いアーム1駆動機構428
内に組み入れられる同心ウェーハ配向装置である。テー
ブル436がシャフト(図示せず)上に配置される。シ
ャフトは、取扱いアーム駆動機構428を取扱いアーム
432に接続するシャフトと同心である。この配列は、
第9図で図示される。ウェーハが、アーム432によっ
てテーブル436上に配置される。テール436は、ウ
ェーハのエツジが光エミッタ438と光検知器440と
の間を通過するように回転する。光ビームを通るウェー
ハのエッジの回転は、中央コンピュータがウエーノ・の
セントロイド及び平坦部の位置を計算するのを可能にす
る回転角の関数として光強度変化情報をもたらす。次に
、コンピュータは、平坦部と整合し、ウェーハをテーブ
ル434上に設置するだめの真の中心についての情報を
記憶する。ロードロックモジールのこの実施例のからな
る詳細が、リチャード・ジエー・バーチル等の同日付の
米国特許出願、発明の名称「ウェーハ輸送装置」で記載
されており。An important feature of the present invention is that the handling arm 1 drive mechanism 428
A concentric wafer orientation device incorporated within the wafer orientation system. A table 436 is positioned on the shaft (not shown). The shaft is concentric with a shaft that connects handling arm drive mechanism 428 to handling arm 432. This array is
Illustrated in FIG. A wafer is placed on table 436 by arm 432. Tail 436 rotates so that the edge of the wafer passes between light emitter 438 and light detector 440. Rotation of the edge of the wafer through the light beam yields light intensity variation information as a function of rotation angle that allows the central computer to calculate the location of the centroid and plateau of the wafer. The computer then stores information about the true center of the pool to align with the flat and place the wafer on the table 434. Further details of this embodiment of the load lock module are described in a co-dated U.S. patent application to Richard G. Burchill et al. entitled "Wafer Transport Apparatus."
その開示は1本願明細書で参照される。The disclosure of which is incorporated herein by reference.
ウェーハ通過モジュール500もまた。平坦部アライナ
501で前述の同一の回転平坦部整合を用いることがで
きる。回転可能なテーブル436が、モジュール500
内にウェーハを収容する。光エミッタ438及び光検知
器440が、前述のとおり光強度情報をもたらすために
用いられてウエーノ・の整合を可能にする。Also a wafer pass module 500. The same rotational plateau alignment described above can be used in plateau aligner 501. A rotatable table 436 is connected to the module 500.
The wafer is housed inside. A light emitter 438 and a light detector 440 are used to provide light intensity information to enable alignment of the light as described above.
第10図が、スパッタモジュール350の一実施例の略
図を示す。スパッタモジュール350は、前処理真’2
fエンハ301.ウェーハハンドラアーム340、処
理チェンバ301トスバツタチエンバ302との間に真
空気密をもたらすパルプ338、スパッタ源304、加
熱器315.並びにマツチボックス316を含む。動作
上、ウェーハが、ゲートパルプモジュール1100t
への移送チェンバ200内(7) ウ! −/・輸送ア
ーム機構(第10図では図示しないが、第6図及び第7
図で図示する)からウエーノ・ノ・ンドラアーム340
へ移送される。そのアーム340ば、第11−14図及
び第16図でより詳細に図示される。ゲートパルプモジ
ュール1100tは、第4図及び第5図で示すゲートパ
ルプモジュールxooト同一である。チェンバ200内
の輸送アーム機構からウェーハハンドラアーム340へ
のウエーハノ移送が完了するとき、パルプ1100tは
制御機構(図示せず)を介して閉じる。この方法で、処
理チェンバ302内の大気は、移送チェンバ200内の
大気から隔離される。次に、ウェーハハンドラアーム3
40は、そこに留められる水平なウェーハWを処理チェ
ンバ301内で95だけ回転して、ウエーノ・Wの平面
は垂直と5の角をなす。この回転は、第12図で斜視図
で示される。次に、ウエーノ・ノ・ンドラアーム340
は、そこに留められるウェーハWとともにパルプ開口3
38を通って処理チェンバ302内に回転して1次にウ
ェーハWとともに5だけ回転し、このため、ウェーハの
平面は垂直であり、ウェーハWの裏面の一部が加熱器3
15上に配置される。加熱器315は、当業者間で周知
であり、例えばパリアン・アソシエイツ・インコーホレ
イテッドによって製造される米国特許第682530号
であってもよい。マツチボックス316は、RF加熱源
(図示せず)と加熱器グロー放電との間にインピーダン
ス移送をもたらす。ウェーハを選択された温度にして2
次にスパッタ源314は、制御機構(第10図で図示せ
ず)を介して始動される。ガス線309ば1選択された
圧力でアルゴンガスをパルプ310へもたらす。ニード
ルパルプ311ハ、パルプ310からスパッタチェンバ
302へのアルゴンの流れを制御する。ニードルパルプ
312は、ウェーハWの裏面と加熱器315との間に形
成された空胴へのアルゴンの流;hを制御する。スイッ
チ308は、圧力始動スイッチであり、チェンバ302
内の圧力が大気圧以下又はそれに等しい選択されたレベ
ルよシ上に上昇するとき、スパッタ源304及びスパッ
タモジュールと結合した他のすべての電気装置への電力
を切るための予備安全スイッチとして作動する。インタ
ーロックスイッチ306は、第10図のアクセスドア(
図示せず)が開いているとき源304への電力を切る安
全スイッチである。FIG. 10 shows a schematic diagram of one embodiment of a sputter module 350. The sputter module 350 has a pre-treatment true '2
fenha301. The wafer handler arm 340 , the pulp 338 that provides a vacuum seal between the processing chamber 301 and the toss chamber 302 , the sputter source 304 , the heater 315 . and a matchbox 316. In operation, the wafer is placed in the gate pulp module 1100t.
Inside the transfer chamber 200 (7) Woo! -/・Transport arm mechanism (not shown in Figure 10, but shown in Figures 6 and 7)
(as shown in the figure) to Ueno No.
will be transferred to. The arm 340 is illustrated in more detail in FIGS. 11-14 and 16. The gate pulp module 1100t is the same as the gate pulp module xoo shown in FIGS. 4 and 5. When the wafer transfer from the transport arm mechanism in chamber 200 to wafer handler arm 340 is complete, pulp 1100t is closed via a control mechanism (not shown). In this manner, the atmosphere within processing chamber 302 is isolated from the atmosphere within transfer chamber 200. Next, wafer handler arm 3
40 rotates the horizontal wafer W held therein by 95 in the processing chamber 301 so that the plane of the wafer W makes an angle of 5 with the vertical. This rotation is shown in perspective view in FIG. Next, Ueno No Dora Arm 340
is the pulp opening 3 with the wafer W held therein.
38 into the processing chamber 302 and then rotates by 5 with the wafer W, so that the plane of the wafer is vertical and a part of the back side of the wafer W is exposed to the heater 3.
15. Heater 315 is well known to those skilled in the art and may be, for example, US Pat. No. 6,825,30 manufactured by Parian Associates, Inc. Matchbox 316 provides impedance transfer between the RF heating source (not shown) and the heater glow discharge. Bring the wafer to the selected temperature 2
Sputter source 314 is then activated via a control mechanism (not shown in FIG. 10). Gas line 309 brings argon gas to pulp 310 at a selected pressure. Needle pulp 311 controls the flow of argon from pulp 310 to sputter chamber 302. The needle pulp 312 controls the flow of argon into the cavity formed between the backside of the wafer W and the heater 315; Switch 308 is a pressure start switch and is a pressure start switch for chamber 302.
act as a backup safety switch to cut power to the sputter source 304 and all other electrical equipment coupled to the sputter module when the pressure within the sputter module rises above a selected level below or equal to atmospheric pressure. . The interlock switch 306 is connected to the access door (
(not shown) is a safety switch that cuts power to source 304 when open.
同様に、インターロックスイッチ314ii’、冷却水
流が故障するとき加熱器315への電力を切る安全スイ
ッチである。ゲージ318及び319は、チェンバ30
1内の圧力を測定する。ラフイングゲージ(rough
ing gauge) 318は、大気圧と10 ト
ルとの間の範囲で圧力を測定する。イオンゲージ319
は、はぼ10 トル以下の圧力を測定する。Similarly, interlock switch 314ii' is a safety switch that cuts power to heater 315 when the cooling water flow fails. Gauges 318 and 319 are connected to chamber 30
Measure the pressure inside 1. roughing gauge
ing gauge) 318 measures pressure in a range between atmospheric pressure and 10 Torr. ion gauge 319
measures pressures below 10 Torr.
インターロックスイッチ317は、チェンバ301が大
気圧にあるときパルプ338が開くのを妨げるだめに電
力を切る安全スイッチである。Interlock switch 317 is a safety switch that cuts power to prevent pulp 338 from opening when chamber 301 is at atmospheric pressure.
靜電容景マノメータゲージ320が、チェンバ301内
の圧力を感知する圧力測定装置であり、パルプ313に
よってチェンバ301から隔離されてもよい。A silent manometer gauge 320 is a pressure measuring device that senses the pressure within the chamber 301 and may be isolated from the chamber 301 by the pulp 313 .
チェンバ301を排気するために用いられるボンピング
機構は1周知であり、ラフイングポンプ323を含む。The pumping mechanism used to evacuate chamber 301 is well known and includes a roughing pump 323.
ポンプ323は、チェンバ301及び302内の圧力を
バルブ336を介して選択された圧力、はぼ10 トル
まで減少させる。次に、高真空ポンプ322、例えば低
温ポンプ(cryopump)が、バルブ336が閉じ
られるときチェンバ301及び302をバルブ324を
介してさらに排気する。バルブ324は、チェンバ30
1が大気に通じられるときポンプ322を保護するため
に閉じられる。チェンバ301及び302は、ポンプ装
置フォーライン(foreline)でトラップ(tr
ap)(図示せず)によって保護される。バルブ325
は、ポンプを開示するためポンプ322を排気するのに
用いられる。Pump 323 reduces the pressure in chambers 301 and 302 to a selected pressure, approximately 10 Torr, via valve 336. A high vacuum pump 322, such as a cryopump, then further evacuates chambers 301 and 302 via valve 324 when valve 336 is closed. The valve 324 is connected to the chamber 30
1 is closed to protect pump 322 when vented to atmosphere. Chambers 301 and 302 are filled with traps (tr) with a pump system foreline.
ap) (not shown). valve 325
is used to evacuate pump 322 to open the pump.
第16図は、第6図及び第7図で示すウエーノ・輸送ア
ーム機構201からスパッタモジュール前処理チェンバ
301内ノウエーハアーム340ヘウエーハを移送する
機構の断面図を示す。ウエーノ・が。FIG. 16 shows a cross-sectional view of a mechanism for transferring a wafer from the wafer/transport arm mechanism 201 shown in FIGS. 6 and 7 to the wafer arm 340 in the sputter module pretreatment chamber 301. Ueno Ga.
ボー)Pを通してのばされるべきアーム機構201(第
16図では図示しないが、第6図で図示する)によって
チェンバ301内に輸送され、このためアーム201の
ウェーハホルダ280によって保持されるウェーハWは
第1テーブル500より上方に位置する。テーブル50
0はシャフト501項に固定して取り付けられ、シャフ
ト501は空気シリンダ502によって駆動されて両端
矢印518によって示すように垂直に直線的に並進運動
可能である。シャフト501は、フランジ397を通っ
て真空チェンバ301内へと進む。ベローズ522はフ
ランジ398に溶接され、フランジ398ハハウジング
396の7ランジ397に取り付けられている。ベロー
ズ522とシャフト520との間のエラストマー0リン
グ520及びベローズ522は、チェンバ301と外部
大気との間に真空気密をもたらす。テーブル500は、
ウェーハホルダ280(第6図参照)内の円形開口を通
して上昇して、ウェーハホルダ280からウェーハを移
動させるように寸法づけられている。ウェーハホルダ2
80は1次に第6図及び第7図と関係して説明するよう
に、チェンバ301から引込められる。The wafer W is transported into the chamber 301 by the arm mechanism 201 (not shown in FIG. 16 but shown in FIG. is located above the first table 500. table 50
0 is fixedly attached to shaft 501 , which is movable in vertical linear translation as indicated by double-ended arrow 518 driven by air cylinder 502 . Shaft 501 passes through flange 397 and into vacuum chamber 301 . Bellows 522 is welded to flange 398 and attached to flange 398 and seven flange 397 of housing 396. Elastomeric O-ring 520 and bellows 522 between bellows 522 and shaft 520 provide a vacuum seal between chamber 301 and the outside atmosphere. The table 500 is
It is dimensioned to rise through a circular opening in wafer holder 280 (see FIG. 6) to remove the wafer from wafer holder 280. Wafer holder 2
80 is first retracted from chamber 301 as described in connection with FIGS. 6 and 7.
この点でウェーハWは、第16図で示すようにテーブル
500上に配置される。ウエーノ・Wのエツジは、テー
ブル500の波形領域(図示せず)でテーブル500の
周囲を越えてのびる。波形領域は、ウェーハのエツジと
結局的に係合するであろう。ウェーハアーム機構340
は回転しく以下で説明するように)、ウェーハホルダプ
レート341内の円形開口342(第11図)はウェー
ハWの上方で中心づけられる。円形セラミックリング5
11は、ウェーハプレー1−341の下方リム510に
取り付けられる。複数の可撓性ウェーハクリップが、は
ぼ等しい間隔でセラミックリング511に固着されてい
る。At this point, wafer W is placed on table 500 as shown in FIG. The edge of Ueno W extends beyond the perimeter of table 500 in the corrugated region of table 500 (not shown). The corrugated region will eventually engage the edge of the wafer. Wafer arm mechanism 340
(as explained below), a circular opening 342 (FIG. 11) in wafer holder plate 341 is centered above wafer W. circular ceramic ring 5
11 is attached to the lower rim 510 of wafer plate 1-341. A plurality of flexible wafer clips are secured to the ceramic ring 511 at approximately equal intervals.
その2つのクリップ512a及び512bは、第16図
で示される。各可撓性ウエーノ・クリップに対応するプ
ロング(prong) が、第2テーブル514に剛に
取シ付けられている。クリップ512a及び512bに
対応するプロング514a及び514bは、第16図で
示される。テーブル514は、シャフト503に剛に取
シ付けられ、シャフト503は空気シリンダ504によ
って駆動されて両端矢印516によって示すように垂直
的に直線的に並進運動可能である。シャフト503はま
た。チェンバ301のハウジング396を通過する。ハ
ウジング396の7ランジ398に取り付ケラれたベロ
ーズ523及びベローズ523とシャフト503との間
のエラストマー0リング521は。The two clips 512a and 512b are shown in FIG. Prongs corresponding to each flexible waeno clip are rigidly attached to second table 514. Prongs 514a and 514b corresponding to clips 512a and 512b are shown in FIG. Table 514 is rigidly attached to shaft 503 which is vertically linearly translatable as shown by double-ended arrow 516 driven by air cylinder 504 . The shaft 503 is also. It passes through the housing 396 of the chamber 301. The bellows 523 is attached to the 7 flange 398 of the housing 396 and the elastomer O-ring 521 is between the bellows 523 and the shaft 503.
チェンバ301と外部大気との間に真空気密をもたらす
。ウェーハWがテーブル500に移送されたとき、テー
ブル514は次に上昇して、テーブル514に取り付け
られた各プロングはその対応する可撓性ウェーハクリッ
プと係合し、それによってクリップを開く。次に、テー
ブル500は上昇し、ウェーハWは開いたクリップと一
列をなす。次に、テーブル514は、下降されてクリッ
プを閉じさせてウェーハWのエツジと係合せしめる。第
16図は、破線位置層でウェーハWのエツジと係合する
クリップ512a 及び512bを示す。テーブル5
00は、次にまた下降される。これは、アーム201か
らアーム340へのウェーハWの移送を完了させる。A vacuum seal is provided between chamber 301 and the outside atmosphere. When the wafer W is transferred to the table 500, the table 514 is then raised and each prong attached to the table 514 engages its corresponding flexible wafer clip, thereby opening the clip. Next, the table 500 is raised and the wafer W is aligned with the open clip. Table 514 is then lowered to close the clips and engage the edges of wafer W. FIG. 16 shows clips 512a and 512b engaging the edges of wafer W at the dashed position layer. table 5
00 is then lowered again. This completes the transfer of wafer W from arm 201 to arm 340.
ウェーハプレート34]のアーム延長部345及び34
6(第11図)は、ンヤフト365に剛に取り付けられ
ている。・/ギフト365は、アーム延長部345と3
46との間でのびる。これは、第13図で拡大して図示
される。シャフト365は、ギアボックス360を通過
する。ギアボックス360ハ、シャフト365に駆動シ
ャフト367の回転を連結するだめの在来の直角ギア機
構361を含む。駆動シャフト367は、それに剛に取
り付けられ、適切な機構(例えば、ハウジング370内
で第1モータM+に取り付けられたベルト)によって駆
動されるプユーリ368を回転させることによって回転
される。モータMlは/ギフト36フを駆動し、シャフ
ト367はまた直角ギア機構361を介して、シャフト
365についてのウェーハアーム340を水平(第12
図で示す)からウェーハWとともに95回転せしめる。Arm extensions 345 and 34 of the wafer plate 34
6 (FIG. 11) is rigidly attached to the shaft 365.・/Gift 365 has arm extension 345 and 3
It grows between 46 and 46. This is illustrated on a larger scale in FIG. Shaft 365 passes through gearbox 360. Gearbox 360 includes a conventional right-angle gear mechanism 361 that couples rotation of drive shaft 367 to shaft 365 . Drive shaft 367 is rotated by rotating a pulley 368 rigidly attached thereto and driven by a suitable mechanism (eg, a belt attached to first motor M+ within housing 370). The motor Ml drives the wafer arm 340 about the shaft 365 horizontally (the 12th
(shown in the figure) along with the wafer W for 95 rotations.
ウェーハWは、ウェーハアームプレート341のリム5
10に取り付けられたセラミックリング511に留めら
れている。The wafer W is attached to the rim 5 of the wafer arm plate 341.
It is fastened to a ceramic ring 511 attached to 10.
シャフト367は、デュアルシャフト同軸フィードスル
ー388(フェロフルイブイック気密を有してもよい)
の内部シャフトである。シャフト367は、真空チェン
バ311からノ・ウジング396を通って外部プユーリ
368へ通過する。エラストマー0リング373は、真
空チェンバ301とチェンバ311の外部大気との間に
真空気密をもたらす。フェロフルイブイックフィードス
ル−388の外部シャフト378は、内部シャ7 ト3
67と同軸であり、さらにハウジング396を通ってプ
ユーリ369へとのびる。プユーリ369は、それに剛
に取シ付けられているものである。外部シャフト378
は、ノ1ウジング370内でモータM、に取り付けられ
た例えばベルトの適切な手段によってプユーリ369を
回転させることによって回転される。フェロフルイブイ
ックハウジング374と外部シャフト378との間のエ
ラストマーOリング3フ2ハ、チエンバ301トチエン
バ301の外部の大気との間に真空気密をもたらす。ハ
ウジング374は、フランジ375に溶接されている。Shaft 367 has a dual shaft coaxial feedthrough 388 (may have ferrofluid air tightness)
It is an internal shaft. Shaft 367 passes from vacuum chamber 311 through nozzle 396 to external pulley 368 . Elastomeric O-ring 373 provides a vacuum seal between vacuum chamber 301 and the external atmosphere of chamber 311. The outer shaft 378 of the ferrofluid quick feedthrough 388 is connected to the inner shaft 3
67 and further extends through housing 396 to pulley 369 . The pulley 369 is rigidly attached thereto. external shaft 378
is rotated by rotating the pulley 369 by suitable means, for example a belt, attached to a motor M in the housing 370. The elastomeric O-ring 3 between the ferrofluidic housing 374 and the external shaft 378 provides a vacuum seal between the chamber 301 and the atmosphere outside the chamber 301. Housing 374 is welded to flange 375.
フランジ396aは、7ランジ375にボルトで固定さ
れている。フランジ396aは、チェンバ壁396に溶
接されている。0リング371は、チェンバ301(フ
ランジ396aを介して)とフィードスルー388との
間に真空気密をもたらす。Flange 396a is fixed to seven flange 375 with bolts. Flange 396a is welded to chamber wall 396. O-ring 371 provides a vacuum seal between chamber 301 (via flange 396a) and feedthrough 388.
ウェーハアーム340が第12図で示すように水平から
ほぼ95だけ回転されたとき、それは次に長方形開口3
38を通ってスパッタチェンバ302内に回転される。When the wafer arm 340 is rotated approximately 95 degrees from horizontal as shown in FIG.
38 and into sputter chamber 302 .
この回転は、モータM、によって外部シャフト378を
回転させることによって行なわれる。チェンバ301の
内部のシャフト378の端部は、ギアボックス・・ウジ
ング360に剛に取り付けられている。シャフト378
が反時計回り方向で回転するとき、ギアボックス360
.シャフト365及びウェーハアーム340は、第12
図で示す反時計回り方向で全て回転する。はぼ90の角
の回転が、加熱器315の前でウエーノ・Wを配置する
。再び内部シャフト367を回転させることによって。This rotation is accomplished by rotating external shaft 378 by motor M. The end of shaft 378 inside chamber 301 is rigidly attached to gearbox housing 360. shaft 378
When the gearbox 360 rotates in a counterclockwise direction, the gearbox 360
.. The shaft 365 and the wafer arm 340 are
All rotate in the counterclockwise direction shown in the figure. Rotation of the corner of the dowel 90 positions the ueno W in front of the heater 315. By rotating the inner shaft 367 again.
セラミックリング511に取り付けられたウエーノ・W
は、ウエーノ・アームプレート341に取り付けられ、
はぼ5の角だけ回転し、そのためその裏面は加熱器31
5と接触する。ウエーノ・アーム340が加熱器315
に関して適切に位置づけられるとき、加熱器315に隣
接したピン(図示せず)は、第11図で示すウェーハホ
ルダプレート341からの突出部344内の整合開口3
44aと係合する。Ueno W attached to ceramic ring 511
is attached to Ueno arm plate 341,
Only the corner of the dowel 5 rotates, so that its back side is heated by the heater 31.
Contact with 5. Ueno arm 340 is heater 315
When properly positioned with respect to
44a.
ウェーハホルダプレート341は、第15図で断面図で
示すように1枚の可動プレート/シールド又は2つのス
テンレス鋼層341a及び341bから成ってもよい。The wafer holder plate 341 may consist of one movable plate/shield or two stainless steel layers 341a and 341b, as shown in cross-section in FIG.
上層341aFi、2つのネジ(図示せず)によって下
層341bに移動可能に取シ付けられている。上層34
1aは、スパッタ蒸着から下層341bを遮蔽し、セラ
ミックリング511を囲むエツジシールド530の上に
減少したスパッタ蒸着を形成するのを助ける。層341
aは1層341aの上のスパッタ蒸着が望ましくないレ
ベルまで形成するたびに取り替えられる。スパッタ源3
04は皇業界で周知であり、例、tはスパッタ源304
はバ1Fアンコンマッグ(米国登録商標)であってもよ
く、従ってここでは説明しない。スパッタ源304は、
ヒンジ304a (第11図)項で開いて枢動し、源タ
ーゲット及びシールドへのアクセスを可能にする。Upper layer 341aFi is movably attached to lower layer 341b by two screws (not shown). upper layer 34
1a shields the underlying layer 341b from sputter deposition and helps form reduced sputter deposition on the edge shield 530 surrounding the ceramic ring 511. layer 341
a is replaced each time sputter deposition over layer 341a builds up to an undesirable level. Sputter source 3
04 is well known in the industry, for example, t is the sputtering source 304.
may also be BA1F Ancon Mag (US registered trademark), and therefore will not be described here. The sputter source 304 is
Hinge 304a (FIG. 11) pivots open to allow access to the source target and shield.
ウェーハハンドラアーム340カ前処理チエンバ301
内にあるとき、前処理チェンバ301は長方形)’ 7
351 Kよってスバツタチェンノ<302から真空隔
離されてもよい。長方形ドア351ば、ブレイス(br
ace)353によってシャフト391に取り付けられ
ている。シャフト391ば、クランクアームを通じて始
動機380によって回転され、そのためドア351は前
部で長方形開口338からスノくツタチェンバ302へ
わずかにずらされる。第15図で示すように、ドア35
1ハ、開口338よシ大きく寸法づけられている。ドア
351は、シャン) 391 、!:滑動可能であり、
直線的に並進運動されて、そのためOリング352は開
口338を囲むチェンノ())クランクと気密的に係合
する。この終りまで、シャフト355は軸Cに沿って並
進運動され、そのため端部355aはドア351と係合
し、軸Cに沿って開口338に向かってドア351を並
進運動させる。ノ・ウジフグ381内に含まれる駆動シ
ャフト355のための機構は、第14図でより詳細に図
示される。シャフト355は、シャフト355に取シ付
けられた在来の空気駆動ピストンによって軸Cに沿って
いずれかの方向に並進運動される。シャフト355が開
口338に向かつて一部でのみのびるとき、0リング3
83はチェンバ301と大気との間に動的な真空気密を
もたらす。しかしながら、シャフト355が十分にのび
るときに、ドア351がその気密位置から離れて回転さ
れて第15図で示すようにその休止位置にあるとき、ン
ヤフト355の環状延長部355ヒエラストマー〇リン
グ385と係合し、そのため静的な真空気密がハウジン
グ381と環状延長部355bとの間に形成される。こ
の新規な静的気密は、チェンバ30】と大気との間によ
り信頼性の高い真空隔離をもたらす。Wafer handler arm 340 pre-processing chamber 301
When inside, the pretreatment chamber 301 is rectangular)' 7
351 K, so it may be vacuum isolated from Subatutacheno <302. Rectangular door 351, brace (br
ace) 353 to the shaft 391. The shaft 391 is rotated by the starter 380 through the crank arm, so that the door 351 is slightly offset at the front from the rectangular opening 338 into the vine chamber 302. As shown in FIG.
1C, the dimensions are larger than the opening 338. Door 351 is Shan) 391,! : Slidable;
The O-ring 352 is translated linearly so that the O-ring 352 sealingly engages the Cheno crank surrounding the aperture 338. To this end, shaft 355 is translated along axis C so that end 355a engages door 351 and translates door 351 along axis C towards opening 338. The mechanism for the drive shaft 355 contained within the no-uji puffer 381 is illustrated in more detail in FIG. Shaft 355 is translated in either direction along axis C by a conventional air-driven piston attached to shaft 355. When the shaft 355 extends only partially toward the opening 338, the O-ring 3
83 provides a dynamic vacuum seal between chamber 301 and the atmosphere. However, when the shaft 355 is fully extended and the door 351 is rotated away from its airtight position and into its rest position as shown in FIG. engagement, such that a static vacuum seal is formed between the housing 381 and the annular extension 355b. This new static seal provides more reliable vacuum isolation between the chamber 30 and the atmosphere.
本発明のモジニーラウエー・・移送及び処理装置は半導
体ウェーハ又は基板の処理への応用に関して主に記載し
ているが1発明装置は他の多くのウェーハ又は円形状加
工物の処理で同様に利用できることがわかるであろう。Although the Modiny Lauer transfer and processing apparatus of the present invention is described primarily for application in the processing of semiconductor wafers or substrates, it is understood that the inventive apparatus may be utilized in the processing of many other wafers or circular workpieces as well. You'll understand.
そのような他の加工物はそのエツジで平坦部を有する必
要はなく、外形が十分に円形の加工物が同様に取り扱わ
れうる。Such other workpieces need not have flats at their edges, and workpieces that are sufficiently circular in outline can be treated similarly.
より特定的に1発明装置は、ウェーハ状又は円形状の形
態のあらゆる磁性又は光学式記憶媒体を処理するために
特に役に立つ。More particularly one inventive device is particularly useful for processing any magnetic or optical storage medium in wafer-like or circular form.
本発明は、好適実施例及びその変形例に制限されるもの
ではなく、特許請求の範囲で要約される本発明の特徴、
真意、保護範囲を逸脱することなく、構成部品への機械
的及び電気的に等価の変更を含んで変形及び改良が行な
われうるものである。The invention is not limited to the preferred embodiments and their variants, but the features of the invention summarized in the claims,
In fact, modifications and improvements may be made, including mechanically and electrically equivalent changes to the components, without departing from the scope of protection.
第1図は、本発明に従う装置の一実施例の部分略平面図
である。
第2図は、第1図で示す装置の部分斜視図を示す。
第3図は、本発明に従う装置の第2実施例の部分略平面
図を示す。
第4図は1本発明に従うゲートバルブモジュールの部分
切欠側面図を示す。
第5図は、第4図のゲートパルプモジュールの部分切欠
平面図を示す。
第6図は、第2位置でアームを破線で示すとともに、本
発明に従うつニー/・輸送アームの略平面図を示す。
第7図は、第6図のアームの部分断面図を示す。
第7A図は、理論上のカム外形から実際のカム外形を得
るためのフローチャートを示す。
第7B図は、ウェー/・ホルダの中心によってトレース
される経路とともに実際のカムの一実施例を示す。
第8図は1本発明に従うロードロックモジュールの特定
の好適実施例の略平面図を示す。
第9図は、第8図のウエーノ・取扱いアーム及びアライ
ナの斜視図を示す。
第10図は1本発明に従うスパッタモジュールの実施例
の略図を示す。
第11図は、本発明に従うスパッタモジュールの部分断
面平面図である。
第12図は、第11図のモジュールの部分断面斜視図で
ある。
第13図は、第15図で示す13−13線に沿った第1
1図及び第12図のモジュールの駆動機構の断面図であ
る。
第14図は、14−14線に沿った第11図のモジュー
ルの、駆動機溝の断面図である。
第15図は、15−15線に沿った第11図のモジュー
ルを通る断面図である。
第16図は、第12図で示す16−16線に沿った輸送
アームからウエーノ・を受は取るための機構の断面図で
ある。
〔主要符号〕
201・・・ウェーハ輸送アーム機構
215・・・真空チェンバ
232・・・内部シャフト
238・・・外部シャフト
242・・・カム
243・・・ステンレス鋼ケーブル(ベルト)250・
・・軸
252・・・第1剛体アーム
254・・・プユーリ
256・・・第2剛体アーム
272・・・シャフト
273・・・軸
275・・・ベアリング
280・・・ウエーノ飄ホルダ
特許出願人 パリアン・アソシエイツ゛インコーポレ
イテッドFIG. 1 is a partial schematic plan view of an embodiment of a device according to the invention. FIG. 2 shows a partial perspective view of the device shown in FIG. FIG. 3 shows a partial schematic plan view of a second embodiment of the device according to the invention. FIG. 4 shows a partially cutaway side view of a gate valve module according to the present invention. FIG. 5 shows a partially cutaway plan view of the gated pulp module of FIG. 4. FIG. 6 shows a schematic plan view of a knee/transport arm according to the invention, with the arm shown in broken lines in the second position; FIG. 7 shows a partial cross-sectional view of the arm of FIG. 6. FIG. 7A shows a flowchart for obtaining an actual cam outline from a theoretical cam outline. FIG. 7B shows one embodiment of the actual cam with the path traced by the center of the way/holder. FIG. 8 shows a schematic plan view of a particular preferred embodiment of a load lock module according to the present invention. 9 shows a perspective view of the waeno handling arm and aligner of FIG. 8; FIG. FIG. 10 shows a schematic diagram of an embodiment of a sputter module according to the invention. FIG. 11 is a partially sectional plan view of a sputter module according to the present invention. 12 is a partial cross-sectional perspective view of the module of FIG. 11; FIG. Figure 13 shows the first line along line 13-13 shown in Figure 15.
FIG. 13 is a cross-sectional view of the drive mechanism of the module of FIGS. 1 and 12; FIG. 14 is a cross-sectional view of the driver groove of the module of FIG. 11 taken along line 14--14. FIG. 15 is a cross-sectional view through the module of FIG. 11 along line 15--15. FIG. 16 is a cross-sectional view of the mechanism for receiving and removing the wafer from the transport arm along line 16--16 shown in FIG. 12. [Main symbols] 201...Wafer transport arm mechanism 215...Vacuum chamber 232...Inner shaft 238...Outer shaft 242...Cam 243...Stainless steel cable (belt) 250...
...Axis 252...First rigid arm 254...Puyuri 256...Second rigid arm 272...Shaft 273...Axis 275...Bearing 280...Ueno holder patent applicant Parian・Associates Incorporated
Claims (1)
ム;前記第1カムの周囲上の第1固定点から前記第2カ
ムの周囲の一部をまわつて前記第1カムの周囲上の第2
固定点へと戻つてのびる滑らかなベルトであつて、前記
第2カム上に第3固定点を有するベルト;第1端及び第
2端を有する第1アーム部材であつて、該第1アーム部
材の前記第1端で前記第1カム上に回転可能に取り付け
られている第1アーム部材;第1端及び第2端を有する
第2アーム部材であつて、前記第2端は半導体基板を保
持するようにされている第2アーム部材;前記第2アー
ム部材の前記第1端と前記第2カムとを剛に接続するシ
ャフトであつて、前記第1アーム部材の前記第2端を通
過しているシャフト;並びに前記第1カムに対して前記
第1アーム部材を回転させるための手段であつて、前記
第1カムが固定されており、前記第1カムに対して第1
方向での前記第1アーム部材の回転が前記ベルトを前記
第1カムに巻き付けたりそこから解いたりし、それによ
つて前記第2カム及びそこに剛に取り付けられた前記第
2アームを回転させ、そのため前記第2アーム部材の前
記第2端はそのかなりの部分に亘つてほぼ直線的な経路
に沿つて前記第1カムに向かつて移動し、前記第1カム
に対しての第2方向での前記第1アーム部材の回転が前
記ベルトを前記第1カムに巻き付けたりそこから解いた
りし、それによつて前記第2カム及びそこに剛に取り付
けられた前記第2アーム部材を回転させ、そのため前記
第2アーム部材の前記第2端はそのかなりの部分に亘つ
てほぼ直線的な経路に沿つて前記第1カムから離れて移
動する手段;から成る半導体基板輸送アーム。 2、特許請求の範囲第1項に記載された半導体基板輸送
アームであつて、前記回転させるための手段は、前記第
2アーム部材の前記第2端を少なくともD/2の長さを
有する経路に沿つて移動せしめる(但し、Dは前記第1
カムに対して前記第1アーム部材の回転軸と前記シャフ
トの回転軸との間の距離である)半導体基板輸送アーム
。 3、特許請求の範囲第2項に記載された半導体基板輸送
アームであつて、前記かなりの部分は少なくともD/2
である半導体基板輸送アーム。 4、特許請求の範囲第1項に記載された半導体基板輸送
アームであつて、前記第2カムは円形であり、前記第1
カムは前記第2カムに対して前記第1方向での前記第1
アームの前記回転が前記第2アームの前記第2端を、そ
のかなりの最初の部分に亘つてほぼ直線的な前記経路に
沿つて前記第1カムに向かつて移動せしめる半導体基板
輸送アーム。 5、特許請求の範囲第1項に記載された半導体輸送アー
ムであつて、さらに、前記第1カム及び前記第1アーム
の前記第1端を通過する軸のまわりで同一の選択された
角だけ前記第1カム及び前記第1アーム部材の両方を回
転させるための手段を含む半導体輸送アーム。 6、特許請求の範囲第5項に記載された半導体基板輸送
アームであつて、前記選択された角だけ回転させるため
の前記手段は90°、180°、270°及び360°
、−90°、−180°、−270°、及び−360°
だけ回転させるための手段を含む半導体基板輸送アーム
。 7、特許請求の範囲第1項に記載された半導体基板輸送
アームであつて、前記かなりの部分は前記第2アーム部
材の前記第2端によつて横断可能な最大経路長さの少な
くとも1/2の長さである半導体基板輸送アーム。 8、特許請求の範囲第1項に記載された半導体基板輸送
アームであつて、前記第1固定点は前記第2固定点と一
致する半導体基板輸送アーム。 9、既定経路に亘つてウエーハを移動させるためのウェ
ーハ輸送装置であつて:ウエーハ保持端を有する細長い
第1アーム手段:その第1端で前記第1アーム手段の他
端に回転可能に接合した細長い第2アーム手段であつて
、前記第2アーム手段の第2端は支持手段に回転可能に
固定されている第2アーム手段;前記第1及び第2アー
ム手段のための可変 比率制御手段であつて、すべり又は回転摩擦なしに、前
記支持部材に隣接した第1位置と第1既定経路に亘つて
前記支持部材から移動される第2位置との間で前記ウェ
ーハ保持端をのばし、前記第1位置と前記第2位置との
間の距離は前記ウェーハの直径の少なくとも数倍である
制御手段;から成る輸送装置。 10、特許請求の範囲第9項に記載された輸送装置であ
つて、前記制御手段は少なくとも1つの他の既定経路に
亘つて前記ウェーハ保持端を移動し、前記他の経路は前
記第1経路と同一平面内にある輸送装置。[Scope of Claims] 1. A semiconductor substrate transport arm comprising: a first cam; a second cam; a first fixed point on the periphery of the first cam and a part of the periphery of the second cam; The second cam around the first cam
a smooth belt extending back to a fixed point and having a third fixed point on the second cam; a first arm member having a first end and a second end; a first arm member rotatably mounted on the first cam at the first end; a second arm member having a first end and a second end, the second end holding a semiconductor substrate; a second arm member configured to rigidly connect the first end of the second arm member and the second cam, the shaft passing through the second end of the first arm member; a shaft; and means for rotating the first arm member relative to the first cam, the first cam being fixed;
rotation of the first arm member in a direction causes the belt to wrap around and unwind from the first cam, thereby rotating the second cam and the second arm rigidly attached thereto; The second end of the second arm member thus moves toward the first cam along a substantially straight path over a substantial portion thereof, and the second end of the second arm member moves toward the first cam in a second direction relative to the first cam. Rotation of the first arm member causes the belt to wrap around and unwind from the first cam, thereby rotating the second cam and the second arm member rigidly attached thereto, so that the means for moving said second end of said second arm member away from said first cam along a substantially straight path over a substantial portion thereof. 2. The semiconductor substrate transport arm according to claim 1, wherein the means for rotating the second end of the second arm member along a path having a length of at least D/2. (where D is the first
the distance between the axis of rotation of the first arm member and the axis of rotation of the shaft with respect to the cam). 3. The semiconductor substrate transport arm according to claim 2, wherein the substantial portion is at least D/2.
A semiconductor substrate transport arm. 4. The semiconductor substrate transport arm according to claim 1, wherein the second cam is circular, and the first cam is circular.
a cam in the first direction relative to the second cam;
A semiconductor substrate transport arm, wherein said rotation of said arm moves said second end of said second arm toward said first cam along said path that is substantially straight over a substantial initial portion thereof. 5. The semiconductor transport arm according to claim 1, further comprising the same selected angle about an axis passing through the first cam and the first end of the first arm. A semiconductor transport arm including means for rotating both the first cam and the first arm member. 6. The semiconductor substrate transport arm according to claim 5, wherein the means for rotating the selected angle is 90°, 180°, 270° and 360°.
, -90°, -180°, -270°, and -360°
a semiconductor substrate transport arm including means for rotating the semiconductor substrate; 7. The semiconductor substrate transport arm according to claim 1, wherein the substantial portion is at least 1/1/2 of the maximum path length traversable by the second end of the second arm member. A semiconductor substrate transport arm having a length of 2. 8. A semiconductor substrate transport arm according to claim 1, wherein the first fixing point coincides with the second fixing point. 9. A wafer transport device for moving a wafer over a predetermined path, comprising: an elongated first arm means having a wafer holding end; a first end thereof rotatably joined to the other end of said first arm means; a second elongate arm means, the second end of said second arm means being rotatably secured to the support means; variable ratio control means for said first and second arm means; extending the wafer holding end between a first position adjacent the support member and a second position moved from the support member over a first predetermined path without sliding or rotational friction; a control means, wherein the distance between one position and said second position is at least several times the diameter of said wafer. 10. The transport device according to claim 9, wherein the control means moves the wafer holding end over at least one other predetermined route, and the other route is the first route. transportation device in the same plane as the
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