JPS6331161A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
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- JPS6331161A JPS6331161A JP61174381A JP17438186A JPS6331161A JP S6331161 A JPS6331161 A JP S6331161A JP 61174381 A JP61174381 A JP 61174381A JP 17438186 A JP17438186 A JP 17438186A JP S6331161 A JPS6331161 A JP S6331161A
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- Japan
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- photoelectric conversion
- thin film
- film transistor
- array
- conversion device
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- Pending
Links
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
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- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、画像読取り装置等に用いられる光電変換装置
に関する。
に関する。
従来の技術
近年、画像読取り装置では縮小光学系を用いることなく
原稿等の画像情報を読取るための光電変換装置として原
稿幅分に長尺化した薄膜光電変換素子アレイによる等倍
光センサーが提案・実用化されている。
原稿等の画像情報を読取るための光電変換装置として原
稿幅分に長尺化した薄膜光電変換素子アレイによる等倍
光センサーが提案・実用化されている。
このような光電変換装置の代表的なものとしては、光導
電体材料に非晶質シリコン（アモルファスシリコンａ−
３ｉ）を用い、これを透明電極と金属電極とで挾んだ構
造のサンドイッチ方式のものと、絶縁性基板上で平面的
に対向する対向電極をアレイ状に形成し、これらの対向
電極の上（又は下）に非晶質シリコン等による光導電体
材料を成膜した構造のプレーナ方式とがある。
電体材料に非晶質シリコン（アモルファスシリコンａ−
３ｉ）を用い、これを透明電極と金属電極とで挾んだ構
造のサンドイッチ方式のものと、絶縁性基板上で平面的
に対向する対向電極をアレイ状に形成し、これらの対向
電極の上（又は下）に非晶質シリコン等による光導電体
材料を成膜した構造のプレーナ方式とがある。
何れの方式にしても、これらの光導電体材料と電極とに
より形成される多数の充電変換素子をスイッチングする
ための素子が各光電変換素子毎に最低でも１つは必要で
ある。このような素子としては、薄膜トランジスタ（Ｔ
ＰＴ）あるいはＩＣ等が用いられる。
より形成される多数の充電変換素子をスイッチングする
ための素子が各光電変換素子毎に最低でも１つは必要で
ある。このような素子としては、薄膜トランジスタ（Ｔ
ＰＴ）あるいはＩＣ等が用いられる。
第２図及び第３図にプレーナ方式の光電変換装置の従来
例を示す。まず、第２図は１ビット分の断面構造を示す
もので、ガラス等の絶縁性基板１上にはａ−３ｉ：Ｈに
よる光導電膜２が所定のパターンで形成されている。こ
の光導電膜２上には平面的に対向する対向電極として共
通電極３と個別電極４とが設けられている。ここに、光
導電膜２と電極３，４との間には両者間のオーミックコ
ンタクトを得るためにｎ”ａ−３ｉ：Ｈ膜５が介在され
ている。これらにより充電変換素子６が形成されている
。一方、このような光電変換素子６をスイッチングする
ための薄膜トランジスタ７が絶縁性基板１上に形成され
ている。この薄膜トランジスタ７は基板１上にゲート電
極８を形成し、その上にゲート絶縁膜９を介して前記光
導電膜２と同時にパターン形成されるａ−３ｉ：Ｈによ
る光導電膜１０を形成し、最上層にソース電極１１とド
レイン電極１２とをチャンネル１３構造に対向形成して
なる。この薄膜トランジスタ７にあっても、光導電膜１
ｏと電極１１．１２との間にはｎ”ａ−５ｉ：Ｈ膜１４
が介在されている。又。
例を示す。まず、第２図は１ビット分の断面構造を示す
もので、ガラス等の絶縁性基板１上にはａ−３ｉ：Ｈに
よる光導電膜２が所定のパターンで形成されている。こ
の光導電膜２上には平面的に対向する対向電極として共
通電極３と個別電極４とが設けられている。ここに、光
導電膜２と電極３，４との間には両者間のオーミックコ
ンタクトを得るためにｎ”ａ−３ｉ：Ｈ膜５が介在され
ている。これらにより充電変換素子６が形成されている
。一方、このような光電変換素子６をスイッチングする
ための薄膜トランジスタ７が絶縁性基板１上に形成され
ている。この薄膜トランジスタ７は基板１上にゲート電
極８を形成し、その上にゲート絶縁膜９を介して前記光
導電膜２と同時にパターン形成されるａ−３ｉ：Ｈによ
る光導電膜１０を形成し、最上層にソース電極１１とド
レイン電極１２とをチャンネル１３構造に対向形成して
なる。この薄膜トランジスタ７にあっても、光導電膜１
ｏと電極１１．１２との間にはｎ”ａ−５ｉ：Ｈ膜１４
が介在されている。又。
前記個別電極４とソース電極１１とが電気的に接続され
た構造とされているに のような１ビツト構成の充電変換素子６及び薄膜トラン
ジスタ７は、平面的に見ると第３図に示すように各々基
板１の長手方向にアレイ状に多数配列されて構成される
。なお、第３図では電極３．４，１１．１２のみ抽出し
てそのパターン例を示すものである。又、Ａ部分が充電
変換素子部を示し、Ｂ部分が薄膜トランジスタ部を示す
ものである。
た構造とされているに のような１ビツト構成の充電変換素子６及び薄膜トラン
ジスタ７は、平面的に見ると第３図に示すように各々基
板１の長手方向にアレイ状に多数配列されて構成される
。なお、第３図では電極３．４，１１．１２のみ抽出し
てそのパターン例を示すものである。又、Ａ部分が充電
変換素子部を示し、Ｂ部分が薄膜トランジスタ部を示す
ものである。
発明が解決しようとする問題点
このような光電変換装置にあっては、読取り解像度を高
めるためには各光電変換素子６のアレイ方向の幅を詰め
て形成するのが一般的である。このように光電変換素子
６の配列を詰めると、１対１の対応関係にある薄膜トラ
ンジスタ７の配列も詰める必要がある。より実際的には
、これらは膨大な数のものであり、第３図に示すように
単純に１列に並べたのでは無理を生じやすい。特に、第
３図に示すように薄膜トランジスタ７のチャンネル１３
のチャンネル幅Ｗ、は光電変換素子６の密度（解像度）
により限定された幅狭のものとなってしまう。このよう
に薄膜トランジスタ７のチャンネル１３部分のチャンネ
ル幅Ｗ、が狭くなると、充電変換素子６のスイッチング
時の電流値が小さくなってしまい、正確な読取り検出が
できない場合を生ずる。又、各薄膜トランジスタ７間の
分離が不完全ともなりやすく、そのパターンエツチング
処理も困難となり易い。
めるためには各光電変換素子６のアレイ方向の幅を詰め
て形成するのが一般的である。このように光電変換素子
６の配列を詰めると、１対１の対応関係にある薄膜トラ
ンジスタ７の配列も詰める必要がある。より実際的には
、これらは膨大な数のものであり、第３図に示すように
単純に１列に並べたのでは無理を生じやすい。特に、第
３図に示すように薄膜トランジスタ７のチャンネル１３
のチャンネル幅Ｗ、は光電変換素子６の密度（解像度）
により限定された幅狭のものとなってしまう。このよう
に薄膜トランジスタ７のチャンネル１３部分のチャンネ
ル幅Ｗ、が狭くなると、充電変換素子６のスイッチング
時の電流値が小さくなってしまい、正確な読取り検出が
できない場合を生ずる。又、各薄膜トランジスタ７間の
分離が不完全ともなりやすく、そのパターンエツチング
処理も困難となり易い。
問題点を解決するための手段
アレイ状に配列させた多数の充電変換素子と、これらの
光電変換素子を個々にスイッチングするアレイ状に配列
させた同数の薄膜トランジスタとを備えた光電変換装置
において、薄膜トランジスタのソース電極とドレイン電
極とによるチャンネルを充電変換素子のアレイ方向に直
交する形状に形成する。
光電変換素子を個々にスイッチングするアレイ状に配列
させた同数の薄膜トランジスタとを備えた光電変換装置
において、薄膜トランジスタのソース電極とドレイン電
極とによるチャンネルを充電変換素子のアレイ方向に直
交する形状に形成する。
作用
薄膜トランジスタのチャンネル幅が光電変換素子のアレ
イ方向とは直交する方向に取られるので、充電変換素子
の密度により制約を受けない状態でチャンネル幅の自由
度が増す。これにより、十分なチャンネル幅の薄膜トラ
ンジスタとなり、スイッチング時には大きな電流が流れ
る。
イ方向とは直交する方向に取られるので、充電変換素子
の密度により制約を受けない状態でチャンネル幅の自由
度が増す。これにより、十分なチャンネル幅の薄膜トラ
ンジスタとなり、スイッチング時には大きな電流が流れ
る。
実施例
本発明の一実施例を第１図に基づいて説明する。
本実施例は、ブレーナ方式のものに適用したものであり
、第２図及び第３図で示した部分と同一部分は同一符号
を用いて説明する。なお、第１図は第３図と同様に電極
３，４，１１．１２のみを抽出して示すものである。本
実施例は、薄膜トランジスタフのソース電極１１とドレ
イン電極１２とのパターン形状を変更することにより、
チャンネル１３が光電変換素子６のアレイ方向（第１図
の左右方向）に対して直交する方向（上下方向）となる
形状に形成したものである。つまり、ソース電極１１と
ドレイン電極１２とはアレイ方向で離間対向する形状と
されている。なお、このようなソース電極１１及びドレ
イン電極１２のパターン変更に伴い、ゲート電極８のパ
ターンも適宜変更される。
、第２図及び第３図で示した部分と同一部分は同一符号
を用いて説明する。なお、第１図は第３図と同様に電極
３，４，１１．１２のみを抽出して示すものである。本
実施例は、薄膜トランジスタフのソース電極１１とドレ
イン電極１２とのパターン形状を変更することにより、
チャンネル１３が光電変換素子６のアレイ方向（第１図
の左右方向）に対して直交する方向（上下方向）となる
形状に形成したものである。つまり、ソース電極１１と
ドレイン電極１２とはアレイ方向で離間対向する形状と
されている。なお、このようなソース電極１１及びドレ
イン電極１２のパターン変更に伴い、ゲート電極８のパ
ターンも適宜変更される。
このような構成によれば、チャンネル幅Ｗ２がプレイ方
向とは直交する方向に確保されるので、このチャンネル
幅Ｗ２ を光電変換素子６の密度による制約を受けない
幅広のものとすることができる。つまり、チャンネル幅
Ｗ、の自由度が増すことになる。この結果、薄膜トラン
ジスタ７が対応する光電変換素子６をスイッチングする
際の電流値を大きくすることができ、確実な画像情報の
読取りが可能となる。又、このようなアレイ方向に直交
するチャンネル１３によれば、各ビット間に余裕ができ
、各々のソース電極１１及びドレイン電極１２のパター
ン化エツチングが容易となり、かつ、各薄膜トランジス
タ７の分離も容易となる。
向とは直交する方向に確保されるので、このチャンネル
幅Ｗ２ を光電変換素子６の密度による制約を受けない
幅広のものとすることができる。つまり、チャンネル幅
Ｗ、の自由度が増すことになる。この結果、薄膜トラン
ジスタ７が対応する光電変換素子６をスイッチングする
際の電流値を大きくすることができ、確実な画像情報の
読取りが可能となる。又、このようなアレイ方向に直交
するチャンネル１３によれば、各ビット間に余裕ができ
、各々のソース電極１１及びドレイン電極１２のパター
ン化エツチングが容易となり、かつ、各薄膜トランジス
タ７の分離も容易となる。
なお、本実施例ではプレーナ方式への適用例で説明した
が、サンドイッチ方式のものであっても同様に適用でき
る。
が、サンドイッチ方式のものであっても同様に適用でき
る。
発明の効果
本発明は、上述したように薄膜トランジスタのチャンネ
ルを光電変換素子アレイ方向に直交する形状に形成した
ので、光電変換素子の配列密度による制約を受けない状
態にチャンネル幅に自由度を持たせて幅広に形成するこ
とができ、よって、この薄膜トランジスタが対応する光
電変換素子をスイッチングする際の電流値を大きくする
ことができ、確実な画像情報の読取りを可能にし、又、
各薄膜トランジスタ間ではアレイ方向に余裕を持つこと
になり、その電極のパターン化エツチング工程が容易と
なり、かつ、トランジスタ間の分離も確実なものとなる
。
ルを光電変換素子アレイ方向に直交する形状に形成した
ので、光電変換素子の配列密度による制約を受けない状
態にチャンネル幅に自由度を持たせて幅広に形成するこ
とができ、よって、この薄膜トランジスタが対応する光
電変換素子をスイッチングする際の電流値を大きくする
ことができ、確実な画像情報の読取りを可能にし、又、
各薄膜トランジスタ間ではアレイ方向に余裕を持つこと
になり、その電極のパターン化エツチング工程が容易と
なり、かつ、トランジスタ間の分離も確実なものとなる
。
第１図は本発明の一実施例を示す電極パターンの平面図
、第２図は従来例を示す縦断側面図、第３図は従来例を
示す電極パターンの平面図である。 ６・・・光電変換素子、７・・・薄膜トランジスタ、１
３・・・チャンネル、Ｗ２・・・チャンネル幅３」 図 ｖ′ｌ／ｚ′ナヤコネル１
、第２図は従来例を示す縦断側面図、第３図は従来例を
示す電極パターンの平面図である。 ６・・・光電変換素子、７・・・薄膜トランジスタ、１
３・・・チャンネル、Ｗ２・・・チャンネル幅３」 図 ｖ′ｌ／ｚ′ナヤコネル１
Claims (1)
- アレイ状に配列させた多数の光電変換素子と、これら
の光電変換素子を個々にスイッチングするアレイ状に配
列させた同数の薄膜トランジスタとを備えた光電変換装
置において、前記薄膜トランジスタのチャンネルを前記
光電変換素子のアレイ方向に直交する形状に形成したこ
とを特徴とする光電変換装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61174381A JPS6331161A (ja) | 1986-07-24 | 1986-07-24 | 光電変換装置 |
| US07/075,822 US4827146A (en) | 1986-07-24 | 1987-07-20 | Photoelectric conversion element image sensor with combined field effect transistor having compact size |
| EP19870306476 EP0254549A3 (en) | 1986-07-24 | 1987-07-22 | Image sensor |
| KR1019870008028A KR880002039A (ko) | 1986-07-24 | 1987-07-23 | 광전변환장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61174381A JPS6331161A (ja) | 1986-07-24 | 1986-07-24 | 光電変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6331161A true JPS6331161A (ja) | 1988-02-09 |
Family
ID=15977620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61174381A Pending JPS6331161A (ja) | 1986-07-24 | 1986-07-24 | 光電変換装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4827146A (ja) |
| EP (1) | EP0254549A3 (ja) |
| JP (1) | JPS6331161A (ja) |
| KR (1) | KR880002039A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5293944A (en) * | 1989-12-28 | 1994-03-15 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Method of automatically controlling impact ripper |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2680002B2 (ja) * | 1987-11-14 | 1997-11-19 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| JP3140753B2 (ja) * | 1989-07-24 | 2001-03-05 | 株式会社リコー | 等倍光センサ |
| JP2838318B2 (ja) * | 1990-11-30 | 1998-12-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 感光装置及びその作製方法 |
| EP0523784A1 (en) * | 1991-07-15 | 1993-01-20 | Philips Electronics Uk Limited | An image detector and a method of manufacturing such an image detector |
| KR100370800B1 (ko) * | 2000-06-09 | 2003-02-05 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판 제작방법 |
| KR100846141B1 (ko) * | 2007-02-07 | 2008-07-14 | 권수안 | 의료용 폴리우레탄하이드로겔 제조용 조성물 및 이조성물로 폴리우레탄하이드로겔 필름을 연속적으로제조하는 방법 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4405857A (en) * | 1980-03-31 | 1983-09-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state photoelectric converter |
| DE3112907A1 (de) * | 1980-03-31 | 1982-01-07 | Canon K.K., Tokyo | "fotoelektrischer festkoerper-umsetzer" |
| US4471371A (en) * | 1981-01-06 | 1984-09-11 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Thin film image pickup element |
| JPS5847204A (ja) * | 1981-09-16 | 1983-03-18 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 微小領域検出器 |
| JPS59107569A (ja) * | 1982-12-13 | 1984-06-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | 一次元半導体撮像装置 |
| DE3751242T2 (de) * | 1986-01-24 | 1995-09-14 | Canon Kk | Photoelektrischer Wandler. |
-
1986
- 1986-07-24 JP JP61174381A patent/JPS6331161A/ja active Pending
-
1987
- 1987-07-20 US US07/075,822 patent/US4827146A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-07-22 EP EP19870306476 patent/EP0254549A3/en not_active Withdrawn
- 1987-07-23 KR KR1019870008028A patent/KR880002039A/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5293944A (en) * | 1989-12-28 | 1994-03-15 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Method of automatically controlling impact ripper |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR880002039A (ko) | 1988-04-28 |
| EP0254549A2 (en) | 1988-01-27 |
| US4827146A (en) | 1989-05-02 |
| EP0254549A3 (en) | 1991-01-02 |
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