JPS63299583A - 光学的記録再生装置 - Google Patents
光学的記録再生装置Info
- Publication number
- JPS63299583A JPS63299583A JP62133810A JP13381087A JPS63299583A JP S63299583 A JPS63299583 A JP S63299583A JP 62133810 A JP62133810 A JP 62133810A JP 13381087 A JP13381087 A JP 13381087A JP S63299583 A JPS63299583 A JP S63299583A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- differential amplifier
- optical
- active elements
- variable resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明はレーザ発振器から発した光束を光学的再生媒
体(二照射し、その反射光あるいは透過光に含まれる情
報信号を読み出す光学的記録再生装置に関する。
体(二照射し、その反射光あるいは透過光に含まれる情
報信号を読み出す光学的記録再生装置に関する。
「従来の技術」
従来、この種の光学的記録再生装置においては、光学的
記録媒体の記録信号の再生方式として差動法が用いられ
ている。この方式はポリカーボネート基板の複屈折など
、同相雑音を除去し、C/Nの高い信号が得られること
が知られている。しかし光検出器のばらつきなどに上り
差動増幅器の二つの入力信号に振幅差が生じた場合には
、同相雑音除去効果が低減する。この問題点を解決する
ために、従来では差動増幅器の人力信号のうち、振幅の
大きい信号を減衰させて振幅の小さい信号の振幅にあわ
せたり、光検出器に増幅率を可変できるAPD (アバ
ランシェホトダイオード)を用い一方の増倍率を調整し
たりしていた。
記録媒体の記録信号の再生方式として差動法が用いられ
ている。この方式はポリカーボネート基板の複屈折など
、同相雑音を除去し、C/Nの高い信号が得られること
が知られている。しかし光検出器のばらつきなどに上り
差動増幅器の二つの入力信号に振幅差が生じた場合には
、同相雑音除去効果が低減する。この問題点を解決する
ために、従来では差動増幅器の人力信号のうち、振幅の
大きい信号を減衰させて振幅の小さい信号の振幅にあわ
せたり、光検出器に増幅率を可変できるAPD (アバ
ランシェホトダイオード)を用い一方の増倍率を調整し
たりしていた。
「発明が解決しようとする問題点」
上述した従来の光学的記録再生装置では二つの光検出器
の感度差(二よる出力信号の振幅差を解消するため、大
きい方の出力振幅を減衰させて小さい方の出力振幅に合
わせたり、光検出器にAPDを用い、一方のAPDの増
倍率を変化させたりしている。
の感度差(二よる出力信号の振幅差を解消するため、大
きい方の出力振幅を減衰させて小さい方の出力振幅に合
わせたり、光検出器にAPDを用い、一方のAPDの増
倍率を変化させたりしている。
前者は出力振幅を減衰させるため、キャリアを減衰させ
てしまい高C/N再生には不利である。
てしまい高C/N再生には不利である。
後者ではAPDの増倍率は逆バイアス電圧の変化に対し
て大きく変動するため長期間安定した性能が得られない
という欠点がある。
て大きく変動するため長期間安定した性能が得られない
という欠点がある。
[問題点を解決するための手段]
この発明の光学的記録再生装置は二つの光検出手段の出
力信号が差動増幅器へ入力され、その差動増幅器の二つ
の能動素子の接地側端子間、つまり能動素子がバイポー
ラトランジスタの場合はエミッタ間(能動素子がFET
の場合はソース間)に可変抵抗器が挿入され、その可変
抵抗器により二つの能動素子の接地側端子電流、つまり
エミッタ電流(FETの場合はソース電流)のバランス
を調整することにより二つの光検出手段の感度差を補正
する。
力信号が差動増幅器へ入力され、その差動増幅器の二つ
の能動素子の接地側端子間、つまり能動素子がバイポー
ラトランジスタの場合はエミッタ間(能動素子がFET
の場合はソース間)に可変抵抗器が挿入され、その可変
抵抗器により二つの能動素子の接地側端子電流、つまり
エミッタ電流(FETの場合はソース電流)のバランス
を調整することにより二つの光検出手段の感度差を補正
する。
「実施例」
次にこの発明の一実施例を図を参照して説明する。第1
図はこの発明の一実施例のブロック図でこの発明を光磁
気ディスク装置に適用した例である。第1図においてレ
ーザダイオード駆動回路1はレーザダイオード2を駆動
する。レーザダイオード2より出力されたレーザ光゛は
コリメータレンズ3、ビーム成形プリズム4、光分配手
段としてのビームスプリッタ5、絞りレンズ6を通過し
、光磁気ディスク7に到達する。光磁気ディスク7で反
射した光はビームスプリッタ5で透過光と反射光に分配
される。分配された反射光はλ/2板9を通過し情報信
号分配手段としての偏光ビームスプリッタ10で透過光
と反射光に分配される。
図はこの発明の一実施例のブロック図でこの発明を光磁
気ディスク装置に適用した例である。第1図においてレ
ーザダイオード駆動回路1はレーザダイオード2を駆動
する。レーザダイオード2より出力されたレーザ光゛は
コリメータレンズ3、ビーム成形プリズム4、光分配手
段としてのビームスプリッタ5、絞りレンズ6を通過し
、光磁気ディスク7に到達する。光磁気ディスク7で反
射した光はビームスプリッタ5で透過光と反射光に分配
される。分配された反射光はλ/2板9を通過し情報信
号分配手段としての偏光ビームスプリッタ10で透過光
と反射光に分配される。
その分配された透過光、反射光はそれぞれ絞りレンズ1
1.12で絞られ光検出手段としてのPINフォトダイ
オード13.14に受光され、光電変換され、差動増幅
器15に人力される。光磁気ディスク7はスピンドル1
6上に取付けられ、スピンドルモータ17で回転される
。磁界発生装置8は書込み時に必要とする磁界を発生す
るものである。
1.12で絞られ光検出手段としてのPINフォトダイ
オード13.14に受光され、光電変換され、差動増幅
器15に人力される。光磁気ディスク7はスピンドル1
6上に取付けられ、スピンドルモータ17で回転される
。磁界発生装置8は書込み時に必要とする磁界を発生す
るものである。
第2図においてPINフォトダイオード13゜14の負
荷抵抗RLIとRb2および差動増幅器15の負荷抵抗
器Rc+ * RC2は等しい抵抗値をもつ。
荷抵抗RLIとRb2および差動増幅器15の負荷抵抗
器Rc+ * RC2は等しい抵抗値をもつ。
また差動増幅器15の能動素子としてのトランジスタT
、1とT、2は同一パフケージ中6=形成されており、
等しい特性をもつ。トランジスタT、1とTr2の接地
側端子間、つまりエミッタ間には可変抵抗器Rvが接続
されており、トランジスタT、1とTr2のエミッタ電
流の調整が可能である。
、1とT、2は同一パフケージ中6=形成されており、
等しい特性をもつ。トランジスタT、1とTr2の接地
側端子間、つまりエミッタ間には可変抵抗器Rvが接続
されており、トランジスタT、1とTr2のエミッタ電
流の調整が可能である。
ビームスプリッタ5で分配された光はλ/2板9を通過
することにより偏光面が回転し、偏光ビームスプリッタ
10で通過側と反射側≦二光量が等しく分配され、信号
成分は互いに逆位相となる。
することにより偏光面が回転し、偏光ビームスプリッタ
10で通過側と反射側≦二光量が等しく分配され、信号
成分は互いに逆位相となる。
従ってPINフォトダイオ、−ド13,141:は等し
い光量が入射する。しかしトランジスタTr1とTr2
の入力信号(二はPINフォトダイオード13゜14の
感度差C二より振幅差が生じる。この状態で一般の差動
増幅を行うと同相雑音除去効果が不完全となる。そこで
トランジスタTr1とTr2のエミッタ間に可変抵抗器
RVを接続し、トランジスタTr1とTr2のエミッタ
電流のバランスを調整することにより差動増幅器15の
出力信号の同相雑音は十分に除去され、C/Hのよい信
号が得られる。
い光量が入射する。しかしトランジスタTr1とTr2
の入力信号(二はPINフォトダイオード13゜14の
感度差C二より振幅差が生じる。この状態で一般の差動
増幅を行うと同相雑音除去効果が不完全となる。そこで
トランジスタTr1とTr2のエミッタ間に可変抵抗器
RVを接続し、トランジスタTr1とTr2のエミッタ
電流のバランスを調整することにより差動増幅器15の
出力信号の同相雑音は十分に除去され、C/Hのよい信
号が得られる。
「発明の効果」
以上説明したようにこの発明は二つの光検出器の感度差
による出力信号振幅差を補正すること(二より、差動増
幅≦二よる同相雑音の低減効果を十分引き出し、C/N
のよい信号を得られるという効果がある。
による出力信号振幅差を補正すること(二より、差動増
幅≦二よる同相雑音の低減効果を十分引き出し、C/N
のよい信号を得られるという効果がある。
この実施例ではトランジスタ差動増幅器を用いたが、F
ET差動増幅器でも同様の効果が得られる。また上述で
は光磁気ディスク7よりの反射光より情報信号を読み出
したが、光磁気ディスク7の透過光より情報信号を読み
出す場合にもこの発明は適用される。
ET差動増幅器でも同様の効果が得られる。また上述で
は光磁気ディスク7よりの反射光より情報信号を読み出
したが、光磁気ディスク7の透過光より情報信号を読み
出す場合にもこの発明は適用される。
第1図はこの発明の一実施例のブロック図、第2図は第
1図の差動増幅器の一例を示す回路図士ある。 特許出願人 日本電気株式会社 代 理 人 草 野 卓士 2
図
1図の差動増幅器の一例を示す回路図士ある。 特許出願人 日本電気株式会社 代 理 人 草 野 卓士 2
図
Claims (1)
- (1)レーザ発振器から発した光束を光学的再生媒体に
照射し、その反射光あるいは透過光に含まれる情報信号
を読み出す光学的再生装置において、 前記反射光あるいは透過光の光路中に配された光分配手
段と、 その光分配手段により分配された一方の光路中に配され
た情報信号光分配手段と、 その情報信号光分配手段により分配された二つの光路中
にそれぞれ配された光検出手段と、その光検出手段の出
力信号が入力される差動増幅器と、 その差動増幅器の二つの能動素子の互いの接地側端子間
に接続された可変抵抗器とを有し、前記可変抵抗器によ
り前記光検出手段の感度差を補正することを特徴とする
光学的記録再生装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62133810A JPS63299583A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 光学的記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62133810A JPS63299583A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 光学的記録再生装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63299583A true JPS63299583A (ja) | 1988-12-07 |
Family
ID=15113569
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62133810A Pending JPS63299583A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 光学的記録再生装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63299583A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5105249A (en) * | 1989-06-02 | 1992-04-14 | U.S. Philips Corporation | Radiation-sensitive semiconductor device having a transistor |
-
1987
- 1987-05-29 JP JP62133810A patent/JPS63299583A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5105249A (en) * | 1989-06-02 | 1992-04-14 | U.S. Philips Corporation | Radiation-sensitive semiconductor device having a transistor |
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