JPS63278383A - 発光素子 - Google Patents
発光素子Info
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- JPS63278383A JPS63278383A JP62114003A JP11400387A JPS63278383A JP S63278383 A JPS63278383 A JP S63278383A JP 62114003 A JP62114003 A JP 62114003A JP 11400387 A JP11400387 A JP 11400387A JP S63278383 A JPS63278383 A JP S63278383A
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- gaalas
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明はＧａＡｌＡｓを用いた発光ダイオードに関し、
特に可視光で高輝度の発光ダイオードとして使用される
ものである。
特に可視光で高輝度の発光ダイオードとして使用される
ものである。
（従来の技術）
可視光（波長が６６０±１０ｎｍ程度）で高輝度の発光
ダイオードとしては、文献 （Ｎａｔｉｏｎａｌ ＴｅｃｈｎｉｃａｌＲｅ ｐ
ｏ ｒ ｔ Ｖｏｌ、２９ 、Ｎｏ、６ 、Ｄｅｃ
、１９８３、Ｐ７８７）に記載されているような構造の
ものが知られている。第５図にその発光ダイオードを示
す。
ダイオードとしては、文献 （Ｎａｔｉｏｎａｌ ＴｅｃｈｎｉｃａｌＲｅ ｐ
ｏ ｒ ｔ Ｖｏｌ、２９ 、Ｎｏ、６ 、Ｄｅｃ
、１９８３、Ｐ７８７）に記載されているような構造の
ものが知られている。第５図にその発光ダイオードを示
す。
第５図に示されているように、この発光ダイオードは、
それぞれが高Ａ１Ａｓ混晶比を有するＰ型およびＮ型の
クラッド層１１．１２と、所定の発光波長となるような
Ａ１Ａｓ混晶比を有するアクテイブ層１３とから成るダ
ブルヘテロ（Ｄ−Ｈ）構造と、Ｐ、Ｎ両りラッド層１１
．１２のＡノＡｓ混晶比よりその混晶比が若干低下され
比抵抗が小さく、かつ良好なオーミック接触が得られる
Ｐ型およびＮ型のコンタクト層１４．１５を形成した５
層構造の発光素子となっている。
それぞれが高Ａ１Ａｓ混晶比を有するＰ型およびＮ型の
クラッド層１１．１２と、所定の発光波長となるような
Ａ１Ａｓ混晶比を有するアクテイブ層１３とから成るダ
ブルヘテロ（Ｄ−Ｈ）構造と、Ｐ、Ｎ両りラッド層１１
．１２のＡノＡｓ混晶比よりその混晶比が若干低下され
比抵抗が小さく、かつ良好なオーミック接触が得られる
Ｐ型およびＮ型のコンタクト層１４．１５を形成した５
層構造の発光素子となっている。
このようなり−Ｈ構造の素子の発光出力は、Ｐ型および
Ｎ型クラッド層１１．１２の各不純物濃度すなわちアク
セプタ（Ｚ ｎ）およびドナー（Ｔｅ）濃度に依存し、
発光出力を高めるには、これらの濃度をそれぞれアクテ
ィブ層１３のアクセプタ（Ｚｎ）濃度よりも低濃度にす
る必要がある。しかし、このようにＰ型およびＮ型のク
ラッド層１１゜１２の不純物濃度を低くすると、電極と
の良好なオーミック接触が得られず、発光時の通電電圧
の上昇、高抵抗による素子温度の上昇により素子特性お
よび信頼性が不安定となる。このため、前述のようにＰ
型およびＮ型のコンタクト層１４．１５を設け、これら
のコンタクト層のＡｉ混晶比を低下させると共に、それ
ぞれの不純物濃度を高めて電極との良好なオーミック接
触が得られるようにしている。
Ｎ型クラッド層１１．１２の各不純物濃度すなわちアク
セプタ（Ｚ ｎ）およびドナー（Ｔｅ）濃度に依存し、
発光出力を高めるには、これらの濃度をそれぞれアクテ
ィブ層１３のアクセプタ（Ｚｎ）濃度よりも低濃度にす
る必要がある。しかし、このようにＰ型およびＮ型のク
ラッド層１１゜１２の不純物濃度を低くすると、電極と
の良好なオーミック接触が得られず、発光時の通電電圧
の上昇、高抵抗による素子温度の上昇により素子特性お
よび信頼性が不安定となる。このため、前述のようにＰ
型およびＮ型のコンタクト層１４．１５を設け、これら
のコンタクト層のＡｉ混晶比を低下させると共に、それ
ぞれの不純物濃度を高めて電極との良好なオーミック接
触が得られるようにしている。
このように５層から成る素子構造では、Ｄ−Ｉ（構造の
形成のための３つの成長液の他に、Ｐ型およびＮ型コン
タクト層１４．１５の形成用のための成長液も必要とな
るので、製造コストが割高になるだけでなく成長技術的
にも複雑となる。このため、安定性が良く、低価格の素
子を得ることは困難であった。
形成のための３つの成長液の他に、Ｐ型およびＮ型コン
タクト層１４．１５の形成用のための成長液も必要とな
るので、製造コストが割高になるだけでなく成長技術的
にも複雑となる。このため、安定性が良く、低価格の素
子を得ることは困難であった。
（発明が解決しようとする間厘点）
本発明は前述のような点に鑑みなされたもので、従来の
発光ダイオードでは５層の素子構造が必要となり製造コ
ストの増大を招く点を改善し、簡単な素子構造で充分な
発光出力とオーミックコンタクトが得られる発光ダイオ
ードを提供することを目的とする。
発光ダイオードでは５層の素子構造が必要となり製造コ
ストの増大を招く点を改善し、簡単な素子構造で充分な
発光出力とオーミックコンタクトが得られる発光ダイオ
ードを提供することを目的とする。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段と作用）この発明による
発光ダイオードにあっては、Ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド
層と、発光波長に必要な混晶比のＧａＡｌＡｓアクティ
ブ層と、Ｎ型ＧａＡ、１７Ａｓクラッド層とが順次成長
形成された３層から成るダブルヘテロ構造を備え、前記
ＧａＡｌＡｓアクティブ層との接合界面近傍では前記Ｐ
型ＧａＡＪ！Ａｓ層およびＮ型ＧａＡｌＡｓ層の不純物
濃度は前記ＧａＡｌＡｓアクティブ層の不純物濃度より
も低く、しかも前記Ｐ型ＧａＡｌ！Ａｓ層およびＮ型Ｇ
ａＡ、１７Ａｓ層の少なくとも一方は表面が高濃度とな
るような傾斜型の不純物濃度勾配を有することを特徴と
するものである。このような構成の発光ダイオードにあ
っては、ＧａＡ、ｉ’Ａｓアクティブ層との接合界面近
傍でＰ型およびＮ型のクラッド層の不純物濃度が共に前
記アクティブ層の不純物濃度よりも低いので高輝度の発
光出力が得られると共に、表面が高濃度となる傾斜型の
不純物濃度勾配を有するクラッド層については電極を直
接形成することができ、素子構造を簡単化することが可
能となる。したがって、簡単な素子構造で充分な発光出
力とオーミックコンタクトが得られるようになる。
発光ダイオードにあっては、Ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド
層と、発光波長に必要な混晶比のＧａＡｌＡｓアクティ
ブ層と、Ｎ型ＧａＡ、１７Ａｓクラッド層とが順次成長
形成された３層から成るダブルヘテロ構造を備え、前記
ＧａＡｌＡｓアクティブ層との接合界面近傍では前記Ｐ
型ＧａＡＪ！Ａｓ層およびＮ型ＧａＡｌＡｓ層の不純物
濃度は前記ＧａＡｌＡｓアクティブ層の不純物濃度より
も低く、しかも前記Ｐ型ＧａＡｌ！Ａｓ層およびＮ型Ｇ
ａＡ、１７Ａｓ層の少なくとも一方は表面が高濃度とな
るような傾斜型の不純物濃度勾配を有することを特徴と
するものである。このような構成の発光ダイオードにあ
っては、ＧａＡ、ｉ’Ａｓアクティブ層との接合界面近
傍でＰ型およびＮ型のクラッド層の不純物濃度が共に前
記アクティブ層の不純物濃度よりも低いので高輝度の発
光出力が得られると共に、表面が高濃度となる傾斜型の
不純物濃度勾配を有するクラッド層については電極を直
接形成することができ、素子構造を簡単化することが可
能となる。したがって、簡単な素子構造で充分な発光出
力とオーミックコンタクトが得られるようになる。
（実施例）
以下、図面を参照してこの発明の詳細な説明する。
第１図はこの発明の一実施例に係わる発光ダイオードの
構造を示すものであり、この発光ダイオードは、Ｐ型の
Ｇａ、、、Ａノ。、７ＡＳクラッド層２１と、Ｐ型のＧ
ａ ｏ、 ６５Ａ 、ｌ’ ６．３５Ａ Ｓアクティブ
層２２と、Ｎ型のＧ ａ ０．３ Ａ、ｅＯ，７Ａ ｓ
クララド層２３とが液晶エピタキシャル法の徐冷方式に
より順次成長された３層から成るＤ−Ｈ構造のエピタキ
シャルウェハーから構成される。不純物としては、Ｐ型
のクラッド層２１およびアクティブ層２２にそれぞれ亜
鉛（Ｚｎ）を用い、Ｎ型のクラッド層２３にはテルル（
Ｔｅ）を用いている。
構造を示すものであり、この発光ダイオードは、Ｐ型の
Ｇａ、、、Ａノ。、７ＡＳクラッド層２１と、Ｐ型のＧ
ａ ｏ、 ６５Ａ 、ｌ’ ６．３５Ａ Ｓアクティブ
層２２と、Ｎ型のＧ ａ ０．３ Ａ、ｅＯ，７Ａ ｓ
クララド層２３とが液晶エピタキシャル法の徐冷方式に
より順次成長された３層から成るＤ−Ｈ構造のエピタキ
シャルウェハーから構成される。不純物としては、Ｐ型
のクラッド層２１およびアクティブ層２２にそれぞれ亜
鉛（Ｚｎ）を用い、Ｎ型のクラッド層２３にはテルル（
Ｔｅ）を用いている。
結晶成長には第２図に示すような構造のボートを用い、
その６溜の成長液組成は次のようにする。
その６溜の成長液組成は次のようにする。
すなわち、Ｐ型りラッド層２１用の溜３１には、ＡノＡ
ｓ混晶比が０．７となる量のＡノ、多結晶ＧａＡｓ、主
成分のＧａ、アクセプタ濃度がアクティブ層２２との接
合界面近傍で〜３ Ｘ’１Ｏ１７ｃ１！Ｉ−’となる量
のＺ ｎ （Ｚ ｎ ８０Ｂ／ Ｇ ａ １００ｇ）を
添加する。
ｓ混晶比が０．７となる量のＡノ、多結晶ＧａＡｓ、主
成分のＧａ、アクセプタ濃度がアクティブ層２２との接
合界面近傍で〜３ Ｘ’１Ｏ１７ｃ１！Ｉ−’となる量
のＺ ｎ （Ｚ ｎ ８０Ｂ／ Ｇ ａ １００ｇ）を
添加する。
Ｐ型アクティブ層２２用の溜３２には、発光波長が可視
領域すなわち６６０±１０ｎｍ程度となるＡノＡｓ混晶
比０，３５のＡＩ、多結晶ＧａＡｓ。
領域すなわち６６０±１０ｎｍ程度となるＡノＡｓ混晶
比０，３５のＡＩ、多結晶ＧａＡｓ。
主成分のＧａ、アクセプタ濃度が５〜６ Ｘ １０１０
ｌ７ ’となる量のＺ ｎ （Ｚ ｎ ８０ｍｇ／ Ｇ
ａ １００ｇ）を添加する。また、Ｎ型クラッド層２
３用の溜３３には、Ａ、ｌ？Ａｓ混晶比が０．７となる
量のＡＩ、多結晶ＧａＡｓ、主成分のＧａ、 ドナー
濃度がアクティブ層２２との接合界面近傍で５ Ｘ １
０１６〜３ Ｘ １０”Ｃ−ｍ−３となるＴ ｅ （Ｔ
ｅ １ ａ＋ｇ／ Ｇ ａ １００ｇ）を添加する。
ｌ７ ’となる量のＺ ｎ （Ｚ ｎ ８０ｍｇ／ Ｇ
ａ １００ｇ）を添加する。また、Ｎ型クラッド層２
３用の溜３３には、Ａ、ｌ？Ａｓ混晶比が０．７となる
量のＡＩ、多結晶ＧａＡｓ、主成分のＧａ、 ドナー
濃度がアクティブ層２２との接合界面近傍で５ Ｘ １
０１６〜３ Ｘ １０”Ｃ−ｍ−３となるＴ ｅ （Ｔ
ｅ １ ａ＋ｇ／ Ｇ ａ １００ｇ）を添加する。
そして、Ｈ２ガスフロー中でＰ型のＧａＡｓ基板上に第
３図に示すような温度プログラム（２２９７１層２１の
成長に９４９℃〜８３０℃で４時間、アクティブ層２２
の成長に８３０℃で６０秒、Ｎクラッド層２３の成長に
８３０℃〜７８０℃で２時間）で順次結晶成長を行なう
。この結果、２２９７１層２１の膜厚は１４０８ｍ１ア
クテイブ層２２の膜厚は１μｍ１Ｎクラツド層２３の膜
厚は６０μｍとなる。そして、ＧａＡｓ基板のみを選択
エツチングした後、Ｎ型クラッド層２３表面に直径が１
５０μｍのＡｕ−Ｇｅ電極２４を形成し、Ｐ型クラッド
層２１表面に直径が７０μｍのＡｕ−Ｂｅ電極２５を形
成する（第１図参照）。
３図に示すような温度プログラム（２２９７１層２１の
成長に９４９℃〜８３０℃で４時間、アクティブ層２２
の成長に８３０℃で６０秒、Ｎクラッド層２３の成長に
８３０℃〜７８０℃で２時間）で順次結晶成長を行なう
。この結果、２２９７１層２１の膜厚は１４０８ｍ１ア
クテイブ層２２の膜厚は１μｍ１Ｎクラツド層２３の膜
厚は６０μｍとなる。そして、ＧａＡｓ基板のみを選択
エツチングした後、Ｎ型クラッド層２３表面に直径が１
５０μｍのＡｕ−Ｇｅ電極２４を形成し、Ｐ型クラッド
層２１表面に直径が７０μｍのＡｕ−Ｂｅ電極２５を形
成する（第１図参照）。
Ｐ型クラッド層２１の不純物Ｚｎは高温はど成長層に取
込まれ易く、またＮ型クラッド層２３の不純物Ｔｅは低
温はど成長層に取込まれ易い特性があるので、前述のよ
うな温度プログラムの液晶エピタキシャル除冷法によっ
て第４図に示すような不純物プロファイルが得られる。
込まれ易く、またＮ型クラッド層２３の不純物Ｔｅは低
温はど成長層に取込まれ易い特性があるので、前述のよ
うな温度プログラムの液晶エピタキシャル除冷法によっ
て第４図に示すような不純物プロファイルが得られる。
この図から分るように、Ｐ型クラッド層２１の不純物濃
度分布は、アクティブ層２２との接合界面近傍で低濃度
、表面（Ｐ型クラッド層２１の成長開始時）で高濃度と
なる傾斜型の濃度分布となり、またＮ型クラッド層２３
の濃度分布もアクティブ層２２との接合界面近傍で低濃
度、表面（Ｐ型クラッド層２３の成長終了時）で高濃度
となる傾斜型の濃度分布となる。したかっ、て、アクテ
ィブ層２２との接合界面近傍のＰ型およびＮ型のクラッ
ド層２Ｌ、 ２３の各不純物濃度を発光出力の最適値に
設定できると共に、Ｐ型およびＮ型クラッド層２１．２
３の表面濃度を高くでき良好なオーミック接触を得るこ
とが可能となる。
度分布は、アクティブ層２２との接合界面近傍で低濃度
、表面（Ｐ型クラッド層２１の成長開始時）で高濃度と
なる傾斜型の濃度分布となり、またＮ型クラッド層２３
の濃度分布もアクティブ層２２との接合界面近傍で低濃
度、表面（Ｐ型クラッド層２３の成長終了時）で高濃度
となる傾斜型の濃度分布となる。したかっ、て、アクテ
ィブ層２２との接合界面近傍のＰ型およびＮ型のクラッ
ド層２Ｌ、 ２３の各不純物濃度を発光出力の最適値に
設定できると共に、Ｐ型およびＮ型クラッド層２１．２
３の表面濃度を高くでき良好なオーミック接触を得るこ
とが可能となる。
上記Ｐ型クラッド層２１のＺｎ濃度分布は、アクティブ
層２２との接合界面近傍でアクティブ層２２のＺｎ濃度
よりも低い１〜５ Ｘｌ０１７ ｃ ｍ′３程度の値、
表面で５ Ｘｔｏ” ｃ ｍ’以上となる傾斜型の濃度
分布が好ましく、またＮ型クラッド層２３のＴｅ濃度分
布は、アクティブ層２２との接合界面近傍でアクティブ
層２２のＺｎ濃度よりも低い５Ｘ１０′６〜３×１０１
７ｃｍ−３程度の値、表面で５ Ｘ １０１７ｃｍ−３
以上となる傾斜型の濃度分布が好ましい。
層２２との接合界面近傍でアクティブ層２２のＺｎ濃度
よりも低い１〜５ Ｘｌ０１７ ｃ ｍ′３程度の値、
表面で５ Ｘｔｏ” ｃ ｍ’以上となる傾斜型の濃度
分布が好ましく、またＮ型クラッド層２３のＴｅ濃度分
布は、アクティブ層２２との接合界面近傍でアクティブ
層２２のＺｎ濃度よりも低い５Ｘ１０′６〜３×１０１
７ｃｍ−３程度の値、表面で５ Ｘ １０１７ｃｍ−３
以上となる傾斜型の濃度分布が好ましい。
また、第４図において点線で示されている曲線は、第５
図で説明した従来の発光ダイオードの不純物濃度分布を
示すものであり、ここではそのアクティブ層１３を低濃
度とした場合が示されている。
図で説明した従来の発光ダイオードの不純物濃度分布を
示すものであり、ここではそのアクティブ層１３を低濃
度とした場合が示されている。
尚、ここでは発光ダイオードを３層構造で形成する場合
について説明したが、Ｐ型クラッド層２１またはＮ型ク
ラッド層２３のいずれか一方の表面に不純物濃度の高い
コンタクト層を形成して４層構造の発光ダイオードを形
成しても良い。この場合には、前述のような傾斜型の不
純物濃度分布に設定するのは電極が直接形成される側の
Ｐ型またはＮ型クラッド層だけでよい。
について説明したが、Ｐ型クラッド層２１またはＮ型ク
ラッド層２３のいずれか一方の表面に不純物濃度の高い
コンタクト層を形成して４層構造の発光ダイオードを形
成しても良い。この場合には、前述のような傾斜型の不
純物濃度分布に設定するのは電極が直接形成される側の
Ｐ型またはＮ型クラッド層だけでよい。
［発明の効果コ
以上のようにこの発明によれば、簡単な素子構造で充分
な発光出力とオーミックコンタクトを得ることができ、
製造コストの低減が可能となると共に、製造工程の簡単
化によって信頼性の高い発光ダイオードが得られるよう
になる。
な発光出力とオーミックコンタクトを得ることができ、
製造コストの低減が可能となると共に、製造工程の簡単
化によって信頼性の高い発光ダイオードが得られるよう
になる。
第１図はこの発明の一実施例に係わる発光ダイオードの
構造を示す断面図、第２図は第１図の発光ダイオードを
製造するために用いるスライド式ボートを示す図、第３
図は第１図の発光ダイオードを製造するエピタキシャル
成長工程における温度プログラムを説明する図、第４図
は第１図の発光ダイオードの不純物プロファイルを説明
する図、第５図は従来の発光ダイオードの構造を説明す
る図である。 ２１・・・Ｐ型クラッド層、２２・・・Ｐ型アクティブ
層、２３・・・Ｎ型クラッド層、２４．２５・・・電極
。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦、 第４図 ｙｉ１ ３区 襲 。 鴫 ） 猛 １１
構造を示す断面図、第２図は第１図の発光ダイオードを
製造するために用いるスライド式ボートを示す図、第３
図は第１図の発光ダイオードを製造するエピタキシャル
成長工程における温度プログラムを説明する図、第４図
は第１図の発光ダイオードの不純物プロファイルを説明
する図、第５図は従来の発光ダイオードの構造を説明す
る図である。 ２１・・・Ｐ型クラッド層、２２・・・Ｐ型アクティブ
層、２３・・・Ｎ型クラッド層、２４．２５・・・電極
。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦、 第４図 ｙｉ１ ３区 襲 。 鴫 ） 猛 １１
Claims (2)
- （１）Ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層と、発光波長に必要
な混晶比のＧａＡｌＡｓアクティブ層と、Ｎ型ＧａＡｌ
Ａｓクラッド層とが順次成長形成された３層から成るダ
ブルヘテロ構造を備え、前記ＧａＡｌＡｓアクティブ層
との接合界面近傍では前記Ｐ型ＧａＡｌＡｓ層およびＮ
型ＧａＡｌＡｓ層の不純物濃度は前記ＧａＡｌＡｓアク
ティブ層の不純物濃度よりも低く、しかも前記Ｐ型Ｇａ
ＡｌＡｓ層およびＮ型ＧａＡｌＡｓ層の少なくとも一方
は表面が高濃度となるような傾斜型の不純物濃度勾配を
有することを特徴とする発光ダイオード。 - （２）前記Ｐ型ＧａＡｌＡｓ層およびＮ型ＧａＡｌＡｓ
層の不純物濃度は、前記ＧａＡｌＡｓアクティブ層との
接合界面近傍で前記ＧａＡｌＡｓアクティブ層の不純物
濃度よりも低く、表面が高濃度となるような傾斜型の不
純物濃度勾配をそれぞれ有している特許請求の範囲第１
項記載の発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62114003A JPS63278383A (ja) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62114003A JPS63278383A (ja) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | 発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63278383A true JPS63278383A (ja) | 1988-11-16 |
Family
ID=14626623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62114003A Pending JPS63278383A (ja) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | 発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63278383A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02235380A (ja) * | 1989-03-08 | 1990-09-18 | Toshiba Corp | ダブルヘテロ型赤外光発光素子 |
| JPH04212480A (ja) * | 1990-04-18 | 1992-08-04 | Toshiba Corp | 発光素子 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59208887A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-27 | Nec Corp | 半導体発光素子 |
| JPS61183977A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-16 | Toshiba Corp | 発光素子及びその製造方法 |
-
1987
- 1987-05-11 JP JP62114003A patent/JPS63278383A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59208887A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-27 | Nec Corp | 半導体発光素子 |
| JPS61183977A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-16 | Toshiba Corp | 発光素子及びその製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02235380A (ja) * | 1989-03-08 | 1990-09-18 | Toshiba Corp | ダブルヘテロ型赤外光発光素子 |
| JPH04212480A (ja) * | 1990-04-18 | 1992-08-04 | Toshiba Corp | 発光素子 |
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