JPS63261851A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
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- JPS63261851A JPS63261851A JP62097755A JP9775587A JPS63261851A JP S63261851 A JPS63261851 A JP S63261851A JP 62097755 A JP62097755 A JP 62097755A JP 9775587 A JP9775587 A JP 9775587A JP S63261851 A JPS63261851 A JP S63261851A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 239000008188 pellet Substances 0.000 abstract description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 7
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子の製造方法に関し、特にバイアホー
ルを有する半導体素子の製造方法に関する。
ルを有する半導体素子の製造方法に関する。
従来、バイアホールを有する半導体素子のペレットの分
離方法としては、裏面からのエツチングカットの方法や
ウェハーをガラス板等に貼り付けたまま裏面からダイサ
ーによりカッティングする方法等が用いられている。
離方法としては、裏面からのエツチングカットの方法や
ウェハーをガラス板等に貼り付けたまま裏面からダイサ
ーによりカッティングする方法等が用いられている。
上述した従来の裏面からのエツチングカット方法では、
例えば１００μｍから２００μｍ程度のペレット厚さの
素子を製造するときにエツチング幅が広くなるためスク
ライブ線領域が広くなり、ウェハーの利用率が著しく低
下したり、エツチング端面が垂直にならない為ペレット
化後の工程における取扱いが難しいという欠点がある。
例えば１００μｍから２００μｍ程度のペレット厚さの
素子を製造するときにエツチング幅が広くなるためスク
ライブ線領域が広くなり、ウェハーの利用率が著しく低
下したり、エツチング端面が垂直にならない為ペレット
化後の工程における取扱いが難しいという欠点がある。
゛又つェーハをガラス板に貼りつけたまま裏面からダイ
サーでカッティングする方法では、ウェハーとガラス板
とを貼つける材料をうまく選択しないとダイシング途中
にペレットが飛んだり、クラ・レフが走ったりし製造歩
留りが低下するという欠点を有している。
サーでカッティングする方法では、ウェハーとガラス板
とを貼つける材料をうまく選択しないとダイシング途中
にペレットが飛んだり、クラ・レフが走ったりし製造歩
留りが低下するという欠点を有している。
本発明の目的は、上記欠点を除去し、分離したベレット
の取扱いが容易でかつ製造歩留りの向上した半導体素子
の製造方法を提供することにある。
の取扱いが容易でかつ製造歩留りの向上した半導体素子
の製造方法を提供することにある。
本発明の半導体素子の製造方法は、通常のダイシングカ
ットと同様に半導体基板の表面側からタイサーによりス
クライブ領域に溝を入れる工程と、溝が形成された半導
体基板の裏面を表にしてカラス板等の支持基板に貼付け
る工程と、支持基板に貼付けられた半導体基板の裏面を
研磨又は研磨及びエツチングし前記溝を貫通させる工程
とを含んで構成される。
ットと同様に半導体基板の表面側からタイサーによりス
クライブ領域に溝を入れる工程と、溝が形成された半導
体基板の裏面を表にしてカラス板等の支持基板に貼付け
る工程と、支持基板に貼付けられた半導体基板の裏面を
研磨又は研磨及びエツチングし前記溝を貫通させる工程
とを含んで構成される。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｇ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した半導体チップの断面図である。
めの工程順に示した半導体チップの断面図である。
まず第１図（ａ）に示すように４００〜５００μｍの厚
さを有するＧａＡｓからなる半導体基板１とその表面層
にＧａＡｓＭＥＳＦＥＴやＧａＡ ｓ ＭＥ Ｓ Ｆ
ＥＴを使用したＩＣ等の素子２を形成する。
さを有するＧａＡｓからなる半導体基板１とその表面層
にＧａＡｓＭＥＳＦＥＴやＧａＡ ｓ ＭＥ Ｓ Ｆ
ＥＴを使用したＩＣ等の素子２を形成する。
次に、第１図（ｂ）に示す様に、スクライブ領域に表面
からグイサーを用い１００〜２００μｍの深さの溝３を
形成する。
からグイサーを用い１００〜２００μｍの深さの溝３を
形成する。
次に第１図（ｃ）に示す様に、ガラス板４に半導体基板
１の表面を下にしてフォトレジスト等の貼付は剤５を使
用して貼付ける。
１の表面を下にしてフォトレジスト等の貼付は剤５を使
用して貼付ける。
次に第１図（ｄ）に示す様にガラス板４に貼付けた状態
で半導体基板の裏面を研磨し第１図（ｂ）の工程で形成
した満３を貫通させる。この場合溝３が貫通する直前ま
で研磨したのち、例えば硫酸系の溶液を用いてエツチン
グし満３を貫通させてもよい。
で半導体基板の裏面を研磨し第１図（ｂ）の工程で形成
した満３を貫通させる。この場合溝３が貫通する直前ま
で研磨したのち、例えば硫酸系の溶液を用いてエツチン
グし満３を貫通させてもよい。
次に第１図（ｅ）に示す様に、写真蝕刻法によりバター
ニングしたマスク８を用い塩素系ガスによる反応性イオ
ンエツチングやイオンビームエツチングあるいは硫酸系
溶液によるケミカルエツチングにより半導体基板１の裏
面から表面に貫通するバイアホール６を形成する。
ニングしたマスク８を用い塩素系ガスによる反応性イオ
ンエツチングやイオンビームエツチングあるいは硫酸系
溶液によるケミカルエツチングにより半導体基板１の裏
面から表面に貫通するバイアホール６を形成する。
次に第１図（ｆ）に示す様に、半導体基板１の裏面及び
バイアホール６を介して裏面と表面接地電極とを電気的
に接続する金属電極膜を例えばＴ ｉ −Ａ ｕのスパ
ッタや蒸着膜形成後Ａｕメッキにより厚さ５μｍから数
１０μｍの裏面の電極膜７を形成する。
バイアホール６を介して裏面と表面接地電極とを電気的
に接続する金属電極膜を例えばＴ ｉ −Ａ ｕのスパ
ッタや蒸着膜形成後Ａｕメッキにより厚さ５μｍから数
１０μｍの裏面の電極膜７を形成する。
次に、第１図（ｇ＞に示す様にスクライブライン上の電
極膜７を写真蝕刻法によりエツチング除去する。以下ガ
ラス板４と半導体基板１とを貼付は剤５を溶解除去する
ことにより分離し、半導体素子が形成されたベレットを
完成させる。
極膜７を写真蝕刻法によりエツチング除去する。以下ガ
ラス板４と半導体基板１とを貼付は剤５を溶解除去する
ことにより分離し、半導体素子が形成されたベレットを
完成させる。
このように本実施例によれば、バイアホール６を有する
半導体素子のベレット分離のためのスクライブ領域を小
さくすることが可能となる。又外観上の不良ベレットの
発生を最小限度に押えることができるためベレットの収
率を向上させることができる。
半導体素子のベレット分離のためのスクライブ領域を小
さくすることが可能となる。又外観上の不良ベレットの
発生を最小限度に押えることができるためベレットの収
率を向上させることができる。
また、このようにして分離されたベレットの端面は垂直
でなめらかであるため、組立等その後の工程でのベレッ
トの取扱いがバイアホールのない通常の表面からのスク
ライブされたベレットと同様に容易となる。従ってその
後の工程での製品の歩留り及び信頼度が向上する。
でなめらかであるため、組立等その後の工程でのベレッ
トの取扱いがバイアホールのない通常の表面からのスク
ライブされたベレットと同様に容易となる。従ってその
後の工程での製品の歩留り及び信頼度が向上する。
以上説明したように本発明は、半導体基板表面のスクラ
イブ領域に溝を形成したのち、その表面に支持板を貼付
け、半導体基板の裏面を研磨して溝を貫通させることに
より、ベレットの取扱いが容易でかつ製造歩留りの向上
した半導体素子の製造方法が得られる。
イブ領域に溝を形成したのち、その表面に支持板を貼付
け、半導体基板の裏面を研磨して溝を貫通させることに
より、ベレットの取扱いが容易でかつ製造歩留りの向上
した半導体素子の製造方法が得られる。
第１図（ａ）〜（ｇ＞は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した半導体チップの断面図である。
めの工程順に示した半導体チップの断面図である。
Claims (1)
- 素子が形成された半導体基板表面のスクライブ領域に
溝を形成する工程と、溝が形成された前記半導体基板の
表面に支持基板を貼付ける工程と、支持基板に貼付けら
れた前記半導体基板の裏面を研磨又は研磨及びエッチン
グし前記溝を貫通させる工程とを含むことを特徴とする
半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62097755A JPS63261851A (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62097755A JPS63261851A (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63261851A true JPS63261851A (ja) | 1988-10-28 |
Family
ID=14200696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62097755A Pending JPS63261851A (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63261851A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04367250A (ja) * | 1991-06-14 | 1992-12-18 | Sharp Corp | 半導体チップの製造方法 |
| JPH06224299A (ja) * | 1993-01-25 | 1994-08-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウェーハの分割方法及び分割システム |
| US6184109B1 (en) | 1997-07-23 | 2001-02-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of dividing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device |
| US6294439B1 (en) | 1997-07-23 | 2001-09-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of dividing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device |
| US6337258B1 (en) | 1999-07-22 | 2002-01-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of dividing a wafer |
| WO2008065988A1 (en) * | 2006-11-27 | 2008-06-05 | Philtech Inc. | Process for producing rf powder |
| WO2008114806A1 (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2008227285A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Sanyo Electric Co Ltd | ウエハ及びその搬送システム |
| US8237622B2 (en) | 2006-12-28 | 2012-08-07 | Philtech Inc. | Base sheet |
| US8318047B2 (en) | 2006-11-28 | 2012-11-27 | Philtech, Inc. | Method for providing RF powder and RF powder-containing liquid |
| US8704202B2 (en) | 2006-11-28 | 2014-04-22 | Philtech Inc. | RF powder particles including an inductance element, a capacitance element, and a photovoltaic cell and method for exciting RF powder |
| US8766802B2 (en) | 2006-11-27 | 2014-07-01 | Philtech Inc. | Base data management system |
| US8766853B2 (en) | 2006-11-27 | 2014-07-01 | Philtech Inc. | Method for adding RF powder and RF powder-added base sheet |
| US8933784B2 (en) | 2006-11-28 | 2015-01-13 | Philtech Inc. | RF powder particle, RF powder, and RF powder-containing base |
-
1987
- 1987-04-20 JP JP62097755A patent/JPS63261851A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04367250A (ja) * | 1991-06-14 | 1992-12-18 | Sharp Corp | 半導体チップの製造方法 |
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| US6337258B1 (en) | 1999-07-22 | 2002-01-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of dividing a wafer |
| US8178415B2 (en) | 2006-11-27 | 2012-05-15 | Philtech, Inc. | Method for manufacturing RF powder |
| WO2008065988A1 (en) * | 2006-11-27 | 2008-06-05 | Philtech Inc. | Process for producing rf powder |
| US8766853B2 (en) | 2006-11-27 | 2014-07-01 | Philtech Inc. | Method for adding RF powder and RF powder-added base sheet |
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| US8318047B2 (en) | 2006-11-28 | 2012-11-27 | Philtech, Inc. | Method for providing RF powder and RF powder-containing liquid |
| US8704202B2 (en) | 2006-11-28 | 2014-04-22 | Philtech Inc. | RF powder particles including an inductance element, a capacitance element, and a photovoltaic cell and method for exciting RF powder |
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| US8237622B2 (en) | 2006-12-28 | 2012-08-07 | Philtech Inc. | Base sheet |
| US8187949B2 (en) | 2007-03-14 | 2012-05-29 | Sanyo Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2008227284A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2008227285A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Sanyo Electric Co Ltd | ウエハ及びその搬送システム |
| WO2008114806A1 (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | 半導体装置及びその製造方法 |
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